KR101566768B1 - Resin composition for printed wiring board - Google Patents

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히로유키 사카우치
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Abstract

(A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는 프린트 배선판용 수지 조성물로서, 내용제성이 우수하고, 탄성율의 온도 변화가 작고 내열 특성도 우수한 프린트 배선판용 수지 조성물이다.(A) a polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure, and (B) a thermosetting resin, wherein the resin composition is excellent in solvent resistance, exhibits a small temperature change in modulus of elasticity, .

Description

프린트 배선판용 수지 조성물{Resin composition for printed wiring board}[0001] Resin composition for printed wiring board [0002]

본 발명은 (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는 프린트 배선판용 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition for a printed wiring board containing (A) a polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure, and (B) a thermosetting resin.

내열성이 우수한 폴리이미드 수지는 일렉트로닉스 분야, 항공우주 분야 등에서 폭넓게 사용되고 있다. Polyimide resins having excellent heat resistance are widely used in the fields of electronics and aerospace.

지금까지, 당해 폴리이미드 수지에 실록산 구조를 도입하여, 내열성과 저탄성을 함께 갖는 재료의 개발이 이루어져 왔다(특허문헌 1). 그러나, 내용제성이 반드시 만족할 만한 것은 아니었다. Heretofore, a material having both heat resistance and low elasticity has been developed by introducing a siloxane structure into the polyimide resin (Patent Document 1). However, the solvent resistance was not necessarily satisfactory.

이것을 개선하기 위해서, 페놀성 하이드록실기를 도입한, 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지와 에폭시 수지를 함유하는 조성물이, 프린트 배선판용 접착제 등으로서 유용한 것이 보고되어 있다(특허문헌 2). 그러나, 온도 변화에 따른 탄성율의 변화는 반드시 만족할 만한 것은 아니었다. 또한, 열경화성 수지와의 병용에서도, 프린트 배선판의 휘어짐이나 균열 등이 우려되어 만족할 만한 것은 아니었다.
In order to solve this problem, it has been reported that a composition containing a polyimide resin having a siloxane structure and a phenolic hydroxyl group and an epoxy resin is useful as an adhesive for printed wiring boards and the like (Patent Document 2). However, the change in modulus of elasticity with temperature change was not necessarily satisfactory. Also, in combination with the thermosetting resin, the warpage and cracks of the printed wiring board were worried, which was not satisfactory.

일본 공개특허공보 제2002-12666호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12666 일본 공개특허공보 제2004-51794호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-51794

본 발명의 과제는, 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지와 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물로서, 내열 특성 및 내용제성 양자가 보다 우수하고, 신뢰성이 보다 높은 프린트 배선판용 수지 조성물을 제공하는 것이다.
The object of the present invention is to provide a resin composition containing a polyimide resin having a siloxane structure and a thermosetting resin, wherein the resin composition for a printed wiring board has both excellent heat resistance and solvent resistance and is more reliable.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구한 결과, 헥사플루오로이소프로판올기를 도입한 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지와 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물이, 온도 변화에 따른 탄성율의 변화가 작고 내열 특성 및 내용제 특성이 우수하고, 프린트 배선판용 절연 재료로서 우수한 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성시켰다. DISCLOSURE OF THE INVENTION As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that a resin composition containing a siloxane structure-containing polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group introduced therein and a thermosetting resin exhibits a small change in modulus of elasticity with temperature change, Excellent properties, and excellent as an insulating material for printed wiring boards, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함하는 것이다. That is, the present invention includes the following contents.

(1) (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.(1) A resin composition for a printed wiring board, which contains (A) a polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure, and (B) a thermosetting resin.

(2) 상기 (1)에 있어서, (C) 무기 충전재를 추가로 함유하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.(2) The resin composition for a printed wiring board according to the above item (1), further comprising (C) an inorganic filler.

(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 열경화성 수지가 에폭시 수지인, 프린트 배선판용 수지 조성물.(3) The resin composition for a printed wiring board according to (1) or (2) above, wherein the thermosetting resin is an epoxy resin.

(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 폴리이미드 수지가 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 갖는, 프린트 배선판용 수지 조성물.(4) The resin composition for a printed wiring board according to any one of (1) to (3), wherein the polyimide resin has repeating units represented by the following general formulas (1) and (2).

Figure 112011043251685-pct00001
Figure 112011043251685-pct00001

Figure 112011043251685-pct00002
Figure 112011043251685-pct00002

상기 화학식 1 및 2에서, In the above Formulas 1 and 2,

R1은 4가의 유기기이고, R1 is a tetravalent organic group,

R2는 헥사플루오로이소프로판올기를 갖는 2가의 디아민 잔기이고, R2 is a divalent diamine residue having a hexafluoroisopropanol group,

R3은 2가의 실록산디아민 잔기이고, R3 is a divalent siloxane diamine residue,

화학식 1로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 M은 1 이상 100 이하의 정수이며, The repeating number M in one molecule of the repeating unit represented by the formula (1) is an integer of 1 to 100,

화학식 2로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 N은 1 이상 100 이하의 정수이다.The repeating number N in one molecule of the repeating unit represented by the general formula (2) is an integer of 1 or more and 100 or less.

(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 헥사플루오로이소프로판올기의 관능기 당량(이하, HFA기 당량이라고 함)이 1000 내지 10000g/mol인 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.(5) The method according to any one of (1) to (4) above, wherein (A) the functional group equivalent of the hexafluoroisopropanol group of the hexafluoroisopropanol group and the polyimide resin having the siloxane structure ) Is 1000 to 10000 g / mol.

(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 실록산 함량이 50 내지 80중량%인 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.(6) The printed wiring board according to any one of (1) to (5) above, wherein the polyimide resin (A) having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure has a siloxane content of 50 to 80% / RTI >

(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는, 솔더레지스트 잉크(solder resist ink).(7) A solder resist ink containing the resin composition according to any one of (1) to (6).

(8) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 지지체 위에 층 형성되어 이루어지는, 접착 필름.(8) An adhesive film comprising the resin composition according to any one of (1) to (6) above formed on a support.

(9) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 금속박 위에 층 형성되어 이루어지는, 금속박 부착 접착 필름.(9) An adhesive film with a metal foil, wherein the resin composition according to any one of (1) to (6) above is formed on a metal foil.

(10) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 시트형 섬유 기재에 함침되어 이루어지는, 프리프레그(prepreg).(10) A prepreg obtained by impregnating the sheet-like fiber base material with the resin composition according to any one of (1) to (6) above.

(11) 상기 (10)에 기재된 프리프레그에 금속박이 적층되어 이루어지는, 금속박 부착 프리프레그.(11) A prepreg with metal foil, wherein a metal foil is laminated on the prepreg according to (10) above.

(12) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물이 내열 필름 위에 층 형성되어 이루어지는, 커버레이 필름(coverlay film).(12) A coverlay film in which the resin composition according to any one of (1) to (6) above is layered on a heat resistant film.

(13) 절연층이 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판용 수지 조성물을 함유하는, 프린트 배선판.(13) The printed wiring board, wherein the insulating layer contains the resin composition for a printed wiring board according to any one of (1) to (6).

(14) 상기 (13)에 있어서, 절연층이 솔더레지스트층, 층간 절연층 및 커버레이층을 포함하는, 프린트 배선판.(14) The printed wiring board according to (13), wherein the insulating layer includes a solder resist layer, an interlayer insulating layer and a coverlay layer.

(15) 상기 (7)에 기재된 솔더레지스트 잉크에 의해 솔더레지스트층이 형성된, 프린트 배선판.(15) A printed wiring board in which a solder resist layer is formed by the solder resist ink described in (7) above.

(16) 상기 (8)에 기재된 접착 필름에 의해 솔더레지스트층이 형성된, 프린트 배선판.(16) A printed wiring board in which a solder resist layer is formed by the adhesive film according to (8).

(17) 상기 (8)에 기재된 접착 필름에 의해 층간 절연층이 형성된, 프린트 배선판.(17) A printed wiring board in which an interlayer insulating layer is formed by the adhesive film according to (8).

(18) 상기 (9)에 기재된 금속박 부착 접착 필름에 의해 층간 절연층 및/또는 도체층이 형성된, 프린트 배선판.(18) A printed wiring board in which an interlayer insulating layer and / or a conductor layer is formed by the adhesive film with a metal foil according to (9).

(19) 상기 (10)에 기재된 프리프레그에 의해 층간 절연층이 형성된, 프린트 배선판.(19) A printed wiring board in which an interlayer insulating layer is formed by the prepreg according to (10).

(20) 상기 (11)에 기재된 금속박 부착 프리프레그에 의해 층간 절연층 및/또는 도체층이 형성된, 프린트 배선판.(20) A printed wiring board in which an interlayer insulating layer and / or a conductor layer is formed by the metal foil-attached prepreg according to (11).

(21) 상기 (12)에 기재된 커버레이 필름에 의해 커버레이층이 형성된, 프린트 배선판.
(21) A printed wiring board in which a coverlay layer is formed by the coverlay film according to (12).

본 발명의 폴리이미드 수지와 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물은, 저탄성이면서 우수한 내열성과 내용제성을 가지고 있고, 당해 수지 조성물을 사용함으로써, 내용제성이 우수하고, 탄성율의 온도 변화가 작고 내열 특성도 우수한 프린트 배선판용 수지 조성물을 제공할 수 있다.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin composition containing the polyimide resin and the thermosetting resin of the present invention has low elasticity and excellent heat resistance and solvent resistance. By using the resin composition, the resin composition is excellent in solvent resistance, It is possible to provide a resin composition for an excellent printed wiring board.

본 발명은, (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지를 함유하는 프린트 배선판용 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a resin composition for a printed wiring board containing (A) a polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure, and (B) a thermosetting resin.

이하, 본 발명을 적절한 실시형태에 입각하여 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described on the basis of a preferred embodiment.

본 발명에 있어서의 (A) 폴리이미드 수지는, 헥사플루오로이소프로판올기(이하, HFA기라고 함) 및 실록산 구조를 갖는다. 당해 폴리이미드 수지는 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다. The polyimide resin (A) in the present invention has a hexafluoroisopropanol group (hereinafter referred to as HFA group) and a siloxane structure. The polyimide resin preferably has repeating units represented by the following general formulas (1) and (2).

화학식 1Formula 1

Figure 112011043251685-pct00003
Figure 112011043251685-pct00003

화학식 2(2)

Figure 112011043251685-pct00004
Figure 112011043251685-pct00004

상기 화학식 1 및 2에서, In the above Formulas 1 and 2,

R1은 4가의 유기기이고, R1 is a tetravalent organic group,

R2는 HFA기를 갖는 2가의 디아민 잔기이고, R2 is a divalent diamine residue having an HFA group,

R3은 2가의 실록산디아민 잔기이고, R3 is a divalent siloxane diamine residue,

화학식 1로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 M은 1 이상 100 이하(1≤M≤100)의 정수인 것이 바람직하며, The repeating number M in one molecule of the repeating unit represented by the formula (1) is preferably an integer of 1 or more and 100 or less (1? M? 100)

화학식 2로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 N은 1 이상 100 이하(1≤N≤100)의 정수인 것이 바람직하다. The repeating number N in one molecule of the repeating unit represented by the formula (2) is preferably an integer of 1 or more and 100 or less (1? N? 100).

R1로 나타내어지는 4가의 유기기로는 이하의 구조를 갖는 것이 예시된다. Examples of the tetravalent organic group represented by R 1 include those having the following structures.

Figure 112011043251685-pct00005
Figure 112011043251685-pct00005

상기 화학식에서, In the above formulas,

A는 산소 원자, 황 원자, CO, SO, SO2, CH2, CH(CH3), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(CCl3)2이고,A is oxygen, sulfur, CO, SO, SO 2, CH 2, and CH (CH 3), C ( CH 3) 2, C (CF 3) 2, or C (CCl 3) 2,

방향족환 위의 수소 원자는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 등으로 치환되어도 좋다. The hydrogen atom on the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or the like.

R2로 나타내어지는 HFA기를 갖는 2가의 디아민 잔기로는 이하의 구조를 갖는 것이 예시된다. Examples of the divalent diamine residue having an HFA group represented by R 2 include those having the following structures.

Figure 112011043251685-pct00006
Figure 112011043251685-pct00006

상기 화학식에서, In the above formulas,

A는 상기에서 정의한 바와 동일하며,A is the same as defined above,

J는 1 내지 4의 정수이고,J is an integer of 1 to 4,

K는 1 내지 6의 정수이고,K is an integer of 1 to 6,

P와 Q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, 1≤(P+Q)≤4이고,P and Q are each independently an integer of 0 to 2, 1? (P + Q)? 4,

방향족환 위의 수소 원자는 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 등으로 치환되어도 좋다. The hydrogen atom on the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or the like.

R3으로 나타내어지는 2가의 실록산디아민 잔기로는 이하의 구조를 갖는 것이 예시된다. Examples of the divalent siloxane diamine residue represented by R 3 include those having the following structures.

Figure 112011043251685-pct00007
Figure 112011043251685-pct00007

상기 화학식에서, In the above formulas,

R4 및 R5는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 옥시알킬렌기이고, R4 and R5 each independently represent an alkylene group, a phenylene group or an oxyalkylene group having 1 to 5 carbon atoms,

R6 내지 R10은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 또는 페녹시기이고, R6 to R10 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenoxy group,

a, b, c는 각각 독립적으로, 0 또는 1 이상의 정수이고, b+c≥1, a+b+c≥60이고, a, b and c each independently represents 0 or an integer of 1 or more, and b + c? 1, a + b + c? 60,

방향족환 위의 수소 원자는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 등으로 치환되어도 좋다.The hydrogen atom on the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or the like.

본 발명에 있어서의 폴리이미드 수지는, 화학식 3으로 표시되는 4염기산 2무수물과 화학식 4 및 5로 표시되는 디아민 화합물을 반응시킴으로써 제조할 수 있다. The polyimide resin in the present invention can be produced by reacting the tetrabasic acid dianhydride represented by the general formula (3) with the diamine compound represented by the general formulas (4) and (5).

Figure 112011043251685-pct00008
Figure 112011043251685-pct00008

Figure 112011043251685-pct00009
Figure 112011043251685-pct00009

Figure 112011043251685-pct00010
Figure 112011043251685-pct00010

상기 화학식 3, 4 및 5에서, In the above formulas (3), (4) and (5)

R1, R2 및 R3은 상기에서 정의한 바와 동일하다.R1, R2 and R3 are the same as defined above.

화학식 3으로 표시되는 4염기산 2무수물의 R1로 나타내어지는 4가의 유기기로는 상기한 바와 같다. R1로 나타내어지는 4가의 유기기의 구체적인 예로는, 피로메리트산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산 2무수물, 2,3',4,4'-비페닐테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로피리덴)-비스-(프탈산 2무수물), 4,4'-옥시디프탈산 2무수물, 4,4'-(4,4'-이소프로피리덴디페녹시)-비스-(프탈산 2무수물), 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카복실산-(1-메틸에틸리덴)-디-4,1-페닐렌에스테르, 에틸렌글리콜비스안하이드로트리메리테이트, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 2무수물, 9,9-비스(3,4-디카복시페닐)플루오렌 2무수물, 1,3-디하이드로-1,3-디옥소-5-이소벤조푸란카복실산-1,4-페닐렌에스테르, 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카복실산 2무수물, 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카복실산 2무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카복실산 2무수물, 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-1,2-디카복실산 무수물, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로푸릴)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온 등을 들 수 있다. 이들 4염기산 2무수물은 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The tetravalent organic group represented by R 1 in the tetrabasic acid dianhydride represented by the general formula (3) is as described above. Specific examples of the tetravalent organic group represented by R 1 include pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3 ', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'- (hexafluoroisopropylene) -bis- (phthalic acid dianhydride), 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, Dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid - ((4,4'-isopropylidene diphenoxy) 1-methylethylidene) -di-4,1-phenylene ester, ethylene glycol bisanhydrotrimellitate, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid dianhydride, 9,9- 4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid- Cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid dianhydride, 4- (2 , 5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, 5- (2,5- Methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) 1,2-C] furan-1,3-dione, and the like. These tetrabasic acid dianhydrides can be used in combination of two or more.

화학식 4로 표시되는 HFA기를 갖는 디아민 화합물로는 이하의 화학식으로 표시되는 것이 예시된다. Examples of the diamine compound having an HFA group represented by the formula (4) include those represented by the following formulas.

[화학식 4-a][Chemical Formula 4-a]

Figure 112011043251685-pct00011
Figure 112011043251685-pct00011

[화학식 4-b][Formula 4-b]

Figure 112011043251685-pct00012
Figure 112011043251685-pct00012

[화학식 4-c][Chemical formula 4-c]

Figure 112011043251685-pct00013
Figure 112011043251685-pct00013

상기 화학식 4-a, 4-b 및 4-c에서, In the above formulas 4-a, 4-b and 4-c,

A는 상기에서 정의한 바와 동일하며,A is the same as defined above,

J는 1 내지 4의 정수이고,J is an integer of 1 to 4,

K는 1 내지 6의 정수이고, K is an integer of 1 to 6,

P와 Q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, 1≤(P+Q)≤4이고,P and Q are each independently an integer of 0 to 2, 1? (P + Q)? 4,

방향족환 위의 수소 원자는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 등으로 치환되어도 좋다. The hydrogen atom on the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or the like.

또한, 화학식 4-b에 있어서, 나프탈렌환 위의 아미노기는 각각 동일한 벤젠환에 결합하여도 좋고, 상이한 벤젠환에 결합하여도 좋다. 마찬가지로, HFA기가 복수개 있는 경우, 각각 동일한 벤젠환에 결합하여도 좋고, 상이한 벤젠환에 결합하여도 좋다. In the formula (4-b), the amino group on the naphthalene ring may be bonded to the same benzene ring or may be bonded to different benzene rings. Similarly, when there are plural HFA groups, they may be bonded to the same benzene ring or may be bonded to different benzene rings, respectively.

화학식 4-a로 표시되는 디아민 화합물은, 국제공개 제2006/043501호 팜플렛에 기재되어 있는 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 화학식 4-c로 표시되는 디아민 화합물은 국제공개 제2006/041115호 팜플렛에 기재되어 있는 공지의 방법에 따라서 제조할 수 있다. 화학식 4-b로 표시되는 디아민 화합물은, 국제공개 제2006/043501호 팜플렛, 국제공개 제2006/041115호 팜플렛에 기재되어 있는 공지의 방법에 준하여, 대응하는 나프탈렌디아민 화합물에 헥사플루오로아세톤 또는 헥사플루오로아세톤·3수화물을 반응시켜 HFA기를 나프탈렌환 위에 도입함으로써 제조할 수 있다. 이 HFA기를 갖는 디아민 화합물은 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The diamine compound represented by the formula (4-a) can be produced according to a known method described in WO 2006/043501 pamphlet. The diamine compound represented by the formula (4-c) can be prepared according to a known method described in WO2006 / 041115 pamphlet. The diamine compound represented by the formula (4-b) can be produced by reacting the corresponding naphthalene diamine compound with hexafluoroacetone or hexa-diamine in accordance with a known method described in the pamphlet of International Publication WO 2006/043501 and International Publication WO 2006/041115 pamphlet Fluoroacetone trihydrate to introduce the HFA group onto the naphthalene ring. These diamine compounds having an HFA group can be used in combination of two or more.

