JP6414651B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器に関し、特にインダクタンス成分を有するインダクタブリッジを備えた電子機器に関するものである。

従来、携帯端末等の小型電子機器において、筐体内に複数の基板等の実装回路部材を備える場合に、例えば特許文献１に示されているように、可撓性を有するフラットケーブルで実装回路部材間が接続される。

図１８は、特許文献１に示されている一つのインダクタブリッジ１００の分解斜視図である。このインダクタブリッジ１００は、可撓性を有する絶縁基材（基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの積層体）と、絶縁基材に形成されるヘリカルコイル（ループ状導体３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａで構成されるヘリカル状のコイル）とを備えている。

国際公開第２０１４／１２９２７９号

特許文献１に示されるような可撓性を有するインダクタブリッジは、電子機器の内部の限られた空間に設けられる場合に、所定箇所が屈曲した状態で設けられることがある。ところが、インダクタブリッジが屈曲すると、絶縁基材の変形に伴ってヘリカルコイルの形状が変形し、ヘリカルコイルの線間容量（層間容量）が変化することがあり、インダクタブリッジの屈曲前後でヘリカルコイルの電気的特性が変化する場合がある。

本発明の目的は、屈曲に伴う電気的特性の変動を抑制したインダクタブリッジを備える電子機器を提供することにある。

（１）本発明の電子機器は、
インダクタブリッジと、第１回路と、第２回路と、を備え、
前記第１回路と前記第２回路とが前記インダクタブリッジを介して接続され、
前記インダクタブリッジは、
第１主面を有し、可撓性を有する絶縁基材と、
前記絶縁基材に形成され、前記第１主面に直交する巻回軸を有するコニカルコイルと、
を有し、
前記コニカルコイルは、前記コニカルコイルの巻回軸方向に沿って配置される複数のループ状導体を含んで構成され、
前記複数のループ状導体の内外径の、前記巻回軸方向に沿った変化は一方向であり、
前記複数のループ状導体は、前記巻回軸方向から視て、互いに重ならず、
前記複数のループ状導体のうち内外径の最も大きな大径ループ状導体は、前記インダクタブリッジが曲がったときに、内外径が他のループ状導体と比べて相対的に前記絶縁基材に沿って拡がる位置に配置されることを特徴とする。

この構成では、大径ループ状導体が、インダクタブリッジが屈曲したときに、内外径が他のループ状導体と比べて相対的に絶縁基材に沿って拡がる位置に配置されているため、大径ループ状導体と他のループ状導体とが面同士で対向しない。そのため、インダクタブリッジが屈曲しても、複数のループ状導体間の層間容量の変化が抑制され、インダクタブリッジの屈曲に伴うコニカルコイルの電気的特性の変動は抑制される。

（２）上記（１）において、前記絶縁基材は、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層を積層して形成される積層体であることが好ましい。この構成では、絶縁基材が熱可塑性樹脂であるため、実装状態（実装先の凹凸等）に合わせて形状を容易に塑性加工できる。

（３）上記（１）または（２）において、前記インダクタブリッジは、一部に屈曲部を備えていてもよい。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記コニカルコイルは、２ターンより多く巻回し、前記巻回軸方向から視て、前記コニカルコイルにおいて最も外周を巻回する部分を第１コイル部と定義し、前記第１コイル部に対して内周側に向かってｎ−１（ｎは２以上の整数）番目に位置する部分を第ｎコイル部と定義し、前記第１コイル部と第２コイル部との間隙を第１間隙と定義し、前記第ｎコイル部と第ｎ＋１コイル部との間隙を第ｎ間隙と定義したとき、前記第１間隙はその他の間隙よりも大きいことが好ましい。第１コイル部と第２コイル部とが互いに並走している部分は、その他のコイル部同士が互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、その他の間隙を大きくするよりも、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイルの自己共振周波数を高くできる。

また、この構成により、全ての間隙を等しく大きくした場合と比べて、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減しつつ、コニカルコイルの大型化を抑制できる。

（５）上記（４）において、前記第ｎ間隙は、第ｎ＋１間隙よりも大きいことが好ましい。第ｎコイル部と第ｎ＋１とが互いに並走している部分は、第ｎ＋１コイル部と第ｎ＋２コイル部とが互いに並走している部分よりも長い。そのため、第ｎ間隙を大きくすることにより、第ｎ＋１間隙を大きくするよりも、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイルの自己共振周波数を高くできる。

（６）上記（４）または（５）において、前記巻回軸方向から視た前記第１間隙は、前記巻回軸方向から視たその他の間隙よりも大きくてもよい。

（７）上記（６）において、前記巻回軸方向から視た前記第ｎ間隙は、前記巻回軸方向から視た前記第ｎ＋１間隙よりも大きくてもよい。

（８）上記（４）から（７）のいずれかにおいて、前記巻回軸方向における前記第１間隙は、前記巻回軸方向におけるその他の間隙よりも大きくてもよい。

（９）上記（８）において、前記巻回軸方向における前記第ｎ間隙は、前記巻回軸方向における第ｎ＋１間隔よりも大きくてもよい。

（１０）上記（４）から（９）のいずれかにおいて、前記第１コイル部の線幅は、その他のコイル部の線幅よりも細いことが好ましい。第１コイル部と第２コイル部とが互いに並走している部分は、その他のコイル部同士が互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、第１コイル部と第２コイル部との対向面積が小さくなるため、その他のコイル部の線幅を細くするよりも（すなわち、その他のコイル部同士の対向面積を小さくするよりも）、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイルの自己共振周波数を高くできる。

（１１）上記（１０）において、前記第ｎコイル部の線幅は、前記第ｎ＋１コイル部の線幅よりも細いことが好ましい。第ｎコイル部と第ｎ＋１コイル部とが互いに並走している部分は、第ｎ＋１コイル部と第ｎ＋２コイル部とが互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、第ｎ＋１コイル部の線幅を細くするよりも、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイルの自己共振周波数を高くできる。

本発明によれば、屈曲に伴う電気的特性の変動を抑制したインダクタブリッジを備える電子機器を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係るインダクタブリッジ１０１の斜視図であり、図１（Ｂ）はインダクタブリッジ１０１の分解斜視図である。 図２（Ａ）はインダクタブリッジ１０１のコニカルコイル３が形成された部分を示す平面図であり、図２（Ｂ）はその部分の断面図である。 図３（Ａ）は屈曲させる前のインダクタブリッジ１０１の部分的な断面図であり、図３（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０１の部分的な断面図である。 図４は第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。 図５は、インダクタブリッジ１０１Ａの製造工程を順に示す断面図である。 図６は第２の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す断面図である。 図７（Ａ）は屈曲させる前のインダクタブリッジ１０２の部分断面図であり、図７（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２の部分断面図である。 図８（Ａ）は第２の実施形態に係る別のインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図８（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ａの部分断面図である。 図９（Ａ）は第２の実施形態に係る別のインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図９（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ｂの部分断面図である。 図１０（Ａ）は、第２の実施形態に係る別のインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図１０（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ｃの部分断面図である。 図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るインダクタブリッジ１０３の斜視図であり、図１１（Ｂ）はインダクタブリッジ１０３の分解斜視図である。 図１２（Ａ）はインダクタブリッジ１０３のコニカルコイル３Ａが形成された部分を示す平面図であり、図１１（Ｂ）はその部分の断面図である。 図１３（Ａ）は第４の実施形態に係るインダクタブリッジ１０４の、コニカルコイル３Ｂが形成された部分を示す平面図であり、図１３（Ｂ）はその部分の断面図である。 図１４（Ａ）は第５の実施形態に係るインダクタブリッジ１０５の、コニカルコイル３Ｃが形成された部分を示す平面図であり、図１４（Ｂ）はその部分の断面図である。 図１５（Ａ）は第６の実施形態に係るインダクタブリッジ１０６の、コニカルコイル３Ｄが形成された部分を示す平面図であり、図１５（Ｂ）はその部分の断面図である。 図１６（Ａ）は第７の実施形態に係るインダクタブリッジ１０７のコニカルコイル３Ｅが形成された部分の、各ループ状導体を示す平面図であり、図１６（Ｂ）はその部分の各コイル部を示す平面図である。 図１７は、インダクタブリッジ１０７のコニカルコイル３Ｅが形成された部分の断面図である。 図１８は、特許文献１に示されている一つのインダクタブリッジの分解斜視図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るインダクタブリッジ１０１の斜視図であり、図１（Ｂ）はインダクタブリッジ１０１の分解斜視図である。図２（Ａ）はインダクタブリッジ１０１のコニカルコイル３が形成された部分を示す平面図であり、図２（Ｂ）はその部分の断面図である。図２（Ａ）では、構造を解りやすくするため、保護層１および基材層１４の図示を省略している。また、図２（Ａ）では、大径ループ状導体３１で囲まれる開口部ＢＲをドットパターンで示している。

