KR101304798B1 - Adhesive Composition and Sheet Having an Adhesive Layer of the Composition - Google Patents

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Abstract

칩 취출성이 우수하고, 칩 유동을 일으키지 않으며 칩과 기판 사이에 저탄성률의 접착층을 제공하는 접착제 조성물, 및 상기 접착제층을 구비한 다이싱ㆍ다이본드 접착 시트를 제공한다. Provided are an adhesive composition which is excellent in chip taking out property, does not cause chip flow, and provides a low elastic modulus adhesive layer between a chip and a substrate, and a dicing die bond adhesive sheet provided with the adhesive layer.

(A) 폴리이미드 실리콘 수지 5 내지 60 중량%(A) 5 to 60% by weight of polyimide silicone resin

(B) 연화 온도가 80℃ 이하인 에폭시 수지 5 내지 60 중량%(B) 5 to 60% by weight of an epoxy resin having a softening temperature of 80 ° C. or less

(C) 이미다졸 화합물과 디시안디아미드로부터 선택되는 하나 이상의 에폭시 수지 경화 촉매 0.001 내지 20 중량%(C) 0.001 to 20% by weight of at least one epoxy resin curing catalyst selected from imidazole compounds and dicyandiamides

(D) 평균 입경 0.1 내지 10 미크론인 구상 실리카 20 내지 70 중량%(D) 20 to 70% by weight of spherical silica having an average particle diameter of 0.1 to 10 microns

(E) 복합 실리콘 고무 구상 미립자 5 내지 30 중량%(E) 5 to 30% by weight of composite silicone rubber spherical fine particles

를 포함하는 접착제 조성물. Adhesive composition comprising a.

접착제 조성물, 다이싱ㆍ다이 본드 시트 Adhesive composition, dicing die bond sheet

Description

접착제 조성물 및 상기 접착제로 이루어지는 접착층을 구비한 시트 {Adhesive Composition and Sheet Having an Adhesive Layer of the Composition}Adhesive Composition and Sheet Having an Adhesive Layer of the Composition

도 1은 본 발명의 제1 양태의 다이싱ㆍ다이 본드 시트의 단면도. 1 is a cross-sectional view of a dicing die bond sheet according to a first aspect of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 양태의 다이싱ㆍ다이 본드 시트의 단면도. 2 is a cross-sectional view of a dicing die bond sheet according to a second aspect of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 양태의 다이싱ㆍ다이 본드 시트에 실리콘 웨이퍼를 고정한 상태를 나타내는 단면도. It is sectional drawing which shows the state which fixed the silicon wafer to the dicing die bond sheet of the 1st aspect of this invention.

도 4는 본 발명의 제2 양태의 다이싱ㆍ다이본드 테이프에 실리콘 웨이퍼를 고정한 상태를 나타내는 단면도. 4 is a cross-sectional view showing a state in which a silicon wafer is fixed to a dicing die-bonding tape according to a second aspect of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 점착 필름 기재1: adhesive film base material

2: 점착층 2: adhesive layer

3: 접착제층 3: adhesive layer

4: 접착 필름 기재4: adhesive film base material

5: 실리콘 웨이퍼5: silicon wafer

[문헌 1] 일본 특허 공개 (평)3-189127호 공보[Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-189127

[문헌 2] 일본 특허 공개 (평)4-264003호 공보[Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-264003

[문헌 3] 일본 특허 공개 (평)10-60111호 공보[Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-60111

[문헌 4] 일본 특허 공개 (평)7-224259호 공보[Document 4] Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-224259

[문헌 5] 일본 특허 공개 (평)8-27427호 공보[Document 5] Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-27427

[문헌 6] 일본 특허 제3221756호 공보[Document 6] Japanese Patent No. 3221756

[문헌 7] 일본 특허 공개 (평)9-67558호 공보[Document 7] Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-67558

[문헌 8] 일본 특허 공개 제2002-256236호 공보[Document 8] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-256236

[문헌 9] 일본 특허 제2984549호 공보[Document 9] Japanese Patent No. 2984549

본 발명은 접착제 조성물에 관한 것이고, 상세하게는 최저 용융 점도 및 탄성률 면에서 현저히 개량된 접착제 조성물 및 상기 조성물로부터 얻어지는 접착층을 구비한 시트에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive composition, and in particular, to a sheet having an adhesive composition which is significantly improved in terms of minimum melt viscosity and elastic modulus and an adhesive layer obtained from the composition.

최근의 전자 기기의 소형화에 따라서 반도체 칩 탑재 기판에도 미세화가 요구되고 있다. 반도체 칩을 탑재하기 위해서 사용되는 접착 필름은 웨이퍼 및 칩의 박형화에 의해 웨이퍼에 접착시 휘어짐이나 균열의 발생 방지 또는 칩의 기판에 열 압착시 균열 발생 방지를 위해서 저온, 저압에서의 압착이 요구되고 있다. With the recent miniaturization of electronic devices, miniaturization is also required for semiconductor chip mounting substrates. The adhesive film used to mount the semiconductor chip is required to be compressed at low temperature and low pressure in order to prevent the occurrence of warping or cracking when bonding to the wafer due to the thinning of the wafer and the chip or to prevent the occurrence of cracking when thermally pressing the chip onto the substrate. have.

또한, BGA 구조에서는 수지 배선 기판 상에 반도체 칩이 접착 고정되고 그 위에서 수지 밀봉되지만, 이들 수지 기판의 칩 탑재면은 배선 패턴상으로 요철이 있어, 접착 필름에 의한 칩 탑재시에 공극(void)이 발생하는 경우가 있다. 공극을 막는 방법으로서 접착 필름의 용융 점도를 저하시키는 것을 생각할 수 있지만, 공정 합리화를 위해 칩 탑재시에 접착 필름의 경화를 행하지 않고 수지 밀봉 후에 일괄 경화가 행해지고, 또한 반도체 장치의 소형화의 요청 때문에 밀봉 수지 두께가 얇은 것이 요구되기 때문에, 용융 점도를 저하하면 밀봉 성형시에 밀봉 수지와 함께 칩이 유동할 가능성이 있다. 따라서, 저온, 저압에서의 압착성, 최저 용융 점도 면에서 접착 필름의 개선이 요구되고 있다. Further, in the BGA structure, the semiconductor chip is adhesively fixed on the resin wiring board and resin-sealed thereon, but the chip mounting surface of these resin substrates has irregularities on the wiring pattern, and voids during chip mounting by the adhesive film. This may occur. It is conceivable to lower the melt viscosity of the adhesive film as a method of preventing voids, but for the rationalization of the process, batch curing is performed after resin sealing without curing the adhesive film at the time of mounting the chip, and sealing is performed due to the request for miniaturization of the semiconductor device. Since the resin thickness is required to be thin, when the melt viscosity is lowered, there is a possibility that the chip flows together with the sealing resin during sealing molding. Therefore, improvement of an adhesive film is calculated | required from the point of low temperature, low pressure bonding, and minimum melt viscosity.

한편, 반도체 장치는 일반적으로 큰 직경의 실리콘 웨이퍼를 점착 테이프(다이싱 테이프)에 의해 고정하고, 다이싱(절단 분리)하여 절단된 칩을 다이싱 테이프로부터 박리하여 취출(取出)하고(픽 업), 상기 취출된 칩을 리드 프레임에 경화성 액상 접착제(다이본드제) 등으로 열 압착 및 접착 고정하여 제조되었다. 최근에는 다이싱 테이프와 다이본드제를 겸한 다이싱ㆍ다이본드 테이프가 개발되었다. 즉, 이 테이프는 다이싱시에는 칩이 비산하지 않도록 고정하고, 다이싱 후에는 칩에 접착제가 부착된 상태로 용이하게 취출할 수 있으며(픽 업), 또한 다이본드 공정에서는 상기 접착제를 경화시켜 리드 프레임에 접착한다. 이 테이프에서도 접착제 필름과 동일한 개선이 요구되었다. On the other hand, a semiconductor device generally fixes a large diameter silicon wafer with an adhesive tape (dicing tape), peels off the chip cut by dicing (cutting separation) from the dicing tape, and takes it out (pick-up). ), And the chips taken out were manufactured by thermocompression bonding and adhesive fixing to a lead frame with a curable liquid adhesive (manufactured by a die bond). In recent years, a dicing die-bonding tape which functions as a dicing tape and a die-bonding agent has been developed. In other words, the tape is fixed so that the chip does not scatter during dicing, and after dicing, the tape can be easily taken out with the adhesive attached to the chip (pick-up). Adhere to the lead frame. This tape required the same improvement as the adhesive film.

접착제로서 종래에 내열성이 우수한 수지인 폴리이미드나 폴리아미드이미드에 실록산 구조를 도입한 실록산 변성 폴리아미드이미드가 제안되었다(문헌 1, 문헌 2). 그러나, 이들 수지는 접착력이 충분하지 않고, 내열성도 충분하지 않았다. As an adhesive, siloxane modified polyamideimide which introduce | transduced the siloxane structure into the polyimide and polyamideimide which are resins excellent in heat resistance conventionally is proposed (document 1, document 2). However, these resins did not have sufficient adhesive strength and heat resistance.

또한, 실록산 변성 폴리아미드이미드에 말레이미드기를 2개 이상 갖는 화합물을 배합하여 고온 특성을 개량하는 것이 제안되었지만(문헌 3), 이 수지 조성물 은 특히 동박에 대한 접착성이 열악하였다. Moreover, although it was proposed to mix | blend the compound which has 2 or more maleimide groups with siloxane modified polyamideimide, and to improve high temperature characteristic (document 3), this resin composition was inferior to adhesiveness with respect to copper foil especially.

폴리이미드 실리콘과 에폭시 수지를 포함하는 내열성 접착제 필름이 제안되었지만(문헌 4, 5), 폴리이미드 실리콘은 경화 반응하는 관능기를 갖지 않기 때문에 접착성 및 그의 신뢰성이 열악하였다. Although a heat resistant adhesive film containing polyimide silicone and an epoxy resin has been proposed (documents 4 and 5), since the polyimide silicone does not have a functional group which hardens, the adhesion and its reliability are poor.

페놀성 수산기를 갖는 폴리이미드 실리콘과 에폭시 수지를 포함하는 내열성 접착제 필름이 제안되었지만(문헌 6), 저온ㆍ저압 압착성 및 패키징(PKG) 후의 공극 발생, 칩 유동의 억제에 있어서 충분하지 않았다.  Although a heat resistant adhesive film containing polyimide silicone having an phenolic hydroxyl group and an epoxy resin has been proposed (Document 6), it was not sufficient in the generation of voids after low temperature, low pressure compression and packaging (PKG), and suppression of chip flow.

또한, 다이싱ㆍ다이본드 테이프로서 플라스틱 필름 기재 상에 다이싱ㆍ다이본드층으로서 열가소성 폴리이미드계 수지를 형성한 시트가 알려져 있다(문헌7). 그러나, 폴리이미드 수지층과 웨이퍼가 열 압착에 의해 견고하게 밀착되어 있기 때문에 칩 취출(픽 업)성을 용이하게는 제어할 수 없었다. 또한, 접착층은 열가소성 폴리이미드계 수지이기 때문에 접착성, 특히 반도체 장치의 제조 공정인 와이어 본드, 밀봉, 땜납 리플로우 공정에서 요구되는 가습 후의 접착성, 고온시의 접착성 및 강도가 불충분한 등의 결점이 있었다. Moreover, the sheet | seat which formed thermoplastic polyimide-type resin as a dicing die-bonding layer on the plastic film base material as a dicing die-bonding tape is known (document 7). However, since the polyimide resin layer and the wafer were firmly adhered by thermocompression bonding, the chip takeout (pickup) properties could not be easily controlled. In addition, since the adhesive layer is a thermoplastic polyimide-based resin, adhesiveness, in particular, the adhesion after humidification required in the wire bonding, sealing, and solder reflow process, which is a manufacturing process of a semiconductor device, insufficient adhesion and strength at high temperatures, and the like. There was a flaw.

또한, 점착성을 제어할 수 있는 방사선 중합성 점착층을 형성한 필름 기재 상에 가습 후의 접착성, 고온시의 접착성을 개량한 (A) 폴리이미드계 수지, (B) 에폭시 수지, (C) 페놀 수지 및 (D) 경화 촉진제로 이루어지는 수지층을 형성한 다이싱ㆍ다이본드 테이프가 제안되었다(문헌 8, 문헌 9). Moreover, (A) polyimide-type resin which improved the adhesiveness after humidification and the adhesiveness at high temperature on the film base material which provided the radiation polymeric adhesive layer which can control adhesiveness, (B) epoxy resin, (C) Dicing die-bonding tape which provided the resin layer which consists of a phenol resin and (D) hardening accelerator was proposed (document 8, document 9).

