KR102331226B1 - Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents
Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip Download PDFInfo
- Publication number
- KR102331226B1 KR102331226B1 KR1020210029130A KR20210029130A KR102331226B1 KR 102331226 B1 KR102331226 B1 KR 102331226B1 KR 1020210029130 A KR1020210029130 A KR 1020210029130A KR 20210029130 A KR20210029130 A KR 20210029130A KR 102331226 B1 KR102331226 B1 KR 102331226B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive tape
- dicing
- sensitive adhesive
- pressure
- Prior art date
Links
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims description 34
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 22
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 29
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 47
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 45
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 45
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 18
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(tert-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(C)(C)C DMWVYCCGCQPJEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- JGDSPOCXKKSJTF-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)OOC1=CC(=C(C=C1C(C)C)C(C)C)OOC(C)(C)C Chemical compound C(C)(C)(C)OOC1=CC(=C(C=C1C(C)C)C(C)C)OOC(C)(C)C JGDSPOCXKKSJTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000007718 adhesive strength test Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- IZYBEMGNIUSSAX-UHFFFAOYSA-N methyl benzenecarboperoxoate Chemical compound COOC(=O)C1=CC=CC=C1 IZYBEMGNIUSSAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
밀봉 수지에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 소자 기판에 대하여 양호한 접착성을 가지는 다이싱용 점착 테이프 및 이것을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
점착 테이프(1)는, 밀봉 수지에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 소자 기판을, 복수의 반도체 칩으로 분할할 때에 사용되는 다이싱용의 점착 테이프(1)로서, 기재(2)와, 기재(2) 상에 적층되고, 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 포함하는 점착제층(3)을 구비하는 것을 특징으로 한다.It aims at providing the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element board|substrate on which the some semiconductor element sealed with sealing resin was formed, and the manufacturing method of the semiconductor chip using the same.
The adhesive tape 1 is an adhesive tape 1 for dicing used when dividing an element substrate on which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin were formed into a plurality of semiconductor chips, and includes a base material 2 and a base material. It is laminated on (2) and is characterized by comprising a pressure-sensitive adhesive layer (3) containing a curable silicone-based pressure-sensitive adhesive and a curing agent.
Description
본 발명은, 소자 기판의 다이싱에 이용되는 다이싱용 점착 테이프 및 다이싱용 점착 테이프를 사용한 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive tape for dicing used for dicing an element substrate, and a method for manufacturing a semiconductor chip using the adhesive tape for dicing.
종래, LED(light emitting diode) 등을 가지는 반도체 칩을 제조하기 위해 사용되는 다이싱용 점착 테이프로서, 아크릴계 수지로 이루어지는 접착제층을 가지는 점착 테이프가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, as an adhesive tape for dicing used for manufacturing the semiconductor chip which has LED (light emitting diode) etc., the adhesive tape which has the adhesive bond layer which consists of an acrylic resin is known (refer patent document 1).
또한, 다이싱용 점착 테이프를 사용하여 반도체 칩을 제조하는 방법으로서는, 복수의 반도체 소자가 형성된 반도체 소자 기판의 기판측에 점착 테이프를 부착하고, 다이서에 의해 반도체 소자 기판을 절단하는 방법이 알려져 있다(특허문헌 2 참조).Moreover, as a method of manufacturing a semiconductor chip using the adhesive tape for dicing, the method of attaching an adhesive tape to the board|substrate side of a semiconductor element board|substrate on which a plurality of semiconductor elements was formed, and cutting a semiconductor element board|substrate with a dicer is known. (See Patent Document 2).
그런데, 최근, 반도체 소자 기판을 절단하여 반도체 칩을 제조하는 경우에, 반도체 소자 기판의 기판측이 아닌 밀봉 수지측에 점착 테이프를 부착하여 다이싱을 행하는 기술이 제안되고 있다.By the way, in recent years, when cutting a semiconductor element substrate and manufacturing a semiconductor chip, the technique of dicing by attaching an adhesive tape to the sealing resin side rather than the board|substrate side of a semiconductor element substrate has been proposed.
이와 같이, 반도체 소자 기판에 대하여 밀봉 수지측으로 점착 테이프를 부착한 경우, 점착력이 부족하여, 반도체 칩의 비산(飛散) 등이 생기는 경우가 있었다.Thus, when the adhesive tape was affixed to the sealing resin side with respect to a semiconductor element board|substrate, adhesive force was insufficient and the scattering of a semiconductor chip, etc. may arise.
본 발명은, 밀봉 수지에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 소자 기판에 대하여 양호한 점착성을 가지는 다이싱용 점착 테이프 및 이것을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to provide the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element board|substrate on which the some semiconductor element sealed with sealing resin was formed, and the manufacturing method of the semiconductor chip using the same.
관련된 목적을 토대로, 본 발명의 다이싱용 점착 테이프는, 밀봉 수지에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 소자 기판을, 복수의 반도체 칩으로 분할할 때에 사용되는 다이싱용 점착 테이프로서, 기재와, 상기 기재상에 적층되고, 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 포함하는 점착제층을 구비하는 것을 특징으로 한다.Based on the related object, the adhesive tape for dicing of the present invention is an adhesive tape for dicing used when dividing an element substrate on which a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin are formed into a plurality of semiconductor chips, the adhesive tape for dicing comprising: It is laminated on the substrate, characterized in that it is provided with a pressure-sensitive adhesive layer comprising a curable silicone-based pressure-sensitive adhesive and a curing agent.
여기에서, 상기 소자 기판에 대하여, 실리콘 수지로 이루어지는 상기 밀봉 수지측으로 부착되어 사용되는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 점착제층은, 과산화물 경화형 실리콘 점착제와, 과산화물로 이루어지는 개시제를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 개시제의 함유량이, 상기 과산화물 경화형 실리콘 점착제 100중량부에 대하여, 0.01중량부∼15중량부의 범위인 것을 특징으로 할 수 있다. 게다가 또한, 상기 점착제층은, 부가 반응형 실리콘 점착제와, 가교제와, 촉매를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 가교제의 함유량이, 상기 부가 반응형 실리콘 점착제 100중량부에 대하여, 0.05중량부∼10중량부의 범위인 것을 특징으로 할 수 있다.Here, with respect to the element substrate, it may be characterized in that it is used by being attached to the sealing resin side made of a silicone resin. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer may include a peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive and an initiator made of a peroxide. In addition, the content of the initiator may be characterized in that it is in the range of 0.01 parts by weight to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone adhesive. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer may include an addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, a crosslinking agent, and a catalyst. In addition, the content of the crosslinking agent may be characterized in that it is in the range of 0.05 parts by weight to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition-reactive silicone adhesive.
또한 본 발명을 반도체 칩의 제조 방법으로서 보면, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 복수의 반도체 소자가 기판상에 형성된 소자 기판의 당해 복수의 반도체 소자를 실리콘 수지로 이루어지는 밀봉 수지로 밀봉하는 밀봉 공정과, 기재와 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 포함하는 점착제층을 구비하는 점착 테이프를, 상기 소자 기판에 대하여, 상기 밀봉 수지측으로 부착하는 부착 공정과, 상기 점착 테이프가 부착된 상기 소자 기판을, 복수의 반도체 칩으로 절단하는 절단 공정과, 상기 복수의 반도체 칩으로부터, 상기 점착 테이프를 떼어내는 박리 공정을 포함한다.Further, when the present invention is viewed as a method for manufacturing a semiconductor chip, the method for manufacturing a semiconductor chip of the present invention includes sealing in which the plurality of semiconductor elements of an element substrate on which a plurality of semiconductor elements are formed on a substrate are sealed with a sealing resin made of a silicone resin. a step of attaching an adhesive tape comprising a base material, a pressure-sensitive adhesive layer comprising a curable silicone pressure-sensitive adhesive and a curing agent to the device substrate toward the sealing resin; A cutting step of cutting into a plurality of semiconductor chips, and a peeling step of removing the adhesive tape from the plurality of semiconductor chips are included.