インダクタブリッジ１０１は、絶縁基材１０、保護層１、絶縁基材１０に形成されるコニカルコイル３（後に詳述する）、コネクタ５１，５２を備える。

絶縁基材１０は、第１主面ＶＳ１および第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する、直方体状の熱可塑性樹脂の平板である。

絶縁基材１０は、基材層１１，１２，１３，１４および保護層１を積層して形成される積層体であり、可撓性を有する。複数の基材層１１，１２，１３，１４は、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する、平面形状が矩形の、例えば液晶ポリマーを主材料とした熱可塑性樹脂からなるシート状の平板である。

基材層１１の裏面には電極４１が形成される。電極４１は、基材層１１の第１端（図１（Ｂ）における基材層１１の右端）付近に配置される平面形状が矩形の導体パターンである。電極４１は例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１２の裏面には小径ループ状導体３２および導体２１が形成される。小径ループ状導体３２は、基材層１２の中央付近に形成される約０．７ターンの矩形ループ状の導体パターンである。導体２１は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、基材層１２の中央付近から基材層１２の第１端寄りの位置に配置されている。小径ループ状導体３２および導体２１は連続形成されており、小径ループ状導体３２の第１端は導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、基材層１１に形成される層間接続導体Ｖ１を介して、電極４１に接続される。小径ループ状導体３２および導体２１は例えばＣｕ箔等の導体パターンであり、層間接続導体Ｖ１は例えばビア導体またはスルーホール等である。

基材層１３の表面には、大径ループ状導体３１および導体２２が形成される。大径ループ状導体３１は、基材層１３の中央付近に形成される約０．８ターンの矩形ループ状の導体パターンである。図２（Ａ）に示すように、大径ループ状導体３１は、小径ループ状導体３２よりも内外径が大きい。導体２２は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、基材層１３の中央付近から基材層１３の第２端（図１（Ｂ）における基材層１３の左端）寄りの位置に配置されている。大径ループ状導体３１の第１端は、基材層１２，１３に形成される層間接続導体Ｖ２を介して、小径ループ状導体３２に接続される。大径ループ状導体３１および導体２２は連続形成されており、大径ループ状導体３１の第２端は導体２２の第１端に接続される。大径ループ状導体３１および導体２２は例えばＣｕ箔等の導体パターンであり、層間接続導体Ｖ２は例えばビア導体またはスルーホール等である。

なお、本発明における「大径ループ状導体」とは、コニカルコイルを構成する複数のループ状導体のうち最も内外径（内径および外径）の大きなループ状導体を言う。

基材層１４の表面には電極４２が形成される。電極４２は、基材層１４の第２端（図１（Ｂ）における基材層１４の左端）付近に配置される、平面形状が矩形の導体パターンである。電極４２は、基材層１４に形成される層間接続導体Ｖ３を介して、導体２２の第２端に接続される。電極４２は例えばＣｕ箔等の導体パターンであり、層間接続導体Ｖ３は例えばビア導体またはスルーホール等である。

保護層１は平面形状が基材層１４と実質的に同一であり、基材層１４の表面に積層される。保護層１は電極４２の位置に応じた開口部ＡＰ１を有する。そのため、電極４２は絶縁基材１０の第１主面ＶＳ１に露出する。保護層１は例えばソルダーレジスト膜である。なお、保護層１は必須ではない。

コネクタ５１は、絶縁基材１０の第２主面ＶＳ２に設けられ、絶縁基材１０の長手方向の第１端（図１（Ａ）における絶縁基材１０の右端）に配置される。コネクタ５１は、電極４１に接続される。コネクタ５２は、絶縁基材１０の第１主面ＶＳ１に設けられ、絶縁基材１０の長手方向の第２端（絶縁基材１０の左端）に配置される。コネクタ５２は、電極４２に接続される。

インダクタブリッジ１０１では、複数の基材層１２，１３にそれぞれ形成される小径ループ状導体３２、大径ループ状導体３１および層間接続導体Ｖ２を含んで約１．５ターンの矩形コニカルコイル３が構成される。図２（Ｂ）に示すように、コニカルコイル３は、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に直交する（Ｚ軸方向に平行な）巻回軸ＡＸを有する。

図２（Ｂ）に示すように、複数のループ状導体（小径ループ状導体３２および大径ループ状導体３１）は、コニカルコイル３の巻回軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に沿って配置される。図２（Ｂ）に示すように、複数のループ状導体のうち内外径の最も大きな大径ループ状導体３１は、コニカルコイル３の巻回軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）において、他のループ状導体（小径ループ状導体３２）よりも第１主面ＶＳ１に近接して配置されている。

複数のループ状導体の内外径の、Ｚ軸方向における変化は一方向である（図２（Ｂ）におけるコニカルコイル３の概形ＤＥを参照）。本発明における「巻回軸方向に沿った変化は一方向である」とは、複数のループ状導体の内外径が、Ｚ軸方向に沿って大きく（または小さく）なるように変化していることを言う。

具体的には、大径ループ状導体３１がＺ軸方向において他のループ状導体（小径ループ状導体３２）よりも第１主面ＶＳ１に近接して配置され、複数のループ状導体のうち内外径の最も小さな小径ループ状導体３２が、Ｚ軸方向において他のループ状導体（大径ループ状導体３１）よりも第１主面ＶＳ１から最も遠い位置に配置されている。すなわち、図２（Ｂ）におけるコニカルコイル３の概形ＤＥに示すように、複数のループ状導体の内外径は、＋Ｚ方向（第２主面ＶＳ２側から第１主面ＶＳ１側）に向かって大きくなるように変化している。

また、図２（Ａ）に示すように、小径ループ状導体３２は、Ｚ軸方向から視て、大径ループ状導体３１で囲まれる開口部ＢＲの内側に配置されている。また、複数のループ状導体（大径ループ状導体３１および小径ループ状導体３２）は、Ｚ軸方向から視て、互いに重なっていない。

なお、本発明における「複数のループ状導体は、巻回軸方向から視て、互いに重ならない」というのは、複数のループ状導体同士が層間接続導体を介して接続されている部分以外、Ｚ軸方向から視て、互いに重なっていない（交差していない）ことを言う。

次に、インダクタブリッジ１０１に対して曲げを生じさせる外力が加わった場合について図を参照して説明する。図３（Ａ）は屈曲させる前のインダクタブリッジ１０１の部分断面図であり、図３（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０１の部分断面図である。

図３（Ｂ）に示すように、インダクタブリッジ１０１は、絶縁基材１０の長手方向（Ｘ軸方向）に沿ってＬ字状に（第２主面ＶＳ２を内側にして）屈曲している。このとき、絶縁基材１０の曲げ変位により第１主面ＶＳ１側は引っ張られるように変形し、第２主面ＶＳ２側は圧縮されるように変形する。この第１主面ＶＳ１側の引っ張り変形に伴って、Ｚ軸方向において第１主面ＶＳ１寄りに位置する大径ループ状導体３１は、絶縁基材１０の長手方向の両端に向かって拡がるように変位する（図３（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ１参照）。また、第２主面ＶＳ２側の圧縮変形に伴って、Ｚ軸方向において第２主面ＶＳ２寄りに位置する小径ループ状導体３２は、縮まるように変位する（図３（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ２参照）。

図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、大径ループ状導体３１は、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、内外径が他のループ状導体（小径ループ状導体３２）と比べて相対的に絶縁基材１０に沿って拡がる位置（第１主面ＶＳ１寄りの位置）に配置される。具体的に説明すると、大径ループ状導体３１は、インダクタブリッジ１０１を屈曲した後の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ｂ）が、インダクタブリッジ１０１を屈曲する前の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ａ）よりも大きくなる（Ｌ１ａ＜Ｌ１ｂ）位置に配置される。そのため、インダクタブリッジ１０１が図３（Ｂ）に示すように屈曲した後、大径ループ状導体３１と他のループ状導体（小径ループ状導体３２）とが、Ｚ軸方向から視て重なることがない（面同士で対向しない）。したがって、大径ループ状導体３１と他のループ状導体（小径ループ状導体３２）との間の層間容量の変化量は小さい。