상기 다이본드 테이프의 다이본드층은 경화성 에폭시 수지 조성물을 함유하기 때문에 가습 후의 접착성, 고온시의 접착성, 강도가 우수하다. 그러나, 상기 다이본드 테이프는 다이싱 후의 칩 취출(픽 업)성이 곤란해지는 경우가 있다. 이것은 밀착성을 제어하는 방사선 중합성 점착층이 (메트)아크릴레이트 공중합체 중합체, (메트)아크릴기 함유 중합체 또는 다관능성 아크릴 화합물과 광 중합 개시제 로 이루어지고, 에폭시 수지와 상용하기 쉽기 때문에 자외선 조사에 의한 반응, 또는 다이싱 공정에서의 웨이퍼 고정의 열 압착에 의해 연화된 에폭시 수지와의 융착 등에 의해 에폭시 수지와의 점착력이 증대하여 일어나는 것으로 생각된다. 또한, 시간 경과에 의해 다이본드층과 방사선 중합성 점착층과의 밀착력(점착력)이 변화(증대)하여 동일하게 칩 취출(픽 업)을 할 수 없게 되는 경우도 있다. Since the die bond layer of the said die bond tape contains curable epoxy resin composition, it is excellent in adhesiveness after humidification, adhesiveness at high temperature, and strength. However, the die-bonding tape may be difficult to take out chips after dicing. This is because the radiation polymerizable adhesive layer for controlling adhesion is composed of a (meth) acrylate copolymer polymer, a (meth) acryl group-containing polymer or a polyfunctional acrylic compound and a photopolymerization initiator, and is easily compatible with an epoxy resin. It is considered that the adhesive force with the epoxy resin increases due to the reaction caused by, or fusion with the epoxy resin softened by thermocompression bonding of wafers in the dicing step. In addition, the adhesion (adhesive force) between the die bond layer and the radiation-polymerizable adhesive layer may change (increase) with time, and chip extraction (pickup) may not be possible in the same manner.

따라서, 본 발명은 칩 취출성이 우수하고 칩 유동을 일으키지 않으며 칩과 기판 사이에 저탄성률의 접착층을 제공하는 접착제 조성물, 및 상기 접착제층을 구비한 다이싱ㆍ다이본드 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an adhesive composition which is excellent in chip takeout property and does not cause chip flow, and provides an adhesive layer having a low elastic modulus between the chip and the substrate, and a dicing die bond adhesive sheet having the adhesive layer. It is done.

즉, 본 발명은 하기의 것이다. That is, the present invention is as follows.

(A) 폴리이미드 실리콘 수지 5 내지 60 중량%(A) 5 to 60% by weight of polyimide silicone resin

(B) 연화 온도가 80℃ 이하인 에폭시 수지 5 내지 60 중량%(B) 5 to 60% by weight of an epoxy resin having a softening temperature of 80 ° C. or less

(C) 이미다졸 화합물과 디시안디아미드로부터 선택되는 하나 이상의 에폭시 수지 경화 촉매 0.001 내지 20 중량%(C) 0.001 to 20% by weight of at least one epoxy resin curing catalyst selected from imidazole compounds and dicyandiamides

(D) 평균 입경 0.1 내지 10 미크론인 구상 실리카 20 내지 70 중량%(D) 20 to 70% by weight of spherical silica having an average particle diameter of 0.1 to 10 microns

(E) 복합 실리콘 고무 구상 미립자 5 내지 30 중량%(E) 5 to 30% by weight of composite silicone rubber spherical fine particles

를 포함하는 접착제 조성물. Adhesive composition comprising a.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [

본 발명의 조성물에 있어서의 (A) 폴리이미드 실리콘 수지는 하기 화학식 2로 표시된다. (A) polyimide silicone resin in the composition of this invention is represented by following General formula (2).

Figure 112006075397405-pat00001
Figure 112006075397405-pat00001

(식 중, X는 방향족 환 또는 지방족 환을 포함하는 4가의 유기기, Y는 2가의 유기기, q는 1 내지 300의 정수이다.)(Wherein, X is a tetravalent organic group containing an aromatic ring or an aliphatic ring, Y is a divalent organic group, q is an integer of 1 to 300.)

(A) 폴리이미드 실리콘 수지는 실록산 결합을 포함하는 폴리이미드 수지를 포함한다. 즉, 화학식 2의 X 및 Y 중 하나 이상이 상기 실록산 결합을 포함할 수도 있다. (A) 폴리이미드 실리콘 수지는 본 발명의 조성물 총 중량의 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 20 내지 50 중량%로 함유된다.(A) Polyimide silicone resin contains the polyimide resin containing a siloxane bond. That is, at least one of X and Y in Formula 2 may include the siloxane bond. (A) The polyimide silicone resin is contained at 5 to 60% by weight, preferably 20 to 50% by weight of the total weight of the composition of the present invention.

(A) 폴리이미드 실리콘 수지는 하기 화학식 3으로 표시되는 상기 화학식 2의 화합물의 전구체인 폴리아믹산 수지일 수도 있다. 그러나, 다이본드 공정에서의 가열 경화시의 이미드화(탈수 폐환)에 의해 물이 부생하여 접착면의 박리 등이 일어나는 경우가 있기 때문에, 상기 화학식 2의 폴리이미드 수지를 이용하는 것이 바람직하다. (A) The polyimide silicone resin may be a polyamic acid resin which is a precursor of the compound of formula (2) represented by the following formula (3). However, it is preferable to use the polyimide resin of the general formula (2), because water may be generated by imidization (dehydration ring closure) during heat curing in the die bonding step, and peeling of the adhesive surface may occur.

Figure 112006075397405-pat00002
Figure 112006075397405-pat00002

(식 중, X는 방향족 환 또는 지방족 환을 포함하는 4가의 유기기, Y는 2가의 유기기, q는 1 내지 300의 정수이다.) (Wherein, X is a tetravalent organic group containing an aromatic ring or an aliphatic ring, Y is a divalent organic group, q is an integer of 1 to 300.)

상기 화학식 2 및 3에 있어서 q는 1 내지 300의 정수, 바람직하게는 2 내지 300의 정수, 특히 5 내지 300의 정수이다. q가 상기 하한치 미만이면 접착 강도가 부족하고, 한편 상기 상한치를 초과하면 열 압착성이 부족하다. 보다 바람직하게는 q는 (A) 폴리이미드 실리콘 수지의 유리전이점이 100 내지 200℃, 바람직하게는 120 내지 190℃의 범위가 되는 수이다. In Chemical Formulas 2 and 3, q is an integer of 1 to 300, preferably an integer of 2 to 300, in particular an integer of 5 to 300. If q is less than the said lower limit, adhesive strength will run short, and if it exceeds the said upper limit, heat | fever crimpability will run short. More preferably, q is a number in which the glass transition point of (A) polyimide silicone resin becomes 100-200 degreeC, Preferably it is the range of 120-190 degreeC.

상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 수지는 화학식 3으로 표시되는 폴리아믹산 수지를 통상법에 의해 탈수, 폐환함으로써 얻을 수 있다. 상기 폴리아믹산 수지는 하기 방법에 의해 용이하게 얻을 수 있다. 또한, 즉 하기 화학식 4로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물과 하기 화학식 5로 표시되는 디아민을 통상법에 따라서 거의 등몰로 유기 용제 중에서 반응시킨다. The polyimide resin represented by the formula (2) can be obtained by dehydrating and closing the polyamic acid resin represented by the formula (3) by a conventional method. The polyamic acid resin can be easily obtained by the following method. In other words, the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (4) and the diamine represented by the following general formula (5) are reacted in the organic solvent in almost equimolar amounts according to a conventional method.

Figure 112006075397405-pat00003
Figure 112006075397405-pat00003

(단, X는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.) (Where X represents the same meaning as above).

H2N-Y-NH2 H 2 NY-NH 2

(단, Y는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)(Y represents the same meaning as above.)

상기 화학식 4로 표시되는 테트라카르복실산 이무수물의 예를 이하에 나타낸다. 이들 테트라카르복실산 이무수물의 2종 이상의 혼합물을 이용할 수도 있다. Examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (4) are shown below. It is also possible to use a mixture of two or more kinds of these tetracarboxylic dianhydrides.

Figure 112006075397405-pat00004
Figure 112006075397405-pat00004

상기 화학식 5로 표시되는 디아민 중, 바람직하게는 1 내지 80 몰%, 보다 바람직하게는 1 내지 60 몰%가 하기 화학식 1로 표시되는 디아미노실록산 화합물인 것이 폴리이미드 수지의 유기 용제에의 용해성, 기재에 대한 접착성 및 경화물의 저탄성률, 유연성 면에서 바람직하다. Among the diamines represented by the formula (5), preferably 1 to 80 mol%, more preferably 1 to 60 mol% is a diaminosiloxane compound represented by the following formula (1) solubility in the organic solvent of the polyimide resin, It is preferable at the point of adhesiveness with respect to a base material, the low elastic modulus of hardened | cured material, and a softness | flexibility.

Figure 112006075397405-pat00005
Figure 112006075397405-pat00005

식 중, R3은 탄소 원자수 3 내지 9의 2가 유기기, R4는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 8의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, m은 1 내지 200의 정수이다.In the formula, R 3 is a divalent organic group having 3 to 9 carbon atoms, R 4 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms independently of each other, and m is an integer of 1 to 200.

R3으로서는 예를 들면 -(CH2)3-, -(CH2)4-, -CH2CH(CH3)-, -(CH2)6-, -(CH2)8- 등의 알킬렌기, 하기에 예시하는 아릴렌기, As R 3 , for example, alkyl such as-(CH 2 ) 3 -,-(CH 2 ) 4- , -CH 2 CH (CH 3 )-,-(CH 2 ) 6 -,-(CH 2 ) 8- An arylene group, an arylene group exemplified below,

Figure 112006075397405-pat00006
Figure 112006075397405-pat00006

벤질렌기 등의 알킬렌ㆍ아릴렌기, -(CH2)3-O-, -(CH2)4-O- 등의 옥시알킬렌기, 하기에 예시하는 옥시아릴렌기, Benzyl alkyl groups, such as alkylene and arylene, - (CH 2) 3 -O- , - oxy-arylene group, which illustrated in the (CH 2) 4 oxyalkylene group, such as -O-,,

Figure 112006075397405-pat00007
Figure 112006075397405-pat00007

및 하기에 예시하는 옥시알킬렌ㆍ아릴렌기,  And oxyalkylene arylene groups exemplified below;

Figure 112006075397405-pat00008
Figure 112006075397405-pat00008

등의, 에테르 구조를 포함할 수도 있는 2가 탄화수소기를 들 수 있다. The divalent hydrocarbon group which may contain an ether structure, such as these, is mentioned.

R4로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기 등의 아랄킬기, 이들 기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자 등으로 치환된 기, 예를 들면 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 메틸기 및 페닐기가 바람직하다. m은 1 내지 200의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 100의 정수, 보다 바람직하게는 1 내지 80의 정수이다. Examples of R 4 include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, hexyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group and octyl group, and vinyl group , Alkenyl groups such as allyl group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group, isobutenyl group, hexenyl group, aryl groups such as phenyl group, tolyl group and xylyl group, aralkyl groups such as benzyl group and phenylethyl group, these A group in which part or all of the hydrogen atoms bonded to carbon atoms of the group are substituted with halogen atoms such as fluorine, bromine, chlorine, etc., for example, chloromethyl group, bromoethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, etc. The halogen substituted alkyl group etc. are mentioned, Especially, a methyl group and a phenyl group are preferable. m is an integer of 1-200, Preferably it is an integer of 1-100, More preferably, it is an integer of 1-80.

상기 화학식 1로 표시되는 실록산디아민의 예로서 하기에 나타내는 것을 들 수 있고, 이들 2종 이상의 조합일 수도 있다. What is shown below as an example of the siloxane diamine represented by the said General formula (1) is mentioned, These 2 or more types combination may be sufficient.

Figure 112006075397405-pat00009
Figure 112006075397405-pat00009

상기 실록시디아민 이외의 화학식 5로 표시되는 디아민의 예로는, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 2,2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(p- 아미노페닐술포닐)벤젠, 1,4-비스(m-아미노페닐술포닐)벤젠, 1,4-비스(p-아미노페닐티오에테르)벤젠, 1,4-비스(m-아미노페닐티오에테르)벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]퍼플루오로프로판 등의 방향족 환 함유 디아민 등을 들 수 있고, 바람직하게는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 등이 포함된다. Examples of diamines represented by the formula (5) other than the siloxydiamine include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2'-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene , 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylthioether) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylthioether) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [ 3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4- (4 -Aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy ) Phenyl] ethane, 1,1-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] Tan, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy ) Phenyl] methane, bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulphone, 2,2-bis [4- ( Aromatic ring-containing diamines such as 4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane; and the like, preferably p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylether, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis [4- (4- Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and the like.

(A) 폴리이미드 수지에 페놀성 수산기를 도입하여 (B) 에폭시 수지와 반응시킬 수도 있다. 상기 수산기는 페놀성 수산기를 갖는 디아민 화합물을 이용함으로써 도입할 수 있고, 상기 디아민 화합물로서 하기 구조의 것을 예시할 수 있다. A phenolic hydroxyl group can be introduce | transduced into (A) polyimide resin, and can also be made to react with (B) epoxy resin. The said hydroxyl group can be introduce | transduced by using the diamine compound which has a phenolic hydroxyl group, and the thing of the following structure can be illustrated as said diamine compound.

Figure 112006075397405-pat00010
Figure 112006075397405-pat00010

A는 단결합 및 하기에 예시하는 기 중 어느 것 A is a single bond and any of the groups exemplified below.

Figure 112006075397405-pat00011
Figure 112006075397405-pat00011

B는 단결합 및 하기에 예시하는 기 중 어느 것 B is a single bond and any of the groups exemplified below

Figure 112006075397405-pat00012
Figure 112006075397405-pat00012

식 중, R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 불소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자, 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 트리플루오로메틸기, 페닐기 등의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이다. n은 1 내지 5의 정수이다. A, B는 각각 2종 이상일 수도 있다. R은 수소 원자, 할로겐 원자 또는 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이다. Wherein R 2 is independently a hydrogen atom or a halogen atom such as fluorine, bromine or iodine or an unsubstituted or substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, alkenyl group, alkynyl group, trifluoromethyl group or phenyl group It is a monovalent hydrocarbon group. n is an integer of 1 to 5; A and B may be 2 or more types, respectively. R is a hydrogen atom, a halogen atom or an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group.

