JP2008021858A - Adhesive film for dicing/die bonding - Google Patents

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Shohei Kosakai
正平 小堺
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide adhesive giving an adhesion layer superior in low temperature thermo-compression bonding property and superior in reliability, and to provide an adhesive film provided with the adhesion layer for dicing/die bonding. <P>SOLUTION: The film is provided with an adhesive layer 2 laminated on a base layer 1, an adhesive (A) layer 3 laminated on the adhesive layer 2, the base layer 4 laminated on the adhesive (A) layer 3, and an adhesive (B) layer 5 laminated on the base layer 4. Resin constituting the adhesive (A) layer is constituted of (a1) 60 to 95 mass% polyimide resin, and (b1) 40 to 5 mass% of epoxide resin. Resin constituting the adhesive (B) layer is constituted of (a2) 20 to 70 mass% of polyimide resin and (b2) 80 to 30 mass% of epoxide resin whose softening point measured by ring and ball method JIS-K 7234 is not more than 80°C. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ダイシング工程におけるウエハーへの貼り付け性と、ダイボンド工程を経て得られる半導体装置の信頼性の点で、改良されたダイシング・ダイボンド用フィルムに関する。   The present invention relates to an improved film for dicing and die bonding in terms of the stickability to a wafer in a dicing process and the reliability of a semiconductor device obtained through the die bonding process.

近年の電子機器の小型化に伴い、半導体チップ搭載基板も微細化が要求され、半導体チップ自体の厚みも薄くなっている。該チップを基板に搭載するために使用される接着フィルムは、ダイシング工程でウエハーへと貼り付ける際に、ウエハーの反りやクラックが発生しないようにするため、低温且つ低圧で圧着されることが要求される。   With the recent miniaturization of electronic devices, the semiconductor chip mounting substrate is required to be miniaturized, and the thickness of the semiconductor chip itself is also reduced. The adhesive film used to mount the chip on the substrate is required to be pressure-bonded at a low temperature and a low pressure so that the wafer does not warp or crack when it is attached to the wafer in the dicing process. Is done.

また、基板が樹脂製である場合、ダイボンド工程で該基板上に形成された接着層は、樹脂基板を透過する水分により吸湿し、半導体装置の実装工程において、ポップコーン現象(水蒸気爆発)により破壊され又は基板から剥離して、半導体装置の信頼性を損ねる場合がある。そこで、該接着剤は吸水率が低いことが要求される。   In addition, when the substrate is made of resin, the adhesive layer formed on the substrate in the die bonding process absorbs moisture due to moisture that passes through the resin substrate, and is destroyed by the popcorn phenomenon (water vapor explosion) in the semiconductor device mounting process. Or it may peel from a board | substrate and may impair the reliability of a semiconductor device. Therefore, the adhesive is required to have a low water absorption rate.

接着剤としては、従来、耐熱性に優れたポリイミドやポリアミドイミドに、シロキサン構造を導入した、シロキサン変性ポリイミド及びポリアミドイミドが提案されている(特許文献1、特許文献2)。しかしながら、これらの樹脂は接着力が十分でなく、耐熱性も十分でない。   As adhesives, conventionally, siloxane-modified polyimide and polyamideimide in which a siloxane structure is introduced into polyimide or polyamideimide having excellent heat resistance have been proposed (Patent Documents 1 and 2). However, these resins do not have sufficient adhesive strength and heat resistance.

また、ダイシング・ダイボンドシートとして、プラスチックフィルム基材上に熱可塑性のポリイミド系樹脂を形成したシートが知られている(特許文献3)。しかし、熱可塑性のポリイミド系樹脂であるため、低温、低圧での圧着性に劣り、接着性、特に半導体装置の製造工程である、ワイヤボンド、封止、及びハンダリフロー工程で要求される高湿下に置かれた後の接着性、高温時での接着性及び強度が不十分であるなどの問題がある。   Further, as a dicing die bond sheet, a sheet in which a thermoplastic polyimide resin is formed on a plastic film substrate is known (Patent Document 3). However, since it is a thermoplastic polyimide resin, it is inferior in crimping properties at low temperatures and low pressures, and has high humidity required for adhesion, particularly wire bonding, sealing, and solder reflow processes, which are semiconductor device manufacturing processes. There are problems such as inadequate adhesion after being placed, adhesion at high temperatures and insufficient strength.

上記問題を解決するものとして、ポリイミドシリコーンとエポキシ樹脂とを含む耐熱性接着剤フィルムが提案されているが(特許文献4、5)ポリイミドシリコーンは硬化反応する官能基を有しないため、接着性に劣る。   As a solution to the above problem, a heat-resistant adhesive film containing polyimide silicone and an epoxy resin has been proposed (Patent Documents 4 and 5). Since polyimide silicone does not have a functional group that undergoes a curing reaction, the adhesiveness is improved. Inferior.

硬化反応する官能基を有するシリコーン樹脂として、フェノール性水酸基を有するポリイミドシリコーンと、エポキシ樹脂とを含む耐熱性接着剤フィルムが提案されている(特許文献6)。   As a silicone resin having a functional group that undergoes a curing reaction, a heat-resistant adhesive film including a polyimide silicone having a phenolic hydroxyl group and an epoxy resin has been proposed (Patent Document 6).

また、本発明者らは、ポリイミドシリコーンとエポキシ樹脂とを含む接着剤フィルムを粘着上に積層したダイシング・ダイボンド用接着テープを提案している(特願2005−343957号)。
特開平3−189127号公報 特開平4−264003号公報 特開2002−256236号公報 特開平7−224259号公報 特開平8−27427号公報 特許第3221756号公報
Further, the present inventors have proposed an adhesive tape for dicing and die bonding in which an adhesive film containing polyimide silicone and an epoxy resin is laminated on an adhesive (Japanese Patent Application No. 2005-343957).
Japanese Patent Laid-Open No. 3-189127 JP-A-4-264003 JP 2002-256236 A Japanese Patent Laid-Open No. 7-224259 JP-A-8-27427 Japanese Patent No. 3221756

上記ダイシング・ダイボンド用の接着剤は、低温での各種基材に対する熱圧着性に優れる。しかし、吸水率の点等でさらなる改良の余地があることが見出された。そこで、本発明は、低温熱圧着性に優れ、信頼性に優れる接着層を与える接着剤、及び該接着剤層を備えたダイシング・ダイボンド接着フィルムを提供することを目的とする。 The dicing / die bonding adhesive is excellent in thermocompression bonding to various substrates at low temperatures. However, it has been found that there is room for further improvement in terms of water absorption. Then, an object of this invention is to provide the adhesive which gives the adhesive layer which is excellent in low-temperature thermocompression bonding property, and is excellent in reliability, and the dicing die-bonding adhesive film provided with this adhesive layer.

即ち、本発明は、下記である。
基材層1上に積層された粘着剤層2、粘着剤層2の上に積層された接着剤(A)層3、接着剤(A)層3上に積層された基材層4、基材層4上に積層された接着剤(B)層5を備え、
接着剤(A)層を構成する樹脂が、
(a1)ポリイミド樹脂 60〜95質量%
(b1)エポキシ樹脂 40〜5質量%
からなり、
接着剤(B)層を構成する樹脂が、
(a2)ポリイミド樹脂 20〜70質量%
(b2)環球法JIS−K7234で測定される軟化点が80℃以下であるエポキシ樹脂
80〜30質量%
からなることを特徴とするダイシング・ダイボンド用接着フィルム。
That is, the present invention is as follows.
Adhesive layer 2 laminated on base material layer 1, adhesive (A) layer 3 laminated on adhesive layer 2, base material layer 4 laminated on adhesive (A) layer 3, base An adhesive (B) layer 5 laminated on the material layer 4;
The resin constituting the adhesive (A) layer is
(A1) Polyimide resin 60-95 mass%
(B1) Epoxy resin 40-5 mass%
Consists of
The resin constituting the adhesive (B) layer is
(A2) Polyimide resin 20-70 mass%
(B2) Epoxy resin having a softening point of 80 ° C. or less as measured by the ring and ball method JIS-K7234
80-30% by mass
An adhesive film for dicing and die bonding, comprising:

上記ダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、粘着層上に、基材層を挟んで積層された2種の接着層を備えることによって、基材への低温熱圧着性と、最終半導体製品の高信頼性の双方を達成する。 The dicing / die-bonding adhesive film comprises two types of adhesive layers laminated on a pressure-sensitive adhesive layer with a base material layer interposed therebetween, so that low temperature thermocompression bonding to the base material and high reliability of the final semiconductor product can be achieved. Achieve both.

本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムを、図を参照して説明する。なお、本発明において、ダイシング・ダイボンド接着フィルムには、ダイシング・ダイボンド接着シート及びテープも包含される。図1は本発明のフィルムの断面図である。同図において、1は粘着層用の基材層、2は粘着剤層、3は接着剤(A)層、4は接着剤層用基材層、5は接着剤(B)層、6はカバーフィルムである。ダイシング工程では、図2に示すように、図1のカバーフィルム6を剥離して、接着剤層5の上に、シリコンウエハーを熱圧着して固定する。切断されたチップは、ピックアップ工程で接着剤(A)層3、基材層4、及び接着剤(B)層5が付着された状態で、取り出される。   The adhesive film for dicing and die bonding of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present invention, the dicing die-bonding adhesive film includes a dicing die-bonding adhesive sheet and a tape. FIG. 1 is a cross-sectional view of the film of the present invention. In the figure, 1 is a base material layer for an adhesive layer, 2 is an adhesive layer, 3 is an adhesive (A) layer, 4 is an adhesive layer base layer, 5 is an adhesive (B) layer, and 6 is an adhesive layer. It is a cover film. In the dicing process, as shown in FIG. 2, the cover film 6 of FIG. 1 is peeled off, and a silicon wafer is fixed onto the adhesive layer 5 by thermocompression bonding. The cut chips are taken out in a state where the adhesive (A) layer 3, the base material layer 4, and the adhesive (B) layer 5 are attached in the pickup process.

上記接着剤(A)層3を構成する樹脂は、
(a1)ポリイミド樹脂 60〜95質量%
(b1)エポキシ樹脂 40〜5質量%
からなり、
上記接着剤(B)層5を構成する樹脂は、
(a2)ポリイミド樹脂 20〜70質量%
(b2)環球法JIS−K7234で測定される軟化点が80℃以下であるエポキシ樹脂 80〜30質量%
からなる。
The resin constituting the adhesive (A) layer 3 is
(A1) Polyimide resin 60-95 mass%
(B1) Epoxy resin 40-5 mass%
Consists of
The resin constituting the adhesive (B) layer 5 is:
(A2) Polyimide resin 20-70 mass%
(B2) Epoxy resin having a softening point of 80 ° C. or less as measured by the ring and ball method JIS-K7234 80 to 30% by mass
Consists of.

