JP6397265B2

JP6397265B2 - リソグラフィ装置、物品の製造方法、情報処理装置及び決定方法

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Publication number: JP6397265B2
Application number: JP2014167957A
Authority: JP
Inventors: 義夫須崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2014-08-20
Filing date: 2014-08-20
Publication date: 2018-09-26
Anticipated expiration: 2034-08-20
Also published as: JP2016046329A

Description

本発明は、リソグラフィ装置、物品の製造方法、情報処理装置及び決定方法に関する。

半導体デバイスなどを製造する際、露光装置やインプリント装置などのリソグラフィ装置が使用されている。半導体デバイスの回路パターンは、一般に、複数の層を重ね合わせて形成される。従って、リソグラフィ装置においては、基板上に既にパターニングされた層（下層）と、これからパターニングする層（上層）との重ね合わせ誤差の管理が重要となる。特に、高い解像度が必要な層をパターニングする場合には、下層と上層との重ね合わせ誤差を解像度の数パーセント以下に抑えなければならない。

リソグラフィ装置では、生産性を向上させるために、ショットサイズを大きくする傾向にある。インプリント装置は、一般的には、下層の１つのショット領域に対して重ね合わせるパターンが１つだけ形成されたモールドを用いて上層を形成する。一方、生産性を向上させるために、下層の複数のショット領域に対して重ね合わせることができるパターンが形成されたモールドを用いて上層を形成するインプリント装置が提案されている（特許文献１参照）。このように、上層のショットサイズを大きくすると、基板１枚当たりのショット数が少なくなるため、生産性を向上させることができる。また、生産性の観点から、基板１枚当たりのショット数が最小となるようにショットレイアウトを決定する（画角を広げる）露光装置も提案されている（特許文献２参照）。

特開２０１２−２０４７２２号公報特開平７−２１１６２２号公報

リソグラフィ装置においては、下層のショットサイズよりも大きいショットサイズで上層をパターニングする場合にも、下層と上層との重ね合わせ誤差を小さくすることが要求されている。しかしながら、下層のショットサイズよりも大きいショットサイズで上層をパターニングする場合において、生産性を向上させるための技術に関しては従来から提案されているが、重ね合わせ誤差を考慮した提案はなされていない。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、第１層と第２層との重ね合わせ誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層上に、前記第１ショットサイズのショット領域を複数カバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層を形成するリソグラフィ装置であって、前記第２層のショット領域の配列を示し、前記第１層のショットレイアウトに対して選択可能な複数の候補ショットレイアウトを仮定して、前記複数の候補ショットレイアウトのそれぞれで前記第２層を形成する場合における前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンと前記第２層に形成されるパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する演算部と、前記複数の候補ショットレイアウトのうち、前記演算部で演算された前記位置ずれ量が許容範囲内に収まっている候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定する決定部と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、第１層と第２層との重ね合わせ誤差を低減するのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。

本発明の第１の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略図である。下層のショットレイアウトの一例を示す図である。上層のショットレイアウトの一例を示す図である。上層のショットレイアウトの一例を示す図である。上層のショットレイアウトの一例を示す図である。上層のショットレイアウトの一例を示す図である。上層を形成する際に用いられるマスクのパターンのずれ量の一例を示す図である。下層の各ショット領域のパターンのずれ量の一例を示す図である。本発明の第２の実施形態におけるリソグラフィ装置の構成を示す概略図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるリソグラフィ装置１の構成を示す概略図である。リソグラフィ装置１は、半導体デバイスなどの製造工程であるリソグラフィ工程で使用され、本実施形態では、原版としてのマスクのパターンを投影光学系によって基板に投影して基板を露光する露光装置として具現化される。

