JP6401921B2 - 反共振回路及び発振器 - Google Patents

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Description

本発明は、反共振回路、及び当該反共振回路を備える発振器に関する。
従来、反共振周波数が異なる複数の水晶振動子を用いることにより、単一の水晶振動子で調整可能な周波数範囲よりも広い周波数範囲で、反共振周波数を調整できる反共振回路が知られている。
図11は、非特許文献1に開示されている従来の反共振回路400の構成例を示す。図11において、反共振回路400は、交流信号源31に接続された抵抗32と負荷抵抗33とに接続されている。
反共振回路400は、抵抗32と負荷抵抗33との間における異なる経路に接続された水晶振動子15及び水晶振動子25を備える。水晶振動子15が接続された第1の経路には、減衰器11、移相器12、インダクタ13及びキャパシタ14が直列に設けられている。水晶振動子15は、インダクタ13とキャパシタ14との接続点とグランドとの間に接続されている。同様に、水晶振動子25が接続された第2の経路には、減衰器21、移相器22、インダクタ23及びキャパシタ24が直列に設けられている水晶振動子25は、インダクタ23とキャパシタ24との接続点とグランドとの間に接続されている。
水晶振動子15が、互いに直列に接続されたインダクタ13とキャパシタ14との接続点とグランドとの間に設けられていることにより、キャパシタ14によって水晶振動子15の並列等価容量が打ち消されて、水晶振動子15、減衰器11及びキャパシタ14は、水晶振動子15の反共振周波数で共振する第1の反共振回路を構成する。
同様に、水晶振動子25が、互いに直列に接続されたインダクタ23とキャパシタ24との接続点とグランドとの間に設けられていることにより、キャパシタ24によって水晶振動子25の並列等価容量が打ち消されて、水晶振動子25、インダクタ23及びキャパシタ24は、水晶振動子25の反共振周波数で共振する第2の反共振回路を構成する。
水晶振動子15及び水晶振動子25は、それぞれ異なる反共振周波数を有している。水晶振動子15及び水晶振動子25が、キャパシタ14及びキャパシタ24を介して互いに接続されることにより、反共振回路400は水晶振動子15の反共振周波数と水晶振動子25の反共振周波数との間の周波数において共振する。
減衰器11及び減衰器21の減衰率を変化させることにより、反共振回路400の反共振周波数が変化する。また、移相器12で位相を調整することにより、第1の反共振回路のQ値を変化させることができ、移相器22で位相を調整することにより、第2の反共振回路のQ値を変化させることができる。この反共振回路400を、利得を持つ増幅器の負帰還パスに適用することにより、周波数とQ値が可変の発振回路を構成することができる。
シャシカ シャミンダ セーナーナーヤカ、足立武彦他「デュアル−T型水晶共振回路における高いQ値の実現(Realization of Ultra-High Quality Factor of Dual-T Quartz Crystal Resonator Circuit)」、IEEE超音波シンポジウム、2012年10月7日
従来の反共振回路400においては、移相器12及び移相器22により位相を変化させることで、Q値を調整することができた。しかしながら、移相器12及び移相器22は、ディスクリート部品により構成されるので、回路規模が大きくなるという問題があった。特に、反共振回路400を集積回路により実現した場合であっても、移相器12及び移相器22を集積回路に入れることができないため、反共振回路400を小型化することが困難であった。
そこで、本発明は、Q値を調整できる反共振回路及び発振器の小型化を実現することを目的とする。
本発明の第1の態様に係る反共振回路は、互いに並列に接続された第1反共振回路及び第2反共振回路を備え、前記第1反共振回路は、入力端子から入力される入力信号を減衰する第1減衰器と、前記第1減衰器と直列に接続された第1インダクタと、前記第1インダクタと直列に接続された第1キャパシタと、前記第1インダクタ及び前記第1キャパシタの接続点とグランドとの間に接続された第1振動部と、を有し、前記第2反共振回路は、前記入力信号を減衰する第2減衰器と、前記第2減衰器と直列に接続された第2インダクタと、前記第2インダクタと直列に接続された第2キャパシタと、前記第2インダクタ及び前記第2キャパシタの接続点とグランドとの間に接続された第2振動部と、を有し、前記第1反共振回路と前記第2反共振回路との間に、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタと直列に設けられた第1抵抗と、前記第1抵抗と前記第1キャパシタとの接続点に設けられた出力端子と、をさらに備える。
上記の反共振回路において、前記第2反共振回路の共振周波数は、前記第1反共振回路の共振周波数よりも高い。また、上記の反共振回路は、前記第1抵抗と前記第1キャパシタとの間に設けられた第2抵抗をさらに備えてもよい。この場合、前記第1抵抗の抵抗値が、前記第2抵抗の抵抗値よりも大きい。