화학식 5로 표시되는 디아미노실록산으로는 이하의 화학식으로 표시되는 것이 예시된다. The diaminosiloxane represented by the general formula (5) includes those represented by the following formulas.

[화학식 5a][Chemical Formula 5a]

Figure 112011043251685-pct00014
Figure 112011043251685-pct00014

상기 화학식 5a에서, In the above formula (5a)

R4 및 R5는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 옥시알킬렌기이고, R4 and R5 each independently represent an alkylene group, a phenylene group or an oxyalkylene group having 1 to 5 carbon atoms,

R6 내지 R10은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 또는 페녹시기이고, R6 to R10 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenoxy group,

a, b, c는 각각 독립적으로 0 또는 1 이상의 정수이고, b+c≥1, a+b+c≥60이고, a, b and c each independently represents 0 or an integer of 1 or more, b + c? 1, a + b + c? 60,

방향족환 위의 수소 원자는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기 등으로 치환되어도 좋다. The hydrogen atom on the aromatic ring may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or the like.

본 발명에 있어서의 실록산 구조는 하기의 화학식 5b로 표시되는 구조인 것이 바람직하다. The siloxane structure in the present invention is preferably a structure represented by the following formula (5b).

[화학식 5b][Chemical Formula 5b]

Figure 112011043251685-pct00015
Figure 112011043251685-pct00015

상기 화학식 5b에 있어서, In the above general formula (5b)

Re 및 Rf는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 페닐기, 또는 페녹시기이고, Re and Rf are each independently an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, or a phenoxy group,

m은 60 이상의 정수이며, m is an integer of 60 or more,

반복 단위별로, Re 또는 Rf가 상이해도 좋다. Re or Rf may be different for each repeating unit.

화학식 5a로 표시되는 디아미노실록산의 예로는, 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,2,2-테트라메틸디실록산, 1,3-비스(3-아미노부틸)-1,1,2,2-테트라메틸디실록산, 비스(4-아미노페녹시)디메틸실란, 1,3-비스(4-아미노페녹시)테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(4-아미노페닐)디실록산, 1,1,3,3-테트라페녹시-1,3-비스(2-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-비스(2-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라페닐-1,3-비스(3-아미노프로필)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(2-아미노에틸)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(3-아미노프로필)디실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-비스(4-아미노부틸)디실록산, 1,3-디메틸-1,3-디메톡시-1,3-비스(4-아미노부틸)디실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸-1,5-비스(4-아미노페닐)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메톡시-1,5-비스(4-아미노부틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라페닐-3,3-디메톡시-1,5-비스(5-아미노펜틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(2-아미노에틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(4-아미노부틸)트리실록산, 1,1,5,5-테트라메틸-3,3-디메톡시-1,5-비스(5-아미노펜틸)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사에틸-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산, 1,1,3,3,5,5-헥사프로필-1,5-비스(3-아미노프로필)트리실록산 등을 들 수 있다. 이러한 디아미노실록산은 단독으로 사용해도 좋고, 또한 2종류 이상 조합하여 사용할 수도 있다. Examples of the diaminosiloxane represented by the formula (5a) include 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,2,2-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis , 1,2,2-tetramethyldisiloxane, bis (4-aminophenoxy) dimethylsilane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) tetramethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl Bis (4-aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetra Phenyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis Methyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis Methyl-1,3-bis (4-aminobutyl) disiloxane, 1,3-dimethyl-1,3-dimethoxy- , 5,5-hexamethyl-1,5-bis (4-aminophenyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3- ) Trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl- -Dimethoxy-1,5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy- 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy- 1,5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) , 5,5-hexaethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexapropyl- And the like. These diaminosiloxanes may be used alone or in combination of two or more.

화학식 4 및 5로 표시되는 디아민 화합물 이외의 디아민 화합물을 1종류 또는 2종류 이상 조합하여 병용해도 좋다. 당해 디아민 화합물로는 이하의 화학식 6으로 나타낼 수 있다. The diamines other than the diamine compounds represented by the general formulas (4) and (5) may be used alone or in combination of two or more. The diamine compound may be represented by the following formula (6).

Figure 112011043251685-pct00016
Figure 112011043251685-pct00016

상기 화학식 6에서, In Formula 6,

R11은 HFA기를 갖는 2가의 디아민 잔기 및 2가의 실록산디아민 잔기 이외의 2가의 유기기이다.R11 is a divalent organic group other than a divalent diamine residue having an HFA group and a divalent siloxane diamine residue.

당해 디아민 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1,4-디아미노벤젠, 1,3-디아미노벤젠, 2,4-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노톨루엔, 1,4-디아미노-2,5-디메틸벤젠, 1,4-디아미노-2,5-디할로게노벤젠 등의 벤젠환을 1개 포함하는 디아민 화합물, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설파이드, 3,3'-디아미노디페닐설파이드, 3,4'-디아미노디페닐설파이드, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판, 1,1'-비스(4-아미노페닐)사이클로헥산, o-디아니시딘, o-트리딘, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3',5,5'-테트라에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-에틸-6-메틸아닐린), 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,3-디아미노나프탈렌 등의 벤젠환을 2개 포함하는 디아민 화합물, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디이소프로필벤젠, α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,3-디이소프로필벤젠 등의 벤젠환을 3개 포함하는 디아민 화합물, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 4,4'-(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-(3-아미노페녹시)비페닐, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(3-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 5,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 1,3-디아미노피렌, 1,6-디아미노피렌 등의 벤젠환을 4개 이상 포함하는 디아민 화합물, 4,4'-메틸렌비스(사이클로헥실아민), 4,4'-메틸렌비스(2-메틸사이클로헥실아민) 등의 지환식 구조를 갖는 디아민 화합물, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸 등의 선상 탄화수소 구조를 갖는 디아민 화합물, 상품명 바사민 551[참조: 코그니스재팬 가부시키가이샤 제조] 등의 다이머디아민 구조를 갖는 디아민 화합물, 상품명 제파민 D-230, D-400, D-2000, D-4000, XTJ-500, XTJ-501, XTJ-502, HK-511, XTJ-504, XTJ-542, XTJ-533, XTJ-536[참조: 한츠만코포레이션사 제조] 등의 폴리옥시알킬렌디아민 구조를 갖는 디아민 화합물 등을 들 수 있다. The diamine compound is not particularly limited, and examples thereof include 1,4-diaminobenzene, 1,3-diaminobenzene, 2,4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, Dimino-2,5-dimethylbenzene, and 1,4-diamino-2,5-dihalogenobenzene; diamine compounds containing one benzene ring such as 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 Diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 4'- , 4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-amino di Phenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 2,2 Bis (3-aminophenyl) propane, 2,2'-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2'- (4-aminophenyl) cyclohexane, o-dianisidine, o (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2'-bis (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, Aminobenzanilide, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether , 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3', 5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3 ', 5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3', 5,5'-tetraethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4 ' -Methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-ethyl-6-methylaniline), 3,3'-diethyl-4,4'- Phenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, - diaminodiphenyl ether, 3,3'- Methoxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane , Diamine compounds containing two benzene rings such as 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,5-diaminonaphthalene and 2,3-diaminonaphthalene, 1,4 Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenyl) benzene, , diamine compounds containing three benzene rings such as α, α'-bis (4-aminophenyl) -1,3-diisopropylbenzene, and diamine compounds containing three benzene rings such as 2,2- ] Propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2- 4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- Aminophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-amino-3-methylphenyl) fluorene, 9,9- (4-aminophenyl) anthracene, 1,3-diaminopyrene, 1,6-diaminopyrene, etc. A diamine compound having at least four benzene rings, a diamine compound having an alicyclic structure such as 4,4'-methylenebis (cyclohexylamine), 4,4'-methylenebis (2-methylcyclohexylamine) 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9- Diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, and 1,12-diaminododecane, diamine compounds having a linear hydrocarbon structure such as baramine 551 (trade name: Cognis D-2000, D-4000, XTJ-500, XTJ-501, XTJ-502 and HK- And diamine compounds having a polyoxyalkylene diamine structure such as XTJ-511, XTJ-504, XTJ-542, XTJ-533 and XTJ-536 (manufactured by Hansen Corporation).

또한, 화학식 5로 표시되는 디아미노실록산은, NH2 당량이 400 내지 6000g/mol의 범위인 것이 바람직하고, 또한 400 내지 2500g/mol의 범위인 것, 또한 400 내지 1000g/mol의 범위인 것이 더욱 바람직하다. NH2 당량이 이 범위보다도 큰 경우, 실록산 구조의 분자량이 큰 것에 의해 수지의 소수성이 지나치게 강해져 열경화성 수지와의 상용성이 악화되고, 경우에 따라서는 수지 자체도 이미드부와 실록산부의 극성의 차이가 지나치게 커져서, 안정적으로 수지 합성을 하는 것이 곤란해진다. 한편, NH2 당량이 이 범위보다도 작은 경우는, 실록산 구조의 분자량이 작아지기 때문에 충분한 유연성을 수득하기 어려워진다. 또한, 페닐기를 함유하는 것은 열경화성 수지와의 혼화성이 양호한 점에서 바람직하다. The diaminosiloxane represented by the general formula (5) preferably has an NH 2 equivalent of 400 to 6000 g / mol, more preferably 400 to 2500 g / mol, further preferably 400 to 1000 g / mol. desirable. When the NH 2 equivalent is larger than this range, the molecular weight of the siloxane structure is too large to increase the hydrophobicity of the resin, resulting in deterioration of compatibility with the thermosetting resin. In some cases, the resin itself has a difference in polarity between the imide portion and the siloxane portion It becomes excessively large, and it becomes difficult to stably synthesize the resin. On the other hand, when the NH 2 equivalent is smaller than this range, it is difficult to obtain sufficient flexibility because the molecular weight of the siloxane structure becomes small. Also, it is preferable to contain a phenyl group in view of good compatibility with a thermosetting resin.

화학식 3으로 표시되는 4염기산 2무수물과 화학식 4 및 5로 표시되는 디아민 화합물(화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물을 병용하는 경우는, 화학식 4 내지 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물의 합계)의 반응 비율은 특별히 한정되는 것이 아니고, 또한, 어느 한쪽이 과잉이라도 지장이 없지만, 바람직하게는 수득되는 수지의 분자량을 증가시켜 기계 특성을 보다 양호하게 하는 관점에서, 반응에 사용하는 모든 디아민 화합물의 관능기 당량수의 합계와, 4염기산 2무수물의 관능기 당량수가 거의 동일해지도록 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 사용하는 4염기산 2무수물의 산 무수물기의 관능기 당량수를 X, 사용하는 아민 화합물 전체의 아미노기의 관능기 당량수를 Y라고 하면, 0≤|(X-Y)|/X≤0.3이 되는 조건하에서 반응시키는 것이 바람직하고, 또한, 0≤|(X-Y)|/X≤0.1의 조건하에서 반응시키는 것이 더욱 바람직하다. The reaction ratio of the quaternary acid dianhydride represented by the general formula (3) to the diamine compound represented by the general formulas (4) and (5) when the diamine compound represented by the general formula (6) is used in combination is the sum of the diamine compounds represented by the general formulas Is not particularly limited and may be any excess, but from the viewpoint of increasing the molecular weight of the obtained resin and improving the mechanical properties, the number of functional groups equivalent to all of the diamine compounds used in the reaction And the number of the functional group equivalents of the tetrabasic acid dianhydride is preferably substantially the same. Specifically, when the number of the functional group equivalent of the acid anhydride group of the quaternary acid dianhydride to be used is represented by X and the number of functional groups equivalent of the amino group of the entire amine compound to be used is represented by Y, 0? | (XY) | / X? The reaction is preferably carried out under the condition of 0 < = (XY) / X < / = 0.1.

또한, 산 무수물기의 관능기 당량수 X(mol)는 산 무수물기의 관능기 당량을 A1(g/mol), 주입량을 B1(g)로 하면, X=B1/A1의 식으로 구할 수 있다. 즉, 관능기 당량이란, 관능기 1개당 화합물의 분자량을 나타내고, 관능기 당량수란, 화합물 중량(주입량)당 관능기의 개수를 나타낸다. The number of functional groups equivalent X (mol) of the acid anhydride group can be obtained from the formula X = B1 / A1, where A1 (g / mol) is the functional group equivalent of the acid anhydride group and B1 (g) That is, the functional group equivalent refers to the molecular weight of the compound per functional group, and the functional group equivalent number refers to the number of functional groups per compound weight (injection amount).

마찬가지로, 화학식 4로 표시되는 HFA기를 함유하는 디아민 화합물의 아미노기의 관능기 당량 A2(g/mol), 주입량을 B2(g), 화학식 5로 표시되는 디아미노실록산의 아미노기의 관능기 당량 A3(g/mol), 주입량을 B3, 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물의 아미노기의 관능기 당량 A4(g/mol), 주입량을 B4(g)로 하면, Y=(B2/A2)+(B3/A3)+(B4/A4)의 식으로 구할 수 있다. 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물은 임의 성분이며, 이것을 함유하지 않는 경우에는 상기 식 중의 (B4/A4)=0이 된다. Similarly, the functional group equivalent A2 (g / mol) of the amino group of the HFA group-containing diamine compound represented by the general formula (4), B2 (g) and the functional group equivalent A3 of the amino group of the diaminosiloxane represented by the general formula (B2 / A2) + (B3 / A3) + (B4 / g) where B3 is the injection amount, A4 is the functional group equivalent of the amino group of the diamine compound represented by the formula / A4). ≪ / RTI > The diamine compound represented by the formula (6) is an optional component, and when it is not contained, (B4 / A4) in the above formula is 0.

한편, 화학식 4와 5의 디아민 화합물의 주입 비율은, 수득되는 수지 중의 실록산 구조의 함유량과 HFA기의 함유량에 반영되게 되기 때문에, 이 2개의 값을 임의로 설정함으로써, 필연적으로 화학식 4와 5의 디아민 화합물의 주입 비율의 범위가 결정된다. 우선, 수득되는 수지에 포함되는 실록산 구조의 양에 관해서는, 중량 비율이 40 내지 90중량%가 되는 것이 바람직하고, 또한 50 내지 80중량%가 되는 것이 보다 바람직하다. 실록산 구조의 비율이 90중량%보다도 큰 경우에는, 수득되는 수지의 점착성이 높아져 취급하기 어려워지고, 반대로 40중량%보다도 작은 경우에는, 수지의 유연성이 부족해진다. On the other hand, since the injection ratio of the diamine compounds of the formulas (4) and (5) is reflected in the content of the siloxane structure and the content of the HFA group in the obtained resin, these two values are arbitrarily set, The range of compound injection rates is determined. First, the amount of the siloxane structure contained in the resin to be obtained is preferably 40 to 90% by weight, and more preferably 50 to 80% by weight. When the proportion of the siloxane structure is larger than 90% by weight, the resulting resin becomes more sticky and difficult to handle. Conversely, when it is smaller than 40% by weight, flexibility of the resin becomes insufficient.

실록산 구조의 함유량 Z(중량%)는, 이미드화에 의해 탈리되는 물의 중량을 B5라고 하면, Z(중량%)={B3/(B1+B2+B3+B4-B5)}×100의 식으로 구할 수 있다. 여기서 B5는, 상기한 X 또는 Y의 값 중 작은 쪽을 W라고 했을 때에, B5=18×W의 식으로 구할 수 있다. 또한, 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물은 임의 성분이며, 이것을 함유하지 않는 경우에는 상기 식 중의 B4=0이 된다. (% By weight) = {B3 / (B1 + B2 + B3 + B4-B5)} 100 where the weight of water to be desorbed by imidization is B5, Can be obtained. Here, B5 is obtained by the expression B5 = 18 x W, where W is the smaller of the values of X or Y described above. The diamine compound represented by the formula (6) is an optional component, and when it is not contained, B4 = 0 in the above formula.

실록산 구조의 함유량의 상한치는, 고온에서의 내열성을 유지시킨다고 하는 관점에서 80중량%가 바람직하고, 75중량%가 보다 바람직하고, 70중량%가 더욱 바람직하고, 65중량%가 특히 바람직하다. 한편, 실록산 구조의 함유량의 하한치는, 유연성을 발현시킨다는 관점에서, 50중량%가 바람직하고, 54중량%가 보다 바람직하고, 58중량%가 더욱 바람직하다. The upper limit of the content of the siloxane structure is preferably 80% by weight, more preferably 75% by weight, still more preferably 70% by weight, and particularly preferably 65% by weight, from the viewpoint of maintaining heat resistance at a high temperature. On the other hand, the lower limit of the content of the siloxane structure is preferably 50% by weight, more preferably 54% by weight, and even more preferably 58% by weight from the viewpoint of exhibiting flexibility.

또한, 수득되는 폴리이미드 수지의 HFA기의 관능기 당량(이하, HFA기 당량이라고 함)의 상한치는, 수지 중의 HFA기의 양이 지나치게 적어, 이 수지를 사용한 수지 조성물을 경화시켰을 때에 경화가 불충분해지는 것을 방지한다는 관점에서, 10000g/mol이 바람직하고, 8500g/mol이 보다 바람직하고, 6000g/mol이 더욱 바람직하고, 5000g/mol이 더 한층 바람직하고, 4000g/mol이 특히 바람직하다. 한편, 수득되는 폴리이미드 수지의 HFA기 당량의 하한치는, HFA기가 많이 포함됨으로써 수지 조성물을 경화했을 때의 가교 밀도가 높아지고, 또한 필연적으로 실록산 구조의 함유량이 적어지는 것과 더불어, 경화물의 유연성이 저하되는 것을 방지한다는 관점에서, 1000g/mol이 바람직하고, 1500g/mol이 보다 바람직하고, 2000g/mol이 더욱 바람직하고, 2500g/mol이 더욱 한층 바람직하다. 폴리이미드 수지의 HFA기 당량V(g/mol)는 HFA기 함유 디아민 화합물의 HFA기 당량을 H라고 하면, V(g/mol)=(B1+B2+B3+B4-B5)÷(B2/H)의 식으로 구할 수 있다. 화학식 6으로 표시되는 디아민 화합물은 임의 성분이며, 이것을 함유하지 않는 경우에는 상기 식 중의 B4=0이 된다. The upper limit of the functional group equivalent (hereinafter referred to as HFA group equivalent) of the HFA group of the polyimide resin to be obtained is too small in the amount of the HFA group in the resin, and when the resin composition using the resin is cured, the curing becomes insufficient Mol, more preferably 5,000 g / mol, still more preferably 5,000 g / mol, still more preferably 4,000 g / mol, from the viewpoint of preventing the above-mentioned problems. On the other hand, the lower limit of the HFA group equivalent of the obtained polyimide resin is such that the crosslinking density when the resin composition is cured due to the inclusion of a large amount of the HFA group is increased and the content of the siloxane structure is inevitably decreased, It is more preferably 1000 g / mol, more preferably 2000 g / mol, and still more preferably 2500 g / mol, from the viewpoint of preventing the occurrence of the above-mentioned problems. (G / mol) of the HFA group equivalent of the polyimide resin is represented by V (g / mol) = (B1 + B2 + B3 + B4-B5) H). ≪ / RTI > The diamine compound represented by the formula (6) is an optional component, and when it is not contained, B4 = 0 in the above formula.

