KR101428287B1 - Wafer processing tape and method of producing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지한다.
웨이퍼 가공용 테이프(1)는, 접착제층(3)의 외주부(34, 36)에 가압부(20)가 형성되고, 접착제층(3)의 외주부(34, 36)의 박리력이 접착제층(3)의 반도체 웨이퍼(W)가 접합될 예정인 접합 예정부(30)의 박리력보다 크고, 외주부(34, 36)의 박리력이 0.5N/25mm 이상이다.The present invention prevents the adhesive layer from peeling off the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape.
The tape 1 for wafer processing has a pressing portion 20 formed on the outer peripheral portions 34 and 36 of the adhesive layer 3 and a peeling force of the outer peripheral portions 34 and 36 of the adhesive layer 3 is applied to the adhesive layer 3 Is greater than the peeling force of the joining portion 30 to be joined and the peeling force of the outer circumferential portions 34 and 36 is 0.5 N / 25 mm or more.

Description

웨이퍼 가공용 테이프 및 그의 제조 방법{WAFER PROCESSING TAPE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer processing tape,

본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이며, 특히 반도체 웨이퍼의 다이싱, 픽업에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly, to a wafer processing tape used for dicing and picking up semiconductor wafers and a manufacturing method thereof.

반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단할 때, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 기판 등에 접착하기 위한 다이 본딩 필름의 양쪽의 기능을 겸비하는 「웨이퍼 가공용 테이프」가 개발되어 있다. 웨이퍼 가공용 테이프는 주로 박리 필름과, 다이싱 테이프로서 기능하는 점착 테이프와, 다이 본딩 필름으로서 기능하는 접착제층으로 구성되어 있다."Wafer processing tape" that combines the functions of both a dicing tape for fixing a semiconductor wafer and a die bonding film for adhering a cut semiconductor chip to a substrate when the semiconductor wafer is cut into individual semiconductor chips is developed . The wafer processing tape mainly comprises a release film, an adhesive tape serving as a dicing tape, and an adhesive layer functioning as a die bonding film.

최근에는, 휴대 기기에 적합한 메모리 등의 전자 디바이스 분야에 있어서, 보다 한층 더 박형화와 고용량화가 요구되고 있다. 그로 인해, 두께 50㎛ 이하의 반도체 칩을 다단 적층하는 실장 기술에 대한 요청은 해마다 높아지고 있다.In recent years, in the field of electronic devices such as memories suitable for portable devices, further thinning and high capacity have been required. As a result, the demand for a mounting technique for stacking semiconductor chips having a thickness of 50 탆 or less in layers is increasing every year.

이러한 요청에 따르기 위해, 박막화를 도모할 수 있으며, 반도체 칩의 회로 표면의 요철을 매립할 수 있는 유연성을 갖는 상기 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조).In order to comply with such a request, the above-described wafer processing tape capable of being thinned and capable of embedding unevenness of the circuit surface of a semiconductor chip has been developed and disclosed (for example, refer to Patent Documents 1 and 2) .

웨이퍼 가공용 테이프는, 일반적으로 반도체 웨이퍼의 크기보다 크지만 링 프레임에는 접촉하지 않을 정도의 형상으로, 접착제층측으로부터 접착제층과 점착제층의 계면 부분까지 펀칭되어 있으며, 접합시에는 웨이퍼 마운터에 의해 반도체 웨이퍼와 그것을 지지하는 링 프레임에 접합되어, 링 프레임 위에서 원형으로 절단된다.The wafer processing tape is punched out from the adhesive layer side to the interface portion between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer in such a shape that it is generally larger than the size of the semiconductor wafer but does not contact the ring frame, And a ring frame supporting it, and cut into a circle on the ring frame.

최근에는, 상기 작업성을 고려하여 웨이퍼 가공용 테이프는 프리컷 가공이 이루어지고 있다. 「프리컷 가공」이란, 점착 테이프(기재 필름 위에 점착제층이 형성되어 있음)에 대하여 미리 펀칭 가공을 실시하는 것을 말하며, 상세하게는 기재 필름 및 점착제층을, 링 프레임에 접합 가능하면서도 링 프레임으로부터 밀려나오지 않는 크기로 원형으로 펀칭 가공을 실시하는 것이다.In recent years, in view of the above workability, the wafer processing tape is subjected to free cutting processing. The "pre-cut process" refers to pre-punching a pressure-sensitive adhesive tape (on which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on a base film). Specifically, the base film and the pressure-sensitive adhesive layer can be bonded to the ring frame, The punching process will be carried out in a circular size that does not come out.

