JP6407696B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、外部接続用のパッドを有する半導体装置に関し、特に、外部接続用のパッドに、ボンディングワイヤが接続されるかバンプが形成される半導体装置とその製造方法とに関する。

従来の半導体装置における外部接続用のパッドの構造は、多層の金属膜で形成される。
パッドは、回路基板等と半導体装置とをワイヤボンディング技術にて接続する場合には、接続手段としてボンディングワイヤが接続される。また、フリップチップ技術などを用いて回路基板等に半導体装置を実装する場合などには、接続手段としてバンプ（突起電極）が形成される。

ボンディングワイヤやバンプなどの接続手段とパッドとは、構造的にも電気的にも確実に接続していなければ、所謂、実装不良を起こしてしまう。構造的に確実な接続とは、双方が強固に接続していることであり、電気的に確実な接続とは、双方が低抵抗で接続していることをいう。

なお、ボンディングワイヤは、Ａｕ（金）などの金属、バンプは、はんだといった導電性の材料で構成しているため、これらボンディングワイヤやバンプを導電性接続手段と称する。

半導体装置には不測の外力が印加される場合がある。例えば、搬送中に起こる他の物体との衝突や落下である。また、半導体装置を搭載した電子機器にも同様の衝突や落下などの事態が起こる。このため、電子機器に搭載された後であっても半導体装置には不測の外力が印加される場合がある。

そのような不測の外力は、半導体装置にさまざまな方向から印加される。このような外力によって、外部接続用のパッドを構成する多層の金属膜と導電性接続手段とが剥離してしまうという問題が発生する。近年、電子機器の高性能化とダウンサイジング化により、搭載される半導体装置にも微細化が進んでおり、外部接続用のパッドも微細化が進んでいる。

このような外部接続用のパッドは外力に弱くなる傾向があるため、それにより生じる不具合を防止することはことさら重要である。したがって、外部接続用のパッドと導電性接続手段との密着性を向上させる構造は、近年多くの提案をみるものである。

半導体装置の外部接続用のパッドの密着性を向上するには、外部接続用のパッドを構成する材料の選定と、導電性接続手段との密着面積を増加すればよいことが知られている。例えば、外部接続用のパッドを構成する多層金属膜の最適な材質選定をすることで金属層間の剥離を防止することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１に示した従来技術は、外部接続用のパッドの多層金属膜は３層からなり、取り出し電極のＡｌ（アルミニウム）層上の多層金属膜は、Ｔｉ（チタン）層とＮｉ（ニッケル）層とＰｂ（鉛）層からなる。そして、この多層金属膜の上に突起電極としてはんだが形成され半導体装置を実装基板にフリップチップ実装が可能となる構成である。

このような多層金属膜の構成とすることにより、Ｔｉ層はＡｌ層との密着性を確保し、
Ｎｉ層とＰｂ層とは、溶融はんだに対する濡れ性の確保及びはんだ拡散のバリア層としての働きを有する。従って、多層金属膜間の密着性がよく、そして、はんだの拡散による脆い金属間化合物の形成を防止することによって、金属膜間の剥離のない信頼性の良好な外部接続用のパッドが提供可能となる。

特開平８−４５９３８号公報（第４−５頁、図１）

しかしながら、特許文献１に示した従来技術において、外部接続用のパッドを形成する取り出し電極であるＡｌ層と、多層金属膜を構成するＴｉ層、Ｎｉ層、Ｐｂ層とは、単に、それぞれの金属層の層間の相性を改良して密着性を向上しているだけであって、しかも、金属層の密着領域は概して平坦な形状であり、未だなお、半導体装置は不測の外力や衝撃等によって外部接続用のパッドが剥離してしまう懸念があった。

そこで、本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、上記課題を解決し、接続されるボンディングワイヤやバンプ等の導電性接続手段との構造的及び電気的な接続を確実にして、多層金属膜の積層構造を強固な密着性を有する構造に形成した外部接続用のパッドとその製造方法を提供するものである。

本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、上記目的を達成するために、下記記載の構成を採用するものである。

外部接続用のパッドを有する半導体装置であって、このパッドは、半導体基板の上部に第１の金属膜を有し、この第１の金属膜の上部の一部を覆うことで段差部を有する形状となる配線用金属膜を有し、この配線用金属膜は半導体素子と電気的に接続され、この配線用金属膜の上部を覆うようにすると共に、その段差部の底部方向に入り込むことで第１の金属膜と接してなる、第２の金属膜を有し、第１の金属膜と第２の金属膜とは、最も割合が大きい成分が同一の金属であることを特徴とする。

