JP6423952B2 - コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
コンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6423952B2 JP6423952B2 JP2017510913A JP2017510913A JP6423952B2 JP 6423952 B2 JP6423952 B2 JP 6423952B2 JP 2017510913 A JP2017510913 A JP 2017510913A JP 2017510913 A JP2017510913 A JP 2017510913A JP 6423952 B2 JP6423952 B2 JP 6423952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- upper electrode
- lower electrode
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/32—Wound capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/015—Special provisions for self-healing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
Description
拡散防止層、下部電極層、誘電体層、よび上部電極層を有して成る巻回型コンデンサであって、拡散防止層、下部電極層、誘電体層、および上部電極層の順に積層された積層体が、前記上部電極を内側にして巻回され、前記拡散防止層が原子層堆積法により形成されている巻回型コンデンサが提供される。
上記の巻回型コンデンサの製造方法であって、
基板上に犠牲層を形成し、
犠牲層上に、原子層堆積法を用いて拡散防止層を形成し、
拡散防止層上に、下部電極層、誘電体層および上部電極層を順次形成して積層体を得、
犠牲層を除去することにより積層体を巻回すること
を特徴とする、製造方法が提供される。
4インチ四方のシリカ基板を準備し、その上に真空蒸着法を用いて、厚み20nmのGe層を形成した。得られたGe層を、N2/O2雰囲気下、150℃の温度で酸化させることにより、GeO2の犠牲層を形成した。得られた犠牲層の上に、拡散防止層として、厚み7nmのAl2O3層を、ALD法を用いて形成した。次いで、得られた拡散防止層の上に、密着層として厚み7nmのTiOx層を、スパッタ法を用いて形成し、さらにその上に下部電極層として、厚み25nmのPt層を、スパッタ法を用いて形成した。
Al2O3の拡散防止層を設けないこと以外は、実施例1と同様にして積層体を作製した。この積層体を、実施例1と同様にして、過酸化水素水によるエッチングを行ったが、積層体は巻回しなかった。
Al2O3の拡散防止層(厚み7nm)をスパッタ法を用いて形成したこと以外は、実施例1と同様にして積層体を作製した。この積層体を、実施例1と同様にして、過酸化水素水によるエッチングを行ったが、積層体は巻回しなかった。
2…拡散防止層
4…下部電極層
6…誘電体層
8…上部電極層
9…第2誘電体層
10…積層体
12…本体部
14…引き出し部
16…第1端子
18…第2端子
20…犠牲層
22…基板
Claims (8)
- 拡散防止層、下部電極層、誘電体層、および上部電極層を有して成る巻回型コンデンサであって、
拡散防止層、下部電極層、誘電体層、および上部電極層の順に積層された積層体が、前記上部電極層を内側にして巻回され、
前記拡散防止層が原子層堆積法により形成されており、
前記拡散防止層が、酸化アルミニウムから形成されており、
前記下部電極層が白金から形成され、
前記上部電極層がクロムから形成され、
前記誘電体層がチタン系ペロブスカイト型複合酸化物から形成されている
巻回型コンデンサ。 - 拡散防止層の厚みが、5〜10nmであることを特徴とする、請求項1に記載の巻回型コンデンサ。
- 前記チタン系ペロブスカイト型複合酸化物が、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、(BaSr)TiO3、(BaCa)TiO3、(SrCa)TiO3、Ba(TiZr)O3、Sr(TiZr)O3、Ca(TiZr)O3、(BaSr)(TiZr)O3、(BaCa)(TiZr)O3、または(SrCa)(TiZr)O3であることを特徴とする、請求項1または2に記載の巻回型コンデンサ。
- 拡散防止層と下部電極層の間、または上部電極層の上に、さらに第2の誘電体層が存在することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の巻回型コンデンサ。
- 誘電体層と上部電極層の間に、さらに界面層が存在することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の巻回型コンデンサ。
- 請求項1に記載の巻回型コンデンサの製造方法であって、
基板上に犠牲層を形成し、
犠牲層上に、原子層堆積法を用いて拡散防止層を形成し、
拡散防止層上に、下部電極層、誘電体層、および上部電極層を順次形成して積層体を得、
犠牲層を除去することにより積層体を巻回すること
を含む、製造方法。 - 拡散防止層と下部電極層の間に、さらに密着層を形成することを特徴とする請求項6
に記載の製造方法。 - 誘電体層と上部電極層の間に、さらに界面層を形成することを特徴とする請求項6または7に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/072853 WO2016031077A1 (en) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | Capacitor and process for producing thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017529698A JP2017529698A (ja) | 2017-10-05 |
JP6423952B2 true JP6423952B2 (ja) | 2018-11-14 |
Family
ID=51535491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510913A Active JP6423952B2 (ja) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170162332A1 (ja) |
EP (1) | EP3186815B1 (ja) |
JP (1) | JP6423952B2 (ja) |
CN (1) | CN107077967A (ja) |
WO (1) | WO2016031077A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017111463B4 (de) * | 2017-05-24 | 2022-11-17 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Aufgerollte energiespeicherbauelemente und verfahren zu ihrer herstellung |
DE102017214638B4 (de) * | 2017-08-22 | 2021-12-02 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Mikro-Bauelementen und dreidimensionale Mikro-Bauelemente |
CN110760801B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-09-28 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 储能陶瓷薄膜及其制备方法 |
CN110970557A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电容器件及其形成方法 |