본 발명에 의하면, 밀봉 수지에 의해 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 소자 기판에 대하여 양호한 점착성을 가지는 다이싱용 점착 테이프 및 이것을 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive tape for dicing which has favorable adhesiveness with respect to the element board|substrate in which the some semiconductor element sealed with the sealing resin was formed, and the manufacturing method of the semiconductor chip using this can be provided.
도 1은, 본 실시형태가 적용되는 점착 테이프의 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2의 (a)∼(d)는, 본 실시형태가 적용되는 점착 테이프를 사용한 반도체 칩의 제조 방법을 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which showed an example of the structure of the adhesive tape to which this embodiment is applied.
2(a)-(d) is a figure which showed the manufacturing method of the semiconductor chip using the adhesive tape to which this embodiment is applied.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described.
[점착 테이프의 구성][Composition of adhesive tape]
도 1은, 본 실시형태가 적용되는 점착 테이프(1)의 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 밀봉 수지로 밀봉된 복수의 반도체 소자가 형성된 반도체 소자 기판의 다이싱의 용도로 사용된다. 구체적으로는, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 반도체 소자 기판에 대하여, 실리콘계 수지로 이루어지는 밀봉 수지측으로 부착함으로써, 다이싱에 사용된다. 또한, 점착 테이프 (1)의 사용 방법에 대해서는, 후단에서 상세하게 설명한다.1 : is a figure which showed an example of the structure of the
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 기재(2)와 점착제층(3)이 적층된 구조를 가지고 있다.As shown in FIG. 1, the
또한, 도시는 생략하나, 점착 테이프(1)는, 기재(2)와 점착제층(3)의 사이에 필요에 따라 앵커 코트층을 구비하고 있어도 된다. 또한, 기재(2)의 표면(점착제층(3)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 점착제층(3)의 표면(기재(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에, 박리 라이너를 구비하고 있어도 된다.In addition, although illustration is abbreviate|omitted, the
<기재><Reference>
본 실시형태의 점착 테이프(1)에 이용하는 기재(2)의 재료는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 금속제, 플라스틱제 등을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 기재(2)로서, 예를 들면, 스테인리스 스틸, 연질 알루미늄 등의 금속 박이나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 2축연신 폴리프로필렌, 폴리이미드, 아라미드, 폴리시클로올레핀, 불소계 수지 등의 수지 필름을 이용할 수 있다. 또한, 용도에 따라 기재(2)에는, 예를 들면, 알루미늄 박과 수지 필름을 라미네이트한 복합 필름, 알루미나, 이산화규소 등의 금속 산화물 박막을 수지 필름의 표면에 형성한 복합 필름 및 이들의 복합 필름을 추가로 수지 필름과 라미네이트한 복합 필름 등을 이용해도 된다.The material of the
이 중에서도, 기재(2)로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 주성분으로 하는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.Among these, as the
<점착제층><Adhesive layer>
본 실시형태의 점착제층(3)은, 경화형의 실리콘계 점착제와, 이 실리콘계 점착제를 경화시키기 위한 경화제를 포함하여 구성되어 있다. 또한, 점착제층(3)은, 필요에 따라, 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.The
점착제층(3)의 두께는, 5㎛∼50㎛의 범위가 바람직하고, 20㎛∼40㎛의 범위가 보다 바람직하다. 점착제층(3)의 두께가 5㎛ 미만인 경우에는, 점착제층(3)에 포함되는 실리콘계 점착제가 얇아지기 때문에, 점착 테이프(1)의 점착력이 저하되기 쉽다. 한편, 점착제층(3)의 두께가 50㎛보다 두꺼운 경우에는, 점착제층(3)의 응집 파괴가 발생하기 쉬워지며, 이와 같은 점착 테이프(1)를 이용한 경우에는, 점착 테이프(1)를 떼어냈을 때에, 점착제가 피착물에 부착된 채 남아 있는 점착제 잔류(adhesive residue)가 생기기 쉬워진다.The range of 5 micrometers - 50 micrometers is preferable, and, as for the thickness of the
여기에서, 본 실시형태의 점착제층(3)에서는, 경화형의 실리콘계 점착제로서, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 또는 부가 반응형 실리콘계 점착제를 이용할 수 있다.Here, in the pressure-sensitive
이하, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제를 이용하는 경우를 점착제층(3)의 제 1 형태, 부가 반응형 실리콘계 점착제를 이용하는 경우를 점착제층(3)의 제 2 형태로 하여, 순서대로 설명한다.Hereinafter, the case of using a peroxide-curable silicone adhesive is set as the 1st form of the
〔제 1 형태〕[First form]
제 1 형태의 점착제층(3)은, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제와, 과산화물로 구성되는 개시제(경화제)를 포함하여 구성된다.The pressure-sensitive
(과산화물 경화형 실리콘계 점착제)(Peroxide-curable silicone adhesive)
과산화물 경화형 실리콘계 점착제는, 예를 들면, 폴리디메틸실록산 등의 오르가노폴리실록산과 오르가노폴리실록산 공중합체 레진의 오르가노폴리실록산 혼합물을 주제(主劑)로 한 점착제이다.The peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive is, for example, an pressure-sensitive adhesive based on an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane and an organopolysiloxane mixture of an organopolysiloxane copolymer resin.
과산화물 경화형 실리콘계 점착제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교 주식회사제의 KR100, KR101-10, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제의 YR3340, YR3286, PSA610-SM, XR37-B6722, 도레이·다우코닝 주식회사제의 SH4280 등을 이용할 수 있다.Although it does not specifically limit as a peroxide hardening type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KR100, KR101-10, Momentive Performance Materials YR3340, YR3286, PSA610-SM, XR37-B6722, SH4280 by Toray Dow Corning Co., Ltd., etc. can be used.
(개시제)(initiator)
과산화물로 이루어지는 개시제로서는, 유기 과산화물이 이용된다. 개시제로서 이용되는 유기 과산화물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 벤조일퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 1,1'-디-t-부틸퍼옥시-3,3,5-트리메틸렌시클로헥산, 1,3-디-(t-부틸퍼옥시)-디이소프로필벤젠 등을 들 수 있으며, 시판품으로서는, 예를 들면, 니치유 주식회사제의 나이퍼 K40 등을 들 수 있다.As the initiator made of peroxide, an organic peroxide is used. Although it does not specifically limit as an organic peroxide used as an initiator, For example, benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)hexane, 1,1' -di-t-butylperoxy-3,3,5-trimethylenecyclohexane, 1,3-di-(t-butylperoxy)-diisopropylbenzene, etc. are mentioned, As a commercial item, for example, , Nichiyu Co., Ltd. Kniper K40, etc. are mentioned.