여기서, R2로서는 상기 R4에 대하여 예시한 것과 동일한 것, 및 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기, 헥시닐기 등의 알키닐기 등을 예시할 수 있다. 또한, R도 상기 R2에서 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있다. Here, as R <2> , the same thing as what was illustrated about said R <4> , and alkynyl groups, such as an ethynyl group, a propynyl group, butynyl group, hexynyl group, etc. can be illustrated. In addition, R may be the same as those exemplified in the above R 2 .

본 발명에 있어서는 상기 페놀성 수산기를 갖는 디아민 화합물 중에서도 특 히 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물이 바람직하다. In this invention, the diamine compound especially represented by following formula (6) among the diamine compound which has the said phenolic hydroxyl group is preferable.

Figure 112006075397405-pat00013
Figure 112006075397405-pat00013

(식 중, R2는 상기와 동일하다.) (In formula, R <2> is the same as the above.)

상기 페놀성 수산기를 갖는 디아민 화합물은 디아민 화합물 100 몰에 대하여 5 내지 90 몰%로 사용되는 것이 바람직하고, 전형적으로는 디아민 화합물 총량의 5 내지 60 질량%, 특히 10 내지 40 질량%로 사용된다. 상기 비율이 너무 적으면 접착력이 낮아지는 경우가 있고, 또한 너무 많으면 접착제층의 유연성이 부족한 경우가 있다. The diamine compound having the phenolic hydroxyl group is preferably used at 5 to 90 mol% with respect to 100 mol of the diamine compound, and is typically used at 5 to 60 mass%, particularly 10 to 40 mass% of the total amount of the diamine compound. When the ratio is too small, the adhesive force may be lowered, and when too large, the flexibility of the adhesive layer may be insufficient.

또한, 페놀성 수산기를 갖는 모노아민을 이용할 수도 있고, 하기의 구조를 예시할 수 있다. Moreover, the monoamine which has a phenolic hydroxyl group can also be used, and the following structure can be illustrated.

Figure 112006075397405-pat00014
Figure 112006075397405-pat00014

식 중, R2는 위에서 서술한 것과 같다. D는 2종을 병용할 수도 있다. 또한, p는 1 내지 3의 정수이다. In the formula, R 2 is the same as described above. D may use 2 types together. In addition, p is an integer of 1-3.

페놀성 수산기를 갖는 모노아민을 이용하는 경우에는 디아민 화합물 전체에 대하여 0.5 내지 5 몰%이다. When using the monoamine which has a phenolic hydroxyl group, it is 0.5-5 mol% with respect to the whole diamine compound.

상기 아민 화합물은 2종 이상이 조합하여 사용할 수도 있다. Two or more kinds of the amine compound may be used in combination.

폴리아믹산 수지 및 폴리이미드 수지의 생성 반응은, 상술한 출발 원료를 불활성인 분위기하에서 용매에 용해시키고, 통상적으로 80℃ 이하, 바람직하게는 0 내지 40℃에서 반응시켜 폴리아믹산 수지를 합성한다. 얻어진 폴리아믹산 수지를 통상적으로 100 내지 200℃, 바람직하게는 150 내지 200℃로 가열함으로써 폴리아믹산 수지의 산아미드 부분을 탈수 폐환시켜 목적으로 하는 폴리이미드 수지를 합성할 수 있다. The production reaction of the polyamic acid resin and the polyimide resin dissolves the starting material described above in a solvent under an inert atmosphere, and usually reacts at 80 ° C. or lower, preferably 0 to 40 ° C. to synthesize a polyamic acid resin. By heating the obtained polyamic acid resin to 100-200 degreeC normally, Preferably it is 150-200 degreeC, the acidamide part of polyamic-acid resin can be dehydrated-closed and the polyimide resin made into the objective can be synthesize | combined.

상기 반응에 사용하는 유기 용매는 얻어지는 폴리아믹산에 불활성인 것이면, 상기 출발 원료를 완전히 용해시킬 수 있는 것이 아니어도 좋다. 예를 들면, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 시클로펜타논, 시클로헥사논, γ-부티로락톤, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 및 디메틸술폭시드를 들 수 있고, 바람직하게는 비양성자성 극성 용매, 특히 바람직하게는 N-메틸피롤리돈, 시클로헥사논 및 γ-부티로락톤이다. 이들 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다. As long as the organic solvent used for the said reaction is inert to the polyamic acid obtained, the starting material may not be completely dissolved. For example, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylform Amides and dimethylsulfoxides, and are preferably aprotic polar solvents, particularly preferably N-methylpyrrolidone, cyclohexanone and γ-butyrolactone. These solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 탈수 폐환을 용이하게 하기 위해서는 톨루엔, 크실렌 등의 공비 탈수제를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 무수 아세트산/피리딘 혼합 용액을 이용하여 저온에서 탈수 폐환을 행할 수도 있다. In order to facilitate said dehydration ring closure, it is preferable to use an azeotropic dehydrating agent, such as toluene and xylene. Furthermore, dehydration ring closure can also be performed at low temperature using the acetic anhydride / pyridine mixed solution.

또한, 폴리아믹산 및 폴리이미드 수지의 분자량을 조정하기 위해서 무수 말레산, 무수 프탈산 등의 디카르복실산 무수물 및(또는) 아닐린, n-부틸아민, 상기 에 예시된 페놀성 수산기를 갖는 모노아민을 첨가할 수도 있다. 단, 디카르복실산 무수물의 첨가량은 테트라카르복실산 이무수물 100 몰 당 통상적으로 5 몰 이하이고, 모노아민의 첨가량도 디아민 100 몰 당 통상적으로 5 몰 이하이다. In addition, in order to adjust the molecular weight of polyamic acid and a polyimide resin, dicarboxylic acid anhydrides, such as maleic anhydride and phthalic anhydride, and / or aniline, n-butylamine, the monoamine which has the phenolic hydroxyl group exemplified above are used. It can also be added. However, the addition amount of dicarboxylic anhydride is 5 mol or less normally per 100 mol of tetracarboxylic dianhydride, and the addition amount of monoamine is also 5 mol or less normally per 100 mol of diamines.

얻어진 폴리이미드 수지는 그의 유리전이온도가 200℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 온도를 초과하면 본 발명의 접착 필름의 열 압착성이 열악해지는 경우가 있다. It is preferable that the glass transition temperature of the obtained polyimide resin is 200 degrees C or less. When the said temperature is exceeded, the thermal bonding property of the adhesive film of this invention may be inferior.

본 발명에서 사용되는 에폭시 화합물 (B)는 본 발명의 접착 필름이 저온, 저압에서 압착할 수 있도록 연화 온도가 80℃ 이하인 것이 필요하다. 또한, 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 화합물이 바람직하다. 에폭시 화합물의 예로서는 비스(4-히드록시페닐)메탄, 2,2'-비스(4-히드록시페닐)프로판 또는 이 할로겐화물의 디글리시딜에테르 및 이들의 축중합물(소위 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지 등); 레조르신, 히드로퀴논 및 메틸레조르신 등의 디글리시딜에테르; 1,4-비스(2,3-에폭시프로폭시)벤젠, 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)디페닐에테르 및 이들의 수소화물, 부타디엔 디에폭시드, 비닐시클로헥센디옥시드, 1,4-비스(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥센, 비스(3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸)아디페이트, 1,2-디옥시벤젠 또는 레조르시놀, 다가 페놀 또는 다가 알코올과 에피클로로히드린을 축합시켜 얻어지는 에폭시글리시딜에테르 또는 폴리글리시딜에스테르, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 노볼락형 페놀 수지(또는 할로겐화 노볼락형 페놀 수지)와 에피클로로히드린을 축합시켜 얻어지는 액상 에폭시 노볼락(즉, 노볼락형 에폭시 수지) 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.  The epoxy compound (B) used by this invention needs to have a softening temperature of 80 degrees C or less so that the adhesive film of this invention can be crimped | bonded by low temperature and low pressure. Moreover, the epoxy compound which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable. Examples of epoxy compounds include bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2'-bis (4-hydroxyphenyl) propane or diglycidyl ethers of these halides and their polycondensates (so-called bisphenol F type epoxy resins). , Bisphenol A type epoxy resin, etc.); Diglycidyl ethers such as resorcin, hydroquinone and methylresorcin; 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) benzene, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) diphenyl ether and hydrides thereof, butadiene diepoxide, vinylcyclohexene dioxide , 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) cyclohexene, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 1,2-dioxybenzene or resorcinol, polyhydric phenol Or novolac phenol resins (or halogenated novolac phenol resins) and epichloro, such as epoxyglycidyl ethers or polyglycidyl esters obtained by condensation of polyhydric alcohols with epichlorohydrin, phenol novolacs and cresol novolacs The liquid epoxy novolak (namely, novolak-type epoxy resin) obtained by condensing hydrin, and mixtures thereof are mentioned.

또한, 모노에폭시 화합물을 적절하게 병용하는 것은 지장이 없고, 이 모노에폭시 화합물로서는 스티렌옥시드, 시클로헥센옥시드, 프로필렌옥시드, 메틸글리시딜에테르, 에틸글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 옥틸렌옥시드, 도데센옥시드 및 이들의 혼합물이 예시된다. Moreover, use of a monoepoxy compound suitably does not interfere, As this monoepoxy compound, styrene oxide, cyclohexene oxide, propylene oxide, methylglycidyl ether, ethylglycidyl ether, phenylglycidyl ether , Allylglycidyl ether, octylene oxide, dodecene oxide and mixtures thereof are exemplified.

또한, 본 발명의 접착 필름의 특성을 손상시키지 않는 정도로, 연화 온도가 80℃ 초과하는 에폭시 화합물을 병용할 수도 있다. 이러한 에폭시 화합물로서는, 예를 들면 1,2-디옥시벤젠 또는 레조르시놀, 다가 페놀 또는 다가 알코올과 에피클로로히드린을 축합시켜 얻어지는 에폭시글리시딜에테르 또는 폴리글리시딜에스테르, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등의 노볼락형 페놀 수지(또는 할로겐화 노볼락형 페놀 수지)와 에피클로로히드린을 축합시켜 얻어지는 에폭시노볼락(즉, 노볼락형 에폭시 수지), 과산화법에 의해 에폭시화한 에폭시화 폴리올레핀, 에폭시화 폴리부타디엔, 나프탈렌환 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 시클로펜타디엔형 에폭시 수지 등 다가 에폭시 화합물 등의 고체상의 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. Moreover, the epoxy compound whose softening temperature exceeds 80 degreeC can also be used together in the grade which does not impair the characteristic of the adhesive film of this invention. Examples of such epoxy compounds include 1,2-dioxybenzene or resorcinol, polyhydric phenol or polyhydric alcohol, and epoxy glycidyl ether or polyglycidyl ester obtained by condensation of epichlorohydrin, phenol novolac, Epoxy phenols obtained by condensation of novolak-type phenolic resins (or halogenated novolak-type phenolic resins) such as cresol novolac and epichlorohydrin (i.e., novolak-type epoxy resins), and epoxidation by epoxidation. Solid epoxy compounds such as polyvalent epoxy compounds such as polyolefins, epoxidized polybutadienes, naphthalene ring-containing epoxy resins, biphenyl epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins and cyclopentadiene type epoxy resins. Can be mentioned.

(B) 에폭시 화합물은 조성물 총 중량의 5 내지 60 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%로 함유된다. 에폭시 화합물의 배합량이 상기 하한치 미만이면, 필름의 접착성이 저하되어 저온ㆍ저압에 있어서의 필름의 열 압착성이 열악해지는 경우가 있고, 상기 상한치를 초과하면, 경화물의 탄성률, 흡습률이 상승하여 접착부의 신뢰성이 낮아지는 경향이 있다. (B) The epoxy compound is contained at 5 to 60% by weight, preferably 10 to 50% by weight of the total weight of the composition. When the compounding quantity of an epoxy compound is less than the said lower limit, the adhesiveness of a film may fall, and the thermal crimping property of the film in low temperature and low pressure may become inferior, and when the said upper limit is exceeded, the elasticity modulus and moisture absorption rate of hardened | cured material will rise, There exists a tendency for the reliability of an adhesive part to become low.

또한, 본 발명의 접착제 조성물에는 그의 특성을 손상시키지 않는 정도로 에 폭시 수지의 경화제를 첨가할 수도 있다. 이 경화제로서는, 종래부터 알려져 있는 에폭시 수지용의 다양한 경화제를 사용할 수 있고, 예를 들면 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 디에틸아미노프로필아민, N-아미노에틸피페라진, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄, 메타크실릴렌아민, 멘탄디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5) 운데칸 등의 아민계 화합물; 에폭시 수지-디에틸렌트리아민 부가물, 아민-에틸렌옥시드 부가물, 시아노에틸화 폴리아민 등의 변성 지방족 폴리아민; 비스페놀 A, 트리메틸올알릴옥시페놀, 저중합도의 페놀 노볼락 수지, 에폭시화 또는 부틸화 페놀 수지 또는 "Super Beckcite" 1001[닛본 라이히 홀드 가가꾸 고교(주) 제조], "Hitanol" 4010[(주) 히따찌 세이사꾸쇼 제조], Scado form L.9(네덜란드 Scado Zwoll사 제조), Methylon 75108(미국 제네랄 일렉트릭사 제조) 등의 상품명으로 알려져 있는 페놀 수지 등의, 분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 함유하는 페놀 수지; "Beckamine" P.138[닛본 라이히 홀드 가가꾸 고교(주) 제조], "메란"[(주) 히따찌 세이사꾸쇼 제조], "U-Van" 10R[도요 고아쯔 고교(주) 제조] 등의 상품명으로 알려져 있는 탄소 수지; 멜라민 수지, 아닐린 수지 등의 아미노 수지; 화학식 HS(C2H4OCH2OC2H4SS)nC2H4OCH2OC2H4SH(n=1 내지 10의 정수)로 표시되는 것과 같은 1 분자 중에 머캅토기를 2개 이상 갖는 폴리술피드 수지; 무수 프탈산, 무수 헥사히드로프탈산, 무수 테트라히드로프탈산, 무수 피로멜리트산, 메틸나직산, 도데실 무수 숙신산, 무수 클로렌드산 등의 유기산 또는 그의 무수물(산 무수물) 등을 들 수 있다. 상기한 경화제 중에서도 페놀계 수지(페놀 노볼락 수지)가 본 발명의 조성물에 양호한 성형 작업성을 제공함과 동시에 우수한 내습성을 제공하며, 또한 독성이 없고, 비교적 저렴하기 때문에 바람직한 것이다. 상기한 경화제는 그의 사용에 있어서는 반드시 1 종류로 한정되지 않고, 이들 경화제의 경화 성능 등에 따라서 2종 이상을 병용할 수도 있다. 배합량에 대해서는 목적으로 하는 물성이 얻어지면 특별히 한정되지 않는다. Moreover, the hardening | curing agent of epoxy resin can also be added to the adhesive composition of this invention to the extent which does not impair the characteristic. As this curing agent, various curing agents for conventionally known epoxy resins can be used, and for example, diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine, bis (4-amino -3-methylcyclohexyl) methane, methaxylyleneamine, mentandiamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane Amine compound; Modified aliphatic polyamines such as epoxy resin-diethylenetriamine adduct, amine-ethylene oxide adduct and cyanoethylated polyamine; Bisphenol A, trimethylolallyloxyphenol, low-polymerization phenol novolac resins, epoxidized or butylated phenolic resins or "Super Beckcite" 1001 [manufactured by Nippon Reich Hold Kagaku Kogyo Co., Ltd.], "Hitanol" 4010 Two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, such as a phenol resin known under the trade names such as Hitachi Seisakusho Co., Ltd., Scado form L.9 (manufactured by Scado Zwoll, Netherlands), and Methylon 75108 (manufactured by General Electric, Inc. of the United States). Phenolic resin containing; "Beckamine" P.138 [manufactured by Nippon Reich Hold Kagaku Kogyo Co., Ltd.], "Meran" [manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.], "U-Van" 10R [manufactured by Toyo Koatsu Kogyo Co., Ltd.] Carbon resins known under such trade names; Amino resins such as melamine resins and aniline resins; Two or more mercapto groups in one molecule such as represented by the formula HS (C 2 H 4 OCH 2 OC 2 H 4 SS) n C 2 H 4 OCH 2 OC 2 H 4 SH (an integer from n = 1 to 10) Polysulfide resin having; Organic acids such as phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, methylnamic acid, dodecyl succinic anhydride, chloric anhydride, or anhydrides thereof (acid anhydrides). Among the above-mentioned curing agents, phenolic resins (phenol novolak resins) are preferred because they provide good molding workability to the composition of the present invention, provide excellent moisture resistance, and are nontoxic and relatively inexpensive. The hardening | curing agent mentioned above is not necessarily limited to one type in its use, According to the hardening performance of these hardening | curing agents, etc., you may use 2 or more types together. About a compounding quantity, if the target physical property is obtained, it will not specifically limit.

본 발명에서 사용되는 (C) 에폭시 수지 경화 촉매는 이미다졸 화합물 및(또는) 디시안디아미드이다. The (C) epoxy resin curing catalyst used in the present invention is an imidazole compound and / or dicyandiamide.

이미다졸 화합물 촉매로서는 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체 등을 들 수 있다. As imidazole compound catalyst, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethyl imida Imidazole derivatives, such as a sol, etc. are mentioned.

본 발명에 있어서의 에폭시 수지 경화 촉매는 이들 중에서 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이미다졸 화합물과 디시안디아미드를 병용할 수도 있다. 또한, (C) 에폭시 수지 경화 촉매는 조성물 총 중량의 0.001 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량%로 함유된다.The epoxy resin curing catalyst in this invention can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. An imidazole compound and dicyandiamide can also be used together. In addition, (C) the epoxy resin curing catalyst is contained in an amount of 0.001 to 20% by weight, preferably 0.01 to 10% by weight of the total weight of the composition.

본 발명의 조성물에 있어서 (D) 실리카 입자는 접착제층의 용융 점도를 증가시켜 수지 밀봉 공정에서의 칩 유동을 억제하고, 경화물의 흡습률 및 선팽창률을 저하시키는 효과를 발휘한다. 상기 실리카 입자는 구상이며 평균 입경이 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛, 바람직하게는 5 ㎛ 내지 0.5 ㎛이고, 최대 입경이 20 ㎛ 이하인 것이다. 평균 입경이 이 범위를 초과하면, 본 발명의 접착 필름의 표면의 평활성이 손상되는 경우가 있다. 상기 실리카 입자는 에폭시기를 갖는 유기 규소 화합물로 표 면 처리된 것이 바람직하다. In the composition of the present invention, the silica particles (D) increase the melt viscosity of the adhesive layer to suppress chip flow in the resin encapsulation step, and exhibit an effect of decreasing the moisture absorption rate and the linear expansion rate of the cured product. The silica particles are spherical and have an average particle diameter of 0.1 µm to 10 µm, preferably 5 µm to 0.5 µm, and a maximum particle diameter of 20 µm or less. When average particle diameter exceeds this range, the smoothness of the surface of the adhesive film of this invention may be impaired. It is preferable that the said silica particle was surface-treated with the organosilicon compound which has an epoxy group.

(D) 실리카 입자로서는 (주)아드마텍스사의 SE-2050, SC-2050, SC-2050, SE-1050, SO-E1, SO-C1, SO-E2, SO-C2, SO-E3, SO-C3, SO-E5, SO-C5 등이 예시되고, 이들의 혼합물일 수도 있다. (D) As silica particles, SE-2050, SC-2050, SC-2050, SE-1050, SO-E1, SO-C1, SO-E2, SO-C2, SO-E3, SO -C3, SO-E5, SO-C5, etc. are illustrated and a mixture thereof may be sufficient.

(D) 실리카 입자의 배합량은 조성물 총 중량의 20 내지 70 중량%, 특히 30 내지 65 중량%로 하는 것이 바람직하다. 이들 범위를 초과하면, 오히려 흡습률이 증가하거나, 접착제가 저온, 저압에서 압착할 수 없게 되는 경우가 있다. (D) It is preferable that the compounding quantity of a silica particle shall be 20 to 70 weight%, especially 30 to 65 weight% of the total weight of a composition. If it exceeds these ranges, a moisture absorption may increase rather, or adhesive may become unable to crimp | bond at low temperature and low pressure.

본 발명의 조성물은 (E) 복합 실리콘 고무 미립자를 포함하는 것을 특징으로 한다. (E) 복합 실리콘 미립자는 실리콘 고무 입자의 표면 상의 적어도 일부에 상기 표면 상에서 중합함으로써 생성된 폴리오르가노실세스퀴옥산 수지의 미소체가 존재하는 입자이다. (E) 복합 실리콘 미립자를 배합함으로써 상기 (D) 실리카 입자와 함께 접착제의 최저 용융 점도의 증가 및 경화물의 탄성률의 저하를 달성할 수 있다. The composition of this invention is characterized by including (E) composite silicone rubber microparticles | fine-particles. (E) Composite silicone microparticles | fine-particles are particle | grains in which the microorganism of the polyorgano silsesquioxane resin produced | generated by superposing | polymerizing on the said surface exists in at least one part on the surface of a silicone rubber particle. By mix | blending (E) composite silicone microparticles | fine-particles, the increase of the minimum melt viscosity of an adhesive agent and the fall of the elasticity modulus of hardened | cured material can be achieved with said (D) silica particle.

(E) 복합 실리콘 미립자는 평균 입경 0.1 내지 10 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 5 ㎛이다. 평균 입경이 이 범위를 초과하면, 본 발명의 접착 필름의 표면 상태의 평활성이 손상되는 경우가 있다. 또한, 최대 입경이 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다. 또한, 본 발명에 있어서 평균 입경의 측정은 레이저 회절 산란법에 따른다. The composite silicon fine particles (E) have an average particle diameter of 0.1 to 10 m, preferably 0.5 to 5 m. When average particle diameter exceeds this range, the smoothness of the surface state of the adhesive film of this invention may be impaired. Moreover, it is preferable that a maximum particle diameter is 20 micrometers or less, More preferably, it is 10 micrometers or less. In addition, in this invention, the measurement of an average particle diameter is based on the laser diffraction scattering method.

(E) 복합 실리콘 입자의 배합량은 조성물 총 중량의 5 내지 30 중량%, 바람직하게는 10 내지 20 중량%이다. 이들 범위 밖에서는 접착제가 저온, 저압에서 압착되기 어려워지고, 또한 경화물의 선팽창률이 커지는 경우가 있다. The compounding quantity of (E) composite silicone particle is 5-30 weight%, Preferably it is 10-20 weight% of the total weight of a composition. Outside of these ranges, the adhesive is difficult to be crimped at low temperature and low pressure, and the linear expansion coefficient of the cured product may increase.

(E) 복합 실리콘 미립자는 예를 들면 일본 특허 공개 (평)7-196815호에 기재되어 있는 방법에 따라서 만들 수 있다. 즉, 평균 입경이 0.1 내지 10 ㎛인 구상 실리콘 고무 미립자의 물 분산액에 알칼리성 물질 또는 알칼리성 수용액과 오르가노트리알콕시실란을 첨가하여 구상 실리콘 고무 미립자 표면 상에서 오르가노트리알콕시실란을 가수분해하여 중합시키고, 이어서 이것을 건조시키다. 폴리오르가노실세스퀴옥산 수지의 양은 실리콘 고무 구상 미립자 100 중량부에 대하여 1 내지 500 중량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 100 중량부이다. 상기 하한치 미만이면 복합 실리콘 미립자의 수지분 (A) 및 (B) 중에서의 분산성이 나빠지며 필름의 조성이 불균일해질 우려가 있다. 한편, 상기 상한치보다 많아지면, 접착제 경화물의 탄성률이 높아지는 경향이 있다. (E) Composite silicone microparticles | fine-particles can be produced according to the method described, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 7-196815. That is, an alkaline substance or an alkaline aqueous solution and an organotrialkoxysilane are added to the water dispersion of the spherical silicone rubber fine particles having an average particle diameter of 0.1 to 10 µm to hydrolyze and polymerize the organotrialkoxysilane on the surface of the spherical silicone rubber fine particles, This is then dried. The amount of the polyorganosilsesquioxane resin is preferably 1 to 500 parts by weight, more preferably 2 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone rubber spherical fine particles. If it is less than the said lower limit, the dispersibility in resin powder (A) and (B) of composite silicone microparticles | fine-particles worsens, and there exists a possibility that the composition of a film may become nonuniform. On the other hand, when more than the said upper limit, there exists a tendency for the elasticity modulus of adhesive hardened | cured material to become high.

(E) 복합 실리콘 미립자로서는, 예를 들면 신에쯔 가가꾸 고교사 제조의 KMP-600, KMP-605, X-52-7030 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 2종 이상의 혼합물을 사용할 수도 있다. As (E) composite silicon microparticles | fine-particles, KMP-600, KMP-605, X-52-7030 by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., etc. can be used, for example. Moreover, these 2 or more types of mixture can also be used.

본 발명의 수지 조성물에는 상기 각 성분에 더하여 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 알루미나, 산화티탄, 카본 블랙, 도전성 입자 등의 충전제, 무기계 또는 유기계 안료, 염료 등의 착색제, 습윤 향상제, 산화 방지제, 열 안정제 등의 첨가제 등을 첨가할 수 있다. In addition to the components described above, the resin composition of the present invention includes fillers such as alumina, titanium oxide, carbon black, conductive particles, coloring agents such as inorganic or organic pigments, dyes, wetting enhancers, and oxidation, within the range of not impairing the effects of the present invention. Additives, such as an inhibitor and a heat stabilizer, can be added.

본 발명의 접착제 조성물은 상기 (A) 폴리이미드 수지, (B) 에폭시 화합물, (C) 에폭시 수지 경화 촉매, (D) 실리카 입자 및 (E) 복합 실리콘 미립자, 목적에 따라서 임의 성분을 통상법에 준하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. The adhesive composition of the present invention comprises the above-mentioned (A) polyimide resin, (B) epoxy compound, (C) epoxy resin curing catalyst, (D) silica particles and (E) composite silicon fine particles, according to the conventional method, according to the conventional method. It can manufacture by mixing.

상기에서 얻어진 본 발명의 접착제 조성물은 접착제로서, 접착 필름, 또한 다이싱ㆍ다이본드 접착 시트의 접착층으로서 사용할 수 있다. 접착제는 상기 조성물을 톨루엔, 시클로헥사논, NMP 등의 비양성자성 극성 용매에 적당한 농도에 용해시켜 제조한다. 얻어진 접착제를 회로 기판의 패드 상에 도포하여 건조시킨 후, 피착체를 압착하여 가열 경화시킨다. 접착 필름은 상기 조성물을 용매에 적당한 농도에 용해시켜 지지 기재 상에 도포하고 건조시켜 제조할 수 있다. 이 접착 필름을 기판에 접착시키고, 이어서 지지 기재를 박리하며, 그 위에 피착체를 압착한 후, 가열 경화시킨다. 이 지지 기재로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 종이, 금속박 등, 또는 이들 표면을 이형 처리한 것을 사용할 수 있다. The adhesive composition of this invention obtained above can be used as an adhesive agent as an adhesive film and an adhesive layer of a dicing die-bonding sheet | seat. An adhesive is prepared by dissolving the composition in an appropriate concentration in an aprotic polar solvent such as toluene, cyclohexanone, NMP, and the like. After apply | coating the obtained adhesive on the pad of a circuit board and drying, a to-be-adhered body is crimped | bonded and heat-hardened. An adhesive film can be prepared by dissolving the composition in a suitable concentration in a solvent, applying it on a supporting substrate, and drying it. This adhesive film is adhered to a substrate, and then the supporting substrate is peeled off and the adherend is pressed thereon, followed by heat curing. As this support base material, polyethylene, polypropylene, polyester, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polytetrafluoroethylene, paper, metal foil, or the like or a release treatment of these surfaces can be used.

기재 상에 도포된 접착제 조성물의 건조 조건으로서는 상온 내지 200℃, 특히 80 내지 150℃에서 1 분 내지 1 시간, 특히 3 내지 20 분간으로 하는 것이 바람직하다. 얻어진 접착제층의 막 두께는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 선택할 수 있지만, 10 내지 100 ㎛, 특히 15 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 접착제층의 경화 조건으로서는 압력 0.01 내지 10 MPa, 특히 0.1 내지 2 MPa에서 압착시킨 후, 온도 100 내지 200℃, 특히 120 내지 180℃에서 30 분 내지 5 시간, 특히 1 내지 2 시간으로 하는 것이 바람직하다. As dry conditions of the adhesive composition apply | coated on a base material, it is preferable to set it as normal for 1 minute-1 hour, especially 3 to 20 minutes at normal temperature-200 degreeC, especially 80-150 degreeC. There is no restriction | limiting in particular in the film thickness of the obtained adhesive bond layer, Although it can select according to the objective, it is preferable that it is 10-100 micrometers, especially 15-50 micrometers. In addition, the curing conditions of the adhesive layer, after pressing at a pressure of 0.01 to 10 MPa, in particular 0.1 to 2 MPa, the temperature of 100 to 200 ℃, especially 120 to 180 ℃ 30 minutes to 5 hours, in particular 1 to 2 hours desirable.

다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트는 기재 상에 형성된 실리콘 점착층 위에 상기 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층을 구비한 것이며, 예를 들면 도 1, 2에 나타내는 구성으로 할 수 있다. 동일한 도면에 있어서 (1)은 점착 필름 기재, (2)는 점착층, (3)은 접착제층, (4)는 접착 필름 기재이고, 도 2의 테이프는 접착제층 (3)이 웨이퍼의 형상, 크기에 따라서 점착층보다 작게 형성되어 있는 것이다. 또한, 본 발명에서 시트는 테이프 형상의 것도 포함한다. The adhesive sheet for dicing die-bonding is equipped with the adhesive bond layer which consists of said adhesive composition on the silicone adhesion layer formed on the base material, For example, it can be set as the structure shown in FIGS. In the same drawing, (1) is an adhesive film substrate, (2) is an adhesive layer, (3) is an adhesive layer, (4) is an adhesive film substrate, and the tape of FIG. It is formed smaller than an adhesion layer according to the magnitude | size. In the present invention, the sheet also includes a tape-shaped one.

기재 (1)로서는 상술한 접착 필름의 기재와 동일한 것을 사용할 수 있다. 즉, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔 필름, 폴리부텐 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 또한 이들의 공중합체 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; (메트)아크릴산 공중합체 필름, 아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리에테르케톤 필름, 폴리에테르ㆍ에테르케톤 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리스티렌 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들을 가교한 것, 표면을 플라즈마나 코로나 처리한 것, 이들 필름끼리 또는 다른 필름을 적층한 것일 수도 있다. 이들 중에서 다이싱 공정 후, 기재를 늘임으로써(익스팬딩) 절단된 칩을 용이하게 격리할 수 있는 연신성을 갖는 점에서 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름이 바람직하다. As the base material 1, the same thing as the base material of the adhesive film mentioned above can be used. Namely, polyolefin films such as polyethylene, polypropylene, polybutadiene film, polybutene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, and copolymer films thereof; Polyester films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film; (Meth) acrylic acid copolymer film, vinyl acetate copolymer film, polyether ketone film, polyether ether ketone film, polyether sulfone film, polyamide film, polyimide film, polyetherimide film, polycarbonate film, Polystyrene films and the like can be used. Moreover, what bridge | crosslinked these, the thing which carried out the plasma or corona treatment, and laminated | stacked these films or another film may be sufficient. Among them, polyethylene films and polypropylene films are preferred in view of having elongation that can easily isolate the chip which is cut by expanding the substrate (expanding) after the dicing step.

이 기재 필름의 막 두께는 필름의 종류 및 요망되는 연신성에 의존하여 적절하게 조정되지만, 전형적으로는 20 내지 400 ㎛이고, 바람직하게는 30 내지 150 ㎛이다. Although the film thickness of this base film is adjusted suitably according to the kind of film and desired stretchability, it is typically 20-400 micrometers, Preferably it is 30-150 micrometers.

실리콘 점착층 (2)는 접착제층과 상용하지 않는 실리콘 점착제로부터 형성된 다. 예를 들면, 일반적으로 사용되는 가열 경화형의 쇄상 오르가노폴리실록산과 고체상의 실리콘 수지를 포함하는 점착제를 사용할 수 있다. 가열 경화형의 실리콘 점착제로서는 유기 과산화물 경화형과 백금 부가 경화형이 있지만, 기재로서 연신성 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름을 이용하는 경우, 열에 의해 변형하는 경우가 있기 때문에, 비교적 저온에서 경화할 수 있는 백금 부가 경화형의 실리콘 점착재를 이용하는 것이 바람직하다. The silicone adhesive layer 2 is formed from a silicone adhesive which is not compatible with the adhesive layer. For example, the adhesive containing the heat-hardening type | mold chain organopolysiloxane and solid silicone resin generally used can be used. The heat-curable silicone pressure-sensitive adhesives include organic peroxide curable and platinum addition-curable, but when an extensible polyethylene film and a polypropylene film are used as the substrate, they may be deformed by heat. It is preferable to use a silicone adhesive.

유기 과산화물 경화형의 실리콘 점착제는 (i) 쇄상 오르가노폴리실록산, (ii) (R14 3SiO1 /2) 단위와 (SiO2) 단위로 이루어지는 오르가노폴리실록산 공중합체 수지(단, R14는 치환 또는 비치환 1가 탄화수소기이고, (SiO2) 단위에 대한 (R14 3SiO1/2) 단위의 몰비는 0.5 내지 1.5임), 및 (iii) 가교제, 예를 들면 벤조일퍼옥시드, 비스(4-메틸벤조일)퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산 등을 함유하는 것이다. Silicone pressure-sensitive adhesive of the organic peroxide curing type is (i) a chain organopolysiloxane, (ii) (R 14 3 SiO 1/2) units and (SiO 2) organopolysiloxane copolymer resin (but consisting of units, R 14 is a substituted or Unsubstituted monovalent hydrocarbon group, the molar ratio of (R 14 3 SiO 1/2 ) units to (SiO 2 ) units is from 0.5 to 1.5), and (iii) crosslinking agents such as benzoylperoxide, bis (4 -Methylbenzoyl) peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane and the like.

백금 부가 경화형의 실리콘 점착제는 (i) 쇄상 비닐기 함유 오르가노폴리실록산, (ii) 상기 오르가노폴리실록산 공중합체 수지 및 (iii) 가교제, 예를 들면 규소 결합 수소 원자를 함유하는 오르가노히드로겐폴리실록산, (iv) 촉매, 예를 들면 염화백금산, 알코올 변성 염화백금산, 백금의 올레핀 착체, 백금의 비닐실록산과의 착체 등의 백금족 금속계 촉매를 함유하는 것이다. Platinum addition-curable silicone pressure-sensitive adhesives (i) organopolysiloxane containing a linear vinyl group, (ii) the organopolysiloxane copolymer resin and (iii) a organohydrogenpolysiloxane containing a crosslinking agent such as a silicon-bonded hydrogen atom, (iv) A catalyst, for example, a platinum group metal catalyst such as platinum chloride, alcohol-modified platinum chloride, olefin complex of platinum, and complex of vinylsiloxane with platinum.

상기 실리콘 점착제를 이용한 점착층은 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 접 착제층에 대하여 0.05 내지 1.0 N/25 mm, 바람직하게는 0.1 내지 0.7 N/25 mm의 점착력을 갖는 것이다. 점착력이 상기 하한치보다 작으면, 다이싱시에 칩이 접착제층과 함께 박리되어 비산하는 경우가 있다. 또한, 점착력이 상기 상한치보다 크면, 칩 취출(픽 업)이 곤란해진다. 점착제의 가교 밀도, 실리콘 수지 성분의 함유량을 조정함으로써 점착력을 상기 범위내로 조정할 수 있다. The adhesive layer using the silicone adhesive has an adhesive force of 0.05 to 1.0 N / 25 mm, preferably 0.1 to 0.7 N / 25 mm with respect to the adhesive layer obtained from the composition of the present invention. When adhesive force is smaller than the said lower limit, the chip | tip may peel and scatter with an adhesive bond layer at the time of dicing. Moreover, when adhesive force is larger than the said upper limit, chip taking out (pickup) will become difficult. By adjusting the crosslinking density of an adhesive and content of a silicone resin component, adhesive force can be adjusted in the said range.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트의 제조 방법을 설명한다. 우선, 플라스틱 필름 기재 (1) 상에 상기 실리콘 점착제를 도포하여 열에 의해 경화시켜 점착층 (2)를 형성한다(이하, 이것을 점착 필름이라 함). 이 점착층의 두께는 5 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50 ㎛이다. 경화 조건으로서는 플라스틱 필름 기재의 내열성에도 의존하지만, 통상 60 내지 120℃이다. The manufacturing method of the adhesive sheet for dicing die bonds of this invention is demonstrated. First, the said silicone adhesive is apply | coated on the plastic film base material 1, it hardens by heat, and forms the adhesion layer 2 (it calls this an adhesive film hereafter). It is preferable that the thickness of this adhesion layer is 5-100 micrometers, More preferably, it is 10-50 micrometers. Although it also depends on the heat resistance of a plastic film base material as hardening conditions, it is 60-120 degreeC normally.

이와 같이 하여 얻어진 점착 필름의 실리콘 점착층 (2) 표면과 상기 방법에 의해 얻어지는 접착 필름의 접착제층 표면을 대향시켜 압착함으로써 본 발명의 다이싱ㆍ다이본드용 접착 테이프를 얻을 수 있다. 여기서, 점착 필름과 접착 필름을 압착시킬 때의 조건으로서는 상온에서 0.01 내지 2 MPa, 특히 0.1 내지 1 MPa로 하는 것이 바람직하다. Thus, the adhesive tape for dicing die-bonding of this invention can be obtained by opposing and crimping | bonding the silicone adhesion layer 2 surface of the adhesive film obtained and the adhesive bond layer surface of the adhesive film obtained by the said method. Here, as conditions for crimping | bonding an adhesive film and an adhesive film, it is preferable to set it as 0.01-2 MPa, especially 0.1-1 MPa at normal temperature.

본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 시트의 사용 방법을 도 1 내지 4를 참조하면서 설명한다. 도 1은 다이싱ㆍ다이 본드 시트의 일례의 단면도이다. 도 2는 접착층이 다이싱 프레임분만큼 점착층보다 작은 시트의 단면도이다. 도 1 및 2에 있어서 접착제층 측의 기재 필름 (4)를 박리하고, 접착제층 (3)에 웨이퍼를 열 압착하여 고정시킨다. 도 3, 4는 각각 도 1, 2의 시트의 접착 필름 기재 (4)를 박리하여 실리콘 웨이퍼 (5)에 접착시킨 상태를 나타내는 것이다. 열 압착 조건은 접착제층의 조성에 따라서 적절하게 선택할 수 있지만, 통상은 40 내지 120℃에서 0.01 내지 0.2 MPa이다. 이어서, 웨이퍼를 다이싱한 후, 접착층을 점착층으로부터 박리하여 접착제층이 부착된 상태의 칩을 취출(픽 업)하고, 이 칩을 수지 기판이나 리드 프레임에 접착제를 통해 열 압착하여 가열 경화시킨다. 또는 접착제층이 부착된 칩을 열 압착에 의해 기판 상에 임시 고정하고, 이어서 칩을 몰드 재료로 밀봉하여 몰드 재료의 가열 경화와 동시에 경화 접착시킬 수도 있다. 전자의 열 압착, 가열 경화 조건은 접착제층의 조성에 의해 적절하게 선택할 수 있지만, 통상은 120 내지 250℃이고, 후자의 열 압착 임시 고정은 웨이퍼는 40 내지 200℃에서 0.01 내지 0.2 MPa이다. The use method of the dicing die bond sheet of this invention is demonstrated, referring FIGS. 1 is a cross-sectional view of an example of a dicing die bond sheet. 2 is a cross-sectional view of a sheet in which the adhesive layer is smaller than the adhesive layer by the dicing frame. In FIG.1 and 2, the base film 4 of the adhesive bond layer side is peeled off, and a wafer is thermally crimped and fixed to the adhesive bond layer 3. 3 and 4 show a state where the adhesive film base material 4 of the sheets of FIGS. 1 and 2 is peeled off and adhered to the silicon wafer 5, respectively. Although thermocompression bonding conditions can be suitably selected according to the composition of an adhesive bond layer, Usually, they are 0.01-0.2 MPa at 40-120 degreeC. Subsequently, after dicing the wafer, the adhesive layer is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer to take out the chips with the adhesive layer attached thereto (pick up), and the chips are thermocompression-bonded to the resin substrate or the lead frame through the adhesive to be heat cured. . Alternatively, the chip with the adhesive layer may be temporarily fixed on the substrate by thermal compression, and then the chip may be sealed with a mold material to be cured and bonded simultaneously with the heat curing of the mold material. The former thermal compression and heat curing conditions can be appropriately selected depending on the composition of the adhesive layer, but usually 120 to 250 ° C, and the latter thermal compression temporary fixing is 0.01 to 0.2 MPa at 40 to 200 ° C.

본 발명의 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트는 반도체 장치의 제조뿐 아니라, 접착 및 다이싱이 수반된 다양한 장치의 제조 공정에서 이용하는 것이 가능하다. The adhesive sheet for dicing die-bonding of this invention can be used not only for manufacture of a semiconductor device but also in the manufacturing process of various apparatuses with adhesion and dicing.

<실시예><Examples>

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되지 않는다. Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to the following Example.

합성예 1. 페놀성 수산기를 갖는 폴리이미드 실리콘 수지-1Synthesis Example 1. Polyimide Silicone Resin-1 Having Phenolic Hydroxyl Group

환류 냉각기를 연결한 코크가 부착된 25 ㎖의 수분 정량 수용기, 온도계, 교반기를 구비한 1 L의 분리 플라스크에 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 32.2 질량부와 용매 2-메틸피롤리돈 150 질량부를 넣고, 교반하여 산 무수물을 분산시켰다. 상기 분산물 중에 하기 화학식32.2 parts by mass of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride in a 1-liter flask equipped with a coke-attached 25 ml water meter, thermometer, and stirrer connected to a reflux condenser; 150 parts by mass of solvent 2-methylpyrrolidone was added and stirred to disperse the acid anhydride. In the dispersion

Figure 112006075397405-pat00015
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로 표시되는 디메틸디아미노폴리실록산(이후, 「디아미노실록산-1」이라 함) 51.28 질량부(상기 식에 있어서 j는 어떤 범위의 정수이고, 그의 평균이 상기 디메틸디아미노폴리실록산의 아민 당량이 641이 되는 크기임) 2-메틸피롤리돈 50 질량부에 분산시킨 용액을 적하하여 실온에서 1 시간 교반 반응시킴으로써 산 무수물이 풍부한 아믹산 올리고머를 합성하였다. 상기 아믹산 올리고머 용액에 하기 화학식 51.28 parts by mass of dimethyldiaminopolysiloxane (hereinafter referred to as "diaminosiloxane-1") (wherein j is an integer in a range, and the average thereof is an amine equivalent of dimethyldiaminopolysiloxane of 641). A solution dispersed in 50 parts by mass of 2-methylpyrrolidone was added dropwise and stirred for 1 hour at room temperature to synthesize an acid anhydride-rich amic acid oligomer. The amic acid oligomer solution to the formula

Figure 112006075397405-pat00016
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로 표시되는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디아민(이후, 「페놀디아민-1」이라 함) 29.68 질량부와 2-메틸피롤리돈 140 질량부를 적하한 후, 실온에서 16 시간 교반하여 폴리아믹산 용액을 합성하였다. 그 후, 톨루엔 80 ㎖를 투입하고 나서 온도를 올려 약 180℃에서 4 시간 환류시켰다. 수분 정량 수용기에 소정량의 물이 고이는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인하고, 수분 정량 수용기에 고여 있는 유출액을 제거하면서 180℃에서 톨루엔을 제거하였다. 반응 종료 후, 대과잉의 메탄올 중에 얻어진 반응액을 적하하여 중합체를 석출시키고, 감압 건조시켜 페놀성 수산기를 갖는 폴리이미드 실리콘 수지-1을 얻었다. 29.68 parts by mass of aromatic diamine having a phenolic hydroxyl group (hereinafter referred to as "phenoldiamine-1") and 140 parts by mass of 2-methylpyrrolidone were added dropwise, followed by stirring at room temperature for 16 hours to synthesize a polyamic acid solution. It was. Thereafter, 80 ml of toluene was added and the temperature was raised to reflux at about 180 ° C. for 4 hours. It was confirmed that a predetermined amount of water accumulated in the water metering receiver and the outflow of water were not seen, and toluene was removed at 180 ° C while removing the effluent collected in the water metering receiver. After completion | finish of reaction, the reaction liquid obtained in the excess methanol was dripped, the polymer was precipitated, and it dried under reduced pressure, and obtained polyimide silicone resin-1 which has a phenolic hydroxyl group.

얻어진 수지의 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에서 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780 cm-1 및 1720 cm-1에 이미드기에서 기초하는 흡수, 3500 cm-1에 페놀성 수산기에서 기초하는 흡수를 확인하였다. 테트라히드로푸란을 용매로 하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로써 본 수지의 중량 평균 분자량(폴리스티렌 환산)을 측정한 결과, 56,000이었다. As a result of measuring the infrared absorption spectrum of the obtained resin, absorption based on a polyamic acid indicating that there was an unreacted functional group was not observed, and absorption based on an imide group at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , 3500 cm -1 The absorption based on the phenolic hydroxyl group was confirmed. It was 56,000 when the weight average molecular weight (polystyrene conversion) of this resin was measured by the gel permeation chromatography (GPC) which uses tetrahydrofuran as a solvent.

합성예 2. 페놀성 수산기를 갖는 폴리이미드 실리콘 수지-2Synthesis Example 2. Polyimide Silicone Resin-2 Having Phenolic Hydroxyl Group

합성예 1에 있어서 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 대신에 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르산 이무수물 31.0 질량부, 64.1 질량부의 디아미노실록산-1, 페놀디아민-1 대신에 하기 화학식 31.0 parts by mass of bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride and 64.1 parts by mass of diaminosiloxane in place of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride in Synthesis Example 1 1, instead of phenoldiamine-1

Figure 112006075397405-pat00017
Figure 112006075397405-pat00017

로 표시되는 페놀성 수산기를 갖는 방향족 디아민(페놀디아민-2) 12.9 질량부, 합계로 325 질량부의 2-메틸피롤리돈을 이용한 것 이외에는, 합성예 1에 준하여 페놀성 수산기를 갖는 폴리이미드 실리콘 수지-2를 얻었다. 분자량은 63,000이었다. Polyimide silicone resin having a phenolic hydroxyl group according to Synthesis Example 1, except that 12.9 parts by mass of aromatic diamine (phenoldiamine-2) having a phenolic hydroxyl group represented by -2 was obtained. The molecular weight was 63,000.

합성예 3. 폴리이미드 실리콘 수지-3Synthesis Example 3. Polyimide Silicone Resin-3

합성예 1에 있어서 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 대신에 6 FDA(2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판) 44.4 질량부, 디아미노실록산-1 대신에 디아미노실록산-1과 아민 당량만 다른 (아민 당량 407) 디메틸디아미노폴리실록산(이후, 「디아미노실록산-2」라 함) 56.98 질량부, 페놀디아민-1 대신에 BAPP(2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판) 12.3 질량부, 합계로 340 질량 부의 2-메틸피롤리돈을 이용한 것 이외에는 합성예 1에 준하여 폴리이미드 실리콘 수지-3을 얻었다. 분자량은 72,000이었다. 44.4 parts by mass of 6 FDA (2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane) instead of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride in Synthesis Example 1 56.98 parts by mass of dimethyldiaminopolysiloxane (hereinafter referred to as `` diaminosiloxane-2 '') which differ only in diaminosiloxane-1 and amine equivalents instead of diaminosiloxane-1 (amine equivalent 407), instead of phenoldiamine-1 BAPP (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane) Polyimide silicone resin-in accordance with Synthesis Example 1, except that 12.3 parts by mass and 340 parts by mass of 2-methylpyrrolidone in total were used. Got 3. The molecular weight was 72,000.

합성예 4. 폴리이미드 실리콘 수지-4Synthesis Example 4. Polyimide Silicone Resin-4

합성예 1에 있어서 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 대신에 6FDA(2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판) 44.4 질량부, 디아미노실록산-1 대신에 0.51 질량부의 디메틸디아미노폴리실록산-2, 페놀디아민-1 대신에 BAPP(2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판) 34.44 질량부, 합계로 290 질량부의 2-메틸피롤리돈을 이용한 것 이외에는 합성예 1에 준하여 폴리이미드 실리콘 수지-D를 얻었다. 분자량은 74,000이었다. 44.4 parts by mass of 6FDA (2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane) instead of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride in Synthesis Example 1, 0.51 parts by mass of dimethyldiaminopolysiloxane-2 in place of diaminosiloxane-1 and 34.44 parts by mass of BAPP (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane) in place of phenoldiamine-1 Polyimide silicone resin -D was obtained according to Synthesis Example 1 except that 290 parts by mass of 2-methylpyrrolidone was used. The molecular weight was 74,000.

폴리이미드 수지 용액의 제조Preparation of Polyimide Resin Solution

합성예 1 내지 4에서 얻어진 폴리이미드 수지 1 내지 4의 40 질량부를 시클로헥사논 60 질량부에 용해시켜 폴리이미드 수지 용액을 얻었다. 40 mass parts of the polyimide resins 1-4 obtained by the synthesis examples 1-4 were melt | dissolved in 60 mass parts of cyclohexanone, and the polyimide resin solution was obtained.

접착제 조성물의 제조(Preparation of adhesive composition 실시예Example 1 내지 6,  1 to 6, 비교예Comparative example 1, 2,  1, 2, 참고예Reference Example 1, 2) 1, 2)

각 폴리이미드 수지 용액에 하기 표 1에 나타내는 에폭시 수지, 촉매, 실리카 및 복합 실리콘 고무 미립자를 동일한 표에 나타내는 배합량으로 자전ㆍ공전 방식의 혼합기((주)신키사 제조)에서 혼합하여 접착제 조성물을 제조하였다. The epoxy composition, the catalyst, the silica, and the composite silicone rubber fine particles shown in the following Table 1 were mixed with each polyimide resin solution in a rotating and revolving mixer (manufactured by Shinki Co., Ltd.) at a compounding amount shown in the same table to prepare an adhesive composition. It was.

접착 필름 I 내지 X의 제조Preparation of Adhesive Films I to X

각 접착제 조성물을 불소 실리콘 이형제를 피복한 두께 50 ㎛의 PET 필름 상에 도포하여 120℃에서 30 분간 가열 건조시켜 50 ㎛ 두께 및 약 25 ㎛ 두께의 접착층을 각각 형성하였다. Each adhesive composition was applied onto a 50 μm thick PET film coated with a fluorine silicon release agent and heated to dry at 120 ° C. for 30 minutes to form a 50 μm thick and about 25 μm thick adhesive layer, respectively.

실리콘 점착제 I 내지 Silicone adhesive I to IVIV 의 제조Manufacturing

[제조예 1] [Production Example 1]

(CH3)3SiO1/2 단위 1.1 몰과 SiO2 단위 1 몰의 비율로 이루어지는 메틸폴리실록산 수지를 60 질량% 포함하는 톨루엔 용액 33.33 질량부, 말단 및 측쇄에 비닐기를 100 gr당 0.002 몰 갖는 중합도 2,000의 생고무상의 디메틸폴리실록산 80 질량부와 톨루엔 172 질량부를 균일하게 될 때까지 용해시키고, 이어서 이 혼합 용액에 하기 구조의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산 화합물 0.68 질량부와 반응 억제제로서 3-메틸-1-부틴-3-올 0.24 질량부 혼합하며, 이어서 이 혼합물에 백금량이 40 ppm이 된 염화백금산의 2-에틸헥산올 변성 용액을 혼합하여 실리콘 점착제 조성물-I을 제조하였다. (CH 3) 3 SiO 1/2 units of SiO 2 units and 1.1 mol per 1 mol ratio methylpolysiloxane resin to a toluene solution containing 60% by mass 33.33 parts by mass of the terminal and side-chain vinyl groups having polymerization degree of 0.002 mole per 100 gr in consisting of 80 parts by mass of 2,000 raw rubber dimethylpolysiloxane and 172 parts by mass of toluene were dissolved until homogeneous, and then 0.68 parts by mass of the organopolysiloxane compound having silicon atom-bonded hydrogen atoms of the following structure in the mixed solution and 3- as a reaction inhibitor. 0.24 parts by mass of methyl-1-butyn-3-ol was mixed, and then, a mixture of 2-ethylhexanol of chloroplatinic acid having a platinum content of 40 ppm was mixed to prepare a silicone pressure-sensitive adhesive composition-I.

Figure 112006075397405-pat00018
Figure 112006075397405-pat00018

[제조예 2][Production Example 2]

제조예 9에 준하여 (CH3)3SiO1 /2 단위 1.1 몰과 SiO2 단위 1 몰의 비율로 이루어지는 메틸폴리실록산 수지를 60 질량% 포함하는 톨루엔 용액 50 질량부, 말단 및 측쇄에 비닐기를 100 gr당 0.002 몰 갖는 중합도 2,000의 생고무상의 디메틸폴리실록산 70 질량부, 톨루엔 165.7 질량부, 상기 구조의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산 화합물 0.64 질량부, 반응 억제제로서 3-메틸-1-부틴-3-올 0.24 질량부와 백금량이 40 ppm이 된 염화백금산의 2-에틸헥산올 변성 용액으 로부터 실리콘 점착제 조성물-II를 제조하였다. According to Production Example 9 (CH 3) 3 SiO 1 /2 units of 1.1 mole of SiO 2 units of 50 parts by mass of 1 toluene containing 60 mass% of a methylpolysiloxane resin consisting of a ratio of the molar solution, a vinyl group 100 gr in the ends and side chains 70 parts by mass of a raw rubber-like dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 0.002 mol per sugar, 165.7 parts by mass of toluene, 0.64 parts by mass of an organopolysiloxane compound having a silicon atom-bonded hydrogen atom of the above structure, and 3-methyl-1-butyne-3 as a reaction inhibitor Silicone pressure-sensitive adhesive composition -II was prepared from a 2-ethylhexanol modified solution of chloroplatinic acid having 0.24 parts by mass of -ol and a platinum content of 40 ppm.