次に、本発明のインダクタブリッジを備える電子機器について、図を参照して説明する。図４は第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

電子機器３０１は、インダクタブリッジ１０１Ａ、回路基板７１および実装基板２０１を備える。本実施形態では、回路基板７１に構成される回路が本発明における「第１回路」に相当し、実装基板２０１に構成される回路が本発明における「第２回路」に相当する。インダクタブリッジ１０１Ａは、絶縁基材１０が一部に屈曲部ＣＲ（曲げ加工された部分）を備える点でインダクタブリッジ１０１と異なり、その他の構成については実質的に同じである。

図４に示すように、インダクタブリッジ１０１Ａは、回路基板７１および実装基板２０１に接続される。

実装基板２０１の上面には導体８１が形成されている。レセプタクル６１は、導体８１に接続され、実装基板２０１に構成される第２回路に電気的に接続されている。実装基板２０１は例えばプリント配線板である。

また、回路基板７１の下面にはレセプタクル６２が実装されている。レセプタクル６２は、回路基板７１に形成される第１回路に電気的に接続されている。第１回路は例えばＵＨＦ帯アンテナの放射素子である。

インダクタブリッジ１０１Ａの、コネクタ５１はレセプタクル６１に接続され、コネクタ５２はレセプタクル６２に接続される。

本実施形態に係るインダクタブリッジ１０１Ａは、例えば次の工程で製造される。図５は、インダクタブリッジ１０１Ａの製造工程を順に示す断面図である。

まず、小径ループ状導体、大径ループ状導体、導体、電極等をパターンニングした基材層を積層して積層体を構成し、保護層をコーティングした後、その集合基板状態の絶縁基材から個々の素体を分離し、図５中の（１）に示すインダクタブリッジ１０１を得る。

次に、図５中の（２）に示すように、上部金型５および下部金型６を用いて、Ｚ軸方向に沿って、絶縁基材１０の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱加圧する（図５中の（２）に示す矢印参照）。なお、加熱加圧する位置は、絶縁基材１０の長手方向（Ｘ軸方向）の中央から第１端（絶縁基材の右端）寄りの位置である。上部金型５および下部金型６は、断面形状が所定の形状に屈曲した構造である。

その後、上部金型５および下部金型６からインダクタブリッジ１０１Ａを取り出す。このような製造方法により、屈曲部ＣＲ（曲げ加工された部分）を備えるインダクタブリッジ１０１Ａを得る。

本実施形態に係るインダクタブリッジ１０１，１０１Ａによれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、内外径の異なる複数のループ状導体（大径ループ状導体３１および小径ループ状導体３２）が、Ｚ軸方向に沿って配置される。また、大径ループ状導体３１は、Ｚ軸方向から視て、他のループ状導体（小径ループ状導体３２）に重なっていない。この構成により、ループ状導体（大径ループ状導体３１および小径ループ状導体３２）が互いに面同士では対向しないため、複数のループ状導体間の層間容量は小さい。

（ｂ）本実施形態では、他のループ状導体（小径ループ状導体３２）が、Ｚ軸方向から視て、大径ループ状導体３１で囲まれる開口部ＢＲの内側に配置され、大径ループ状導体３１および他のループ状導体が、Ｚ軸方向から視て、互いに重なっていない。また、大径ループ状導体３１は、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、内外径が他のループ状導体と比べて相対的に絶縁基材１０に沿って拡がる位置に配置されている。この構成により、インダクタブリッジ１０１がＬ字状に第２主面ＶＳ２を内側にして屈曲しても、複数のループ状導体（大径ループ状導体３１および小径ループ状導体３２）同士が面同士で対向しないため、複数のループ状導体間の層間容量の変化が抑制され、コニカルコイル３の電気的特性の変動は抑制される。

なお、本実施形態では、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、大径ループ状導体３１は内外径が絶縁基材１０に沿って拡がる位置（絶縁基材１０の中立面よりも第１主面ＶＳ１寄りの位置）に配置され、他のループ状導体（小径ループ状導体３２）は内外径が絶縁基材１０に沿って縮まる位置（絶縁基材１０の中立面よりも第２主面ＶＳ２寄りの位置）に配置される例を示したが、この構成に限定されるものではない。インダクタブリッジが屈曲したときに、大径ループ状導体３１の内外径が他のループ状導体と比べて「相対的に」絶縁基材１０に沿って拡がるような位置に配置されていれば良い。

具体的に説明すると、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、大径ループ状導体３１の内外径が他のループ状導体と比べて「相対的に」拡がる位置に配置されるのであれば、大径ループ状導体３１および他のループ状導体はいずれも内外径が拡がる位置（絶縁基材１０の中立面よりも第１主面ＶＳ１寄りの位置）に配置されていてもよい。また、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、大径ループ状導体３１の内外径が他のループ状導体と比べて「相対的に」拡がる位置に配置されるのであれば、大径ループ状導体３１および他のループ状導体はいずれも内外径が縮まる位置（絶縁基材１０の中立面よりも第２主面ＶＳ２寄りの位置）に配置されていてもよい。さらに、インダクタブリッジ１０１が屈曲したときに、大径ループ状導体３１の内外径が他のループ状導体と比べて「相対的に」拡がる位置に配置されるのであれば、大径ループ状導体３１および他のループ状導体のいずれかが絶縁基材１０の中立面に配置されていてもよい。このことは、以降に示す各実施形態でも同様である。

（ｃ）本実施形態では、複数の基材層１２，１３にそれぞれ形成される小径ループ状導体３２および大径ループ状導体３１を含んでコニカルコイル３が構成される。この構成により、所定の巻回数およびインダクタンスを有するコニカルコイルを絶縁基材１０に形成することができる。

（ｄ）また、本実施形態では、絶縁基材１０が熱可塑性樹脂であるため、図５中の（２）に示すように、実装状態（実装先の凹凸等）に合わせて形状を容易に塑性加工（曲げ加工）できる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態で示した電子機器とは異なる構造について示す。

図６は第２の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す断面図である。

電子機器３０２は、インダクタブリッジ１０２、樹脂筐体９１および実装基板２０２を備える。樹脂筐体９１の内面には導体パターン４が形成されている。導体パターン４は例えばグランド導体である。

本実施形態では、実装基板２０２に構成される回路が本発明における「第１回路」に相当し、樹脂筐体９１に構成される回路（グランド導体）が本発明における「第２回路」に相当する。

図６に示すように、インダクタブリッジ１０２は、樹脂筐体９１の導体パターン４および実装基板２０２の導体８２に接続される。インダクタブリッジ１０２は、一部が屈曲されている点でインダクタブリッジ１０１と異なる。その他の構成についてはインダクタブリッジ１０１と実質的に同じである。

実装基板２０２の上面には導体８２が形成され、実装基板２０２の内部には導体８３が形成される。レセプタクル６２は、導体８２に接続され、実装基板２０２に構成される第１回路に電気的に接続されている。実装基板２０２は例えばプリント配線板である。

また、樹脂筐体９１の内面にはレセプタクル６１が実装されている。レセプタクル６１は、樹脂筐体９１の内側に形成される導体パターン４（グランド導体）に電気的に接続されている。

インダクタブリッジ１０２のコネクタ５１は、レセプタクル６１に接続され、コネクタ５２は、レセプタクル６２に接続される。インダクタブリッジ１０２は、実装基板２０２および樹脂筐体９１に接続された状態で、コニカルコイル３が形成されている部分が、樹脂筐体９１に形成された開口ＯＰ１から露出している。そのため、コニカルコイル３は電磁界遮蔽されることがない。したがって、このインダクタブリッジ１０２をアンテナとして用いることができ、外部との通信が可能となる。

また、インダクタブリッジ１０２は、実装基板２０２および樹脂筐体９１の導体パターン４に接続された状態で、絶縁基材１０の長手方向の中央から第２端（図６における絶縁基材１０の右端）寄りの位置が屈曲している。具体的には、インダクタブリッジ１０２は、図６に示すように、コニカルコイル３が形成されていない部分がＬ字状に屈曲されている。

次に、インダクタブリッジのコニカルコイル３が形成されていない部分が、Ｌ字状に屈曲された場合について図を参照して説明する。図７（Ａ）は屈曲させる前のインダクタブリッジ１０２の部分断面図であり、図７（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２の部分断面図である。

図７（Ｂ）に示すように、インダクタブリッジ１０２は、屈曲部ＣＲ１がＬ字状に屈曲されている。インダクタブリッジ１０２では、コニカルコイル３が屈曲部ＣＲ１の左側近傍に位置している。このとき、絶縁基材１０の曲げ変位に伴い第１主面ＶＳ１側は＋Ｘ方向に応力が加わり、第２主面ＶＳ２側は−Ｘ方向に応力が加わる。そのため、Ｚ軸方向において第１主面ＶＳ１寄りに位置する大径ループ状導体３１は、その内外径が拡がるように変位する（図７（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ１ｃ参照）。また、Ｚ軸方向において第２主面ＶＳ２寄りに位置する他のループ状導体（小径ループ状導体３２）は、その内外径が縮まるように変位する（図７（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ２ｃ参照）。すなわち、大径ループ状導体３１は、インダクタブリッジ１０２を屈曲した後の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ｃ）が、インダクタブリッジ１０２を屈曲する前の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ａ）よりも大きくなる（Ｌ１ａ＜Ｌ１ｃ）位置に配置されていると言える。

したがって、インダクタブリッジ１０２が図７（Ｂ）に示したように屈曲しても、大径ループ状導体３１と他のループ状導体とが、Ｚ軸方向から視て、重なることがないため、大径ループ状導体３１と他のループ状導体との間の層間容量の変化量は小さい。

次に、インダクタブリッジを、異なるいくつかの形状に屈曲させた場合について、図を参照して説明する。

図８（Ａ）は第２の実施形態に係る別のインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図８（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ａの部分断面図である。インダクタブリッジ１０２Ａは、絶縁基材１０全体が長手方向（Ｘ軸方向）に沿ってＵ字状に屈曲している点でインダクタブリッジ１０２と異なり、その他の構成はインダクタブリッジ１０２を同じである。

図８（Ｂ）に示すように、インダクタブリッジ１０２Ａは、屈曲部ＣＲ１，ＣＲ２がいずれも第２主面ＶＳ２を内側にしてＬ字状に屈曲されている。インダクタブリッジ１０２では、コニカルコイル３が屈曲部ＣＲ１と屈曲部ＣＲ２との間に配置されている。

このとき、絶縁基材１０の曲げ変位に伴い第１主面ＶＳ１側はＸ軸方向に引っ張り応力が加わり、第２主面ＶＳ２側はＸ軸方向に圧縮応力が加わる。そのため、Ｚ軸方向において第１主面ＶＳ１寄りに位置する大径ループ状導体３１は、その内外径が拡がるように変位する（図８（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ１ｄ参照）。また、Ｚ軸方向において第２主面ＶＳ２寄りに位置する他のループ状導体（小径ループ状導体３２）は、その内外径が縮まるように変位する（図８（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ２ｄ参照）。すなわち、大径ループ状導体３１は、図８（Ｂ）に示すインダクタブリッジ１０２Ａのように屈曲した後の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ｄ）が、インダクタブリッジ１０２Ａを屈曲する前の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ａ）よりも大きくなる（Ｌ１ａ＜Ｌ１ｄ）位置に配置されている。

したがって、インダクタブリッジ１０２Ａが図８（Ｂ）に示したように屈曲しても、大径ループ状導体３１と他のループ状導体とが、Ｚ軸方向から視て、重なることがないため、大径ループ状導体３１と他のループ状導体との間の層間容量の変化量は小さい。

図９（Ａ）は第２の実施形態に係るインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図９（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ｂの部分断面図である。図１０（Ａ）は、第２の実施形態に係るインダクタブリッジ１０２の、屈曲させる前の部分断面図であり、図１０（Ｂ）は屈曲させた後のインダクタブリッジ１０２Ｃの部分断面図である。

インダクタブリッジ１０２Ｂ，１０２Ｃは、絶縁基材１０が長手方向（Ｘ軸方向）に沿ってＺ字状に屈曲している点でインダクタブリッジ１０２と異なり、その他の構成はインダクタブリッジ１０２と同じである。

図９（Ｂ）および図１０（Ｂ）に示すように、インダクタブリッジ１０２Ｂ，１０２Ｃは、屈曲部ＣＲ１が第２主面ＶＳ２を内側にしてＬ字状に屈曲され、屈曲部ＣＲ２が第１主面ＶＳ１を内側にしてＬ字状に屈曲されている。

インダクタブリッジが屈曲された場合における絶縁基材の変形量は、近接する屈曲部の中心線（屈曲部の始点と終点との中間位置の線）からの距離に依存する。インダクタブリッジ１０２Ｂでは、コニカルコイル３が中心線ＣＬ２よりも中心線ＣＬ１寄りの位置に配置されている。

このとき、絶縁基材１０の曲げ変位に伴い第１主面ＶＳ１側は主に＋Ｘ方向に応力が加わり、第２主面ＶＳ２側は主に−Ｘ方向に応力が加わる。そのため、Ｚ軸方向において第１主面ＶＳ１寄りに位置する大径ループ状導体３１は、その内外径が拡がるように変位する（図９（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ１ｅ参照）。また、Ｚ軸方向において第２主面ＶＳ２寄りに位置する他のループ状導体（小径ループ状導体３２）は、その内外径が縮まるように変位する（図９（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ２ｅ参照）。すなわち、大径ループ状導体３１は、図９（Ｂ）に示すインダクタブリッジ１０２Ｂのように屈曲した後の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ｅ）が、インダクタブリッジ１０２Ｂを屈曲する前の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ａ）よりも大きくなる（Ｌ１ａ＜Ｌ１ｅ）位置に配置されている。

インダクタブリッジ１０２Ｃでは、コニカルコイル３が屈曲部ＣＲ１と屈曲部ＣＲ２との間、且つ、屈曲部ＣＲ２寄りの位置に配置されている。

インダクタブリッジが屈曲された場合における絶縁基材の変形量は、近接する屈曲部の中心線（屈曲部の始点と終点との中間位置の線）からの距離に依存する。インダクタブリッジ１０２Ｃでは、コニカルコイル３が中心線ＣＬ１よりも中心線ＣＬ２寄りの位置に配置されている。

このとき、絶縁基材１０の曲げ変位に伴い第１主面ＶＳ１側は主に−Ｘ方向に応力が加わり、第２主面ＶＳ２側は主に＋Ｘ方向に応力が加わる。そのため、Ｚ軸方向において第１主面ＶＳ１寄りに位置する大径ループ状導体３１は、その内外径が拡がるように変位する（図１０（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ１ｆ参照）。また、Ｚ軸方向において第２主面ＶＳ２寄りに位置する他のループ状導体（小径ループ状導体３２）は、その内外径が縮まるように変位する（図１０（Ｂ）の中抜き矢印ＤＦ２ｆ参照）。すなわち、大径ループ状導体３１は、図１０（Ｂ）に示すインダクタブリッジ１０２Ｃのように屈曲した後の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ｆ）が、インダクタブリッジ１０２Ｃを屈曲する前の大径ループ状導体３１の内径（Ｌ１ａ）よりも大きくなる（Ｌ１ａ＜Ｌ１ｆ）位置に配置されている。

このように、コニカルコイル３を図９（Ｂ）および図１０（Ｂ）に示すように配置することにより、インダクタブリッジ１０２Ｂ，１０２ＣがＺ字状に屈曲されても、大径ループ状導体３１と他のループ状導体（小径ループ状導体３２）とが面同士で対向しない。そのため、インダクタブリッジ１０２Ｂ，１０２Ｃの屈曲に伴う大径ループ状導体３１と他のループ状導体との間の層間容量の変化量は小さい。

なお、本実施形態では、レセプタクル６１を介して、樹脂筐体９１の内面に形成された導体パターン４にインダクタブリッジ１０２を接続する例を示したが、この構成に限定されるものではない。電子機器が金属筐体を備える場合には、ネジ止め等によりインダクタブリッジを金属筐体に接続してもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、コニカルコイルの構造が異なるインダクタブリッジの例を示す。

図１１（Ａ）は第３の実施形態に係るインダクタブリッジ１０３の斜視図であり、図１１（Ｂ）はインダクタブリッジ１０３の分解斜視図である。図１２（Ａ）はインダクタブリッジ１０３のコニカルコイル３Ａが形成された部分を示す平面図であり、図１１（Ｂ）はその部分の断面図である。図１２（Ａ）では、構造を解りやすくするため、保護層１および基材層１４の図示を省略し、大径ループ状導体３１Ａをハッチングで示し、小径ループ状導体３２Ａをドットパターンで示している。