(함유량)(content)
여기에서, 제 1 형태의 점착제층(3)에 있어서의 개시제(유기 과산화물)의 함유량은, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.01중량부∼15중량부의 범위가 바람직하고, 0.05중량부∼10중량부의 범위가 보다 바람직하며, 0.05중량부∼3.5중량부의 범위가 더욱 바람직하다.Here, as for content of the initiator (organic peroxide) in the
과산화물 경화형 실리콘계 점착제에 대한 개시제의 함유량을 상술한 범위로 함으로써, 점착제층(3)의 점착력 및 유지력을, 다이싱용의 점착 테이프(1)로 하여 바람직한 범위로 할 수 있다.By making content of the initiator with respect to a peroxide-curable silicone adhesive into the above-mentioned range, the adhesive force and holding power of the
한편, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제에 대한 개시제의 함유량이 과도하게 작은 경우에는, 점착제층(3)에 있어서 과산화물 경화형 실리콘계 점착제가 충분히 경화되지 않아, 원하는 점착력이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제가 충분히 경화되지 않은 경우에는, 점착제층(3)에 있어서 응집 파괴가 생기기 쉬워진다. 이 결과, 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판의 다이싱에 사용한 후, 얻어진 반도체 칩으로부터 점착 테이프(1)를 떼어냈을 때에, 점착제 잔류가 생기기 쉬워진다.On the other hand, when content of the initiator with respect to a peroxide-curable silicone adhesive is too small, in the
과산화물 경화형 실리콘계 점착제에 대한 개시제의 함유량이 과도하게 큰 경우에는, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제의 경화 반응이 너무 진행되기 때문에, 점착제층(3)이 경화되어, 점착 테이프(1)의 점착력이 저하되기 쉬워진다. 그리고, 이 점착 테이프(1)를 다이싱에 사용한 경우에는, 반도체 소자 기판을 절단할 때에, 절단편(片)인 반도체 칩이 점착 테이프(1)로부터 떨어져 비산하기 쉬워진다.When the content of the initiator with respect to the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the curing reaction of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive proceeds too much, so the pressure-sensitive
〔제 2 형태〕[Second form]
계속하여, 제 2 형태의 점착제층(3)은, 실리콘계 점착제로서 부가 반응형 실리콘계 점착제를 포함함과 함께, 경화제로서, 가교제 및 촉매를 포함하여 구성된다. 또한, 제 2 형태의 점착제층(3)에는, 부가 반응형 실리콘계 점착제의 급격한 부가 반응의 진행을 억제하기 위한 반응 제어재(材)를 포함하여 구성해도 된다.Then, the
(부가 반응형 실리콘계 점착제)(Addition reaction type silicone adhesive)
부가 반응형 실리콘계 점착제는, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 함유하는 폴리디메틸실록산 등의 오르가노폴리실록산을 주제로 한 점착제이다. 또한, 부가 반응형 실리콘계 점착제에 포함되는 오르가노폴리실록산의 분자 구조로서는, 예를 들면, 직쇄형, 일부 분지(分枝)를 가지는 직쇄형, 분지쇄형, 망상(網狀)이 예시된다.The addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is an pressure-sensitive adhesive based on an organopolysiloxane such as polydimethylsiloxane containing at least two silicon atom-bonded alkenyl groups in one molecule. Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane contained in the addition-reaction silicone pressure-sensitive adhesive include linear, partially branched, linear, branched, and network.
또한, 부가 반응형 실리콘계 점착제에 포함되는 오르가노폴리실록산이 함유하는 알케닐기로서는, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기가 예시되며, 특히, 비닐기인 것이 바람직하다.Further, examples of the alkenyl group contained in the organopolysiloxane contained in the addition-reactive silicone pressure-sensitive adhesive include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group, and in particular, a vinyl group is preferable.
부가 반응형 실리콘계 점착제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교 주식회사제의 KR3700, KR3701, X-40-3237-1, X-40-3240, X-40-3291-1, X-40-3229, X-40-3270, X-40-3306, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제의 TSR1512, TSR1516, XR37-B9204, 도레이·다우코닝 주식회사제의 SD4580, SD4584, SD4585, SD4586, SD4587, SD4560, SD4570, SD4600PFC, SD4593, DC7651ADHESIVE 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an addition reaction type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. product KR3700, KR3701, X-40-3237-1, X-40-3240, X-40-3291-1, X-40-3229, X-40-3270, X-40-3306, Momentive Performance Materials Corporation TSR1512, TSR1516, XR37-B9204, Toray Dow Corning Corporation SD4580, SD4584, SD4585, SD4586, SD4587, SD4560, SD4570, SD4600PFC, SD4593, DC7651ADHESIVE, and the like.
(가교제)(crosslinking agent)
부가 반응형 실리콘계 점착제의 반응에는, 가교제로서, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 가지는 오르가노폴리실록산이 사용된다.In the reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, as a crosslinking agent, an organopolysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule is used.
가교제로서 사용되는 오르가노폴리실록산의 분자 구조로서는, 예를 들면, 직쇄형, 일부 분지를 가지는 직쇄형, 분지쇄형, 고리 형상, 망상이 예시된다.Examples of the molecular structure of the organopolysiloxane used as the crosslinking agent include linear, partially branched, branched, cyclic, and network.
부가 반응형 실리콘계 점착제의 반응에 사용되는 가교제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교 주식회사제의 X-92-122, 도레이·다우코닝 주식회사제의 BY24-741 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a crosslinking agent used for reaction of the addition reaction type silicone adhesive, For example, X-92-122 by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., BY24-741 by Toray Dow Corning, etc. are mentioned. have.
(촉매)(catalyst)
부가 반응형 실리콘계 점착제의 반응에는, 부가 반응형 실리콘계 점착제와 가교제의 부가 반응(히드로실릴화(hydrosilylation))에 의한 경화를 촉진시키기 위한 촉매가 사용된다.In the reaction of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive, a catalyst for accelerating curing by the addition reaction (hydrosilylation) of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive and the crosslinking agent is used.
촉매로서는, 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매 등의 주지된 히드로실릴화 반응용 촉매가 사용된다. 이들의 촉매 중, 특히, 백금 미분말, 백금흑, 백금담지 실리카미분말, 백금담지 활성탄, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금의 올레핀 착체, 백금의 알케닐실록산 착체 등의 백금계 촉매가 반응 속도가 양호하기 때문에 바람직하다.As a catalyst, well-known catalysts for hydrosilylation reactions, such as a platinum-type catalyst, a rhodium-type catalyst, and a palladium-type catalyst, are used. Among these catalysts, platinum-based catalysts, such as fine platinum powder, platinum black, fine platinum silica powder, platinum-supported activated carbon, chloroplatinic acid, an alcohol solution of chloroplatinic acid, platinum olefin complex, and platinum alkenylsiloxane complex, have a particularly high reaction rate. It is preferable because it is good.
부가 반응형 실리콘계 점착제의 반응에 사용되는 촉매로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교 주식회사제의 CAT-PL-50T, 도레이·다우코닝 주식회사제의 SRX-212Cat, NC-25 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a catalyst used for reaction of the addition reaction type silicone adhesive, For example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. CAT-PL-50T, Toray Dow Corning Co., Ltd. SRX-212Cat, NC-25 and the like.