このような構成により、第１の金属膜と第２の金属膜とは一体化して配線用金属膜を上下から挟み込む構造にできるから、強固な密着が可能となる。
また、段差部を有することで上層の膜は平坦な形状にはならず、表面積が増加することでより強固に密着できる。

第２の金属膜の上部を覆うようにすると共に、段差部の底部方向に入り込むように第３の金属膜を設けるようにしてもよい。

このようにすれば、第３の金属膜の膜厚分だけパッドの高さを高くすることができるから、半導体装置を実装するときに、実装される基板等と半導体装置内の半導体素子とが接触しにくくなる。

本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、上記目的を達成するために、下記記載の製造方法を採用するものである。

外部接続用のパッドを有する半導体装置の製造方法であって、外部接続領域の半導体基板の上部に、第１の金属膜を形成する、第１の金属膜形成工程と、第１の金属膜の上部の一部を覆うことで段差部を有する形状となる半導体素子に電気的に接続する配線用金属膜を形成する、配線用金属膜形成工程と、配線用金属膜の上部を覆うようにすると共に、段差部の底部方向に入り込むことで第１の金属膜と接してなる、第２の金属膜を形成する、第２の金属膜形成工程とを有し、第１の金属膜形成工程と第２の金属膜形成工程とは、第１の金属膜と第２の金属膜とが、最も割合が大きい成分が同一の金属となるように形成することを特徴とする。

このような製造方法を用いれば、第１の金属膜と第２の金属膜とは一体化して配線用金属膜を上下から挟み込む構造を簡単に形成できる。

以上のように、本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、同じ材質の第１の金属膜と第２の金属膜が一体化して上下から配線用金属膜を挟み込むから、これらは強固に密着できる。そして、段差部を有することでパッドを構成する各層の膜同士は平坦な形状ではなくから接触面積が増える。これにより、パッドと導電性接続手段とは、構造的にも電気的にも確実な接続とすることができる。

本発明の半導体装置の外部接続用のパッドの構成例１を説明する平面図及び端面図である。 本発明の半導体装置の外部接続用のパッドの構成例２を説明する端面図である。 本発明の半導体装置の外部接続用のパッドの構成例３を説明する端面図である。 本発明の半導体装置の製造工程を説明するためのプロセスフロー図である。 本発明の半導体装置の製造工程を説明する平面図及び端面図であって、第１の金属膜を形成する様子を説明する図である。 本発明の半導体装置の製造工程を説明する平面図及び端面図であって、配線用金属膜及びＰＶ膜を形成する様子を説明する図である。

本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、最下層に第１の金属膜を有しており、その上部の一部を覆うように配線用金属膜を設けている。この配線用金属膜は、半導体装置の他の半導体素子などと接続する金属膜である。これにより、第１の金属膜の上面は、配線用金属膜を設けている部分と第１の金属膜が露出している部分とで段差部を形成している。

そして、第１の金属膜の上部を覆うようにすると共に、上述の段差部の底部方向に入り込むようにして第２の金属膜を設けている。第２の金属膜は、段差部の底部で第１の金属膜と接する。第１の金属膜と第２の金属膜とは、最も割合が大きい成分が同一の金属であるため、双方は一体となり、強く密着することができる。

このような構成により、配線用金属膜は、上下からこの第１の金属膜と第２の金属膜とで挟まれているため、この３つの膜は強固に接続することができる。また、段差部により、それよりも上層の膜は平坦な形状ではなくなるので接触面積が増え、さらに強固に接続することができる。

このように、本発明の半導体装置の外部接続用のパッドは、配線用金属膜を第１、第２の金属膜で上下に挟む構成と、最下層の第１の金属膜より上部の各層が平坦な形状ではないという構成と、の２点が特徴である。

このような構成とすることで、半導体装置に不測の外力が印加されたとして、剥離等を起こすことはなく、また、パッドと導電性接続手段とは、電気的にも低抵抗な接続とすることができる。

さらに、第２の金属膜の上部を覆うようにすると共に、上述の段差部の底部方向に入り込むようにして第３の金属膜を設けてもよい。第３の金属膜は、段差部の方向に入り込むため、第２の金属膜との接触面積が増え、より強く密着することができる。

このような外部接続用のパッドは、その上部にボンディングワイヤやバンプといった導電性接続手段を設ける。例えば、第２の金属膜の上部にボンディングワイヤを接続してもよく、上述の第３の金属膜の上部にバンプを形成してもよい。

以下、図面を用いて半導体装置の外部接続用のパッドを、図面を用いて詳述する。
先ず、図１、図２を用いて、この外部接続用のパッドの構造を説明する。そして、図３を用いて、このパッドに導電性接続手段を設ける例を説明する。そして、図１から図６を用いてその製造方法を説明する。

なお、説明にあって用いる図面は、半導体装置を構成するが発明とは関係ない構成については省略した模式図とする。また、同一の構成部材には同一の番号を付して、重複する説明は省略する。

［パッドの構成例１の説明：図１］
まず、パッドの構成例１を、図１を用いて説明する。
図１は、半導体装置の外部接続用のパッド部分の構成を拡大して模式的に示す図面であって、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す切断線Ａ−Ａ´における端面図である。

図１に示すように、半導体基板１０上に形成された図示しない半導体素子に電気的に接続している外部接続用のパッド１は、半導体基板１０上に形成された、例えばＳｉＯ₂膜からなる層間絶縁膜１１と、その層間絶縁膜１１上に、例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）からなる第１の金属膜２０が形成されている。なお、層間絶縁膜１１は、半導体素子と金属配線層とを絶縁するために設ける一般的な構成である。

第１の金属膜２０は、図１（ａ）に示すように、パッド１の平面的な外形形状を表すような形状であって、図示する例では四角形である。その上層に、例えばＡｌやＡｌ合金からなる配線用金属膜３０が形成されている。

図１（ａ）に示すように、配線用金属膜３０には、配線３０ａが設けてある。この配線３０ａは、層間絶縁膜１１の上部に設けてあり、図示しない他の半導体素子や半導体素子による回路ブロック等の位置まで延設され、それらと接続している。これにより、パッド１を介してそれらの他の半導体素子と電気的な信号の送受が可能となる。

配線用金属膜３０は、図示する例ではその平面的な中央部分に開口部３１が形成されている。したがって、配線用金属膜３０の上部に他の膜などがないときは、その開口部３１には下地となる第１の金属膜２０が露出している。

このように、開口部３１を有する配線用金属膜３０を第１の金属膜２０の上部に設けることで、図１（ｂ）に示すように、この開口部３１の部分には、第１の金属膜２０と配線用金属膜３０とによる段差部３２が形成される。
この段差部３２の底部は、第１の金属膜２０の上部の表面であるが、この部分を段差底
部３２１と呼ぶことにする。

そして、第１の金属膜２０の上部に設けた配線用金属膜３０の上部を開口するように、ＰＶ（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）膜４０が形成されている。ＰＶ膜４０は、半導体装置の表面の全面に形成される、最終保護膜とも呼ばれる膜である。例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、ポリイミドなどで構成している。
このＰＶ膜４０には開口部４１が設けられており、この開口部４１により、パッドにおける、ボンディングワイヤやバンプといった導電性接続手段との接続部分となる領域を規定している。

ＰＶ膜４０の開口部４１は、図示する例では、配線用金属膜３０の外縁部よりやや内側までの形状であるが、これは一例である。また、図１（ａ）は、図面を見やすくするために、このＰＶ膜４０は省略している。なお、この平面図においてのＰＶ膜４０の省略は、後述する他の平面図（図６（ａ））においても同様である。

そして、配線用金属膜３０の上部には、このＰＶ膜４０の開口部４１を覆うように第２の金属膜５０が形成されている。
第２の金属膜５０は、第１の金属膜２０と配線用金属膜３０とによる段差部３２にも入り込み、その段差底部３２１である第１の金属膜２０の上面と接している。

第２の金属膜５０は、第１の金属膜２０と最も割合が大きい成分が同一の金属膜である。この例では、ＴｉＮ膜を用いている。このため、第１の金属膜２０と一体となり、双方は強く密着する。

なお、最も割合が大きい成分が同一の金属とは、金属膜を構成する成分全てが同一である必要はなく、金属膜を構成する成分のうち、含有量の割合が最も大きい成分が同じであるという意味である。この例ではＴｉＮ膜を用いているが、このＴｉＮ膜において最も含有量の割合が大きい成分はＴｉである。したがって、例えば、Ｔｉ（チタン）に対するＮ（窒素）の含有量が多少変わってもかまわない。また、一方をＴｉ膜、他方をＴｉＮ膜としてもよい。この場合も、双方の金属膜を構成する最も割合が大きい成分はＴｉであるから、第１の金属膜２０と第２の金属膜５０とは、強く密着することができる。

すなわち、第１の金属膜２０と第２の金属膜５０とが接して一体となることが重要であって、最も割合が大きい成分が同一とは、略同じ材料からなる金属膜であるという意味も含んでいる。

ところで、この第２の金属膜５０を形成することで、開口部３１の部分では、第１の金属膜２０と第２の金属膜５０とは一体となり、双方の境界が曖昧になるが、図１（ｂ）では図面を見やすくするため、その境界（つまり、段差底部３２１）を点線で示している。

このような構成とすることで、第１の金属膜２０と第２の金属膜５０とで、配線用金属膜３０を上と下から挟み込む形状になり、この３つの膜は非常に強固に接続することができる。

そして、パッド１に、ボンディングワイヤなどの導電性接続手段を設けるときは、この第２の金属膜５０の上部にボンディングを行う。第２の金属膜５０は、下層の段差部３２により、その表面は平坦な形状ではなく凹凸形状となっている。このため、導電性接続手段を形成しても、接触面積が増えるため、第２の金属膜５０と導電性接続手段とは強固に接続することができる。

［パッドの構成例２の説明：図２］
次に、パッドの構成例２を、図２を用いて説明する。
図２は、半導体装置の外部接続用のパッド部分の構成を拡大して模式的に示す図面である。
この構成例２は、すでに説明した構成例１のパッドの最上層となっている第２の金属膜５０の上部に、さらに第３の金属層６０を設ける構成である。

図２に示すように、図１を用いて説明した第２の金属膜５０の上部に、ＰＶ膜４０の開口部４１を覆うように第３の金属膜６０が形成されている。
第３の金属膜６０は、段差部３２の方向に入り込む。つまり、下層の第２の金属膜５０の凹凸形状に沿って被覆するため、その第２の金属膜５０との接触面積が増え、双方はより強く密着することができる。

この第３の金属膜６０を設けると、パッド１の部分が半導体基板の他の半導体素子の部分よりも、第３の金属膜６０の膜厚分だけパッド１の高さを高くすることができる。そうすると、半導体装置を実装するときに、実装される基板等と半導体装置内の半導体素子とが接触しにくくなる。これにより、より安全に半導体装置を実装することができる。なお、第３の金属膜６０は、例えば、ＡｌやＡｌ合金やＣｕ（銅）を用いることができる。

第３の金属膜６０は、もちろん、その素材や膜厚を、ボンディングワイヤやバンプといった導電性接続手段の種類に合わせて自由に選択できる。例えば、導電性接続手段をはんだによるバンプとするときは、第３の金属膜６０をＣｕとするとよい。そうすると、第３の金属膜６０をバンプの土台として用いることができる。なお、詳細は後述する。

［パッドの構成例３の説明：図３］
次に、パッドの構成例３を、図３を用いて説明する。
図３は、半導体装置の外部接続用のパッド部分の構成を拡大して模式的に示す端面図であって、パッドの上部に、導電性接続手段としてはんだによるバンプを形成した状態を説明する図である。

この構成例３は、すでに説明した構成例２のパッドの最上層となっている第３の金属膜６０の上部に、はんだによるバンプ９０を形成する構成を示すものである。

図３に示すように、第３の金属膜６０の上部にコア金属層７０が形成されている。このコア金属層７０を略包むようにはんだボール８０が形成されている。これらコア金属層７０とはんだボール８０とで、はんだによるバンプ９０を構成する。

一般に、はんだによるバンプは、はんだボールの内部に中核となる金属層を設けることで強度が増すことが知られている。この例では、第３の金属膜６０は、はんだの中核となるコア金属層７０の土台の役割を有する。

コア金属層７０は、その高さ方向の膜厚や形状は、はんだによるバンプ９０の形状に鑑みて自由に選択できる。上述の通り、コア金属層７０を設けることではんだによるバンプ９０の強度は向上するが、半導体装置の形状や性能を考慮に入れその形状を決定する。

一般に、はんだによるバンプのコア金属層にはＣｕを用いることが多い。その場合、土台となる第３の金属膜６０も同一の金属とすれば、双方の密着性がよくなり好ましい。

第３の金属膜６０もコア金属層７０の形状に合わせてその形状を自由に選ぶことができるが、第３の金属膜６０をどのような形状やサイズで設けても、その表面には下層による
段差部３２があるため、その表面は凹凸形状であり、従来技術のような平坦な形状に比して接触面積が増加するため、パッド１は導電性接続手段と構造的にも電気的にも確実に接続することができる。

以上、図１から図３を用いて半導体装置のパッドの３つの構成例を説明した。これで明らかなように、パッド１は、第１の金属膜２０からパッド１の上層に設ける導電性接続手段に至るまで、強固に接続できる。また、接触面積も多いため電気的な抵抗も低くすることができる。もちろん、あらゆる方向からの外力や衝撃等による剥離を防止する半導体装置のパッドとすることができる。

［半導体装置の外部接続用のパッドの製造方法の説明：図１〜図６］
次に、半導体装置の製造方法を説明する。
図４は、半導体装置における外部接続用のパッドの製造方法を説明するプロセスフロー図である。図５及び図６は、その製造方法を説明する図であって、図１から図３と同様な平面図及び端面図である。

［ステップＳＴ０１の説明：図４、図５］
図４に示す、第１の金属膜形成工程（ステップＳＴ０１）について、図５（ａ）と図５（ｂ）とを用いて説明する。
まず、半導体装置の所定の板厚の半導体基板１０の上層に層間絶縁膜１１としてＳｉＯ₂膜を成膜する。例えば、知られているＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｏｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学気相成長）法で形成する。

次に、層間絶縁膜１１の上部全面に、第１の金属膜２０となるための膜、例えばＴｉＮ膜を、公知のスパッタリング又は蒸着技術によって成膜する。

半導体装置のパッド１が形成される領域を外部接続領域と呼ぶ。この外部接続領域の層間絶縁膜１１の上部に形成されている上述のＴｉＮ膜を加工して、第１の金属膜２０を形成する。

この第１の金属膜２０の形成にあっては、公知のフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いることができる。例えば、上述の全面に形成したＴｉＮ膜に対して選択的にエッチング用のマスクを形成し、ドライエッチング技術によって、不要部分を除去し、第１の金属膜２０を形成するのである。この例では、図５（ａ）に示すように、平面視で四角形である。

［ステップＳＴ０２の説明：図４、図６］
次に、図４に示す、配線用金属膜形成工程（ステップＳＴ０２）を説明する。
まず、第１の金属膜２０を覆うようにすると共に、半導体基板１０の上部全面に公知のスパッタリング又は蒸着技術を用いて、例えば、Ａｌ又はＡｌ合金からなる金属膜を成膜する。

そして、この成膜した金属膜に対して選択的にエッチング用のマスクを形成し、ドライエッチング技術によって、不要部分を除去し、図６（ａ）と図６（ｂ）とに示すように、第１の金属膜２０の上部に配線用金属膜３０を形成する。

このとき、配線用金属膜３０は、その中央部分に、下層の第１の金属膜２０が露出するような開口部３１及び、半導体基板１０に形成されている図示しない半導体素子と電気的に接続する配線３０ａも形成される。

なお、この開口部３１を有することで、配線用金属膜３０と下層の第１の金属膜２０とによる段差部３２が形成される。この段差部３２の底部は、段差底部３２１であって、第１の金属膜２０の表面である。

［ステップＳＴ０３の説明：図４、図６］
次に、図４に示す、ＰＶ膜形成工程（ステップＳＴ０３）を説明する。
この工程は、半導体装置の表面に最終保護膜としてＰＶ膜４０を形成すると共に、パッド１の上部に開口部４１を形成する工程であり、引き続き図６を用いて説明する。

まず、配線用金属膜３０を覆うようにすると共に、半導体基板１０の上部全面に公知のＣＶＤ法を用いて、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜やポリイミドからなる膜を成膜する。

そして、この成膜した膜に対して選択的にエッチング用のマスクを形成し、ドライエッチング技術によって、不要部分を除去する。これにより、図６（ｂ）に示すように、パッド１の外部接続領域を規定する開口部４１が形成される。この開口部４１は、配線用金属膜３０と第１の金属膜２０の上部が露出している。

ＰＶ膜４０は保護膜であるから、半導体基板１０の他の領域も覆っている。もちろん半導体基板１０に他のパッドがあるときは、その他のパッドにおける開口部４１も開口している。なお、すでに説明している通り、図６（ａ）には、ＰＶ膜４０は省略している。

［ステップＳＴ０４の説明：図４、図１］
次に、図４に示す、第２の金属膜形成工程（ステップＳＴ０４）を説明する。
この工程は、配線用金属膜の上部に第２の金属膜を設ける工程であり、図１を用いて説明する。

まず、露出している第１の金属層及び配線用金属膜３０を覆うようにすると共に、半導体基板１０の上部全面に公知のスパッタリング又は蒸着技術を用いて、第１の金属膜２０と同一の材質の金属膜を成膜する。この例では、ＴｉＮ膜である。

この金属膜は、第１の金属膜２０と配線用金属膜３０とによる段差部３２にも入り込み、その段差底部３２１の第１の金属膜２０と接する。

そして、この成膜した金属膜に対して選択的にエッチング用のマスクを形成し、ドライエッチング技術によって、ＰＶ膜４０の開口部４１を覆う部分のみ残し、その他の不要部分を除去する。これにより、第２の金属膜５０は、図１に示すような形状になる。

第２の金属膜５０は、上述したように、第１の金属膜２０と同一のＴｉＮ膜であるから、露出している第１の金属膜２０と一体化して、双方は強固に密着する。また、配線用金属膜３０を第１の金属膜２０と第２の金属膜５０とで上下から挟み込む構成となり、これら３つの膜は非常に強固に接続することができる。

以上の製造工程により、パッド１が完成する。
このパッド１の上部に、導電性接続手段の種類に応じて、さらに膜を設けることができる。そのような製造方法を、以降、順に説明する。

［ステップＳＴ０５の説明：図４、図２］
図４に示す、第３の金属膜形成工程（ステップＳＴ０５）を説明する。
この工程は、パッドの高さ方向を高くしたい場合などに用いる第３の金属膜を形成する
工程であり、図２を用いて説明する。

まず、第２の金属膜５０を覆うようにすると共に、半導体基板１０の上部全面に公知のスパッタリング又は蒸着技術、めっき技術などを用いて、金属膜を成膜する。例えば、ＡｌやＡｌ合金やＣｕを用いることができる。

そして、この成膜した金属膜に対して選択的にエッチング用のマスクを形成し、ドライエッチング技術によって、ＰＶ膜４０の開口部４１を覆うように第３の金属膜６０を形成する。これにより、図２に示すように、下層の第２の金属膜５０の形状に沿ってその凹凸を被覆する形状の第３の金属膜６０が形成される。

第３の金属膜６０は、段差部３２の方向に入り込むため、第２の金属膜５０との接触面積が増え、双方はより強く密着することができる。

［ステップＳＴ０６の説明：図４、図３］
次に、図４に示す、導電性接続手段形成工程（ステップＳＴ０６）を説明する。
この工程は、パッドに導電性接続手段を形成する工程を説明するものであって、図３を用いてはんだによるバンプを形成する例で説明する。

パッドの上部にはんだによるバンプを形成するとき、第３の金属膜６０は、はんだの中核となるコア金属層７０を形成するための土台となるが、このコア金属層７０を公知の電解めっき技術で形成するとき、第３の金属膜６０は下地金属膜（電極）として用いることができる。その場合は、この第３の金属膜６０は、コア金属層７０と同一の金属で形成しておくとよい。この例では、Ｃｕである。

次に、はんだによるバンプのコア金属層７０の形状に合わせて、第３の金属膜６０が露出するように、半導体基板の上部に公知のめっき用のマスクを形成する。

次に、第３の金属膜６０を電圧印加手段と電気的に接続する。このとき、予め電圧印加手段との電気的な接続をするためのパターン等を第３の金属膜６０に形成しておくとよい。
なお、電気的な接続は、プローブピンやクリップ等の把持手段を兼ねた公知の通電手段を用いるとよい。そして、この状態で半導体基板１０を所定の電解液で満たした電解槽に浸漬し、所定の電圧を印加する。

これにより、図３に示すように、第３の金属膜６０の上部にコア金属層７０を形成することができる。コア金属層７０は、前述の通り、Ｃｕである。コア金属層７０と第３の金属膜６０とは同一の金属であるので、双方の密着性はよい。

その後、コア金属層７０の上部に、公知の手法を用いてはんだボール８０を形成し、上述のめっき用マスクや電圧印加手段との電気的な接続をするためのパターン等の余剰部分をエッチング等で除去することで、はんだによるバンプ９０が完成する。

ところで、はんだによるバンプは、半導体装置を回路基板等に実装する際に、バンプが変形してパッドの周辺に流れ出す現象が起こることが知られている。しかし、Ｃｕの膜をバンプの周囲に設けることで、その流れ出しを止めることができることも知られている。

このため、第３の金属膜６０をＣｕで形成することで、上述のコア金属層７０形成のための土台の金属膜としての役割に加え、そのようなはんだの流れ出しを止める膜として機能することもできる。つまり、はんだの流れ出しを考慮に入れて第３の金属膜６０のサイ
ズを決めておけば、仮にはんだが流れ出しても止めることができる。

このように、第３の金属膜６０は、コア金属層７０の形状に合わせてその形状を自由に選ぶことができ、また、はんだの流れ出しを考慮してサイズを決めることができるが、第３の金属膜６０をどのような形状やサイズで設けても、その表面には下層による段差部３２があるため、その表面は凹凸ができ、フラットな状態に比して接触面積が増加するため、パッド１は、はんだによるバンプ９０と強固に密着することができる。

以上、半導体装置のパッドを説明したが、もちろん説明した例に限定されるものでなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で変形が可能である。

例えば、配線用金属膜３０のサイズである。図示した例では、パッド１において第１の金属膜２０よりも平面的に小さい形状であるが、これは一例であって、第１の金属膜２０よりも平面的に大きくしてもよい。

また、配線用金属膜３０に設ける開口部３１は、図示した例ではパッド１の中央部分に１つ設ける例を示したが、もちろん複数設けてもよい。さらに、開口部３１の平面的な形状も、四角形に限定せず、円形や多角形とすることができる。

また、第２の金属膜３０の膜厚もより厚くしてもよい。図１に示すように、この膜厚を厚くすることで、段差部３２の深さが深くなる。そうすると、それよりも上層の膜もこの段差部３２の形状を反映するから、半導体基板１の方向に深い凹凸を有するようになる。そのような構成であれば、各層はより接触面積が増えることになり、さらに密着力が向上する。

そして、第１、第２の金属膜の材質もＴｉＮ膜を例示して説明したが、それに限定しない。Ｗ（タングステン）でもよく、単層膜に限らず、ＴｉとＮとを積層した積層膜であってもよい。また、第３の金属膜の材質は、Ｃｕで説明したがもちろんＣｕ合金でもよい。

本発明の半導体装置は、パッドと導電性接続手段とを強固に接続できるから、小型で高集積化した半導体装置に適用することができる。特に、高い信頼性を要求される小型携帯用電子機器に搭載される半導体装置として好適である。

１ パッド
１０ 半導体基板
１１ 層間絶縁膜
２０ 第１の金属膜
３０ 配線用金属膜
３１ 開口部
３２ 段差部
３２１ 段差底部
４０ ＰＶ膜
４１ 開口部
５０ 第２の金属膜
６０ 第３の金属膜
７０ コア金属層
８０ はんだボール
９０ はんだによるバンプ

Claims (3)

1. 外部接続用のパッドを有する半導体装置であって、
   前記パッドは、
   半導体基板の上部に第１の金属膜を有し、
   前記第１の金属膜の上部の一部を覆うことで段差部を有する形状となる配線用金属膜を有し、前記配線用金属膜は半導体素子と電気的に接続され、
   前記配線用金属膜の上部を覆うようにすると共に、前記段差部の底部方向に入り込むことで前記第１の金属膜と接してなる、第２の金属膜を有し、
   前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは、最も割合が大きい成分が同一の金属である
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第２の金属膜の上部を覆うようにすると共に、前記段差部の底部方向に入り込むように第３の金属膜を設ける
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 外部接続用のパッドを有する半導体装置の製造方法であって、
   外部接続領域の半導体基板の上部に、第１の金属膜を形成する、第１の金属膜形成工程と、
   前記第１の金属膜の上部の一部を覆うことで段差部を有する形状となる半導体素子に電気的に接続する配線用金属膜を形成する、配線用金属膜形成工程と、
   前記配線用金属膜の上部を覆うようにすると共に、前記段差部の底部方向に入り込むことで前記第１の金属膜と接してなる、第２の金属膜を形成する、第２の金属膜形成工程を有し、
   前記第１の金属膜形成工程と前記第２の金属膜形成工程とは、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とが、最も割合が大きい成分が同一の金属となるように形成する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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