JP6168553B2 - Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、素子基板のダイシングに用いられるダイシング用粘着テープ、およびダイシング用粘着テープを使用した半導体チップの製造方法に関する。   The present invention relates to a dicing adhesive tape used for dicing an element substrate, and a semiconductor chip manufacturing method using the dicing adhesive tape.

従来、ＬＥＤ（light emitting diode）等を有する半導体チップを作製するために使用されるダイシング用粘着テープとして、アクリル系樹脂からなる接着剤層を有する粘着テープが知られている（特許文献１参照）。
また、ダイシング用粘着テープを使用して半導体チップを作製する方法としては、複数の半導体素子が形成された半導体素子基板の基板側に粘着テープを貼り付け、ダイサーにより半導体素子基板を切断する方法が知られている（特許文献２参照）。 Conventionally, a pressure-sensitive adhesive tape having an adhesive layer made of an acrylic resin is known as a pressure-sensitive adhesive tape for dicing used for manufacturing a semiconductor chip having an LED (light emitting diode) or the like (see Patent Document 1). .
In addition, as a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing adhesive tape, there is a method in which an adhesive tape is attached to a substrate side of a semiconductor element substrate on which a plurality of semiconductor elements are formed, and the semiconductor element substrate is cut by a dicer. It is known (see Patent Document 2).

特開２０１３−３８４０８号公報JP 2013-38408 A 特開２００５−９３５０３号公報JP 2005-93503 A

ところで、近年、半導体素子基板を切断して半導体チップを作製する場合に、半導体素子基板の基板側ではなく封止樹脂側に粘着テープを貼り付けてダイシングを行う技術が提案されている。
このように、半導体素子基板に対して封止樹脂側から粘着テープを貼り付けた場合、粘着力が不足して、半導体チップの飛散等が生じる場合があった。 In recent years, when a semiconductor chip is manufactured by cutting a semiconductor element substrate, a technique has been proposed in which dicing is performed by attaching an adhesive tape to the sealing resin side instead of the substrate side of the semiconductor element substrate.
As described above, when the adhesive tape is attached to the semiconductor element substrate from the sealing resin side, the adhesive force is insufficient, and the semiconductor chip may be scattered.

本発明は、封止樹脂により封止された複数の半導体素子が形成された素子基板に対して良好な粘着性を有するダイシング用粘着テープ、およびこれを用いた半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a dicing pressure-sensitive adhesive tape having good adhesion to an element substrate on which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin are formed, and a method of manufacturing a semiconductor chip using the same. With the goal.

係る目的のもと、本発明のダイシング用粘着テープは、封止樹脂により封止された複数の半導体素子が形成された素子基板を、複数の半導体チップに分割する際に使用されるダイシング用粘着テープであって、基材と、前記基材上に積層され、硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層とを備えることを特徴とする。
ここで、前記素子基板に対して、シリコーン樹脂からなる前記封止樹脂側から貼り付けられて使用されることを特徴とすることができる。また、前記粘着剤層は、過酸化物硬化型シリコーン粘着剤と、過酸化物からなる開始剤とを含むことを特徴とすることができる。さらに、前記開始剤の含有量が、前記過酸化物硬化型シリコーン粘着剤１００重量部に対して、０．０１重量部〜１５重量部の範囲であることを特徴とすることができる。さらにまた、前記粘着剤層は、付加反応型シリコーン粘着剤と、架橋剤と、触媒とを含むことを特徴とすることができる。また、前記架橋剤の含有量が、前記付加反応型シリコーン粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜１０重量部の範囲であることを特徴とすることができる。
さらに本発明を半導体チップの製造方法として捉えると、本発明の半導体チップの製造方法は、複数の半導体素子が基板上に形成された素子基板の当該複数の半導体素子をシリコーン樹脂からなる封止樹脂で封止する封止工程と、基材と硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層とを備える粘着テープを、前記素子基板に対して、前記封止樹脂側から貼り付ける貼付工程と、前記粘着テープが貼り付けられた前記素子基板を、複数の半導体チップに切断する切断工程と、前記複数の半導体チップから、前記粘着テープを剥がす剥離工程とを含む。 For such purposes, the dicing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is a dicing pressure-sensitive adhesive used when dividing an element substrate on which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin are formed into a plurality of semiconductor chips. A tape, comprising: a base material; and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material and including a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent.
Here, the element substrate may be used by being attached from the side of the sealing resin made of silicone resin. The pressure-sensitive adhesive layer may include a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and a peroxide initiator. Furthermore, the content of the initiator may be in a range of 0.01 parts by weight to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive. Furthermore, the pressure-sensitive adhesive layer may include an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, a crosslinking agent, and a catalyst. In addition, the content of the crosslinking agent may be in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive.
Further, when the present invention is regarded as a semiconductor chip manufacturing method, the semiconductor chip manufacturing method of the present invention is a sealing resin in which a plurality of semiconductor elements of an element substrate on which a plurality of semiconductor elements are formed on a substrate are made of a silicone resin. Affixing a pressure-sensitive adhesive tape comprising a sealing step for sealing with a base material and a pressure-sensitive adhesive layer containing a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent on the element substrate from the sealing resin side A cutting step of cutting the element substrate to which the adhesive tape is attached into a plurality of semiconductor chips, and a peeling step of peeling the adhesive tape from the plurality of semiconductor chips.

本発明によれば、封止樹脂により封止された複数の半導体素子が形成された素子基板に対して良好な粘着性を有するダイシング用粘着テープ、およびこれを用いた半導体チップの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element substrate in which the several semiconductor element sealed with sealing resin was formed, and the manufacturing method of a semiconductor chip using the same are provided. can do.

本実施の形態が適用される粘着テープの構成の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the structure of the adhesive tape to which this Embodiment is applied. （ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態が適用される粘着テープを使用した半導体チップの製造方法を示した図である。(A)-(d) is the figure which showed the manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive tape to which this Embodiment is applied.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
［粘着テープの構成］
図１は、本実施の形態が適用される粘着テープ１の構成の一例を示した図である。本実施の形態の粘着テープ１は、封止樹脂で封止された複数の半導体素子が形成された半導体素子基板のダイシングの用途に使用される。具体的には、本実施の形態の粘着テープ１は、半導体素子基板に対して、シリコーン系樹脂からなる封止樹脂側から貼り付けることで、ダイシングに使用される。なお、粘着テープ１の使用方法については、後段にて詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
[Composition of adhesive tape]
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of an adhesive tape 1 to which the exemplary embodiment is applied. The pressure-sensitive adhesive tape 1 of this embodiment is used for dicing a semiconductor element substrate on which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin are formed. Specifically, the adhesive tape 1 of this Embodiment is used for dicing by sticking to the semiconductor element substrate from the side of the sealing resin made of silicone resin. In addition, the usage method of the adhesive tape 1 is demonstrated in detail in a back | latter stage.

図１に示すように、本実施の形態の粘着テープ１は、基材２と粘着剤層３とが積層された構造を有している。
なお、図示は省略するが、粘着テープ１は、基材２と粘着剤層３との間に必要に応じてアンカーコート層を備えていてもよい。また、基材２の表面（粘着剤層３に対向する面とは反対側の面）に、表面処理が施されていてもよい。さらに、粘着剤層３の表面（基材２に対向する面とは反対側の面）に、剥離ライナーを備えていてもよい。 As shown in FIG. 1, the adhesive tape 1 of this Embodiment has the structure where the base material 2 and the adhesive layer 3 were laminated | stacked.
In addition, although illustration is abbreviate | omitted, the adhesive tape 1 may be provided with the anchor coat layer between the base material 2 and the adhesive layer 3 as needed. Further, the surface of the base material 2 (surface opposite to the surface facing the pressure-sensitive adhesive layer 3) may be subjected to surface treatment. Furthermore, a release liner may be provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 (the surface opposite to the surface facing the substrate 2).