(반응 제어제)(reaction control agent)
제 2 형태의 점착제층(3)에 있어서 필요에 따라 이용되는 반응 제어제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교 주식회사제의 CAT-PLR-2나, 도레이·다우코닝 주식회사제의 BY24-808 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a reaction control agent used as needed in the
(함유량)(content)
여기에서, 제 2 형태의 점착제층(3)에 있어서의 가교제의 함유량은, 부가 반응형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.05중량부∼10중량부의 범위가 바람직하고, 0.1중량부∼7중량부의 범위가 보다 바람직하며, 0.1중량부∼2중량부의 범위가 더욱 바람직하다.Here, as for content of the crosslinking agent in the
부가 반응형 실리콘계 점착제에 대한 가교제의 함유량을 상술한 범위로 함으로써, 점착제층(3)의 점착력 및 유지력을, 다이싱용의 점착 테이프(1)로 하여 바람직한 범위로 할 수 있다.By making content of the crosslinking agent with respect to the addition-reaction type silicone adhesive into the above-mentioned range, the adhesive force and holding power of the
한편, 부가 반응형 실리콘계 점착제에 대한 가교제의 함유량이 과도하게 작은 경우에는, 점착제층(3)에 있어서 가교 반응이 충분히 진행되지 않아, 원하는 점착력이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 부가 반응형 실리콘계 점착제의 가교 반응이 충분히 진행되지 않은 경우에는, 점착제층(3)에 있어서 응집 파괴가 생기기 쉬워진다. 이 결과, 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판의 다이싱에 사용한 후, 얻어진 반도체 칩으로부터 점착 테이프(1)를 떼어냈을 때에, 점착제 잔류가 생기기 쉬워진다.On the other hand, when content of the crosslinking agent with respect to the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive is too small, in the
또한, 부가 반응형 실리콘계 점착제에 대한 가교제의 함유량이 과도하게 큰 경우에는, 부가 반응형 실리콘계 점착제의 가교 반응이 너무 진행되기 때문에, 점착제층(3)이 경화되어, 점착 테이프(1)의 점착력이 저하되기 쉬워진다. 그리고, 이 점착 테이프(1)를 다이싱에 사용한 경우에는, 반도체 소자 기판을 절단할 때에, 절단편인 반도체 칩이 점착 테이프(1)로부터 떨어져 비산하기 쉬워진다.In addition, when the content of the crosslinking agent with respect to the addition-reaction silicone pressure-sensitive adhesive is excessively large, the crosslinking reaction of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive proceeds too much, so that the pressure-
또한, 제 2 형태의 점착제층(3)에 있어서의 촉매의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 부가 반응형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.01중량부∼5중량부 정도로 할 수 있다.In addition, content of the catalyst in the
<앵커 코트층><Anchor coat layer>
상술한 바와 같이, 본 실시형태의 점착 테이프(1)에서는, 점착 테이프(1)의 제조 조건이나 제조 후의 점착 테이프(1)의 사용 조건 등에 따라, 기재(2)와 점착제층(3)의 사이에, 기재의 종류에 맞춘 앵커 코트층을 설치하거나, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시하거나 해도 된다. 이것에 의해, 기재(2)와 점착제층(3)의 밀착력을 개선시키는 것이 가능하게 된다.As described above, in the pressure-sensitive
<표면 처리><Surface treatment>
기재(2)의 표면(점착제층(3)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 박리성 개량 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 기재(2)의 표면 처리에 이용되는 처리제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 장쇄(長鎖) 알킬비닐모노머 중합물, 불화알킬비닐모노머 중합물, 폴리비닐알콜 카르바메이트, 아미노알키드계 수지 등의 비실리콘계의 박리 처리제 등을 이용할 수 있다. 이와 같은 비실리콘계의 박리 처리제로서는, 예를 들면, 잇포샤유시 공업주식회사제의 피로일 1050, 피로일 1200 등을 들 수 있다.The surface (surface on the opposite side to the surface which opposes the adhesive layer 3) of the
<박리 라이너><Peel Liner>
또한, 점착제층(3)의 표면(기재(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 설치해도 된다. 박리 라이너로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 필름에, 점착제층(3)에 포함되는 실리콘계 점착제와의 이형성을 높이기 위한 박리 처리를 실시한 것을 이용할 수 있다. 박리 라이너의 박리 처리에 이용하는 재료로서는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 플루오로실리콘, 장쇄 알킬비닐모노머 중합물, 아미노알키드계 수지 등의 재료를 이용할 수 있다.In addition, you may provide a peeling liner on the surface (surface on the opposite side to the surface which opposes the base material 2) of the
<점착 테이프의 두께><Thickness of adhesive tape>
이상 설명한 바와 같은 구성을 가지는 점착 테이프(1)의 전체로서의 두께는, 20㎛∼200㎛의 범위가 바람직하다.As for the thickness as the whole of the
점착 테이프(1)의 두께가 20㎛보다 얇은 경우에는, 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판의 다이싱에 이용한 경우에, 형성된 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 잡아떼어내는 것이 곤란해지는 경우가 있다.When the thickness of the
또한, 점착 테이프(1)의 두께가 200㎛보다 두꺼운 경우에는, 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판의 밀봉 수지측으로 부착할 때에, 점착 테이프(1)가 밀봉 수지의 요철에 추종되기 어려워진다. 이 결과, 점착 테이프(1)와 밀봉 수지의 접착 면적이 작아져, 다이싱할 때에 반도체 칩이 비산하기 쉬워질 우려가 있다.Moreover, when the thickness of the
[점착 테이프의 제조 방법][Method for producing adhesive tape]
계속하여, 본 실시형태의 점착 테이프(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Then, the manufacturing method of the
또한, 상술한 제 1 형태의 과산화물 경화형 실리콘계 점착제를 포함하는 점착제층(3)을 가지는 점착 테이프(1)와, 제 2 형태의 부가 반응형 실리콘계 점착제를 포함하는 점착제층(3)을 가지는 점착 테이프(1)는, 동일한 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.In addition, the
점착 테이프(1)를 제조할 때에는, 먼저, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제에, 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 용해시켜, 점착제 용액을 얻는다. 계속하여, 이 점착제 용액을, 필요에 따라 표면 처리나 앵커 코트층의 형성을 행한 기재(2)의 표면에, 콤마 코터 등을 이용하여 소정의 두께가 되도록 도포한다.When manufacturing the
그리고, 점착제 용액이 도포된 기재(2)를, 60℃∼160℃의 온도에서, 수분∼수십분 정도 가열함으로써, 점착제 용액을 경화시켜, 점착제층(3)을 형성한다.And the adhesive solution is hardened|cured and the
이상의 공정에 의해, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기재(2) 상에 점착제층(3)이 적층된 점착 테이프(1)를 얻을 수 있다.By the above process, as shown in FIG. 1, the
[점착 테이프의 사용 방법][How to use the adhesive tape]
상술한 바와 같이, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 반도체 소자 기판의 다이싱에 이용된다. 여기에서, 반도체 소자 기판이란, 수지 등의 기판상에, LED(Light emitting diode) 등의 반도체 소자가 복수 형성된 것을 말한다. 또한, 이와 같은 반도체 소자 기판에서는, 통상, 반도체 소자를 온도나 습도 등의 외부 환경의 변화로부터 보호하기 위해, 반도체 소자를 덮도록 밀봉 수지가 설치된다.As mentioned above, the
반도체 소자 기판을 절단하여 복수의 반도체 칩을 얻기 위한 방법으로서는, 예를 들면 이하와 같은 방법이 종래, 알려져 있다.As a method for cutting a semiconductor element substrate to obtain a plurality of semiconductor chips, for example, the following methods are conventionally known.
먼저, 반도체 소자 기판의 기판측으로부터 다이싱용의 점착 테이프를 부착함과 함께, 다이서 등에 의해 반도체 소자 기판을 반도체 소자가 형성되는 측으로부터 절단한다. 그리고, 절단에 의해 형성된 각각의 반도체 칩을 점착 테이프로부터 잡아떼어냄으로써, 복수의 반도체 칩을 얻는다.First, while affixing the adhesive tape for dicing from the board|substrate side of a semiconductor element board|substrate, a dicer etc. cut|disconnect a semiconductor element board|substrate from the side in which a semiconductor element is formed. And a some semiconductor chip is obtained by peeling off each semiconductor chip formed by cutting|disconnection from an adhesive tape.
그러나, 이와 같이 반도체 소자 기판의 기판측으로부터 다이싱용의 점착 테이프를 부착하고, 반도체 소자 기판의 절단을 행한 경우, 절단면(반도체 칩의 기판 측면)에 결락(缺落)이 생기는 소위 처짐이 발생하거나, 절단면이 거칠어지거나 하는 등의 과제가 있다.However, when the semiconductor element substrate is cut by attaching the adhesive tape for dicing from the substrate side of the semiconductor element substrate in this way, so-called sagging occurs in the cut surface (the substrate side of the semiconductor chip), or sagging occurs. , there is a problem that the cut surface becomes rough.
그래서, 최근에는, 이와 같은 과제를 해결하기 위해, 반도체 소자 기판에 대하여, 기판측이 아닌, 반도체 소자가 형성되는 측, 즉 반도체 소자를 밀봉하는 밀봉 수지측으로 다이싱용의 점착 테이프를 부착하고, 반도체 소자 기판을 절단하는 방법이 제안되어 있다.Then, in recent years, in order to solve such a problem, with respect to the semiconductor element substrate, the adhesive tape for dicing is affixed not to the board|substrate side, but to the side where a semiconductor element is formed, ie, the sealing resin side which seals a semiconductor element, and a semiconductor A method for cutting a device substrate has been proposed.