接着剤(A)層3は、(b1)エポキシ樹脂を40質量%、好ましくは30質量%以下で含むことで、硬化後の接着層の吸水率が低く、半導体製品の高信頼性を達成することができる。さらに、基材層4が、水分透過を抑制するので、接着剤層(B)への水分透過をさらに抑えることができる。一方、接着剤(B)層を構成する軟化点が80℃以下の樹脂は30質量以上で含まれる。該樹脂には、25℃で液状のものも包含される。斯かる低軟化点の樹脂を、所定量以上用いることで、100℃以下の温度で、シリコンウエハーに圧着することができる。このようにして、本発明のダイシング・ダイボンド接着フィルムは、低温熱圧着性と高信頼性の接着剤との双方を達成する。   The adhesive (A) layer 3 contains (b1) an epoxy resin at 40% by mass, preferably 30% by mass or less, so that the water absorption rate of the adhesive layer after curing is low, and high reliability of the semiconductor product is achieved. be able to. Furthermore, since the base material layer 4 suppresses moisture permeation, moisture permeation to the adhesive layer (B) can be further suppressed. On the other hand, the resin having a softening point of 80 ° C. or less constituting the adhesive (B) layer is contained in an amount of 30 mass or more. The resin also includes a liquid at 25 ° C. By using such a low softening point resin in a predetermined amount or more, it can be pressure-bonded to a silicon wafer at a temperature of 100 ° C. or less. Thus, the dicing die-bonding adhesive film of the present invention achieves both low temperature thermocompression bonding and highly reliable adhesive.

上記接着剤(B)層5は、シリコンウエハーとの間の180度剥離力(剥離速度300mm/分で測定)が、粘着剤層2と接着剤(A)層3との間の180度剥離力(剥離速度300mm/分)より大きいように構成されているため、ダイシングされたシリコンウエハーを首尾よくピックアップすることができる。ピックアップ後、接着剤(A)層3が、基板上に圧着され、その後硬化されて、シリコンチップを基板に接着固定する。 The adhesive (B) layer 5 has a 180 degree peeling force (measured at a peeling speed of 300 mm / min) between the silicon wafer and 180 degree peeling between the adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer 3. Since it is configured to be larger than the force (peeling speed 300 mm / min), the diced silicon wafer can be successfully picked up. After the pickup, the adhesive (A) layer 3 is pressure-bonded on the substrate and then cured to bond and fix the silicon chip to the substrate.

粘着剤層2と接着剤(A)層3との間の180度剥離力は、チップ取り出しを容易にするために、好ましくは0.05〜0.7N/25mm、より好ましくは0.1〜0.4N/25mmである。前記下限値より小さいとダイシング工程でチップ飛びが生じ、前記上限値を超えるとチップを取り出せない場合がある。なお、接着剤(B)層5とシリコンウエハーとの間の180度剥離力が粘着剤層2と接着剤(A)層3との間の180度剥離力よりも大きいことは、剥離力試験において凝集破壊が観察されることにより確認できる。   The 180-degree peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer 3 is preferably 0.05 to 0.7 N / 25 mm, more preferably 0.1 to 0.1 to facilitate chip removal. 0.4 N / 25 mm. If it is smaller than the lower limit value, chip skipping occurs in the dicing process, and if the upper limit value is exceeded, the chip may not be taken out. Note that the 180 degree peel force between the adhesive (B) layer 5 and the silicon wafer is larger than the 180 degree peel force between the adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer 3. This can be confirmed by the observation of cohesive failure.

接着剤層用基材層4としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム;(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリエーテルケトン、ポリエーテル・エーテルケトン、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム等が使用できる。これらのフィルムの表面をプラズマ、コロナ処理したもの、また複数種のフィルムを積層したものであってもよい。好ましくは、ポリエステルフィルム及びポリイミドフィルムである。これらのフィルムは、水分透過率が小さく、高耐熱性を有し、且つ、上記接着剤(A)層及び(B)層との接着性が良好である。該フィルムの厚さは、好ましくは1〜50μm、より好ましくは5〜30μmである。   Examples of the base material layer 4 for the adhesive layer include polyester films such as polyethylene terephthalate films and polybutylene terephthalate films; (meth) acrylic acid copolymer films, vinyl acetate copolymer films, polyether ketones, polyether ether ketones. Polyether sulfone film, polyamide film, polyimide film, polyetherimide film, polycarbonate film, polystyrene film and the like can be used. Those obtained by plasma or corona treatment on the surface of these films, or those obtained by laminating a plurality of types of films may be used. A polyester film and a polyimide film are preferable. These films have low moisture permeability, high heat resistance, and good adhesion to the adhesive (A) layer and (B) layer. The thickness of the film is preferably 1 to 50 μm, more preferably 5 to 30 μm.

(a1)及び(a2)のポリイミド樹脂は、互いに同一であってもよい。該ポリイミド樹脂は下記式(1)で表されるものである。   The polyimide resins (a1) and (a2) may be the same. The polyimide resin is represented by the following formula (1).

Figure 2008021858

(式中、Xは芳香族又は脂肪族の四価の有機基、Yは二価の有機基、qは1〜300の整数である。)
Figure 2008021858

(In the formula, X is an aromatic or aliphatic tetravalent organic group, Y is a divalent organic group, and q is an integer of 1 to 300.)

ポリイミド樹脂は、下記式(2)で表される、上記(1)の前駆体であるところのポリアミック酸樹脂であってもよい。しかし、ダイボンド工程における加熱硬化時のイミド化(脱水閉環)により水が副生し、接着面の剥離等が生じる場合があるため、上記式(1)のポリイミド樹脂を用いることが好ましい。 The polyimide resin may be a polyamic acid resin which is a precursor of the above (1) represented by the following formula (2). However, it is preferable to use the polyimide resin of the above formula (1) because water may be produced as a by-product due to imidization (dehydration ring closure) during heat-curing in the die-bonding process, and peeling of the adhesive surface may occur.

Figure 2008021858

(式中、Xは芳香族又は脂肪族の四価の有機基、Yは二価の有機基、qは1〜300の整数である。)
Figure 2008021858

(In the formula, X is an aromatic or aliphatic tetravalent organic group, Y is a divalent organic group, and q is an integer of 1 to 300.)

上記式(1)及び(2)において、qは1〜300の整数、好ましくは2〜300の整数、特には5〜300の整数である。qが前記下限値未満では、基板への接着強度が不足し、一方、前記上限値を超えては、熱圧着性が不足する。   In the above formulas (1) and (2), q is an integer of 1 to 300, preferably an integer of 2 to 300, particularly an integer of 5 to 300. When q is less than the lower limit, the adhesive strength to the substrate is insufficient, while when the upper limit is exceeded, thermocompression bonding is insufficient.

式(2)で表されるポリアミック酸樹脂は下記構造式(3)   The polyamic acid resin represented by the formula (2) has the following structural formula (3)

Figure 2008021858

(但し、Xは上記と同様の意味を示す。)
で表されるテトラカルボン酸二無水物と、下記構造式(4)
2N−Y−NH2 (4)
(但し、Yは上記と同様の意味を示す。)
で表されるジアミンとを常法に従ってほぼ等モルで有機溶剤中で反応させることによって得られる。
Figure 2008021858

(However, X has the same meaning as described above.)
A tetracarboxylic dianhydride represented by the following structural formula (4)
H 2 N-Y-NH 2 (4)
(However, Y has the same meaning as described above.)
It is obtained by reacting the diamine represented by the formula (1) with an approximately equimolar amount in an organic solvent according to a conventional method.

上記式(3)で表されるテトラカルボン酸二無水物の例として下記のものが挙げられ、これら2種以上の混合物であってもよい。   The following are mentioned as an example of the tetracarboxylic dianhydride represented by the said Formula (3), These 2 or more types of mixtures may be sufficient.

Figure 2008021858
Figure 2008021858

上記式(4)で表されるジアミンのうち、好ましくは1〜80モル%、更に好ましくは1〜50モル%は下記構造式(5)   Among the diamines represented by the above formula (4), preferably 1 to 80 mol%, more preferably 1 to 50 mol% is the following structural formula (5).

Figure 2008021858


(式中、R2は炭素原子数3〜9の二価の有機基、R3、R4は、互いに独立に、炭素原子数1〜8の非置換又は置換の一価炭化水素基、mは1〜200の整数である。)
で表されるジアミノシロキサン化合物であることが、有機溶剤への溶解性、基材に対する接着性、柔軟性の点から好ましい。
Figure 2008021858


Wherein R 2 is a divalent organic group having 3 to 9 carbon atoms, R 3 and R 4 are each independently an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, m Is an integer from 1 to 200.)
It is preferable from the point of the solubility to an organic solvent, the adhesiveness with respect to a base material, and a softness | flexibility to be represented by these.

式(5)のR2としては、例えば、−(CH23−,−(CH24−,−CH2CH(CH3)−,−(CH26−,−(CH28−等のアルキレン基、下記アリーレン基、 R 2 in formula (5) is, for example, — (CH 2 ) 3 —, — (CH 2 ) 4 —, —CH 2 CH (CH 3 ) —, — (CH 2 ) 6 —, — (CH 2). ) 8 - alkylene group such as, following an arylene group,

Figure 2008021858



、これらを組み合わせたベンジレン基等のアルキレン・アリーレン基、−(CH23−O−,−(CH24−O−等のオキシアルキレン基、下記オキシアリーレン基、
Figure 2008021858



, Alkylene / arylene groups such as a benzylene group in combination of these, oxyalkylene groups such as — (CH 2 ) 3 —O—, — (CH 2 ) 4 —O—, the following oxyarylene groups,

Figure 2008021858

下記オキシアルキレン・アリーレン基、
Figure 2008021858

The following oxyalkylene / arylene group,

Figure 2008021858

等、エーテル結合を含んでもよい二価炭化水素基が挙げられる。
Figure 2008021858

And a divalent hydrocarbon group which may contain an ether bond.

3、R4としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基、これらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部がフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子等で置換された基、例えば、クロロメチル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基等が挙げられ、中でもメチル基及びフェニル基が好ましい。mは1〜200の整数であり、好ましくは1〜100の整数、より好ましくは1〜80の整数である。 Examples of R 3 and R 4 include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, hexyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, and octyl group. , Vinyl group, allyl group, propenyl group, isopropenyl group, butenyl group, isobutenyl group, hexenyl group and other alkenyl groups, phenyl group, tolyl group, xylyl group and other aryl groups, benzyl group, phenylethyl group and other aralkyl groups A group in which some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms of these groups are substituted with halogen atoms such as fluorine, bromine and chlorine, such as chloromethyl, bromoethyl, 3,3,3-tri Examples include halogen-substituted alkyl groups such as a fluoropropyl group. Among them, a methyl group and a phenyl group are preferable. m is an integer of 1 to 200, preferably an integer of 1 to 100, more preferably an integer of 1 to 80.

一般式(5)で表されるシロキサンジアミン化合物の例としては、下記に示すものが挙げられ、これらの2種以上の組み合わせでもよい。   Examples of the siloxane diamine compound represented by the general formula (5) include those shown below, and a combination of two or more of these may be used.