リソグラフィ装置１は、マスク１０２を照明する照明光学系１０１と、マスク１０２を保持して移動するマスクステージ１０３と、マスク１０２のパターンを基板１０５に投影する投影光学系１０４とを有する。また、リソグラフィ装置１は、基板１０５を保持して移動する基板ステージ１０６と、基板１０５に設けられたマークを計測する計測部１０７と、リソグラフィ装置１の全体を制御する制御部１０８とを有する。更に、リソグラフィ装置１は、第１記憶部１０９と、演算部１１０と、第２記憶部１１１と、基板１０５の各ショット領域に設けられたマークとマスク１０２に設けられたマークとの相対位置を検出する検出部１１２とを有する。

露光において、光源からの光は、照明光学系１０１を介してマスク１０２を照明する。マスク１０２のパターンを反映する光は、投影光学系１０４を介して基板１０５の上に結像する。これにより、マスク１０２のパターンが基板１０５に転写され、かかる基板１０５を現像することで基板上にパターンが形成される。

リソグラフィ装置１は、本実施形態では、第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層（下層）上に、第１ショットサイズのショット領域を複数カバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層（上層）を形成する。ここで、下層を形成した際の第１ショットサイズよりも大きい第２ショットサイズで上層を形成する際のショットレイアウトについて説明する。

図２は、基板１０５の複数のショット領域２０１にパターンが形成された下層のショットレイアウトの一例を示す図である。下層の各ショット領域２０１のショットサイズは、図２に示すように、Ｘ方向をＭＸ、Ｙ方向をＭＹとする。図３は、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウト（候補ショットレイアウト）の一例を示す図である。上層の各ショット領域３０１のショットサイズは、下層の各ショット領域２０１よりも大きく、図３に示すように、Ｘ方向をＮＸ、Ｙ方向をＮＹとする。ショット領域３０１は、Ｘ方向に２つのショット領域２０１を含み、Ｙ方向に２つのショット領域２０１を含んでいる（即ち、２行×２列のショット領域２０１を含んでいる）。図３に示す上層のショットレイアウトにおいては、Ｘ方向に６つのショット領域３０１が配列され、Ｙ方向に６つのショット領域３０１が配列されている（即ち、６行×６列のショット領域３０１が配列されている）。図３において、ＮＣ１、ＮＣ２、ＮＣ３、ＮＣ４、ＮＣ５及びＮＣ６は、Ｘ方向のショット領域３０１の行番号を示し、ＮＲ１、ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５及びＮＲ６は、Ｙ方向のショット領域３０１の列番号を示している。

図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、図３に示すショットレイアウトの他に、例えば、図４に示すように、ＮＲ１列のショット領域３０１をＸ方向にＭＸだけずらしたショットレイアウトもある。図３に示すショットレイアウトにおいて、ＮＲ１列からＮＲ６列までのショット領域３０１を個別にＸ方向にＭＸだけずらした場合のショットレイアウトは、図３に示すショットレイアウトを除いて、２^６−１＝６３通りある。

また、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、例えば、図５に示すように、ＮＣ１行のショット領域３０１をＹ方向にＭＹだけずらしたショットレイアウトもある。図３に示すショットレイアウトにおいて、ＮＣ１行からＮＣ６行までのショット領域３０１を個別にＹ方向にＭＹだけずらした場合のショットレイアウトは、図３に示すショットレイアウトを除いて、２^６−１＝６３通りある。

更に、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、図６に示すように、図３に示すショットレイアウトにおいて全てのショット領域３０１をＸ方向にＭＸ、Ｙ方向にＭＹだけずらしたショットレイアウトもある。

従って、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、１＋６３＋６３＋１＝１２８通りある。リソグラフィ装置１で上層をパターニングする際には、１２８通りの上層のショットレイアウトのうちいずれのショットレイアウトを用いてもよいため、本実施形態では、上層と下層との重ね合わせ誤差を考慮して上層のショットレイアウトを決定する。

マスク１０２のパターンは、マスク１０２の製造時に位置ずれが発生する。また、下層の各ショット領域におけるパターンは、下層の形成時に位置ずれが発生する。従って、上層と下層との重ね合わせ誤差は、マスク１０２のパターンのずれ量（第１ずれ量）及び下層の各ショット領域のパターンのずれ量（第２ずれ量）で決まる。ここで、マスク１０２のパターンのずれ量は、マスク１０２のパターンの位置の理想位置からのずれ量であり、下層の各ショット領域のパターンのずれ量は、下層の各ショット領域に形成されたパターンの位置の理想位置からのずれ量である。

マスク１０２のパターンのずれ量及び下層の各ショット領域のパターンのずれ量は、本実施形態では、リソグラフィ装置１の外部の装置で検出され、第１記憶部１０９に記憶されている。図７は、上層を形成する（即ち、ショット領域３０１をパターニングする）際に用いられるマスク１０２のパターンのずれ量の一例を示す図である。図７において、ベクトル７０１は、マスク１０２のパターン、詳細には、下層の４つのショット領域２０１のそれぞれに対応するパターンのずれ量を表している。図８は、図２に示すショットレイアウトで形成された下層の各ショット領域２０１のパターンのずれ量の一例を示す図である。図８において、ベクトル８０１は、各ショット領域２０１のパターンのずれ量を表している。第１記憶部１０９は、上述したように、図７に示すようなマスク１０２のパターンのずれ量（ベクトル７０１）及び図８に示すような下層の各ショット領域２０１のパターンのずれ量（ベクトル８０１）を記憶する。

演算部１１０は、上層のショットレイアウトを仮定して、かかるショットレイアウトで上層を形成する場合における下層の各ショット領域に形成されたパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。本実施形態では、演算部１１０は、第１記憶部１０９に記憶されたマスク１０２のパターンのずれ量及び各ショット領域２０１のパターンのずれ量に基づいて、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。また、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトが１２８通りある。従って、演算部１１０は、１２８通りの上層のショットレイアウトのそれぞれについて、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。

第２記憶部１１１は、演算部１１０によって演算された下層の各ショット領域のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を記憶する。本実施形態では、第２記憶部１１１は、１２８通りの上層のショットレイアウトのそれぞれと、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量とを対応づけて記憶する。

制御部１０８は、本実施形態では、ショットレイアウトを決定する決定部として機能する。制御部１０８は、演算部１１０で演算された下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっているショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する。本実施形態では、１２８通りの上層のショットレイアウトのそれぞれについて、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が演算されている。従って、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっているショットレイアウトが複数存在する場合がある。このような場合、制御部１０８は、かかる複数のショットレイアウトから、１つのショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する。この際、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が最小となるショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定するとよい。このように、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量に基づいて、上層を形成する際のショットレイアウトを決定することで、上層と下層との重ね合わせ誤差を小さくすることができる。

また、リソグラフィ装置１は、投影光学系１０４を介してマスク１０２のパターンを基板１０５に投影するため、上層と下層との重ね合わせ誤差を低減する観点から、投影光学系１０４のディストーションも考慮するとよい。投影光学系１０４にディストーションが発生した場合、マスク１０２のパターンのずれ量に投影光学系１０４のディストーションに起因するずれ量が重畳されて基板１０５にパターンが形成される。投影光学系１０４のディストーションは、予め求めることが可能であるため、投影光学系１０４のディストーションも第１記憶部１０９に記憶させることができる。従って、演算部１１０は、第１記憶部１０９に記憶された投影光学系１０４のディストーションを用いて、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算することができる。換言すれば、マスク１０２のパターンのずれ量及び各ショット領域２０１のパターンのずれ量に加えて、投影光学系１０４のディストーションにも基づいて、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が演算される。これにより、投影光学系１０４のディストーションも考慮して、上層を形成する際のショットレイアウトを決定することが可能となり、上層と下層との重ね合わせ誤差を小さくすることができる。また、第１記憶部１０９には、マスク１０２のパターンのずれ量の代わりに、マスク１０２に形成されているパターンの形状そのものを記憶してもよい。

本実施形態では、上述したように、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、１２８通りある。但し、ショットサイズによっては、下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトが数百通りになる場合がある。選択可能な上層のショットレイアウトの数は、下層のショット領域の大きさや上層のショット領域の大きさで変わる。下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトの数が増えると、演算部１１０による演算回数が増加してしまうため、演算時間が長くなる。このような場合には、下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトの全てについて、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算しなくてもよい。具体的には、１つのショットレイアウトに対する各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算部１１０が演算するごとに、かかる位置ずれ量が許容範囲内に収まっているかを確認する。演算部１１０によって演算された各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっていれば、演算部１１０によるそれ以降のショットレイアウトに対する演算を停止する。そして、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっているショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する。これにより、演算部１１０による演算時間を短縮しながらも、上層と下層との重ね合わせ誤差を許容範囲内、即ち、解像度の数パーセント以下に抑えることができる。

また、上層と下層との重ね合わせ誤差を最小にするためには、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が最小となるショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する必要がある。但し、上層と下層との重ね合わせ誤差は、解像度の数パーセント以下に抑えられていればよい。従って、上層と下層との重ね合わせ誤差を抑えながら、リソグラフィ装置１の生産性も考慮することも可能である。具体的には、各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっているショットレイアウトのうち、ショット領域の数が最小となるものを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する。これにより、上層と下層との重ね合わせ誤差を小さくしながらも、リソグラフィ装置１の生産性も維持することができる。

また、リソグラフィ装置１は、マスク１０２と基板１０５とのアライメント（位置合わせ）としてグローバルアライメントを行うため、基板１０５に設けられたマークを計測する計測部１０７を有している。計測部１０７は、オフアクシススコープを含み、下層の各ショット領域２０１に設けられたマークを計測することができるため、各ショット領域２０１に形成されたパターンの位置の理想位置からのずれ量も計測することができる。従って、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する際に、第１記憶部１０９に記憶された各ショット領域２０１のパターンのずれ量の代わりに、計測部１０７の計測結果を用いてもよい。換言すれば、演算部１１０は、第１記憶部１０９に記憶されたマスク１０２のパターンのずれ量、及び、計測部１０７によって計測された各ショット領域２０１のパターンのずれ量に基づいて、相対的な位置ずれ量を演算してもよい。この場合、第１記憶部１０９は、下層の各ショット領域２０１のパターンのずれ量を記憶していなくてもよい。

また、リソグラフィ装置１は、一般的に、基板１０５の各ショット領域に設けられたマークとマスク１０２に設けられたマークとの相対位置を検出する検出部１１２を有している。検出部１１２は、下層の各ショット領域２０１に設けられたマークとマスク１０２に設けられたマークとの相対位置を検出することができる。従って、下層の各ショット領域２０１のパターンとマスク１０２のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する際に、検出部１１２の検出結果を用いてもよい。換言すれば、演算部１１０は、検出部１１２によって検出された各ショット領域２０１に設けられたマークとマスク１０２に設けられたマークとの相対位置に基づいて、相対的な位置ずれ量を演算してもよい。この場合、リソグラフィ装置１は、第１記憶部１０９を有していなくてもよい。

＜第２の実施形態＞
図９は、本発明の第２の実施形態におけるリソグラフィ装置９の構成を示す概略図である。リソグラフィ装置９は、半導体デバイスなどの製造工程であるリソグラフィ工程で使用され、本実施形態では、基板上のインプリト材を原版としてのモールドで成形して基板上のパターンを形成するインプリント装置として具現化される。リソグラフィ装置９は、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、基板上の硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。

リソグラフィ装置９は、基板９０３に転写すべきパターンが形成されたモールド９０１を保持して移動するモールド保持部９０２と、基板９０３を保持して移動する基板ステージ９０４とを有する。また、リソグラフィ装置９は、モールド９０１に設けられたマーク９１０と基板９０３に設けられたマーク９１１との相対位置を検出する検出部９０６と、リソグラフィ装置９の全体を制御する制御部９１２とを有する。更に、リソグラフィ装置９は、第１記憶部１０９と、演算部１１０と、第２記憶部１１１とを有する。

リソグラフィ装置９は、リソグラフィ装置１と同様に、第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層上に、第１層（下層）の複数のショット領域をカバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層（上層）を形成する。ここで、図２に示すような下層のショットレイアウト及び図３に示すような上層のショットレイアウトを考えると、リソグラフィ装置９においても、図２に示す下層のショットレイアウトに対して選択可能な上層のショットレイアウトは、１２８通りある。リソグラフィ装置９で上層をパターニングする際には、１２８通りの上層のショットレイアウトのうちいずれのショットレイアウトを用いてもよい。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、上層と下層との重ね合わせ誤差を考慮して上層のショットレイアウトを決定すればよい。

モールド９０１のパターンのずれ量及び下層の各ショット領域のパターンのずれ量は、リソグラフィ装置９の外部の装置で予め検出することができる。従って、本実施形態では、第１記憶部１０９は、モールド９０１のパターンのずれ量及び下層の各ショット領域のパターンのずれ量を記憶する。

演算部１１０は、上層のショットレイアウトを仮定して、かかるショットレイアウトで上層を形成する場合における下層の各ショット領域に形成されたパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。具体的には、演算部１１０は、第１記憶部１０９に記憶されたモールド９０１のパターンのずれ量及び各ショット領域２０１のパターンのずれ量に基づいて、各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。また、演算部１１０は、１２８通りの上層のショットレイアウトのそれぞれについて、各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する。

第２記憶部１１１は、演算部１１０によって演算された下層の各ショット領域のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量を記憶する。第２記憶部１１１は、１２８通りの上層のショットレイアウトのそれぞれと、下層の各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量とを対応づけて記憶する。

制御部９１２は、演算部１１０で演算された下層の各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量が許容範囲内に収まっているショットレイアウトを、上層を形成する際のショットレイアウトとして決定する。なお、上層を形成する際のショットレイアウトの具体的な決定方法は、第１の実施形態と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。

リソグラフィ装置９は、下層の各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量に基づいて、上層を形成する際のショットレイアウトを決定することで、上層と下層との重ね合わせ誤差を小さくすることができる。また、リソグラフィ装置９は、モールド９０１に形成されたパターンの形状を、モールド９０１に力を加えることで変形させる機構を備えている場合がある。この場合、変形したモールド９０１のパターン形状で上層にパターンを形成した際の、下層の各ショット領域との相対的な位置ずれ量に基づいてショットレイアウトを決定することができる。

また、リソグラフィ装置９は、モールド９０１と基板９０３とのアライメントとしてダイバイダイアライメントを行うため、検出部９０６を有している。検出部９０６は、下層の各ショット領域２０１に設けられたマーク９１１とモールド９０１に設けられたマーク９１０との相対位置を検出することができる。従って、下層の各ショット領域２０１のパターンとモールド９０１のパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する際に、検出部９０６の検出結果を用いてもよい。換言すれば、演算部１１０は、検出部９０６によって検出された各ショット領域２０１に設けられたマーク９１１とモールド９０１に設けられたマーク９１０との相対位置に基づいて、相対的な位置ずれ量を演算してもよい。この場合、リソグラフィ装置９は、第１記憶部１０９を有していなくてもよい。

＜第３の実施形態＞
第１記憶部１０９、演算部１１０及び第２記憶部１１１の機能は、リソグラフィ装置１の外部の情報処理装置が備えていてもよい。この場合、リソグラフィ装置１及び９は、演算部１１０によって演算された、或いは、第２記憶部１１１に記憶された下層の各ショット領域に形成されたパターンと原版のパターンとの相対的な位置ずれ量を情報処理装置から取得する。このように、第１記憶部１０９、演算部１１０及び第２記憶部１１１の機能を備えた情報処理装置も本発明の一側面を構成する。