여기에서, 종래, 반도체 소자 기판을 절단하기 위해 사용되는 다이싱용의 점착 테이프로서는, 예를 들면 아크릴수지로 구성되는 점착제층을 가지는 것이 사용되고 있다.Here, conventionally, as an adhesive tape for dicing used in order to cut|disconnect a semiconductor element board|substrate, what has an adhesive layer comprised from an acrylic resin is used, for example.
그러나, 이와 같은 종래의 점착 테이프를, 반도체 소자 기판의 반도체 소자가 형성되는 측(밀봉 수지측)으로 부착하여 반도체 소자 기판의 다이싱을 행하면, 예를 들면, 밀봉 수지와 점착 테이프의 점착력이 불충분한 경우에는, 다이싱 시에 반도체 칩이 비산하는 등의 문제가 생길 우려가 있다.However, when dicing the semiconductor element substrate by attaching such a conventional adhesive tape to the side where the semiconductor element is formed (sealing resin side) of the semiconductor element substrate, for example, the adhesive force between the sealing resin and the adhesive tape is insufficient. In one case, there is a fear that a problem such as scattering of the semiconductor chip during dicing may occur.
그런데, LED 등의 반도체 소자용의 밀봉 수지로서는, 최근에는, 실리콘 수지를 이용하는 경우가 많다. 즉, 종래, 반도체 소자용의 밀봉 수지로서는, 전기 특성이나 내열성이 우수한 에폭시 수지가 이용되고 있으나, 에폭시 수지는, 단파장의 LED나 고출력의 LED에 사용한 경우에 변색되기 쉬운 등의 문제가 있다. 이것에 대해, 실리콘 수지는, 에폭시 수지와 비교하여 열이나 광에 의한 변색이 일어나기 어렵기 때문이다.By the way, as sealing resin for semiconductor elements, such as LED, silicone resin is used in many cases in recent years. That is, conventionally, an epoxy resin excellent in electrical properties and heat resistance has been used as a sealing resin for semiconductor elements, but epoxy resins have problems such as being liable to discolor when used in short-wavelength LEDs or high-output LEDs. On the other hand, it is because discoloration by a heat|fever or light does not occur easily in a silicone resin compared with an epoxy resin.
그러나, 실리콘 수지는, 예를 들면 에폭시 수지 등과 비교하여 이형성이 높은 성질을 가지고 있다. 따라서, 밀봉 수지로서 실리콘 수지를 사용한 반도체 소자 기판에 대하여, 예를 들면 아크릴 수지계의 점착 테이프를 밀봉 수지측으로 부착한 경우에는, 밀봉 수지인 실리콘 수지와 점착 테이프의 접착력이 작아지기 쉽다. 이 결과, 반도체 소자 기판의 절단시에, 상술한 반도체 칩의 비산 등의 문제가 보다 생기기 쉬워진다.However, silicone resin has a property with high releasability compared with an epoxy resin etc., for example. Accordingly, when, for example, an acrylic resin adhesive tape is attached to the sealing resin side to a semiconductor element substrate using a silicone resin as the sealing resin, the adhesive force between the silicone resin as the sealing resin and the adhesive tape tends to be small. As a result, at the time of cutting|disconnecting a semiconductor element board|substrate, it becomes more easy to produce problems, such as scattering of the above-mentioned semiconductor chip.
이것에 대해, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 상술한 바와 같이, 점착제층(3)이 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 포함하여 구성됨으로써, 반도체 소자 기판의 다이싱을 행하는 경우에 밀봉 수지측으로 부착하여 사용한 경우이더라도, 반도체 소자 기판의 밀봉 수지와의 접착력을 양호하게 유지할 수 있다. 그리고, 종래의 점착 테이프와 비교하여, 반도체 소자 기판의 다이싱을 행하는 경우에, 반도체 칩의 비산 등의 발생을 억제할 수 있다.On the other hand, in the
이하, 본 실시형태의 점착 테이프(1)의 사용 방법 및 본 실시형태의 점착 테이프(1)를 사용한 반도체 칩의 제조 방법에 대하여, 상세하게 설명한다. 도 2의 (a)∼(d)는, 본 실시형태의 점착 테이프를 사용한 반도체 칩의 제조 방법을 나타낸 도면이다.Hereinafter, the usage method of the
또한, 이하에서 설명하는 방법은, 점착 테이프(1)를 이용한 반도체 칩의 제조 방법의 일례이며, 점착 테이프(1)의 사용 방법은, 이하의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 다이싱할 때에, 밀봉 수지로 밀봉된 복수의 반도체 소자를 가지는 반도체 소자 기판에 부착되는 것이라면, 이하의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.In addition, the method demonstrated below is an example of the manufacturing method of the semiconductor chip using the
본 실시형태에서는, 먼저, 예를 들면 수지 재료 등으로 이루어지는 기판(101) 상에, 복수의 반도체 소자(102)를 적재하고, 반도체 소자 기판(100)을 작성한다. 또한, 반도체 소자(102)는, 예를 들면 LED 소자이며, 도시는 생략하나, 예를 들면 통전에 의해 발광하는 발광층 등을 포함하는 복수의 반도체층이 적층되어 구성되며, 상부에는 전극이 형성되어 있다.In the present embodiment, first, a plurality of
다음으로, 반도체 소자 기판(100)의 기판(101) 상에 형성된 복수의 반도체 소자(102)를, 실리콘계 수지로 이루어지는 밀봉 수지(103)로 밀봉한다(밀봉 공정). 또한, 이 예에서는, 복수의 반도체 소자(102)를 밀봉 수지(103)에 의해 모아 밀봉하고 있으나, 개개의 반도체 소자(102)를, 밀봉 수지(103)에 의해 개별적으로 밀봉해도 된다.Next, the plurality of
계속하여, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(1)의 점착제층(3)이 반도체 소자 기판(100)의 밀봉 수지(103)와 대향하도록, 점착 테이프(1)와 반도체 소자 기판(100)을 맞붙인다(부착 공정).Then, as shown to Fig.2 (a), the
이어서, 도 2의 (b)(c)에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(1)와 반도체 소자 기판(100)을 맞붙인 상태에서, 절단 예정 라인(X)을 따라, 반도체 소자 기판(100)을 다이서 등에 의해 절단한다(절단 공정). 이 예에서는, 점착 테이프(1)가 부착된 반도체 소자 기판(100)을, 기판(101) 측으로부터 절단하고 있다. 또한, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 이 예에서는, 반도체 소자 기판(100)을 전부 깊숙이 베는 소위 풀 컷트를 행하고 있다.Next, as shown in (b) (c) of FIG. 2 , in a state where the
계속하여, 반도체 소자 기판(100)을 절단함으로써 형성된 반도체 칩(200)을 점착 테이프(1)로부터 떼어냄(픽업함)으로써, 도 2의 (d)에 나타낸 바와 같이, 개편화(個片化)된 반도체 칩(200)을 얻을 수 있다(박리 공정).Then, the
상술한 바와 같이, 본 실시형태의 점착 테이프(1)에서는, 점착제층(3)이 경화형의 실리콘계 점착제와 경화제를 포함하여 구성된다. 이것에 의해, 점착 테이프(1)를 다이싱에 사용하는 경우에, 반도체 소자 기판(100)의 밀봉 수지(103) 측으로 부착된 경우이더라도, 반도체 소자 기판(100)과 점착 테이프(1)의 접착력을 양호하게 유지하는 것이 가능하게 된다.As described above, in the pressure-sensitive
특히, 최근에는, 반도체 소자(102)를 밀봉하는 밀봉 수지(103)로서 이형성이 높은 실리콘 수지를 사용하는 것이 많으나, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 상술한 구성을 가짐으로써, 실리콘 수지로 이루어지는 밀봉 수지(103)에 대해서도 양호한 접착력을 가진다.In particular, in recent years, as the sealing
이 결과, 본 실시형태의 점착 테이프(1)는, 반도체 소자 기판(100)의 다이싱에 사용한 경우에, 반도체 칩(200)의 비산을 억제할 수 있다.As a result, when the
또한, 본 실시형태의 점착 테이프(1)의 점착제층(3)에 포함되는 경화형의 실리콘계 점착제는, 상술한 바와 같이 밀봉 수지(103)와 양호한 점착력을 가지는 한편, 이형성이 높은 성질을 가지고 있다. 이것에 의해, 본 실시형태에서는, 반도체 소자 기판(100)의 다이싱에 의해 얻어진 반도체 칩(200)을 점착 테이프(1)로부터 떼어낼 때에, 반도체 칩(200)에 점착제가 부착되는 소위 점착제 잔류의 발생을 억제할 수 있다.Moreover, while the curable silicone adhesive contained in the
또한, 통상, 예를 들면 점착제층이 아크릴계의 점착제로 구성되는 점착 테이프를 반도체 소자 기판의 다이싱에 이용하는 경우, 절단 후의 반도체 칩을 점착 테이프로부터 잡아떼어낼 때에는, 미리 점착 테이프에 대하여 자외선을 조사하여, 점착제층의 점착성을 잃게 할 필요가 있다. 한편, 본 실시형태의 점착 테이프(1)의 경우에는, 자외선을 조사하는 공정을 행하지 않고, 반도체 칩(200)을 점착 테이프(1)로부터 떼어내는 것이 가능하다.In addition, usually, for example, when an adhesive tape in which the adhesive layer is composed of an acrylic adhesive is used for dicing of a semiconductor element substrate, when the semiconductor chip after cutting is removed from the adhesive tape, the adhesive tape is irradiated with ultraviolet rays in advance. Therefore, it is necessary to lose the adhesiveness of an adhesive layer. On the other hand, in the case of the
따라서, 본 실시형태의 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판(100)의 다이싱에 사용함으로써, 반도체 칩(200)의 제조 공정을 간이화하는 것이 가능해지고 있다.Therefore, by using the
[실시예][Example]
계속하여, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 한층 더 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Subsequently, the present invention will be further specifically described using Examples and Comparative Examples. In addition, this invention is not limited to a following example.