TW202113130A (zh) | 2019-08-13 | 2021-04-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 利用直接微波電漿的peald氮化鈦 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6249423B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-06-19 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Electrolytic capacitor and multi-anodic attachment |
DE10159415B4 (de) * | 2001-12-04 | 2012-10-04 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Mikrospule und Mikrospule |
CN101088131A (zh) * | 2004-07-23 | 2007-12-12 | 桑德夫技术有限公司 | 具有高蓄能密度和低等效串联电阻的电容器 |
KR101120872B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2012-02-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전극박 및 그 제조 방법과 전해 컨덴서 |
ATE511195T1 (de) | 2007-08-07 | 2011-06-15 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren zur herstellung eines kondensators und kondensator |
JP4510116B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2010-07-21 | 富士通株式会社 | キャパシタの製造方法、構造体、及びキャパシタ |
DE102009027746A1 (de) * | 2008-07-16 | 2010-09-23 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Thermionisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20140023497A1 (en) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | General Electric Company | Cooled turbine blade tip shroud with film/purge holes |
US9224532B2 (en) * | 2012-10-11 | 2015-12-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Rolled-up inductor structure for a radiofrequency integrated circuit (RFIC) |
DE102012221932A1 (de) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Aufgerollte, dreidimensionale Feldeffekttransistoren und ihre Verwendung in der Elektronik, Sensorik und Mikrofluidik |
WO2016019223A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Western Michigan University Research Foundation | Self-supported electronic devices |
-
2014
- 2014-08-26 EP EP14762108.0A patent/EP3186815B1/en not_active Not-in-force
- 2014-08-26 JP JP2017510913A patent/JP6423952B2/ja active Active
- 2014-08-26 WO PCT/JP2014/072853 patent/WO2016031077A1/en active Application Filing
- 2014-08-26 CN CN201480081450.6A patent/CN107077967A/zh active Pending
-
2017
- 2017-02-23 US US15/440,429 patent/US20170162332A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170162332A1 (en) | 2017-06-08 |
WO2016031077A1 (en) | 2016-03-03 |
JP2017529698A (ja) | 2017-10-05 |
CN107077967A (zh) | 2017-08-18 |
EP3186815B1 (en) | 2019-06-26 |
EP3186815A1 (en) | 2017-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6423952B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
US10643794B2 (en) | Capacitor and process for producing thereof | |
JP6213579B2 (ja) | コンデンサ | |
TWI527231B (zh) | Electronic device, laminated structure and manufacturing method thereof | |
JP6756388B2 (ja) | 原子層堆積阻害材料 | |
TWI424533B (zh) | 形成電容器之方法 | |
JP2013229582A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
JP2011077151A (ja) | 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法 | |
JP5267251B2 (ja) | 薄膜コンデンサ、及び薄膜コンデンサの製造方法 | |
CN106972012A (zh) | Mim电容器及其形成方法 | |
JP2011228462A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
US20180350523A1 (en) | Roll-up capacitor and method for producing the same | |
US20130001743A1 (en) | Metal insulator metal structure with remote oxygen scavenging | |
US10679793B2 (en) | Roll-up type capacitor and process for producing the same | |
CN113206107A (zh) | 铁电记忆体及其制造方法 | |
JP4604939B2 (ja) | 誘電体薄膜、薄膜誘電体素子およびその製造方法 | |
JP2019204876A (ja) | 巻回型コンデンサの製造方法及び巻回型コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181019 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6423952 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |