JP6395597B2 - Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method - Google Patents

Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6395597B2
JP6395597B2 JP2014263574A JP2014263574A JP6395597B2 JP 6395597 B2 JP6395597 B2 JP 6395597B2 JP 2014263574 A JP2014263574 A JP 2014263574A JP 2014263574 A JP2014263574 A JP 2014263574A JP 6395597 B2 JP6395597 B2 JP 6395597B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
sensitive adhesive
adhesive tape
element substrate
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014263574A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016122812A (en
Inventor
晃良 増田
晃良 増田
梨夏 高城
梨夏 高城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Maxell Holdings Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maxell Holdings Ltd filed Critical Maxell Holdings Ltd
Priority to JP2014263574A priority Critical patent/JP6395597B2/en
Priority to TW104139182A priority patent/TWI655682B/en
Priority to CN201510977427.1A priority patent/CN105733462A/en
Priority to KR1020150184810A priority patent/KR102440961B1/en
Publication of JP2016122812A publication Critical patent/JP2016122812A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6395597B2 publication Critical patent/JP6395597B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08Macromolecular additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、素子基板のダイシングに用いられるダイシング用粘着テープ、およびダイシング用粘着テープを使用した半導体チップの製造方法に関する。   The present invention relates to a dicing adhesive tape used for dicing an element substrate, and a semiconductor chip manufacturing method using the dicing adhesive tape.

従来、LED(light emitting diode)等を有する半導体チップを作製するために使用されるダイシング用粘着テープとして、アクリル系樹脂からなる接着剤層を有する粘着テープが知られている(特許文献1参照)。
また、ダイシング用粘着テープを使用して半導体チップを作製する方法としては、複数の半導体素子が形成された半導体素子基板の基板側に粘着テープを貼り付け、ダイサーにより半導体素子基板を切断する方法が知られている(特許文献2参照)。
Conventionally, a pressure-sensitive adhesive tape having an adhesive layer made of an acrylic resin is known as a pressure-sensitive adhesive tape for dicing used for manufacturing a semiconductor chip having an LED (light emitting diode) or the like (see Patent Document 1). .
In addition, as a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing adhesive tape, there is a method in which an adhesive tape is attached to a substrate side of a semiconductor element substrate on which a plurality of semiconductor elements are formed, and the semiconductor element substrate is cut by a dicer. It is known (see Patent Document 2).

特開2013−38408号公報JP 2013-38408 A 特開2005−93503号公報JP 2005-93503 A

ところで、近年、半導体素子基板を切断して半導体チップを作製する場合に、半導体素子基板の基板側ではなく半導体素子を封止する封止樹脂や半導体素子上に設けられるレンズ材が形成される側に粘着テープを貼り付けてダイシングを行う技術が提案されている。
このように、半導体素子基板に対して封止樹脂やレンズ材が形成される側から粘着テープを貼り付けた場合、粘着力が不足して、半導体チップの飛散等が生じる場合があった。
By the way, in recent years, when a semiconductor chip is cut to produce a semiconductor chip, a side on which a sealing resin for sealing the semiconductor element or a lens material provided on the semiconductor element is formed, not the substrate side of the semiconductor element substrate. There has been proposed a technique in which an adhesive tape is applied to the substrate for dicing.
As described above, when the adhesive tape is attached to the semiconductor element substrate from the side on which the sealing resin or the lens material is formed, the adhesive force is insufficient and the semiconductor chip may be scattered.

本発明は、複数の半導体素子が形成された素子基板に対して良好な粘着性を有するダイシング用粘着テープ、およびこれを用いた半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element substrate in which the several semiconductor element was formed, and the manufacturing method of a semiconductor chip using the same.

係る目的のもと、本発明のダイシング用粘着テープは、複数の半導体素子が形成され、それぞれの半導体素子が封止樹脂により封止された素子基板、またはそれぞれの半導体素子上にレンズ材が形成された素子基板を、複数の半導体チップに分割する際に使用されるダイシング用粘着テープであって、基材と、前記基材上に積層され、硬化型のシリコーン系粘着剤及び硬化剤を含む粘着剤層とを備え、前記素子基板に対して、官能基としてメチル基およびフェニル基の一方または双方を有するシリコーン樹脂からなる前記封止樹脂側または前記レンズ材側から貼り付けられて使用されることを特徴とする。
ここで、前記粘着剤層は、過酸化物硬化型シリコーン粘着剤と、過酸化物からなる開始剤とを含むことを特徴とすることができる。さらに、前記開始剤の含有量が、前記過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.01重量部〜15重量部の範囲であることを特徴とすることができる。さらにまた、前記粘着剤層は、付加反応型シリコーン系粘着剤と、架橋剤と、触媒とを含むことを特徴とすることができる。また、前記架橋剤の含有量が、前記付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜10重量部の範囲であることを特徴とすることができる。
さらに本発明を半導体チップの製造方法として捉えると、本発明の半導体チップの製造方法は、複数の半導体素子が基板上に形成された素子基板の当該複数の半導体素子をシリコーン樹脂で覆う被覆工程と、基材と硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層とを備える粘着テープを、前記素子基板に対して、前記シリコーン樹脂側から貼り付ける貼付工程と、前記粘着テープが貼り付けられた前記素子基板を、複数の半導体チップに切断する切断工程と、前記複数の半導体チップから、前記粘着テープを剥がす剥離工程とを含む。
For this purpose, the dicing adhesive tape of the present invention has a plurality of semiconductor elements formed thereon, an element substrate in which each semiconductor element is sealed with a sealing resin, or a lens material formed on each semiconductor element. A dicing pressure-sensitive adhesive tape used for dividing an element substrate into a plurality of semiconductor chips, and includes a base material, a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent laminated on the base material and a pressure-sensitive adhesive layer, with respect to the element substrate, wherein a silicone resin having one or both of the methyl groups and phenyl groups encapsulating resin side or pasted from the lens member side Ru is used as the functional group It is characterized by that.
Here, the pressure-sensitive adhesive layer may include a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and an initiator made of peroxide. Furthermore, the content of the initiator may be in the range of 0.01 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive. Furthermore, the pressure-sensitive adhesive layer may include an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, a crosslinking agent, and a catalyst. In addition, the content of the crosslinking agent may be in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive.
Further, when the present invention is regarded as a semiconductor chip manufacturing method, the semiconductor chip manufacturing method of the present invention includes a covering step of covering a plurality of semiconductor elements of an element substrate on which a plurality of semiconductor elements are formed on a substrate with a silicone resin. A sticking step of sticking an adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer containing a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent to the element substrate from the silicone resin side; A cutting step of cutting the element substrate thus obtained into a plurality of semiconductor chips, and a peeling step of peeling the adhesive tape from the plurality of semiconductor chips.

本発明によれば、封止樹脂により封止された複数の半導体素子が形成された素子基板に対して良好な粘着性を有するダイシング用粘着テープ、およびこれを用いた半導体チップの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element substrate in which the several semiconductor element sealed with sealing resin was formed, and the manufacturing method of a semiconductor chip using the same are provided. can do.

本実施の形態が適用される粘着テープの構成の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the structure of the adhesive tape to which this Embodiment is applied. (a)〜(d)は、本実施の形態の粘着テープを使用した半導体チップの第1の製造例を示した図である。(A)-(d) is the figure which showed the 1st manufacture example of the semiconductor chip using the adhesive tape of this Embodiment. (a)〜(d)は、本実施の形態の粘着テープを使用した半導体チップの第2の製造例を示した図である。(A)-(d) is the figure which showed the 2nd manufacturing example of the semiconductor chip using the adhesive tape of this Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
[粘着テープの構成]
図1は、本実施の形態が適用される粘着テープ1の構成の一例を示した図である。本実施の形態の粘着テープ1は、封止樹脂で封止された複数の半導体素子が形成された半導体素子基板、またはそれぞれの半導体素子上にレンズ材が形成された半導体素子基板のダイシングの用途に使用される。具体的には、本実施の形態の粘着テープ1は、半導体素子基板に対して、シリコーン樹脂からなる封止樹脂側またはシリコーン樹脂からなるレンズ材が形成された側から貼り付けることで、ダイシングに使用される。なお、粘着テープ1の使用方法については、後段にて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.
[Composition of adhesive tape]
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of an adhesive tape 1 to which the exemplary embodiment is applied. The adhesive tape 1 of the present embodiment is used for dicing a semiconductor element substrate in which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin are formed, or a semiconductor element substrate in which a lens material is formed on each semiconductor element. Used for. Specifically, the adhesive tape 1 of the present embodiment is attached to the semiconductor element substrate by dicing by sticking from the sealing resin side made of silicone resin or the side on which the lens material made of silicone resin is formed. used. In addition, the usage method of the adhesive tape 1 is demonstrated in detail in a back | latter stage.

図1に示すように、本実施の形態の粘着テープ1は、基材2と粘着剤層3とが積層された構造を有している。
なお、図示は省略するが、粘着テープ1は、基材2と粘着剤層3との間に必要に応じてアンカーコート層を備えていてもよい。また、基材2の表面(粘着剤層3に対向する面とは反対側の面)に、表面処理が施されていてもよい。さらに、粘着剤層3の表面(基材2に対向する面とは反対側の面)に、剥離ライナーを備えていてもよい。
As shown in FIG. 1, the adhesive tape 1 of this Embodiment has the structure where the base material 2 and the adhesive layer 3 were laminated | stacked.
In addition, although illustration is abbreviate | omitted, the adhesive tape 1 may be provided with the anchor coat layer between the base material 2 and the adhesive layer 3 as needed. Further, the surface of the base material 2 (surface opposite to the surface facing the pressure-sensitive adhesive layer 3) may be subjected to surface treatment. Furthermore, a release liner may be provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (the surface opposite to the surface facing the substrate 2).

<基材>
本実施の形態の粘着テープ1に用いる基材2の材料は、特に限定されるものではなく、例えば金属製、プラスチック製等を用いることができる。具体的には、基材2として、例えば、ステンレススチール、軟質アルミニウム等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、二軸延伸ポリプロピレン、ポリイミド、アラミド、ポリシクロオレフィン、フッ素系樹脂等の樹脂フィルムを用いることができる。また、用途に応じて基材2には、例えば、アルミニウム箔と樹脂フィルムとをラミネートした複合フィルム、アルミナ、二酸化ケイ素等の金属酸化物薄膜を樹脂フィルムの表面に形成した複合フィルム、およびこれらの複合フィルムをさらに樹脂フィルムとラミネートした複合フィルム等を用いてもよい。
この中でも、基材2としては、ポリエチレンテレフタレートを主成分とする材料を用いることが好ましい。
<Base material>
The material of the base material 2 used for the adhesive tape 1 of this Embodiment is not specifically limited, For example, metal, plastics, etc. can be used. Specifically, as the base material 2, for example, metal foil such as stainless steel and soft aluminum, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, biaxially oriented polypropylene, polyimide, aramid, polycycloolefin, A resin film such as a fluororesin can be used. Further, depending on the application, for example, the base material 2 may be a composite film in which an aluminum foil and a resin film are laminated, a composite film in which a metal oxide thin film such as alumina or silicon dioxide is formed on the surface of the resin film, and these A composite film obtained by further laminating a composite film with a resin film may be used.
Among these, as the base material 2, it is preferable to use a material mainly composed of polyethylene terephthalate.

<粘着剤層>
本実施の形態の粘着剤層3は、硬化型のシリコーン系粘着剤と、このシリコーン系粘着剤を硬化させるための硬化剤とを含んで構成されている。また、粘着剤層3は、必要に応じて、着色剤等を含んでいてもよい。
粘着剤層3の厚さは、5μm〜50μmの範囲が好ましく、20μm〜40μmの範囲がより好ましい。粘着剤層3の厚さが5μm未満の場合には、粘着剤層3に含まれるシリコーン系粘着剤が薄くなるため、粘着テープ1の粘着力が低下しやすい。一方、粘着剤層3の厚さが50μmよりも厚い場合には、粘着剤層3の凝集破壊が発生しやすくなり、このような粘着テープ1を用いた場合には、粘着テープ1を剥がした際に、粘着剤が被着物に付着したまま残る糊残りが生じやすくなる。
<Adhesive layer>
The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the present embodiment includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent for curing the silicone pressure-sensitive adhesive. Moreover, the adhesive layer 3 may contain a coloring agent etc. as needed.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably in the range of 5 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 20 μm to 40 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 5 μm, since the silicone-based pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes thin, the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive tape 1 tends to decrease. On the other hand, when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is thicker than 50 μm, cohesive failure of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is likely to occur. When such a pressure-sensitive adhesive tape 1 is used, the pressure-sensitive adhesive tape 1 is peeled off. At this time, the adhesive residue is likely to remain with the adhesive remaining attached to the adherend.

ここで、本実施の形態の粘着剤層3では、硬化型のシリコーン系粘着剤として、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤または付加反応型シリコーン系粘着剤を用いることができる。
以下、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いる場合を粘着剤層3の第1形態、付加反応型シリコーン系粘着剤を用いる場合を粘着剤層3の第2形態として、順に説明する。
Here, in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the present embodiment, a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive or an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive can be used as the curable silicone pressure-sensitive adhesive.
Hereinafter, the case where a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is used is described as a first form of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the case where an addition reaction type silicone-based pressure-sensitive adhesive is used is described as a second form of the pressure-sensitive adhesive layer 3.

〔第1形態〕
第1形態の粘着剤層3は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤と、過酸化物から構成される開始剤(硬化剤)とを含んで構成される。
[First form]
The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first form includes a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and an initiator (curing agent) composed of peroxide.

(過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤)
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤は、例えば、ポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジンとのオルガノポリシロキサン混合物を主剤とした粘着剤である。
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKR−100、KR−101−10、KR−130、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のYR3340、YR3286、PSA610−SM、XR37−B6722、東レ・ダウコーニング株式会社製のSH4280等を用いることができる。
(Peroxide curable silicone adhesive)
The peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is, for example, a pressure-sensitive adhesive mainly composed of an organopolysiloxane mixture of an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane and an organopolysiloxane copolymer resin.
Although it does not specifically limit as a peroxide hardening type silicone type adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR-100, KR-101-10, KR-130, Momentive Performance Materials YR3340, YR3286, PSA610-SM, XR37-B6722 manufactured by the company, SH4280 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., and the like can be used.

(添加剤(改質剤))
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤は、添加剤として改質剤を含んでもよい。過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に用いる添加剤(改質剤)としては、例えばポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジン、オルガノポリシロキサン混合物が用いられる。このような添加剤(改質剤)としては、特に限定されるものではないが、例えば、東レ・ダウコーニング株式会社製のSD−7292、BY15−701A、SD−7226、SE−1886A/B、信越化学工業株式会社製のX−92−128、X−41−3003等を用いることができる。
(Additive (modifier))
The peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive may contain a modifier as an additive. As an additive (modifier) used for the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive, for example, an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane, an organopolysiloxane copolymer resin, and an organopolysiloxane mixture are used. Such an additive (modifier) is not particularly limited. For example, SD-7292, BY15-701A, SD-7226, SE-1886A / B, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., X-92-128, X-41-3003, etc. manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. can be used.

この他、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対して、ポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジンおよびオルガノポリシロキサン混合物を併せ持つ、付加反応型シリコーン系粘着剤を混合しても、上記の添加剤(改質剤)を用いる場合と同様の改質効果を得ることができる。付加反応型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKR−3700、KR−3701、X−40−3237−1、X−40−3240、X−40−3291−1、X−40−3229、X−40−3270、X−40−3306、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のTSR1512、TSR1516、XR37−B9204、東レ・ダウコーニング株式会社製のSD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、DC7651ADHESIVE等を用いることができる。   In addition, an addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive having both an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane, an organopolysiloxane copolymer resin and an organopolysiloxane mixture is mixed with the peroxide curable silicone pressure sensitive adhesive. However, the modification effect similar to the case of using the above additive (modifier) can be obtained. Although it does not specifically limit as an addition reaction type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR-3700, KR-3701, X-40-3237-1, X-40-3240, X-40-3291-1, X-40-3229, X-40-3270, X-40-3306, TSR1512, TSR1516, XR37-B9204 by Momentive Performance Materials, Toray Dow Corning SD4580, SD4584, SD4585, SD4586, SD4587, SD4560, SD4570, SD4600PFC, SD4593, DC7651ADHESIVE, and the like can be used.

(開始剤)
過酸化物からなる開始剤としては、有機過酸化物が用いられる。開始剤として用いられる有機過酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾイールペルオキシド、ジクミルペルオキシド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルペルオキシ)ヘキサン、1,1´−ジ−t−ブチルペルオキシ−3,3,5−トリメチレンシクロヘキサン、1,3−ジ−(t−ブチルペルオキシ)−ジイソプロピルベンゼン等が挙げられ、市販品としては、例えば、日油株式会社製のナイパーK40等が挙げられる。
(Initiator)
An organic peroxide is used as the initiator made of peroxide. The organic peroxide used as the initiator is not particularly limited, and examples thereof include benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, 1,1'-di-t-butylperoxy-3,3,5-trimethylenecyclohexane, 1,3-di- (t-butylperoxy) -diisopropylbenzene and the like are listed. Nyper K40 manufactured by Oil Co., Ltd. can be used.

(含有量)
ここで、第1形態の粘着剤層3における開始剤(有機過酸化物)の含有量は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100質量部に対して、0.01重量部〜15重量部の範囲が好ましく、0.05重量部〜10重量部の範囲がより好ましく、0.05重量部〜3.5重量部の範囲がさらに好ましい。また、第1形態の粘着剤層3における添加剤(改質剤)の含有量は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0重量部〜50重量部の範囲が好ましく、0重量部〜30重量部の範囲がより好ましい。
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤および改質剤の含有量を上述した範囲とすることで、粘着剤層3の粘着力および保持力を、ダイシング用の粘着テープ1として好ましい範囲とすることができる。
(Content)
Here, the content of the initiator (organic peroxide) in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first form is 0.01 parts by weight to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive. The range of 0.05 to 10 parts by weight is more preferable, and the range of 0.05 to 3.5 parts by weight is even more preferable. In addition, the content of the additive (modifier) in the pressure-sensitive adhesive layer 3 in the first form is preferably in the range of 0 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive. The range of 0 to 30 parts by weight is more preferable.
By setting the content of the initiator and the modifier to the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive within the above-described ranges, the pressure-sensitive adhesive force and the holding power of the pressure-sensitive adhesive layer 3 are preferably within the range of the pressure-sensitive adhesive tape 1 for dicing. can do.

一方、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤の含有量が過度に小さい場合には、粘着剤層3において過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤が十分に硬化されずに、所望の粘着力を得られない場合がある。また、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤が十分に硬化しなかった場合には、粘着剤層3において凝集破壊が生じやすくなる。この結果、粘着テープ1を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ1を剥がした際に、糊残りが生じやすくなる。   On the other hand, when the content of the initiator with respect to the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is excessively small, the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is not sufficiently cured in the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the desired pressure-sensitive adhesive. You may not get power. Further, when the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is not sufficiently cured, cohesive failure is likely to occur in the pressure-sensitive adhesive layer 3. As a result, when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate and then the adhesive tape 1 is peeled off from the obtained semiconductor chip, an adhesive residue is likely to occur.

過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤の含有量が過度に大きい場合には、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤の硬化反応が進行しすぎるため、粘着剤層3が硬くなり、粘着テープ1の粘着力が低下しやすくなる。そして、この粘着テープ1をダイシングに使用した場合には、半導体素子基板を切断する際に、切断片である半導体チップが粘着テープ1から剥がれて飛散しやすくなる。   When the content of the initiator with respect to the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the curing reaction of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive progresses too much, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes hard and adhesive. The adhesive strength of the tape 1 tends to decrease. And when this adhesive tape 1 is used for dicing, when cutting a semiconductor element substrate, the semiconductor chip which is a cut piece will peel off from the adhesive tape 1, and will be scattered easily.

〔第2形態〕
続いて、第2形態の粘着剤層3は、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を含むとともに、硬化剤として、架橋剤および触媒を含んで構成される。また、第2形態の粘着剤層3には、付加反応型シリコーン系粘着剤の急激な付加反応の進行を抑制するための反応制御材を含んで構成してもよい。
[Second form]
Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form includes an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive as a silicone pressure-sensitive adhesive and also includes a crosslinking agent and a catalyst as a curing agent. Moreover, you may comprise in the adhesive layer 3 of a 2nd form by including the reaction control material for suppressing progress of the rapid addition reaction of an addition reaction type silicone adhesive.

(付加反応型シリコーン系粘着剤)
付加反応型シリコーン系粘着剤は、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を含有するポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンを主剤とした粘着剤である。なお、付加反応型シリコーン系粘着剤に含まれるオルガノポリシロキサンの分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。
また、付加反応型シリコーン系粘着剤に含まれるオルガノポリシロキサンが含有するアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。
(Addition reaction type silicone adhesive)
The addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive mainly composed of an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane containing at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule. Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane contained in the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive include linear, linear with a part of branches, branched, and network.
Examples of the alkenyl group contained in the organopolysiloxane contained in the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive include, for example, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group, and in particular, a vinyl group. Is preferred.

付加反応型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKR3700、KR3701、X−40−3237−1、X−40−3240、X−40−3291−1、X−40−3229、X−40−3270、X−40−3306、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のTSR1512、TSR1516、XR37−B9204、東レ・ダウコーニング株式会社製のSD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、DC7651ADHESIVE等があげられる。   Although it does not specifically limit as an addition reaction type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR3700, KR3701, X-40-3237-1, X-40-3240, X-40- 3291-1, X-40-3229, X-40-3270, X-40-3306, TSR1512, TSR1516, XR37-B9204 by Momentive Performance Materials, SD4580, SD4584 by Toray Dow Corning Co., Ltd. SD4585, SD4586, SD4587, SD4560, SD4570, SD4600PFC, SD4593, DC7651ADHESIVE and the like.

(添加剤(改質剤))
付加反応型シリコーン系粘着剤は、添加剤として改質剤を含んでもよい。付加反応型シリコーン系粘着剤に用いる添加剤(改質剤)としては、例えばポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジン、オルガノポリシロキサン混合物が用いられる。このような添加剤(改質剤)としては、特に限定されるものではないが、例えば、東レ・ダウコーニング株式会社製のSD−7292、BY15−701A、SD7226、SE1886A/B、信越化学工業株式会社製のX−92−128、X−41−3003等を用いることができる。
(Additive (modifier))
The addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive may contain a modifier as an additive. As an additive (modifier) used for the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, for example, an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane, an organopolysiloxane copolymer resin, and an organopolysiloxane mixture are used. Such additives (modifiers) are not particularly limited. For example, SD-7292, BY15-701A, SD7226, SE1886A / B, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. Company-made X-92-128, X-41-30003, etc. can be used.

この他、付加反応型シリコーン系粘着剤に対して、ポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジンおよびオルガノポリシロキサン混合物を併せ持つ、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を混合しても、上記の添加剤(改質剤)を用いる場合と同様の改質効果を得ることができる。過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKR−100、KR−101−10、KR−130、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のYR3340、YR3286、PSA610−SM、XR37−B6722、東レ・ダウコーニング株式会社製のSH4280等を用いることができる。   In addition, a peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive having both an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane, an organopolysiloxane copolymer resin, and an organopolysiloxane mixture is mixed with the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. However, the modification effect similar to the case of using the above additive (modifier) can be obtained. Although it does not specifically limit as a peroxide hardening type silicone type adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR-100, KR-101-10, KR-130, Momentive Performance Materials YR3340, YR3286, PSA610-SM, XR37-B6722 manufactured by the company, SH4280 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., and the like can be used.

(架橋剤)
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応には、架橋剤として、1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンが使用される。
架橋剤として使用されるオルガノポリシロキサンの分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応に使用される架橋剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学株式会社製のX−92−122、東レ・ダウコーニング株式会社製のBY24−741等が挙げられる。
(Crosslinking agent)
In the reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule is used as a crosslinking agent.
Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane used as the cross-linking agent include straight chain, straight chain partially having a branch, branched chain, cyclic, and network.
Although it does not specifically limit as a crosslinking agent used for reaction of an addition reaction type silicone adhesive, For example, X-92-122 by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., BY24 by Toray Dow Corning Co., Ltd. -741 etc. are mentioned.

(触媒)
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応には、付加反応型シリコーン系粘着剤と架橋剤との付加反応(ヒドロシリル化)による硬化を促進させるための触媒が使用される。
触媒としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒドロシリル化反応用触媒が使用される。これらの触媒のうち、特に、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触媒は、反応速度が良好であることから好ましい。
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応に使用される触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のCAT−PL−50T、東レ・ダウコーニング株式会社製のSRX−212Cat、NC−25等が挙げられる。
(catalyst)
In the reaction of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive, a catalyst for accelerating curing by addition reaction (hydrosilylation) between the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive and a crosslinking agent is used.
As the catalyst, a well-known hydrosilylation reaction catalyst such as a platinum-based catalyst, a rhodium-based catalyst, or a palladium-based catalyst is used. Among these catalysts, in particular, platinum fine powder, platinum black, platinum-supported silica fine powder, platinum-supported activated carbon, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid alcohol solution, platinum olefin complex, platinum alkenylsiloxane complex, etc. The catalyst is preferable because the reaction rate is good.
The catalyst used for the reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is not particularly limited. For example, CAT-PL-50T manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., SRX manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. -212 Cat, NC-25, etc. are mentioned.

(反応制御剤)
第2形態の粘着剤層3において必要に応じて用いられる反応制御剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のCAT−PLR−2や、東レ・ダウコーニング株式会社製のBY24−808等が挙げられる。
(Reaction control agent)
Although it does not specifically limit as a reaction control agent used as needed in the adhesive layer 3 of a 2nd form, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. CAT-PLR-2, Toray Dow Corning Examples include BY24-808 manufactured by Co., Ltd.

(含有量)
ここで、第2形態の粘着剤層3における架橋剤の含有量は、付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜10重量部の範囲が好ましく、0.1重量部〜7重量部の範囲がより好ましく、0.1重量部〜2重量部の範囲がさらに好ましい。
また、第2形態の粘着剤層3における添加剤(改質剤)の含有量は、付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0重量部〜50重量部の範囲が好ましく、0重量部〜30重量部の範囲がより好ましい。
付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤および改質剤の含有量を上述した範囲とすることで、粘着剤層3の粘着力および保持力を、ダイシング用の粘着テープ1として好ましい範囲とすることができる。
(Content)
Here, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form is preferably in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. The range of parts by weight to 7 parts by weight is more preferable, and the range of 0.1 parts by weight to 2 parts by weight is more preferable.
Further, the content of the additive (modifier) in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form is preferably in the range of 0 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. The range of parts by weight to 30 parts by weight is more preferable.
By setting the content of the cross-linking agent and the modifier to the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive within the above-described ranges, the pressure-sensitive adhesive force and the holding power of the pressure-sensitive adhesive layer 3 are set within a preferable range as the pressure-sensitive adhesive tape 1 for dicing. Can do.

一方、付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤の含有量が過度に小さい場合には、粘着剤層3において架橋反応が十分に進行せずに、所望の粘着力を得られない場合がある。また、付加反応型シリコーン系粘着剤の架橋反応が十分に進行しなかった場合には、粘着剤層3において凝集破壊が生じやすくなる。この結果、粘着テープ1を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ1を剥がした際に、糊残りが生じやすくなる。   On the other hand, when the content of the crosslinking agent relative to the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is excessively small, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently in the pressure-sensitive adhesive layer 3 and a desired adhesive strength may not be obtained. In addition, when the crosslinking reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive does not proceed sufficiently, cohesive failure is likely to occur in the pressure-sensitive adhesive layer 3. As a result, when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate and then the adhesive tape 1 is peeled off from the obtained semiconductor chip, an adhesive residue is likely to occur.

さらに、付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤の含有量が過度に大きい場合には、付加反応型シリコーン系粘着剤の架橋反応が進行しすぎるため、粘着剤層3が硬くなり、粘着テープ1の粘着力が低下しやすくなる。そして、この粘着テープ1をダイシングに使用した場合には、半導体素子基板を切断する際に、切断片である半導体チップが粘着テープ1から剥がれて飛散しやすくなる。   Furthermore, when the content of the crosslinking agent with respect to the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the crosslinking reaction of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive proceeds excessively, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes hard and the pressure-sensitive adhesive tape 1 The adhesive strength of is likely to decrease. And when this adhesive tape 1 is used for dicing, when cutting a semiconductor element substrate, the semiconductor chip which is a cut piece will peel off from the adhesive tape 1, and will be scattered easily.

また、第2形態の粘着剤層3における触媒の含有量は、特に限定されるものではないが、例えば、付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.01重量部〜5重量部程度とすることができる。   Further, the content of the catalyst in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form is not particularly limited, but for example 0.01 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. Part.

<アンカーコート層>
上述したように、本実施の形態の粘着テープ1では、粘着テープ1の製造条件や製造後の粘着テープ1の使用条件等に応じて、基材2と粘着剤層3との間に、基材の種類に合わせたアンカーコート層を設けたり、コロナ処理等の表面処理を施したりしてもよい。これにより、基材2と粘着剤層3との密着力を改善させることが可能になる。
<Anchor coat layer>
As described above, in the pressure-sensitive adhesive tape 1 according to the present embodiment, a base material 2 and a pressure-sensitive adhesive layer 3 are provided between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 according to the manufacturing conditions of the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the usage conditions of the pressure-sensitive adhesive tape 1 after manufacturing. An anchor coat layer suitable for the type of material may be provided, or surface treatment such as corona treatment may be performed. Thereby, it becomes possible to improve the adhesive force of the base material 2 and the adhesive layer 3.

<表面処理>
基材2の表面(粘着剤層3に対向する面とは反対側の面)には、剥離性改良処理等の表面処理が施されていてもよい。基材2の表面処理に用いられる処理剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、長鎖アルキルビニルモノマー重合物、フッ化アルキルビニルモノマー重合物、ポリビニルアルコールカルバメート、アミノアルキド系樹脂等の非シリコーン系の剥離処理剤等を用いることができる。このような非シリコーン系の剥離処理剤としては、例えば、一方社油脂工業株式会社製のピーロイル1050、ピーロイル1200等が挙げられる。
<Surface treatment>
The surface of the substrate 2 (surface opposite to the surface facing the pressure-sensitive adhesive layer 3) may be subjected to surface treatment such as peelability improving treatment. The treatment agent used for the surface treatment of the substrate 2 is not particularly limited, and examples thereof include a long-chain alkyl vinyl monomer polymer, a fluorinated alkyl vinyl monomer polymer, a polyvinyl alcohol carbamate, and an aminoalkyd resin. A non-silicone release treatment agent or the like can be used. Examples of such a non-silicone release treatment agent include Pyroyl 1050 and Pyroyl 1200 manufactured by Otsuka Oil Co., Ltd.

<剥離ライナー>
また、粘着剤層3の表面(基材2に対向する面とは反対側の面)には、必要に応じて剥離ライナーを設けてもよい。剥離ライナーとしては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムに、粘着剤層3に含まれるシリコーン系粘着剤との離型性を高めるための剥離処理を施したものを用いることができる。剥離ライナーの剥離処理に用いる材料としては、特に限定されないが、例えば、フロロシリコーン、長鎖アルキルビニルモノマー重合物、アミノアルキド系樹脂等の材料を用いることができる。
<Release liner>
Moreover, you may provide a peeling liner in the surface (surface on the opposite side to the surface which opposes the base material 2) of the adhesive layer 3 as needed. As the release liner, it is possible to use a film made of paper, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, etc., which has been subjected to a release treatment for improving the releasability from the silicone-based adhesive contained in the adhesive layer 3. The material used for the release treatment of the release liner is not particularly limited, and for example, materials such as fluorosilicone, a long-chain alkyl vinyl monomer polymer, and an aminoalkyd resin can be used.