Figure 2008021858
Figure 2008021858

更に上記ジアミノシロキサン化合物以外の、上記式(4)で表されるジアミンとしては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(p−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4−ビス(m−アミノフェニルスルホニル)ベンゼン、1,4−ビス(p−アミノフェニルチオエーテル)ベンゼン、1,4−ビス(m−アミノフェニルチオエーテル)ベンゼン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]パーフルオロプロパン等の芳香族環含有ジアミン等が挙げられ、好ましくはp−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン等である。   Furthermore, examples of the diamine represented by the above formula (4) other than the above diaminosiloxane compound include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2 , 2′-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis ( 4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (m-aminophenylsulfonyl) benzene, 1,4-bis (p-aminophenylthioether) benzene, 1 , 4-bis (m-aminophenylthioether) benzene, 2,2-bis [4- ( -Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] Propane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3- Chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Methane, bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [3,5- Fragrances such as methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane Group ring-containing diamines and the like, preferably p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Propane and the like.

また、接着性の点から、該ポリイミド樹脂はフェノール性の水酸基を有することが好ましい。該水酸基は、式(4)のジアミノ化合物として、下記に例示するフェノール性の水酸基を有する物を用いることにより得ることができる。   Moreover, it is preferable that this polyimide resin has a phenolic hydroxyl group from an adhesive point. This hydroxyl group can be obtained by using the thing which has the phenolic hydroxyl group illustrated below as a diamino compound of Formula (4).

Figure 2008021858

(式中、R5は、互いに独立に水素原子又はフッ素、臭素、よう素等のハロゲン原子、あるいは炭素原子数1〜8のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、トリフルオロメチル基、フェニル基等の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ここでnは0〜5の整数である。A,Bはそれぞれ2種以上であってもよい。Rは水素原子、ハロゲン原子又は非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。)
Figure 2008021858

(In the formula, R 5 is independently a hydrogen atom or a halogen atom such as fluorine, bromine or iodine, or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group, an alkynyl group, a trifluoromethyl group, a phenyl group, etc. In the formula, n is an integer of 0 to 5. A and B may each be two or more, and R is a hydrogen atom, a halogen atom or an unsubstituted group. Or a substituted monovalent hydrocarbon group.)

5としては、上記R3、R4に関して例示したものと同様のもの、及びエチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基等を挙げることができる。また、Rも、上記R5で例示したものと同様のものを例示することができる。 Examples of R 5 include the same as those exemplified for R 3 and R 4 above, and alkynyl groups such as ethynyl group, propynyl group, butynyl group, and hexynyl group. R can also be exemplified by those similar to those exemplified for R 5 above.

なお、このフェノール性水酸基を有するジアミン化合物の使用量は、ジアミン化合物全体の5〜60質量%、特に10〜40質量%であることが好ましい。配合量が少なすぎると接着力が低くなる場合があり、また多すぎると接着層の強度が不足する場合がある。   In addition, it is preferable that the usage-amount of the diamine compound which has this phenolic hydroxyl group is 5-60 mass% of the whole diamine compound, especially 10-40 mass%. If the amount is too small, the adhesive strength may be low, and if it is too large, the strength of the adhesive layer may be insufficient.

また、フェノール性水酸基の導入のためにモノアミンを用いることもでき、下記の構造を例示することができる。   Moreover, a monoamine can also be used for introduction | transduction of a phenolic hydroxyl group, and the following structure can be illustrated.

Figure 2008021858


(式中、R5は上述のとおりであり、Dは2種の混合であってもよい。また、pは1〜3の整数である。)
Figure 2008021858


(Wherein R 5 is as described above, D may be a mixture of two kinds, and p is an integer of 1 to 3).

ポリアミック酸樹脂及びポリイミド樹脂の生成反応は、上述の出発原料を、不活性な雰囲気下で溶媒に溶かし、通常、80℃以下、好ましくは0〜40℃で反応させて、ポリアミック酸樹脂を合成する。得られたポリアミック酸樹脂を、通常、100〜200℃、好ましくは150〜200℃に加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の酸アミド部分を脱水閉環させ、目的とするポリイミド樹脂を合成することができる。   The polyamic acid resin and the polyimide resin are formed by dissolving the above-mentioned starting materials in a solvent under an inert atmosphere and usually reacting at 80 ° C. or lower, preferably 0 to 40 ° C. to synthesize a polyamic acid resin. . By heating the obtained polyamic acid resin to 100 to 200 ° C., preferably 150 to 200 ° C., the acid amide portion of the polyamic acid resin can be dehydrated and cyclized to synthesize the target polyimide resin. .

上記反応に使用する有機溶媒は、得られるポリアミック酸と反応しないものであれば、前記出発原料を完全に溶解できるものでなくともよい。例えば、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドが挙げられ、好ましくは非プロトン性極性溶媒、特に好ましくはN−メチルピロリドン、シクロヘキサノン及びγ−ブチロラクトンである。これらの溶剤は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。 The organic solvent used for the reaction may not be one that can completely dissolve the starting material as long as it does not react with the polyamic acid obtained. Examples include tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and dimethyl sulfoxide, preferably aprotic Polar solvents, particularly preferably N-methylpyrrolidone, cyclohexanone and γ-butyrolactone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

上記の脱水閉環を容易にするためには、トルエン、キシレンなどの共沸脱水剤を用いるのが望ましい。また、無水酢酸/ピリジン混合溶液を用いて低温で脱水閉環を行うこともできる。   In order to facilitate the dehydration ring closure, it is desirable to use an azeotropic dehydrating agent such as toluene or xylene. Further, dehydration ring closure can be performed at a low temperature using an acetic anhydride / pyridine mixed solution.

なお、樹脂の分子量を調整するために、無水マレイン酸、無水フタル酸などのジカルボン酸無水物及び/又はアニリン、n−ブチルアミン、上記に挙げたフェノール性の水酸基を有するモノアミンを添加することもできる。但し、ジカルボン酸無水物の添加量は、ジカルボン酸二無水物100質量部当たり、通常、0〜2質量部であり、モノアミンの添加量は、ジアミン100質量部当たり、通常、0〜2質量部である。   In order to adjust the molecular weight of the resin, dicarboxylic anhydrides such as maleic anhydride and phthalic anhydride and / or aniline, n-butylamine, and monoamines having the above-described phenolic hydroxyl groups may be added. . However, the addition amount of dicarboxylic acid anhydride is usually 0 to 2 parts by mass per 100 parts by mass of dicarboxylic dianhydride, and the addition amount of monoamine is usually 0 to 2 parts by mass per 100 parts by mass of diamine. It is.

上記ポリイミド樹脂を、接着剤(A)層は該層を構成する樹脂総質量の60〜95質量%、好ましくは70〜90質量%で含む。接着剤(B)層は、該層を構成する樹脂総質量の20〜70質量%、好ましくは30〜60質量%で含む。   The adhesive (A) layer contains the polyimide resin in an amount of 60 to 95% by mass, preferably 70 to 90% by mass, based on the total mass of the resin constituting the layer. The adhesive (B) layer is contained in an amount of 20 to 70% by mass, preferably 30 to 60% by mass, based on the total mass of the resin constituting the layer.

接着剤(A)層3を構成する樹脂に含まれる(b1)エポキシ樹脂としては、広く種々のエポキシ樹脂を使用することができ、軟化点が80℃超のエポキシ樹脂であってもよく、後述する(b2)をも包含する。例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン又はこのハロゲン化物のジグリシジルエーテル及びこれらの縮重合物(いわゆるビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等)、ブタジエンジエポキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシド、レゾルシンのジグリシジルエーテル、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ジフェニルエーテル、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)シクロヘキセン、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、1,2−ジオキシベンゼンあるいはレゾルシノール、多価フェノール又は多価アルコールとエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるエポキシグリシジルエーテルあるいはポリグリシジルエステル、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂(あるいはハロゲン化ノボラック型フェノール樹脂)とエピクロルヒドリンとを縮合させて得られるエポキシノボラック(即ち、ノボラック型エポキシ樹脂)、過酸化法によりエポキシ化したエポキシ化ポリオレフィン、エポキシ化ポリブタジエン、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びこれらの混合物が挙げられる。好ましくは、エポキシ基を1分子中に少なくとも2個有する樹脂が使用される。   As the (b1) epoxy resin contained in the resin constituting the adhesive (A) layer 3, a wide variety of epoxy resins can be used, and an epoxy resin having a softening point exceeding 80 ° C. may be used. (B2) is also included. For example, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2′-bis (4-hydroxyphenyl) propane or diglycidyl ether of this halide and polycondensates thereof (so-called bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy) Resin), butadiene diepoxide, vinylcyclohexene dioxide, resorcin diglycidyl ether, 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) benzene, 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) diphenyl ether, 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) cyclohexene, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 1,2-dioxybenzene or resorcinol, polyhydric phenol or polyhydric alcohol and epichlorohydrin Epoxy novolac (ie, novolak type) obtained by condensing novolak-type phenolic resin (or halogenated novolak-type phenolic resin) such as epoxy glycidyl ether or polyglycidyl ester, phenol novolak, cresol novolak, etc. obtained by condensation of Epoxy resin), epoxidized polyolefin epoxidized by peroxidation method, epoxidized polybutadiene, epoxy resin containing naphthalene ring, biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, cyclopentadiene type epoxy resin and these A mixture is mentioned. Preferably, a resin having at least two epoxy groups in one molecule is used.

接着剤(B)層の(b2)エポキシ樹脂成分としては、25℃で液状のエポキシ樹脂を包含する、軟化温度が80℃以下の樹脂が使用される。これらの樹脂としては、例えば前記のビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニルプロパン)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等;レゾルシン、ハイドロキノン及びメチルレゾルシン等のジグリシジルエーテル;1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ジフェニルエーテルならびにこれらの水添化物、ブタジエンジエポキシド、ビニルシクロヘキセンジオキシド、1,4−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)シクロヘキセン、ビス(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシルメチル)アジペート、1,2−ジオキシベンゼン或いはレゾルシノール、及びこれらの混合物が挙げられる。   As the (b2) epoxy resin component of the adhesive (B) layer, a resin having a softening temperature of 80 ° C. or lower including an epoxy resin that is liquid at 25 ° C. is used. Examples of these resins include the aforementioned bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2′-bis (4-hydroxyphenylpropane), bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, etc .; resorcin, hydroquinone and methyl Diglycidyl ethers such as resorcin; 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) benzene, 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) diphenyl ether and hydrogenated products thereof, butadiene diepoxide, vinylcyclohexene Dioxide, 1,4-bis (2,3-epoxypropoxy) cyclohexene, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 1,2-dioxybenzene or resorcinol, and mixtures thereof It is done.

接着剤(A)層3の(b1)エポキシ樹脂の配合量は、(a1)ポリイミド樹脂と(b)エポキシ樹脂の合計質量に対して5〜40質量%であることが好ましく、より好ましくは10〜30質量%である。エポキシ樹脂の配合量が前記下限値未満であると接着力が劣る場合があり、前記上限値を超えると吸水率が増大し、半導体製品の信頼性を損なう場合がある。また、接着剤(B)層5の(b2)エポキシ樹脂の配合量は(a2)成分のポリイミド樹脂と(b2)成分のエポキシ樹脂の合計質量部に対して80〜30質量%であることが好ましく、より好ましくは70〜40質量%である。エポキシ樹脂の配合量が前記下限値未満であると低温熱圧着性及び接着力が劣る場合があり、前記上限値を超えると、半導体製品の信頼性を損なう場合がある。   The amount of the (b1) epoxy resin in the adhesive (A) layer 3 is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 10%, based on the total mass of (a1) the polyimide resin and (b) the epoxy resin. -30 mass%. If the blending amount of the epoxy resin is less than the lower limit value, the adhesive strength may be inferior, and if it exceeds the upper limit value, the water absorption rate may increase and the reliability of the semiconductor product may be impaired. Moreover, the compounding quantity of (b2) epoxy resin of the adhesive agent (B) layer 5 is 80-30 mass% with respect to the total mass part of the polyimide resin of (a2) component, and the epoxy resin of (b2) component. Preferably, it is 70 to 40% by mass. When the blending amount of the epoxy resin is less than the lower limit value, the low temperature thermocompression bonding property and the adhesive strength may be inferior, and when the upper limit value is exceeded, the reliability of the semiconductor product may be impaired.