본 발명자는, 점착제층(3)으로서 과산화물 경화형 실리콘계 점착제를 이용한 제 1 형태 및 점착제층(3)으로서 부가 반응형 실리콘계 점착제를 이용한 제 2 형태의 각각에 대하여, 경화제(개시제, 가교제)의 첨가량을 다르게 하여 점착 테이프(1)의 제조를 행하고, 제조한 점착 테이프(1)의 평가를 행하였다.The present inventors, with respect to each of the first aspect using a peroxide curing type silicone pressure sensitive adhesive as the pressure sensitive
이하, 각 실시예 및 각 비교예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each Example and each comparative example is demonstrated in detail.
1. 점착 테이프(1)의 제조1. Preparation of adhesive tape (1)
(실시예 1∼실시예 4)(Examples 1 to 4)
톨루엔에, 오르가노폴리실록산으로 이루어지는 과산화물 경화형 실리콘계 점착제(신에츠가가쿠고교 주식회사제 KR101-1)와, 메틸과산화벤조일로 이루어지는 개시제(니치유 주식회사제 나이퍼 K40)를 용해시켜, 점착제 용액을 조제하였다. 또한, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 및 개시제의 함유량은, 표 1에 나타낸 바와 같이 조제하였다.In toluene, a peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive composed of organopolysiloxane (KR101-1 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and an initiator composed of methylbenzoyl peroxide (Niper K40 manufactured by Nichiyu Corporation) were dissolved to prepare an adhesive solution. In addition, content of a peroxide hardening type silicone adhesive and an initiator was prepared as shown in Table 1.
계속하여, 이 점착제 용액을, 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름으로 이루어지는 기재(2) 상에 도포한 후, 160도의 온도에서 3분간, 가열함으로써, 두께 30㎛의 점착제층(3)을 형성하고, 총 두께 105㎛의 점착 테이프(1)를 얻었다.Subsequently, after apply|coating this adhesive solution on the
(실시예 5∼8)(Examples 5 to 8)
톨루엔에, 분자 내에 비닐 실릴기를 가지는 오르가노폴리실록산으로 이루어지는 부가 반응형 실리콘계 점착제(신에츠가가쿠고교 주식회사제 X-40-3237-1)와, 백금 금속계 촉매(신에츠가가쿠고교 주식회사제 CAT-PL-50T)와, 분자 내에 히드로실릴기를 가지는 오르가노폴리실록산으로 이루어지는 가교제(신에츠가가쿠고교 주식회사제 X-92-122)를 용해시켜, 점착제 용액을 조제하였다. 또한, 부가 반응형 실리콘계 점착제, 촉매 및 가교제의 함유량은, 표 1에 나타낸 바와 같이 조제하였다.An addition-reaction silicone pressure-sensitive adhesive (X-40-3237-1 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) comprising an organopolysiloxane having a vinyl silyl group in its molecule to toluene, and a platinum metal catalyst (CAT-PL- manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 50T) and a crosslinking agent (X-92-122 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) composed of an organopolysiloxane having a hydrosilyl group in the molecule was dissolved to prepare an adhesive solution. In addition, content of the addition-reaction type silicone adhesive, a catalyst, and a crosslinking agent was prepared as shown in Table 1.
계속하여, 이 점착제 용액을, 두께 75㎛의 PET 필름으로 이루어지는 기재(2) 상에 도포한 후, 120도의 온도에서 3분간, 가열함으로써, 두께 30㎛의 점착제층(3)을 형성하고, 총 두께 105㎛의 점착 테이프(1)를 얻었다.Then, after apply|coating this adhesive solution on the
(비교예 1)(Comparative Example 1)
점착제층(3)에 있어서의 개시제의 함유량을 0으로 한 것 이외에는, 실시예 1∼실시예 4와 동일하게 하여, 점착 테이프(1)를 얻었다.Except having made content of the initiator in the
(비교예 2)(Comparative Example 2)
점착제층(3)에 있어서의 가교제의 함유량을 0으로 한 것 이외에는, 실시예 5∼실시예 8과 동일하게 하여, 점착 테이프(1)를 얻었다.Except having made content of the crosslinking agent in the
(비교예 3)(Comparative Example 3)
점착제층(3)으로서, 아크릴계의 점착제를 이용한 것 이외에는, 실시예 1∼8과 동일하게 하여, 점착 테이프(1)를 얻었다.As the adhesive layer (3), except having used the acrylic adhesive, it carried out similarly to Examples 1-8, and obtained the adhesive tape (1).
2. 평가 방법2. Evaluation method
계속하여, 점착 테이프(1)의 평가 방법에 대하여 설명한다.Then, the evaluation method of the
(1)대(對) 연마 SUS 점착력 시험(1) vs. polished SUS adhesion test
상술한 방법으로 제조한 점착 테이프(1)에 대하여, JIS Z 0237(2000)에 기재된 방법에 준거하여, 대 연마 SUS 점착력 시험(박리 점착력 시험)을 행하였다.About the
구체적으로는, 점착 테이프(1)를 내수(耐水)연마지로 연마한 스테인리스판(SUS 304)에 부착하고, 질량 2000g의 롤러를 5mm/s의 속도로 1왕복 시켜, 압착하였다. 계속하여, 20∼40분 방치한 후, 인장시험기를 이용하여, 스테인리스판에 대하여 180°방향으로 5mm/s의 속도로 박리하여, 연마 SUS판에 대한 점착력을 측정하였다.Specifically, the
(2)유지력 시험(2) Holding force test
제조한 점착 테이프(1)에 대하여, 유지력 시험을 행하였다.About the manufactured
구체적으로는, 점착 테이프(1)를, 내수연마지로 연마한 스테인리스판(SUS 304)에 부착하고, 소정의 추를 장착한 상태에서 40℃의 조건하에서 24시간 유지한 경우의 어긋남량(mm)을 측정하였다. 여기에서, 다이싱용 점착 테이프로서는, 유지력 시험에서 측정되는 어긋남량이 25mm 이하인 것이 바람직하다.Specifically, the amount of deviation (mm) when the
또한, 24시간을 경과하기 전에 점착 테이프(1)가 스테인리스판으로부터 박리되어 낙하한 경우에는, 측정 개시로부터 점착 테이프(1)가 박리될 때까지의 경과 시간(분)을 측정하였다. 또한, 표 1에 있어서 유지력 시험의 ↓의 표시는, 24시간을 경과하기 전에 점착 테이프(1)가 스테인리스판으로부터 어긋나 낙하한 것을 의미한다.In addition, when the
(3)대 실리콘 수지 점착력 시험(3) vs. silicone resin adhesion test
제조한 점착 테이프(1)에 대하여, 상술한 점착력 시험의 방법에 준거하여, 대 실리콘 수지 점착력 시험을 행하였다.With respect to the prepared adhesive tape (1), a test for adhesive strength against silicone resin was performed in accordance with the method of the above-described adhesive strength test.
구체적으로는, 점착 테이프(1)를, 실리콘 수지를 도포한 판에 부착하고, 질량 2000g의 롤러를 5mm/s의 속도로 1왕복시켜, 압착하였다. 계속하여, 20∼40분 방치한 후, 인장시험기를 이용하여, 실리콘 수지를 도포한 판에 대하여 180°방향으로 5mm/s의 속도로 박리하여, 실리콘 수지에 대한 점착력을 측정하였다.Specifically, the
또한, 본 시험에 있어서 점착 테이프(1)를 부착한 판에 도포된 실리콘 수지로서는, LED 밀봉제용의 실리콘 수지를 이용하였다.In addition, as a silicone resin apply|coated to the board to which the
3. 평가 결과3. Evaluation results
실시예 1∼실시예 8 및 비교예 1∼비교예 3의 점착 테이프(1)에 대한 평가 결과에 대하여, 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the evaluation result about the
표 1에 나타낸 바와 같이, 점착제층(3)을, 경화형의 실리콘계 점착제와 경화제를 포함하여 구성한 경우(실시예 1∼실시예 8)에는, 점착 테이프(1)의 점착력, 유지력 및 대 실리콘 수지 점착력이 모두 바람직한 범위인 것이 확인되었다.As shown in Table 1, in the case where the pressure-
이것에 의해, 점착제층(3)을 경화형의 실리콘계 점착제와 경화제를 포함하여 구성한 점착 테이프(1)는, 반도체 소자 기판의 밀봉 수지측으로 부착하여 다이싱에 사용하는 다이싱용 점착 테이프로서 유용한 것이 확인되었다.Thereby, it was confirmed that the
계속하여, 실시예 1∼실시예 8 중, 실리콘계 점착제로서 과산화물 경화형 실리콘계 점착제를 이용한 경우(실시예 1∼실시예 4)를 비교하면, 과산화물로 이루어지는 개시제의 함유량이, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.05중량부∼10중량부의 경우(실시예 1∼실시예 3)에, 점착 테이프(1)의 유지력이 보다 양호한 것이 확인되었다.Next, in Examples 1 to 8, when a peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone pressure-sensitive adhesive (Examples 1 to 4), the content of the initiator comprising a peroxide is 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive. In the case of 0.05 weight part - 10 weight part with respect to (Examples 1-3), it was confirmed that the holding force of the
또한, 개시제의 함유량이, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.05중량부∼3.5중량부의 경우(실시예 1, 실시예 2)에, 점착 테이프(1)의 대 실리콘 수지 점착력이 보다 양호한 것이 확인되었다.In addition, when the content of the initiator is 0.05 parts by weight to 3.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive (Examples 1 and 2), the
따라서, 실리콘계 점착제로서 과산화물 경화형 실리콘계 점착제를 이용한 경우에는, 과산화물로 이루어지는 개시제의 함유량이, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.05중량부∼10중량부의 범위가 보다 바람직하고, 0.05중량부∼3.5중량부의 범위가 더욱 바람직한 것이 확인되었다.Therefore, when a peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone pressure-sensitive adhesive, the content of the initiator made of a peroxide is more preferably in the range of 0.05 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the peroxide-curable silicone pressure-sensitive adhesive, and 0.05 to 3.5 parts by weight. It was confirmed that the range of parts by weight is more preferable.
또한, 실시예 1∼실시예 8 중, 실리콘계 점착제로서 부가 반응형 실리콘계 점착제를 이용한 경우(실시예 5∼실시예 8)를 비교하면, 가교제의 함유량이, 부가 반응형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.1중량부∼7중량부의 경우(실시예 5∼실시예 7)에, 점착 테이프(1)의 점착력 및 대 실리콘 수지 점착력이 보다 높고, 0.1중량부∼2중량부의 경우(실시예 5, 실시예 6)에, 점착 테이프(1)의 점착력 및 대 실리콘 수지 점착력이 한층 더 높은 것이 확인되었다.In Examples 1 to 8, when an addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive was used as the silicone pressure sensitive adhesive (Examples 5 to 8), the content of the crosslinking agent was found to be 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive. , in the case of 0.1 parts by weight to 7 parts by weight (Examples 5 to 7), the adhesive force of the
따라서, 실리콘계 점착제로서 부가 반응형 실리콘계 점착제를 이용한 경우에는, 가교제의 함유량이, 부가 반응형 실리콘계 점착제 100중량부에 대하여, 0.1중량부∼7중량부의 범위가 보다 바람직하고, 0.1중량부∼2중량부의 범위가 더욱 바람직한 것이 확인되었다.Therefore, when an addition-reaction silicone pressure-sensitive adhesive is used as the silicone pressure-sensitive adhesive, the content of the crosslinking agent is more preferably in the range of 0.1 parts by weight to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesive, and 0.1 parts by weight to 2 weight parts. It was confirmed that the negative range was more preferable.
이것에 대해, 점착제층(3)이 경화제(개시제 또는 가교제)를 포함하지 않은 경우(비교예 1, 비교예 2)에는, 점착 테이프(1)의 유지력이 현저하게 낮은 것이 확인되었다. 이것은, 점착제층(3)이 경화제를 포함하지 않은 경우에는, 실리콘계 점착제가 경화하지 않았기 때문이라고 생각된다.On the other hand, when the
그리고, 이와 같은 점착 테이프(1)를 다이싱용 점착 테이프로서 이용한 경우에는, 점착 테이프(1)를 반도체 소자 기판의 다이싱에 사용한 후, 얻어진 반도체 칩으로부터 점착 테이프(1)를 떼어냈을 때에, 점착제 잔류가 생기기 쉬워지는 것이 예측된다.And when such an
또한, 점착제층(3)으로서 아크릴계의 점착제를 이용한 경우(비교예 3)에는, 점착 테이프(1)의 점착력 및 유지력은 양호하기는 하나, 반도체 소자의 밀봉 수지로서 사용되는 실리콘 수지에 대한 점착력이 현저하게 낮은 것이 확인되었다.In addition, when an acrylic adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive layer 3 (Comparative Example 3), the adhesive strength and holding power of the
이와 같은 점착 테이프(1)를, 다이싱용 점착 테이프로서 반도체 소자 기판의 밀봉 수지측으로 부착하여 이용한 경우에는, 다이싱을 행할 때에, 점착 테이프(1)로부터 반도체 소자 기판이나 반도체 칩이 떨어지기 쉬워져, 반도체 칩의 비산이 생기기 쉬워지는 경우가 예측된다.When such an
1: 점착 테이프 2: 기재
3: 점착제층1: adhesive tape 2: base material
3: adhesive layer
Claims (5)
기재와,
상기 기재상에 적층되고, 경화형의 실리콘계 점착제 및 경화제를 포함하는 점착제층을 구비하고,
상기 점착제층은,
부가 반응형 실리콘 점착제와, 가교제와, 촉매를 포함하고, 상기 가교제의 함유량이, 상기 부가 반응형 실리콘 점착제 100중량부에 대하여, 0.1중량부∼2중량부의 범위이고,
상기 가교제가, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 가지는 오르가노폴리실록산이며,
상기 다이싱용 점착 테이프는, 상기 소자 기판에 대하여, 상기 실리콘 수지로 이루어지는 밀봉 수지측으로 부착되어 사용되는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 테이프.An adhesive tape for dicing used when dividing an element substrate having a plurality of semiconductor elements sealed with a sealing resin made of a silicone resin into a plurality of semiconductor chips, the adhesive tape comprising:
description and,
and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate and comprising a curable silicone-based pressure-sensitive adhesive and a curing agent;
The pressure-sensitive adhesive layer,
An addition reaction type silicone adhesive, a crosslinking agent, and a catalyst are included, wherein the content of the crosslinking agent is in the range of 0.1 parts by weight to 2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the addition reaction type silicone adhesive,
The crosslinking agent is an organopolysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule,
The adhesive tape for dicing is used by being attached to the sealing resin side made of the silicone resin with respect to the element substrate.