프리컷 가공을 실시한 웨이퍼 가공용 테이프를 사용하면, 도 12에 도시한 바와 같이 웨이퍼 마운터에 의한 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 공정에 있어서, 원형으로 펀칭된 웨이퍼 가공용 테이프(1)가 박리용 쐐기(101)에 의해 박리 필름(2)으로부터 박리가 용이해진 후, 접합 롤러(103)에 의해 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)으로의 접합이 실시되고, 링 프레임(5) 위에서 점착 테이프(4)를 절단하는 공정을 생략할 수 있으며, 나아가서는 링 프레임(5)으로의 데미지를 없앨 수도 있다.As shown in Fig. 12, in the process of joining to the semiconductor wafer W by the wafer mounter, the circularly punched wafer for processing tape 1 is peeled off from the wedge 101 for peeling The joining to the semiconductor wafer W and the ring frame 5 is carried out by the joining roller 103 and the adhesive tape 4 It is possible to omit the step of cutting the ring frame 5, and further, the damage to the ring frame 5 can be eliminated.

그 후에는 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하여 복수의 반도체 칩을 제작하고, 점착 테이프(4)의 기재 필름측으로부터 방사선을 조사하거나 하여 점착제층과 접착제층(3) 사이의 박리 강도(점착력)를 충분히 저하시킨 후, 점착 테이프(4)의 기재 필름을 익스팬드시켜 반도체 칩의 픽업을 행한다. 「방사선」이란, 자외선과 같은 광선 또는 전자선 등의 전리성 방사선을 말한다.Thereafter, the semiconductor wafer W is diced to produce a plurality of semiconductor chips, and the peeling strength (adhesive force) between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer 3 is increased by irradiating radiation from the base film side of the pressure- The base film of the adhesive tape 4 is expanded to pick up the semiconductor chip. The term " radiation " refers to ionizing radiation such as ultraviolet rays or electron beams.

일본 특허 공개 제2000-154356호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-154356 일본 특허 공개 제2003-60127호 공보Japanese Patent Laying-Open No. 2003-60127

그런데, 상기와 같은 웨이퍼 마운터에 의한 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 공정에 있어서, 이러한 프리컷 가공을 실시한 웨이퍼 가공용 테이프(1)로부터 박리 필름(2)을 박리하면, 웨이퍼 가공용 테이프(1)의 선단 부분이 박리용 쐐기(101)를 통과한 경우, 접착제층(3)의 선단 부분이 점착 테이프(4)의 점착제층으로부터 박리되어, 접착제층(3)이 반도체 웨이퍼(W)에 밀착되어 있지 않은 부분이 형성된다는 문제가 발생하였다.When the peeling film 2 is peeled off from the wafer processing tape 1 subjected to such free cutting in the process of joining the wafer to the semiconductor wafer W by the wafer mounter as described above, The tip portion of the adhesive layer 3 is peeled from the adhesive layer of the adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 is not in close contact with the semiconductor wafer W There is a problem that a portion is formed.

그 이유로서, 접착제층(3)과 점착 테이프(4)의 점착제층 사이의 박리력 (점착력)이 매우 낮은 것을 들 수 있다.The reason is that the peeling force (adhesive force) between the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape 4 is extremely low.

그러나, 접착제층(3)과 점착제층 사이의 박리력을 상승시키는 것은, 그 후의 공정에 있어서 기재 필름을 익스팬드시키고, 반도체 칩을 픽업할 때, 픽업 오류를 발생시키는 원인이 될 수 있다는 것이 알려져 있다.However, it is known that raising the peeling force between the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer can cause a pick-up error when the base film is expanded in the subsequent steps and the semiconductor chip is picked up have.