なお、(b1)エポキシ樹脂及び(b2)エポキシ樹脂に、モノエポキシ化合物を適宜併用することは差し支えなく、このモノエポキシ化合物としては、スチレンオキシド、シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、オクチレンオキシド、ドデセンオキシドなどが例示される。また、用いるエポキシ樹脂は必ずしも1種類のみに限定されるものではなく、2種類もしくはそれ以上を併用することができる。   Incidentally, (b1) epoxy resin and (b2) epoxy resin may be used in combination with a monoepoxy compound as appropriate. Examples of the monoepoxy compound include styrene oxide, cyclohexene oxide, propylene oxide, methyl glycidyl ether, and ethyl glycidyl ether. , Phenyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, octylene oxide, dodecene oxide and the like. Moreover, the epoxy resin to be used is not necessarily limited to only one type, and two or more types can be used in combination.

また、本発明の接着剤(A)及び(B)には、その特性を損なわない程度にエポキシ樹脂の硬化剤を添加してもよい。この硬化剤としては、従来から知られているエポキシ樹脂用の種々の硬化剤を使用することができ、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、メタキシリレンアミン、メンタンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカンなどのアミン系化合物;エポキシ樹脂−ジエチレントリアミンアダクト、アミン−エチレンオキサイドアダクト、シアノエチル化ポリアミンなどの変性脂肪族ポリアミン;ビスフェノールA、トリメチロールアリルオキシフェノール、低重合度のフェノールノボラック樹脂、エポキシ化もしくはブチル化フェノール樹脂或いは「Super Beckcite 1001」、日本ライヒホールド化学工業(株)製、「Hitanol 4010」、(株)日立製作所製、「Scado form L.9」、オランダScado Zwoll社製、「Methylon 75108」、米国ゼネラルエレクトリック社製などの商品名で知られているフェノール樹脂などの、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を含有するフェノール樹脂;「Beckamine P.138」、日本ライヒホールド化学工業(株)製、「メラン」、(株)日立製作所製、「U−Van 10R」、東洋高圧工業(株)製、などの商品名で知られている炭素樹脂;メラミン樹脂、アニリン樹脂などのアミノ樹脂;式HS(C24OCH2OC24SS)n24OCH2OC24SH(n=1〜10の整数)で示されるような1分子中にメルカプト基を少なくとも2個有するポリスルフィド樹脂;無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ピロメリット酸、メチルナジック酸、ドデシル無水こはく酸、無水クロレンディック酸などの有機酸もしくはその無水物(酸無水物)などが挙げられる。上記した硬化剤のうちでもフェノール系樹脂(フェノールノボラック樹脂)が、本発明の組成物に良好な成形作業性を与えるとともに、優れた耐湿性を与え、また毒性がなく、比較的安価であるので望ましいものである。上記した硬化剤は、その使用にあたっては必ずしも1種類に限定されるものではなく、それら硬化剤の硬化性能などに応じて2種以上を併用してもよい。配合量については、目的とする物性が得られれば、特に限定しない。 Moreover, you may add the hardening | curing agent of an epoxy resin to the adhesives (A) and (B) of this invention to such an extent that the characteristic is not impaired. As this curing agent, conventionally known various curing agents for epoxy resins can be used, for example, diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine, bis (4-amino). Amine compounds such as -3-methylcyclohexyl) methane, metaxylyleneamine, menthanediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane Epoxy resins-modified aliphatic polyamines such as diethylenetriamine adducts, amine-ethylene oxide adducts, cyanoethylated polyamines; bisphenol A, trimethylolallyloxyphenol, low polymerization degree phenol novolac resins, epoxidized or butylated pheno Resin or “Super Beckite 1001”, manufactured by Nippon Reichhold Chemical Co., Ltd., “Hitanol 4010”, manufactured by Hitachi, Ltd., “Scado form L.9”, manufactured by Scado Zwoll, Netherlands, “Methylon 75108”, USA A phenolic resin containing at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule, such as a phenolic resin known by a trade name such as that manufactured by General Electric Co., Ltd .; “Beckamine P.138”, manufactured by Nippon Reichhold Chemical Co., Ltd. , “Melan”, manufactured by Hitachi, Ltd., “U-Van 10R”, manufactured by Toyo Koatsu Kogyo Co., Ltd., and other carbon resins; amino resins such as melamine resins and aniline resins; HS (C 2 H 4 OCH 2 OC 2 H 4 SS) n C 2 H 4 OCH 2 A polysulfide resin having at least two mercapto groups in one molecule as represented by OC 2 H 4 SH (n = 1 to 10); phthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, pyro Examples include merit acid, methyl nadic acid, organic acid such as dodecyl succinic anhydride and chlorendic anhydride, or anhydrides thereof (acid anhydrides). Among the curing agents described above, the phenolic resin (phenol novolac resin) gives good molding workability to the composition of the present invention, provides excellent moisture resistance, is non-toxic and relatively inexpensive. Is desirable. The above-described curing agents are not necessarily limited to one type in use, and two or more types may be used in combination according to the curing performance of the curing agents. The blending amount is not particularly limited as long as the desired physical properties can be obtained.

本発明で用いる(c)エポキシ樹脂硬化触媒としては任意のものを使用することができる。例えば、リン系触媒としてはトリフェニルホスフィン、トリフェニルホスホニムトリフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートや下記に示すような化合物が挙げられる。   As the (c) epoxy resin curing catalyst used in the present invention, any one can be used. For example, examples of the phosphorus catalyst include triphenylphosphine, triphenylphosphonium triphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and the following compounds.


Figure 2008021858


(式中、R6〜R13は、互いに独立に、水素原子又はフッ素、臭素、よう素などのハロゲン原子、あるいは炭素原子数1〜8のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜8のアルコキシ基、トリフルオロメチル基、フェニル基などの非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。)
Figure 2008021858


(In the formula, R 6 to R 13 are each independently a hydrogen atom or a halogen atom such as fluorine, bromine or iodine, or an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, methoxy group, ethoxy group having 1 to 8 carbon atoms. An unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group such as an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms such as a group, a propoxy group, an isopropoxy group or a butoxy group, a trifluoromethyl group or a phenyl group.)

また、アミン系触媒としてはジシアンジアミド、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体などが挙げられる。   Examples of the amine catalyst include imidazole derivatives such as dicyandiamide, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole. It is done.

本発明におけるエポキシ樹脂硬化触媒は、これらの中から1種又は2種以上を混合して用いることができる。なお、(c)エポキシ樹脂硬化触媒の配合量は、触媒量とすることができ、通常、樹脂成分100質量部に対し0.05〜10質量部、好ましくは0.5〜5質量部である。   The epoxy resin curing catalyst in the present invention can be used alone or in combination of two or more thereof. In addition, the compounding quantity of (c) epoxy resin curing catalyst can be made into a catalyst quantity, and is 0.05-10 mass parts normally with respect to 100 mass parts of resin components, Preferably it is 0.5-5 mass parts. .

更に、接着剤組成物には、本発明の効果を損わない範囲内で、シリカ微粉末、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、シリコーン微粒子、導電性粒子等の充填剤、無機系あるいは有機系の顔料、染料等の着色剤、濡れ向上剤、酸化防止剤、熱安定剤等の添加剤などを目的に応じて添加することができる。   Furthermore, the adhesive composition includes fillers such as silica fine powder, alumina, titanium oxide, carbon black, silicone fine particles, and conductive particles, inorganic or organic, within a range not impairing the effects of the present invention. Colorants such as pigments and dyes, additives such as wetting improvers, antioxidants and heat stabilizers can be added depending on the purpose.

シリカ微粉末としては、好ましくは、球状で、平均粒径が0.1μm〜10μm、好ましくは5μm〜0.5μmであり、最大粒径が20μm以下のものが使用される。該シリカ粒子は、エポキシ基を有する有機ケイ素化合物で表面処理されたものが好ましい。例えば、(株)アドマテックス社のSE−2050、SC−2050、SC−2050、SE−1050、SO−E1、SO−C1、SO−E2、SO−C2、SO−E3、SO−C3、SO−E5、SO−C5などが例示され、これらの混合物であってもよい。該シリカ粒子の配合量は、組成物総質量の20〜70質量%、特に30〜65質量%とすることが好ましい。 The fine silica powder is preferably spherical and has an average particle size of 0.1 μm to 10 μm, preferably 5 μm to 0.5 μm, and a maximum particle size of 20 μm or less. The silica particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound having an epoxy group. For example, SE-2050, SC-2050, SC-2050, SE-1050, SO-E1, SO-C1, SO-E2, SO-C2, SO-E3, SO-C3, SO, manufactured by Admatechs Co., Ltd. -E5, SO-C5 and the like are exemplified, and a mixture thereof may be used. The compounding amount of the silica particles is preferably 20 to 70% by mass, particularly 30 to 65% by mass, based on the total mass of the composition.

好ましくは、シリカ微粉末と共に、複合シリコーンゴム微粒子を含む。該複合シリコーン微粒子は、例えば特開平7−196815号に記載されている方法に従って作ることができる。即ち、平均粒径が0.1〜10μmの球状シリコーンゴム微粒子の水分散液に、アルカリ性物質またはアルカリ性水溶液と、オルガノトリアルコキシシランを添加し、球状シリコーンゴム微粒子表面上で、オルガノトリアルコキシシランを加水分解して重合させ、次いでこれを乾燥する。該複合シリコーン微粒子としては、例えば、信越化学工業社製のKMP−600、KMP−605、X−52−7030などを使用することができる。また、これら2種以上の混合物を使用することもできる。該複合シリコーン微粒子は、平均粒径0.1〜10μm、好ましくは0.5〜5μmである。平均粒径がこの範囲を超えると、本発明の接着フィルムの表面状態の平滑性が損なわれる場合がある。複合シリコーン粒子の配合量は、組成物総質量の5〜30質量%、好ましくは10〜20質量%である。これらの範囲外では、接着剤が低温、低圧で圧着し難くなり、また、硬化物の線膨張率が大きくなる場合ある。 Preferably, composite silicone rubber fine particles are contained together with silica fine powder. The composite silicone fine particles can be prepared, for example, according to the method described in JP-A-7-196815. That is, an alkaline substance or an alkaline aqueous solution and an organotrialkoxysilane are added to an aqueous dispersion of spherical silicone rubber fine particles having an average particle size of 0.1 to 10 μm, and the organotrialkoxysilane is added on the surface of the spherical silicone rubber fine particles. Hydrolyze and polymerize, then dry it. As the composite silicone fine particles, for example, KMP-600, KMP-605, X-52-7030 and the like manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. can be used. A mixture of two or more of these can also be used. The composite silicone fine particles have an average particle size of 0.1 to 10 μm, preferably 0.5 to 5 μm. If the average particle size exceeds this range, the smoothness of the surface state of the adhesive film of the present invention may be impaired. The compounding quantity of a composite silicone particle is 5-30 mass% of a composition total mass, Preferably it is 10-20 mass%. Outside these ranges, it is difficult for the adhesive to be pressure-bonded at low temperatures and low pressures, and the linear expansion coefficient of the cured product may increase.