<粘着テープの厚さ>
以上説明したような構成を有する粘着テープ1の全体としての厚さは、20μm〜200μmの範囲が好ましい。
粘着テープ1の厚さが20μmよりも薄い場合には、粘着テープ1を半導体素子基板のダイシングに用いた場合に、形成された半導体チップを粘着テープ1から剥がし取ることが困難になる場合がある。
また、粘着テープ1の厚さが200μmよりも厚い場合には、粘着テープ1を半導体素子基板の封止樹脂側から貼り付ける際に、粘着テープ1が封止樹脂の凹凸に追従しにくくなる。この結果、粘着テープ1と封止樹脂との接着面積が小さくなり、ダイシングの際に半導体チップが飛散しやすくなるおそれがある。
<Thickness of adhesive tape>
The total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape 1 having the configuration described above is preferably in the range of 20 μm to 200 μm.
When the thickness of the adhesive tape 1 is less than 20 μm, it may be difficult to peel off the formed semiconductor chip from the adhesive tape 1 when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate. .
Moreover, when the thickness of the adhesive tape 1 is thicker than 200 μm, it becomes difficult for the adhesive tape 1 to follow the unevenness of the sealing resin when the adhesive tape 1 is attached from the sealing resin side of the semiconductor element substrate. As a result, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the sealing resin is reduced, and the semiconductor chip may be easily scattered during dicing.

[粘着テープの製造方法]
続いて、本実施の形態の粘着テープ1の製造方法について説明する。
なお、上述した第1形態の過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を含む粘着剤層3を有する粘着テープ1と、第2形態の付加反応型シリコーン系粘着剤を含む粘着剤層3を有する粘着テープ1とでは、同様の製造方法により製造することができる。
[Production method of adhesive tape]
Then, the manufacturing method of the adhesive tape 1 of this Embodiment is demonstrated.
In addition, the adhesive tape 1 which has the adhesive layer 3 containing the peroxide hardening type silicone adhesive of the 1st form mentioned above and the adhesive layer 3 containing the addition reaction type silicone adhesive of the 2nd form With the tape 1, it can manufacture with the same manufacturing method.

粘着テープ1を製造する際には、まず、トルエンや酢酸エチル等の汎用の有機溶剤に、硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を溶解させ、粘着剤溶液を得る。続いて、この粘着剤溶液を、必要に応じて表面処理やアンカーコート層の形成を行った基材2の表面に、コンマコータ等を用いて所定の厚さになるように塗布する。
そして、粘着剤溶液が塗布された基材2を、60℃〜160℃の温度で、数分〜数十分程度加熱することで、粘着剤溶液を硬化させ、粘着剤層3を形成する。
以上の工程により、図1に示したように、基材2の上に粘着剤層3が積層された粘着テープ1を得ることができる。
When the pressure-sensitive adhesive tape 1 is manufactured, first, a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent are dissolved in a general-purpose organic solvent such as toluene or ethyl acetate to obtain a pressure-sensitive adhesive solution. Subsequently, this pressure-sensitive adhesive solution is applied to the surface of the base material 2 on which surface treatment or anchor coat layer formation has been performed as necessary using a comma coater or the like.
And the adhesive solution is hardened and the adhesive layer 3 is formed by heating the base material 2 with which the adhesive solution was apply | coated at the temperature of 60 to 160 degreeC for several minutes-about several tens of minutes.
Through the above steps, as shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive tape 1 in which the pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on the substrate 2 can be obtained.

[粘着テープの使用方法]
上述したように、本実施の形態の粘着テープ1は、半導体素子基板のダイシングに用いられる。ここで、半導体素子基板とは、樹脂等の基板上に、LED(Light emitting diode)等の半導体素子が複数形成されたものをいう。なお、このような半導体素子基板では、通常、半導体素子を温度や湿度等の外部環境の変化から保護するために、半導体素子を覆うように封止樹脂が設けられる。また、このような半導体素子基板では、LED等の半導体素子から出射された光を効果的に取り出すために、それぞれの半導体素子上にレンズ材を設ける場合がある。
[How to use adhesive tape]
As described above, the adhesive tape 1 of the present embodiment is used for dicing a semiconductor element substrate. Here, the semiconductor element substrate refers to a substrate in which a plurality of semiconductor elements such as LEDs (Light Emitting Diodes) are formed on a substrate made of resin or the like. In such a semiconductor element substrate, a sealing resin is usually provided so as to cover the semiconductor element in order to protect the semiconductor element from changes in the external environment such as temperature and humidity. In such a semiconductor element substrate, a lens material may be provided on each semiconductor element in order to effectively extract light emitted from the semiconductor element such as an LED.

半導体素子基板を切断して複数の半導体チップを得るための方法としては、例えば以下のような方法が従来、知られている。
まず、半導体素子基板の基板側からダイシング用の粘着テープを貼り付けるとともに、ダイサー等により半導体素子基板を、粘着テープを貼り付けた側とは反対側である半導体素子が形成される側から切断する。そして、切断により形成されたそれぞれの半導体チップを粘着テープから剥がし取ることで、複数の半導体チップを得る。
As methods for cutting a semiconductor element substrate to obtain a plurality of semiconductor chips, for example, the following methods are conventionally known.
First, the adhesive tape for dicing is applied from the substrate side of the semiconductor element substrate, and the semiconductor element substrate is cut from the side where the semiconductor element is formed opposite to the side to which the adhesive tape is applied by a dicer or the like. . And each semiconductor chip formed by cutting is peeled off from the adhesive tape to obtain a plurality of semiconductor chips.

しかし、このように半導体素子基板の基板側からダイシング用の粘着テープを貼り付けて、半導体素子基板の切断を行った場合、切断面(半導体チップの基板側面)に欠落が生じる所謂ダレが発生したり、切断面が粗くなったりする等の課題がある。
そこで、近年では、このような課題を解決するために、半導体素子基板に対して、基板側ではなく、半導体素子が形成される側、すなわち半導体素子を封止する封止樹脂やレンズ材が形成される側からダイシング用の粘着テープを貼り付けて、半導体素子基板を切断する方法が提案されている。
However, when the adhesive tape for dicing is applied from the substrate side of the semiconductor element substrate in this way and the semiconductor element substrate is cut, so-called sagging occurs in which the cut surface (the substrate side surface of the semiconductor chip) is missing. There is a problem that the cut surface becomes rough.
Therefore, in recent years, in order to solve such problems, not the substrate side but the side on which the semiconductor element is formed, that is, a sealing resin or a lens material for sealing the semiconductor element is formed on the semiconductor element substrate. A method has been proposed in which an adhesive tape for dicing is applied from the side to be cut and the semiconductor element substrate is cut.

ここで、従来、半導体素子基板を切断するために使用されるダイシング用の粘着テープとしては、例えばアクリル樹脂から構成される粘着剤層を有するものが使用されている。
しかし、このような従来の粘着テープを、半導体素子基板の半導体素子が形成される側(封止樹脂側、レンズ材側)から貼り付けて半導体素子基板のダイシングを行うと、例えば、封止樹脂と粘着テープとの粘着力やレンズ材と粘着テープとの粘着力が不十分な場合には、ダイシング時に半導体チップが飛散する等の問題が生じるおそれがある。
Here, conventionally, as an adhesive tape for dicing used for cutting a semiconductor element substrate, a tape having an adhesive layer made of, for example, an acrylic resin is used.
However, when such a conventional adhesive tape is attached from the side of the semiconductor element substrate on which the semiconductor element is formed (sealing resin side, lens material side) and the semiconductor element substrate is diced, for example, the sealing resin When the adhesive strength between the adhesive tape and the adhesive tape and the adhesive force between the lens material and the adhesive tape are insufficient, there may be a problem that the semiconductor chip is scattered during dicing.

従来、半導体素子用の封止樹脂としては、電気特性や耐熱性に優れるエポキシ樹脂が利用されているが、エポキシ樹脂は、短波長のLEDや高出力のLEDに使用した場合に変色しやすい等の問題がある。
したがって、LED等の半導体素子用の封止樹脂としては、近年では、シリコーン樹脂を用いる場合が多い。
Conventionally, as a sealing resin for a semiconductor element, an epoxy resin having excellent electrical characteristics and heat resistance is used. However, the epoxy resin is likely to be discolored when used for a short wavelength LED or a high output LED. There is a problem.
Therefore, in recent years, a silicone resin is often used as a sealing resin for semiconductor elements such as LEDs.

半導体素子用の封止樹脂として用いられるシリコーン樹脂としては、官能基としてメチル基およびフェニル基の双方または一方を含有するシリコーン樹脂、すなわち、官能基としてメチル基を含有するシリコーン樹脂、メチル基とフェニル基との双方を含有するシリコーン樹脂、およびフェニル基を含有するシリコーン樹脂が挙げられる。官能基としてメチル基およびフェニル基の双方または一方を含有するシリコーン樹脂は、波長400nm〜800nmの光に対する光透過率が88%以上、屈折率が1.41以上とともに高い。このため、LED等の半導体素子用の封止樹脂として用いた場合、半導体素子から出射された光を効率的にパッケージの外部に取り出すことができ、光取り出し効率が向上する。
これらのシリコーン樹脂の中でも、官能基としてフェニル基を含有するシリコーン樹脂を用いることで、メチル基のみを含有するシリコーン樹脂を用いる場合と比較して、より半導体素子からの光の取り出し効率が向上する。
Silicone resins used as encapsulating resins for semiconductor elements include silicone resins containing methyl groups and / or phenyl groups as functional groups, that is, silicone resins containing methyl groups as functional groups, methyl groups and phenyl groups. And a silicone resin containing both a group and a silicone resin containing a phenyl group. A silicone resin containing one or both of a methyl group and a phenyl group as a functional group has a high light transmittance of 88% or more and a refractive index of 1.41 or more with respect to light having a wavelength of 400 nm to 800 nm. For this reason, when it uses as sealing resin for semiconductor elements, such as LED, the light radiate | emitted from the semiconductor element can be taken out efficiently to the exterior of a package, and light extraction efficiency improves.
Among these silicone resins, by using a silicone resin containing a phenyl group as a functional group, the light extraction efficiency from the semiconductor element is improved more than when a silicone resin containing only a methyl group is used. .

メチル基を含有するシリコーン樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKER−2300、KER−2460、KER-2500N、KER−2600、KER−2700、KER−2900、X−32−2528、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のIVS4312、IVS4312、XE14−C2042、IVS4542、IVS4546、IVS4622、IVS4632、IVS4742、IVS4752、IVSG3445、IVSG0810、IVSG5778、XE13−C2479、IVSM4500、東レ・ダウコーニング株式会社製のOE−6351、OE−6336、OE−6301等があげられる。   Although it does not specifically limit as a silicone resin containing a methyl group, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KER-2300, KER-2460, KER-2500N, KER-2600, KER-2700, KER- 2900, X-32-2528, IVS4312, IVS4312, XE14-C2042, IVS4542, IVS4546, IVS4622, IVS4632, IVS4742, IVS4752, IVSG3445, IVSG0810, IVSG5778, XE13-C2479, Les -Dow Corning OE-6351, OE-6336, OE-6301 etc. are mention | raise | lifted.

メチル基とフェニル基との双方を含有するシリコーン樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製KER−6075、KER-6150、KER−6020等があげられる。   Although it does not specifically limit as a silicone resin containing both a methyl group and a phenyl group, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KER-6075, KER-6150, KER-6020 etc. are mention | raise | lifted.