최근의 경향으로서, 1개의 반도체 패키지 내에서 보다 많은 반도체 칩을 적층하기 위해 반도체 칩을 박육화하는 것이 점점 더 진행되고 있으며, 이러한 박육의 반도체 칩의 픽업을 오류 없이 행하기 위해서는, 접착제층(3)과 점착제층 사이의 박리력이 보다 낮은 것이 요구되고 있는 상황에 있어, 안이하게 박리력을 상승시키는 것은 곤란하였다.As a recent tendency, in order to laminate more semiconductor chips in a single semiconductor package, the thickness of the semiconductor chip is gradually increasing. In order to erroneously pick up the thin semiconductor chips, the adhesive layer (3) And the pressure-sensitive adhesive layer is required to be lower, it is difficult to easily raise the peeling force.

따라서, 본 발명의 주목적은, 반도체 웨이퍼로의 접합 공정에 있어서, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프 및 그의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, a main object of the present invention is to provide a wafer processing tape capable of preventing peeling of an adhesive layer from an adhesive layer of an adhesive tape in a process of bonding to a semiconductor wafer, and a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 제1 형태에 의하면,According to a first aspect of the present invention for solving the above problems,

박리 필름과,A peeling film,

상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,An adhesive layer partially formed on the release film,

기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,An adhesive tape comprising a substrate film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is laminated on the adhesive layer so as to be in contact with the release film around the adhesive layer,

상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부가 함께 가압된 가압부가 형성되고,A pressurized portion in which an outer peripheral portion of the adhesive layer and an outer peripheral portion of the adhesive tape are pressed together is formed,

상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정인 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,The peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer in the peripheral portion of the adhesive layer is larger than the peeling force between the semiconductor wafer in the adhesive layer and the adhesive layer in the pre-

상기 가압부에서의 상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이 0.5N/25mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.And a peeling force between the pressing portion and the pressure-sensitive adhesive layer in the outer peripheral portion of the adhesive layer is 0.5 N / 25 mm or more.

본 발명의 제2 형태에 의하면,According to the second aspect of the present invention,

박리 필름과,A peeling film,

상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,An adhesive layer partially formed on the release film,

기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,An adhesive tape comprising a substrate film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is laminated on the adhesive layer so as to be in contact with the release film around the adhesive layer,

상기 접착제층의 외주부 중, 반도체 웨이퍼의 접합시에 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부에는, 상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부가 함께 가압된 가압부가 형성되고,A pressing portion is formed in the outer circumferential portion of the adhesive layer where the peripheral portion of the adhesive layer and the outer circumferential portion of the adhesive tape are pressed together at the starting point of the peeling of the peeling film at the time of bonding the semiconductor wafer,

상기 기점부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정인 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,The peeling force between the starting point portion and the pressure-sensitive adhesive layer is larger than the peeling force between the semiconductor wafer of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer of the scheduled joining portion to be joined,

상기 기점부에서의 상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이 0.5N/25mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프가 제공된다.And a peeling force between the peripheral portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer in the starting point portion is 0.5 N / 25 mm or more.

본 발명의 제3 형태에 의하면,According to the third aspect of the present invention,

박리 필름과,A peeling film,

상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,An adhesive layer partially formed on the release film,

기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법에 있어서,A method for producing a tape for wafer processing in which an adhesive tape is formed on a base film and laminated with the adhesive tape covering the adhesive layer and formed so as to contact the release film around the adhesive layer,

상기 박리 필름 위에 형성된 상기 접착제층을, 제1 회전 펀칭 날의 날형을 사용하여 소정의 형상으로 펀칭하는 1차 프리컷 공정과,A first pre-cutting step of punching the adhesive layer formed on the release film into a predetermined shape using a first rotary punching blade;

프리컷 가공된 상기 접착제층 위에 상기 점착 테이프를 적층하는 공정과,Laminating the adhesive tape on the pre-cut adhesive layer;

상기 점착 테이프를 제2 회전 펀칭 날의 날형을 사용하여 펀칭함과 함께, 상기 제2 회전 펀칭 날의 누름 갈고리를 사용하여 상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부를 함께 가압하는 2차 프리컷 공정Wherein the adhesive tape is punched using a blade of a second rotary punching blade and a second secondary cut punch which presses the outer peripheral portion of the adhesive layer and the outer peripheral portion of the adhesive tape together using the pressing pawls of the second rotary punching blade fair

을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법이 제공된다.The present invention also provides a method of manufacturing a wafer for processing tapes.