폴리이미드 수지의 말단은, 4염기산 2무수물과 디아민 화합물의 반응 비율에 따라서도 다르지만, 아미노기, 산 무수물기 또는 산 무수물기가 개환된 디카복실기가 될 것으로 생각된다. The terminal of the polyimide resin is considered to be a dicarboxylic group in which an amino group, an acid anhydride group or an acid anhydride group is ring-opened, depending on the reaction ratio of the tetrabasic acid dianhydride and the diamine compound.

반응 조작은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 중합 용액 중에서 가열 탈수 이미드화를 실시하는 것이 작업의 간편성에서 보다 바람직하다. 구체적으로는, 우선 불활성 가스 분위기하에서, HFA기를 갖는 디아민 화합물 및 실록산디아민이 용해된 용매 중에, 톨루엔이나 크실렌 등과 같은 물과 공비하는 용매를 첨가한다. 다음에, 4염기산 2무수물을 첨가하고, 80℃ 이하, 바람직하게는 0 내지 50℃에서 1 내지 24시간 동안 반응시켜 폴리아믹산 용액을 수득한다. 수득된 폴리아믹산 용액을 100 내지 200℃, 바람직하게는 150 내지 200℃로 가열하고, 이때 탈리되는 물을 톨루엔과 공비 제거하면서 폐환시킴으로써 폴리이미드 용액을 수득할 수 있다. 이때, 거의 이론량의 물이 증류 제거된 것, 및 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인할 수 있었던 점으로 반응 완료로 한다. 한편, 이 방법과는 달리, 폴리아믹산의 탈수 폐환 반응을 무수 아세트산/피리딘 혼합 용액을 사용하여 저온에서 실시할 수도 있다. The reaction operation is not particularly limited. For example, it is more preferable to carry out the heat dehydration imidization in the polymerization solution in terms of simplicity of operation. Specifically, first, in a solvent in which an HFA group-containing diamine compound and a siloxane diamine are dissolved, an azeotropic solvent such as toluene, xylene or the like is added in an inert gas atmosphere. Then, a tetrabasic acid dianhydride is added and reacted at 80 DEG C or less, preferably 0 to 50 DEG C for 1 to 24 hours to obtain a polyamic acid solution. The obtained polyamic acid solution is heated to 100 to 200 ° C, preferably 150 to 200 ° C, and at this time, the polyimide solution can be obtained by ring-closing the water to be desorbed while azeotropically removing it with toluene. At this time, it was confirmed that almost the theoretical amount of water was distilled off, and that the outflow of water could not be seen. On the other hand, unlike this method, dehydration ring closure reaction of polyamic acid can also be carried out at a low temperature using a mixed acetic anhydride / pyridine solution.

반응에 사용하는 반응 용매는, 원료 및 수득된 수지와 반응할 수 있는 것이 면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, γ-부티로락톤, α-메틸-γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 메틸이소부틸케톤, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드 등을 들 수 있고, 바람직하게는 사이클로헥산온, γ-부티로락톤을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 사용해도 좋고, 또한 2종류 이상 조합하여 사용해도 좋다. 특히, 사이클로헥산온, γ-부티로락톤 등의 용매에 석유 나프타 등의 방향족 탄화수소계 용제를 병용하는 것이 보다 바람직하다. The reaction solvent used in the reaction is not particularly limited as long as it can react with the raw material and the obtained resin, and examples thereof include tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, cyclopentanone, cyclohexanone, Butyrolactone,? -Valerolactone,? -Caprolactone,? -Caprolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, ethyl cellosolve acetate, butyl cell N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, and the like can be used in combination with other solvents such as benzene, toluene, xylene, , And preferably cyclohexanone, gamma -butyrolactone. These solvents may be used alone or in combination of two or more. Particularly, it is more preferable to use an aromatic hydrocarbon solvent such as petroleum naphtha in combination with a solvent such as cyclohexanone or? -Butyrolactone.

또한, 수득된 폴리이미드 수지 용액을 물이나 메탄올 등의 빈용매(貧溶媒)에 투입하여 중합체를 석출 침전시키고, 다시 건조시킨 후에, 용도에 따른 용제에 재용해시켜 사용할 수도 있다. Further, the obtained polyimide resin solution may be put into a poor solvent such as water or methanol (poor solvent) to precipitate and precipitate the polymer, and after drying again, the polymer may be redissolved in a solvent according to the application.

본 발명에 있어서의 폴리이미드 수지의 수평균 분자량(Mn)의 상한치는, 수지 조성물의 점도가 상승하고, 취급성이 저하되는 것을 방지한다는 관점에서, 50000이 바람직하고, 40000이 보다 바람직하고, 30000이 더욱 바람직하고, 25000이 더욱 한층 바람직하고, 20000이 특히 바람직하다. 한편, 폴리이미드 수지의 수평균 분자량의 하한치는 수지 조성물의 유연성을 발현시킨다는 관점에서, 9000이 바람직하고, 10000이 보다 바람직하고, 15000이 더욱 바람직하다. 본 발명에 있어서의 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량(Mw)의 상한치는, 수지 조성물의 점도가 상승하고, 취급성이 저하되는 것을 방지한다는 관점에서, 50000이 바람직하고, 40000이 보다 바람직하고, 30000이 더욱 바람직하다. 한편, 폴리이미드 수지의 수평균 분자량의 하한치는, 수지 조성물의 유연성을 발현시킨다는 관점에서, 9000이 바람직하고, 10000이 보다 바람직하고, 15000이 더욱 바람직하고, 20000이 특히 바람직하다. 수평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법(폴리스티렌 환산)으로 측정한 값이다. GPC법에 의한 수평균 분자량 및 중량 평균 분자량은, 구체적으로는, 측정 장치로서 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 제조의 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코 가부시키가이샤 제조의 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 N-메틸피롤리돈에 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 용액을 사용하고, 칼럼 온도 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다. The upper limit of the number average molecular weight (Mn) of the polyimide resin in the present invention is preferably 50000, more preferably 40,000 or more, more preferably 30000 or more, in view of preventing the viscosity of the resin composition from increasing and handling property from being lowered. More preferably 25000, still more preferably 20,000, and still more preferably 20,000. On the other hand, the lower limit of the number average molecular weight of the polyimide resin is preferably 9000, more preferably 10000, and even more preferably 15000 from the viewpoint of exhibiting the flexibility of the resin composition. The upper limit of the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide resin in the present invention is preferably 50000, more preferably 40,000 or more, more preferably 30000 or more, in view of preventing the viscosity of the resin composition from rising and handling property from being lowered. Is more preferable. On the other hand, the lower limit of the number average molecular weight of the polyimide resin is preferably 9000, more preferably 10,000, further preferably 15,000, and particularly preferably 20,000 from the viewpoint of exhibiting the flexibility of the resin composition. The number average molecular weight and the weight average molecular weight are values measured by a gel permeation chromatography (GPC) method (in terms of polystyrene). Specifically, the number average molecular weight and the weight average molecular weight by the GPC method were measured by using LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd. as a measuring device, Shodex K manufactured by Showa Denko K.K. -800P / K-804L / K-804L as a mobile phase and 0.4% by weight of lithium bromide in N-methylpyrrolidone dissolved therein was measured at a column temperature of 40 ° C and calculated using a calibration curve of standard polystyrene can do.

본 발명의 수지 조성물은 (B) 열경화성 수지를 함유한다. 상기에서 수득된 (A) 실록산 구조를 갖는 이미드 수지에 열경화성 수지를 혼합함으로써, 경화 수축이 작고, 유연성이 풍부하고, 높은 내열성, 접착성을 나타내는 열경화성 수지 조성물을 수득할 수 있다. 열경화성 수지로는 에폭시 수지, 페놀계 화합물, 카복실산계 화합물, 산 무수물계 화합물, 아민계 화합물, 벤조옥사딘계 화합물, 아민이미드계 화합물, 시아네이트에스테르계 화합물을 들 수 있다. 이때, 수지 (A) 골격 중에 함유되는 HFA기와 반응 가능한 관능기를 갖는 열경화성 수지를 선정하는 것이 바람직하고, 그 중에서도, 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제, 경화 촉진제 등을 첨가해도 좋다. The resin composition of the present invention contains (B) a thermosetting resin. By mixing the thermosetting resin with the imide resin having the siloxane structure (A) obtained above, it is possible to obtain a thermosetting resin composition exhibiting small curing shrinkage, high flexibility, high heat resistance and adhesiveness. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol compound, a carboxylic acid compound, an acid anhydride compound, an amine compound, a benzoxazine compound, an amine imide compound, and a cyanate ester compound. At this time, it is preferable to select a thermosetting resin having a functional group capable of reacting with the HFA group contained in the resin (A) skeleton. Among them, an epoxy resin having two or more glycidyl groups is more preferable. Further, a curing agent for epoxy resin, a curing accelerator and the like may be added.

본 발명의 실시의 형태에서 사용하는 에폭시 수지는, 2개 이상의 글리시딜기를 함유하는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 레조르시놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르, 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알콜류의 글리시딜에테르, 프탈산, 이소프탈산, 테트라하이드로프탈산 등의 카복실산류의 글리시딜에테르, 아닐린, 이소시아눌산 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 것 등의 글리시딜형(메틸글리시딜형도 포함) 에폭시 수지, 분자 내의 올레핀 결합을 에폭시화하여 수득되는 비닐사이클로헥센디에폭사이드, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸-3,4-에폭시사이클로헥산카복실레이트, 2-(3,4-에폭시)사이클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)사이클로헥산-m-디옥산 등의 지환형 에폭시 수지, 파라크실릴렌 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 메타크실릴렌·파라크실릴렌 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 테르펜 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 디사이클로펜타디엔 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 사이클로펜타디엔 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 다환 방향환 변성 페놀 수지의 글리시딜에테르, 나프탈렌환 함유 페놀 수지의 글리시딜에테르, 비페닐형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 단독으로, 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다. The epoxy resin used in the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it contains two or more glycidyl groups. Examples thereof include glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, resorcinol, phenol novolak, cresol novolak, etc., glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol and polypropylene glycol, Glycidyl ethers such as glycidyl ethers of carboxylic acids such as phthalic acid, isophthalic acid and tetrahydrophthalic acid, glycidyl ethers such as those obtained by substituting glycidyl groups for active hydrogen bonded to nitrogen atoms such as aniline and isocyanuric acid Epoxycyclohexene diepoxide obtained by epoxidizing an olefin bond in the molecule, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxy) Alicyclic epoxy resins such as cyclohexyl-5,5-spiro (3,4-epoxy) cyclohexane-m-dioxane, glycidyl ethers of paraxylylene-modified phenol resins, Len A glycidyl ether of a modified phenolic resin, a glycidyl ether of a terpene-modified phenol resin, a glycidyl ether of a dicyclopentadiene-modified phenol resin, a glycidyl ether of a cyclopentadiene-modified phenolic resin, a polycyclic aromatic ring- Glycidyl ether of a naphthalene ring-containing phenol resin, and biphenyl-type epoxy resin. These may be used singly or in combination of two or more.

또한, 상기한 에폭시기를 1분자 중에 적어도 2개 갖는 에폭시 화합물에 모노 에폭시 화합물을 적절히 병용하는 것은 지장이 없고, 이러한 모노 에폭시 화합물로는, 스티렌옥사이드, 사이클로헥센옥사이드, 프로필렌옥사이드, 메틸글리시딜에테르, 에틸글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 알릴글리시딜에테르, 옥틸렌옥사이드, 도데센옥사이드 등이 예시된다. 또한, 사용하는 에폭시 수지는 반드시 1종류에만 한정되는 것이 아니며, 2종 또는 그 이상을 병용할 수 있다. The monoepoxy compound may be suitably used in combination with an epoxy compound having at least two epoxy groups in one molecule. Examples of such monoepoxy compounds include styrene oxide, cyclohexene oxide, propylene oxide, methyl glycidyl ether , Ethyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, octylene oxide, dodecene oxide, and the like. The epoxy resin to be used is not limited to one type alone, and two or more kinds of epoxy resins may be used in combination.

본 발명의 실시의 형태에서 사용하는 에폭시 수지 경화제로는, 에폭시 수지를 경화시키는 것이면 특별히 제약은 없으며, 예를 들면, 페놀계 화합물, 카복실산계 화합물, 산 무수물계 화합물, 아민계 화합물, 벤조옥사딘계 수지, 아민이미드계 수지, 시아네이트에스테르계 화합물 등이 있다. 이러한 경화제 중에서도, 특히 페놀계 화합물이 더욱 바람직하다. The epoxy resin curing agent used in the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it hardens the epoxy resin, and examples thereof include a phenol compound, a carboxylic acid compound, an acid anhydride compound, an amine compound, a benzoxazine Resins, amine imide resins, cyanate ester compounds, and the like. Of these curing agents, phenolic compounds are particularly preferred.

페놀계 화합물로는, 2개 이상의 페놀기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 레조르시놀, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 파라크실릴렌 변성 페놀 수지, 메타크실릴렌·파라크실릴렌 변성 페놀 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 디사이클로펜타디엔 변성 페놀 수지, 사이클로펜타디엔 변성 페놀 수지, 다환 방향환 변성 페놀 수지, 나프탈렌환 함유 페놀 수지, 비페닐형 페놀 수지, 트리아진 구조 함유 페놀노볼락 수지 등을 들 수 있고, 단독으로, 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다. As the phenolic compound, those having two or more phenolic groups are preferable. Examples of the resin include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, resorcinol, phenol novolak resin, cresol novolak resin, paraxylylene denatured phenol resin, meta-xylylene paraxylylene denatured phenol resin, Phenolic resin, dicyclopentadiene-modified phenol resin, cyclopentadiene-modified phenol resin, polycyclic aromatic ring-modified phenol resin, naphthalene ring-containing phenol resin, biphenyl-type phenol resin and phenazine novolac resin containing triazine structure , Alone or in combination of two or more.

카복실산계 화합물로는, 2개 이상의 카복실기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 테레프탈산, 이소프탈산, 헥사하이드로프탈산, 테트라하이드로프탈산, 피로메리트산, 트리메리트산, 메틸나드산, 도데실석신산, 클로렌드산, 말레산, 아디프산 등의 유기산 등을 들 수 있고, 단독으로, 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다. As the carboxylic acid-based compound, those having two or more carboxyl groups are preferable. Examples thereof include organic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, pyromellitic acid, trimellitic acid, methylnadic acid, dodecylsuccinic acid, chloridic acid, maleic acid and adipic acid They may be used singly or in combination of two or more.

산 무수물계 화합물로는 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 무수 프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 피로메리트산, 무수 트리메리트산, 무수 메틸나드산, 도데실 무수 석신산, 무수 클로렌드산, 무수 말레산 등을 들 수 있고, 단독으로, 또는 2종류 이상 혼합하여 사용할 수 있다. The acid anhydride-based compound preferably has at least one acid anhydride group. For example, there may be mentioned phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, methylnadic anhydride, dodecylsuccinic anhydride, anhydrous chloridic acid and maleic anhydride. They may be used singly or in combination of two or more.

아민계 화합물은, 에폭시 수지와의 부가 반응, 또는 에폭시 수지 자체의 음이온 중합을 일으키기 위한 경화제로서 사용된다. 예를 들면, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류나, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 또한, 이미다졸 부위와 실란올 부위를 함께 갖는 이미다졸실란 화합물인 IM-1000[참조: 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 제조]이나 IS-1000[참조: 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 제조], 또한 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 3,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄 등의 방향족 아민계 화합물이나, m-크실릴렌디아민, 디에틸렌트리아민, 테트라에틸렌펜타민 등의 지방족 아민계 화합물, 또한, 멜라민 수지, 2-비닐-4,6-디아미노-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. The amine compound is used as a curing agent for causing addition reaction with an epoxy resin or anionic polymerization of the epoxy resin itself. For example, tertiary amines such as benzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol and 2,4,6- (dimethylaminomethyl) phenol, 2-methylimidazole, 2-ethyl- Imidazoles such as imidazole, 2-undecylimidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole and 1-cyanoethyl- IM-1000 (manufactured by Nikko Kinshoku Kabushiki Kaisha) or IS-1000 (manufactured by Nikko Kinko Kabushiki Kaisha), which is an imidazole silane compound having an imidazole moiety and a silanol moiety together, and 4,4 ' - diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3 , 4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodi Aromatic amine-based compounds such as phenylmethane, 3,3'-aminodiphenylmethane and 3,4'-diaminodiphenylmethane; Aliphatic amine compounds such as m-xylylenediamine, diethylenetriamine and tetraethylenepentamine, and alicyclic amine compounds such as melamine resin and 2-vinyl-4,6-diamino-s- Compounds, dicyandiamide, and the like.

벤조옥사딘계 화합물로는, 2개 이상의 벤조옥사딘 부위를 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, B-a형 벤조옥사딘, B-b형 벤조옥사딘[참조: 시코쿠가세이고교 가부시키가이샤 제조] 등을 들 수 있다. As the benzooxane-based compound, it is preferable to have two or more benzoxadine moieties, and for example, a benzooxazine such as Ba type benzooxadine or Bb type benzoxazine (manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.) .

아민이미드계 화합물로는, 말레이미드 화합물과 아민 화합물을 반응시켜 수득되는 것이며, 특히, 2개 이상의 2급 아미노기를 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 테크마이트 E2020[참조: 가부시키가이샤 프린테크 제조] 등을 들 수 있다. The amine imide compound is obtained by reacting a maleimide compound with an amine compound, and particularly preferably has two or more secondary amino groups. For example, it is possible to use a copolymer of a methacrylic acid and a methacrylic acid, such as Technomite E2020 And the like.