インダクタブリッジ１０３は、絶縁基材１０Ａ、絶縁基材１０Ａに形成されるコニカルコイル３Ａ（後に詳述する）、コネクタ５１，５２を備える。

絶縁基材１０Ａは、第１主面ＶＳ１および第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する、直方体状の熱可塑性樹脂の平板である。絶縁基材１０Ａは、基材層１１，１２，１３，１４および保護層１を積層して形成される積層体であり、可撓性を有する。

基材層１１の裏面には電極４１が形成される。電極４１は、基材層１１の第１端（図１１（Ｂ）における基材層１１の右端）付近に配置される平面形状が矩形の導体パターンである。

基材層１２の裏面には、小径ループ状導体３３Ａおよび導体２１が形成される。小径ループ状導体３３Ａは、基材層１２の中央付近に形成される約０．７ターン強の矩形ループ状の導体パターンである。導体２１は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、基材層１２の中央付近から基材層１２の第１端寄りの位置に配置されている。小径ループ状導体３３Ａおよび導体２１は連続形成されており、小径ループ状導体３３Ａの第１端は、導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、基材層１１に形成される層間接続導体Ｖ１を介して、電極４１に接続される。

基材層１３の表面には小径ループ状導体３２Ａが形成される。小径ループ状導体３２Ａは、基材層１３の中央付近に形成される約１ターンの矩形ループ状の導体パターンである。図１２（Ａ）に示すように、小径ループ状導体３２Ａは、小径ループ状導体３３Ａよりも内外径が大きい。小径ループ状導体３２Ａの第１端は、基材層１２，１３にそれぞれ形成される層間接続導体Ｖ２を介して、小径ループ状導体３３Ａの第２端に接続される。

基材層１４の表面には、大径ループ状導体３１Ａ、導体２２および電極４２が形成される。大径ループ状導体３１Ａは、基材層１４の中央付近に形成される約０．８ターンの矩形ループ状の導体パターンである。図１２（Ａ）に示すように、大径ループ状導体３１Ａは、小径ループ状導体３２Ａ，３３Ａよりも内外径が大きい。導体２２は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、基材層１４の中央付近から基材層１４の第２端（図１１（Ｂ）における基材層１４の左端）寄りの位置に配置されている。電極４２は、基材層１４の第２端（図１１（Ｂ）における基材層１４の左端）付近に配置される平面形状が矩形の導体パターンである。大径ループ状導体３１Ａの第１端は、基材層１４に形成される層間接続導体Ｖ３を介して、小径ループ状導体３２Ａの第２端に接続される。大径ループ状導体３１Ａの第２端は導体２２の第１端に接続され、導体２２の第２端は電極４２に接続される。

保護層１は平面形状が基材層１４と実質的に同一であり、基材層１４の表面に積層される。保護層１は電極４２の位置に応じた開口部ＡＰ１を有する。そのため、保護層１が基材層１４の表面に積層されることにより、電極４２が絶縁基材１０Ａの第１主面ＶＳ１に露出する。

コネクタ５１は、絶縁基材１０Ａの第２主面ＶＳ２に設けられ、絶縁基材１０Ａの長手方向の第１端（図１１（Ａ）における絶縁基材１０Ａの右端）に配置される。コネクタ５１は、電極４１に接続される。コネクタ５２は、絶縁基材１０Ａの第１主面ＶＳ１に設けられ、絶縁基材１０Ａの長手方向の第２端（絶縁基材１０Ａの左端）に配置される。コネクタ５２は、電極４２に接続される。

インダクタブリッジ１０３では、複数の基材層１２，１３，１４にそれぞれ形成される大径ループ状導体３１Ａ、小径ループ状導体３２Ａ，３３Ａおよび層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を含んで約２．５ターンの矩形コニカルコイル３Ａが構成される。図１２（Ｂ）に示すように、コニカルコイル３Ａは、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に直交する（Ｚ軸方向に平行な）巻回軸ＡＸを有する。

図１２（Ａ）に示すように、小径ループ状導体３２Ａ，３３Ａは、Ｚ軸方向から視て、大径ループ状導体３１Ａで囲まれる開口部の内側に配置されている。

また、複数のループ状導体の内外径の、Ｚ軸方向に沿った変化は一方向である。具体的に本実施形態では、図１２（Ｂ）に示すコニカルコイルの概形ＤＥに示すように、複数のループ状導体の内外径が、＋Ｚ方向（第２主面ＶＳ２側から第１主面ＶＳ１側）に向かって大きくなるように変化している。

このように、本発明における「他のループ状導体」（大径ループ状導体以外のループ状導体）は複数であってもよい。なお、その場合でも、複数のループ状導体（大径ループ状導体３１Ａ，小径ループ状導体３２Ａ，３３Ａ）は、Ｚ軸方向から視て、互いに重なっていないことを条件とする。本実施形態では、小径ループ状導体３２Ａが、大径ループ状導体３１Ａで囲まれる開口部の内側に配置され、小径ループ状導体３３Ａは、小径ループ状導体３２Ａで囲まれる開口部の内側に配置されている。

なお、本実施形態で示したように、複数のループ状導体の内外径は、Ｚ軸方向に沿って一様に変化しているものに限定されるものではない。すなわち、複数のループ状導体の内外径は、Ｚ軸方向の移動距離に比例して一方向に変化するものに限定されるものではない。例えば、＋Ｚ方向（第２主面側から第１主面側）に向かって４つのループ状導体（大径ループ状導体を含む）の内外径が２Ｘ→４Ｘ→５Ｘ→８Ｘ（Ｘは任意の数）の順になるようにＺ軸方向に沿って配置される構成も、本発明における「巻回軸方向に沿った変化は一方向である」に含まれる。なお、この場合において、４つのループ状導体は、Ｚ軸方向から視て、互いに重なっていないことを条件とする。一方、＋Ｚ方向（第２主面側から第１主面側）に向かって４つのループ状導体（大径ループ状導体を含む）の内外径が２Ｘ→５Ｘ→３Ｘ→４Ｘ（Ｘは任意の数）の順になるようにＺ軸方向に沿って配置される構成は、本発明における「巻回軸方向に沿った変化は一方向である」状態から除外される。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、ループ状導体間の線間容量を抑制したコニカルコイルを示す。

図１３（Ａ）は第４の実施形態に係るインダクタブリッジ１０４の、コニカルコイル３Ｂが形成された部分を示す平面図であり、図１３（Ｂ）はその部分の断面図である。図１３（Ａ）では、構造を解りやすくするため、第１コイル部ＣＰ１をハッチングで示し、第２コイル部ＣＰ２をドットパターンで示し、第４コイル部ＣＰ４をクロスハッチングで示している。

インダクタブリッジ１０４は、絶縁基材１０Ｂ、絶縁基材１０Ｂに形成されるコニカルコイル３Ｂ（後に詳述する）等を備える。絶縁基材１０Ｂの基本的な構成は、第３の実施形態に係る絶縁基材１０Ａと実質的に同じである。

本実施形態に係るコニカルコイル３Ｂは、大径ループ状導体３１Ｂ、小径ループ状導体３２Ｂ、小径ループ状導体３３Ｂ、小径ループ状導体３４Ｂ、および層間接続導体（図示省略）を含んで構成される。コニカルコイル３Ｂは、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に直交する（Ｚ軸方向に平行な）巻回軸ＡＸを有する。

また、コニカルコイル３Ｂは、２ターンより多く巻回（約４．５ターン）し、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４を有する。第１コイル部ＣＰ１は、Ｚ軸方向から視て、コニカルコイル３Ｂにおいて最も外周を巻回する部分である。第２コイル部ＣＰ２は、Ｚ軸方向から視て、第１コイル部ＣＰ１に対して内周側に向かって１番目に位置する部分である。第３コイル部ＣＰ３は、第１コイル部ＣＰ１に対して内周側に向かって２番目に位置する部分である。第４コイル部ＣＰ４は、第１コイル部ＣＰ１に対して内周側に向かって３番目に位置する部分である。