フェニル基を含有するシリコーン樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のKER−6110、KER-6000、KER−6200、ASP−1111、ASP−1060、ASP−1120、ASP−1050P、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のXE14−C2508、東レ・ダウコーニング株式会社製のOE−6520、OE−6550、OE−6631、OE−6636、OE−6635、OE−6630等があげられる。   Although it does not specifically limit as a silicone resin containing a phenyl group, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KER-6110, KER-6000, KER-6200, ASP-1111, ASP-1060, ASP- 1120, ASP-1050P, XE14-C2508 manufactured by Momentive Performance Materials, OE-6520, OE-6550, OE-6663, OE-6636, OE-6635, OE-6630 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. Etc.

また、上述したように、半導体素子基板では、半導体素子から出射される光の取り出し効率を向上させる等の目的で、それぞれの半導体素子上に、上述したシリコーン樹脂からなるレンズ材を設ける場合がある。半導体素子上にレンズ材を設ける方法としては、例えば、上述したシリコーン樹脂からなりそれぞれの半導体素子を覆う封止樹脂をレンズ形状に成形したり、上述したシリコーン樹脂からなるレンズ材をそれぞれの半導体素子を封止する封止樹脂上にさらに取り付けたりする等が挙げられる。   Further, as described above, in the semiconductor element substrate, the lens material made of the above-described silicone resin may be provided on each semiconductor element for the purpose of improving the extraction efficiency of light emitted from the semiconductor element. . As a method for providing a lens material on a semiconductor element, for example, a sealing resin made of the above-described silicone resin and covering each semiconductor element is molded into a lens shape, or a lens material made of the above-described silicone resin is formed on each semiconductor element. And further mounting on a sealing resin that seals.

ところで、シリコーン樹脂は、例えばエポキシ樹脂等と比較して離型性が高い性質を有している。したがって、封止樹脂としてシリコーン樹脂を使用した半導体素子基板やシリコーン樹脂からなるレンズ材を形成した半導体素子基板に対して、例えばアクリル樹脂系の粘着テープを封止樹脂またはレンズ材を形成した側から貼り付けた場合には、封止樹脂またはレンズ材であるシリコーン樹脂と粘着テープとの接着力が小さくなりやすい。この結果、半導体素子基板の切断時に、上述した半導体チップの飛散等の問題がより生じやすくなる。   By the way, the silicone resin has a property of high releasability as compared with, for example, an epoxy resin. Therefore, for example, an acrylic resin-based adhesive tape is applied from the side on which the sealing resin or the lens material is formed to the semiconductor element substrate using the silicone resin as the sealing resin or the semiconductor element substrate on which the lens material made of the silicone resin is formed. When affixed, the adhesive force between the sealing resin or the silicone resin as the lens material and the adhesive tape tends to be small. As a result, the above-described problems such as scattering of the semiconductor chip are more likely to occur when the semiconductor element substrate is cut.

これに対し、本実施の形態の粘着テープ1は、上述したように、粘着剤層3が硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含んで構成されることで、半導体素子基板のダイシングを行う場合に封止樹脂またはレンズ材を形成した側から貼り付けて使用した場合であっても、半導体素子基板の封止樹脂との接着力を良好に保つことができる。そして、従来の粘着テープと比較して、半導体素子基板のダイシングを行う場合に、半導体チップの飛散等の発生を抑制することができる。   On the other hand, as described above, the pressure-sensitive adhesive tape 1 of this embodiment performs dicing of the semiconductor element substrate by the pressure-sensitive adhesive layer 3 including a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent. Even if it is a case where it sticks and uses from the side which formed sealing resin or the lens material in the case, the adhesive force with the sealing resin of a semiconductor element board | substrate can be kept favorable. And compared with the conventional adhesive tape, when dicing a semiconductor element substrate, generation | occurrence | production of a semiconductor chip scattering etc. can be suppressed.

以下、本実施の形態の粘着テープ1の使用方法、および本実施の形態の粘着テープ1を使用した半導体チップの製造方法について、詳細に説明する。
ここでは、まず、複数の半導体素子をまとめて封止樹脂で封止した半導体素子基板を分割して半導体チップを製造する第1の製造例について説明する。図2(a)〜(d)は、本実施の形態の粘着テープを使用した半導体チップの第1の製造例を示した図である。
Hereinafter, the usage method of the adhesive tape 1 of this Embodiment and the manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive tape 1 of this Embodiment are demonstrated in detail.
Here, a first manufacturing example in which a semiconductor chip is manufactured by dividing a semiconductor element substrate in which a plurality of semiconductor elements are collectively sealed with a sealing resin will be described. 2A to 2D are views showing a first manufacturing example of a semiconductor chip using the adhesive tape of the present embodiment.

本実施の形態では、まず、例えば樹脂材料等からなる基板101上に、複数の半導体素子102を積載し、半導体素子基板100を作成する。なお、半導体素子102は、例えばLED素子であって、図示は省略するが、例えば通電により発光する発光層等を含む複数の半導体層が積層されて構成され、上部には電極が形成されている。
次に、半導体素子基板100の基板101上に形成された複数の半導体素子102を、シリコーン樹脂からなる封止樹脂103でまとめて封止する(封止工程)。なお、この例では、複数の半導体素子102を封止樹脂103によりまとめて封止しているが、個々の半導体素子102を、封止樹脂103により個別に封止してもよい。なお、この例では、封止工程が、半導体素子102をシリコーン樹脂で覆う被覆工程に対応する。
In the present embodiment, first, a plurality of semiconductor elements 102 are stacked on a substrate 101 made of, for example, a resin material, and the semiconductor element substrate 100 is formed. The semiconductor element 102 is, for example, an LED element, and although not shown, the semiconductor element 102 is configured by stacking a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer that emits light when energized, for example, and an electrode is formed on the upper part. .
Next, the plurality of semiconductor elements 102 formed on the substrate 101 of the semiconductor element substrate 100 are collectively sealed with a sealing resin 103 made of silicone resin (sealing process). In this example, the plurality of semiconductor elements 102 are collectively sealed with the sealing resin 103, but the individual semiconductor elements 102 may be individually sealed with the sealing resin 103. In this example, the sealing step corresponds to a covering step of covering the semiconductor element 102 with a silicone resin.

続いて、図2(a)に示すように、粘着テープ1の粘着剤層3が半導体素子基板100の封止樹脂103と対向するように、粘着テープ1と半導体素子基板100とを貼り合わせる(貼付工程)。
次いで、図2(b)、(c)に示すように、粘着テープ1と半導体素子基板100の封止樹脂103とを貼り合わせた状態で、切断予定ラインXに沿って、半導体素子基板100をダイサー等によって切断する(切断工程)。この例では、粘着テープ1が貼り付けられた半導体素子基板100を、基板101側から切断している。また、図2(c)に示すように、この例では、半導体素子基板100を全て切り込む所謂フルカットを行っている。
2A, the adhesive tape 1 and the semiconductor element substrate 100 are bonded together so that the adhesive layer 3 of the adhesive tape 1 faces the sealing resin 103 of the semiconductor element substrate 100 (see FIG. 2A). Pasting step).
Next, as shown in FIGS. 2B and 2C, in a state where the adhesive tape 1 and the sealing resin 103 of the semiconductor element substrate 100 are bonded together, the semiconductor element substrate 100 is moved along the planned cutting line X. Cutting with a dicer or the like (cutting step). In this example, the semiconductor element substrate 100 to which the adhesive tape 1 is attached is cut from the substrate 101 side. Further, as shown in FIG. 2C, in this example, a so-called full cut is performed in which the entire semiconductor element substrate 100 is cut.

続いて、半導体素子基板100を切断することにより形成された半導体チップ200を粘着テープ1から剥がし取る(ピックアップする)ことで、図2(d)に示すように、個片化された半導体チップ200を得ることができる(剥離工程)。   Subsequently, the semiconductor chip 200 formed by cutting the semiconductor element substrate 100 is peeled off (pick up) from the adhesive tape 1, and as shown in FIG. Can be obtained (peeling step).

続いて、複数の半導体素子のそれぞれにレンズ材を形成した半導体素子基板を分割して半導体チップを製造する第2の製造例について説明する。図3(a)〜(d)は、本実施の形態の粘着テープを使用した半導体チップの第2の製造例を示した図である。なお、ここでは、図2(a)〜(d)に示した第1の製造例と同様の工程については、説明を省略する。   Subsequently, a second manufacturing example in which a semiconductor chip is manufactured by dividing a semiconductor element substrate in which a lens material is formed on each of a plurality of semiconductor elements will be described. 3A to 3D are views showing a second manufacturing example of a semiconductor chip using the adhesive tape of the present embodiment. In addition, description is abbreviate | omitted here about the process similar to the 1st manufacture example shown to Fig.2 (a)-(d).

半導体チップの第2の製造例では、図3(a)に示すように、半導体素子基板100の基板101上に形成された複数の半導体素子102のそれぞれの上に、シリコーン樹脂からなるレンズ材104を形成する(レンズ形成工程)。なお、この例では、レンズ形成工程が、半導体素子102をシリコーン樹脂で覆う被覆工程に対応する。
レンズ材104を形成する方法としては、シリコーン樹脂からなりそれぞれの半導体素子102を覆う封止樹脂をレンズ形状に成型してレンズ材104とする方法や、それぞれの半導体素子102を覆う封止樹脂上にシリコーン樹脂からなるレンズ材104を取り付ける方法等が挙げられる。
In the second manufacturing example of the semiconductor chip, as shown in FIG. 3A, a lens material 104 made of silicone resin is formed on each of the plurality of semiconductor elements 102 formed on the substrate 101 of the semiconductor element substrate 100. Is formed (lens forming step). In this example, the lens forming step corresponds to a covering step of covering the semiconductor element 102 with a silicone resin.
As a method of forming the lens material 104, a method of forming a sealing material made of a silicone resin and covering each semiconductor element 102 into a lens shape to form the lens material 104, or on a sealing resin covering each semiconductor element 102 And a method of attaching the lens material 104 made of silicone resin.

ここで、半導体素子102を覆う封止樹脂をレンズ形状に成型してレンズ材104とする方法としては、特に限定されないが、例えば、圧縮成型、インジェクション成型、トランスファー成型、印刷成型等が挙げられる。
また、それぞれの半導体素子102を覆う封止樹脂上にレンズ材104を取り付ける方法としては、特に限定されないが、例えば、ディスペンス法等が挙げられる。
Here, the method for forming the sealing resin covering the semiconductor element 102 into a lens shape to form the lens material 104 is not particularly limited, and examples thereof include compression molding, injection molding, transfer molding, and printing molding.
Further, a method for attaching the lens material 104 on the sealing resin covering each semiconductor element 102 is not particularly limited, and examples thereof include a dispensing method.

続いて、図3(a)に示すように、粘着テープ1の粘着剤層3が半導体素子基板100に形成されたそれぞれのレンズ材104と対向するように、粘着テープ1と半導体素子基板100とを貼り合わせる(貼付工程)。
続いて、図3(b)、(c)に示すように、粘着テープ1と半導体素子基板100のレンズ材104とを貼り合わせた状態で、切断予定ラインXに沿って、半導体素子基板100をダイサー等によって切断する(切断工程)。この例では、切断予定ラインXは、隣接する半導体素子102上に形成されたレンズ材104同士の間の領域に設定される。
Subsequently, as shown in FIG. 3A, the adhesive tape 1 and the semiconductor element substrate 100 are arranged such that the adhesive layer 3 of the adhesive tape 1 faces each lens material 104 formed on the semiconductor element substrate 100. Are pasted together (pasting step).
Subsequently, as shown in FIGS. 3B and 3C, the semiconductor element substrate 100 is moved along the planned cutting line X in a state where the adhesive tape 1 and the lens material 104 of the semiconductor element substrate 100 are bonded together. Cutting with a dicer or the like (cutting step). In this example, the planned cutting line X is set in a region between the lens materials 104 formed on the adjacent semiconductor elements 102.

続いて、半導体素子基板100を切断することにより形成された半導体チップ200を粘着テープ1から剥がし取る(ピックアップする)ことで、図3(d)に示すように、個片化され、それぞれにレンズ材104が形成された半導体チップ200を得ることができる(剥離工程)。   Subsequently, the semiconductor chip 200 formed by cutting the semiconductor element substrate 100 is peeled off (pick up) from the adhesive tape 1 to be singulated as shown in FIG. The semiconductor chip 200 on which the material 104 is formed can be obtained (peeling process).

上述したように、本実施の形態の粘着テープ1では、粘着剤層3が硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成される。これにより、粘着テープ1をダイシングに使用する場合に、半導体素子基板100の封止樹脂103またはレンズ材104が形成される側から貼り付けた場合であっても、半導体素子基板100と粘着テープ1との接着力を良好に保つことが可能になる。
特に、近年では、半導体素子102を封止する封止樹脂103や半導体素子102上に設けるレンズ材104として離型性の高いシリコーン樹脂を使用することが多い。これに対し、本実施の形態の粘着テープ1は、上述した構成を有することで、シリコーン樹脂からなる封止樹脂103やレンズ材104に対しても良好な接着力を有する。
この結果、本実施の形態の粘着テープ1は、半導体素子基板100のダイシングに使用した場合に、半導体チップ200の飛散を抑制することができる。
As described above, in the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent. Thus, when the adhesive tape 1 is used for dicing, the semiconductor element substrate 100 and the adhesive tape 1 can be used even when the adhesive tape 1 is attached from the side on which the sealing resin 103 or the lens material 104 of the semiconductor element substrate 100 is formed. It is possible to maintain a good adhesive force.
In particular, in recent years, a silicone resin having a high releasability is often used as the sealing resin 103 for sealing the semiconductor element 102 and the lens material 104 provided on the semiconductor element 102. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive tape 1 according to the present embodiment has the above-described configuration, and thus has a good adhesive force with respect to the sealing resin 103 and the lens material 104 made of silicone resin.
As a result, when the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment is used for dicing the semiconductor element substrate 100, scattering of the semiconductor chip 200 can be suppressed.

特に、図3(a)〜(d)に示すように、レンズ材104は、通常、外表面が球面や非球面等からなり、粘着テープ1をレンズ材104側から貼り付ける場合、粘着テープ1の被着面が曲面となっている。通常、粘着テープ1の被着面が曲面となっている場合、被着面が平面の場合と比較して、粘着テープ1と被着面との接着力が低くなりやすい。これに対し、本実施の形態の粘着テープ1はレンズ材104を構成するシリコーン樹脂に対して良好な接着力を有するため、粘着テープ1を曲面であるレンズ材104側から貼り付けた場合であっても、半導体チップ200の飛散を抑制することができる。   In particular, as shown in FIGS. 3A to 3D, the lens material 104 usually has an outer surface made of a spherical surface, an aspheric surface, or the like, and when the adhesive tape 1 is attached from the lens material 104 side, the adhesive tape 1 The adherend surface is curved. Usually, when the adherend surface of the adhesive tape 1 is a curved surface, the adhesive force between the adhesive tape 1 and the adherend surface tends to be lower than when the adherend surface is flat. In contrast, the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment has a good adhesive force with respect to the silicone resin that constitutes the lens material 104, and therefore is a case where the pressure-sensitive adhesive tape 1 is attached from the curved lens material 104 side. However, scattering of the semiconductor chip 200 can be suppressed.

さらに、本実施の形態の粘着テープ1の粘着剤層3に含まれる硬化型のシリコーン系粘着剤は、上述したように封止樹脂103やレンズ材104と良好な粘着力を有する一方で、離型性が高い性質を有している。これにより、本実施の形態では、半導体素子基板100のダイシングにより得られた半導体チップ200を粘着テープ1から剥がす際に、半導体チップ200に粘着剤が付着する所謂糊残りの発生を抑制することができる。   Furthermore, the curable silicone-based pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment has a good adhesive force with the sealing resin 103 and the lens material 104 as described above, while being separated. It has high moldability. Thus, in the present embodiment, when the semiconductor chip 200 obtained by dicing the semiconductor element substrate 100 is peeled off from the adhesive tape 1, it is possible to suppress the occurrence of so-called adhesive residue where the adhesive adheres to the semiconductor chip 200. it can.

通常、例えば粘着剤層がアクリル系の粘着剤で構成される粘着テープを半導体素子基板のダイシングに用いる場合、切断後の半導体チップを粘着テープから剥がし取る際には、予め粘着テープに対して紫外線を照射して、粘着剤層の粘着性を失わせる必要がある。一方、本実施の形態の粘着テープ1の場合には、紫外線を照射する工程を行うことなく、半導体チップ200を粘着テープ1から剥がすことが可能である。
したがって、本実施の形態の粘着テープ1を半導体素子基板100のダイシングに使用することで、半導体チップ200の製造工程を簡易化することが可能になっている。
Usually, for example, when an adhesive tape whose adhesive layer is made of an acrylic adhesive is used for dicing a semiconductor element substrate, when the semiconductor chip after cutting is peeled off from the adhesive tape, an ultraviolet ray is applied to the adhesive tape in advance. It is necessary to lose the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer. On the other hand, in the case of the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment, the semiconductor chip 200 can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive tape 1 without performing a step of irradiating ultraviolet rays.
Therefore, the manufacturing process of the semiconductor chip 200 can be simplified by using the adhesive tape 1 of the present embodiment for dicing the semiconductor element substrate 100.

なお、図2(a)〜(d)および図3(a)〜(d)で説明した方法は、粘着テープ1を用いた半導体チップの製造方法の一例であり、粘着テープ1の使用方法は、上記の方法に限定されない。すなわち、本実施の形態の粘着テープ1は、ダイシングに際して、封止樹脂にて封止された複数の半導体素子、またはそれぞれにレンズ材が形成された複数の半導体素子を有する半導体素子基板に貼り付けられるものであれば、上記の方法に限定されることなく使用することができる。   The method described in FIGS. 2A to 2D and FIGS. 3A to 3D is an example of a method of manufacturing a semiconductor chip using the adhesive tape 1, and the method of using the adhesive tape 1 is as follows. The method is not limited to the above. That is, the adhesive tape 1 of the present embodiment is attached to a semiconductor element substrate having a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin or a plurality of semiconductor elements each formed with a lens material during dicing. If it can be used, it can use without being limited to said method.

続いて、実施例および比較例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

本発明者は、粘着剤層3として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた第1形態、および、粘着剤層3として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた第2形態のそれぞれについて、硬化剤(開始剤、架橋剤)の添加量を異ならせて粘着テープ1の作製を行い、作製した粘着テープ1の評価を行った。
以下、各実施例および各比較例について詳細に説明する。
The present inventor, for each of the first form using a peroxide curable silicone adhesive as the adhesive layer 3 and the second form using an addition reaction type silicone adhesive as the adhesive layer 3, The pressure-sensitive adhesive tape 1 was produced by varying the amount of the curing agent (initiator, cross-linking agent) added, and the produced pressure-sensitive adhesive tape 1 was evaluated.
Hereinafter, each example and each comparative example will be described in detail.

1.粘着テープ1の作製
(実施例1〜実施例4)
トルエンに、オルガノポリシロキサンからなる過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤(信越化学工業株式会社製KR101−1)と、メチル過酸化ベンゾイルからなる開始剤(日油株式会社製ナイパーK40)とを溶解させ、粘着剤溶液を調整した。なお、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤および開始剤の含有量は、表1に示したように調整した。
続いて、この粘着剤溶液を、厚さ75μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムからなる基材2上に塗布した後、160度の温度で3分間、加熱することで、厚さ30μmの粘着剤層3を形成し、総厚105μmの粘着テープ1を得た。
1. Production of adhesive tape 1 (Examples 1 to 4)
Dissolve a peroxide-curing silicone adhesive made of organopolysiloxane (KR101-1 made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and an initiator made of methyl benzoyl peroxide (Niper K40 made by NOF Corporation) in toluene. The pressure-sensitive adhesive solution was adjusted. The contents of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and the initiator were adjusted as shown in Table 1.
Subsequently, the pressure-sensitive adhesive solution was applied onto a substrate 2 made of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 75 μm, and then heated at a temperature of 160 ° C. for 3 minutes, whereby a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 μm. 3 was obtained to obtain an adhesive tape 1 having a total thickness of 105 μm.

(実施例5〜8)
トルエンに、分子内にビニルシリル基を有するオルガノポリシロキサンからなる付加反応型シリコーン系粘着剤(信越化学工業株式会社製X−40−3237−1)と、白金金族系触媒(信越化学工業株式会社製CAT−PL−50T)と、分子内にヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサンからなる架橋剤(信越化学工業株式会社製X−92−122)とを溶解させ、粘着剤溶液を調整した。なお、付加反応型シリコーン系粘着剤、触媒および架橋剤の含有量は、表1に示したように調整した。
続いて、この粘着剤溶液を、厚さ75μmのPETフィルムからなる基材2の上に塗布した後、120度の温度で3分間、加熱することで、厚さ30μmの粘着剤層3を形成し、総厚105μmの粘着テープ1を得た。
(Examples 5 to 8)
An addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive (X-40-3237-1 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) composed of organopolysiloxane having vinylsilyl group in the molecule and a platinum metal catalyst (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) CAT-PL-50T) and a cross-linking agent (X-92-122 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) made of an organopolysiloxane having a hydrosilyl group in the molecule were dissolved to prepare an adhesive solution. The contents of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, the catalyst and the crosslinking agent were adjusted as shown in Table 1.
Subsequently, this pressure-sensitive adhesive solution was applied onto a substrate 2 made of a PET film having a thickness of 75 μm, and then heated at 120 ° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer 3 having a thickness of 30 μm. Thus, an adhesive tape 1 having a total thickness of 105 μm was obtained.

(比較例1)
粘着剤層3における開始剤の含有量を0とした以外は、実施例1〜実施例4と同様にして、粘着テープ1を得た。
(Comparative Example 1)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 4 except that the content of the initiator in the adhesive layer 3 was changed to 0.