[제조예 3][Production Example 3]

제조예 1에 준하여 (CH3)3SiO1 /2 단위 1.1 몰과 SiO2 단위 1 몰의 비율로 이루어지는 메틸폴리실록산 수지를 60 질량% 포함하는 톨루엔 용액 16.66 질량부, 말단 및 측쇄에 비닐기를 100 gr당 0.002 몰 갖는 중합도 2,000의 생고무상의 디메틸폴리실록산 90 질량부, 톨루엔 180 질량부, 상기 구조의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산 화합물 0.77 질량부, 반응 억제제로서 3-메틸-1-부틴-3-올 0.24 질량부와 백금량이 40 ppm이 된 염화백금산의 2-에틸헥산올 변성 용액으로부터 실리콘 점착제 조성물-III을 제조하였다. According to Production Example 1 (CH 3) 3 SiO 1 /2 units of 1.1 mole of SiO 2 units 1 toluene containing 60 mass% of a methylpolysiloxane resin consisting of a ratio of the molar solution of 16.66 parts by weight, 100 gr vinyl group at ends and side chains 90 parts by mass of a raw rubber-like dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 2,000 per mole per 2,000, 180 parts by mass of toluene, 0.77 parts by mass of an organopolysiloxane compound having a silicon atom-bonded hydrogen atom of the above structure, 3-methyl-1-butyne-3 as a reaction inhibitor Silicone pressure-sensitive adhesive composition -III was prepared from a 2-ethylhexanol modified solution of chloroplatinic acid having 0.24 parts by mass of -ol and a platinum content of 40 ppm.

[제조예 4][Production Example 4]

제조예 9에 준하여 (CH3)3SiO1 /2 단위 1.1 몰과 SiO2 단위 1 몰의 비율로 이루어지는 메틸폴리실록산 수지를 60 질량% 포함하는 톨루엔 용액 83.33 질량부, 말단 및 측쇄에 비닐기를 100 gr당 0.002 몰 갖는 중합도 2,000의 생고무상의 디메틸폴리실록산 50 질량부, 톨루엔 152.4 질량부, 상기 구조의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산 화합물 0.46 질량부, 반응 억제제로서 3-메틸-1-부틴-3-올 0.24 질량부와 백금량이 40 ppm이 된 염화백금산의 2-에틸헥산올 변성 용액으로부터 실리콘 점착제 조성물-IV를 제조하였다. According to Production Example 9 (CH 3) 3 SiO 1 /2 units of 1.1 mol as SiO 2 unit 1 of a toluene solution containing 60 mass% of a methylpolysiloxane resin consisting of a ratio of moles 83.33 parts by weight, a vinyl group 100 gr in the ends and side chains 50 parts by mass of raw rubber dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 2,000, having 0.002 moles per sugar, 152.4 parts by mass of toluene, 0.46 parts by mass of an organopolysiloxane compound having a silicon atom-bonded hydrogen atom of the above structure, and 3-methyl-1-butyne-3 as a reaction inhibitor Silicone pressure-sensitive adhesive composition -IV was prepared from a 2-ethylhexanol modified solution of chloroplatinic acid having 0.24 parts by mass of -ol and a platinum content of 40 ppm.

점착 필름의 제조Preparation of Adhesive Film

상기 실리콘 점착제 조성물 I 내지 IV를 두께 100 ㎛의 무연신 폴리에틸 렌(LDP) 상에 도포하고, 100℃에서 10 분간 가열하여 15 ㎛의 실리콘 점착층을 형성시킴으로써 실리콘 점착 필름 I 내지 IV를 제조하였다. Silicone adhesive films I to IV were prepared by applying the silicone adhesive compositions I to IV on 100 탆 thick unstretched polyethylene (LDP) and heating at 100 ° C. for 10 minutes to form a 15 탆 silicone adhesive layer. .

다이싱Dicing 다이die 본드 시트의 제조( Production of bond sheet 실시예Example 7 내지 13,  7 to 13, 비교예Comparative example 3, 4,  3, 4, 참고예Reference Example 3 내지 6) 3 to 6)

상기에서 얻어진 실리콘 점착 필름의 점착층면과 접착 필름의 접착제층면을 표 2에 나타내는 조합으로 하중 2 kg, 폭 300 mm 롤에 의해 압착하여 다이싱ㆍ다이 본드 시트 I 내지 XIII을 제조하였다. The adhesion layer surface of the silicone adhesive film obtained above and the adhesive bond layer surface of an adhesive film were crimped | bonded by the load of 2 kg and width 300mm roll by the combination shown in Table 2, and dicing die bond sheets I-XIII were manufactured.

각 미경화의 접착 필름을 이용하여 최저 용융 점도의 측정을 각 접착제로부터 얻어지는 경화물의 유리전이점, 선팽창계수, 영률(Young's Modulus) 및 흡습률의 측정을, 각 다이싱ㆍ다이 본드 시트를 이용하여 접착성, 습열 후의 접착성, 점착력, 열 압착성, 다이싱 및 칩 취출성, 수지 밀봉 후의 공극의 발생 및 칩 이동의 유무, 및 패키지의 신뢰성 평가를 각각 하기에 나타내는 방법에 따라서 행하였다. 표 1 및 표 2에 이들의 결과를 나타낸다. Measurement of the minimum melt viscosity using each uncured adhesive film was carried out by measuring the glass transition point, the linear expansion coefficient, Young's Modulus, and the moisture absorption rate of the cured product obtained from each adhesive, using each dicing die bond sheet. The adhesiveness, adhesiveness after wet heat, adhesive force, thermocompression property, dicing and chip taking out property, the generation | occurrence | production of the space | gap after resin sealing, the presence or absence of chip | tip movement, and the reliability evaluation of the package were performed according to the method shown below, respectively. Table 1 and Table 2 show these results.

실리콘 고무 분말의 분산성Dispersibility of Silicone Rubber Powder

25 ㎛ 두께의 경화 필름의 표면 상태(분산성 불량에 의한 요철)를 관찰하였다. 요철이 없는 것을 A, 요철이 있는 것을 B라 하였다. The surface state (unevenness due to poor dispersibility) of the cured film having a thickness of 25 μm was observed. A without irregularities was referred to as A, and B with irregularities.

유리전이점, 선팽창계수 Glass transition point, linear expansion coefficient

상기 접착 필름을 175℃에서 2 시간 열 처리하여 건조 및 경화시켰다. 20 mm×5 mm×50 ㎛의 필름을 잘라내어 유리전이점을 측정하였다. 측정에는 열 기계 측정 장치, TMA-2000(알백 리꼬 제조)를 이용하여 인장 모드로 척(chuck) 간 거리 15 mm, 측정 온도 25 내지 300℃, 승온 속도 5℃/분, 측정 하중 3 g의 조건에서 유리전이점 및 선팽창계수를 측정하였다. The adhesive film was heat treated at 175 ° C. for 2 hours to dry and cure. A film of 20 mm × 5 mm × 50 μm was cut out and the glass transition point was measured. The measurement was carried out using a thermomechanical measuring device, TMA-2000 (manufactured by Albag Ricoh), in a tensioning mode with a distance of 15 mm, a measurement temperature of 25 to 300 ° C., a temperature increase rate of 5 ° C./min, and a measurement load of 3 g. The glass transition point and the coefficient of linear expansion were measured at.

영률Young's modulus

상기에서 얻어진 접착 필름을 175℃에서 2 시간 가열하여 경화시켰다. 40 mm×10 mm×50 ㎛의 필름을 잘라내고, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 인장 모드로 척간 거리 10 mm, 측정 온도 25℃, 측정 주파수 1 Hz의 조건에서 영률을 측정하였다. The adhesive film obtained above was heated and hardened at 175 degreeC for 2 hours. The film of 40 mm x 10 mm x 50 micrometers was cut out, and the Young's modulus was measured on the conditions of 10 mm of chuck | zipper distances, the measurement temperature of 25 degreeC, and the measurement frequency of 1 Hz using the dynamic viscoelasticity measuring apparatus.

흡습률Moisture absorption rate

상기에서 얻어진 접착 필름을 175℃에서 2 시간 가열 경화시켰다. 150 mm×150 mm×50 ㎛의 필름을 잘라내어 85℃/85 %RH의 조건하에서 168 시간 유지한 후, 중량 변화에 의해 흡습률을 측정하였다. The adhesive film obtained above was heat-hardened at 175 degreeC for 2 hours. The film of 150 mmx150 mmx50 micrometers was cut out, and it hold | maintained for 168 hours under 85 degreeC / 85% RH conditions, and the moisture absorption rate was measured by weight change.

최저 용융 점도Lowest melt viscosity

각 미경화의 접착 필름끼리 80℃에서 열 적층하여 두께 약 1 mm의 시험편을 제조하였다. 이 시료를 이용하여 병렬 플레이트형 점탄성 측정 장치(레올로지사 제조, MR-300)에서 필름상의 접착제 조성물의 용융 점도를 측정하였다. Each uncured adhesive film was thermally laminated at 80 ° C. to prepare a test piece having a thickness of about 1 mm. Using this sample, the melt viscosity of the film-like adhesive composition was measured in a parallel plate type viscoelasticity measuring device (MR-300, manufactured by Rheology Corporation).

접착성 시험Adhesive test

다이싱ㆍ다이본드 테이프를 450 ㎛의 6 인치의 실리콘 웨이퍼에 열 압착하고, 이어서 2 mm×2 mm로 다이싱하였다. 이면에 접착층이 붙은 실리콘 칩을 잘라내어 10 mm×10 mm의 레지스트 AUS303((주)유니테크노사 제조)이 도포 경화된 BT 기판과 실리콘 기판에 각각 150℃, 0.1 MPa의 조건에서 2 초간 열 압착하여 고정시 켰다. 얻어진 시험체를 175℃에서 2 시간 가열하여 접착층을 경화시켜 접착용시험편을 제조하였다. 본드 테스터(DAGE사 제조, 4000PXY)에 의해 240℃에서의 전단 접착력을 측정하였다. The dicing die-bonding tape was thermocompression-bonded to the 450-micrometer 6-inch silicon wafer, and then diced into 2 mm x 2 mm. The silicon chip with the adhesive layer on the back side was cut out and thermally pressed onto a BT substrate and a silicon substrate coated with a 10 mm x 10 mm resist AUS303 (manufactured by Unitechno Co., Ltd.) for 2 seconds at 150 ° C and 0.1 MPa, respectively. Fixed The obtained test body was heated at 175 degreeC for 2 hours, hardening an adhesive layer, and the adhesive test piece was produced. The shear adhesive force in 240 degreeC was measured by the bond tester (4000PXY by DAGE Co., Ltd.).

습열 후의 접착성 시험Adhesive test after moist heat

상기 접착용 시험편을 85℃/60 %RH의 조건하에서 168 시간 유지하고, 이어서 260℃의 리플로우로에 3회 통과시킨 후, 상기와 동일하게 240℃의 전단 접착력을 측정하였다. The adhesive test piece was kept for 168 hours under the condition of 85 ° C / 60% RH, and then passed through a reflow furnace at 260 ° C three times, and the shear adhesion at 240 ° C was measured in the same manner as above.

점착력의 측정Measurement of adhesion

상기에서 얻어진 다이싱ㆍ다이 본드 시트를 폭 25 mm의 테이프상으로 잘라내고, 접착제층 측의 기재 필름을 박리하여 접착제층 측을 유리판(두께 2.0 mm, 폭 50 mm)에 80℃, 0.01 MPa의 조건에서 10 초간 열 압착하였다. 이 시험체를 25±2℃, 50±5 %RH의 항온 항습하에서 24 시간 방치한 후, 점착 필름의 말단을 접착제층으로부터 박리하여 180°로 접고, 300 mm/분의 속도로 박리하였을 때의 박리력을 측정하였다. The dicing die bond sheet obtained above was cut out in the shape of a tape having a width of 25 mm, the base film on the adhesive layer side was peeled off, and the adhesive layer side was placed on a glass plate (thickness 2.0 mm, width 50 mm) at 80 ° C and 0.01 MPa. It was thermally pressed for 10 seconds under the conditions. After leaving this test body at 25 ± 2 ° C for 50 hours at a constant temperature of 50 ± 5% RH for 24 hours, the end of the adhesive film was peeled off from the adhesive layer, folded at 180 °, and peeled off at a rate of 300 mm / min. Force was measured.

다이싱Dicing 및 칩  And chips 취출Blowout 시험 exam

상기에서 얻어진 다이싱ㆍ다이 본드 시트의 접착제층 측의 기재 필름을 박리하고, 테크노비젼사 제조의 필름 접착 장치(FM-114)에서 150 ㎛의 8 인치 웨이퍼에 80℃에서 열 압착시켰다(롤 압, 2 kg). 이것을 10 mm 변(角)의 칩으로 다이싱하여 NEC 머시너리사 제조의 다이본더 장치(BESTEM-D02-Type C)에서 칩 취출을 행하였다. 표에 있어서 다이싱시에 칩이 비산하지 않은 것을 A, 비산한 것을 B라 하고, 또한 칩의 취출이 문제없이 가능한 것을 A, 취출이 가능하지 않은 것을 B라 표시하였다. The base film on the adhesive bond layer side of the dicing die bond sheet obtained above was peeled, and it thermocompression-bonded at 80 degreeC to the 150-micrometer 8-inch wafer by the film bonding apparatus (FM-114) by Technovision Corporation (roll pressure) , 2 kg). This was diced with the chip of a 10 mm side, and chip extraction was performed by the die bonder apparatus (BESTEM-D02-Type C) by NEC Machinery. In the table, A means that the chip did not scatter during dicing, B that scattered, and A that the chip could be taken out without a problem were indicated by A and B that the chip was not possible.