また、上記の反共振回路は、前記第2振動部が、第3キャパシタと、前記第3キャパシタと並列に接続され、互いに直列に接続された第3抵抗、第3インダクタ及び第4キャパシタとを有してもよい。
本発明の第2の態様に係る発振器は、上記の反共振回路と、前記反共振回路の入力端子と出力端子との間に接続された増幅回路と、を備える。
本発明によれば、Q値を調整できる反共振回路及び発振器を小型化できるという効果を奏する。
第1の実施形態に係る反共振回路の構成を示す図である。 第1反共振回路の周波数特性、第2反共振回路の周波数特性、及び反共振回路100の周波数特性を示す図である。 反共振回路の周波数特性を示す図である。 発振器の構成を示す図である。 第2の実施形態に係る反共振回路の構成を示す図である。 第3の実施形態に係る反共振回路の構成を示す図である。 減衰量及び位相の周波数特性を示す図(その1)である。 減衰量及び位相の周波数特性を示す図(その2)である。 減衰量及び位相の周波数特性を示す図(その3)である。 減衰量及び位相の周波数特性を示す図(その4)である。 従来の反共振回路の構成を示す。
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態に係る反共振回路100の構成を示す図である。反共振回路100は、入力端子1及び出力端子2の間で互いに並列に接続された第1反共振回路及び第2反共振回路を備える。
第1反共振回路は、減衰器11と、インダクタ13と、キャパシタ14と、水晶振動子15とを有する。減衰器11は、入力端子1から入力される入力信号を減衰する。インダクタ13は、減衰器11と直列に接続されている。キャパシタ14は、インダクタ13と直列に接続されている。水晶振動子15は、インダクタ13及びキャパシタ14の接続点とグランドとの間に接続されている。
第2反共振回路は、減衰器21と、インダクタ23と、キャパシタ24と、水晶振動子25とを有する。減衰器21は、入力端子1から入力される入力信号を減衰する。インダクタ23は、減衰器21と直列に接続されている。キャパシタ24は、インダクタ23と直列に接続されている。水晶振動子25は、インダクタ23及びキャパシタ24の接続点とグランドとの間に接続されている。
また、第1反共振回路と第2反共振回路との間に、キャパシタ14及びキャパシタ24と直列に設けられた抵抗41が設けられている。出力端子2は、抵抗41とキャパシタ14との接続点に設けられている。抵抗41は、反共振回路100のQ値を高くすることを目的として設けられている。
本実施形態においては、第2反共振回路の共振周波数が第1反共振回路の共振周波数よりも高いことを想定しており、抵抗41は、出力端子2と、共振周波数が相対的に高い第2反共振回路との間に設けられている。共振周波数が相対的に高い第2反共振回路の側に抵抗41が設けられていることにより、共振周波数が相対的に高い第2反共振回路が反共振回路100の全体の周波数特性に与える影響が小さくなり、Q値を高くすることができる。
図2は、第1反共振回路の周波数特性(点線)、第2反共振回路の周波数特性(破線)、及び反共振回路100の周波数特性(実線)を示す図である。第1反共振回路の反共振周波数はf1、第2反共振回路の反共振周波数はf2、反共振回路100の反共振周波数はf0である。減衰器11及び減衰器21の減衰量を調整することにより、反共振回路100の反共振周波数f0を、f1とf2との間で変化させることができる。
図3は、抵抗41の抵抗値を変化させた場合の反共振回路100の周波数特性を示す図である。実線は、抵抗41の抵抗値が最適な場合の周波数特性を示しており、破線は、抵抗41の抵抗値が0である場合の周波数特性を示している。抵抗41の抵抗値を変化させることにより反共振回路100のQ値が変化することがわかる。すなわち、抵抗41の抵抗値が破線の抵抗41の抵抗値を大きくするにつれて、第1反共振回路に、第2反共振回路のQ値の高い信号部分だけを加えることで、Q値が高くなっていく。
このように、第1の実施形態に係る反共振回路100によれば、Q値が相対的に低い反共振回路と出力端子2との間に抵抗41が設けられていることにより、集積回路にも入れることができる簡単な回路構成で、反共振回路100のQ値を高めることができる。なお、抵抗41を可変抵抗にして抵抗を変化させることにより、反共振回路100のQ値を調整することもできる。
図4は、図1に示した反共振回路100を用いた発振器1000の構成を示す図である。反共振回路100の入力端子1と出力端子2との間に増幅回路50を接続することにより、反共振回路100の反共振周波数で発振する高いQ値を持つ発振器1000を構成することができる。
<第2の実施形態>
図5は、第2の実施形態に係る反共振回路200の構成を示す図である。反共振回路200は、第1反共振回路と出力端子2との間に抵抗42をさらに備える点で、第1の実施形態に係る反共振回路100と異なり、他の点で同じである。
第1反共振回路の共振周波数が第2反共振回路の共振周波数よりも低い場合、抵抗42の抵抗値は、抵抗41の抵抗値よりも小さい。反共振回路200は、抵抗41及び抵抗42を有することで、反共振回路100よりも柔軟にQ値を調整することができる。