接着剤層用組成物は、上記各ポリイミド樹脂、各エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化触媒、及び必要によりその他の成分を常法に準じて混合することにより調製することができる。   The composition for an adhesive layer can be prepared by mixing each of the above polyimide resins, each epoxy resin, an epoxy resin curing catalyst, and, if necessary, other components according to a conventional method.

上記で得られた接着剤組成物をトルエン、シクロヘキサノン、NMPなどの非プロトン性極性溶媒に適当な濃度に溶解したものを、基材層4を構成するフィルムの両面に、夫々、接着剤(A)層3と接着剤(B)とを塗布して、接着剤層を調製することができる。接着剤(A)層3と接着剤(B)は同時に塗布してもよいし、任意の順で塗布してもよい。あるいは、各接着剤組成物を、表面を離型処理したポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、紙、金属箔等の離型基材上に該組成物を塗布して、乾燥し、次いで基材層4のフィルム上にラミネートして作成することができる。接着剤(B)5層をラミネートする際に使用された離型基材は、保護フィルム6として使用して残してもよい。接着剤(B)層5の膜厚は、通常、10〜100μmである。また、各接着剤組成物の乾燥条件としては、常温〜200℃、特に80〜150℃で1分〜1時間、特に3〜10分間とすることが好ましい。 A solution obtained by dissolving the adhesive composition obtained above in an aprotic polar solvent such as toluene, cyclohexanone, or NMP at an appropriate concentration is applied to both sides of the film constituting the base material layer 4, respectively. ) Layer 3 and adhesive (B) can be applied to prepare an adhesive layer. The adhesive (A) layer 3 and the adhesive (B) may be applied simultaneously or in any order. Alternatively, each adhesive composition is placed on a release substrate such as polyethylene, polypropylene, polyester, polyamide, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polytetrafluoroethylene, paper, or metal foil whose surface has been release-treated. The composition can be applied, dried, and then laminated onto the film of the base layer 4. The release substrate used when laminating the five layers of the adhesive (B) may be left as a protective film 6. The film thickness of the adhesive (B) layer 5 is usually 10 to 100 μm. Moreover, as drying conditions of each adhesive composition, it is preferable to set it as normal temperature -200 degreeC, especially 80-150 degreeC for 1 minute-1 hour, especially 3-10 minutes.

本発明ダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、上記接着剤(A)及び(B)層を両面に備えた接着フィルムが、基材1上に粘着剤層2上に積層されている。基材層1としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またこれらの共重合体フィルム等のポリオレフィンフィルム;ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム;(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム等を使用することができる。また、これらを架橋したもの、表面をプラズマやコロナ処理したもの、これらフィルム同士又は別のフィルムを積層したものであってもよい。これらのうち、ダイシング工程後、基材を引き伸ばす(エキスパンド)ことにより、切断されたチップを容易に隔離することができる延伸性を有する点で、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム及びそれらの共重合体が好ましい。この基材フィルムの膜厚は、フィルムの種類及び要望される延伸性に依存して適宜調整されるが、典型的には20〜400μmであり、好ましくは30〜150μmである。   In the adhesive film for dicing / die bonding of the present invention, an adhesive film having the adhesive (A) and (B) layers on both sides is laminated on a base material 1 on an adhesive layer 2. As the base material layer 1, polyolefin films such as polyethylene, polypropylene, polybutadiene film, polybutene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, and copolymer films thereof; polyester such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film Film; (meth) acrylic acid copolymer film, vinyl acetate copolymer film, polyether ketone film, polyether ether ketone film, polyether sulfone film, polyamide film, polyimide film, polyetherimide film, polycarbonate film, A polystyrene film or the like can be used. Moreover, what cross-linked these, the thing which plasma or corona-treated the surface, and laminated | stacked these films or another film may be used. Among these, a polyethylene film, a polypropylene film, and a copolymer thereof are preferable in that the base material is stretched (expanded) after the dicing step so that the cut chip can be easily isolated. . Although the film thickness of this base film is suitably adjusted depending on the kind of film and the drawability requested | required, it is typically 20-400 micrometers, Preferably it is 30-150 micrometers.

上記基材層1上に積層される粘着剤層2は、ダイシング工程においてチップ飛びが生じないような、ダイシングフレームとの粘着性を備え、且つ、上述のとおり、接着剤(A)層との間の180度剥離力が、好ましくは0.05〜0.7N/25mm、より好ましくは0.1〜0.4N/25mmである。該粘着剤層2は、上記粘着性、剥離性を備えた公知の粘着剤から構成することができる。粘着剤としては、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤等が挙げられる。あるいは、紫外線照射により粘着力が低下する粘着剤でもよい。好ましくは、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、シリコーン系粘着剤が使用される。また、粘着層の厚さは、5〜100μmであることが好ましく、より好ましくは10〜50μmである。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 laminated on the base material layer 1 has adhesiveness with a dicing frame so that chip skipping does not occur in the dicing process, and as described above, the adhesive layer (A) and The 180 degree peeling force between them is preferably 0.05 to 0.7 N / 25 mm, more preferably 0.1 to 0.4 N / 25 mm. This adhesive layer 2 can be comprised from the well-known adhesive with the said adhesiveness and peelability. Examples of the pressure-sensitive adhesive include rubber-based pressure-sensitive adhesives, acrylic pressure-sensitive adhesives, urethane-based pressure-sensitive adhesives, and silicone-based pressure-sensitive adhesives. Alternatively, an adhesive whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation may be used. Preferably, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, or a silicone adhesive is used. Moreover, it is preferable that the thickness of the adhesion layer is 5-100 micrometers, More preferably, it is 10-50 micrometers.

ダイシングフレームは、通常使用されるステンレス製の物であってよい。粘着力が上記下限値未満であるとウエハーへの圧着時及びダイシング時に、粘着剤層2とダイシングフレームとが剥離する場合がある。好ましくは、前記粘着力は 0.8N/25mm以上である。 The dicing frame may be a commonly used stainless steel product. If the adhesive strength is less than the lower limit, the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the dicing frame may be peeled off during pressure bonding to the wafer and dicing. Preferably, the adhesive strength is 0.8 N / 25 mm or more.

上記シリコーン系粘着剤としては、直鎖状のオルガノポリシロキサンと、固体状のシリコーンレジンとを含む、加熱硬化型の粘着剤を用いることができる。加熱硬化型のシリコーン粘着剤としては、有機過酸化物硬化型と白金付加硬化型がある。 As the silicone-based pressure-sensitive adhesive, a heat-curable pressure-sensitive adhesive containing a linear organopolysiloxane and a solid silicone resin can be used. As the thermosetting silicone adhesive, there are an organic peroxide curing type and a platinum addition curing type.

有機過酸化物硬化型のシリコーン粘着剤は、直鎖状のオルガノポリシロキサンと、(R1 3SiO1/2)単位と(SiO2)単位(R1は置換もしくは非置換の一価炭化水素基)からなるオルガノポリシロキサン共重合体レジン((SiO2)単位に対する(R1 3SiO1/2)単位のモル比が0.5〜1.5)との混合物、及び架橋硬化剤としてのベンゾイルパーオキサイド、ビス(4−メチルベンゾイル)パーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン等の有機過酸化物を含有するものである。白金付加硬化型のシリコーン粘着剤は、直鎖状のビニル基含有オルガノポリシロキサン、前記オルガノポリシロキサン共重合体レジン、及び架橋硬化剤としてケイ素結合水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、触媒として塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金のオレフィン錯体、白金とビニルシロキサンとの錯体等の白金族金属系触媒を含有するものである。比較的低温で速硬化性の白金付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いることが好ましい。硬化度を制御することによって、接着剤との粘着力を制御することができる。 The organic peroxide curable silicone pressure-sensitive adhesive is composed of a linear organopolysiloxane, a (R 1 3 SiO 1/2 ) unit and a (SiO 2 ) unit (R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon. A mixture of an organopolysiloxane copolymer resin (having a molar ratio of (R 1 3 SiO 1/2 ) units to (SiO 2 ) units of 0.5 to 1.5), and a crosslinking curing agent It contains an organic peroxide such as benzoyl peroxide, bis (4-methylbenzoyl) peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane. The platinum addition type silicone pressure sensitive adhesive includes linear vinyl group-containing organopolysiloxane, the organopolysiloxane copolymer resin, organohydrogenpolysiloxane containing silicon-bonded hydrogen atoms as a crosslinking curing agent, and catalyst. It contains a platinum group metal catalyst such as chloroplatinic acid, alcohol-modified chloroplatinic acid, platinum olefin complex, platinum and vinylsiloxane complex. It is preferable to use a platinum addition-curing type silicone pressure-sensitive adhesive that is relatively curable at a low temperature. By controlling the degree of curing, the adhesive force with the adhesive can be controlled.

本発明のダイシング・ダイボンド用接着シートの製造方法を説明する。先ず、フィルム基材1上に、前記した粘着剤を塗布し、熱により乾燥あるいは硬化して粘着剤層2を形成する(以下、これを粘着フィルムと称する)。   The manufacturing method of the adhesive sheet for dicing die-bonding of this invention is demonstrated. First, the above-mentioned pressure-sensitive adhesive is applied onto the film substrate 1, and dried or cured by heat to form the pressure-sensitive adhesive layer 2 (hereinafter referred to as a pressure-sensitive adhesive film).

このようにして得られた粘着フィルムの粘着剤層2表面と、上述のようにして得られた両面に接着剤層を備える接着フィルムを、その外径がダイシングフレームの内径より小さい円形に切り出したものの接着剤層(A)表面とを対向させて、圧着することによって、本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムを得ることができる。ここで、粘着フィルムと接着フィルムとを圧着させる際の条件としては、常温で0.01〜2MPa、特に0.1〜1MPaとすることが好ましい。なお、ウエハーが固定されればよいので、接着フィルムは円形である必要は無く、また、粘着フィルムの形状についても、ダイシングフレーム内に収まり、且つ、ダイシング工程の間、接着フィルムを固定できれば、円形である必要は無い。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 surface of the pressure-sensitive adhesive film thus obtained and the adhesive film provided with the adhesive layer on both sides obtained as described above were cut into a circle whose outer diameter was smaller than the inner diameter of the dicing frame. The adhesive film for dicing and die bonding of the present invention can be obtained by facing the surface of the adhesive layer (A) of the material and pressing it. Here, the conditions for pressure-bonding the adhesive film and the adhesive film are preferably 0.01 to 2 MPa, particularly 0.1 to 1 MPa at room temperature. The adhesive film does not need to be circular as long as the wafer is fixed, and the shape of the adhesive film is circular as long as it fits within the dicing frame and can be fixed during the dicing process. There is no need to be.

本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムの使用方法は、接着剤(B)層5上にカバーフィルム6がある場合にはそれを剥離し、接着剤(B)層5をウエハーに、及び粘着層2をダイシングフレームに圧着あるいは熱圧着して固定する。熱圧着条件は、接着剤(B)層5の組成により選択することができるが、通常は100℃以下である。望ましくは、80℃以下である。次いで、ダイシング装置に固定し、ダイシング後、切断されたチップをピックアップすると、接着剤(A)層3と粘着層2との界面で剥離して、接着フィルムが付着したチップが取り出される。このチップを半導体装置基盤に熱圧着後、加熱硬化することにより接着させる。この熱圧着条件は、80℃〜250℃とすることができる。また加熱硬化条件は、接着剤層の組成により選択することができるが、通常は、120〜250℃である。あるいは、チップを半導体装置基盤に熱圧着、ワイヤーボンデング、樹脂封止し後、封止樹脂のポストキュアーにより同時に硬化することができる。この温度は、150〜250℃である。   In the method of using the adhesive film for dicing / die bonding according to the present invention, if there is a cover film 6 on the adhesive (B) layer 5, it is peeled off, the adhesive (B) layer 5 is applied to the wafer, and the adhesive layer. 2 is fixed to the dicing frame by pressure bonding or thermocompression bonding. The thermocompression bonding conditions can be selected depending on the composition of the adhesive (B) layer 5, but is usually 100 ° C. or lower. Desirably, it is 80 degrees C or less. Next, after fixing to the dicing apparatus and picking up the cut chip after dicing, the chip is peeled off at the interface between the adhesive (A) layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 2, and the chip to which the adhesive film is attached is taken out. The chip is bonded to the semiconductor device substrate by thermocompression and then heat-cured. The thermocompression bonding conditions can be 80 ° C to 250 ° C. Moreover, although heat-hardening conditions can be selected with the composition of an adhesive bond layer, it is 120-250 degreeC normally. Alternatively, after the chip is thermocompression-bonded, wire-bonded, and resin-sealed to a semiconductor device substrate, it can be simultaneously cured by post-curing of the sealing resin. This temperature is 150-250 ° C.

本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、半導体装置の製造だけでなく、接着
及びダイシングの伴う種々の装置の製造工程で用いることが可能である。
The adhesive film for dicing and die bonding of the present invention can be used not only in the production of semiconductor devices but also in the production processes of various devices involving adhesion and dicing.

実施例
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に
制限されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

ポリイミド樹脂−Iの合成
還流冷却器を連結したコック付き25mlの水分定量受器、温度計、撹拌器を備えた1Lのセパラブルフラスコに、酸無水物として3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、32.2質量部を反応溶媒として2−メチルピロリドン150質量部を仕込み、撹拌し酸無水物を分散させた。下記式

Figure 2008021858


で示されるジメチルジアミノポリシロキサン−1 51.28質量部(アミン当量641)を、2−メチルピロリドン50質量部に分散させた溶液を滴下して室温にて1時間撹拌反応させることにより、酸無水物リッチのアミック酸オリゴマーを合成した。 Synthesis of polyimide resin-I Into a 1 L separable flask equipped with a 25 ml water quantitative receiver, thermometer, and stirrer connected to a reflux condenser, 3, 3 ', 4 as acid anhydride , 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 150 parts by mass of 2-methylpyrrolidone was charged using 32.2 parts by mass as a reaction solvent, and the acid anhydride was dispersed by stirring. Following formula
Figure 2008021858


A solution obtained by dispersing 51.28 parts by mass of dimethyldiaminopolysiloxane-1 represented by the formula (amine equivalent 641) in 50 parts by mass of 2-methylpyrrolidone was added dropwise and reacted by stirring at room temperature for 1 hour, thereby allowing acid anhydride. A product-rich amic acid oligomer was synthesized.

次に、下記式

Figure 2008021858


に示すフェノール性水酸基を有する芳香族ジアミン(フェノールジアミン−1)29.68質量部と2−メチルピロリドン140質量部を滴下した後、室温で16時間撹拌し、ポリアミック酸溶液を合成した。その後、トルエン80mlを投入してから温度を上げ、約180℃で4時間還流させた。水分定量受器に所定量の水がたまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認し、水分定量受器にたまっている流出液を除去しながら、180℃でトルエンを除去した。反応終了後、大過剰のメタノール中に得られた反応液を滴下してポリマーを析出させ、減圧乾燥して骨格中にフェノール性の水酸基を有するポリイミド樹脂−Iを得た。得られた樹脂の赤外吸光スペクトルを測定したところ、未反応の官能基があることを示すポリアミック酸に基づく吸収は現れず、1780cm-1及び1720cm-1にイミド基に基づく吸収を確認し、3500cm-1にフェノール性水酸基に基づく吸収を確認した。テトラヒドロフランを溶媒とするゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)にて本樹脂の重量平均分子量(ポリスチレン換算)を測定したところ、56,000であった。 Next, the following formula
Figure 2008021858


After dropping 29.68 parts by mass of an aromatic diamine having a phenolic hydroxyl group (phenol diamine-1) and 140 parts by mass of 2-methylpyrrolidone, the mixture was stirred at room temperature for 16 hours to synthesize a polyamic acid solution. Thereafter, 80 ml of toluene was added, the temperature was raised, and the mixture was refluxed at about 180 ° C. for 4 hours. After confirming that a predetermined amount of water has accumulated in the moisture meter and that no water has flowed out, remove toluene at 180 ° C while removing the effluent accumulated in the meter. did. After completion of the reaction, the reaction solution obtained in a large excess of methanol was added dropwise to precipitate a polymer, which was dried under reduced pressure to obtain a polyimide resin-I having a phenolic hydroxyl group in the skeleton. When the infrared absorption spectrum of the obtained resin was measured, absorption based on polyamic acid indicating that there was an unreacted functional group did not appear, and absorption based on an imide group was confirmed at 1780 cm −1 and 1720 cm −1 . Absorption based on a phenolic hydroxyl group was confirmed at 3500 cm −1 . It was 56,000 when the weight average molecular weight (polystyrene conversion) of this resin was measured by the gel permeation chromatography (GPC) which uses tetrahydrofuran as a solvent.

ポリイミド樹脂−IIの合成
合成例1において、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物の代わりに6FDA(2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン)44.4質量部、ジメチルジアミノポリシロキサン−1代わりに、同じ構造であるジメチルジアミノポリシロキサン−2(アミン当量407)56.98質量部 フェノール性水酸基を有するフェノールジアミン−1の代わりに、芳香族ジアミンとして:BAPP(2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン)12.3質量部と反応溶媒である2−メチルピロリドンの使用量として340質量部(全量)を用いた以外は合成例1に準じて、骨格中にフェノール性水酸基を有しないポリイミド樹脂−IIを得た。同様に分子量を測定し結果、72,000であった。
Synthesis of polyimide resin-II In Synthesis Example 1, instead of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 6FDA (2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) was used. ) Hexafluoropropane) 44.4 parts by mass, instead of dimethyldiaminopolysiloxane-1, dimethyldiaminopolysiloxane-2 (amine equivalent 407) 56.98 parts by mass of phenoldiamine-1 having a phenolic hydroxyl group Instead, as an aromatic diamine: 12.3 parts by mass of BAPP (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane) and 340 parts by mass of 2-methylpyrrolidone as a reaction solvent ( According to Synthesis Example 1 except that the total amount) was used, polyimide resin-II having no phenolic hydroxyl group in the skeleton was obtained. . Similarly, the molecular weight was measured and found to be 72,000.

ポリイミド樹脂溶液の調製
合成例1及び2で得られたポリイミド樹脂1〜2の40質量部を、シクロヘキサノン60質量部に溶解し、ポリイミド樹脂溶液を得た。
Preparation of polyimide resin solution 40 parts by mass of polyimide resins 1 and 2 obtained in Synthesis Examples 1 and 2 were dissolved in 60 parts by mass of cyclohexanone to obtain a polyimide resin solution.

接着剤組成物の調製
溶液に、下記表1に示すエポキシ樹脂、触媒、シリカ、及び複合シリコーンゴム微粒子を同表に示す配合量で、自転・公転方式の混合機((株)シンキー社製)で混合して、接着剤(A)層の及び接着剤(B)層の各組成物を調製した。
In the preparation solution of the adhesive composition, the epoxy resin, catalyst, silica, and composite silicone rubber fine particles shown in Table 1 below are blended in the amounts shown in the same table, and a rotating / revolving mixer (manufactured by Sinky Corporation). To prepare each composition of the adhesive (A) layer and the adhesive (B) layer.

接着フィルムの作製
前記で得られた各接着剤(A)及び(B)を、夫々、フッ素シリコーン離型剤を被覆した厚さ50μmのPETフィルムに塗布し、120℃で15分間加熱乾燥し、約20μmの接着剤(A)及び(B)層を形成した。これらの接着剤層を基材層1のフィルムの両面に、表1に示す組合せで熱圧着して、接着フィルムを作製した。これらの接着フィルムI〜IXとする。PETフィルムは剥離せずに、接着剤(A)層側については後述する粘着フィルムと貼り合わせる際に剥離し、接着剤(B)側については、保護フィルムとして、シリコンウエハを熱圧着する際に剥離した。
Production of Adhesive Film Each of the adhesives (A) and (B) obtained above was applied to a 50 μm thick PET film coated with a fluorosilicone release agent, and heated and dried at 120 ° C. for 15 minutes. About 20 μm of adhesive (A) and (B) layers were formed. These adhesive layers were thermocompression bonded to both surfaces of the film of the base material layer 1 in the combinations shown in Table 1 to produce an adhesive film. These adhesive films I to IX are used. Without peeling off the PET film, the adhesive (A) layer side is peeled off when bonded to an adhesive film to be described later, and the adhesive (B) side is peeled off as a protective film when a silicon wafer is thermocompression bonded. It peeled.

シリコーン粘着剤I〜IIの調製
[調製例1]
(CH33SiO1/2単位1.1モルとSiO2単位1モルの割合からなるメチルポリシロキサンレジンを60質量%含むトルエン溶液33.33質量部、末端及び側鎖にビニル基を100g当たり0.002モル有する重合度2,000の生ゴム状のジメチルポリシロキサン80質量部とトルエン172質量部を均一になるまで溶解し、次いで、この混合溶液に、下記構造のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン化合物0.68質量部と反応抑制剤として3−メチル−1−ブチン−3−オール0.24質量部混合し、次いでこの混合物に白金量が40ppmとなるような塩化白金酸の2−エチルヘキサノール変性溶液とを混合し、シリコーン粘着剤組成物−Iを調製した。
Preparation of silicone adhesives I-II [Preparation Example 1]
33.33 parts by mass of a toluene solution containing 60% by mass of a methylpolysiloxane resin consisting of 1.1 mol of (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units and 1 mol of SiO 2 units, 100 g of vinyl groups at the ends and side chains 80 parts by mass of raw rubber-like dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 2,000 having 0.002 mol per mole and 172 parts by mass of toluene are dissolved until uniform, and then silicon-bonded hydrogen atoms having the following structure are added to this mixed solution. An organopolysiloxane compound having 0.68 parts by mass and 3-methyl-1-butyn-3-ol 0.24 parts by mass as a reaction inhibitor were mixed, and then the mixture was mixed with chloroplatinic acid such that the platinum amount was 40 ppm. A silicone pressure-sensitive adhesive composition-I was prepared by mixing with 2-ethylhexanol-modified solution.