Heat 압착성Compressibility

상기에서 얻어진 다이싱ㆍ다이본드 테이프를 폭 25 mm×200 mm로 재단하고, 이것을 웨이퍼의 경면측에 50 내지 80℃의 온도에서 열 압착하였다. 이어서, 점착제층을 박리하고, 웨이퍼면에서의 접착제층의 박리 유무를 확인하였다. 점착제층을 박리할 때에 접착제층도 함께 박리되는 테이프는 웨이퍼에의 열 압착성이 나쁜 것을 의미한다. 이것은 표 1에 B라 표시하였다. 점착제층을 박리할 때에 접착제층과의 계면으로부터 박리되는 테이프는 칩을 취출할 때에 접착제층이 칩에 부착된 상태로 취출할 수 있는 것이며, 다이싱ㆍ다이본드 테이프로서 바람직한 것을 의미한다. 이것은 표 2에 A라 표시하였다. The dicing die-bonding tape obtained above was cut | disconnected to width 25mm * 200mm, and this was thermally crimped on the mirror surface side of the wafer at the temperature of 50-80 degreeC. Next, the adhesive layer was peeled off and the presence or absence of the adhesive layer in the wafer surface was confirmed. When peeling an adhesive layer, the tape which also peels an adhesive bond layer means that the thermocompression property to a wafer is bad. This is indicated by B in Table 1. When peeling an adhesive layer, the tape peeled from an interface with an adhesive bond layer can take out in the state which an adhesive bond layer adhered to a chip at the time of taking out a chip | tip, and it means that it is preferable as a dicing die-bonding tape. This is indicated as A in Table 2.

수지 밀봉 후의 공극의 발생과 칩 이동의 유무Generation of voids and chip movement after resin sealing

다이싱ㆍ다이본드 테이프를 150 ㎛의 8 인치의 실리콘 웨이퍼에 열 압착하고, 이어서 다이싱하여 실리콘 웨이퍼를 8 mm×8 mm로 절단하였다. 250 ㎛의 수지 기판(레지스트 AUS303이 도포 경화된 BT 기판) 상에 이 실리콘 칩을 맵(map) 상으로 0.1 MPa, 150℃에서 1 초간 열 압착하고, 이어서 수지 기판 상으로부터 600 ㎛의 두께로 몰드재 KMC2500VA-T1(신에쯔 가가꾸 고교사 제조)로 수지 밀봉(175℃, 밀봉압력 6.9 MPa, 90 초간)한 후, 175℃, 4 시간에 가열 경화하였다. 밀봉 부분을 초음파 화상 측정 장치로 관찰하여 공극의 발생과 칩 이동의 유무를 조사하였다. The dicing die-bonding tape was thermocompression-bonded to a 150-micrometer 8 inch silicon wafer, and then diced to cut the silicon wafer into 8 mm x 8 mm. The silicon chip was thermally pressed for 1 second at 150 MPC at 0.1 MPa onto a map on a 250 μm resin substrate (a BT substrate coated with a resist AUS303), and then molded into a thickness of 600 μm from the resin substrate. After resin sealing (175 degreeC, sealing pressure 6.9 MPa, 90 second) with KMC2500VA-T1 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), it heat-hardened at 175 degreeC and 4 hours. The sealed portion was observed with an ultrasonic image measuring device to investigate the occurrence of voids and the presence of chip movement.

패키지의 신뢰성Package Reliability

상기에서 수지 밀봉한 칩을 분리한 패키지 합계 20개를 30℃/60 %RH의 조건하에서 192 시간 유지하고, 이어서 260℃의 리플로우로에 3회 통과시킨 후, 초음파 화상 측정 장치에서 공극과 박리 유무를 관찰하였다. The total 20 packages in which the resin-sealed chip was separated were held for 192 hours under the conditions of 30 ° C./60%RH, and then passed through a reflow furnace at 260 ° C. three times, followed by voids and peeling in the ultrasonic image measuring apparatus. The presence or absence was observed.

Figure 112006075397405-pat00019
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Figure 112006075397405-pat00020
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상기 표 1에 있어서 모든 배합량은 고형분이다. 또한, 사용된 수지 등은 이하와 같다. In the said Table 1, all the compounding quantities are solid content. In addition, resin used etc. are as follows.

실시예에서In the example 사용한 수지 등 Used resin, etc.

B1: RE-310S: 액상 에폭시 수지, 닛본 가야꾸사 제조 B1: RE-310S: liquid epoxy resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

B2: RE-600N: 에폭시 수지, 액화 온도 60℃, 닛본 가야꾸사 제조 B2: RE-600N: epoxy resin, liquefaction temperature 60 ℃, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

B3: EOCN-102S: 에폭시 수지, 연화 온도 55 내지 77℃, 닛본 가야꾸사 제조 디시안디아미드: 재팬 에폭시 레진사 제조B3: EOCN-102S: Epoxy resin, softening temperature 55-77 degreeC, Nisborne Kayaku Co., Ltd. dicyandiamide: Japan epoxy resin company

2PHZ: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 가세이사 제조) 2PHZ: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)

D1: SE-2050: 구상 실리카, 아드마텍스사 제조, 평균 입경 0.5 ㎛D1: SE-2050: spherical silica, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size: 0.5 μm

D2: SE-1050: 구상 실리카, 아드마텍스사 제조, 평균 입경 0.1 ㎛D2: SE-1050: spherical silica, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size: 0.1 μm

E1: X-52-7030: 실리콘 고무 복합 파우더, 평균 입경 0.7 ㎛, 신에쯔 가가꾸 고교사 제조 E1: X-52-7030: Silicone rubber composite powder, average particle diameter of 0.7 µm, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

E2: KMP-600: 실리콘 고무 복합 파우더, 평균 입경 5 ㎛, 신에쯔 가가꾸 고교사 제조E2: KMP-600: Silicone rubber composite powder, average particle diameter of 5 µm, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

참고예에서 사용한 수지 등Resin used in reference example

에피코트 M1003: 에폭시 수지, 연화 온도 89℃, 재팬 에폭시 레진사 제조 Epicoat M1003: epoxy resin, softening temperature 89 ° C, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.

KMP-597: 실리콘 고무 파우더, 평균 입경 5 ㎛, 신에쯔 가가꾸 고교사 제조KMP-597: Silicone rubber powder, average particle diameter of 5 µm, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

비교예 1은 미립자를 포함하지 않는 조성물이다. 표 1로부터 최저 용융 점도가 낮고, 동일 접착제의 층을 포함하는 테이프(비교예 3)는 칩 유동이 일어났다. Comparative Example 1 is a composition containing no fine particles. From Table 1, the low melt viscosity and the tape including the layer of the same adhesive (Comparative Example 3) resulted in chip flow.

비교예 2는 구상 실리카를 포함하며, 비교예 1에 비해 용융 점도는 높다. 그러나, 다이본드 필름(비교예 4)에서는 칩 이동이 보이고, 또한 영률이 높았다. Comparative Example 2 contains spherical silica and has a higher melt viscosity than Comparative Example 1. However, in the die-bonding film (comparative example 4), chip | tip movement was seen and the Young's modulus was high.

참고예 1은 연화점이 높은 에폭시 수지를 포함하는 조성물이다. 이것은 열 압착할 수 없으며(참고예 3) 접착성 등의 평가를 행할 수 없었다. Reference Example 1 is a composition containing an epoxy resin having a high softening point. This cannot be thermally pressed (Reference Example 3) and evaluation of adhesiveness and the like could not be performed.

참고예 2는 표면 상에 폴리오르가노실세스퀴옥산 수지 미소체를 갖지 않는 실리콘 고무 미립자를 포함하는 조성물이다. 상기 분말은 수지계에 대한 분산성이 나빠서 접착 필름으로서 사용할 수 없었다. Reference Example 2 is a composition containing silicone rubber fine particles that do not have a polyorganosilsesquioxane resin microstructure on its surface. The powder could not be used as an adhesive film because of poor dispersibility to the resin system.

참고예 5 및 6은 본 발명의 접착제로 이루어지는 층을 포함한다. 그러나, 점착력이 본 발명의 범위 밖이기 때문에 칩 비산이 있고, 칩 취출에 문제가 있었다. Reference Examples 5 and 6 include a layer made of the adhesive of the present invention. However, since the adhesive force is outside the scope of the present invention, there is a chip scattering and there is a problem in chip taking out.

이에 대하여 실시예의 접착제 및 상기 접착제의 층을 포함하는 다이본드 필름은 어느 성능에 있어서도 양호하였다. On the other hand, the die-bonding film containing the adhesive agent of the Example and the layer of the said adhesive was favorable in any performance.

본 발명의 접착제 조성물은 저탄성률, 저선팽창, 저흡수율의 접착체를 제공하고, 다양한 전자 부품의 접착에 바람직하다. 또한, 본 발명의 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트는 양호한 칩 취출성을 구비한다. 또한, 이 칩을 기판 등에 열 압착하여 가열 경화함으로써 견고하게 접착할 수 있고, 반도체 장치의 제조에 바람직하게 사용할 수 있다. The adhesive composition of the present invention provides an adhesive having low elastic modulus, low linear expansion, and low water absorption, and is suitable for bonding various electronic components. Moreover, the adhesive sheet for dicing die bonds of this invention is equipped with the favorable chip taking out property. Moreover, this chip can be adhered firmly by thermocompression bonding and heat-curing on a substrate or the like, and can be suitably used for the manufacture of semiconductor devices.

Claims (7)

기재,materials, 상기 기재 상에 형성된 감압 실리콘 점착제층, 및A pressure-sensitive silicone pressure sensitive adhesive layer formed on the substrate, and 상기 감압 실리콘 점착제층 위에 형성된 접착제층Adhesive layer formed on the pressure-sensitive silicone pressure-sensitive adhesive layer 을 포함하며, / RTI &gt; 상기 접착제층은 The adhesive layer is (A) 폴리이미드 실리콘 수지 5 내지 60 중량%(A) 5 to 60% by weight of polyimide silicone resin (B) 연화 온도가 80℃ 이하인 에폭시 수지 5 내지 60 중량%(B) 5 to 60% by weight of an epoxy resin having a softening temperature of 80 ° C. or less (C) 디시안디아미드 0.001 내지 20 중량%(C) 0.001 to 20% by weight of dicyandiamide (D) 평균 입경 0.1 내지 10 미크론인 구상 실리카 20 내지 70 중량%, 및(D) 20 to 70% by weight of spherical silica having an average particle diameter of 0.1 to 10 microns, and (E) 평균 입경 0.1 내지 10 미크론을 가지고, 표면 상에 폴리오르가노실세스퀴옥산 수지 미소체를 구비하는 실리콘 고무 구상 미립자 5 내지 30 중량%(E) 5 to 30% by weight of silicone rubber spherical fine particles having an average particle diameter of 0.1 to 10 microns and comprising a polyorganosilsesquioxane resin microstructure on its surface 를 포함하는 접착제 조성물로부터 제조되며, 감압 실리콘 점착제층 위에 형성된 접착제층으로부터 감압 점착제층을 박리하는 것에 의해 측정되는 180° 박리력이 0.05 내지 1.0 N/25 mm인, It is prepared from an adhesive composition comprising a, 180 ° peel force measured by peeling the pressure-sensitive adhesive layer from the adhesive layer formed on the pressure-sensitive silicone pressure-sensitive adhesive layer is 0.05 to 1.0 N / 25 mm, 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트. Adhesive sheet for dicing die-bonding. 제1항에 있어서, 감압 실리콘 점착제층이 백금 부가 경화형의 실리콘 점착제로 이루어지는 것인 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트. The adhesive sheet for dicing die-bonding according to claim 1, wherein the pressure-sensitive silicone pressure-sensitive adhesive layer is made of a platinum addition-curable silicone pressure-sensitive adhesive. 제1항에 있어서, 병렬 플레이트형 점탄성 측정 장치에 의해 측정된 최저 용융 점도가 1000 Paㆍs 이상인 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트. The adhesive sheet for dicing die bonds of Claim 1 whose minimum melt viscosity measured by the parallel plate type viscoelasticity measuring apparatus is 1000 Pa.s or more. 제1항에 있어서, (A) 폴리이미드 실리콘 수지가 페놀성 수산기를 갖는 것인 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트. The adhesive sheet for dicing die bond according to claim 1, wherein (A) the polyimide silicone resin has a phenolic hydroxyl group. 제1항에 있어서, (A) 폴리이미드 실리콘 수지가 테트라카르복실산 이무수물과 하기 화학식 1로 표시되는 구조의 디아민 화합물을 반응시켜 얻어지는 폴리이미드 수지를 포함하는 것인 다이싱ㆍ다이본드용 접착 시트. The adhesive for dicing and diebonding of Claim 1 in which (A) polyimide silicone resin contains the polyimide resin obtained by making tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound of the structure represented by following formula (1) react. Sheet. <화학식 1>&Lt; Formula 1 >
Figure 112013034596476-pat00021
Figure 112013034596476-pat00021
(식 중, R3은 탄소 원자수 3 내지 9의 2가 유기기, R4는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 8의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기이고, m은 1 내지 200의 정수이다.)(Wherein R 3 is a divalent organic group having 3 to 9 carbon atoms, R 4 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms independently of each other, and m is an integer of 1 to 200) .)
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