本実施形態では、図１３（Ａ）に示すように、基材層１４の表面に形成された１ターンの大径ループ状導体３１Ｂが、第１コイル部ＣＰ１と一致しており、基材層１３の表面に形成された１ターンの小径ループ状導体３２Ｂが、第２コイル部ＣＰ２と一致している。また、本実施形態では、基材層１２の表面に形成された１ターンの小径ループ状導体３３Ｂが、第３コイル部ＣＰ３と一致にしており、基材層１１の裏面に形成された０．５ターンの小径ループ状導体３４Ｂが、第４コイル部ＣＰ４と一致している。

図１３（Ａ）に示すように、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４の線幅は、互いに等しい。全長を長い順に並べると、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３、第４コイル部ＣＰ４の順となる。第１コイル部ＣＰ１の全長はその他のコイル部よりも長く、最も内周側に位置する第４コイル部ＣＰ４の全長はその他のコイル部よりも短い。

また、コニカルコイル３Ｂは、第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３を有する。第１間隙Ｇ１は、第１コイル部ＣＰ１（大径ループ状導体３１Ｂ）と第２コイル部ＣＰ２（小径ループ状導体３２Ｂ）との間隙である。第２間隙Ｇ２は、第２コイル部ＣＰ２と第３コイル部ＣＰ３（小径ループ状導体３３Ｂ）との間隙である。第３間隙Ｇ３は、第３コイル部ＣＰ３と第４コイル部ＣＰ４（小径ループ状導体３４Ｂ）との間隙である。

図１３（Ｂ）に示すように、第１間隙Ｇ１は、第１間隙Ｇ１以外の他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）よりも大きい。また、第２間隙Ｇ２は、第３間隙Ｇ３よりも大きい。間隙を大きい順に並べると、第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２、第３間隙Ｇ３の順となる。

本実施形態では、図１３（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向における第１間隙ＶＧ１は、Ｚ軸方向におけるその他の間隙（第２間隙ＶＧ２および第３間隙ＶＧ３）と等しい。一方、本実施形態では、図１３（Ａ）に示すように、Ｚ軸方向から視た第１間隙ＰＧ１は、Ｚ軸方向から視たその他の間隙（第２間隙ＰＧ２および第３間隙ＰＧ３）よりも大きい。また、Ｚ軸方向から視た第２間隙ＰＧ２は、Ｚ軸方向から視た第３間隙ＰＧ３よりも大きい。そのため、上述したように、第１間隙Ｇ１はその他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）よりも大きく、第２間隙Ｇ２は第３間隙Ｇ３よりも大きい。

本実施形態に係るインダクタブリッジ１０４によれば、第３の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、第１間隙Ｇ１が、第１間隙Ｇ１以外の他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）よりも大きい。第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２とが互いに並走している部分は、その他のコイル部同士（第２コイル部ＣＰ２と第３コイル部ＣＰ３、または第３コイル部ＣＰ３と第４コイル部ＣＰ４）が互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、その他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）を大きくするよりも、コニカルコイル３Ｂの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイル３Ｂの自己共振周波数を高くできる。

また、複数の基材層を積層して絶縁基材を形成する際、基材層の積みずれ等により各ループ状導体の位置ずれが生じ、コニカルコイル全体の線間容量が変動する場合がある。上述したように、第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２とが互いに並走している部分は、その他のコイル部同士が互いに並走している部分よりも長いため、コニカルコイル全体の線間容量に対して、第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２との間に生じる線間容量の占める割合は大きい。本実施形態では、第１間隙Ｇ１（第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２との間隙）がその他の間隙よりも大きいため、各ループ状導体の位置ずれが生じたとしても、コニカルコイルの線間容量のばらつきを抑制できる。

さらに、この構成により、全ての間隙（第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）を等しく大きくした場合と比べて、コニカルコイル３Ｂの線間容量を効果的に低減しつつ、コニカルコイル３Ｂの大型化を抑制できる。

なお、本実施形態では、Ｚ軸方向から視た第１間隙ＰＧ１が、Ｚ軸方向から視たその他の間隙（第２間隙ＰＧ２および第３間隙ＰＧ３）よりも大きい。また、本実施形態では、Ｚ軸方向から視た第２間隙Ｇ２が、Ｚ軸方向から視た第３間隙Ｇ３よりも大きい。そのため、Ｚ軸方向から視た間隙（第１間隙ＰＧ１、第２間隙ＰＧ２および第３間隙ＰＧ３）を全て等しく大きくした場合と比べて、コニカルコイル３Ｂの線間容量を効果的に低減しつつ、コニカルコイル３Ｂの平面（ＸＹ平面）上での大型化を抑制できる。すなわち、上記構成は、コニカルコイルの線間容量を低減しつつ、Ｚ軸方向におけるコニカルコイルの厚みを薄くしたい場合に有効である。

（ｂ）また、本実施形態では、第２間隙Ｇ２が、第３間隙Ｇ３よりも大きい。第２コイル部ＣＰ２と第３コイル部ＣＰ３とが互いに並走している部分は、第３コイル部ＣＰ３と第４コイル部ＣＰ４とが互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、第３間隙Ｇ３を大きくするよりも、コニカルコイル３Ｂの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイル３Ｂの自己共振周波数を高くできる。すなわち、より外周側に位置するコイル部同士の間隙を大きくすることで、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減できる。

なお、本実施形態では、４つのコイル部（第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４）を有するコニカルコイル３Ｂを示したが、この構成に限定されるものではない。本発明の「コニカルコイル」は、第ｎコイル部（ｎは２以上の整数）を有していてもよい。第ｎコイル部は、Ｚ軸方向から視て、第１コイル部ＣＰ１に対して内周側に向かってｎ−１番目に位置する部分を言う。

また、本実施形態では、３つの間隙（第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）を有するコニカルコイル３Ｂを示したが、この構成に限定されるものではない。本発明の「コニカルコイル」は、第ｎ間隙（ｎは２以上の整数）を有していてもよい。第ｎ間隙は、第ｎコイル部と第ｎ＋１コイル部との間隙を言う。この場合においても、上記（ａ）で示したように、第１間隙Ｇ１はその他の間隙よりも大きいことが好ましい。さらに、上記（ｂ）で示したように、第ｎ間隙は、第ｎ＋１間隙よりも大きいことが好ましい。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第４の実施形態とは異なる構造のコニカルコイルの例を示す。

図１４（Ａ）は第５の実施形態に係るインダクタブリッジ１０５の、コニカルコイル３Ｃが形成された部分を示す平面図であり、図１４（Ｂ）はその部分の断面図である。図１４（Ａ）では、構造を解りやすくするため、第１コイル部ＣＰ１をハッチングで示し、第２コイル部ＣＰ２をドットパターンで示し、第４コイル部ＣＰ４をクロスハッチングで示している。

インダクタブリッジ１０５は、絶縁基材１０Ｃ、絶縁基材１０Ｃに形成されるコニカルコイル３Ｃ（後に詳述する）等を備える。絶縁基材１０Ｃの基本的な構成は、第４の実施形態に係る絶縁基材１０Ｂと実質的に同じである。

本実施形態に係るコニカルコイル３Ｃは、大径ループ状導体３１Ｃ、小径ループ状導体３２Ｃ、小径ループ状導体３３Ｃ、小径ループ状導体３４Ｃ、および層間接続導体（図示省略）を含んで構成される。コニカルコイル３Ｃは、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に直交する（Ｚ軸方向に平行な）巻回軸ＡＸを有する。

また、コニカルコイル３Ｃは、２ターンより多く巻回（約４．５ターン）し、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４を有する。第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４については、第４の実施形態で説明したものと実質的に同じである。

また、本実施形態では、図１４（Ａ）に示すように、基材層１４の表面に形成された１ターンの大径ループ状導体３１Ｃが、第１コイル部ＣＰ１と一致しており、基材層１３の裏面に形成された１ターンの小径ループ状導体３２Ｃが、第２コイル部ＣＰ２と一致している。また、本実施形態では、基材層１２の裏面に形成された１ターンの小径ループ状導体３３Ｃが、第３コイル部ＣＰ３と一致にしており、基材層１１の裏面に形成された０．５ターンの小径ループ状導体３４Ｃが、第４コイル部ＣＰ４と一致している。

図１４（Ａ）に示すように、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４の線幅は、互いに等しい。

また、コニカルコイル３Ｃは、第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３を有する。図１４（Ｂ）に示すように、第１間隙Ｇ１は、第１間隙Ｇ１以外の他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）よりも大きい。また、第２間隙Ｇ２は、第３間隙Ｇ３よりも大きい。