Figure 2008021858
Figure 2008021858

[調製例2]
調製例1に準じて、(CH33SiO1/2単位1.1モルとSiO2単位1モルの割合からなるメチルポリシロキサンレジンを60質量%含むトルエン溶液50質量部、末端及び側鎖にビニル基を100g当たり0.002モル有する重合度2,000の生ゴム状のジメチルポリシロキサン70質量部、トルエン165.7質量部、上記構造のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン化合物0.64質量部、反応抑制剤として3−メチル−1−ブチン−3−オール0.24質量部と白金量が40ppmとなるような塩化白金酸の2−エチルヘキサノール変性溶液とから、シリコーン粘着剤組成物−IIを調製した。
[Preparation Example 2]
According to Preparation Example 1, 50 parts by mass of a toluene solution containing 60% by mass of a methylpolysiloxane resin consisting of 1.1 mol of (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units and 1 mol of SiO 2 units, terminal and side chains 70 parts by weight of a raw rubber-like dimethylpolysiloxane having a degree of polymerization of 2,000 having 0.002 moles of vinyl groups per 100 g, 165.7 parts by weight of toluene, and an organopolysiloxane compound having a silicon atom-bonded hydrogen atom having the above structure. A silicone adhesive composition comprising 64 parts by mass, 0.24 parts by mass of 3-methyl-1-butyn-3-ol as a reaction inhibitor and a 2-ethylhexanol-modified solution of chloroplatinic acid so that the platinum amount is 40 ppm. Product-II was prepared.

粘着フィルムの作製
上記シリコーン粘着剤組成物I及びIIを、夫々、厚さ100μmの無延伸ポリエチレン(LDP)上に塗布し、100℃で10分間加熱して15μmのシリコーン粘着層を形成させることにより、シリコーン粘着フィルムI及びIIを作製した。
Production of pressure-sensitive adhesive film The silicone pressure-sensitive adhesive compositions I and II were each applied onto 100 μm-thick unstretched polyethylene (LDP) and heated at 100 ° C. for 10 minutes to form a 15 μm-thick silicone pressure-sensitive adhesive layer. Silicone adhesive films I and II were prepared.

ダイシング・ダイボンドシートの作製(実施例1〜6、参考例1〜3)
前記で得られたシリコーン粘着フィルムの粘着層面と接着フィルムの接着剤(A)層面を表1に示す組み合わせで、荷重2kg、巾300mmロールにより圧着し、各ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
Preparation of dicing die bond sheet (Examples 1-6, Reference Examples 1-3)
The dicing die-bonding films were prepared by pressing the pressure-sensitive adhesive layer surface of the silicone pressure-sensitive adhesive film obtained above and the adhesive (A) layer surface of the adhesive film with a combination shown in Table 1 with a load of 2 kg and a width of 300 mm.

比較例1
粘着層I上に、表1に示す樹脂からなる、一の接着層のみからなるダイシング・ダイボンドフィルムを作成した。
Comparative Example 1
On the pressure-sensitive adhesive layer I, a dicing die-bonding film made of only one adhesive layer made of the resin shown in Table 1 was prepared.

接着剤(A)及び(B)単独から得られる硬化物のガラス転移点、ヤング率、及び吸湿率の測定を、及び、各ダイシング・ダイボンドシートを用いて、ウエハーへの熱圧着性、シリコン基板及びBT基板への接着性、粘着剤層2と接着剤(A)層の間の180度剥離力、ダイシング及びチップ取り出し性、樹脂封止後のパッケージの信頼性評価を、夫々下記に示す方法に従って行った。表1及び表2にこれらの結果を示す。   Measurement of glass transition point, Young's modulus, and moisture absorption rate of cured product obtained from adhesives (A) and (B) alone, and thermocompression bonding to wafer using each dicing die bond sheet, silicon substrate And adhesion to the BT substrate, 180 degree peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer, dicing and chip removal, and reliability evaluation of the package after resin sealing, respectively, as shown below Went according to. Tables 1 and 2 show these results.

接着剤層(B)のシリコンウエハーからの剥離性状
前記で得られた各接着剤層の組成物(B)を厚み50μmのポリイミドフィルム(カプトン)上に塗布し、120℃で15分間加熱乾燥し、約20μmの接着剤層を形成させた。幅25mmのテープ状に裁断し、これらの接着剤層をシリコンウエハーに60℃で熱圧着し、試験試料を作成した。この試料を25±2℃、50±5%RHの恒温恒湿下に24時間放置した後、剥離速度300mm/分で180°の剥離力を測定した。凝集破壊を示したものを「○」で、そうでないものを「×」とした。
Release property of adhesive layer (B) from silicon wafer The composition (B) of each adhesive layer obtained above was applied onto a polyimide film (Kapton) having a thickness of 50 μm, and the adhesive layer (B) was 15 at 120 ° C. Heat drying for minutes to form an adhesive layer of about 20 μm. The tape was cut into a 25 mm width, and these adhesive layers were thermocompression bonded to a silicon wafer at 60 ° C. to prepare test samples. The sample was allowed to stand for 24 hours under constant temperature and humidity of 25 ± 2 ° C. and 50 ± 5% RH, and then the peel strength at 180 ° was measured at a peel rate of 300 mm / min. Those showing cohesive failure were marked with “◯”, and those not showing with “x”.

吸湿率
各接着剤組成物を100μmの厚さに成型し、この接着層5枚を約0.5mmの厚さに成るように熱圧着により積層し、175℃で4時間加熱硬化させた。硬化物から50mm×50mm×0.5mmのフィルムを切り出し、85℃/85%RHの条件下で168時間保持した後、質量変化により吸湿率を測定した。
Moisture absorption rate Each adhesive composition was molded to a thickness of 100 μm, and five adhesive layers were laminated by thermocompression bonding so as to have a thickness of about 0.5 mm, followed by heat curing at 175 ° C. for 4 hours. A 50 mm × 50 mm × 0.5 mm film was cut out from the cured product and held for 168 hours under the condition of 85 ° C./85% RH, and then the moisture absorption rate was measured by mass change.

ガラス転移点、
前記接着フィルムを175℃で2時間熱処理し、乾燥及び硬化させた。各接着層(A)、(B)について、20mm×5mm×50μmのフィルムを、切り出して、ガラス転移点を測定した。測定には熱機械測定装置、TMA−2000(アルバック理工製)を用い、引張りモードで、チャック間距離15mm、測定温度25〜300℃、昇温速度5℃/分、測定荷重3gの条件でガラス転移点を測定した。
Glass transition point,
The adhesive film was heat treated at 175 ° C. for 2 hours, dried and cured. For each of the adhesive layers (A) and (B), a 20 mm × 5 mm × 50 μm film was cut out and the glass transition point was measured. For the measurement, a thermomechanical measuring device, TMA-2000 (manufactured by ULVAC-RIKO) is used, and in a tensile mode, glass is measured under conditions of a distance between chucks of 15 mm, a measuring temperature of 25 to 300 ° C., a heating rate of 5 ° C./min and a measuring load of 3 g The transition point was measured.

ヤング率
前記で得られた各接着剤層を175℃で4時間加熱して硬化させた。40mm×10mm×50μmのフィルムを切り出し、動的粘弾性測定装置を用い、引張りモードで、チャック間距離10mm、測定温度25℃、測定周波数1Hzの条件でヤング率を測定した
Young's modulus Each adhesive layer obtained above was cured by heating at 175 ° C. for 4 hours. A 40 mm × 10 mm × 50 μm film was cut out, and the Young's modulus was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device in a tensile mode under conditions of a distance between chucks of 10 mm, a measurement temperature of 25 ° C., and a measurement frequency of 1 Hz.

接着性試験
ダイシング・ダイボンドフィルムを450μmの6インチのシリコンウエハーに熱圧着し、次いで2mm×2mmにダイシングした。裏面に接着フィルムが付いたシリコンチップを取りだして、10mm×10mmのレジストAUS303((株)ユニテクノ社製)が塗布硬化されたBT基板とシリコン基板に、夫々、170℃、0.1MPaの条件で2秒熱圧着し、固定した。得られた試験体を175℃で4時間加熱して接着層を硬化させ、接着用試験片を作製した。ボンドテスター(DAGE社製、4000PXY)により、240℃におけるせん断接着力を測定した。
Adhesion Test A dicing die bond film was thermocompression bonded to a 450 μm 6-inch silicon wafer and then diced to 2 mm × 2 mm. A silicon chip with an adhesive film on the back surface is taken out, and a 10 mm × 10 mm resist AUS303 (manufactured by Unitechno Co., Ltd.) is applied and cured on a BT substrate and a silicon substrate under the conditions of 170 ° C. and 0.1 MPa, respectively. It was fixed by thermocompression for 2 seconds. The obtained test body was heated at 175 ° C. for 4 hours to cure the adhesive layer, and an adhesive test piece was produced. The shear adhesive strength at 240 ° C. was measured with a bond tester (manufactured by DAGE, 4000PXY).

粘着剤層2と接着剤(A)層の間の180度剥離力(剥離力A)の測定
前記で得られたダイシング・ダイボンドシートを巾25mmのテープ状に切り出し、接
着フィルムの接着剤層(B)側のカバーフィルム(PET)を剥離して、接着剤層(B)面をウエハーm)に60℃、0.01MPaの条件で5秒熱圧着した。この試験体を、25±2℃、50±5%RHの恒温恒湿下に24時間放置した後、粘着フィルムの端を接着剤層から剥離して180°に折り返し、300mm/分の速度で引き剥がしたときの剥離力を測定した。
Measurement of 180 degree peeling force (peeling force A) between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer The dicing / die-bonding sheet obtained above was cut into a tape having a width of 25 mm, and the adhesive layer ( The cover film (PET) on the B) side was peeled off, and the adhesive layer (B) surface was thermocompression bonded to the wafer m) at 60 ° C. and 0.01 MPa for 5 seconds. After leaving this test body under constant temperature and humidity of 25 ± 2 ° C. and 50 ± 5% RH for 24 hours, the end of the adhesive film was peeled off from the adhesive layer and turned back to 180 °, and at a speed of 300 mm / min. The peel force when peeled off was measured.