상기 부가 반응형 실리콘 점착제는, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산을 포함하는 점착제인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 테이프.The method of claim 1,
The addition-reaction type silicone pressure-sensitive adhesive is an pressure-sensitive adhesive comprising an organopolysiloxane containing at least two silicon atom-bonded alkenyl groups in one molecule.
상기 촉매가 백금 금속계 촉매인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 테이프.
4. The method of claim 1 or 3,
The adhesive tape for dicing, characterized in that the catalyst is a platinum metal-based catalyst.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013179008A JP6168553B2 (en) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method |
JPJP-P-2013-179008 | 2013-08-30 | ||
KR1020140107516A KR102226881B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-19 | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140107516A Division KR102226881B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-19 | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210031439A KR20210031439A (en) | 2021-03-19 |
KR102331226B1 true KR102331226B1 (en) | 2021-12-01 |
Family
ID=52700024
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140107516A KR102226881B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-19 | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip |
KR1020210029130A KR102331226B1 (en) | 2013-08-30 | 2021-03-05 | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140107516A KR102226881B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-19 | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6168553B2 (en) |
KR (2) | KR102226881B1 (en) |
CN (1) | CN104419341B (en) |
TW (1) | TWI631202B (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6395597B2 (en) * | 2014-12-25 | 2018-09-26 | マクセルホールディングス株式会社 | Dicing adhesive tape and semiconductor chip manufacturing method |
KR20190013128A (en) * | 2017-07-31 | 2019-02-11 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | Silicone composition for temporary bonding adhesive, electronic article comprising cured body of the same, and manufacturing method thereof |
JPWO2019124417A1 (en) | 2017-12-20 | 2021-01-14 | ダウ・東レ株式会社 | Manufacturing method of silicone-based adhesive sheet, laminate containing it, and semiconductor device |
TWI799618B (en) * | 2018-09-03 | 2023-04-21 | 日商麥克賽爾股份有限公司 | Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor wafer |
KR20220116184A (en) | 2019-12-19 | 2022-08-22 | 맥셀 주식회사 | Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip |
KR20220117234A (en) | 2019-12-20 | 2022-08-23 | 맥셀 주식회사 | Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip |
CN113429930B (en) * | 2021-07-13 | 2022-09-09 | 深圳市新泰盈电子材料有限公司 | Addition type bi-component organic silicon pouring sealant and preparation method thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100592204B1 (en) * | 2001-02-14 | 2006-06-23 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same |
JP2007100064A (en) | 2005-09-07 | 2007-04-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Pressure-sensitive adhesive tape for dicing |
WO2009078221A1 (en) | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Dicing sheet, method for manufacturing dicing sheet and method for manufacturing electronic component |
JP2012151761A (en) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nitto Denko Corp | Surface protection adhesive tape for solid-state imaging device |
JP2012169573A (en) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Dicing die bond sheet and processing method of sapphire substrate for led |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3961672B2 (en) * | 1998-06-12 | 2007-08-22 | リンテック株式会社 | Manufacturing method of resin-encapsulated chip body |
JP2005093503A (en) | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Hitachi Cable Ltd | Dicing method |
JP5473283B2 (en) * | 2008-09-29 | 2014-04-16 | リンテック株式会社 | Semiconductor processing adhesive sheet and semiconductor processing tape |
JP2011018669A (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Nitto Denko Corp | Adhesive sheet for dicing semiconductor wafer, and method for dicing semiconductor wafer using the same |
JP4851613B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-01-11 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive tape for semiconductor wafer surface protection |
US9315692B2 (en) * | 2010-03-31 | 2016-04-19 | Lintec Corporation | Base material film for dicing sheet and dicing sheet |
JP2013038408A (en) | 2011-07-14 | 2013-02-21 | Nitto Denko Corp | Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film |
CN103421434B (en) * | 2012-05-14 | 2018-09-04 | 麦克赛尔控股株式会社 | Plastic lens molding adhesive tape and plastic lens molding method |
-
2013
- 2013-08-30 JP JP2013179008A patent/JP6168553B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-18 TW TW103124750A patent/TWI631202B/en active
- 2014-08-19 KR KR1020140107516A patent/KR102226881B1/en active IP Right Grant
- 2014-08-29 CN CN201410437583.4A patent/CN104419341B/en active Active
-
2021
- 2021-03-05 KR KR1020210029130A patent/KR102331226B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100592204B1 (en) * | 2001-02-14 | 2006-06-23 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same |
JP2007100064A (en) | 2005-09-07 | 2007-04-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Pressure-sensitive adhesive tape for dicing |
WO2009078221A1 (en) | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Dicing sheet, method for manufacturing dicing sheet and method for manufacturing electronic component |
JP2012151761A (en) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nitto Denko Corp | Surface protection adhesive tape for solid-state imaging device |
JP2012169573A (en) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Dicing die bond sheet and processing method of sapphire substrate for led |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104419341B (en) | 2019-07-19 |
KR102226881B1 (en) | 2021-03-12 |
TW201520295A (en) | 2015-06-01 |
JP2015050216A (en) | 2015-03-16 |
KR20150026844A (en) | 2015-03-11 |
TWI631202B (en) | 2018-08-01 |
JP6168553B2 (en) | 2017-07-26 |
KR20210031439A (en) | 2021-03-19 |
CN104419341A (en) | 2015-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102331226B1 (en) | Adhesive tape for dicing and method for manufacturing semiconductor chip | |
CN107922809B (en) | Adhesive composition and adhesive sheet | |
CN107922798B (en) | Adhesive sheet | |
CN110383438B (en) | Adhesive sheet | |
JP2006274007A (en) | Hot-melt type silicone adhesive | |
KR102653071B1 (en) | adhesive sheet | |
KR102632461B1 (en) | Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip | |
JP2008162240A (en) | Adhesion sheet | |
KR20220117234A (en) | Manufacturing method of adhesive tape for dicing and semiconductor chip | |
KR102440961B1 (en) | Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip | |
JP2012064714A (en) | Pressure-sensitive adhesive tape for resin seal, and method for manufacturing resin seal-type semiconductor device | |
KR102541672B1 (en) | adhesive sheet | |
KR102013963B1 (en) | Method for producing a solar cell module | |
TW201938730A (en) | Heat-resistant pressure-sensitive adhesive sheet for producing semiconductor device capable of preventing electrode contamination in a no-lead package process | |
KR102469375B1 (en) | Silicone based adhesive protective film and optical member comprising the same | |
TW201726853A (en) | Adhesive sheet |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |