JP6423341B2 - 炭化ケイ素粉体の製造方法 - Google Patents
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Description
実施形態に係る炭化ケイ素粉体において、ケイ素源、炭素源及び触媒によって構成される混合物に含まれる炭素と前記混合物に含まれるケイ素との比率はモル比で2.5以上である。炭化ケイ素粉体の平均粒径は10μm以上25μm以下である。
実施形態では、混合物の炭素とケイ素との比率(C/Si)がモル比で2.5以上であり、炭化ケイ素粉体の平均粒径が10μm以上25μm以下であることによって、高強度の炭化ケイ素焼結体を製造するための炭化ケイ素粉体が得られる。
(炭化ケイ素粉体の製造方法)
第1実施形態に係る炭化ケイ素粉体の製造方法について説明する。図1は、第1実施形態に係る炭化ケイ素粉体の製造方法を示すフロー図である。図1に示されるように、第1実施形態に係る炭化ケイ素粉体の製造方法は、混合工程S10と焼成工程S20とを有する。
混合工程S10は、常温で液状のケイ素源と常温で液状の炭素源と炭素源に溶化する触媒(重合触媒又は架橋触媒)とを混合し、ケイ素源、炭素源及び触媒を含む混合物を生成する工程である。
焼成工程S20は、非酸化雰囲気下において、メチルシリケート、炭素源及び触媒の混合物を加熱することによって、炭化ケイ素粉体を生成する工程である。例えば、アルゴン雰囲気中において、1350℃〜2000℃で、約30分〜3時間に亘って、混合工程S10によって生成された混合物を加熱することによって、炭化ケイ素粉体が得られる。
第1実施形態では、混合物のC/Siがモル比で2.5以上であり、炭化ケイ素粉体の平均粒径が10μm以上25μm以下であることによって、高強度の炭化ケイ素焼結体を製造するための炭化ケイ素粉体が得られる。
以下において、評価結果について説明する。評価では、比較例1−4及び実施例1−3に係るサンプル(炭化ケイ素粉体)を準備した。これらのサンプルの組成及び粒径は、図3に示す通りである。また、評価では2280℃の温度条件、500kgf/cm2の圧力条件、9時間の時間条件において、これらのサンプルを焼結することによって、インゴッドを製造するとともに、インゴッドを研磨した。このように製造されたインゴッドについて、「焼結性」、「密度(g/cm3)」、「目視確認結果」について評価した。
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (2)
- 平均粒径が10μm以上25μm以下である炭化ケイ素粉体の製造方法であって、
ケイ素源、炭素源及び触媒を混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物を加熱することで炭化ケイ素粉体を得る工程とを備え、
前記ケイ素源がメチルシリケートであり、
前記炭素源が常温で液状である炭素源であり、
前記触媒がマレイン酸およびその誘導体であり、
前記混合物に含まれる炭素と前記混合物に含まれるケイ素との比率がモル比で2.5以上であり、
前記ケイ素源、前記炭素源、及び前記触媒の配合比が、前記ケイ素源を100重量部とした場合に、前記炭素源が40〜60重量部であり、前記触媒が5〜10重量部であることを特徴とする炭化ケイ素粉体の製造方法。 - 前記炭化ケイ素粉体の粒度分布において、粒径が小さい方から累積した場合において、粒径が90%に達するときの粒径が25μmよりも大きく50μm以下であるように、前記炭化ケイ素粉体が製造されることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素粉体の製造方法。
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