＜基材＞
本実施の形態の粘着テープ１に用いる基材２の材料は、特に限定されるものではなく、例えば金属製、プラスチック製等を用いることができる。具体的には、基材２として、例えば、ステンレススチール、軟質アルミニウム等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、二軸延伸ポリプロピレン、ポリイミド、アラミド、ポリシクロオレフィン、フッ素系樹脂等の樹脂フィルムを用いることができる。また、用途に応じて基材２には、例えば、アルミニウム箔と樹脂フィルムとをラミネートした複合フィルム、アルミナ、二酸化ケイ素等の金属酸化物薄膜を樹脂フィルムの表面に形成した複合フィルム、およびこれらの複合フィルムをさらに樹脂フィルムとラミネートした複合フィルム等を用いてもよい。
この中でも、基材２としては、ポリエチレンテレフタレートを主成分とする材料を用いることが好ましい。 <Base material>
The material of the base material 2 used for the adhesive tape 1 of this Embodiment is not specifically limited, For example, metal, plastics, etc. can be used. Specifically, as the substrate 2, for example, metal foil such as stainless steel and soft aluminum, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, biaxially oriented polypropylene, polyimide, aramid, polycycloolefin, A resin film such as a fluororesin can be used. Further, depending on the application, for example, the base material 2 may be a composite film in which an aluminum foil and a resin film are laminated, a composite film in which a metal oxide thin film such as alumina or silicon dioxide is formed on the surface of the resin film, and these A composite film obtained by further laminating a composite film with a resin film may be used.
Among these, as the base material 2, it is preferable to use a material mainly composed of polyethylene terephthalate.

＜粘着剤層＞
本実施の形態の粘着剤層３は、硬化型のシリコーン系粘着剤と、このシリコーン系粘着剤を硬化させるための硬化剤とを含んで構成されている。また、粘着剤層３は、必要に応じて、着色剤等を含んでいてもよい。
粘着剤層３の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲が好ましく、２０μｍ〜４０μｍの範囲がより好ましい。粘着剤層３の厚さが５μｍ未満の場合には、粘着剤層３に含まれるシリコーン系粘着剤が薄くなるため、粘着テープ１の粘着力が低下しやすい。一方、粘着剤層３の厚さが５０μｍよりも厚い場合には、粘着剤層３の凝集破壊が発生しやすくなり、このような粘着テープ１を用いた場合には、粘着テープ１を剥がした際に、粘着剤が被着物に付着したまま残る糊残りが生じやすくなる。 <Adhesive layer>
The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the present embodiment includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent for curing the silicone pressure-sensitive adhesive. Moreover, the adhesive layer 3 may contain a coloring agent etc. as needed.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably in the range of 5 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 20 μm to 40 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is less than 5 μm, since the silicone-based pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes thin, the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive tape 1 tends to decrease. On the other hand, when the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is thicker than 50 μm, cohesive failure of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is likely to occur. When such a pressure-sensitive adhesive tape 1 is used, the pressure-sensitive adhesive tape 1 is peeled off. At this time, the adhesive residue is likely to remain with the adhesive remaining attached to the adherend.

ここで、本実施の形態の粘着剤層３では、硬化型のシリコーン系粘着剤として、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤または付加反応型シリコーン系粘着剤を用いることができる。
以下、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いる場合を粘着剤層３の第１形態、付加反応型シリコーン系粘着剤を用いる場合を粘着剤層３の第２形態として、順に説明する。 Here, in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the present embodiment, a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive or an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive can be used as the curable silicone pressure-sensitive adhesive.
Hereinafter, the case where a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is used is described as a first form of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the case where an addition reaction type silicone-based pressure-sensitive adhesive is used is described as a second form of the pressure-sensitive adhesive layer 3.

〔第１形態〕
第１形態の粘着剤層３は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤と、過酸化物から構成される開始剤（硬化剤）とを含んで構成される。 [First form]
The pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first form includes a peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and an initiator (curing agent) composed of peroxide.

（過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤）
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤は、例えば、ポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサン共重合体レジンとのオルガノポリシロキサン混合物を主剤とした粘着剤である。
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＲ１００、ＫＲ１０１−１０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のＹＲ３３４０、ＹＲ３２８６、ＰＳＡ６１０−ＳＭ、ＸＲ３７−Ｂ６７２２、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＨ４２８０等を用いることができる。 (Peroxide curable silicone adhesive)
The peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is, for example, a pressure-sensitive adhesive mainly composed of an organopolysiloxane mixture of an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane and an organopolysiloxane copolymer resin.
Although it does not specifically limit as a peroxide hardening type silicone type adhesive, For example, KR100, KR101-10 made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., YR3340, YR3286, PSA610 made by Momentive Performance Materials. -SM, XR37-B6722 and SH4280 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. can be used.

（開始剤）
過酸化物からなる開始剤としては、有機過酸化物が用いられる。開始剤として用いられる有機過酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾイールペルオキシド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、１，１´−ジ−ｔ−ブチルペルオキシ−３，３，５−トリメチレンシクロヘキサン、１，３−ジ−（ｔ−ブチルペルオキシ）−ジイソプロピルベンゼン等が挙げられ、市販品としては、例えば、日油株式会社製のナイパーＫ４０等が挙げられる。 (Initiator)
An organic peroxide is used as the initiator made of peroxide. The organic peroxide used as the initiator is not particularly limited, and examples thereof include benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, 1,1'-di-t-butylperoxy-3,3,5-trimethylenecyclohexane, 1,3-di- (t-butylperoxy) -diisopropylbenzene and the like are listed. Nyper K40 manufactured by Oil Co., Ltd. can be used.

（含有量）
ここで、第１形態の粘着剤層３における開始剤（有機過酸化物）の含有量は、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０１重量部〜１５重量部の範囲が好ましく、０．０５重量部〜１０重量部の範囲がより好ましく、０．０５重量部〜３．５重量部の範囲がさらに好ましい。
過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤の含有量を上述した範囲とすることで、粘着剤層３の粘着力および保持力を、ダイシング用の粘着テープ１として好ましい範囲とすることができる。 (Content)
Here, the content of the initiator (organic peroxide) in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first form is 0.01 parts by weight to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive. The range of 0.05 to 10 parts by weight is more preferable, and the range of 0.05 to 3.5 parts by weight is even more preferable.
By setting the content of the initiator with respect to the peroxide-curable silicone-based pressure-sensitive adhesive within the above-described range, the pressure-sensitive adhesive force and the holding power of the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be set within a preferable range as the pressure-sensitive adhesive tape 1 for dicing. .

一方、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤の含有量が過度に小さい場合には、粘着剤層３において過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤が十分に硬化されずに、所望の粘着力を得られない場合がある。また、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤が十分に硬化しなかった場合には、粘着剤層３において凝集破壊が生じやすくなる。この結果、粘着テープ１を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ１を剥がした際に、糊残りが生じやすくなる。   On the other hand, when the content of the initiator with respect to the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is excessively small, the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is not sufficiently cured in the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the desired pressure-sensitive adhesive. You may not get power. Further, when the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is not sufficiently cured, cohesive failure is likely to occur in the pressure-sensitive adhesive layer 3. As a result, when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate and then the adhesive tape 1 is peeled off from the obtained semiconductor chip, an adhesive residue is likely to occur.

過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤に対する開始剤の含有量が過度に大きい場合には、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤の硬化反応が進行しすぎるため、粘着剤層３が硬くなり、粘着テープ１の粘着力が低下しやすくなる。そして、この粘着テープ１をダイシングに使用した場合には、半導体素子基板を切断する際に、切断片である半導体チップが粘着テープ１から剥がれて飛散しやすくなる。   When the content of the initiator with respect to the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the curing reaction of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive progresses too much, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes hard and adhesive. The adhesive strength of the tape 1 tends to decrease. And when this adhesive tape 1 is used for dicing, when cutting a semiconductor element substrate, the semiconductor chip which is a cut piece will peel off from the adhesive tape 1, and will be scattered easily.

〔第２形態〕
続いて、第２形態の粘着剤層３は、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を含むとともに、硬化剤として、架橋剤および触媒を含んで構成される。また、第２形態の粘着剤層３には、付加反応型シリコーン系粘着剤の急激な付加反応の進行を抑制するための反応制御材を含んで構成してもよい。 [Second form]
Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form includes an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive as a silicone pressure-sensitive adhesive and also includes a crosslinking agent and a catalyst as a curing agent. Moreover, you may comprise in the adhesive layer 3 of a 2nd form by including the reaction control material for suppressing progress of the rapid addition reaction of an addition reaction type silicone adhesive.

（付加反応型シリコーン系粘着剤）
付加反応型シリコーン系粘着剤は、１分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含有するポリジメチルシロキサン等のオルガノポリシロキサンを主剤とした粘着剤である。なお、付加反応型シリコーン系粘着剤に含まれるオルガノポリシロキサンの分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。
また、付加反応型シリコーン系粘着剤に含まれるオルガノポリシロキサンが含有するアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。 (Addition reaction type silicone adhesive)
The addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive mainly composed of an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane containing at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule. Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane contained in the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive include linear, linear with a part of branches, branched, and network.
Examples of the alkenyl group contained in the organopolysiloxane contained in the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive include, for example, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group, and in particular, a vinyl group. Is preferred.

付加反応型シリコーン系粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のＫＲ３７００、ＫＲ３７０１、Ｘ−４０−３２３７−１、Ｘ−４０−３２４０、Ｘ−４０−３２９１−１、Ｘ−４０−３２２９、Ｘ−４０−３２７０、Ｘ−４０−３３０６、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製のＴＳＲ１５１２、ＴＳＲ１５１６、ＸＲ３７−Ｂ９２０４、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＤ４５８０、ＳＤ４５８４、ＳＤ４５８５、ＳＤ４５８６、ＳＤ４５８７、ＳＤ４５６０、ＳＤ４５７０、ＳＤ４６００ＰＦＣ、ＳＤ４５９３、ＤＣ７６５１ＡＤＨＥＳＩＶＥ等があげられる。   Although it does not specifically limit as an addition reaction type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR3700, KR3701, X-40-3237-1, X-40-3240, X-40- 3291-1, X-40-3229, X-40-3270, X-40-3306, TSR1512, TSR1516, XR37-B9204 by Momentive Performance Materials, SD4580, SD4584 by Toray Dow Corning Co., Ltd. SD4585, SD4586, SD4587, SD4560, SD4570, SD4600PFC, SD4593, DC7651ADHESIVE and the like.

（架橋剤）
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応には、架橋剤として、１分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンが使用される。
架橋剤として使用されるオルガノポリシロキサンの分子構造としては、例えば、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応に使用される架橋剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学株式会社製のＸ−９２−１２２、東レ・ダウコーニング株式会社製のＢＹ２４−７４１等が挙げられる。 (Crosslinking agent)
In the reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule is used as a crosslinking agent.
Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane used as the cross-linking agent include straight chain, straight chain partially having a branch, branched chain, cyclic, and network.
Although it does not specifically limit as a crosslinking agent used for reaction of an addition reaction type silicone adhesive, For example, X-92-122 by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., BY24 by Toray Dow Corning Co., Ltd. -741 etc. are mentioned.

（触媒）
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応には、付加反応型シリコーン系粘着剤と架橋剤との付加反応（ヒドロシリル化）による硬化を促進させるための触媒が使用される。
触媒としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒドロシリル化反応用触媒が使用される。これらの触媒のうち、特に、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触媒が反応速度が良好であることから好ましい。
付加反応型シリコーン系粘着剤の反応に使用される触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のＣＡＴ−ＰＬ−５０Ｔ、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＲＸ−２１２Ｃａｔ、ＮＣ−２５等が挙げられる。 (catalyst)
In the reaction of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive, a catalyst for accelerating curing by addition reaction (hydrosilylation) between the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive and a crosslinking agent is used.
As the catalyst, a well-known hydrosilylation reaction catalyst such as a platinum-based catalyst, a rhodium-based catalyst, or a palladium-based catalyst is used. Among these catalysts, in particular, platinum fine powder, platinum black, platinum-supported silica fine powder, platinum-supported activated carbon, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid alcohol solution, platinum olefin complex, platinum alkenylsiloxane complex, etc. A catalyst is preferred because of its good reaction rate.
The catalyst used for the reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is not particularly limited. For example, CAT-PL-50T manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., SRX manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. -212 Cat, NC-25, etc. are mentioned.

（反応制御剤）
第２形態の粘着剤層３において必要に応じて用いられる反応制御剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、信越化学工業株式会社製のＣＡＴ−ＰＬＲ−２や、東レ・ダウコーニング株式会社製のＢＹ２４−８０８等が挙げられる。 (Reaction control agent)
Although it does not specifically limit as a reaction control agent used as needed in the adhesive layer 3 of a 2nd form, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. CAT-PLR-2, Toray Dow Corning Examples include BY24-808 manufactured by Co., Ltd.

（含有量）
ここで、第２形態の粘着剤層３における架橋剤の含有量は、付加反応型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜１０重量部の範囲が好ましく、０．１重量部〜７重量部の範囲がより好ましく、０．１重量部〜２重量部の範囲がさらに好ましい。
付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤の含有量を上述した範囲とすることで、粘着剤層３の粘着力および保持力を、ダイシング用の粘着テープ１として好ましい範囲とすることができる。 (Content)
Here, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form is preferably in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. The range of parts by weight to 7 parts by weight is more preferable, and the range of 0.1 parts by weight to 2 parts by weight is more preferable.
By making content of the crosslinking agent with respect to an addition reaction type silicone adhesive into the range mentioned above, the adhesive force and the retention strength of the adhesive layer 3 can be made into a preferable range as the adhesive tape 1 for dicing.

一方、付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤の含有量が過度に小さい場合には、粘着剤層３において架橋反応が十分に進行せずに、所望の粘着力を得られない場合がある。また、付加反応型シリコーン系粘着剤の架橋反応が十分に進行しなかった場合には、粘着剤層３において凝集破壊が生じやすくなる。この結果、粘着テープ１を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ１を剥がした際に、糊残りが生じやすくなる。   On the other hand, when the content of the crosslinking agent relative to the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is excessively small, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently in the pressure-sensitive adhesive layer 3 and a desired adhesive strength may not be obtained. In addition, when the crosslinking reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive does not proceed sufficiently, cohesive failure is likely to occur in the pressure-sensitive adhesive layer 3. As a result, when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate and then the adhesive tape 1 is peeled off from the obtained semiconductor chip, an adhesive residue is likely to occur.

さらに、付加反応型シリコーン系粘着剤に対する架橋剤の含有量が過度に大きい場合には、付加反応型シリコーン系粘着剤の架橋反応が進行しすぎるため、粘着剤層３が硬くなり、粘着テープ１の粘着力が低下しやすくなる。そして、この粘着テープ１をダイシングに使用した場合には、半導体素子基板を切断する際に、切断片である半導体チップが粘着テープ１から剥がれて飛散しやすくなる。   Furthermore, when the content of the crosslinking agent with respect to the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the crosslinking reaction of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive proceeds excessively, so that the pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes hard and the pressure-sensitive adhesive tape 1 The adhesive strength of is likely to decrease. And when this adhesive tape 1 is used for dicing, when cutting a semiconductor element substrate, the semiconductor chip which is a cut piece will peel off from the adhesive tape 1, and will be scattered easily.

また、第２形態の粘着剤層３における触媒の含有量は、特に限定されるものではないが、例えば、付加反応型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０１重量部〜５重量部程度とすることができる。   Further, the content of the catalyst in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the second form is not particularly limited, but for example 0.01 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. Part.

＜アンカーコート層＞
上述したように、本実施の形態の粘着テープ１では、粘着テープ１の製造条件や製造後の粘着テープ１の使用条件等に応じて、基材２と粘着剤層３との間に、基材の種類に合わせたアンカーコート層を設けたり、コロナ処理等の表面処理を施したりしてもよい。これにより、基材２と粘着剤層３との密着力を改善させることが可能になる。 <Anchor coat layer>
As described above, in the pressure-sensitive adhesive tape 1 according to the present embodiment, a base material 2 and a pressure-sensitive adhesive layer 3 are provided between the base material 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 in accordance with the manufacturing conditions of the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the usage conditions of the pressure-sensitive adhesive tape 1 after manufacturing. An anchor coat layer suitable for the type of material may be provided, or surface treatment such as corona treatment may be performed. Thereby, it becomes possible to improve the adhesive force of the base material 2 and the adhesive layer 3.

＜表面処理＞
基材２の表面（粘着剤層３に対向する面とは反対側の面）には、剥離性改良処理等の表面処理が施されていてもよい。基材２の表面処理に用いられる処理剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、長鎖アルキルビニルモノマー重合物、フッ化アルキルビニルモノマー重合物、ポリビニルアルコールカルバメート、アミノアルキド系樹脂等の非シリコーン系の剥離処理剤等を用いることができる。このような非シリコーン系の剥離処理剤としては、例えば、一方社油脂工業株式会社製のピーロイル１０５０、ピーロイル１２００等が挙げられる。 <Surface treatment>
The surface of the substrate 2 (surface opposite to the surface facing the pressure-sensitive adhesive layer 3) may be subjected to surface treatment such as peelability improving treatment. The treatment agent used for the surface treatment of the substrate 2 is not particularly limited, and examples thereof include a long-chain alkyl vinyl monomer polymer, a fluorinated alkyl vinyl monomer polymer, a polyvinyl alcohol carbamate, and an aminoalkyd resin. A non-silicone release treatment agent or the like can be used. Examples of such a non-silicone release treatment agent include Pyroyl 1050 and Pyroyl 1200 manufactured by Otsuka Oil Co., Ltd.

＜剥離ライナー＞
また、粘着剤層３の表面（基材２に対向する面とは反対側の面）には、必要に応じて剥離ライナーを設けてもよい。剥離ライナーとしては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムに、粘着剤層３に含まれるシリコーン系粘着剤との離型性を高めるための剥離処理を施したものを用いることができる。剥離ライナーの剥離処理に用いる材料としては、特に限定されないが、例えば、フロロシリコーン、長鎖アルキルビニルモノマー重合物、アミノアルキド系樹脂等の材料を用いることができる。 <Release liner>
Moreover, you may provide a peeling liner in the surface (surface on the opposite side to the surface which opposes the base material 2) of the adhesive layer 3 as needed. As the release liner, it is possible to use a film made of paper, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, etc., which has been subjected to a release treatment for improving the releasability from the silicone-based adhesive contained in the adhesive layer 3. The material used for the release treatment of the release liner is not particularly limited, and for example, materials such as fluorosilicone, a long-chain alkyl vinyl monomer polymer, and an aminoalkyd resin can be used.

＜粘着テープの厚さ＞
以上説明したような構成を有する粘着テープ１の全体としての厚さは、２０μｍ〜２００μｍの範囲が好ましい。
粘着テープ１の厚さが２０μｍよりも薄い場合には、粘着テープ１を半導体素子基板のダイシングに用いた場合に、形成された半導体チップを粘着テープ１から剥がし取ることが困難になる場合がある。
また、粘着テープ１の厚さが２００μｍよりも厚い場合には、粘着テープ１を半導体素子基板の封止樹脂側から貼り付ける際に、粘着テープ１が封止樹脂の凹凸に追従しにくくなる。この結果、粘着テープ１と封止樹脂との接着面積が小さくなり、ダイシングの際に半導体チップが飛散しやすくなるおそれがある。 <Thickness of adhesive tape>
The total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape 1 having the configuration described above is preferably in the range of 20 μm to 200 μm.
When the thickness of the adhesive tape 1 is less than 20 μm, it may be difficult to peel off the formed semiconductor chip from the adhesive tape 1 when the adhesive tape 1 is used for dicing the semiconductor element substrate. .
Moreover, when the thickness of the adhesive tape 1 is thicker than 200 μm, it becomes difficult for the adhesive tape 1 to follow the unevenness of the sealing resin when the adhesive tape 1 is attached from the sealing resin side of the semiconductor element substrate. As a result, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive tape 1 and the sealing resin is reduced, and the semiconductor chip may be easily scattered during dicing.

［粘着テープの製造方法］
続いて、本実施の形態の粘着テープ１の製造方法について説明する。
なお、上述した第１形態の過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を含む粘着剤層３を有する粘着テープ１と、第２形態の付加反応型シリコーン系粘着剤を含む粘着剤層３を有する粘着テープ１とでは、同様の製造方法により製造することができる。 [Production method of adhesive tape]
Then, the manufacturing method of the adhesive tape 1 of this Embodiment is demonstrated.
In addition, the adhesive tape 1 which has the adhesive layer 3 containing the peroxide hardening type silicone adhesive of the 1st form mentioned above and the adhesive layer 3 containing the addition reaction type silicone adhesive of the 2nd form With the tape 1, it can manufacture with the same manufacturing method.

粘着テープ１を製造する際には、まず、トルエンや酢酸エチル等の汎用の有機溶剤に、硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を溶解させ、粘着剤溶液を得る。続いて、この粘着剤溶液を、必要に応じて表面処理やアンカーコート層の形成を行った基材２の表面に、コンマコータ等を用いて所定の厚さになるように塗布する。
そして、粘着剤溶液が塗布された基材２を、６０℃〜１６０℃の温度で、数分〜数十分程度加熱することで、粘着剤溶液を硬化させ、粘着剤層３を形成する。
以上の工程により、図１に示したように、基材２の上に粘着剤層３が積層された粘着テープ１を得ることができる。 When the pressure-sensitive adhesive tape 1 is manufactured, first, a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent are dissolved in a general-purpose organic solvent such as toluene or ethyl acetate to obtain a pressure-sensitive adhesive solution. Subsequently, this pressure-sensitive adhesive solution is applied to the surface of the base material 2 on which surface treatment or anchor coat layer formation has been performed as necessary using a comma coater or the like.
And the adhesive solution is hardened and the adhesive layer 3 is formed by heating the base material 2 with which the adhesive solution was apply | coated at the temperature of 60 to 160 degreeC for several minutes-about several tens of minutes.
Through the above steps, as shown in FIG. 1, the pressure-sensitive adhesive tape 1 in which the pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on the substrate 2 can be obtained.

［粘着テープの使用方法］
上述したように、本実施の形態の粘着テープ１は、半導体素子基板のダイシングに用いられる。ここで、半導体素子基板とは、樹脂等の基板上に、ＬＥＤ（Light emitting diode）等の半導体素子が複数形成されたものをいう。なお、このような半導体素子基板では、通常、半導体素子を温度や湿度等の外部環境の変化から保護するために、半導体素子を覆うように封止樹脂が設けられる。 [How to use adhesive tape]
As described above, the adhesive tape 1 of the present embodiment is used for dicing a semiconductor element substrate. Here, the semiconductor element substrate refers to a substrate in which a plurality of semiconductor elements such as LEDs (Light Emitting Diodes) are formed on a substrate made of resin or the like. In such a semiconductor element substrate, a sealing resin is usually provided so as to cover the semiconductor element in order to protect the semiconductor element from changes in the external environment such as temperature and humidity.

半導体素子基板を切断して複数の半導体チップを得るための方法としては、例えば以下のような方法が従来、知られている。
まず、半導体素子基板の基板側からダイシング用の粘着テープを貼り付けるとともに、ダイサー等により半導体素子基板を半導体素子が形成される側から切断する。そして、切断により形成されたそれぞれの半導体チップを粘着テープから剥がし取ることで、複数の半導体チップを得る。 As methods for cutting a semiconductor element substrate to obtain a plurality of semiconductor chips, for example, the following methods are conventionally known.
First, a dicing adhesive tape is applied from the substrate side of the semiconductor element substrate, and the semiconductor element substrate is cut from the side on which the semiconductor element is formed by a dicer or the like. And each semiconductor chip formed by cutting is peeled off from the adhesive tape to obtain a plurality of semiconductor chips.

しかし、このように半導体素子基板の基板側からダイシング用の粘着テープを貼り付けて、半導体素子基板の切断を行った場合、切断面（半導体チップの基板側面）に欠落が生じる所謂ダレが発生したり、切断面が粗くなったりする等の課題がある。
そこで、近年では、このような課題を解決するために、半導体素子基板に対して、基板側ではなく、半導体素子が形成される側、すなわち半導体素子を封止する封止樹脂側からダイシング用の粘着テープを貼り付けて、半導体素子基板を切断する方法が提案されている。 However, when the adhesive tape for dicing is applied from the substrate side of the semiconductor element substrate in this way and the semiconductor element substrate is cut, so-called sagging occurs in which the cut surface (the substrate side surface of the semiconductor chip) is missing. There is a problem that the cut surface becomes rough.
Therefore, in recent years, in order to solve such problems, dicing is not performed on the semiconductor element substrate from the side on which the semiconductor element is formed, that is, from the sealing resin side that seals the semiconductor element. A method has been proposed in which a semiconductor element substrate is cut by applying an adhesive tape.

ここで、従来、半導体素子基板を切断するために使用されるダイシング用の粘着テープとしては、例えばアクリル樹脂から構成される粘着剤層を有するものが使用されている。
しかし、このような従来の粘着テープを、半導体素子基板の半導体素子が形成される側（封止樹脂側）から貼り付けて半導体素子基板のダイシングを行うと、例えば、封止樹脂と粘着テープとの粘着力が不十分な場合には、ダイシング時に半導体チップが飛散する等の問題が生じるおそれがある。 Here, conventionally, as an adhesive tape for dicing used for cutting a semiconductor element substrate, a tape having an adhesive layer made of, for example, an acrylic resin is used.
However, when such a conventional adhesive tape is affixed from the side of the semiconductor element substrate where the semiconductor element is formed (sealing resin side) and the semiconductor element substrate is diced, for example, the sealing resin and the adhesive tape If the adhesive strength is insufficient, problems such as scattering of the semiconductor chip during dicing may occur.

ところで、ＬＥＤ等の半導体素子用の封止樹脂としては、近年では、シリコーン樹脂を用いる場合が多い。すなわち、従来、半導体素子用の封止樹脂としては、電気特性や耐熱性に優れるエポキシ樹脂が利用されているが、エポキシ樹脂は、短波長のＬＥＤや高出力のＬＥＤに使用した場合に変色しやすい等の問題がある。これに対し、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比較して熱や光による変色が起こりにくいからである。   By the way, as a sealing resin for semiconductor elements such as LEDs, a silicone resin is often used in recent years. In other words, epoxy resins that are excellent in electrical characteristics and heat resistance have been used as sealing resins for semiconductor elements. However, epoxy resins change color when used in short-wavelength LEDs or high-power LEDs. There are problems such as easy. On the other hand, the silicone resin is less likely to be discolored by heat or light than the epoxy resin.

しかし、シリコーン樹脂は、例えばエポキシ樹脂等と比較して離型性が高い性質を有している。したがって、封止樹脂としてシリコーン樹脂を使用した半導体素子基板に対して、例えばアクリル樹脂系の粘着テープを封止樹脂側から貼り付けた場合には、封止樹脂であるシリコーン樹脂と粘着テープとの接着力が小さくなりやすい。この結果、半導体素子基板の切断時に、上述した半導体チップの飛散等の問題がより生じやすくなる。   However, the silicone resin has a property of high releasability as compared with, for example, an epoxy resin. Therefore, for example, when an acrylic resin-based adhesive tape is attached to the semiconductor element substrate using a silicone resin as the sealing resin from the sealing resin side, the silicone resin that is the sealing resin and the adhesive tape Adhesive strength tends to be small. As a result, the above-described problems such as scattering of the semiconductor chip are more likely to occur when the semiconductor element substrate is cut.

これに対し、本実施の形態の粘着テープ１は、上述したように、粘着剤層３が硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含んで構成されることで、半導体素子基板のダイシングを行う場合に封止樹脂側から貼り付けて使用した場合であっても、半導体素子基板の封止樹脂との接着力を良好に保つことができる。そして、従来の粘着テープと比較して、半導体素子基板のダイシングを行う場合に、半導体チップの飛散等の発生を抑制することができる。   On the other hand, as described above, the pressure-sensitive adhesive tape 1 of this embodiment performs dicing of the semiconductor element substrate by the pressure-sensitive adhesive layer 3 including a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent. Even if it is a case where it sticks and uses from the sealing resin side in a case, the adhesive force with the sealing resin of a semiconductor element board | substrate can be kept favorable. And compared with the conventional adhesive tape, when dicing a semiconductor element substrate, generation | occurrence | production of a semiconductor chip scattering etc. can be suppressed.

以下、本実施の形態の粘着テープ１の使用方法、および本実施の形態の粘着テープ１を使用した半導体チップの製造方法について、詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態の粘着テープを使用した半導体チップの製造方法を示した図である。
なお、以下で説明する方法は、粘着テープ１を用いた半導体チップの製造方法の一例であり、粘着テープ１の使用方法は、以下の方法に限定されない。すなわち、本実施の形態の粘着テープ１は、ダイシングに際して、封止樹脂にて封止された複数の半導体素子を有する半導体素子基板に貼り付けられるものであれば、以下の方法に限定されることなく使用することができる。 Hereinafter, the usage method of the adhesive tape 1 of this Embodiment and the manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive tape 1 of this Embodiment are demonstrated in detail. 2A to 2D are views showing a method for manufacturing a semiconductor chip using the adhesive tape of the present embodiment.
In addition, the method demonstrated below is an example of the manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive tape 1, and the usage method of the adhesive tape 1 is not limited to the following method. That is, the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment is limited to the following method as long as it can be attached to a semiconductor element substrate having a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin during dicing. It can be used without.

本実施の形態では、まず、例えば樹脂材料等からなる基板１０１上に、複数の半導体素子１０２を積載し、半導体素子基板１００を作成する。なお、半導体素子１０２は、例えばＬＥＤ素子であって、図示は省略するが、例えば通電により発光する発光層等を含む複数の半導体層が積層されて構成され、上部には電極が形成されている。
次に、半導体素子基板１００の基板１０１上に形成された複数の半導体素子１０２を、シリコーン系樹脂からなる封止樹脂１０３で封止する（封止工程）。なお、この例では、複数の半導体素子１０２を封止樹脂１０３によりまとめて封止しているが、個々の半導体素子１０２を、封止樹脂１０３により個別に封止してもよい。 In the present embodiment, first, a plurality of semiconductor elements 102 are stacked on a substrate 101 made of, for example, a resin material, and the semiconductor element substrate 100 is formed. The semiconductor element 102 is, for example, an LED element, and although not shown, the semiconductor element 102 is configured by stacking a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer that emits light when energized, for example, and an electrode is formed on the upper part. .
Next, the plurality of semiconductor elements 102 formed on the substrate 101 of the semiconductor element substrate 100 are sealed with a sealing resin 103 made of a silicone resin (sealing step). In this example, the plurality of semiconductor elements 102 are collectively sealed with the sealing resin 103, but the individual semiconductor elements 102 may be individually sealed with the sealing resin 103.

続いて、図２（ａ）に示すように、粘着テープ１の粘着剤層３が半導体素子基板１００の封止樹脂１０３と対向するように、粘着テープ１と半導体素子基板１００とを貼り合わせる（貼付工程）。
次いで、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、粘着テープ１と半導体素子基板１００とを貼り合わせた状態で、切断予定ラインＸに沿って、半導体素子基板１００をダイサー等によって切断する（切断工程）。この例では、粘着テープ１が貼り付けられた半導体素子基板１００を、基板１０１側から切断している。また、図２（ｃ）に示すように、この例では、半導体素子基板１００を全て切り込む所謂フルカットを行っている。 2A, the adhesive tape 1 and the semiconductor element substrate 100 are bonded together so that the adhesive layer 3 of the adhesive tape 1 faces the sealing resin 103 of the semiconductor element substrate 100 (see FIG. 2A). Pasting step).
Next, as shown in FIGS. 2B and 2C, the semiconductor element substrate 100 is cut by a dicer or the like along the planned cutting line X in a state where the adhesive tape 1 and the semiconductor element substrate 100 are bonded together ( Cutting step). In this example, the semiconductor element substrate 100 to which the adhesive tape 1 is attached is cut from the substrate 101 side. Further, as shown in FIG. 2C, in this example, a so-called full cut is performed in which the entire semiconductor element substrate 100 is cut.

続いて、半導体素子基板１００を切断することにより形成された半導体チップ２００を粘着テープ１から剥がし取る（ピックアップする）ことで、図２（ｄ）に示すように、個片化された半導体チップ２００を得ることができる（剥離工程）。   Subsequently, the semiconductor chip 200 formed by cutting the semiconductor element substrate 100 is peeled off (pick up) from the adhesive tape 1, and as shown in FIG. Can be obtained (peeling step).

上述したように、本実施の形態の粘着テープ１では、粘着剤層３が硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成される。これにより、粘着テープ１をダイシングに使用する場合に、半導体素子基板１００の封止樹脂１０３側から貼り付けた場合であっても、半導体素子基板１００と粘着テープ１との接着力を良好に保つことが可能になる。
特に、近年では、半導体素子１０２を封止する封止樹脂１０３として離型性の高いシリコーン樹脂を使用することが多いが、本実施の形態の粘着テープ１は、上述した構成を有することで、シリコーン樹脂からなる封止樹脂１０３に対しても良好な接着力を有する。
この結果、本実施の形態の粘着テープ１は、半導体素子基板１００のダイシングに使用した場合に、半導体チップ２００の飛散を抑制することができる。 As described above, in the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent. Thus, when the adhesive tape 1 is used for dicing, the adhesive force between the semiconductor element substrate 100 and the adhesive tape 1 is kept good even when the adhesive tape 1 is attached from the sealing resin 103 side of the semiconductor element substrate 100. It becomes possible.
In particular, in recent years, a silicone resin having high releasability is often used as the sealing resin 103 for sealing the semiconductor element 102, but the adhesive tape 1 of the present embodiment has the above-described configuration. It also has a good adhesion to the sealing resin 103 made of silicone resin.
As a result, when the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment is used for dicing the semiconductor element substrate 100, scattering of the semiconductor chip 200 can be suppressed.

さらに、本実施の形態の粘着テープ１の粘着剤層３に含まれる硬化型のシリコーン系粘着剤は、上述したように封止樹脂１０３と良好な粘着力を有する一方で、離型性が高い性質を有している。これにより、本実施の形態では、半導体素子基板１００のダイシングにより得られた半導体チップ２００を粘着テープ１から剥がす際に、半導体チップ２００に粘着剤が付着する所謂糊残りの発生を抑制することができる。   Furthermore, the curable silicone-based pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment has a good releasability while having a good adhesive force with the sealing resin 103 as described above. It has properties. Thus, in the present embodiment, when the semiconductor chip 200 obtained by dicing the semiconductor element substrate 100 is peeled off from the adhesive tape 1, it is possible to suppress the occurrence of so-called adhesive residue where the adhesive adheres to the semiconductor chip 200. it can.

なお、通常、例えば粘着剤層がアクリル系の粘着剤で構成される粘着テープを半導体素子基板のダイシングに用いる場合、切断後の半導体チップを粘着テープから剥がし取る際には、予め粘着テープに対して紫外線を照射して、粘着剤層の粘着性を失わせる必要がある。一方、本実施の形態の粘着テープ１の場合には、紫外線を照射する工程を行うことなく、半導体チップ２００を粘着テープ１から剥がすことが可能である。
したがって、本実施の形態の粘着テープ１を半導体素子基板１００のダイシングに使用することで、半導体チップ２００の製造工程を簡易化することが可能になっている。 Usually, for example, when an adhesive tape having an adhesive layer made of an acrylic adhesive is used for dicing a semiconductor element substrate, when the semiconductor chip after cutting is peeled off from the adhesive tape, It is necessary to lose the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating ultraviolet rays. On the other hand, in the case of the pressure-sensitive adhesive tape 1 of the present embodiment, the semiconductor chip 200 can be peeled off from the pressure-sensitive adhesive tape 1 without performing a step of irradiating ultraviolet rays.
Therefore, the manufacturing process of the semiconductor chip 200 can be simplified by using the adhesive tape 1 of the present embodiment for dicing the semiconductor element substrate 100.

続いて、実施例および比較例を用いて本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

本発明者は、粘着剤層３として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた第１形態、および、粘着剤層３として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた第２形態のそれぞれについて、硬化剤（開始剤、架橋剤）の添加量を異ならせて粘着テープ１の作製を行い、作製した粘着テープ１の評価を行った。
以下、各実施例および各比較例について詳細に説明する。 The present inventor, for each of the first form using a peroxide curable silicone adhesive as the adhesive layer 3 and the second form using an addition reaction type silicone adhesive as the adhesive layer 3, The pressure-sensitive adhesive tape 1 was produced by varying the amount of the curing agent (initiator, cross-linking agent) added, and the produced pressure-sensitive adhesive tape 1 was evaluated.
Hereinafter, each example and each comparative example will be described in detail.

１．粘着テープ１の作製
（実施例１〜実施例４）
トルエンに、オルガノポリシロキサンからなる過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤（信越化学工業株式会社製ＫＲ１０１−１）と、メチル過酸化ベンゾイルからなる開始剤（日油株式会社製ナイパーＫ４０）とを溶解させ、粘着剤溶液を調整した。なお、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤および開始剤の含有量は、表１に示したように調整した。
続いて、この粘着剤溶液を、厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムからなる基材２上に塗布した後、１６０度の温度で３分間、加熱することで、厚さ３０μｍの粘着剤層３を形成し、総厚１０５μｍの粘着テープ１を得た。 1. Production of adhesive tape 1 (Examples 1 to 4)
Dissolve a peroxide-curing silicone adhesive made of organopolysiloxane (KR101-1 made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and an initiator made of methyl benzoyl peroxide (Niper K40 made by NOF Corporation) in toluene. The pressure-sensitive adhesive solution was adjusted. The contents of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive and the initiator were adjusted as shown in Table 1.
Subsequently, the pressure-sensitive adhesive solution was applied onto a substrate 2 made of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 75 μm, and then heated at a temperature of 160 ° C. for 3 minutes, whereby a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 μm. 3 was obtained to obtain an adhesive tape 1 having a total thickness of 105 μm.

（実施例５〜８）
トルエンに、分子内にビニルシリル基を有するオルガノポリシロキサンからなる付加反応型シリコーン系粘着剤（信越化学工業株式会社製Ｘ−４０−３２３７−１）と、白金金族系触媒（信越化学工業株式会社製ＣＡＴ−ＰＬ−５０Ｔ）と、分子内にヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサンからなる架橋剤（信越化学工業株式会社製Ｘ−９２−１２２）とを溶解させ、粘着剤溶液を調整した。なお、付加反応型シリコーン系粘着剤、触媒および架橋剤の含有量は、表１に示したように調整した。
続いて、この粘着剤溶液を、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムからなる基材２の上に塗布した後、１２０度の温度で３分間、加熱することで、厚さ３０μｍの粘着剤層３を形成し、総厚１０５μｍの粘着テープ１を得た。 (Examples 5 to 8)
An addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive (X-40-3237-1 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) composed of organopolysiloxane having vinylsilyl group in the molecule and a platinum metal catalyst (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) CAT-PL-50T) and a cross-linking agent (X-92-122 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) made of an organopolysiloxane having a hydrosilyl group in the molecule were dissolved to prepare an adhesive solution. The contents of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, the catalyst and the crosslinking agent were adjusted as shown in Table 1.
Subsequently, this pressure-sensitive adhesive solution was applied onto a substrate 2 made of a PET film having a thickness of 75 μm, and then heated at 120 ° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer 3 having a thickness of 30 μm. Thus, an adhesive tape 1 having a total thickness of 105 μm was obtained.

（比較例１）
粘着剤層３における開始剤の含有量を０とした以外は、実施例１〜実施例４と同様にして、粘着テープ１を得た。 (Comparative Example 1)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 4 except that the content of the initiator in the adhesive layer 3 was changed to 0.

（比較例２）
粘着剤層３における架橋剤の含有量を０とした以外は、実施例５〜実施例８と同様にして、粘着テープ１を得た。 (Comparative Example 2)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 5 to 8 except that the content of the crosslinking agent in the adhesive layer 3 was 0.

（比較例３）
粘着剤層３として、アクリル系の粘着剤を用いた以外は、実施例１〜８と同様にして、粘着テープ１を得た。 (Comparative Example 3)
An adhesive tape 1 was obtained in the same manner as in Examples 1 to 8, except that an acrylic adhesive was used as the adhesive layer 3.

２．評価方法
続いて、粘着テープ１の評価方法について説明する。
（１）対研磨ＳＵＳ粘着力試験
上述した方法にて作製した粘着テープ１について、ＪＩＳ Ｚ ０２３７（２０００）に記載された方法に準拠して、対研磨ＳＵＳ粘着力試験（引きはがし粘着力試験）を行った。
具体的には、粘着テープ１を耐水研磨紙で研磨したステンレス板（ＳＵＳ３０４）に貼り付け、質量２０００ｇのローラを５ｍｍ／ｓの速度で１往復させて、圧着した。続いて、２０〜４０分放置した後、引張試験機を用いて、ステンレス板に対して１８０°方向へ５ｍｍ／ｓの速度で引き剥がし、研磨ＳＵＳ板に対する粘着力を測定した。 2. Evaluation method Subsequently, the evaluation method of the adhesive tape 1 is demonstrated.
(1) Anti-polishing SUS adhesive strength test About the adhesive tape 1 produced by the above-described method, in accordance with the method described in JIS Z 0237 (2000), anti-polishing SUS adhesive strength test (peeling adhesive strength test) Went.
Specifically, the pressure-sensitive adhesive tape 1 was attached to a stainless steel plate (SUS304) polished with water-resistant abrasive paper, and a 2000 g roller was reciprocated once at a speed of 5 mm / s for pressure bonding. Subsequently, after leaving it for 20 to 40 minutes, it was peeled off at a speed of 5 mm / s in the direction of 180 ° with respect to the stainless steel plate using a tensile tester, and the adhesive force to the polished SUS plate was measured.

（２）保持力試験
作製した粘着テープ１について、保持力試験を行った。
具体的には、粘着テープ１を、耐水研磨紙で研磨したステンレス板（ＳＵＳ３０４）に貼り付け、所定の重りを取り付けた状態で４０℃の条件下で２４時間保持した場合のズレ量（ｍｍ）を測定した。ここで、ダイシング用粘着テープとしては、保持力試験で測定されるズレ量が２５ｍｍ以下であることが好ましい。
また、２４時間を経過する前に粘着テープ１がステンレス板から剥離して落下した場合には、測定開始から粘着テープ１が剥離するまでの経過時間（分）を測定した。なお、表１において保持力試験の↓の表示は、２４時間を経過する前に粘着テープ１がステンレス板からずれて落下したことを意味する。 (2) Holding power test About the produced adhesive tape 1, the holding power test was done.
Specifically, the amount of deviation (mm) when the adhesive tape 1 is affixed to a stainless steel plate (SUS304) polished with water-resistant abrasive paper and held at 40 ° C. for 24 hours with a predetermined weight attached. Was measured. Here, as an adhesive tape for dicing, it is preferable that the gap | deviation amount measured by a holding power test is 25 mm or less.
Moreover, when the adhesive tape 1 peeled off from the stainless steel plate and fell before 24 hours passed, the elapsed time (minute) until the adhesive tape 1 peeled from the measurement start was measured. In Table 1, “↓” in the holding force test means that the adhesive tape 1 has been displaced from the stainless steel plate and dropped before 24 hours have passed.

（３）対シリコーン樹脂粘着力試験
作製した粘着テープ１について、上述した粘着力試験の方法に準拠して、対シリコーン樹脂粘着力試験を行った。
具体的には、粘着テープ１を、シリコーン樹脂を塗布した板に貼り付け、質量２０００ｇのローラを５ｍｍ／ｓの速度で１往復させて、圧着した。続いて、２０〜４０分放置した後、引張試験機を用いて、シリコーン樹脂を塗布した板に対して１８０°方向へ５ｍｍ／ｓの速度で引き剥がし、シリコーン樹脂に対する粘着力を測定した。
なお、本試験において粘着テープ１を貼り付ける板に塗布したシリコーン樹脂としては、ＬＥＤ封止剤用のシリコーン樹脂を用いた。 (3) Adhesive strength test for silicone resin The produced adhesive tape 1 was subjected to an adhesive strength test for silicone resin in accordance with the method of the adhesive strength test described above.
Specifically, the pressure-sensitive adhesive tape 1 was affixed to a plate coated with a silicone resin, and a roller having a mass of 2000 g was reciprocated once at a speed of 5 mm / s for pressure bonding. Then, after leaving for 20 to 40 minutes, it was peeled off at a rate of 5 mm / s in the direction of 180 ° with respect to the plate coated with the silicone resin using a tensile tester, and the adhesive force to the silicone resin was measured.
In addition, the silicone resin for LED sealing agents was used as a silicone resin apply | coated to the board which affixes the adhesive tape 1 in this test.

３．評価結果
実施例１〜実施例８および比較例１〜比較例３の粘着テープ１に対する評価結果について、表１に示す。 3. Evaluation Results Table 1 shows the evaluation results for the adhesive tapes 1 of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3.

Figure 0006168553
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表１に示すように、粘着剤層３を、硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成した場合（実施例１〜実施例８）には、粘着テープ１の粘着力、保持力および対シリコーン樹脂粘着力が全て好ましい範囲であることが確認された。
これにより、粘着剤層３を硬化型のシリコーン系粘着剤と硬化剤とを含んで構成した粘着テープ１は、半導体素子基板の封止樹脂側から貼り付けてダイシングに使用するダイシング用粘着テープとして有用であることが確認された。 As shown in Table 1, when the pressure-sensitive adhesive layer 3 includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent (Example 1 to Example 8), the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive tape 1 is maintained. It was confirmed that the strength and the adhesive strength to the silicone resin were all in the preferred range.
Thereby, the pressure-sensitive adhesive tape 1 including the pressure-sensitive adhesive layer 3 including a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent is used as a pressure-sensitive adhesive tape for dicing that is attached from the sealing resin side of the semiconductor element substrate and used for dicing. It was confirmed that it was useful.

続いて、実施例１〜実施例８のうち、シリコーン系粘着剤として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた場合（実施例１〜実施例４）を比較すると、過酸化物からなる開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜１０重量部の場合（実施例１〜実施例３）に、粘着テープ１の保持力がより良好であることが確認された。
さらに、開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜３．５重量部の場合（実施例１、実施例２）に、粘着テープ１の対シリコーン樹脂粘着力がより良好であることが確認された。 Subsequently, in Examples 1 to 8, when the peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 to Example 4), the start of the peroxide is started. When the content of the agent is 0.05 to 10 parts by weight (Example 1 to Example 3) with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 to Example 3), the holding force of the adhesive tape 1 Was confirmed to be better.
Furthermore, when the content of the initiator is 0.05 to 3.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive (Example 1 and Example 2), It was confirmed that the adhesive strength of the tape 1 to the silicone resin was better.

したがって、シリコーン系粘着剤として過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤を用いた場合には、過酸化物からなる開始剤の含有量が、過酸化物硬化型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜１０重量部の範囲がより好ましく、０．０５重量部〜３．５重量部の範囲がさらに好ましいことが確認された。   Therefore, when a peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone-based pressure-sensitive adhesive, the content of the initiator made of peroxide is based on 100 parts by weight of the peroxide-curing silicone pressure-sensitive adhesive. The range of 0.05 to 10 parts by weight was more preferable, and the range of 0.05 to 3.5 parts by weight was further preferable.

さらに、実施例１〜実施例８のうち、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた場合（実施例５〜実施例８）を比較すると、架橋剤の含有量が、付加反応型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．１重量部〜７重量部の場合（実施例５〜実施例７）に、粘着テープ１の粘着力および対シリコーン樹脂粘着力がより高く、０．１重量部〜２重量部の場合（実施例５、実施例６）に、粘着テープ１の粘着力および対シリコーン樹脂粘着力がさらに高いことが確認された。   Furthermore, among Examples 1 to 8, when the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive was used as the silicone pressure sensitive adhesive (Example 5 to Example 8), the content of the crosslinking agent was the addition reaction. In the case of 0.1 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone adhesive (Example 5 to Example 7), the adhesive strength of the adhesive tape 1 and the adhesive strength to the silicone resin are higher, In the case of 0.1 part by weight to 2 parts by weight (Example 5 and Example 6), it was confirmed that the adhesive strength of the adhesive tape 1 and the adhesive strength to the silicone resin were even higher.