(比較例2)
粘着剤層3における架橋剤の含有量を0とした以外は、実施例5〜実施例8と同様にして、粘着テープ1を得た。
(Comparative Example 2)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 5 to 8 except that the content of the crosslinking agent in the adhesive layer 3 was 0.

(比較例3)
粘着剤層3として、アクリル系の粘着剤を用いた以外は、実施例1〜8と同様にして、粘着テープ1を得た。
(Comparative Example 3)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 8, except that an acrylic adhesive was used as the adhesive layer 3.

2.評価方法
続いて、粘着テープ1の評価方法について説明する。
(1)対研磨SUS粘着力試験
上述した方法にて作製した粘着テープ1について、JIS Z 0237(2000)に記載された方法に準拠して、対研磨SUS粘着力試験(引きはがし粘着力試験)を行った。
具体的には、粘着テープ1を耐水研磨紙で研磨したステンレス板(SUS304)に貼り付け、質量2000gのローラを5mm/sの速度で1往復させて、圧着した。続いて、20〜40分放置した後、引張試験機を用いて、ステンレス板に対して180°方向へ5mm/sの速度で引き剥がし、研磨SUS板に対する粘着力を測定した。
2. Evaluation method Subsequently, the evaluation method of the adhesive tape 1 is demonstrated.
(1) Anti-polishing SUS adhesive strength test About the adhesive tape 1 produced by the above-described method, in accordance with the method described in JIS Z 0237 (2000), anti-polishing SUS adhesive strength test (peeling adhesive strength test) Went.
Specifically, the pressure-sensitive adhesive tape 1 was attached to a stainless steel plate (SUS304) polished with water-resistant abrasive paper, and a 2000 g roller was reciprocated once at a speed of 5 mm / s for pressure bonding. Subsequently, after leaving it for 20 to 40 minutes, it was peeled off at a speed of 5 mm / s in the direction of 180 ° with respect to the stainless steel plate using a tensile tester, and the adhesive force to the polished SUS plate was measured.

(2)保持力試験
作製した粘着テープ1について、保持力試験を行った。
具体的には、粘着テープ1を、耐水研磨紙で研磨したステンレス板(SUS304)に貼り付け、所定の重りを取り付けた状態で40℃の条件下で24時間保持した場合のズレ量(mm)を測定した。ここで、ダイシング用粘着テープとしては、保持力試験で測定されるズレ量が25mm以下であることが好ましい。
また、24時間を経過する前に粘着テープ1がステンレス板から剥離して落下した場合には、測定開始から粘着テープ1が剥離するまでの経過時間(分)を測定した。なお、表1において保持力試験の↓の表示は、24時間を経過する前に粘着テープ1がステンレス板からずれて落下したことを意味する。
(2) Holding power test About the produced adhesive tape 1, the holding power test was done.
Specifically, the amount of deviation (mm) when the adhesive tape 1 is affixed to a stainless steel plate (SUS304) polished with water-resistant abrasive paper and held at 40 ° C. for 24 hours with a predetermined weight attached. Was measured. Here, as an adhesive tape for dicing, it is preferable that the gap | deviation amount measured by a holding power test is 25 mm or less.
Moreover, when the adhesive tape 1 peeled off from the stainless steel plate and fell before 24 hours passed, the elapsed time (minute) until the adhesive tape 1 peeled from the measurement start was measured. In Table 1, “↓” in the holding force test means that the adhesive tape 1 has been displaced from the stainless steel plate and dropped before 24 hours have passed.

(3)対シリコーン樹脂粘着力試験
作製した粘着テープ1について、上述した粘着力試験の方法に準拠して、対シリコーン樹脂粘着力試験を行った。
具体的には、粘着テープ1を、シリコーン樹脂を塗布した板(試験片)に貼り付け、質量2000gのローラを5mm/sの速度で1往復させて、圧着した。続いて、20〜40分放置した後、引張試験機を用いて、シリコーン樹脂を塗布した板に対して180°方向へ5mm/sの速度で引き剥がし、シリコーン樹脂に対する粘着力を測定した。
なお、本試験において粘着テープ1を貼り付ける板に塗布したシリコーン樹脂としては、LED封止剤用のシリコーン樹脂を用いた。
(3) Adhesive strength test for silicone resin The produced adhesive tape 1 was subjected to an adhesive strength test for silicone resin in accordance with the method of the adhesive strength test described above.
Specifically, the pressure-sensitive adhesive tape 1 was attached to a plate (test piece) coated with a silicone resin, and a roller having a mass of 2000 g was reciprocated once at a speed of 5 mm / s for pressure bonding. Then, after leaving for 20 to 40 minutes, it was peeled off at a rate of 5 mm / s in the direction of 180 ° with respect to the plate coated with the silicone resin using a tensile tester, and the adhesive force to the silicone resin was measured.
In addition, the silicone resin for LED sealing agents was used as a silicone resin apply | coated to the board which affixes the adhesive tape 1 in this test.

具体的には、シリコーン樹脂Aとしては、LEDデバイス用シリコーン材料であるメチル基を含有するシリコーン樹脂(信越化学工業製のKER−2500N)を用いた。
試験片は、以下のように作製した。すなわち、KER−2500NのA剤とB剤とを混合比1:1で混合し、混合液を作成した。続いて、混合液をステンレス板(SUS304)に対して塗布し、100℃で1時間加熱した後150℃で2時間加熱することで硬化させた。これにより、ステンレス板上にシリコーン樹脂Aが形成された試験片を得た。
Specifically, as the silicone resin A, a silicone resin containing a methyl group that is a silicone material for LED devices (KER-2500N manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.
The test piece was produced as follows. That is, A agent and B agent of KER-2500N were mixed at a mixing ratio of 1: 1 to prepare a mixed solution. Subsequently, the mixed solution was applied to a stainless steel plate (SUS304), heated at 100 ° C. for 1 hour, and then heated at 150 ° C. for 2 hours to be cured. Thereby, the test piece in which the silicone resin A was formed on the stainless steel plate was obtained.

また、シリコーン樹脂Bとしては、LEDデバイス用シリコーン材料であるフェニル基を含有するシリコーン樹脂(信越化学工業製のKER−6110)を用いた。
試験片は、以下のように作製した。すなわち、KER−6110のA剤とB剤とを混合比3:7で混合し、混合液を作成した。続いて、混合液をステンレス板(SUS304)に対して塗布し、100℃で2時間加熱した後150℃で5時間加熱することで硬化させた。これにより、ステンレス板上にシリコーン樹脂Bが形成された試験片を得た。
Moreover, as the silicone resin B, a silicone resin containing a phenyl group, which is a silicone material for LED devices (KER-6110 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.
The test piece was produced as follows. That is, A agent and B agent of KER-6110 were mixed at a mixing ratio of 3: 7 to prepare a mixed solution. Subsequently, the mixed solution was applied to a stainless steel plate (SUS304), heated at 100 ° C. for 2 hours, and then cured by heating at 150 ° C. for 5 hours. Thereby, the test piece in which the silicone resin B was formed on the stainless steel plate was obtained.

3.評価結果
実施例1〜実施例8および比較例1〜比較例3の粘着テープ1に対する評価結果について、表1に示す。
3. Evaluation Results Table 1 shows the evaluation results for the adhesive tapes 1 of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3.

Figure 0006395597
Figure 0006395597

表1に示すように、粘着剤層3を、硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成した場合(実施例1〜実施例8)には、粘着テープ1の研磨SUS板に対する粘着力、保持力、シリコーン樹脂Aに対する粘着力およびシリコーン樹脂Bに対する粘着力が全て好ましい範囲であることが確認された。
これにより、粘着剤層3を硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成した粘着テープ1は、半導体素子基板の封止樹脂またはレンズ材が形成された側から貼り付けてダイシングに使用するダイシング用粘着テープとして有用であることが確認された。
As shown in Table 1, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent (Example 1 to Example 8), the pressure-sensitive adhesive tape 1 with respect to the polished SUS plate is used. It was confirmed that the adhesive strength, the holding strength, the adhesive strength with respect to the silicone resin A, and the adhesive strength with respect to the silicone resin B are all within the preferable ranges.
Thus, the pressure-sensitive adhesive tape 1 comprising the pressure-sensitive adhesive layer 3 including a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent is applied from the side of the semiconductor element substrate on which the sealing resin or lens material is formed for dicing. It was confirmed that it was useful as an adhesive tape for dicing to be used.

続いて、実施例1〜実施例8のうち、シリコーン系粘着剤として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた場合(実施例1〜実施例4)を比較すると、過酸化物からなる開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜10重量部の場合(実施例1〜実施例3)に、粘着テープ1の保持力がより良好であることが確認された。
さらに、開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜3.5重量部の場合(実施例1、実施例2)に、粘着テープ1のシリコーン樹脂Aに対する粘着力およびシリコーン樹脂Bに対する粘着力がより良好であることが確認された。
Subsequently, in Examples 1 to 8, when the peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 to Example 4), the start of the peroxide is started. When the content of the agent is 0.05 to 10 parts by weight (Example 1 to Example 3) with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 to Example 3), the holding force of the adhesive tape 1 Was confirmed to be better.
Furthermore, when the content of the initiator is 0.05 to 3.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 and Example 2), It was confirmed that the adhesive force of the tape 1 to the silicone resin A and the adhesive force to the silicone resin B were better.

したがって、シリコーン系粘着剤として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた場合には、過酸化物からなる開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜10重量部の範囲がより好ましく、0.05重量部〜3.5重量部の範囲がさらに好ましいことが確認された。   Therefore, when a peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone-based pressure-sensitive adhesive, the content of the initiator made of peroxide is based on 100 parts by weight of the peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive. The range of 0.05 to 10 parts by weight was more preferable, and the range of 0.05 to 3.5 parts by weight was further preferable.

さらに、実施例1〜実施例8のうち、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた場合(実施例5〜実施例8)を比較すると、架橋剤の含有量が、付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.1重量部〜7重量部の場合(実施例5〜実施例7)に、粘着テープ1の研磨SUS板に対する粘着力、シリコーン樹脂Aに対する粘着力およびシリコーン樹脂Bに対する粘着力がより高く、0.1重量部〜2重量部の場合(実施例5、実施例6)に、粘着テープ1の研磨SUS板に対する粘着力、シリコーン樹脂Aに対する粘着力およびシリコーン樹脂Bに対する粘着力がさらに高いことが確認された。   Furthermore, among Examples 1 to 8, when the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive was used as the silicone pressure sensitive adhesive (Example 5 to Example 8), the content of the crosslinking agent was the addition reaction. In the case of 0.1 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone adhesive (Example 5 to Example 7), the adhesive force of the adhesive tape 1 to the polished SUS plate and the adhesive to the silicone resin A In the case of 0.1 parts by weight to 2 parts by weight (Example 5 and Example 6), the adhesive force to the polished SUS plate and the adhesive to the silicone resin A are higher. It was confirmed that the strength and adhesion to the silicone resin B were even higher.