시아네이트에스테르계 화합물로는, 2개 이상의 시아네이트기를 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 론더재팬 가부시키가이샤 제조의 Primaset BADCY, Primaset BA230S, Primaset LECY 등을 들 수 있다. As the cyanate ester compound, those having two or more cyanate groups are preferable, and examples thereof include Primaset BADCY, Primaset BA230S and Primaset LECY manufactured by RONDER Japan K.K.

본 발명의 실시의 형태에 사용하는 에폭시 수지 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스포늄트리페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 등의 인계 화합물이나, 벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. The epoxy resin curing accelerator used in the embodiment of the present invention is not particularly limited. For example, phosphorus compounds such as triphenylphosphine, triphenylphosphonium triphenylborate, and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, benzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6- Dimethylaminomethyl) phenol, and other tertiary amines such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-phenylimidazole, Imidazoles such as methylimidazole and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, and dicyandiamide.

수지 조성물 중의 열경화성 수지의 배합량은, 그 구체적 종류에 따라 적절한 배합량은 상이하지만, 일반적으로는 (A) 폴리이미드 수지 100질량부에 대해 (B) 열경화성 수지는 1 내지 200질량부, 또한 바람직하게는 5 내지 100질량부인 것이 바람직하다. 열경화성 수지의 배합량이 지나치게 적으면 경화 부족이 되어, 내약품성, 내열성 등이 떨어지는 경우가 있고, 지나치게 많으면, 유연성이 부족한 경우가 있다. 또한, 에폭시 수지에 대한, 에폭시 수지 경화제와 골격 중에 HFA기를 갖는 실록산 함유 폴리이미드 수지의 총합의 화학 당량비는 특별히 제한되지 않지만, 0.7 내지 1.3의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 또한, 0.8 내지 1.2가 보다 바람직하다. 이 범위로 제어함으로써, 관능기 각각의 미반응분을 적게 제어하여 내약품성이나 전기 특성 등을 보다 양호한 것으로 할 수 있다. 또한, HFA기 및 실록산을 함유하지 않는 폴리이미드 수지와 열경화성 수지에, 실록산 수지를 별도 배합해도 상용성이 좋지 않은 경향이 있고, HFA기 및 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지를 사용함으로써, 열경화성 수지와의 상용성도 양호해지는 경향이 있다. The blending amount of the thermosetting resin in the resin composition varies depending on the specific type thereof, but is generally from 1 to 200 parts by mass, (B) the thermosetting resin relative to 100 parts by mass of (A) the polyimide resin, And preferably 5 to 100 parts by mass. If the blending amount of the thermosetting resin is too small, the curing will be insufficient and the chemical resistance and heat resistance may be deteriorated. If too large, the flexibility may be insufficient. The chemical equivalent ratio of the sum of the epoxy resin curing agent and the siloxane-containing polyimide resin having a HFA group in the skeleton to the epoxy resin is not particularly limited, but is preferably set in the range of 0.7 to 1.3, more preferably 0.8 to 1.2 More preferable. By controlling the content in this range, it is possible to control the unreacted contents of each of the functional groups to a smaller extent and to make the chemical resistance, electric characteristics and the like better. Further, even when a siloxane resin is separately blended with a polyimide resin containing no HFA group and siloxane and a thermosetting resin, the compatibility tends to be poor. By using a polyimide resin containing an HFA group and a siloxane structure, The compatibility tends to be improved.

본 발명의 수지 조성물에는 (C) 무기 충전재를 배합하는 것이 바람직하다. 무기 충전재의 배합에 의해, 경화 전의 점도 특성의 조제나, 경화 후의 탄성율의 조제, 강도 향상, 열팽창율의 저하 등의 효과가 발휘된다. 무기 충전재로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 운모, 고령토, 규산염, 황산바륨, 수산화마그네슘, 산화티탄 등을 들 수 있고, 실리카, 알루미나가 바람직하고, 특히 실리카가 바람직하다. 또한, 무기 충전제는 절연 신뢰성의 관점에서, 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 평균 입자 직경이 1.5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 평균 입자 직경이 1㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 평균 입자 직경은 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치 LA-500[참조: 가부시키가이샤 호리바세이사쿠쇼 제조]에 의해 측정할 수 있다. 수지 조성물 중의 무기 충전제의 함유량은, 수지 조성물의 불휘발 성분을 100중량%로 했을 때, 바람직하게는 5 내지 60중량%이며, 보다 바람직하게는 5 내지 30중량%이다. 무기 충전제의 함유량이 5중량% 미만인 경우, 점도 조제, 탄성율 조제, 강도 향상, 열팽창율의 저하 등의 효과가 충분히 발휘되지 않는 경향이 있고, 무기 충전제의 함유량이 60중량%를 초과하면, 수지 조성물의 경화물의 유연성이 손상되어 부서지는 경향을 나타낸다. In the resin composition of the present invention, (C) an inorganic filler is preferably blended. The combination of the inorganic filler exhibits effects such as preparation of viscosity characteristics before curing, preparation of the modulus of elasticity after curing, improvement of strength, and reduction of thermal expansion rate. Examples of the inorganic filler include silica, alumina, mica, kaolin, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide and titanium oxide. Silica and alumina are preferable, and silica is particularly preferable. From the viewpoint of insulation reliability, the inorganic filler preferably has an average particle diameter of 3 mu m or less, more preferably 1.5 mu m or less, and more preferably 1 mu m or less. The average particle diameter can be measured by a laser diffraction / scattering type particle size distribution analyzer LA-500 (trade name, manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.). The content of the inorganic filler in the resin composition is preferably 5 to 60% by weight, more preferably 5 to 30% by weight, based on 100% by weight of the nonvolatile component of the resin composition. When the content of the inorganic filler is less than 5% by weight, effects such as viscosity control, modulus of elasticity, strength, and thermal expansion tend to be insufficient. When the content of the inorganic filler exceeds 60% by weight, The flexibility of the cured product of the cured product is deteriorated and tends to be broken.

본 발명의 수지 조성물에는, 필요에 따라서, 유기 충전제를 첨가할 수 있다. 유기 충전제로서는, 아크릴 고무 입자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. 유기 충전제도 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 평균 입자 직경이 1.5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 또한 평균 입자 직경이 1㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. An organic filler may be added to the resin composition of the present invention, if necessary. Examples of the organic filler include acrylic rubber particles and silicone particles. The organic filler preferably has an average particle diameter of not more than 3 mu m, more preferably not more than 1.5 mu m, and further preferably not more than 1 mu m.

본 발명의 수지 조성물에는, 본 발명의 효과가 발휘되는 범위에 있어서, 각종 수지 첨가제나 성분 (A) 및 (B) 이외의 수지 성분 등을 배합할 수 있다. 수지 첨가제의 예로는, 올벤[참조: 시로이시고교 가부시키가이샤 제조], 벤톤[참조: 레옥스사 제조] 등의 증점제, 실리콘계, 불소계 또는 아크릴계의 소포제, 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계 등의 밀착 부여제, 실란 커플링제 등의 표면 처리제, 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘 그린, 디스아조 옐로, 카본 블랙 등의 착색제, 인 함유 화합물, 브롬 함유 화합물, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등 난연제, 인계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제 등의 산화 방지제를 들 수 있다. In the resin composition of the present invention, various resin additives, resin components other than the components (A) and (B), and the like may be blended to the extent that the effects of the present invention are exerted. Examples of the resin additive include a thickener such as allene (manufactured by Shiroishi Kogyo Co., Ltd.) and bentone (manufactured by Reox Corporation), a silicon-based, fluorine- or acrylic- based defoaming agent, a leveling agent, an imidazole- A surface treating agent such as a silane coupling agent, a coloring agent such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, disazo yellow and carbon black, a phosphorus containing compound, a bromine containing compound, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide Antioxidants such as flame retardants, phosphorus antioxidants and phenol antioxidants.

본 발명의 수지 조성물은 솔더레지스트 잉크, 접착 필름, 금속박 부착 접착 필름, 커버레이 필름, 프리프레그, 금속박 부착 프리프레그에 사용할 수 있다.
The resin composition of the present invention can be used for solder resist ink, adhesive film, adhesive film with metal foil, coverlay film, prepreg, and prepreg with metal foil.

(솔더레지스트 잉크)(Solder resist ink)

본 발명의 수지 조성물을 여러 가지 유기 용제 중에 용해 또는 분산시켜 페이스트상으로 함으로써, 프린트 회로 기판의 절연 보호막을 형성하기 위해서 필요한 솔더레지스트 잉크를 제작할 수 있다. 여기에서 사용하는 유기 용제는 특별히 한정되는 것이 아니지만, 비점이 150℃ 이상인 용제를 사용하는 것이 바람직하고, 또한, 비점이 180℃ 이상인 용제를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 150℃보다도 비점이 낮은 용제를 사용한 경우, 잉크의 도포 작업시에 스크린 위에서 솔더레지스트 잉크가 건조되어 스크린 메쉬가 막힐 가능성이 있다. 비점이 150℃ 이상인 용제는, 예를 들면, N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디에틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 테트라메틸우레아 등의 질소 함유 화합물계 용매, 디메틸설폭사이드 등의 유황 함유 화합물계 용매, γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 화합물계 용매, 사이클로헥산온, 메틸사이클로헥산온, 이소포론 등의 케톤계 용매, 디글라임, 트리글라임 등의 에테르계 용매, 카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등 에스테르계 용매 등의 극성 용매를 들 수 있다. 이들 용매는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또한, 필요에 따라, 방향족 탄화수소 등의 비극성 용매를 적절히 혼합하여 사용할 수도 있고, 예를 들면, 비점이 160℃ 이상인 석유 나프타 등을 들 수 있다.By dissolving or dispersing the resin composition of the present invention in various organic solvents to give a paste, a solder resist ink necessary for forming an insulating protective film of a printed circuit board can be produced. The organic solvent used herein is not particularly limited, but it is preferable to use a solvent having a boiling point of 150 ° C or higher, and more preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C or higher. When a solvent having a boiling point lower than 150 캜 is used, there is a possibility that the solder resist ink dries on the screen during the application of the ink to clog the screen mesh. Examples of the solvent having a boiling point of 150 ° C or higher include N, N'-dimethylformamide, N, N'-diethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, Nitrogen-containing compound solvents such as tetramethylurea, sulfur-containing compound solvents such as dimethylsulfoxide, cyclic ester compound solvents such as? -Butyrolactone, ketone such as cyclohexanone, methylcyclohexanone and isophorone An ether solvent such as a solvent, diglyme and triglyme, and an ester solvent such as carbitol acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate. These solvents may be used by mixing two or more kinds. If necessary, nonpolar solvents such as aromatic hydrocarbons may be appropriately mixed and used. For example, petroleum naphtha having a boiling point of 160 ° C or higher may be used.

본 발명의 수지 조성물에 유기 용제를 임의로 사용하여 페이스트상으로 하기 위해서는, (A) 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지, 용제, 또한, 경화제, 경화 촉진제, 충전재, 첨가 재료 등을 포함하는 배합 성분을 플래니터리 믹서(planetary mixer), 3개 롤, 비즈 밀 등을 사용하여 혼련하고, 용해 또는 분산시킴으로써 조제할 수 있다. 고형 수지를 혼합할 때는, 미리 고형 수지를 유기 용제에 용해시킨 용액을 제작한 후, 상기한 혼련 조작을 실시한다.
In order to form an organic solvent optionally in the resin composition of the present invention in the form of a paste, a polyimide resin (A) containing a siloxane structure and (B) a thermosetting resin, a solvent, a curing agent, a curing accelerator, a filler, And then kneading the mixture with a planetary mixer, three rolls, a bead mill, etc., and dissolving or dispersing the mixture. When a solid resin is mixed, a solution in which a solid resin is dissolved in an organic solvent is prepared in advance, and then the above kneading operation is carried out.

(접착 필름)(Adhesive film)

본 발명의 수지 조성물은, 회로 기판 제조용으로서 적절한 형태인 수지 조성물 층(A층) 및 지지체 필름(B층)을 함유하는 접착 필름의 형태로 사용할 수 있다. 접착 필름은 당업자에게 공지된 방법에 따라서 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기한 솔더레지스트 잉크 제작법과 마찬가지로, 우선, (A) 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지, 용제 또한 경화제, 경화 촉진제, 충전재, 첨가재 등을 포함하는 성분을 배합한다. 이들을 플래니터리 믹서, 3개 롤, 비즈 밀 등을 사용하여 혼련하고, 용해 또는 분산시킴으로써 수지 조성물 바니쉬를 조제한다. 계속해서, 지지체 필름 위에 이 수지 바니쉬를 도포하고, 마지막에, 가열 또는 열풍 분사 등에 의해 유기 용제를 건조시켜, 수지 조성물 층을 형성시킴으로써 접착 필름을 제조할 수 있다. 지지체 필름은 접착 필름을 제조할 때의 지지체가 되는 것이며, 프린트 회로 기판의 제조에 있어서, 최종적으로는 박리 또는 제거되는 것이다. 지지체 필름으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐 등의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 또는 이형지나 구리박 등의 금속박 등을 들 수 있다. The resin composition of the present invention can be used in the form of an adhesive film containing a resin composition layer (A layer) and a support film (B layer), which are suitable forms for producing circuit boards. The adhesive film can be produced by a method known to a person skilled in the art. For example, in the same manner as in the solder resist ink preparation method described above, a polyimide resin containing (A) a siloxane structure and (B) a component including a thermosetting resin, a solvent, and a curing agent, a curing accelerator, a filler, . These are kneaded using a planetary mixer, three rolls, a bead mill or the like and dissolved or dispersed to prepare a resin composition varnish. Subsequently, the resin varnish is coated on the support film, and finally the organic solvent is dried by heating or hot air blowing to form a resin composition layer, whereby an adhesive film can be produced. The support film serves as a support for the production of the adhesive film and is finally peeled off or removed in the production of the printed circuit board. As the support film, there can be used, for example, a polyester such as polyethylene, polyolefin such as polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate, polycarbonate, Metal foil such as foil, and the like.

수지 조성물 층(A층)의 두께는 접착 필름의 용도에 따라 상이하다. 빌드업 공법에 의해 다층 플렉시블(flexible) 회로 기판의 제조에 사용하는 경우는, 회로를 형성하는 도체층의 두께가 5 내지 70㎛이기 때문에, 층간 절연층에 상당하는 A층의 두께는 10 내지 100㎛의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 지지체 필름의 두께도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10 내지 150㎛가 바람직하고, 25 내지 50㎛가 보다 바람직하게 사용된다.The thickness of the resin composition layer (A layer) differs depending on the use of the adhesive film. When used in the manufacture of a multilayer flexible circuit board by the build-up method, since the thickness of the conductor layer forming the circuit is 5 to 70 μm, the thickness of the A layer corresponding to the interlayer insulating layer is 10 to 100 Mu m. The thickness of the support film is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 mu m, more preferably 25 to 50 mu m.

바니쉬를 조제하기 위한 용제는 특별히 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용제, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 화합물류, 톨루엔, 크실렌, 석유 나프타 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 필름 제작시의 용제의 건조성을 양호하게 하는 관점에서, 비점이 160℃ 이하인 것이 바람직하고, 또한, 비점이 100℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이들 용제는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The solvent for preparing the varnish is not particularly limited. Examples of the solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, cellosolve, Carbitols such as benzyl alcohol and butyryl, cyclic ester compounds such as? -Butyrolactone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and petroleum naphtha, dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone . Among these, from the viewpoint of improving the drying of the solvent at the time of film production, the boiling point is preferably 160 캜 or lower, and more preferably 100 캜 or lower. These solvents may be used in combination of two or more kinds.

건조 조건은 특별히 한정되지는 않지만, 접착 능력을 보지하기 위해서, 건조시에 열경화성 수지 조성물의 경화를 가능한 한 진행시키지 않는 것이 중요해진다. 또한, 접착 필름 내에 유기 용제가 많이 잔류하면, 경화 후에 팽창이 발생하는 원인이 되기 때문에, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 비율이, 5중량% 이하, 바람직하게는 3중량% 이하가 되도록 건조시킨다. 구체적인 건조 조건은, 열경화성 수지 조성물의 경화성이나 바니쉬 중의 용제의 양이나 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 30 내지 60중량%의 용제를 포함하는 바니쉬에 있어서는, 80 내지 120℃에서 3 내지 15분으로 건조시키는 것이 바람직하다. 당업자는 간단한 실험에 의해 적절히 적합한 건조 조건을 설정할 수 있다.
The drying conditions are not particularly limited, but it is important that the curing of the thermosetting resin composition during drying is not proceeded as far as possible in order to keep the adhesive ability. Further, if a large amount of the organic solvent remains in the adhesive film, it causes the expansion after curing. Therefore, the organic solvent is dried so that the proportion of the organic solvent in the resin composition layer is 5 wt% or less, preferably 3 wt% or less. The specific drying conditions vary depending on the curing properties of the thermosetting resin composition and the amount and the boiling point of the solvent in the varnish. For example, in a varnish containing 30 to 60% by weight of the solvent, the drying is carried out at 80 to 120 ° C for 3 to 15 minutes . Those skilled in the art will be able to set suitably suitable drying conditions by simple experimentation.

(금속박 부착 접착 필름)(Adhesive film with metal foil)

본 발명의 수지 조성물은, 회로 기판 제조용으로서 적합한 형태인 수지 조성물 층(A층) 및 금속박(C층)을 함유하는 접착 필름의 형태로 사용할 수 있다. 금속박 부착 접착 필름은, 당업자에게 공지된 방법에 따라 제조할 수 있다. 예를 들면, 또한 상기 접착 필름을 금속박과 라미네이트하면 좋다. 또는, 상기에서 설명한 접착 필름의 지지체 필름의 지지체를 금속박으로 구성하고, 금속박 위에 형성된 수지 조성물 층(A층) 위에 다른 지지체를 라미네이트할 수도 있다. 여기에서, 본 발명의 금속박 부착 접착 필름에 사용되는 금속박의 종류는 특별히 한정되지 않고, 구리, 니켈, 알루미늄, 스테인레스 강, 베릴륨-구리 함금, 인청동 등을 사용할 수 있는데, 인쇄 회로를 형성하기 위한 금속박으로는 구리박이 바람직하다. 구리박으로서, 압연 구리박 또는 전해 구리박 중 어느 것을 사용해도 좋고, 또한 캐리어 부착 극박(極薄) 구리박을 사용할 수도 있다.
The resin composition of the present invention can be used in the form of an adhesive film containing a resin composition layer (A layer) and a metal foil (C layer), which are suitable forms for producing circuit boards. The metal foil-attached adhesive film can be produced by a method known to a person skilled in the art. For example, the adhesive film may be laminated with a metal foil. Alternatively, the support of the support film of the above-described adhesive film may be composed of a metal foil, and another support may be laminated on the resin composition layer (A layer) formed on the metal foil. Here, the kind of the metal foil to be used for the metal foil-bonded film of the present invention is not particularly limited, and copper, nickel, aluminum, stainless steel, beryllium-copper alloy, phosphor bronze or the like can be used. Copper foil is preferable. As the copper foil, either a rolled copper foil or an electrolytic copper foil may be used, or a copper foil with a carrier may be used.