本実施形態では、図１４（Ａ）に示すように、Ｚ軸方向から視た第１間隙ＰＧ１が、Ｚ軸方向から視たその他の間隙（第２間隙ＰＧ２および第３間隙ＰＧ３）と等しい。一方、本実施形態では、図１４（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向における第１間隙ＶＧ１が、Ｚ軸方向におけるその他の間隙（第２間隙ＶＧ２および第３間隙ＶＧ３）よりも大きい。また、Ｚ軸方向から視た第２間隙ＰＧ２は、Ｚ軸方向から視た第３間隙ＰＧ３よりも大きい。そのため、上述したように、第１間隙Ｇ１はその他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）よりも大きく、第２間隙Ｇ２は第３間隙Ｇ３よりも大きい。

このような構成でも、第４の実施形態に係るインダクタブリッジ１０４と同様の作用・効果を奏する。

なお、本実施形態では、Ｚ軸方向における第１間隙ＶＧ１が、Ｚ軸方向におけるその他の間隙（第２間隙ＶＧ２および第３間隙ＶＧ３）よりも大きい。また、本実施形態では、第２間隙ＶＧ２が、Ｚ軸方向における第３間隙ＶＧ３よりも大きい。すなわち、Ｚ軸方向における第ｎ間隙が、Ｚ軸方向における第ｎ＋１間隙よりも大きい。この構成により、Ｚ軸方向における間隙（第１間隙ＶＧ１、第２間隙ＶＧ２および第３間隙ＶＧ３）を全て等しく大きくした場合と比べて、コニカルコイル３Ｃの線間容量を効果的に低減しつつ、コニカルコイル３ＣのＺ軸方向における大型化を抑制できる。

また、上記構成は、コニカルコイルの線間容量を低減しつつ、Ｚ軸方向から視たコニカルコイルの面積（コニカルコイルのＸＹ平面上の面積）を小さくしたい場合に有効である。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第４、第５の実施形態とは異なる構造のコニカルコイルの例を示す。

図１５（Ａ）は第６の実施形態に係るインダクタブリッジ１０６の、コニカルコイル３Ｄが形成された部分を示す平面図であり、図１５（Ｂ）はその部分の断面図である。図１５（Ａ）では、構造を解りやすくするため、第１コイル部ＣＰ１をハッチングで示し、第２コイル部ＣＰ２をドットパターンで示し、第４コイル部ＣＰ４をクロスハッチングで示している。

インダクタブリッジ１０６は、絶縁基材１０Ｄ、絶縁基材１０Ｄに形成されるコニカルコイル３Ｄ（後に詳述する）等を備える。絶縁基材１０Ｄの基本的な構成は、第４の実施形態に係る絶縁基材１０Ｂと実質的に同じである。

本実施形態に係るコニカルコイル３Ｄは、大径ループ状導体３１Ｄ、小径ループ状導体３２Ｄ、小径ループ状導体３３Ｄ、小径ループ状導体３４Ｄ、および層間接続導体（図示省略）を含んで構成される。コニカルコイル３Ｄは、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２に直交する（Ｚ軸方向に平行な）巻回軸ＡＸを有する。

また、コニカルコイル３Ｄは、２ターンより多く巻回（約４．５ターン）し、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４を有する。

本実施形態では、図１５（Ａ）に示すように、基材層１４の表面に形成された１ターンの大径ループ状導体３１Ｄが、第１コイル部ＣＰ１と一致しており、基材層１４の表面に形成された１ターンの小径ループ状導体３２Ｄが、第２コイル部ＣＰ２と一致している。また、本実施形態では、基材層１２の表面に形成された１ターンの小径ループ状導体３３Ｄが、第３コイル部ＣＰ３と一致にしており、基材層１１の表面に形成された０．５ターンの小径ループ状導体３４Ｄが、第４コイル部ＣＰ４と一致している。

図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示すように、第１コイル部ＣＰ１の線幅は、その他のコイル部の線幅（第２コイル部ＣＰ２の線幅Ｔ２、第３コイル部ＣＰ３の線幅Ｔ３および第４コイル部ＣＰ４の線幅Ｔ４）よりも細い。また、第ｎコイル部の線幅は、第ｎ＋１コイル部の線幅よりも細い。具体的には、第２コイル部ＣＰ２の線幅Ｔ２が、第３コイル部ＣＰ３の線幅Ｔ３よりも細く、第３コイル部ＣＰ３の線幅Ｔ３が、第４コイル部ＣＰ４の線幅Ｔ４よりも細い。コイル部の線幅を細い順に並べると、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３、第４コイル部ＣＰ４の順となる。

また、コニカルコイル３Ｄは、第１間隙Ｇ１、第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３を有する。図１５（Ｂ）に示すように、第１間隙Ｇ１は、第１間隙Ｇ１以外の他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）と等しい。

本実施形態では、図１５（Ａ）に示すように、Ｚ軸方向から視た第１間隙ＰＧ１が、Ｚ軸方向から視たその他の間隙（第２間隙ＰＧ２および第３間隙ＰＧ３）と等しい。また、本実施形態では、図１５（Ｂ）に示すように、Ｚ軸方向における第１間隙ＶＧ１が、Ｚ軸方向におけるその他の間隙（第２間隙ＶＧ２および第３間隙ＶＧ３）と等しい。そのため、上述したように、第１間隙Ｇ１はその他の間隙（第２間隙Ｇ２および第３間隙Ｇ３）と等しい。

本実施形態に係るインダクタブリッジ１０６によれば、第３の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、第１コイル部ＣＰ１の線幅Ｔ１が、その他のコイル部の線幅（第２コイル部ＣＰ２の線幅Ｔ２、第３コイル部ＣＰ３の線幅Ｔ３および第４コイル部ＣＰ４の線幅Ｔ４）よりも細い。第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２とが互いに並走している部分は、その他のコイル部同士（第２コイル部ＣＰ２と第３コイル部ＣＰ３、または第３コイル部ＣＰ３と第４コイル部ＣＰ４）が互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、第１コイル部ＣＰ１と第２コイル部ＣＰ２との対向面積が小さくなるため、その他のコイル部の線幅を細くするよりも（その他のコイル部同士の対向面積を小さくするよりも）、コニカルコイル３Ｄの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイル３Ｄの自己共振周波数を高くできる。

また、上記構成によれば、Ｚ軸方向におけるコニカルコイルの厚みや、Ｚ軸方向から視たコニカルコイルの面積（コニカルコイルのＸＹ平面上の面積）を大きくすることなく、コニカルコイルの線間容量を低減できる。

また、この構成により、全てのコイル部（第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４）の線幅を細くした場合と比べて、直流抵抗を小さくしつつ、コニカルコイル３Ｄの線間容量を効果的に低減できる。

（ｂ）また、本実施形態では、第２コイル部ＣＰ２の線幅Ｔ２が、第３コイル部ＣＰ３Ｔ３よりも細く、第３コイル部ＣＰ３の線幅Ｔ３が、第４コイル部ＣＰ４の線幅Ｔ４よりも細い。すなわち、第ｎコイル部の線幅は、第ｎ＋１コイル部の線幅よりも細い。第ｎコイル部と第ｎ＋１コイル部とが互いに並走している部分は、第ｎ＋１コイル部と第ｎ＋２コイル部とが互いに並走している部分よりも長い。そのため、この構成により、第ｎ＋１コイル部の線幅を細くするよりも、コニカルコイル３Ｄの線間容量を効果的に低減でき、コニカルコイル３Ｄの自己共振周波数を高くできる。すなわち、より外周側に位置するコイル部の線幅を細くすることで、コニカルコイルの線間容量を効果的に低減できる。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では、各コイル部と各ループ状導体とが一致しないコニカルコイルの例を示す。

図１６（Ａ）は第７の実施形態に係るインダクタブリッジ１０７のコニカルコイル３Ｅが形成された部分の、各ループ状導体を示す平面図であり、図１６（Ｂ）はその部分の各コイル部を示す平面図である。図１７は、インダクタブリッジ１０７のコニカルコイル３Ｅが形成された部分の断面図である。

図１６（Ａ）では、構造を解りやすくするため、大径ループ状導体３１Ｅをハッチングで示し、小径ループ状導体３２Ｅをドットパターンで示し、小径ループ状導体３３Ｅをクロスハッチングで示している。また、図１６（Ｂ）では、第１コイル部ＣＰ１をハッチングで示し、第２コイル部ＣＰ２をドットパターンで示し、第４コイル部ＣＰ４をクロスハッチングで示している。