＜第４の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、リソグラフィ装置１又は９を用いて、パターンを基板に形成する工程と、パターンを形成された基板を処理する工程とを含む。また、かかる製造方法は、上述した工程に続いて、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１、９：リソグラフィ装置１０８、９１２：制御部１０９：第１記憶部１１０：演算部

Claims

第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層上に、前記第１ショットサイズのショット領域を複数カバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層を形成するリソグラフィ装置であって、
前記第２層のショット領域の配列を示し、前記第１層のショットレイアウトに対して選択可能な複数の候補ショットレイアウトを仮定して、前記複数の候補ショットレイアウトのそれぞれで前記第２層を形成する場合における前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンと前記第２層に形成されるパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する演算部と、
前記複数の候補ショットレイアウトのうち、前記演算部で演算された前記位置ずれ量が許容範囲内に収まっている候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定する決定部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
前記決定部は、前記複数の候補ショットレイアウトのうち、前記演算部で演算された前記位置ずれ量が最小となる候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記決定部は、前記演算部で演算された前記位置ずれ量が許容範囲内に収まっている前記候補ショットレイアウトのうち、当該候補ショットレイアウトに含まれるショット領域の数が最小となる候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記第２層に形成されるパターンは、前記第２層を形成する際に用いられる原版のパターンであることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記原版のパターンの位置の理想位置からの第１ずれ量、及び、前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンの位置の理想位置からの第２ずれ量を記憶する記憶部を更に有し、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量に基づいて、前記位置ずれ量を求めることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
前記第１層の各ショット領域に設けられたマークと、前記原版に設けられたマークとの相対位置を検出する検出部を更に有し、
前記演算部は、前記検出部によって検出された前記相対位置に基づいて、前記位置ずれ量を求めることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
前記原版のパターンの位置の理想位置からのずれ量を記憶する記憶部と、
前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンの位置の理想位置からのずれ量を計測する計測部と、
を更に有し、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された前記ずれ量、及び、前記計測部によって計測された前記ずれ量に基づいて、前記位置ずれ量を求めることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
前記原版のパターンを投影光学系によって基板に投影することで前記第２層を形成することを特徴とする請求項４乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
基板上のインプリント材を前記原版で成形することで前記第２層を形成することを特徴とする請求項４乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層上に、前記第１ショットサイズのショット領域を複数カバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層を形成するリソグラフィ装置におけるショットレイアウトを決定する情報処理装置であって、
前記第２層のショット領域の配列を示し、前記第１層のショットレイアウトに対して選択可能な複数の候補ショットレイアウトを仮定して、前記複数の候補ショットレイアウトのそれぞれで前記第２層を形成する場合における前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンと前記第２層に形成されるパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する演算部と、
前記複数の候補ショットレイアウトのうち、前記演算部で演算された前記位置ずれ量が許容範囲内に収まっている候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定する決定部と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
第１ショットサイズのショット領域の配列を有する第１層上に、前記第１ショットサイズのショット領域を複数カバーする第２ショットサイズのショット領域の配列を有する第２層を形成する際のショットレイアウトを決定する決定方法であって、
前記第２層のショット領域の配列を示し、前記第１層のショットレイアウトに対して選択可能な複数の候補ショットレイアウトを仮定して、前記複数の候補ショットレイアウトのそれぞれで前記第２層を形成する場合における前記第１層の各ショット領域に形成されたパターンと前記第２層を形成されるパターンとの相対的な位置ずれ量を演算する工程と、
前記複数の候補ショットレイアウトのうち、前記工程で演算された前記位置ずれ量が許容範囲内に収まっている候補ショットレイアウトを、前記第２層を形成する際のショットレイアウトとして決定する工程と、
を有することを特徴とする決定方法。