(커버레이 필름)(Coverlay film)

본 발명의 수지 조성물을 사용하여, 회로 기판 제조용으로서 적합한 형태인 수지 조성물 층(A층) 및 내열 필름(D층)을 함유하는 접착 필름의 형태로 함으로써, 프린트 회로 기판의 절연 보호막을 형성하기 위해서 필요한 커버레이 필름을 만들 수 있다. 당해 커버레이 필름은, 당업자가 공지된 방법에 따라, 예를 들면, 본 발명의 수지 조성물을 유기 용제에 용해시킨 바니쉬를 조제하고, 내열 필름에 이 수지 바니쉬를 도포하고, 가열 또는 열풍 분사 등에 의해 유기 용제를 건조시켜 수지 조성물 층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. 내열 필름은 커버레이 필름을 제조할 때의 지지체가 되는 것이지만, 상기한 접착 필름의 경우와는 달리, 프린트 회로 기판의 제조에 있어서, 최종적으로 회로 기판의 최외층 회로 위에 적층된 상황이 되는 것이다. 내열 필름으로는, 예를 들면, PET, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드이미드, 폴리아미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 액정 중합체 등을 들 수 있다. By using the resin composition of the present invention in the form of an adhesive film containing a resin composition layer (layer A) and a heat-resistant film (layer D), which are suitable forms for producing a circuit board, You can make the necessary coverlay film. The coverlay film may be prepared by preparing a varnish obtained by dissolving the resin composition of the present invention in an organic solvent according to a method known to a person skilled in the art, applying the resin varnish to the heat resistant film, And drying the organic solvent to form a resin composition layer. The heat-resistant film serves as a support for the production of a coverlay film. However, unlike the case of the above-mentioned adhesive film, in the production of a printed circuit board, a situation is finally reached in which the layer is laminated on the outermost layer circuit of the circuit board. Examples of the heat resistant film include polyester such as PET and polyethylene naphthalate, polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyamide, polyetheretherketone, polyether sulfone, liquid crystal polymer and the like.

수지 조성물 층(A)의 적절한 두께는 회로를 형성하는 도체층의 두께에 따라 다르지만, 도체층의 두께가 5 내지 70㎛이면, 층간 절연층에 상당하는 A층의 두께는 10 내지 100㎛의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 내열 필름의 두께도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10 내지 100㎛이며, 바람직하게는 15 내지 50㎛의 범위가 양호하다. 바니쉬를 조제하기 위한 용제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용제, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 화합물류, 톨루엔, 크실렌, 석유 나프타 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 필름 제작시의 용제의 건조성을 양호하게 하는 관점에서, 비점이 160℃ 이하인 것이 바람직하고, 또한, 비점이 100℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이들 용제는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The appropriate thickness of the resin composition layer (A) depends on the thickness of the conductor layer forming the circuit, but if the thickness of the conductor layer is 5 to 70 mu m, the thickness of the A layer corresponding to the interlayer insulating layer is in the range of 10 to 100 mu m . The thickness of the heat-resistant film is not particularly limited, but is preferably in the range of 10 to 100 占 퐉, and more preferably in the range of 15 to 50 占 퐉. Examples of the solvent for preparing the varnish include, but are not limited to, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Carbitol and butyl carbitol; cyclic ester compounds such as? -Butyrolactone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and petroleum naphtha; dimethylformamide; dimethylformamide; dimethylformamide; Acetamide, N-methylpyrrolidone, and the like. Among these, from the viewpoint of improving the drying of the solvent at the time of film production, the boiling point is preferably 160 캜 or lower, and more preferably 100 캜 or lower. These solvents may be used in combination of two or more kinds.

건조 조건은 특별히 한정되지는 않지만, 접착 능력을 보지하기 위해서, 건조시에 열경화성 수지 조성물의 경화를 가능한 한 진행시키지 않는 것이 중요해진다. 또한, 접착 필름 내에 유기 용제가 많이 잔류하면, 경화 후에 팽창이 발생하는 원인이 되기 때문에, 수지 조성물 층 중의 유기 용제의 비율이, 5중량% 이하, 바람직하게는 3중량% 이하가 되도록 건조시킨다. 구체적인 건조 조건은 열경화성 수지 조성물의 경화성이나 바니쉬 중의 용제의 양이나 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 30 내지 60중량%의 용제를 포함하는 바니쉬에 있어서는, 80 내지 120℃에서 3 내지 15분 동안 건조시키는 것이 바람직하다. 당업자는 간단한 실험에 의해 적절히 적합한 건조 조건을 설정할 수 있다.
The drying conditions are not particularly limited, but it is important that the curing of the thermosetting resin composition during drying is not proceeded as far as possible in order to keep the adhesive ability. Further, if a large amount of the organic solvent remains in the adhesive film, it causes the expansion after curing. Therefore, the organic solvent is dried so that the proportion of the organic solvent in the resin composition layer is 5 wt% or less, preferably 3 wt% or less. The specific drying conditions vary depending on the curing properties of the thermosetting resin composition and the amount and the boiling point of the solvent in the varnish. For example, in a varnish containing 30 to 60% by weight of the solvent, the drying may be performed at 80 to 120 캜 for 3 to 15 minutes It is preferable to dry it. Those skilled in the art will be able to set suitably suitable drying conditions by simple experimentation.

(프리프레그)(Prepreg)

본 발명의 프리프레그는, 본 발명에 있어서의 열경화성 수지 조성물을 섬유를 함유하는 시트형 보강 기재에 핫멜트법 또는 솔벤트법에 의해 함침시키고, 가열에 의해 반경화시킴으로써 제조할 수 있다. 즉, 본 발명에 있어서의 열경화성 수지 조성물이 섬유를 함유하는 시트형 보강 기재에 함침된 상태가 되는 프리프레그로 할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같은 열경화성 수지 조성물을 함유하는 접착 필름을 시트형 보강재의 양면에서부터 라미네이트함으로써 조제할 수도 있다. 섬유를 함유하는 시트형 보강 기재로서는, 예를 들면 유리 크로스나 아라미드 섬유 등, 프리프레그용 섬유로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. The prepreg of the present invention can be produced by impregnating the thermosetting resin composition of the present invention to a sheet type reinforcing base material containing fibers by a hot-melt method or a solvent method, and semi-curing the mixture by heating. That is, the thermosetting resin composition of the present invention can be a prepreg impregnated with a sheet-like reinforcing base material containing fibers. It is also possible to prepare an adhesive film containing a thermosetting resin composition as described below from both sides of the sheet-like reinforcing material by laminating. As the sheet-like reinforcing base material containing fibers, for example, those commonly used as prepreg fibers such as glass cloth and aramid fiber can be used.

핫멜트법은, 본 발명에 있어서의 열경화성 수지 조성물을 유기 용제에 용해하지 않고, 수지를 박리성이 양호한 도포지에 일단 코팅하고, 그것을 시트형 보강 기재에 라미네이트하거나, 또는 다이코터(die coater)에 의해 직접 도포하는 등 하여, 프리프레그를 제조하는 방법이다. 또한 솔벤트법은 접착 필름과 같이, 본 발명에 있어서의 열경화성 수지 조성물을 유기 용제에 용해시킨 수지 바니쉬에 시트형 보강 기재를 침지하고, 수지 바니쉬를 시트형 보강 기재에 함침시키고, 그후 건조시키는 방법이다.
The hot-melt method is a method in which the resin is temporarily coated on a coated paper having good releasability, the resin is laminated on a sheet-like reinforcing substrate, or the resin is directly laminated on a sheet-like reinforcing substrate by a die coater without dissolving the thermosetting resin composition of the present invention in an organic solvent And then the prepreg is produced. The solvent method is a method in which a sheet-like reinforcing base material is immersed in a resin varnish obtained by dissolving the thermosetting resin composition of the present invention in an organic solvent, such as an adhesive film, the resin varnish is impregnated into the sheet-like reinforcing base material, and then dried.

(금속박 부착 프리프레그)(Prepreg with metal foil)

금속박 부착 프리프레그는, 금속박 위에 본 발명의 수지 조성물이 함침된 프리프레그를 적층한 것이다. 그 제조방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 수지 바니쉬를 함침한 시트형 보강 기재를 금속박과 접합한 후에 건조시켜도 좋다. 또한, 미리 제작된 프리프레그를 이형성 필름과 금속박 사이에 라미네이트함으로써 금속박 부착 프리프레그를 제작할 수도 있다. 여기에서, 본 발명의 금속박 부착 프리프레그에 사용되는 금속박의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 구리, 니켈, 알루미늄, 스테인레스 강, 베릴륨-구리 함금, 인청동 등을 사용할 수 있다. 일반적으로는 금속박으로는 구리박이 많이 사용되는데, 구리박에 관해서는 압연 구리박, 전해 구리박 및 캐리어 부착 극박 구리박 중 어느 것을 사용해도 좋다. A prepreg with a metal foil is a laminate of a prepreg impregnated with the resin composition of the present invention on a metal foil. The production method thereof is not particularly limited. For example, the sheet-like reinforcing base material impregnated with the resin varnish may be bonded to the metal foil and then dried. In addition, a prepreg with a metal foil can be produced by laminating a pre-fabricated prepreg between a releasable film and a metal foil. Here, the kind of the metal foil used in the metal foil prepreg of the present invention is not particularly limited, and copper, nickel, aluminum, stainless steel, beryllium-copper alloy, phosphor bronze and the like can be used. In general, a copper foil is used in many cases as the metal foil. As the copper foil, any of rolled copper foil, electrolytic copper foil and carrier-bonded ultra-thin copper foil may be used.

접착 필름, 금속박 부착 접착 필름, 커버레이 필름, 프리프레그, 금속박 부착 프리프레그에 있어서는, 수지 조성물 층의 지지체가 밀착되지 않은 면에는, 지지체에 준한 보호 필름을 또한 적층할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니지만, 1 내지 40㎛가 바람직하고, 10 내지 30㎛가 보다 바람직하다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물 층 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 또한, 이들은 롤상으로 감아 저장할 수도 있다. In the adhesive film, the adhesive film with a metal foil, the coverlay film, the prepreg, and the prepreg with a metal foil, a protective film according to the support may be laminated on the surface of the resin composition layer on which the support is not adhered. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 mu m, more preferably 10 to 30 mu m. By laminating a protective film, it is possible to prevent adhesion and scratching of dust or the like to the surface of the resin composition layer. They may also be rolled up and stored.

솔더레지스트 잉크, 커버레이 필름, 접착 필름에 있어서는, 최외층의 절연 보호막을 형성하는데 사용할 수 있다. 또한, 접착 필름, 금속박 부착 접착 필름, 프리프레그, 금속박 부착 프리프레그에 있어서는, 최외층 이외의 다층 기판의 작성에 사용할 수 있다.
The solder resist ink, the coverlay film, and the adhesive film can be used to form the outermost insulating protective film. Further, in the case of the adhesive film, the adhesive film with a metal foil, the prepreg, and the prepreg with a metal foil, it can be used for forming a multilayer substrate other than the outermost layer.

(최외층에 절연 보호막을 형성한 프린트 회로 기판의 제조)(Production of Printed Circuit Board Having Insulation Protective Film on Outermost Layer)

<솔더레지스트 잉크에 의한 절연 보호막의 제작>&Lt; Preparation of insulating protective film by solder resist ink >

본 발명의 솔더레지스트 잉크는, 특히 플렉시블 회로 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 솔더레지스트 잉크를 플렉시블 프린트 배선판의 소정 부분에 도포하고, 도포면을 건조시킴으로써, 전체 표면 또는 일부 표면이 본 발명의 솔더레지스트로 보호된 플렉시블 프린트 배선판을 수득할 수 있다. 건조 조건은, 사용하는 솔더레지스트의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 적어도 솔더레지스트 잉크를 구성하는 용제가 충분히 건조되고, 수지 조성물이 충분히 열경화되는 조건인 것이 필요하다. 100 내지 200℃에서 1 내지 120분 동안 건조시키는 것이 바람직하다. 형성되는 표면 보호막의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 100㎛가 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물에 의해 표면이 보호되는 플렉시블 프린트 배선판의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, TAB용 플렉시블 프린트 배선판, COF용 플렉시블 프린트 배선판, 다층 플렉시블 프린트 배선판, 도전성 페이스트 인쇄 플렉시블 프린트 배선판 등의 각종 플렉시블 프린트 배선판의 보호에 본 발명의 수지 조성물을 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 특히 TAB용 플렉시블 프린트 배선판, COF용 플렉시블 프린트 배선판 오버코트용으로서 적합하게 사용할 수 있다.
The solder resist ink of the present invention can be suitably used particularly for the production of a flexible circuit board. Specifically, a flexible printed wiring board in which the solder resist ink of the present invention is applied to a predetermined portion of the flexible printed wiring board and the coated surface is dried, whereby the entire surface or a part of the surface is protected with the solder resist of the present invention can be obtained. Drying conditions can be suitably set by those skilled in the art depending on the kind of the solder resist to be used, but it is necessary that at least the solvent constituting the solder resist ink is sufficiently dried and the resin composition is thermally cured sufficiently. It is preferable to dry at 100 to 200 DEG C for 1 to 120 minutes. The thickness of the surface protective film to be formed is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 占 퐉. The type of the flexible printed wiring board whose surface is protected by the resin composition of the present invention is not particularly limited. For example, the resin composition of the present invention can be used for protection of various flexible printed wiring boards such as TAB flexible printed wiring boards, COF flexible printed wiring boards, multilayer flexible printed wiring boards, and conductive paste printed flexible printed wiring boards. The resin composition of the present invention can be suitably used particularly for TAB flexible printed wiring boards and COF flexible printed wiring board overcoats.

<커버레이 필름에 의한 절연 보호막의 제작><Fabrication of insulating protective film by coverlay film>

본 발명의 커버레이 필름은, 특히 플렉시블 회로 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 우선 본 발명의 커버레이 필름을 플렉시블 프린트 배선판의 소정 부분에, 진공 라미네이터(laminator)에 의한 적층 또는 금속 플레이트에 의한 프레스 적층 등의 방법을 사용하여 접합한다. 계속해서, 수지 조성물 층(A)을 경화시킴으로써, 전체 표면 또는 일부 표면이 본 발명의 커버레이 필름으로 보호된 플렉시블 프린트 배선판을 수득할 수 있다. 이때의 압착 조건은, 사용하는 커버레이 필름의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있다. 온도를 100 내지 200℃, 압력을 1 내지 40kgf/㎠, 공기압 20mmHg 이하의 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방식은 배치식이라도 좋고, 롤에 의한 연속식이라도 좋다. 또한, 경화 조건은, 사용하는 수지 조성물 층(A)의 종류에 따라 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 적어도 수지 조성물이 충분히 열경화되는 조건일 필요가 있고, 100 내지 200℃에서 1 내지 120분 동안 경화시키는 것이 바람직하다.
The coverlay film of the present invention can be suitably used particularly in the production of a flexible circuit board. Specifically, the coverlay film of the present invention is first bonded to a predetermined portion of a flexible printed wiring board by a method such as lamination using a vacuum laminator or press lamination using a metal plate. Subsequently, by curing the resin composition layer (A), it is possible to obtain a flexible printed wiring board whose entire surface or a part of its surface is protected by the coverlay film of the present invention. The pressing conditions at this time can be suitably set by a person skilled in the art depending on the type of the coverlay film to be used. The laminate is preferably laminated at a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 1 to 40 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 20 mmHg or less. The laminate may be of a batch type or a roll type continuous type. The curing conditions can be appropriately set by a person skilled in the art depending on the type of the resin composition layer (A) to be used. However, the curing conditions need to be such that at least the resin composition sufficiently thermally cures, Lt; / RTI &gt;

<접착 필름에 의한 절연 보호막의 제작>&Lt; Preparation of insulating protective film by adhesive film &

본 발명의 접착 필름을, 상기한 솔더레지스트 잉크나 커버레이 필름과 마찬가지로, 회로 기판의 최외층의 절연 보호막으로서 적합하게 사용할 수도 있다. 구체적으로는 우선, 본 발명의 접착 필름을 플렉시블 프린트 배선판의 소정의 부분에, 진공 라미네이터에 의한 적층, 또는 금속 플레이트에 의한 프레스 적층 등의 방법을 사용하여 접합한다. 계속해서, 지지체 필름(B)을 박리한 후, 수지 조성물 층(A)을 경화시킴으로써, 전체 표면 또는 일부 표면이 본 발명의 접착 필름으로 보호된 플렉시블 프린트 배선판을 수득할 수 있다. 이때의 압착 조건은, 사용하는 커버레이 필름의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 온도를 100 내지 200℃, 압력을 1 내지 40kgf/㎠, 공기압 20mmHg 이하의 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방식은 배치식이라도 좋고, 롤에 의한 연속식이라도 좋다. 또한, 경화 조건은, 사용하는 수지 조성물 층(A)의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 적어도, 수지 조성물이 충분히 열경화되는 조건일 필요가 있고, 100 내지 200℃에서 1 내지 120분 동안 경화시키는 것이 바람직하다.
The adhesive film of the present invention may be suitably used as an insulating protective film for the outermost layer of a circuit board, like the above-described solder resist ink or coverlay film. Specifically, first, the adhesive film of the present invention is bonded to a predetermined portion of a flexible printed wiring board using a method such as lamination using a vacuum laminator or press lamination using a metal plate. Subsequently, after the support film (B) is peeled, the resin composition layer (A) is cured to obtain a flexible printed wiring board whose entire surface or part of the surface is protected by the adhesive film of the present invention. The pressing conditions at this time may be suitably set by a person skilled in the art according to the type of the coverlay film to be used, but it is preferable to laminate the laminate at a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 1 to 40 kgf / cm2 and an air pressure of 20 mmHg or less Do. The laminate may be of a batch type or a roll type continuous type. The curing conditions can be suitably set by a person skilled in the art according to the type of the resin composition layer (A) to be used. However, at least the conditions for the resin composition to be sufficiently thermosetting are required, It is preferred to cure for 120 minutes.

(다층 기판의 제작)(Fabrication of multi-layer substrate)

<접착 필름을 사용한 경우>&Lt; Case using adhesive film >

본 발명의 접착 필름은, 특히 다층 플렉시블 회로 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는 우선, 본 발명의 접착 필름을, 미리 제작된 양면 플렉시블 회로 기판의 편면 또는 양면에, 진공 라미네이터에 의한 적층 또는 금속 플레이트에 의한 프레스 적층 등의 방법을 사용하여 접합한다. 계속해서, 지지체 필름층(B)을 박리하고, 노출된 수지 조성물 층(A)면에, 미리 제작된 다른 양면 플렉시블 회로 기판을, 진공 라미네이터를 사용하여 접합한다. 또한 계속해서, 수지 조성물 층(A)을 경화시키고, 마지막에, 스루홀(through hole) 형성에 의해 층간의 도통(導通)을 수득함으로써, 다층 플렉시블 프린트 배선판을 수득할 수 있다. 이때의 압착 조건은, 사용하는 접착 필름의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있다. 온도를 100 내지 200℃, 압력을 1 내지 40kgf/㎠, 공기압 20mmHg 이하의 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방식은 배치식이라도 좋고, 롤에 의한 연속식이라도 좋다. 또한, 경화 조건은, 사용하는 수지 조성물 층(A)의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 적어도 수지 조성물이 충분히 열경화되는 조건일 필요가 있고, 100 내지 200℃에서 1 내지 120분 동안 경화시키는 것이 바람직하다. 또한, 동일한 조작을 반복 실행함으로써, 고도로 다층화된 회로 기판을 수득할 수 있다. 사용하는 회로 기판은, 편면 회로 기판, 양면 회로 기판을 동시에 조합하는 것도 가능하며, 또한 유리 에폭시 기판 등을 사용한 리지드 회로 기판과 플렉시블 회로 기판을 복합시켜 플렉스리지드(flexrigid) 회로 기판을 제조할 수도 있다.
The adhesive film of the present invention can be suitably used particularly in the production of a multilayer flexible circuit board. Specifically, first, the adhesive film of the present invention is bonded to one side or both sides of a prefabricated double-sided flexible circuit board by a method such as lamination using a vacuum laminator or press lamination using a metal plate. Subsequently, the support film layer (B) is peeled off, and another pre-fabricated double-sided flexible circuit substrate is bonded to the exposed surface of the resin composition layer (A) using a vacuum laminator. Subsequently, a multilayer flexible printed wiring board can be obtained by further curing the resin composition layer (A) and finally obtaining conduction between layers by forming a through hole. The pressing conditions at this time can be suitably set by a person skilled in the art depending on the kind of the adhesive film to be used. The laminate is preferably laminated at a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 1 to 40 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 20 mmHg or less. The laminate may be of a batch type or a roll type continuous type. The curing conditions may be suitably set by a person skilled in the art depending on the type of the resin composition layer (A) to be used. However, the curing conditions need to be such that at least the resin composition sufficiently thermally cures, Min. &Lt; / RTI &gt; Further, by repeatedly performing the same operation, a highly multilayered circuit board can be obtained. The circuit board to be used may be a combination of a single-sided circuit board and a double-sided circuit board at the same time, and a rigid circuit board using a glass epoxy board or the like and a flexible circuit board may be combined to produce a flexrigid circuit board .

<금속박 부착 접착 필름을 사용한 경우><In the case of using the adhesive film with metal foil>

본 발명의 금속박 부착 접착 필름은, 특히 다층 플렉시블 회로 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 구리박 부착 접착 필름을, 미리 제작된 양면 플렉시블 회로 기판의 편면 또는 양면에, 진공 라미네이터에 의한 적층 또는 금속 플레이트에 의한 프레스 적층 등의 방법을 사용하여 접합한다. 계속해서, 수지 조성물 층(A)을 경화시키고, 마지막에, 최외층에 있는 구리박의 패터닝 회로(patterning circuit)를 형성하고, 또한 스루홀을 형성하여 층간의 도통을 수득함으로써, 다층 플렉시블 프린트 배선판을 수득할 수 있다. 이때의 압착 조건은, 사용하는 접착 필름의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 온도를 100 내지 200℃, 압력을 1 내지 40kgf/㎠, 공기압 20mmHg 이하의 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트의 방식은 배치식이라도 좋고, 롤에 의한 연속식이라도 좋다. 또한, 경화 조건은, 사용하는 수지 조성물 층(A)의 종류에 따라, 당업자가 적절히 용이하게 설정할 수 있지만, 적어도 수지 조성물이 충분히 열경화되는 조건일 필요가 있고, 100 내지 200℃에서 1 내지 120분 동안 경화시키는 것이 바람직하다. 또한, 동일한 조작을 반복 실행함으로써, 고도로 다층화된 회로 기판을 수득할 수 있다. 또한, 다층 회로 기판 제조에 필요한 층간 절연층을 형성하는 수단으로서, 금속박 부착 접착 필름과 상기한 접착 필름을 동시에 사용할 수도 있고, 또한, 다층 기판의 최외층에 형성된 회로의 절연 보호막을 형성하는 수단으로서, 상기한 솔더레지스트 잉크, 또는 커버레이 필름 또는 접착 필름 중 어느 하나를 또한 사용할 수 있다.
The metal foil-bonded film of the present invention can be suitably used particularly in the production of a multilayer flexible circuit board. Concretely, the copper foil-bonded film of the present invention is bonded to one surface or both surfaces of a pre-fabricated double-sided flexible circuit board by a method such as lamination using a vacuum laminator or press lamination using a metal plate. Subsequently, a patterning circuit of a copper foil in the outermost layer is formed, and a through hole is formed to obtain electrical continuity between the layers. Thus, a multilayer flexible printed wiring board Can be obtained. The pressing conditions at this time may be suitably easily set by a person skilled in the art according to the type of the adhesive film to be used, but it is preferable to laminate the laminate under a reduced pressure of 100 to 200 DEG C, 1 to 40 kgf / cm2 and air pressure of 20 mmHg or less . The laminate may be of a batch type or a roll type continuous type. The curing conditions may be suitably set by a person skilled in the art depending on the type of the resin composition layer (A) to be used. However, the curing conditions need to be such that at least the resin composition sufficiently thermally cures, Min. &Lt; / RTI &gt; Further, by repeatedly performing the same operation, a highly multilayered circuit board can be obtained. As means for forming an interlayer insulating layer necessary for manufacturing a multilayer circuit board, a metal foil-bonded film and the above-mentioned adhesive film may be used at the same time, or as means for forming an insulating protective film of a circuit formed on the outermost layer of the multilayer substrate , The solder resist ink described above, or a coverlay film or an adhesive film may also be used.

<프리프레그를 사용한 경우> <When a prepreg is used>

다음에 본 발명의 프리프레그를 사용하여 본 발명의 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법에 관해서 설명한다. 본 발명의 프리프레그를 미리 제작된 양면 플렉시블 회로 기판의 편면 또는 양면에 라미네이트하는 방법으로는, 예를 들면 당해 프리프레그를 1장 또는 필요에 따라 복수장 포개고, 그 위에 이형 필름을 개재하여 금속 플레이트를 배치하고 가압 및 가열 조건하에서 적층 프레스기에 의해 라미네이트하는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 회로 기판으로의 프리프레그의 라미네이트와 경화는 동시에 이루어지고, 압력은 바람직하게는 1 내지 40kgf/㎠, 온도는 바람직하게는 100 내지 200℃에서 1 내지 120분의 범위에서 적층·경화하는 것이 바람직하다. 또한, 진공 라미네이터에 의해 회로 기판에 프리프레그를 라미네이트하고, 그후 가열 경화하는 것도 가능하다. 이렇게 하여 회로 기판에 프리프레그의 경화물로서 절연층이 형성된 후, 필요에 따라서 절연층에 비아홀(via hole)이나 스루홀을 형성하고, 절연층 표면을 조화한 후, 도체층을 도금에 의해 형성하여 다층 프린트 배선판을 제조할 수 있다.
Next, a method for producing the multilayered printed circuit board of the present invention using the prepreg of the present invention will be described. As a method of laminating the prepreg of the present invention on one side or both sides of a prefabricated double-sided flexible circuit board, for example, a single sheet or a plurality of sheets of the prepreg may be laminated, And laminating the laminate by a lamination press under pressure and heating conditions. In this case, lamination and curing of the prepreg to the circuit board are performed at the same time, and the pressure is preferably 1 to 40 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and the temperature is preferably laminating and curing in the range of 100 to 200 DEG C for 1 to 120 minutes . It is also possible to laminate a prepreg on a circuit board with a vacuum laminator, and then heat-cure it. After the insulating layer is formed as a cured product of the prepreg on the circuit board in this manner, a via hole or a through hole is formed in the insulating layer as necessary, the surface of the insulating layer is matched, Whereby a multilayer printed wiring board can be manufactured.

<금속박 부착 프리프레그를 사용한 경우>&Lt; Case using prepreg with metal foil >

본 발명의 금속박 부착 프리프레그를 사용하여 본 발명의 다층 프린트 배선판을 제조하는 방법은, 상기한 프리프레그를 사용한 다층 플렉시블 회로 기판의 제조방법과 같다. 금속박 부착 프리프레그를 사용함으로써, 금속박을 그대로 도체층으로서 사용할 수 있다. The method for producing the multilayered printed circuit board of the present invention using the metal foil-coated prepreg of the present invention is the same as the method for producing the multilayered flexible circuit board using the prepreg described above. By using a prepreg with a metal foil, the metal foil can be used as it is as a conductor layer.

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

(폴리이미드 수지의 합성)(Synthesis of polyimide resin)

[합성예 1][Synthesis Example 1]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기(定量受器), 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 4,4'-(헥사플루오로이소프로피리덴)-비스-(프탈산 2무수물) (이하, 6FDA라고 함)를 25질량부, γ-부티로락톤을 69.9질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 55.7질량부(아민 당량 665), 2,6-비스(1-하이드록시-1-트리플루오로메틸-2,2,2-트리플루오로에틸)-1,5-나프탈렌디아민(이하, HFA-NAP라고 함)을 6.7질량부 첨가하고, 질소 기류하에서 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시켜 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A1)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우의, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 65.2중량%이고, HFA기 당량은 3313g/mol이다. To a 500 mL separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen inlet tube and a stirrer, 4,4 '- (hexafluoroisopropylene) -bis- (phthalic acid dianhydride ) (Hereinafter referred to as 6FDA), 69.9 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, diaminosiloxane X-22-9409 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 55.7 parts by mass (amine equivalent 665), 2,6-bis (1-hydroxy-1-trifluoromethyl-2,2,2-trifluoroethyl) -1,5-naphthalenediamine NAP) was added in an amount of 6.7 parts by mass, and the mixture was reacted at 45 DEG C for 2 hours under a nitrogen stream. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was accumulated in the water determination apparatus and that the outflow of water could not be seen, the temperature was further raised and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55% by weight of the polyamide resin (A1) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin was 65.2 wt%, and the HFA group equivalent was 3313 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 HFA기 유래의 하이드록실기의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=11064, Mw=18769이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption of the hydroxyl group derived from the HFA group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution. As a result, Mn = 11064 and Mw = 18769 were obtained.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 6FDA를 32질량부, γ-부티로락톤을 28.6질량부, 이프졸 150을 28.6질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 KF-8010[참조: 신에츠가가쿠고교가부시키가이샤 제조]을 50.1질량부(아민 당량 430), HFA-NAP를 6.3질량부 첨가하고, 질소 기류하에서 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시켜 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A2)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 또한, 이프졸은 이데미츠코산 가부시키가이샤 제조의 방향족계 고비점 용제이다. 이 경우의, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 58.4중량%이고, HFA기 당량은 3316g/mol이다. 32.0 parts by mass of 6FDA, 28.6 parts by mass of? -Butyrolactone, 28.6 parts by mass of Ipzol 150, and 10.0 parts by mass of toluene were placed in a 500 ml separable flask equipped with a water content determining machine connected to a reflux condenser, , 50.1 parts by mass (amine equivalent: 430) of diaminosiloxane KF-8010 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (amine equivalent: 430) and 6.3 parts by mass of HFA-NAP were added, The reaction was carried out with stirring for a period of time. Then, the reaction solution was heated, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while keeping the temperature at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was accumulated in the water determination apparatus and that the outflow of water could not be seen, the temperature was further raised and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55% by weight of the polyamide resin (A2) having an HFA group was prepared. Ip sol is an aromatic high boiling point solvent manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 58.4% by weight and the HFA group equivalent is 3316 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 HFA기 유래의 하이드록실기의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=23086, Mw=35970이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption of the hydroxyl group derived from the HFA group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution. As a result, Mn = 23086 and Mw = 35970 were obtained.

[합성예 3][Synthesis Example 3]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 2무수물(이하, BTDA라고 함)을 23질량부, γ-부티로락톤을 30.9질량부, 이프졸 150을 30.9질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 KF-8010[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]을 49.0질량부(아민 당량 430) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, 3,3'-비스(1-하이드록시-1-트리플루오로메틸-2,2,2-트리플루오로에틸)-4,4'-메틸렌디아닐린(이하, HFA-MDA라고 함)을 6.1질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A3)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우의, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 64.9중량%이고, HFA기 당량은 3271g/mol이다. 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA) was added to a 500 mL separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen introduction pipe, and a stirrer, 23 mass , 30.9 parts by mass of? -Butyrolactone, 30.9 parts by mass of Ipzol 150, 7 parts by mass of toluene, 49.0 parts by mass of diaminosiloxane KF-8010 (Shin-Etsu Chemical Industries, Ltd.) And the reaction was carried out at 45 DEG C for 1 hour under a nitrogen stream. Then, 3,3'-bis (1-hydroxy-1-trifluoromethyl-2,2,2 -Trifluoroethyl) -4,4'-methylene dianiline (hereinafter referred to as HFA-MDA) was added thereto, and stirring reaction was carried out at 45 ° C for 2 hours. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55% by weight of a polyimide resin (A3) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 64.9% by weight and the HFA group equivalent is 3271 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 HFA기 유래의 하이드록실기의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=18914, Mw=38256이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption of the hydroxyl group derived from the HFA group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution, and as a result, Mn = 18914 and Mw = 38256 were obtained.

[합성예 4][Synthesis Example 4]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, BTDA를 20질량부, γ-부티로락톤을 70.9질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 61.5질량부(아민 당량 665), HFA-NAP를 7.4질량부 첨가하고 질소 기류하에서 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A4)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우의, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 70.9중량%이고, HFA기 당량은 2881g/mol이다. A 500 mL separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen inlet tube, and a stirrer was charged with 20 parts by mass of BTDA, 70.9 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of diaminosiloxane X 61.5 parts by mass (amine equivalent 665) and 7.4 parts by mass of HFA-NAP were added and stirred at 45 占 폚 for 2 hours under a nitrogen stream to carry out the reaction . Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (A4) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 70.9% by weight and the HFA group equivalent is 2881 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 HFA기 유래의 하이드록실기의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=13135, Mw=35245이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption of the hydroxyl group derived from the HFA group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was conducted using this preparation solution, and as a result, Mn = 13135 and Mw = 35245 were obtained.

[합성예 5][Synthesis Example 5]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 3,3',4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물(이하, DSDA라고 함)을 19질량부, γ-부티로락톤을 22.7질량부, 이프졸 150을 22.7질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 KF-8010[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]을 30.9질량부(아민 당량 430) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, HFA-NAP를 7.5질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A5)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우의, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 55.7중량%이고, HFA기 당량은 1810g/mol이다. 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride (hereinafter referred to as DSDA) was added to a 500 mL separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen introducing tube, and a stirrer, 19 22.7 parts by mass of? -Butyrolactone, 22.7 parts by mass of Ipzol 150, 7 parts by mass of toluene, 30.9 parts by mass of diaminosiloxane KF-8010 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Amine equivalent: 430), and the mixture was stirred at 45 DEG C for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. Then, 7.5 parts by mass of HFA-NAP was added and stirred at 45 DEG C for 2 hours to carry out the reaction. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the resultant mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (A5) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 55.7% by weight, and the HFA group equivalent is 1810 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 HFA기 유래의 하이드록실기의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=27337, Mw=50713이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption of the hydroxyl group derived from the HFA group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution. As a result, Mn = 27337 and Mw = 50713 were obtained.

[합성예 6][Synthesis Example 6]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 6FDA를 25질량부, γ-부티로락톤을 68.1질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 58.4질량부(아민 당량 665), 1,5-디아미노나프탈렌(이하, NDA라고 함)을 1.8질량부 첨가하고, 질소 기류하에서 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, 페놀기 및 HFA기를 갖지 않는 폴리이미드 수지(B1)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 70.2중량%이다. To a 500 mL separable flask equipped with a water quantitative flow meter connected to a reflux condenser, a nitrogen introduction tube and a stirrer, 25 parts by mass of 6FDA, 68.1 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, diaminosiloxane X , 1.8 parts by mass of 1,5-diaminonaphthalene (hereinafter referred to as NDA) was added in an amount of 58.4 parts by mass (amine equivalent 665) and -22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., The reaction was carried out by stirring at 45 DEG C for 2 hours. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (B1) having no phenol group and HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 70.2% by weight.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=15974, Mw=30002이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 Respectively. Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. As a result of GPC measurement using this preparation solution, Mn = 15974 and Mw = 30002.

[합성예 7][Synthesis Example 7]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, 6FDA를 36질량부, γ-부티로락톤을 19.6질량부, 이프졸 150을 29.3질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 KF-8010[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]을 51.5질량부(아민 당량 430) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, NDA를 3.2질량부, γ-부티로락톤을 16.4질량부, 또한 6.7질량부의 이프졸 150을 첨가하여 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, 페놀기 및 HFA기를 갖지 않는 폴리이미드 수지(B2)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 58.6중량%이다. 36.0 parts by mass of 6FDA, 19.6 parts by mass of? -Butyrolactone, 29.3 parts by mass of Ipzol 150, and 30.0 parts by mass of toluene were placed in a 500 ml separable flask equipped with a reflux condenser, , 51.5 parts by mass (amine equivalent: 430) of diaminosiloxane KF-8010 [Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.] (amine equivalent: 430) were charged and reacted at 45 ° C for 1 hour under a nitrogen stream, Subsequently, 3.2 parts by mass of NDA, 16.4 parts by mass of? -Butyrolactone and 6.7 parts by mass of Ip sol 150 were added and stirred at 45 占 폚 for 2 hours to carry out the reaction. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (B2) having no phenol group and HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 58.6% by weight.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=33046, Mw=67573이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 Respectively. Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was conducted using this preparation solution, and as a result, Mn = 33046 and Mw = 67573 were obtained.

[합성예 8][Synthesis Example 8]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, BTDA를 23질량부, γ-부티로락톤을 29.5질량부, 이프졸 150을 29.5질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 KF-8010[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]을 49.1질량부(아민 당량 430) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄(이하, C-100이라고 함)을 2.6질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, 페놀기 및 HFA기를 갖지 않는 폴리이미드 수지(B3)를 50중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 68.0중량%이다. 23 parts by mass of BTDA, 29.5 parts by mass of? -Butyrolactone, 29.5 parts by mass of Ip sol 150, and toluene were added to a 500 ml separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen introduction pipe and a stirrer, And 49.1 parts by mass (amine equivalent: 430) of diaminosiloxane KF-8010 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were charged and stirred at 45 占 폚 for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. Subsequently, 2.6 parts by mass of 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane (hereinafter referred to as C-100) was added, and the mixture was stirred at 45 ° C for 2 hours to carry out the reaction. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 50 wt% of a polyimide resin (B3) having no phenol group and HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 68.0% by weight.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=38052, Mw=110120이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate and heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 Respectively. Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution, and as a result, Mn = 38052 and Mw = 110120.

[합성예 9][Synthesis Example 9]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, DSDA를 19질량부, γ-부티로락톤을 55.2질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 44.1질량부(아민 당량 665) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, 1,3-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)벤젠(이하, AHPB라고 함)을 6.3질량부 첨가하여 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, 페놀기를 갖지만 HFA기를 갖지 않는 폴리이미드 수지(B4)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 65.3중량%이고, OH 당량은 1744g/mol이다. To a 500 mL separable flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen introducing tube and a stirrer, 19 parts by mass of DSDA, 55.2 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of diaminosiloxane X -22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (44.1 parts by mass, amine equivalent: 665) was charged and stirred at 45 DEG C for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. 6.3 parts by mass of 3-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene (hereinafter referred to as AHPB) was added and the reaction was carried out at 45 ° C for 2 hours. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (B4) having a phenol group but no HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 65.3% by weight, and the OH equivalent is 1,744 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 페놀성 하이드록실기 유래의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=14430, Mw=28630이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption from the phenolic hydroxyl group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. As a result of GPC measurement using this preparation solution, Mn = 14430 and Mw = 28630.

[합성예 10][Synthesis Example 10]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, DSDA를 19질량부, γ-부티로락톤을 54.5질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 44.1질량부(아민 당량 665) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐설폰(이하, DABS라고 함)을 5.4질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 1시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, 페놀기를 갖지만 HFA기를 갖지 않는 폴리이미드 수지(B5)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 66.2중량%이고, OH 당량은 1722g/mol이다. 19 parts by mass of DSDA, 54.5 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, and 10 parts by mass of diaminosiloxane X (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) were added to a 500 ml separable flask equipped with a water- -22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (44.1 parts by mass, amine equivalent: 665) was charged and stirred at 45 ° C for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. Diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone (hereinafter referred to as DABS) was added thereto, and the reaction was carried out by stirring at 45 ° C for 2 hours. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handwriting machine or the water outflow was not observed, the temperature was further raised, and stirring was performed at 200 ° C for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (B5) having a phenol group but no HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 66.2 wt%, and the OH equivalent is 1722 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 페놀성 하이드록실기 유래의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=16631, Mw=30691이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption from the phenolic hydroxyl group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution, and as a result, Mn = 16631 and Mw = 30691.

[합성예 11][Synthesis Example 11]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, BTDA를 20질량부, γ-부티로락톤을 76.5질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 72.9질량부(아민 당량 655) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, HFA-NAP를 2.7질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시키고, 200℃에서 14시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A6)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 78.0중량%이고, HFA기 당량은 8392g/mol이다. 20 parts by mass of BTDA, 76.5 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of diaminosiloxane X -22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (725 parts by mass, amine equivalent 655) was charged and stirred at 45 ° C for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. NAP was added in an amount of 2.7 parts by mass, and the reaction was carried out at 45 DEG C for 2 hours with stirring. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. When it was confirmed that a predetermined amount of water was accumulated in the water determination apparatus and that the outflow of water was not observed, the temperature was further raised, and the mixture was stirred at 200 ° C for 14 hours. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (A6) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 78.0% by weight and the HFA group equivalent is 8392 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 페놀성 하이드록실기 유래의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=19275, Mw=24410이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption from the phenolic hydroxyl group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. As a result of GPC measurement using this preparation solution, Mn = 19275 and Mw = 24410.

[합성예 12][Synthesis Example 12]

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 교반기를 구비한 500mL의 분리식 플라스크에, BTDA를 20질량부, γ-부티로락톤을 58.5질량부, 톨루엔을 7질량부, 디아미노실록산 X-22-9409[참조: 신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤 제조]를 37.3질량부(아민 당량 655) 주입하고, 질소 기류하에서 45℃에서 1시간 동안 교반하여 반응을 실시하고, 또한 계속해서, HFA-NAP를 16.4질량부 첨가하고 45℃에서 2시간 동안 교반하여 반응을 실시하였다. 그 다음에 이 반응 용액을 승온시키고, 약 160℃로 보지하면서 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인한 시점에서 더욱 승온시켜 200℃에서 11시간 동안 교반하였다. 그후 냉각시켜 종료로 하고, HFA기를 갖는 폴리이미드 수지(A7)를 55중량% 포함하는 바니쉬를 제작하였다. 이 경우, 수지 중의 실록산 구조의 함유량은 52.2중량%이고, HFA기 당량은 1069g/mol이다. 20 parts by mass of BTDA, 58.5 parts by mass of? -Butyrolactone, 7 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of diaminosiloxane X -22-9409 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (375 parts by mass, amine equivalent 655) was charged and stirred at 45 ° C for 1 hour under a nitrogen stream to carry out the reaction. NAP was added in an amount of 16.4 parts by mass, and the reaction was carried out at 45 DEG C for 2 hours with stirring. Then, the temperature of the reaction solution was raised, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while being held at about 160 ° C. At the time when it was confirmed that a predetermined amount of water was held in the water quantitative handkerchief, and the outflow of water was confirmed, the temperature was further raised, and the mixture was stirred at 200 ° C for 11 hours. Thereafter, the mixture was cooled to completion, and a varnish containing 55 wt% of a polyimide resin (A7) having an HFA group was prepared. In this case, the content of the siloxane structure in the resin is 52.2% by weight, and the HFA group equivalent is 1069 g / mol.

수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 구리판 위에 도포하고, 75℃에서부터 120℃까지 12분에 걸쳐 승온시키고, 또한 180℃에서 90분 동안 가열하여 건조시켰다. 이 도막에 관해서, 반사법에 의해 적외 흡광 스펙트럼을 측정한 결과, 미반응의 관능기가 있는 것을 나타내는 폴리아믹산에 기초하는 흡수는 나타나지 않고, 1780cm-1 및 1720cm-1에 이미드기에 기초하는 흡수를 확인하고, 3300 내지 3500cm-1에 페놀성 하이드록실기 유래의 흡수를 확인하였다. 또한, 수득된 폴리이미드 수지 바니쉬를 36mg 칭량하고, 리튬브로마이드를 0.4중량% 용해시킨 N-메틸피롤리돈에 혼합하여, 전체가 5g이 되도록 조제하였다. 이 조제 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시한 결과, Mn=26629, Mw=37452이었다.
The obtained polyimide resin varnish was coated on a copper plate, heated from 75 캜 to 120 캜 over 12 minutes, and further heated at 180 캜 for 90 minutes to dry. With respect to this coating film, the infrared absorption spectrum was measured by a reflection method. As a result, absorption based on polyamic acid indicating that unreacted functional groups were present was not observed, and absorption based on imide groups was confirmed at 1780 cm -1 and 1720 cm -1 , And the absorption from the phenolic hydroxyl group was confirmed at 3300 to 3500 cm -1 . Further, 36 mg of the obtained polyimide resin varnish was weighed and mixed with N-methylpyrrolidone in which 0.4% by weight of lithium bromide was dissolved to prepare a total of 5 g. GPC measurement was carried out using this preparation solution, and as a result, Mn = 26629 and Mw = 37452 were obtained.

(수지 조성물의 조제)(Preparation of resin composition)

에폭시 수지, 상기 합성예 1 내지 12에 따라서 합성한 실록산 함유 폴리이미드 수지, 필요에 따라 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전재를, 표 1 및 표 2에 기재하는 배합량(고형분의 중량부로 표시)으로 혼합하고, 원심 탈포 혼합기(상품명 「아와토리렌타로」, 가부시키가이샤 신키 제조)를 사용하여 교반 혼합을 실시하여 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 7의 각 수지 조성물을 수득하였다. 또한, 에폭시 수지로서, 페놀노볼락형 에폭시 수지 EP157[참조: 재팬에폭시레진 가부시키가이샤 제조] 또는 비스페놀 A형과 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합물인 ZX1059[참조: 도토가세이 가부시키가이샤 제조]를 사용하였다. 또한, 경화제로서, 디사이클로펜타디엔 변성 페놀 수지 DPP6115L[참조: 신닛폰세키유 가부시키가이샤 제조]을 사용하고, 경화 촉진제로서 이미다졸계 P200[참조: 재팬에폭시레진 가부시키가이샤 제조]을 사용하고, 무기 충전재로서는 구상 실리카 SC4050SX[참조: 가부시키가이샤 아도마텍스 제조]를 사용하였다. 또한, 필요에 따라서 용제를 혼합 사용하였다.
Epoxy resin, the siloxane-containing polyimide resin synthesized in accordance with Synthesis Examples 1 to 12, and the curing agent, curing accelerator, and inorganic filler, if necessary, were mixed in the blending amounts (expressed as parts by weight of solid content) shown in Tables 1 and 2 , And a centrifugal defoaming mixer (trade name &quot; Awatore Rentero &quot;, manufactured by Shinki) were used to obtain the respective resin compositions of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 7. Further, as the epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin EP157 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) or ZX1059 (trade name, manufactured by Toki Chemical Co., Ltd.), which is a mixture of bisphenol A type and bisphenol F type epoxy resin, Respectively. Further, as a curing agent, a dicyclopentadiene-modified phenol resin DPP6115L (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used and an imidazole-based P200 (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) was used as a curing accelerator , And spherical silica SC4050SX (manufactured by Adomex Co., Ltd.) was used as an inorganic filler. In addition, a solvent was mixed as needed.

(경화 필름의 작성) (Preparation of Cured Film)

다음에 수득된 수지 조성물을, 이형 처리를 실시한 PET 필름 위에 도포하고, 75 내지 120℃에서 12분 동안 가열한 후, 또한, 180℃에서 90분 동안 가열하여 40㎛ 두께의 경화 필름을 수득하였다.
The resin composition obtained was coated on a releasing-treated PET film, heated at 75 to 120 占 폚 for 12 minutes and then heated at 180 占 폚 for 90 minutes to obtain a cured film having a thickness of 40 占 퐉.

(내용제성 시험)(Solvent resistance test)

경화 필름을 저울 위에 올리고, 그 표면을, 아세톤을 포함한 면봉을 사용하여, 저울이 10g의 가중을 나타내도록 하고, 5회 왕복 러빙시켜 경화 필름의 표면의 상태를 관찰하였다. 경화 필름 표면의 색의 변화가 관찰되지 않는 경우를 ○, 색 빠짐이 발생한 경우를 ×로 하였다.
The cured film was placed on the balance, and the surface of the cured film was observed using a cotton swab containing acetone so that the balance showed a weight of 10 g and rubbed five times by reciprocating. A case in which no change in color of the surface of the cured film was observed was evaluated as &amp; cir &amp;

(내열성 시험)(Heat resistance test)

합성예에서 수득된 폴리이미드 수지에 관해서, 상기와 마찬가지로 수지 조성물을 조제하고, 건조시의 두께가 40 내지 100㎛의 범위가 되도록 구리박 광택면에 도포하고, 75 내지 120℃에서 12분 동안 가열한 후, 다시 180℃에서 90분 동안 가열하여 경화 필름을 수득하였다. 경화 필름이 형성된 구리박을, 염화제2철 용액에 침지시켜 에칭 제거하고, 그후, 100℃에서 10분 동안 건조시킴으로써 구리박이 제거된 경화 필름을 제작하였다. 구리박이 제거된 경화 필름을, 일본공업규격(JIS K7127)에 준거하여, 텐시론만능시험기[참조: 가부시키가이샤 에이앤드디 제조]를 사용하여 인장 시험하여, 열 처리 전의 탄성율을 측정하였다. With respect to the polyimide resin obtained in Synthesis Example, a resin composition was prepared in the same manner as described above, and was coated on a copper foil-lacquered surface so as to have a thickness in the range of 40 to 100 탆 at the time of drying, and heated at 75 to 120 캜 for 12 minutes And then heated again at 180 DEG C for 90 minutes to obtain a cured film. The copper foil on which the cured film was formed was immersed in a ferric chloride solution for etching removal, and then dried at 100 DEG C for 10 minutes to produce a cured film from which the copper foil was removed. The cured film from which the copper foil was removed was subjected to a tensile test in accordance with Japanese Industrial Standards (JIS K7127) using a Tenshiron universal testing machine (manufactured by Abrand Co., Ltd.), and the elastic modulus before heat treatment was measured.

한편, 상기 방법에 의해 수득된 구리박 부착 경화 필름을, (1) 공기 중 220℃, 30분, (2) 공기 중 250℃, 30분, (3) 공기 중 270℃, 30분으로, 각각 열 처리를 실시하였다. 열 처리 후의 구리박 부착 경화 필름을, 염화제2철 용액에 침지시켜 구리박을 에칭 제거하고, 그후, 100℃에서 10분 동안 건조시킴으로써 구리박이 제거된 경화 필름을 제작하였다. 구리박이 제거된 경화 필름에 관해서, 일본공업규격(JIS K7127)에 준거하여, 텐시론만능시험기[참조: 가부시키가이샤 에이앤드디 제조]에 의해 인장 시험을 실시하고, 각 조건으로 열 처리한 후의 경화 필름의 탄성율을 측정하였다. 그리고, 「열 처리 후의 탄성율÷열 처리 전의 탄성율」을 탄성율의 변화율로 하였다. 또한, 공기 중 270℃, 30분의 열 처리 후의 탄성율과 열 처리 전의 탄성율의 차이를 탄성율의 변동 폭으로 하였다. On the other hand, the copper foil-cured film obtained by the above method was subjected to (1) heating at 220 DEG C for 30 minutes in air, (2) at 250 DEG C for 30 minutes in air, and (3) Heat treatment was performed. The copper foil-cured film after the heat treatment was immersed in a ferric chloride solution to remove the copper foil by etching, and then dried at 100 ° C for 10 minutes to produce a cured film from which the copper foil was removed. With respect to the cured film from which the copper foil was removed, a tensile test was conducted by a Tenshiron universal testing machine (manufactured by Abrand Co., Ltd., Japan) according to Japanese Industrial Standards (JIS K7127) The elastic modulus of the cured film was measured. Then, the &quot; modulus of elasticity after heat treatment &quot;, and &quot; modulus of elasticity before heat treatment &quot; The difference in the modulus of elasticity after the heat treatment at 270 캜 for 30 minutes in the air and the modulus of elasticity before the heat treatment was regarded as the fluctuation width of the modulus of elasticity.

표 1 및 표 2에, 당해 표 중에 기재된 폴리이미드 수지 조성물의 내열성 시험 및 내용제성 시험의 결과를 기재한다. Table 1 and Table 2 show the results of the heat resistance test and the solvent resistance test of the polyimide resin composition described in the table.

Figure 112011043251685-pct00017
Figure 112011043251685-pct00017

Figure 112011043251685-pct00018
Figure 112011043251685-pct00018

이하, 표 1 및 표 2의 결과에 관해서 설명한다. HFA기 및 페놀기를 모두 갖지 않는 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지를 배합한 조성물에서는, 비교예 1 내지 3, 6에 나타내는 바와 같이, 내용제성이 떨어지는 결과가 되었다. 이것은 폴리이미드 수지와 에폭시 수지의 반응성이 낮은 것에 기인하는 것으로 생각된다. 또한, 페놀기를 갖는 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지를 배합한 조성물의 경우, 표 1 및 표 2의 비교예 4, 5, 7에 나타내는 바와 같이, 250℃, 30분의 열 처리 후의 탄성율의 변화율이 크고, 또한 탄성율의 변동 폭도 커진다. 이것에 대해, HFA기를 갖는 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지를 배합한 조성물인 실시예 1 내지 3, 5, 6, 8은 250℃, 30분의 열 처리 후의 탄성율의 변화율이 작고, 우수한 내열성을 나타내고, 또한 내용제성도 우수한 결과가 되었다. 실시예 4, 7은 250℃, 30분의 열 처리 후의 탄성율의 변화율이 크지만, 열 처리 전의 탄성율 자체가 60Mpa 이하의 매우 작은 값으로, 유연성은 충분히 유지되고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 2, 3, 5, 8의 경우는, HFA기를 갖는 실록산 구조 함유 폴리이미드 수지의 실록산 함량이 지나치게 크지 않고, 특히 탄성율의 변화율이 작아, 유연성 유지가 우수한 것을 알 수 있다.
The results of Table 1 and Table 2 will be described below. As shown in Comparative Examples 1 to 3 and 6, the composition containing the siloxane structure-containing polyimide resin having neither the HFA group nor the phenol group had poor solvent resistance. This is thought to be due to the low reactivity of the polyimide resin and the epoxy resin. As shown in Comparative Examples 4, 5 and 7 of Table 1 and Table 2, the composition of the composition containing the siloxane structure-containing polyimide resin having a phenol group had a large change rate of the modulus of elasticity after heat treatment at 250 캜 for 30 minutes , And the fluctuation width of the modulus of elasticity also increases. On the other hand, Examples 1 to 3, 5, 6 and 8, which are compositions containing a siloxane structure-containing polyimide resin having an HFA group, showed a small rate of change in modulus of elasticity after heat treatment at 250 DEG C for 30 minutes, Also, the anti-solvent properties were also excellent. In Examples 4 and 7, the change rate of the modulus of elasticity after heat treatment at 250 DEG C for 30 minutes is large, but the modulus of elasticity itself before heat treatment is a very small value of 60 MPa or less. In the case of Examples 2, 3, 5 and 8, the siloxane content of the siloxane structure-containing polyimide resin having an HFA group is not excessively large, and the rate of change of the modulus of elasticity is small, and the flexibility is excellent.

[실시예 9][Example 9]

(접착 필름 A1의 제조)(Production of adhesive film A1)

이형 처리를 가한 두께 38㎛의 PET 필름 위에, 실시예 2의 수지 조성물을, 건조 후의 두께가 40㎛가 되도록 다이 코터를 사용하여 도포하였다. 도포 후, 75 내지 120℃에서 12분 동안 건조시킴으로써 수지 조성물 층이 형성된 접착 필름 A1을 제작하였다. 그 다음에, 수지 조성물 층의 표면에, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤상으로 감았다.
The resin composition of Example 2 was coated on a PET film having a thickness of 38 탆 subjected to release treatment using a die coater so that the thickness after drying was 40 탆. After the application, it was dried at 75 to 120 ° C for 12 minutes to produce an adhesive film A1 having a resin composition layer formed thereon. Then, a polypropylene film having a thickness of 15 mu m was wound on the surface of the resin composition layer while being rolled up in roll form.