ダイシング及びチップ取り出し試験
前記で得られたダイシング・ダイボンドシートの接着フィルムの接着剤層(B)側のカバーフィルムを剥離して(PET)、テクノビジョン社製のフィルム貼り付け装置(FM−114)で75μmの8インチウエハーに60℃で熱圧着した(ロール圧、2kg)。これを10mm角のチップにダイシングし、NECマシナリー社製のダイボンダー装置(BESTEM−D02−TypeC)でチップ取り出しを行った。表において、ダイシング時にチップが飛ばなかったものを「○」、又、チップの取り出しが問題なくできたものを「○」、そうでないものを「×」で表した。
Dicing and chip removal test The cover film on the adhesive layer (B) side of the adhesive film of the dicing die bond sheet obtained above was peeled off (PET), and the film pasting device (FM-114) manufactured by Technovision And thermocompression bonded to a 75 μm 8-inch wafer at 60 ° C. (roll pressure, 2 kg). This was diced into 10 mm square chips, and the chips were taken out with a die bonder device (BESTEM-D02-TypeC) manufactured by NEC Machinery. In the table, “o” indicates that the chip did not fly during dicing, “o” indicates that the chip could be removed without any problem, and “x” indicates that the chip was not removed.

熱圧着性
前記で得られたダイシング・ダイボンドフィルムを幅25mm×200mmに裁断し、これをウエハーの鏡面側に60℃の温度、ロールで熱圧着した。次いで、粘着剤層2を、接着剤(A)層から剥離し、ウエハー面からの接着剤(B)層の剥離の有無を確認した。粘着剤層を剥離する際に、接着剤層も共に剥離されるフィルムは、ウエハーへの熱圧着性が悪いことを意味する。これは、表1に「×」で表した。粘着剤層を剥離する際に、接着剤層との界面から剥離されるフィルムは、チップを取り出す際に接着剤層がチップに付着された状態で取り出すことができるものであり、ダイシング・ダイボンドフィルムとして好適であることを意味する。これは、表1に「○」で表した。
Thermocompression bonding The dicing die-bonding film obtained above was cut into a width of 25 mm × 200 mm, and this was thermocompression bonded to the mirror surface side of the wafer with a roll at a temperature of 60 ° C. Next, the pressure-sensitive adhesive layer 2 was peeled from the adhesive (A) layer, and the presence or absence of peeling of the adhesive (B) layer from the wafer surface was confirmed. When the pressure-sensitive adhesive layer is peeled off, the film from which the adhesive layer is also peeled off means that the thermocompression bonding property to the wafer is poor. This is represented by “x” in Table 1. When the adhesive layer is peeled off, the film peeled off from the interface with the adhesive layer can be taken out with the adhesive layer attached to the chip when the chip is taken out. It means that it is suitable as. This is represented by “◯” in Table 1.

樹脂封止後のパッケージの信頼性
ダイシング・ダイボンドフィルムを、75μmの8インチのシリコンウエハーに熱圧着し、次いでダイシングしシリコンウエハーを8mm×8mmに切断した。250μmの樹脂基板(レジストAUS303が塗布硬化されたBT基板)上に、このシリコンチップをマップ状に、0.1MPa、170℃で、1秒間熱圧着し、次いで、樹脂基板上から600μmの厚さでモールド材KMC2500VA−T1(信越化学工業社製)で樹脂封止(175℃、封止圧力6.9MPa、90秒間)した後、175℃、4時間で加熱硬化した。切り離したパッケージ合計10個を60℃/60%RHの条件下で192時間保持し、次いで260℃のリフロー炉に3回通した後、超音波画像測定装置で剥離の有無を観察した。
Reliability of Package After Resin Sealing The dicing die bond film was thermocompression bonded to a 75 μm 8-inch silicon wafer, then diced to cut the silicon wafer into 8 mm × 8 mm. This silicon chip is thermocompression-bonded on a 250 μm resin substrate (BT substrate on which resist AUS303 has been applied and cured) in a map at 0.1 MPa and 170 ° C. for 1 second, and then 600 μm thick from the resin substrate. The resin was sealed with a molding material KMC2500VA-T1 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (175 ° C., sealing pressure 6.9 MPa, 90 seconds), and then heat-cured at 175 ° C. for 4 hours. A total of 10 separated packages were held for 192 hours under the condition of 60 ° C./60% RH, then passed through a reflow furnace at 260 ° C. three times, and then the presence or absence of peeling was observed with an ultrasonic image measuring device.

表1中の樹脂等は、下記のとおりである。
エポキシ樹脂1:RE−310S(日本化薬社製):液状樹脂
エポキシ樹脂2:NC−7000L(日本化薬社製):軟化点83〜93℃
エポキシ樹脂3:NC−3000(日本化薬社製):軟化点53〜63℃
ジシアンジアミド(ジャパンエポキシレジン社製)
球状シリカ:SE−2050MA(アドマテックス社製、平均粒径0.5μm)
シリコーンゴム粉末:X−52−7030(信越化学工業社製、平均粒径0.7μm)
Resins and the like in Table 1 are as follows.
Epoxy resin 1: RE-310S (Nippon Kayaku Co., Ltd.): Liquid resin epoxy resin 2: NC-7000L (Nippon Kayaku Co., Ltd.): Softening point 83-93 ° C
Epoxy resin 3: NC-3000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.): Softening point 53-63 ° C
Dicyandiamide (Japan Epoxy Resin)
Spherical silica: SE-2050MA (manufactured by Admatechs, average particle size 0.5 μm)
Silicone rubber powder: X-52-7030 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., average particle size 0.7 μm)

Figure 2008021858
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Figure 2008021858
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比較例1は、エポキシ樹脂を含む単層構造であり、基材層4を有しないため、吸湿性が高く、信頼性に劣った。参考例1は、(b2)エポキシ樹脂の含有量が少なすぎて、所望の熱圧着性を達成できなかった。参考例2は、(b1)エポキシ樹脂量が多すぎ、所望の信頼性が得られなかった。参考例3は、接着剤(B)中のエポキシ樹脂の軟化点が高く、所望の熱圧着性を達成できなかった。これに対して、実施例のダイシング・ダイボンドフィルムは、熱圧着性及び信頼性を示した。   Comparative Example 1 has a single-layer structure including an epoxy resin, and has no base material layer 4. Therefore, the hygroscopic property is high and the reliability is inferior. In Reference Example 1, the content of (b2) epoxy resin was too small to achieve the desired thermocompression bonding property. In Reference Example 2, the amount of (b1) epoxy resin was too large, and the desired reliability was not obtained. In Reference Example 3, the softening point of the epoxy resin in the adhesive (B) was high, and the desired thermocompression bonding property could not be achieved. On the other hand, the dicing die-bonding film of the example showed thermocompression bonding property and reliability.

本願発明のダイシング・ダイボントフィルムは、低温熱圧着性、パッケージ信頼性の双方を備え、半導体製造に好適である。 The dicing die bond film of the present invention has both low temperature thermocompression bonding and package reliability and is suitable for semiconductor manufacturing.

本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the dicing die-bonding film of this invention. 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにシリコンウエハー及びダイシングフレームを固定した状態の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the state which fixed the silicon wafer and the dicing frame to the dicing die-bonding film of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基材層
2 粘着剤層
3 接着剤(A)層
4 基材層
5 接着剤(B)層
6 保護フィルム
7 ウエハー
8 ダイシングフレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material layer 2 Adhesive layer 3 Adhesive (A) layer 4 Base material layer 5 Adhesive (B) layer 6 Protective film 7 Wafer 8 Dicing frame

Claims (9)

基材層1上に積層された粘着剤層2、粘着剤層2の上に積層された接着剤(A)層3、接着剤(A)層3上に積層された基材層4、基材層4上に積層された接着剤(B)層5を備え、
接着剤(A)層を構成する樹脂が、
(a1)ポリイミド樹脂 60〜95質量%
(b1)エポキシ樹脂 40〜5質量%
からなり、
接着剤(B)層を構成する樹脂が、
(a2)ポリイミド樹脂 20〜70質量%
(b2)環球法JIS−K7234で測定される軟化点が80℃以下であるエポキシ樹脂
80〜30質量%
からなることを特徴とするダイシング・ダイボンド用接着フィルム。
Adhesive layer 2 laminated on base material layer 1, adhesive (A) layer 3 laminated on adhesive layer 2, base material layer 4 laminated on adhesive (A) layer 3, base An adhesive (B) layer 5 laminated on the material layer 4;
The resin constituting the adhesive (A) layer is
(A1) Polyimide resin 60-95 mass%
(B1) Epoxy resin 40-5 mass%
Consists of
The resin constituting the adhesive (B) layer is
(A2) Polyimide resin 20-70 mass%
(B2) Epoxy resin having a softening point of 80 ° C. or less as measured by the ring and ball method JIS-K7234
80-30% by mass
An adhesive film for dicing and die bonding, comprising:
(b2)環球法JIS−K7234で測定される軟化点が80℃以下であるエポキシ樹脂が、25℃で液状の樹脂である、請求項1記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。   (B2) The adhesive film for dicing and die bonding according to claim 1, wherein the epoxy resin having a softening point of 80 ° C. or less measured by the ring and ball method JIS-K7234 is a liquid resin at 25 ° C. 接着剤(A)が、(a1)ポリイミド樹脂と(b1)エポキシ樹脂との合計100質量部に対して、0.05〜10質量部の(c)エポキシ樹脂硬化触媒を含む、請求項1または2記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。   The adhesive (A) contains 0.05 to 10 parts by mass of (c) an epoxy resin curing catalyst with respect to 100 parts by mass in total of (a1) polyimide resin and (b1) epoxy resin. The adhesive film for dicing and die bonding according to 2. 接着剤(B)が、(a2)ポリイミド樹脂と(b2)エポキシ樹脂との合計100質量部に対して、0.05〜10質量部の(c)エポキシ樹脂硬化触媒を含む、請求項1〜3のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。   The adhesive (B) contains 0.05 to 10 parts by mass of (c) an epoxy resin curing catalyst with respect to 100 parts by mass in total of (a2) polyimide resin and (b2) epoxy resin. 4. The adhesive film for dicing / die bonding according to any one of 3 above. 基材層4がポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムから成る、請求項1〜4のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。 The adhesive film for dicing and die bonding according to claim 1, wherein the base material layer 4 is made of a polyimide film or a polyester film. 基材層4の厚みが30μm以下である、請求項1〜5のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。 The adhesive film for dicing and die bonding according to any one of claims 1 to 5, wherein the thickness of the base material layer 4 is 30 µm or less. (a1)ポリイミド樹脂及び/又は(a2)ポリイミド樹脂が、フェノール性の水酸基を有するポリイミドシリコーン樹脂である、請求項1〜6のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。 The adhesive film for dicing / die bonding according to any one of claims 1 to 6, wherein (a1) polyimide resin and / or (a2) polyimide resin is a polyimide silicone resin having a phenolic hydroxyl group. 粘着剤層2と接着剤(A)層3との間の、剥離速度300mm/分で測定される180度剥離力が、0.05〜0.7N/25mmである、請求項1〜7のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。 The 180 degree peeling force measured at a peeling speed of 300 mm / min between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive (A) layer 3 is 0.05 to 0.7 N / 25 mm. The adhesive film for dicing and die bonding according to any one of the preceding claims. 接着剤(B)層5が100℃以下の温度で、基材表面に熱圧着する、請求項1〜8のいずれか1項記載のダイシング・ダイボンド用接着フィルム。   The adhesive film for dicing and die bonding according to any one of claims 1 to 8, wherein the adhesive (B) layer 5 is thermocompression bonded to the substrate surface at a temperature of 100 ° C or lower.
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