したがって、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた場合には、架橋剤の含有量が、付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.1重量部〜7重量部の範囲がより好ましく、0.1重量部〜2重量部の範囲がさらに好ましいことが確認された。   Therefore, when an addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive is used as the silicone type pressure sensitive adhesive, the content of the crosslinking agent is 0.1 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive. It was confirmed that the range of parts is more preferable, and the range of 0.1 to 2 parts by weight is further preferable.

これに対し、粘着剤層3が硬化剤(開始剤または架橋剤)を含まない場合(比較例1、比較例2)には、粘着テープ1の保持力が著しく低いことが確認された。これは、粘着剤層3が硬化剤を含まない場合には、シリコーン系粘着剤が硬化しなかったためだと考えられる。
そして、このような粘着テープ1をダイシング用粘着テープとして用いた場合には、粘着テープ1を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ1を剥がした際に、糊残りが生じやすくなることが予測される。
On the other hand, when the adhesive layer 3 did not contain a curing agent (initiator or crosslinking agent) (Comparative Example 1 and Comparative Example 2), it was confirmed that the holding power of the adhesive tape 1 was extremely low. This is considered to be because the silicone-based pressure-sensitive adhesive was not cured when the pressure-sensitive adhesive layer 3 did not contain a curing agent.
And when such an adhesive tape 1 is used as an adhesive tape for dicing, after using the adhesive tape 1 for dicing of a semiconductor element board | substrate, when peeling the adhesive tape 1 from the obtained semiconductor chip, it is glue. It is predicted that the rest will easily occur.

また、粘着剤層3としてアクリル系の粘着剤を用いた場合(比較例3)には、粘着テープ1の研磨SUS板に対する粘着力および保持力は良好であるものの、半導体素子の封止樹脂として使用されるシリコーン樹脂Aに対する粘着力およびシリコーン樹脂Bに対する粘着力が著しく低いことが確認された。
このような粘着テープ1を、ダイシング用粘着テープとして半導体素子基板の封止樹脂側から貼り付けて用いた場合には、ダイシングを行う際に、粘着テープ1から半導体素子基板や半導体チップが剥がれやすくなり、半導体チップの飛散が生じやすくなることが予測される。
Further, when an acrylic adhesive is used as the adhesive layer 3 (Comparative Example 3), the adhesive tape 1 has good adhesion and holding power to the polished SUS plate, but as a sealing resin for semiconductor elements. It was confirmed that the adhesive strength to the silicone resin A and the adhesive strength to the silicone resin B used were extremely low.
When such an adhesive tape 1 is used as a dicing adhesive tape attached from the sealing resin side of the semiconductor element substrate, the semiconductor element substrate and the semiconductor chip are easily peeled off from the adhesive tape 1 when dicing is performed. Therefore, it is predicted that scattering of the semiconductor chip is likely to occur.

1…粘着テープ、2…基材、3…粘着剤層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive tape, 2 ... Base material, 3 ... Adhesive layer

Claims (6)

複数の半導体素子が形成され、それぞれの半導体素子が封止樹脂により封止された素子基板、またはそれぞれの半導体素子上にレンズ材が形成された素子基板を、複数の半導体チップに分割する際に使用されるダイシング用粘着テープであって、
基材と、
前記基材上に積層され、硬化型のシリコーン系粘着剤及び硬化剤を含む粘着剤層と
を備え
前記素子基板に対して、官能基としてメチル基およびフェニル基の一方または双方を有するシリコーン樹脂からなる前記封止樹脂側または前記レンズ材側から貼り付けられて使用されることを特徴とするダイシング用粘着テープ。
When dividing an element substrate in which a plurality of semiconductor elements are formed and each semiconductor element is sealed with a sealing resin, or an element substrate in which a lens material is formed on each semiconductor element into a plurality of semiconductor chips A dicing adhesive tape used,
A substrate;
Laminated on the base material, and comprising a pressure-sensitive adhesive layer containing a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent ,
Relative to the element substrate, wherein a silicone resin having one or both of the methyl groups and phenyl group as a functional group encapsulating resin side or pasted from the lens material side is used for dicing, characterized in Rukoto Adhesive tape.
前記粘着剤層は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤と、過酸化物からなる開始剤とを含むことを特徴とする請求項記載のダイシング用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive layer, and a peroxide curing type silicone pressure-sensitive adhesives, dicing adhesive tape according to claim 1, characterized in that it comprises an initiator comprising a peroxide. 前記開始剤の含有量が、前記過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.01重量部〜15重量部の範囲であることを特徴とする請求項記載のダイシング用粘着テープ。 The dicing material according to claim 2 , wherein the content of the initiator is in the range of 0.01 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive. Adhesive tape. 前記粘着剤層は、付加反応型シリコーン系粘着剤と、架橋剤と、触媒とを含むことを特徴とする請求項記載のダイシング用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive layer, and the addition reaction type silicone adhesive, a crosslinking agent, dicing adhesive tape according to claim 1, characterized in that it comprises a catalyst. 前記架橋剤の含有量が、前記付加反応型シリコーン系粘着剤100重量部に対して、0.05重量部〜10重量部の範囲であることを特徴とする請求項記載のダイシング用粘着テープ。 5. The adhesive tape for dicing according to claim 4 , wherein the content of the crosslinking agent is in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. . 複数の半導体素子が基板上に形成された素子基板の当該複数の半導体素子をシリコーン樹脂で覆う被覆工程と、
基材と硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層とを備える粘着テープを、前記素子基板に対して、前記シリコーン樹脂側から貼り付ける貼付工程と、
前記粘着テープが貼り付けられた前記素子基板を、複数の半導体チップに切断する切断工程と、
前記複数の半導体チップから、前記粘着テープを剥がす剥離工程と
を含む半導体チップの製造方法。
A covering step of covering the plurality of semiconductor elements of the element substrate on which the plurality of semiconductor elements are formed on the substrate with a silicone resin;
A sticking step of attaching a pressure-sensitive adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer containing a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent to the element substrate from the silicone resin side;
A cutting step of cutting the element substrate to which the adhesive tape is attached into a plurality of semiconductor chips;
A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: a peeling step of peeling the adhesive tape from the plurality of semiconductor chips.
JP2014263574A 2014-12-25 2014-12-25 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method Active JP6395597B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014263574A JP6395597B2 (en) 2014-12-25 2014-12-25 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method
TW104139182A TWI655682B (en) 2014-12-25 2015-11-25 Adhesive tape for dicing and manufacturing method of semiconductor wafer
CN201510977427.1A CN105733462A (en) 2014-12-25 2015-12-23 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip
KR1020150184810A KR102440961B1 (en) 2014-12-25 2015-12-23 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014263574A JP6395597B2 (en) 2014-12-25 2014-12-25 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016122812A JP2016122812A (en) 2016-07-07
JP6395597B2 true JP6395597B2 (en) 2018-09-26

Family

ID=56296024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014263574A Active JP6395597B2 (en) 2014-12-25 2014-12-25 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6395597B2 (en)
KR (1) KR102440961B1 (en)
CN (1) CN105733462A (en)
TW (1) TWI655682B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI799618B (en) * 2018-09-03 2023-04-21 日商麥克賽爾股份有限公司 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor wafer
WO2021124725A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 マクセルホールディングス株式会社 Adhesive tape for dicing, and method for producing semiconductor chip
KR20220117234A (en) 2019-12-20 2022-08-23 맥셀 주식회사 Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093503A (en) 2003-09-12 2005-04-07 Hitachi Cable Ltd Dicing method
KR101304798B1 (en) * 2005-10-20 2013-09-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Adhesive Composition and Sheet Having an Adhesive Layer of the Composition
CN101821350A (en) * 2007-08-27 2010-09-01 琳得科株式会社 Restripping-type adhesive sheet and method of protecting incomplete cured coating
JP5718005B2 (en) * 2010-09-14 2015-05-13 日東電工株式会社 A heat-resistant adhesive tape for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the tape.
JP2012119395A (en) * 2010-11-29 2012-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip
JP2012151761A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Nitto Denko Corp Surface protection adhesive tape for solid-state imaging device
JP2012169573A (en) * 2011-02-17 2012-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond sheet and processing method of sapphire substrate for led
JP2013038408A (en) 2011-07-14 2013-02-21 Nitto Denko Corp Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film
JP6150415B2 (en) * 2011-09-27 2017-06-21 日本化薬株式会社 Curable resin composition and cured product thereof
CN103421433A (en) * 2012-05-14 2013-12-04 日立麦克赛尔株式会社 Adhesive tape used in plastic lens forming, and plastic lens forming method
JP6236277B2 (en) * 2012-11-30 2017-11-22 マクセルホールディングス株式会社 Plastic lens molding adhesive tape and plastic lens molding product molding method
JP6222941B2 (en) * 2013-02-21 2017-11-01 日東電工株式会社 Underfill sheet, back-grinding tape-integrated underfill sheet, dicing tape-integrated underfill sheet, and semiconductor device manufacturing method
JP6168553B2 (en) * 2013-08-30 2017-07-26 日立マクセル株式会社 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201635356A (en) 2016-10-01
JP2016122812A (en) 2016-07-07
KR20160078908A (en) 2016-07-05
TWI655682B (en) 2019-04-01
CN105733462A (en) 2016-07-06
KR102440961B1 (en) 2022-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102331226B1 (en) Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip
JP5287935B2 (en) Phosphor-containing sheet, LED light-emitting device using the same, and manufacturing method thereof
KR102541533B1 (en) Manufacturing method of an optical semiconductor element with a light reflection layer and an optical semiconductor element with a light reflection layer and a phosphor layer
JP5862066B2 (en) Phosphor-containing sheet, LED light-emitting device using the same, and manufacturing method thereof
KR102632461B1 (en) Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip
JP2006274007A (en) Hot-melt type silicone adhesive
WO2021124724A1 (en) Adhesive tape for dicing and method for producing semiconductor chip
JP2014022704A (en) Phosphor containing resin sheet and light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6313165B2 (en) Thermosetting sealing resin sheet, sealing sheet with separator, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2014116587A (en) Phosphor containing resin sheet, led element employing the same and manufacturing method thereof
JP6395597B2 (en) Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method
JP2017163105A (en) Optical semiconductor device covering sheet, adhesion layer-covering layer-attached optical semiconductor device and manufacturing method thereof, and method for manufacturing adhesion layer-attached optical semiconductor device
JPWO2017038921A1 (en) Adhesive sheet
WO2015068652A1 (en) Laminated article and method for manufacturing light-emitting device using same
JP2017163104A (en) Optical semiconductor element with coating layer and manufacturing method thereof
KR102013963B1 (en) Method for producing a solar cell module
TWI840630B (en) Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip
WO2021124725A1 (en) Adhesive tape for dicing, and method for producing semiconductor chip
KR101132346B1 (en) Adhesive resin composition for fan-out wafer level package and adhesive tape using the same
JP2018041857A (en) Optical semiconductor element coated with phosphor layer and light diffusion layer
JP2018049864A (en) Method for manufacturing optical semiconductor element with functional layer and coating layer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180724

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180814

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180828

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6395597

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250