インダクタブリッジ１０７は、絶縁基材１０Ｅ、絶縁基材１０Ｅに形成されるコニカルコイル３Ｅ（後に詳述する）等を備える。絶縁基材１０Ｅの基本的な構成は、第３の実施形態に係る絶縁基材１０Ａと実質的に同じである。

本実施形態に係るコニカルコイル３Ｅは、大径ループ状導体３１Ｅ、小径ループ状導体３２Ｅ、小径ループ状導体３３Ｅ、および層間接続導体（図示省略）を含んで構成される。なお、コニカルコイル３Ｅの基本的な構成は、第３の実施形態で説明したコニカルコイル３Ａと実質的に同じである。

以下、第３の実施形態に係るコニカルコイル３Ａと異なる部分について説明する。

コニカルコイル３Ｅは、２ターンより多く巻回（約２．５ターン）し、第１コイル部ＣＰ１、第２コイル部ＣＰ２、第３コイル部ＣＰ３および第４コイル部ＣＰ４を有する。本実施形態では、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示すように、第１コイル部ＣＰ１が、基材層１４の表面に形成された大径ループ状導体３１Ｅと、基材層１３の表面に形成された小径ループ状導体３２Ｅの一部と、で構成されている。また、第２コイル部ＣＰ２は、基材層１３の表面に形成された小径ループ状導体３２Ｅの一部と、基材層１２の表面に形成された小径ループ状導体３３Ｅの一部と、で構成されている。また、第３コイル部ＣＰ３は、小径ループ状導体３３Ｅの一部で構成されている。

また、コニカルコイル３Ｅは、図１７に示すように、第１間隙Ｇ１および第２間隙Ｇ２を有する。第１間隙Ｇ１は、第１間隙Ｇ１以外の他の間隙（第２間隙Ｇ２）よりも大きい。

このような構成でも、第４・第５の実施形態に係るインダクタブリッジ１０４，１０５等と同様の作用・効果を奏する。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、絶縁基材の平面形状が矩形である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、４つの基材層を積層して形成される絶縁基材を備えたインダクタブリッジについて示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材を形成する基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば基材層が単層であってもよい。

以上に示した各実施形態では、複数の基材層にそれぞれ形成されるループ状導体を含んで約１．５ターン、２．５ターンまたは４．５ターンのコニカルコイルが構成される例について示したが、この構成に限定されるものではない。インダクタブリッジが備えるコニカルコイルのターン数は適宜変更が可能である。また、巻回軸方向（Ｚ軸方向）から視たコニカルコイルの外形は、例えば円形、楕円形、矩形や多角形であってもよい。さらに、以上の実施形態では、１ターン未満の小径ループ状導体および大径ループ状導体を含んだコニカルコイルの例を示したが、１ターン以上のスパイラル状の小径ループ状導体および大径ループ状導体を含んでコニカルコイルを構成してもよい。

また、以上に示した各実施形態では、絶縁基材の第１主面および第２主面の各面にそれぞれ１つのコネクタが設けられた例を示したが、この構成に限定されるものではない。２つのコネクタは、絶縁基材の第１主面のみに設けられていてもよく、第２主面のみに設けられていてもよい。また、コネクタの配置・個数については、インダクタブリッジの回路構成によって適宜変更可能である。

なお、本発明においてコネクタは必須ではない。コネクタを用いずにはんだ等の導電性接合材等によって、接続部を第１回路および第２回路等に接続してもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１…開口部
ＡＸ…コニカルコイルの巻回軸
ＢＲ…大径ループ状導体で囲まれる開口部
ＤＥ…コニカルコイルの概形
ＣＬ１，ＣＬ２…中心線
ＯＰ１…開口
ＣＲ，ＣＲ１，ＣＲ２…屈曲部
ＣＰ１…第１コイル部
ＣＰ２…第２コイル部
ＣＰ３…第３コイル部
ＣＰ４…第４コイル部
Ｇ１…第１間隙
Ｇ２…第２間隙
Ｇ３…第３間隙
ＰＧ１…巻回軸方向から視た第１間隙
ＰＧ２…巻回軸方向から視た第２間隙
ＰＧ３…巻回軸方向から視た第３間隙
ＶＧ１…巻回軸方向における第１間隙
ＶＧ２…巻回軸方向における第２間隙
ＶＧ３…巻回軸方向における第３間隙
ＤＦ１，ＤＦ１ａ，ＤＦ１ｂ，ＤＦ１ｃ，ＤＦ１ｄ，ＤＦ１ｅ，ＤＦ１ｆ，ＤＦ２，ＤＦ２ａ，ＤＦ２ｂ，ＤＦ２ｃ，ＤＦ２ｄ，ＤＦ２ｅ，ＤＦ２ｆ…白抜き矢印
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…層間接続導体
ＶＳ１…絶縁基材の第１主面
ＶＳ２…絶縁基材の第２主面
１…保護層
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…コニカルコイル
５…上部金型
６…下部金型
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…絶縁基材
１１，１２，１３，１４，１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ…基材層
２１，２２…導体
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ…小径ループ状導体（他のループ状導体）
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ…大径ループ状導体
４１，４２…電極
５１，５２…コネクタ
６１，６２…レセプタクル
７１…回路基板
８１，８２，８３，８４…導体
９１…金属筐体
１００，１０１，１０１Ａ，１０２，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０３，１０４，１０５，１０６…インダクタブリッジ
２０１，２０２…実装基板
３０１，３０２…電子機器

Claims (11)

1. インダクタブリッジと、第１回路と、第２回路と、を備え、
   前記第１回路と前記第２回路とが前記インダクタブリッジを介して接続され、
   前記インダクタブリッジは、
   第１主面を有し、可撓性を有する絶縁基材と、
   前記絶縁基材に形成され、前記第１主面に直交する巻回軸を有するコニカルコイルと、
   を有し、
   前記コニカルコイルは、前記コニカルコイルの巻回軸方向に沿って配置される複数のループ状導体を含んで構成され、
   前記複数のループ状導体の内外径の、前記巻回軸方向に沿った変化は一方向であり、
   前記複数のループ状導体は、前記巻回軸方向から視て、互いに重ならず、
   前記複数のループ状導体のうち内外径の最も大きな大径ループ状導体は、前記インダクタブリッジが屈曲したときに、内外径が他のループ状導体と比べて相対的に前記絶縁基材に沿って拡がる位置に配置される、電子機器。
2. 前記絶縁基材は、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層を積層して形成される積層体である、請求項１に記載の電子機器。
3. 前記インダクタブリッジは、一部に屈曲部を備える、請求項１または２に記載の電子機器。
4. 前記コニカルコイルは、２ターンより多く巻回し、
   前記巻回軸方向から視て、前記コニカルコイルにおいて最も外周を巻回する部分を第１コイル部と定義し、前記第１コイル部に対して内周側に向かってｎ−１（ｎは２以上の整数）番目に位置する部分を第ｎコイル部と定義し、
   前記第１コイル部と第２コイル部との間隙を第１間隙と定義し、前記第ｎコイル部と第ｎ＋１コイル部との間隙を第ｎ間隙と定義したとき、
   前記第１間隙はその他の間隙よりも大きい、請求項１から３のいずれかに記載の電子機器。
5. 前記第ｎ間隙は、第ｎ＋１間隙よりも大きい、請求項４に記載の電子機器。
6. 前記巻回軸方向から視た前記第１間隙は、前記巻回軸方向から視たその他の間隙よりも大きい、請求項４または５に記載の電子機器。
7. 前記巻回軸方向から視た前記第ｎ間隙は、前記巻回軸方向から視た前記第ｎ＋１間隙よりも大きい、請求項６に記載の電子機器。
8. 前記巻回軸方向における前記第１間隙は、前記巻回軸方向におけるその他の間隙よりも大きい、請求項４から７のいずれかに記載の電子機器。
9. 前記巻回軸方向における前記第ｎ間隙は、前記巻回軸方向における第ｎ＋１間隔よりも大きい、請求項８に記載の電子機器。
10. 前記第１コイル部の線幅は、その他のコイル部の線幅よりも細い、請求項４から９のいずれかに記載の電子機器。
11. 前記第ｎコイル部の線幅は、前記第ｎ＋１コイル部の線幅よりも細い、請求項１０に記載の電子機器。

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