<第3の実施形態>
図6は、第3の実施形態に係る反共振回路300の構成を示す図である。反共振回路300は、第2反共振回路が、水晶振動子25の代わりに、キャパシタ251、並びに、キャパシタ251と並列に接続され、互いに直列に接続された抵抗252、インダクタ253及びキャパシタ254から構成された振動回路を有する点で、第1の実施形態に係る反共振回路100と異なり、他の点で同じである。
キャパシタ251、抵抗252、インダクタ253及びキャパシタ254を含んで構成される第2反共振回路のQ値は、水晶振動子15を含んで構成される第1反共振回路のQ値よりも小さい。このような構成においても、反共振回路300が抵抗41を備えることにより、反共振回路300のQ値を、第1反共振回路のQ値よりも高くすることができる。
<実施例>
図1に示した回路において、抵抗41の抵抗値を変化させて周波数特性を測定した。Q値が変化する様子をわかりやすくするために、水晶振動子15と直列に50Ωの抵抗を挿入した。また、水晶振動子25と直列に50オームの抵抗を挿入した。
図7は、抵抗41=0Ω、抵抗42=0Ωの時の減衰量及び位相の周波数特性を示す図である。図8は、抵抗41=300Ω、抵抗42=0Ωの時の減衰量及び位相の周波数特性を示す図である。図9は、抵抗41=500Ω、抵抗42=0Ωの時の減衰量及び位相の周波数特性を示す図である。図10は、抵抗41=700Ω、抵抗42=0Ωの時の減衰量及び位相の周波数特性を示す図である。
抵抗41の抵抗値が増えるにつれて、減衰量が最小値になる周波数付近において、減衰量の波形が急峻になっている。また、抵抗41の抵抗値が増えるにつれて、位相の変化も急峻になっている。このように、抵抗41を挿入することにより、Q値を大きくすることができることを確認できた。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
例えば、上記の実施形態においては、反共振回路100、200、300、400が、2つの反共振回路を備える構成について説明したが、反共振回路100、200、300、400が3つ以上の反共振回路を備え、いずれか1つの反共振回路と出力端子との間に抵抗41が設けられていてもよい。
1・・・入力端子、2・・・出力端子、11・・・減衰器、12・・・移相器、12・・・減衰器、13・・・インダクタ、14・・・キャパシタ、15・・・水晶振動子、21・・・減衰器、22・・・移相器、23・・・インダクタ、24・・・キャパシタ、25・・・水晶振動子、31・・・交流信号源、32・・・抵抗、33・・・負荷抵抗、41・・・抵抗、42・・・抵抗、50・・・増幅回路、100・・・反共振回路、200・・・反共振回路、251・・・キャパシタ、252・・・抵抗、253・・・インダクタ、254・・・キャパシタ、300・・・反共振回路、400・・・反共振回路、1000・・・発振器

Claims (5)

  1. 互いに並列に接続された第1反共振回路及び第2反共振回路を備え、
    前記第1反共振回路は、
    入力端子から入力される入力信号を減衰する第1減衰器と、
    前記第1減衰器と直列に接続された第1インダクタと、
    前記第1インダクタと直列に接続された第1キャパシタと、
    前記第1インダクタ及び前記第1キャパシタの接続点とグランドとの間に接続された第1振動部と、
    を有し、
    前記第2反共振回路は、
    前記入力信号を減衰する第2減衰器と、
    前記第2減衰器と直列に接続された第2インダクタと、
    前記第2インダクタと直列に接続された第2キャパシタと、
    前記第2インダクタ及び前記第2キャパシタの接続点とグランドとの間に接続された第2振動部と、
    を有し、
    前記第1反共振回路と前記第2反共振回路との間に、前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタと直列に設けられた第1抵抗と、
    前記第1抵抗と前記第1キャパシタとの接続点に設けられた出力端子と、
    をさらに備え
    前記第1抵抗は、前記出力端子と前記第1反共振回路の共振周波数よりも高い共振周波数を有する前記第2反共振回路とに間に設けられている
    反共振回路。
  2. 前記出力端子と前記第1キャパシタとの間に設けられた第2抵抗をさらに備える、
    請求項に記載の反共振回路。
  3. 前記第1抵抗の抵抗値が、前記第2抵抗の抵抗値よりも大きい、
    請求項に記載の反共振回路。
  4. 前記第2振動部が、第3キャパシタと、前記第3キャパシタと並列に接続され、互いに直列に接続された第3抵抗、第3インダクタ及び第4キャパシタとを有する、
    請求項1からのいずれか1項に記載の反共振回路。
  5. 請求項1からのいずれか1項に記載の反共振回路と、
    前記反共振回路の入力端子と出力端子との間に接続された増幅回路と、
    を備える発振器。
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