したがって、シリコーン系粘着剤として付加反応型シリコーン系粘着剤を用いた場合には、架橋剤の含有量が、付加反応型シリコーン系粘着剤１００重量部に対して、０．１重量部〜７重量部の範囲がより好ましく、０．１重量部〜２重量部の範囲がさらに好ましいことが確認された。   Therefore, when an addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive is used as the silicone type pressure sensitive adhesive, the content of the crosslinking agent is 0.1 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive. It was confirmed that the range of parts is more preferable, and the range of 0.1 to 2 parts by weight is further preferable.

これに対し、粘着剤層３が硬化剤（開始剤または架橋剤）を含まない場合（比較例１、比較例２）には、粘着テープ１の保持力が著しく低いことが確認された。これは、粘着剤層３が硬化剤を含まない場合には、シリコーン系粘着剤が硬化しなかったためだと考えられる。
そして、このような粘着テープ１をダイシング用粘着テープとして用いた場合には、粘着テープ１を半導体素子基板のダイシングに使用した後、得られた半導体チップから粘着テープ１を剥がした際に、糊残りが生じやすくなることが予測される。 On the other hand, when the adhesive layer 3 did not contain a curing agent (initiator or crosslinking agent) (Comparative Example 1 and Comparative Example 2), it was confirmed that the holding power of the adhesive tape 1 was extremely low. This is considered to be because the silicone-based pressure-sensitive adhesive was not cured when the pressure-sensitive adhesive layer 3 did not contain a curing agent.
And when such an adhesive tape 1 is used as an adhesive tape for dicing, after using the adhesive tape 1 for dicing of a semiconductor element board | substrate, when peeling the adhesive tape 1 from the obtained semiconductor chip, it is glue. It is predicted that the rest will easily occur.

また、粘着剤層３としてアクリル系の粘着剤を用いた場合（比較例３）には、粘着テープ１の粘着力および保持力は良好であるものの、半導体素子の封止樹脂として使用されるシリコーン樹脂に対する粘着力が著しく低いことが確認された。
このような粘着テープ１を、ダイシング用粘着テープとして半導体素子基板の封止樹脂側から貼り付けて用いた場合には、ダイシングを行う際に、粘着テープ１から半導体素子基板や半導体チップが剥がれやすくなり、半導体チップの飛散が生じやすくなることが予測される。 Further, when an acrylic adhesive is used as the adhesive layer 3 (Comparative Example 3), although the adhesive force and holding force of the adhesive tape 1 are good, silicone used as a sealing resin for semiconductor elements It was confirmed that the adhesive strength to the resin was extremely low.
When such an adhesive tape 1 is used as a dicing adhesive tape attached from the sealing resin side of the semiconductor element substrate, the semiconductor element substrate and the semiconductor chip are easily peeled off from the adhesive tape 1 when dicing is performed. Therefore, it is predicted that scattering of the semiconductor chip is likely to occur.

１…粘着テープ、２…基材、３…粘着剤層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive tape, 2 ... Base material, 3 ... Adhesive layer

Claims (6)

シリコーン樹脂からなる封止樹脂により封止された複数の半導体素子が形成された素子基板を、複数の半導体チップに分割する際に使用されるダイシング用粘着テープであって、
基材と、
前記基材上に積層され、硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層と
を備え、
前記素子基板に対して、前記封止樹脂側から貼り付けられて使用されることを特徴とするダイシング用粘着テープ。 A dicing adhesive tape used when dividing an element substrate formed with a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin made of silicone resin into a plurality of semiconductor chips,
A substrate;
And a pressure-sensitive adhesive layer that is laminated on the base material and includes a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent ,
A pressure-sensitive adhesive tape for dicing, which is used by being attached to the element substrate from the sealing resin side . 前記粘着剤層は、過酸化物硬化型シリコーン粘着剤と、過酸化物からなる開始剤とを含むことを特徴とする請求項１記載のダイシング用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive layer, and a peroxide curing type silicone adhesive, dicing adhesive tape according to claim 1, characterized in that it comprises an initiator comprising a peroxide. 前記開始剤の含有量が、前記過酸化物硬化型シリコーン粘着剤１００重量部に対して、０．０１重量部〜１５重量部の範囲であることを特徴とする請求項２記載のダイシング用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive for dicing according to claim 2 , wherein the content of the initiator is in the range of 0.01 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive. tape. 前記粘着剤層は、付加反応型シリコーン粘着剤と、架橋剤と、触媒とを含むことを特徴とする請求項１記載のダイシング用粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive layer, and the addition reaction-type silicone pressure-sensitive adhesive, a crosslinking agent, dicing adhesive tape according to claim 1, characterized in that it comprises a catalyst. 前記架橋剤の含有量が、前記付加反応型シリコーン粘着剤１００重量部に対して、０．０５重量部〜１０重量部の範囲であることを特徴とする請求項４記載のダイシング用粘着テープ。 The dicing pressure-sensitive adhesive tape according to claim 4 , wherein the content of the crosslinking agent is in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive. 複数の半導体素子が基板上に形成された素子基板の当該複数の半導体素子をシリコーン樹脂からなる封止樹脂で封止する封止工程と、
基材と硬化型のシリコーン系粘着剤および硬化剤を含む粘着剤層とを備える粘着テープを、前記素子基板に対して、前記封止樹脂側から貼り付ける貼付工程と、
前記粘着テープが貼り付けられた前記素子基板を、複数の半導体チップに切断する切断工程と、
前記複数の半導体チップから、前記粘着テープを剥がす剥離工程と
を含む半導体チップの製造方法。 A sealing step of sealing the plurality of semiconductor elements of the element substrate on which the plurality of semiconductor elements are formed on the substrate with a sealing resin made of silicone resin;
A sticking step of attaching a pressure-sensitive adhesive tape comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer containing a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent to the element substrate from the sealing resin side;
A cutting step of cutting the element substrate to which the adhesive tape is attached into a plurality of semiconductor chips;
A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: a peeling step of peeling the adhesive tape from the plurality of semiconductor chips.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6395597B2 (en) * 2014-12-25 2018-09-26 マクセルホールディングス株式会社 Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method
KR20190013128A (en) * 2017-07-31 2019-02-11 다우 실리콘즈 코포레이션 Silicone composition for temporary bonding adhesive, electronic article comprising cured body of the same, and manufacturing method thereof
WO2019124417A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-27 ダウ・東レ株式会社 Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device
TWI799618B (en) * 2018-09-03 2023-04-21 日商麥克賽爾股份有限公司 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor wafer
CN114846580A (en) 2019-12-19 2022-08-02 麦克赛尔株式会社 Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip
KR20220117234A (en) 2019-12-20 2022-08-23 맥셀 주식회사 Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip
CN113429930B (en) * 2021-07-13 2022-09-09 深圳市新泰盈电子材料有限公司 Addition type bi-component organic silicon pouring sealant and preparation method thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3961672B2 (en) * 1998-06-12 2007-08-22 リンテック株式会社 Manufacturing method of resin-encapsulated chip body
TW574739B (en) * 2001-02-14 2004-02-01 Nitto Denko Corp Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same
JP2005093503A (en) 2003-09-12 2005-04-07 Hitachi Cable Ltd Dicing method
JP2007100064A (en) * 2005-09-07 2007-04-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Pressure-sensitive adhesive tape for dicing
JP2009147201A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk Dicing sheet and method of manufacturing the same, and method of manufacturing electronic component
JP5473283B2 (en) * 2008-09-29 2014-04-16 リンテック株式会社 Semiconductor processing adhesive sheet and semiconductor processing tape
JP2011018669A (en) * 2009-07-07 2011-01-27 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing semiconductor wafer, and method for dicing semiconductor wafer using the same
JP4851613B2 (en) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for semiconductor wafer surface protection
CN102834900B (en) * 2010-03-31 2015-07-15 琳得科株式会社 Base film for dicing sheet, and dicing sheet
JP2012151761A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Nitto Denko Corp Surface protection adhesive tape for solid-state imaging device
JP2012169573A (en) * 2011-02-17 2012-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing die bond sheet and processing method of sapphire substrate for led
JP2013038408A (en) 2011-07-14 2013-02-21 Nitto Denko Corp Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film
CN103421434B (en) * 2012-05-14 2018-09-04 麦克赛尔控股株式会社 Plastic lens molding adhesive tape and plastic lens molding method

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