[실시예 10][Example 10]

(접착 필름 A2의 제조)(Production of adhesive film A2)

실시예 5의 수지 조성물을 사용하여, 실시예 9와 같은 방법으로 접착 필름 A2를 제작하였다.
Using the resin composition of Example 5, an adhesive film A2 was produced in the same manner as in Example 9. [

[실시예 11][Example 11]

(수지 부착 구리박 B1의 제조)(Production of resin-coated copper foil B1)

두께 12㎛의 구리박 위에, 실시예 2의 수지 조성물을, 건조 후의 두께가 40㎛가 되도록 다이 코터를 사용하여 도포하였다. 도포 후, 75 내지 120℃에서 12분 동안 건조시킴으로써 수지 조성물 층이 형성된 수지 부착 구리박 B1을 제작하였다. 그 다음에, 수지 조성물 층의 표면에, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤상으로 감았다.
On the copper foil having a thickness of 12 占 퐉, the resin composition of Example 2 was applied using a die coater so that the thickness after drying was 40 占 퐉. After the application, it was dried at 75 to 120 DEG C for 12 minutes to produce a resin-coated copper foil B1 having a resin composition layer formed thereon. Then, a polypropylene film having a thickness of 15 mu m was wound on the surface of the resin composition layer while being rolled up in roll form.

[실시예 12][Example 12]

(수지 부착 구리박 B2의 제조)(Production of resin-coated copper foil B2)

실시예 5의 수지 조성물을 사용하고, 실시예 11과 같은 작업을 실시하여, 수지 부착 구리박 B2를 제작하였다.
Using the resin composition of Example 5, the same operations as in Example 11 were carried out to produce a resin-coated copper foil B2.

[실시예 13][Example 13]

(커버레이 필름의 제조)(Preparation of Coverage Film)

두께 25㎛의 폴리이미드 필름 위에, 실시예 2의 수지 조성물을, 건조 후의 두께가 35㎛가 되도록 다이 코터를 사용하여 도포하였다. 도포 후, 75 내지 120℃에서 12분 동안 건조시켜 수지 조성물 층을 형성하여, 커버레이 필름을 제작하였다. 그 다음에, 수지 조성물 층의 표면에, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤상으로 감았다.
On the polyimide film having a thickness of 25 탆, the resin composition of Example 2 was applied using a die coater so that the thickness after drying was 35 탆. After the application, it was dried at 75 to 120 DEG C for 12 minutes to form a resin composition layer, thereby preparing a coverlay film. Then, a polypropylene film having a thickness of 15 mu m was wound on the surface of the resin composition layer while being rolled up in roll form.

[실시예 14][Example 14]

(솔더레지스트 잉크의 제조)(Production of solder resist ink)

실시예 2의 수지 조성물의 조제시에, 미리 고형 수지를 고비점 용제인 카르비톨아세테이트에 용해시킨 후 사용하고, 원심 탈포 혼합기(상품명 「아와토리렌타로」, 가부시키가이샤 신키 제조)를 사용하여 교반 혼합을 실시하여 솔더레지스트 잉크를 제작하였다.
In the preparation of the resin composition of Example 2, the solid resin was dissolved in carbitol acetate, which had previously been used as a high boiling point solvent, and then a centrifugal defoaming mixer (trade name "Awatolirentero", manufactured by Shinki) was used Followed by stirring and mixing to prepare a solder resist ink.

[실시예 15][Example 15]

(플렉시블 회로 기판 P1의 제조와 굴곡 내구성의 평가) (Production of Flexible Circuit Board P1 and Evaluation of Flexural Durability)

우선, 실시예 13에서 제작한 커버레이 필름의 폴리프로필렌 필름을 박리하였다. 그 다음에, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL(copper clad laminate)을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 커버레이 필름의 수지 조성물면을 마주보게 하고, 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 계속해서, (1) 120℃, 30분, (2) 180℃, 90분의 순서로 가열하고 경화시켜, 편면 회로 기판 P1을 제작하였다. 커버레이 필름면을 외측으로 하여 180도로 구부리는 시험을 실시한 결과, 커버레이 필름의 굴곡부에 백화(白化) 등은 일어나지 않아 양호한 굴곡성을 나타냈다.
First, the polypropylene film of the coverlay film produced in Example 13 was peeled off. Subsequently, on the circuit surface of the flexible circuit board obtained by using a two-layer CCL (copper clad laminate) composed of a copper layer (thickness 12 占 퐉) and a polyimide film (thickness 20 占 퐉) And laminated under the conditions of a temperature of 130 DEG C, a pressure of 7 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 5 mmHg or less by means of a vacuum laminator (manufactured by Meikishaishakusho Co., Ltd.). Subsequently, the single-sided circuit board P1 was prepared by (1) heating at 120 ° C for 30 minutes and (2) 180 ° C for 90 minutes in order and curing. As a result of carrying out a test of bending the coverlay film face outward by 180 degrees, whitening or the like did not occur in the curved portion of the coverlay film, showing excellent bending property.

[실시예 16][Example 16]

(플렉시블 회로 기판 P2의 제조와 굴곡 내구성의 평가)(Production of Flexible Circuit Board P2 and Evaluation of Flexural Durability)

실시예 14에서 수득된 솔더레지스트 잉크를, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 200메쉬 판을 사용하여 스크린 인쇄하고, 180℃에서 90분 동안 경화시켜 편면 회로 기판 P2를 제작하였다. 제작한 편면 회로 기판 P2의 솔더레지스트면을 외측으로 하여 180도로 구부리는 시험을 실시한 결과, 솔더레지스트의 굴곡부에 백화 등은 일어나지 않아 양호한 굴곡성을 나타냈다.
A solder resist ink obtained in Example 14 was applied on a circuit surface of a flexible circuit board obtained by using a two-layer CCL composed of a copper layer (thickness 12 占 퐉) and a polyimide film (thickness 20 占 퐉), using a 200 mesh plate Screen printing, and cured at 180 DEG C for 90 minutes to prepare a single-sided circuit board P2. As a result of performing the test of bending the solder resist surface of the produced single-sided circuit board P2 outward by 180 degrees, the solder resist did not show whitening at the bent portion of the solder resist and showed good bendability.

[실시예 17][Example 17]

(다층 플렉시블 회로 기판 MP1의 제조와 필 강도(peel strength)의 측정) (Production of Multilayer Flexible Circuit Substrate MP1 and Measurement of Peel Strength)

우선, 실시예 9에서 제작한 접착 필름 A1의 폴리프로필렌 필름을 박리하였다. 그후, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 접착 필름의 수지 조성물면을 마주보게 하고, 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 그후, 적층한 접착 필름의 이형 처리 PET 필름을 박리하고, 수지 조성물면에 두께 18㎛의 구리박의 M면을 마주보게 하고, 다시 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 또한, 그후, 120℃에서 30분, 180℃에서 90분의 순으로 열 처리를 실시하여, 다층 플렉시블 회로 기판 MP1을 제조하였다. 회로 기판 MP1 위의 도체층(구리박 S면에 상당)과 접착 필름의 필 강도는 0.94kgf/cm로, 강고한 접착성을 가지고 있었다. 또한, 필 강도 측정은 JIS C6481에 준하여 평가하였다.
First, the polypropylene film of the adhesive film A1 produced in Example 9 was peeled off. Subsequently, the resin composition surface of the adhesive film was faced to the circuit surface of the flexible circuit board obtained by using the two-layer CCL composed of the copper layer (thickness 12 占 퐉) and the polyimide film (thickness 20 占 퐉), and a vacuum laminator Ltd. under the conditions of a temperature of 130 占 폚, a pressure of 7 kgf / cm2, and an air pressure of 5 mmHg or less. Thereafter, the release-treated PET film of the laminated adhesive film was peeled off, and the M surface of a copper foil having a thickness of 18 mu m was faced to the surface of the resin composition surface, and the surface was again exposed to a vacuum laminator (manufactured by Meikishaishakusho Co., Ltd.) At a temperature of 130 캜, a pressure of 7 kgf / cm 2, and an air pressure of 5 mmHg or less. Then, the multilayer flexible circuit substrate MP1 was further subjected to heat treatment at 120 DEG C for 30 minutes and then at 180 DEG C for 90 minutes. The peel strength of the conductor layer (corresponding to the S face of copper foil) on the circuit board MP1 and the adhesive film was 0.94 kgf / cm, and had a strong adhesive property. The peel strength measurement was carried out in accordance with JIS C6481.

[실시예 18][Example 18]

(다층 플렉시블 회로 기판 MP2의 제조와 필 강도의 측정) (Production of Multilayer Flexible Circuit Substrate MP2 and Measurement of Peel Strength)

우선 실시예 10에서 수득된 접착 필름 A2의 폴리프로필렌 필름을 박리하였다. 그후, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 접착 필름의 수지 조성물면을 마주보게 하고, 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 그후, 적층한 접착 필름의 이형 처리 PET 필름을 박리하고, 수지 조성물면에 두께 18㎛의 구리박의 M면을 마주보게 하고, 다시 진공라미네이트[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 또한, 그후, 120℃에서 30분, 180℃에서 90분의 순서로 열 처리를 실시하여, 다층 플렉시블 회로 기판 MP2를 제조하였다. 회로 기판 MP2 위의 도체층(구리박 S면에 상당)과 접착 필름의 필 강도는 1.05kgf/cm로, 강고한 접착성을 가지고 있었다. 필 강도 측정은 JIS C6481에 준하여 평가하였다.
First, the polypropylene film of the adhesive film A2 obtained in Example 10 was peeled off. Subsequently, the resin composition surface of the adhesive film was faced to the circuit surface of the flexible circuit board obtained by using the two-layer CCL composed of the copper layer (thickness 12 占 퐉) and the polyimide film (thickness 20 占 퐉), and a vacuum laminator Ltd. under the conditions of a temperature of 130 占 폚, a pressure of 7 kgf / cm2, and an air pressure of 5 mmHg or less. Thereafter, the release-treated PET film of the laminated adhesive film was peeled off, and the M surface of a copper foil having a thickness of 18 mu m was faced to the surface of the resin composition surface. Then, a vacuum laminate (manufactured by Takeuchi Kikai Co., Ltd.) At a temperature of 130 캜, a pressure of 7 kgf / cm 2, and an air pressure of 5 mmHg or less. Then, the multilayer flexible circuit substrate MP2 was then subjected to heat treatment at 120 캜 for 30 minutes and at 180 캜 for 90 minutes in this order. The peel strength of the conductor layer (corresponding to the S face of copper foil) on the circuit board MP2 and the adhesive film was 1.05 kgf / cm, and had a strong adhesive property. The peel strength measurement was performed in accordance with JIS C6481.

[실시예 19][Example 19]

(다층 플렉시블 회로 기판 MP3의 제조) (Manufacture of multilayer flexible circuit board MP3)

우선, 실시예 11에서 수득된 수지 부착 구리박 B1의 폴리프로필렌 필름을 박리하였다. 그후, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 수지 부착 구리박 B1의 수지 조성물면을 마주보게 하고, 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 그후, 120℃에서 30분, 180℃에서 90분의 순으로 열 처리를 실시하여, 다층 플렉시블 회로 기판 MP3을 제조하였다.
First, the polypropylene film of the resin-coated copper foil B1 obtained in Example 11 was peeled off. Subsequently, the resin composition surface of the resin-coated copper foil B1 was faced to the circuit surface of the flexible circuit board obtained by using the two-layer CCL composed of the copper layer (thickness 12 占 퐉) and the polyimide film (thickness 20 占 퐉) Was laminated under the conditions of a temperature of 130 DEG C, a pressure of 7 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 5 mmHg or less by means of a vacuum laminator (manufactured by Meiji Seisakusho Co., Ltd.). Thereafter, heat treatment was performed at 120 캜 for 30 minutes and then at 180 캜 for 90 minutes to produce a multilayer flexible circuit board MP3.

[실시예 20][Example 20]

(다층 플렉시블 회로 기판 MP4의 제조) (Production of Multilayer Flexible Circuit Substrate MP4)

우선, 실시예 12에서 수득된 수지 부착 구리박 B2의 폴리프로필렌 필름을 박리하였다. 그후, 구리층(두께 12㎛)과 폴리이미드 필름(두께 20㎛)으로 이루어지는 2층 CCL을 사용하여 수득된 플렉시블 회로 기판의 회로면에, 수지 부착 구리박 B2의 수지 조성물면을 마주보게 하고, 진공 라미네이터[참조: 가부시키가이샤 메이키세이사쿠쇼 제조]에 의해, 온도 130℃, 압력 7kgf/㎠, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 라미네이트하였다. 그후, 120℃에서 30분, 180℃에서 90분의 순으로 열 처리를 실시하여, 다층 플렉시블 회로 기판 MP4을 제조하였다. First, the polypropylene film of the resin-coated copper foil B2 obtained in Example 12 was peeled off. Subsequently, the resin composition surface of the resin-coated copper foil B2 was faced to the circuit surface of the flexible circuit board obtained by using the two-layer CCL composed of the copper layer (thickness 12 mu m) and the polyimide film (thickness 20 mu m) Was laminated under the conditions of a temperature of 130 DEG C, a pressure of 7 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 5 mmHg or less by means of a vacuum laminator (manufactured by Meiji Seisakusho Co., Ltd.). Thereafter, heat treatment was performed at 120 캜 for 30 minutes and then at 180 캜 for 90 minutes in order to produce a multilayer flexible circuit board MP4.

본 출원은 일본에서 출원된 특원 제2008-288152호를 기초로 하고, 이들의 내용은 본 명세서에 모두 포함된다. This application is based on Japanese Patent Application No. 2008-288152, the contents of which are all incorporated herein by reference.

Claims (21)

(A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지, 및 (B) 열경화성 수지를 함유하고, 상기 폴리이미드 수지가 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 갖는, 프린트 배선판용 수지 조성물.
화학식 1
Figure 112014097027891-pct00019

화학식 2
Figure 112014097027891-pct00020

상기 화학식 1 및 2에서,
R1은 4가의 유기기이고,
R2는 헥사플루오로이소프로판올기를 갖는 2가의 디아민 잔기이고,
R3은 2가의 실록산디아민 잔기이고,
화학식 1로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 M은 1 이상 100 이하의 정수이며,
화학식 2로 표시되는 반복 단위의 1분자 중의 반복수 N은 1 이상 100 이하의 정수이다.
(A) a polyimide resin having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure, and (B) a thermosetting resin, wherein the polyimide resin has a repeating unit represented by the following general formulas (1) and (2) .
Formula 1
Figure 112014097027891-pct00019

(2)
Figure 112014097027891-pct00020

In the above Formulas 1 and 2,
R1 is a tetravalent organic group,
R2 is a divalent diamine residue having a hexafluoroisopropanol group,
R3 is a divalent siloxane diamine residue,
The repeating number M in one molecule of the repeating unit represented by the formula (1) is an integer of 1 to 100,
The repeating number N in one molecule of the repeating unit represented by the general formula (2) is an integer of 1 or more and 100 or less.
제1항에 있어서, (C) 무기 충전재를 추가로 함유하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.The resin composition for a printed wiring board according to claim 1, further comprising (C) an inorganic filler. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열경화성 수지가 에폭시 수지인, 프린트 배선판용 수지 조성물.The resin composition for a printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting resin is an epoxy resin. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서, (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 헥사플루오로이소프로판올기의 관능기 당량이 1000 내지 10000g/mol인 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.The printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the hexafluoroisopropanol group (A) and the hexafluoroisopropanol group of the polyimide resin having a siloxane structure have a functional group equivalent of 1000 to 10000 g / mol Resin composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A) 헥사플루오로이소프로판올기 및 실록산 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 실록산 함량이 50 내지 80중량%인 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판용 수지 조성물.The resin composition for a printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the polyimide resin (A) having a hexafluoroisopropanol group and a siloxane structure has a siloxane content of 50 to 80% by weight. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물을 함유하는, 솔더레지스트 잉크(solder resist ink).A solder resist ink containing the resin composition according to claim 1 or 2. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 지지체 위에 층 형성되어 이루어지는, 접착 필름.An adhesive film comprising the resin composition according to claim 1 or 2 layered on a support. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 금속박 위에 층 형성되어 이루어지는, 금속박 부착 접착 필름.An adhesive film with a metal foil, wherein the resin composition according to claim 1 or 2 is layered on a metal foil. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 시트형 섬유 기재에 함침되어 이루어지는, 프리프레그(prepreg).A prepreg obtained by impregnating a sheet-like fibrous substrate with the resin composition according to any one of claims 1 to 3. 제10항에 기재된 프리프레그에 금속박이 적층되어 이루어지는, 금속박 부착 프리프레그.A prepreg with metal foil, wherein a metal foil is laminated on the prepreg according to claim 10. 제1항 또는 제2항에 기재된 수지 조성물이 내열 필름 위에 층 형성되어 이루어지는, 커버레이 필름(coverlay film).A coverlay film wherein the resin composition according to claim 1 or 2 is layered on a heat resistant film. 절연층이 제1항 또는 제2항에 기재된 프린트 배선판용 수지 조성물을 함유하는, 프린트 배선판.Wherein the insulating layer contains the resin composition for a printed wiring board according to any one of claims 1 to 3. 제13항에 있어서, 상기 절연층이 솔더레지스트층, 층간 절연층 및 커버레이층을 포함하는, 프린트 배선판.14. The printed wiring board according to claim 13, wherein the insulating layer comprises a solder resist layer, an interlayer insulating layer and a coverlay layer. 제7항에 기재된 솔더레지스트 잉크에 의해 솔더레지스트층이 형성된, 프린트 배선판.A solder resist layer formed by the solder resist ink according to claim 7. 제8항에 기재된 접착 필름에 의해 솔더레지스트층이 형성된, 프린트 배선판.A printed wiring board in which a solder resist layer is formed by the adhesive film according to claim 8. 제8항에 기재된 접착 필름에 의해 층간 절연층이 형성된, 프린트 배선판.A printed wiring board in which an interlayer insulating layer is formed by the adhesive film according to claim 8. 제9항에 기재된 금속박 부착 접착 필름에 의해 층간 절연층 및/또는 도체층이 형성된, 프린트 배선판.An printed wiring board in which an interlayer insulating layer and / or a conductor layer is formed by the adhesive film with a metal foil according to claim 9. 제10항에 기재된 프리프레그에 의해 층간 절연층이 형성된, 프린트 배선판.A printed wiring board in which an interlayer insulating layer is formed by the prepreg according to claim 10. 제11항에 기재된 금속박 부착 프리프레그에 의해 층간 절연층 및/또는 도체층이 형성된, 프린트 배선판.A printed wiring board in which an interlayer insulating layer and / or a conductor layer is formed by the metal foil-coated prepreg according to claim 11. 제12항에 기재된 커버레이 필름에 의해 커버레이층이 형성된, 프린트 배선판.A printed wiring board in which a coverlay layer is formed by the coverlay film according to claim 12.
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