본 발명에 따르면, 접착제층의 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 부분의 박리력이 반도체 웨이퍼의 접합 예정부의 박리력보다 크기 때문에, 반도체 웨이퍼로의 접합 공정에 있어서, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the peeling force of the portion of the adhesive layer that is the starting point of peeling from the peeling film of the adhesive layer is larger than the peeling force of the portion to be joined of the semiconductor wafer, It is possible to prevent peeling from the layer.

도 1은 웨이퍼 가공용 테이프의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 박리 필름, 접착제층 및 점착 테이프의 개략적인 적층 구조를 도시하는 종단면도이다.
도 3은 접착제층의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 4는 2차 프리컷에서 사용되는 회전 펀칭 날의 개략 구성을 도시하는 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 C-C선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 5는 1차 프리컷에서 사용되는 회전 펀칭 날의 개략 구성을 도시하는 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 D-D선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법의 한 공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 E-E선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 7은 도 6의 후속 공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 F-F선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 8은 도 7의 후속 공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 G-G선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 9는 도 8의 후속 공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 H-H선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 10은 도 9의 후속 공정을 개략적으로 설명하기 위한 도면이며, 상단이 평면도를 나타내고, 하단이 그의 I-I선을 따르는 단면도를 나타내고 있다.
도 11은 웨이퍼 가공용 테이프를 반도체 웨이퍼 및 링 프레임에 접합한 개략적인 상태를 도시하는 종단면도이다.
도 12는 웨이퍼 가공용 테이프를 반도체 웨이퍼 및 링 프레임에 접합하는 장치ㆍ방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 3의 비교예의 형태를 도시하는 평면도이다.
도 14는 실시예 중의 샘플의 박리력 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.Fig. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer processing tape.
2 is a longitudinal sectional view showing a schematic laminated structure of a release film, an adhesive layer and an adhesive tape.
3 is a plan view showing a schematic structure of an adhesive layer.
Fig. 4 is a view showing a schematic configuration of a rotary punching blade used in the secondary pre-cut, with the upper end showing a plan view and the lower end showing a cross section along its CC line.
Fig. 5 is a view showing a schematic configuration of a rotary punching blade used in the primary free cut, with a top showing a plan view and a bottom showing a cross section along its DD line.
6 is a schematic view for explaining a step of a method for manufacturing a wafer for processing tapes, with a top view showing a plan view and a bottom view showing a section along its EE line.
Fig. 7 is a schematic view for explaining the subsequent process of Fig. 6, showing a top plan view and a bottom plan view along its FF line.
Fig. 8 is a schematic view for explaining the subsequent process of Fig. 7, with a top view showing a plan view and a bottom view showing a cross section along the GG line thereof.
Fig. 9 is a schematic view for explaining the subsequent process of Fig. 8, with a top view showing a plan view and a bottom view showing a cross section along the HH line thereof.
FIG. 10 is a schematic view for explaining the subsequent process of FIG. 9, with a top view showing a plan view and a bottom view showing a cross section along II line thereof.
11 is a longitudinal sectional view showing a schematic state in which a wafer processing tape is bonded to a semiconductor wafer and a ring frame.
12 is a view for schematically explaining an apparatus and method for bonding a wafer processing tape to a semiconductor wafer and a ring frame.
13 is a plan view showing a form of a comparative example in Fig.
14 is a view for explaining a peeling force measurement method of a sample in the embodiment.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[웨이퍼 가공용 테이프][Wafer processing tape]

도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)는 코어재가 되는 코어(6)에 롤 형상으로 권회되어 있으며, 사용시에 코어(6)로부터 풀어진다.As shown in Fig. 1, the wafer 1 is wound on a core 6 as a core material in a roll shape, and is released from the core 6 at the time of use.

도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(1)는 주로 박리 필름(2), 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)로 구성되어 있다.As shown in Fig. 2, the wafer processing tape 1 mainly comprises a release film 2, an adhesive layer 3, and an adhesive tape 4. As shown in Fig.

웨이퍼 가공용 테이프(1)를 사용한 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 공정에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프(1)로부터 박리 필름(2)이 박리되고, 노출된 접착제층(3)에 반도체 웨이퍼(W)가 접합된다.In the process of bonding the semiconductor wafer W to the semiconductor wafer W using the wafer processing tape 1, the release film 2 is peeled off from the wafer processing tape 1 and the semiconductor wafer W is bonded to the exposed adhesive layer 3. [ do.

[박리 필름][Release film]

도 1에 도시한 바와 같이, 박리 필름(2)은 직사각형의 띠 형상으로 형성되어 있으며, 한 방향이 충분히 길어지도록 형성되어 있다. 박리 필름(2)은, 제조시 및 사용시에 캐리어 필름으로서의 역할을 행하는 것이다.As shown in Fig. 1, the peeling film 2 is formed in a rectangular band shape, and is formed so that one direction is sufficiently long. The release film (2) serves as a carrier film at the time of production and use.

박리 필름(2)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 그 이외에 박리 처리가 된 필름 등 주지된 것을 사용할 수 있다.As the peeling film 2, known films such as a polyethylene terephthalate (PET) -based film, a polyethylene film, a film subjected to a peeling treatment, and the like can be used.

[점착 테이프] [Adhesive tape]

(1) 구성(1) Configuration

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)는 접착제층(3)을 덮음과 함께 접착제층(3)의 주위 전역에서 박리 필름(2)에 접촉 가능하게 되어 있다.As shown in Figs. 1 and 2, the adhesive tape 4 covers the adhesive layer 3 and is capable of contacting the peeling film 2 in the entire circumference of the adhesive layer 3.

점착 테이프(4)는, 다이싱용의 링 프레임(5)(도 11 참조)의 형상에 대응하는 원 형상으로 형성된 라벨부(4a)와, 라벨부(4a)의 외주를 둘러싸도록 형성된 주변부(4b)로 구획되어 있다. 이러한 점착 테이프(4)는, 후술하는 2차 프리컷 공정에 의해 필름 형상 점착제로부터 라벨부(4a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.The adhesive tape 4 includes a label portion 4a formed in a circular shape corresponding to the shape of the ring frame 5 (see Fig. 11) for dicing and a peripheral portion 4b formed to surround the outer periphery of the label portion 4a ). The adhesive tape 4 can be formed by removing the peripheral region of the label portion 4a from the film-form adhesive by the secondary pre-cut process described later.

도 2에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)는 기재 필름(10) 위에 점착제층(12)이 형성된 구성을 갖고 있다.As shown in Fig. 2, the adhesive tape 4 has a constitution in which a pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on a base film 10.

도 1에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(4)의 반송 방향(A)의 선단 부분이며 접착제층(3)의 외주부(34)와 그 이외의 부위(36)(후술)에 대응하는 부분에는 가압부(20)가 형성되어 있다.A portion corresponding to the outer peripheral portion 34 of the adhesive layer 3 and the other portion 36 (described later) of the adhesive tape 4 in the carrying direction A of the adhesive layer 4 is pressed A portion 20 is formed.

점착 테이프(4)로서는, 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱할 때에는 반도체 웨이퍼(W)가 박리되지 않도록 점착제층(12)이 충분한 박리력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(3)으로부터 박리할 수 있도록 점착제층(12)이 낮은 박리력을 나타내는 것이면 좋다.As the adhesive tape 4, when the semiconductor wafer W is diced, the pressure-sensitive adhesive layer 12 has a sufficient peeling force so that the semiconductor wafer W is not peeled off. When the chip is picked up after dicing, It is sufficient that the pressure-sensitive adhesive layer 12 exhibits a low peeling force so that the pressure-sensitive adhesive layer 12 can be peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 3.

(2) 기재 필름 (2)

기재 필름(10)은, 통상 플라스틱, 고무 등을 바람직하게 사용하며, 점착제층(12)이 방사선 중합 성분을 포함하는 경우에는, 방사선의 투과성이 양호한 것을 선택하는 것이 바람직하다.When the pressure-sensitive adhesive layer 12 contains a radiation-polymerizing component, it is preferable to select the base film 10 having good radiation transmittance.

기재 필름(10)으로서 선택할 수 있는 중합체의 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 또는 이들의 혼합물, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다.Examples of the polymer that can be selected as the base film 10 include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as ethylene-propylene copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer and the like, or mixtures thereof, engineering such as polyethylene terephthalate, polycarbonate and polymethyl methacrylate A thermoplastic elastomer such as a plastic, a polyurethane, a styrene-ethylene-butene or a pentene-based copolymer, and a polyamide-polyol copolymer.

기재 필름(10)은 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 좋고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 좋다.The base film 10 may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, and may be a single layer or a layered structure.

(3) 점착제층 (3) Pressure-sensitive adhesive layer

점착제층(12)에 사용되는 재료는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 방사선 중합성 성분을 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.The material used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but it is preferable that the material contains a radiation-polymerizable component.

방사선 중합성 성분으로서는, 방사선 조사에 의해 삼차원 망상화할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산부틸, 메타크릴산부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실, 펜테닐아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사메타크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 스티렌, 디비닐벤젠, 4-비닐톨루엔, 4-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 1,3-아크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 1,2-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로판, 메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, 트리스(β-히드록시에틸)이소시아누레이트의 트리아크릴레이트, 이소시아네이트 화합물, 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물, 디아민 및 이소시아네이트 화합물, 요소 메타크릴레이트 화합물, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 방사선 중합성 공중합체를 들 수 있다.The radiation-polymerizable component is not particularly limited as long as it can be three-dimensionally networked by irradiation with radiation, and examples thereof include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, Ethylhexyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, pentenyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene But are not limited to, glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethyl Propanedimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, Butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol triacrylate, Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexa methacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, Acrylic esters such as acrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, oligoester acrylate, styrene, divinylbenzene, 4-vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N- vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropane, methylenebisacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, tris (β- Hydroxyethyl) iso Acrylate compounds, urethane (meth) acrylate compounds, diamine and isocyanate compounds, urea methacrylate compounds, and radiation-polymerizable copolymers having an ethylenic unsaturated group in the side chain.

그 이외에도, 방사선 중합성 성분으로서, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비 중합체에 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어지는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 들 수 있다.In addition, as the radiation-polymerizable component, a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyisocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, acrylate or methacrylate) having a hydroxyl group is added to a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting an isocyanate group-containing urethane prepolymer such as acrylate diisocyanate, silylenedisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4- Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) And urethane acrylate oligomers.

이들 방사선 중합성 화합물은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.These radiation polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

[접착제층] [Adhesive layer]

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 박리 필름(2)과 점착 테이프(4) 사이에 개재되어 있다. 접착제층(3)은 점착 테이프(4)의 점착제층(12)과 밀착되어 있으며, 칩의 픽업시에 칩에 부착된 상태로 점착제층(12)으로부터 박리된다.As shown in Figs. 1 and 2, the adhesive layer 3 is interposed between the peeling film 2 and the adhesive tape 4. As shown in Fig. The adhesive layer 3 is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive tape 4 and is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 12 in a state of being attached to the chip at the time of picking up the chip.

접착제층(3)에 사용되는 재료는 특별히 한정되는 것은 아니며, 접착제에 사용되는 공지된 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 실리콘 올리고머계 등을 사용할 수 있다.The material used for the adhesive layer 3 is not particularly limited, and it is possible to use a known polyimide resin, a polyamide resin, a polyetherimide resin, a polyamideimide resin, a polyester resin, a polyester imide resin, A polyether sulfone resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyether ketone resin, a chlorinated polypropylene resin, an acrylic resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a silicone oligomer and the like can be used.

도 3에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼(W)의 형상에 따른 원 형상을 나타내고 있다.As shown in Fig. 3, the adhesive layer 3 shows a circular shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer W. As shown in Fig.

접착제층(3)은, 반도체 웨이퍼(W)가 접합될 예정인 부위(접합 예정부(30))와, 그 외측의 외주부(32)로 구획된다.The adhesive layer 3 is partitioned into a region where the semiconductor wafer W is intended to be bonded (the bonding portion 30) and an outer peripheral portion 32 on the outside thereof.

접착제층(3)의 외주부(32)의 도 3의 (a) 중의 상측이 박리 필름(2)과의 박리의 기점부(34)가 되어 있다.The upper side of the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3 in Fig. 3 (a) serves as a starting point 34 for peeling from the peeling film 2.

도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 접착제층(3)의 외주부(32)에는, 줄무늬 형상의 가압부(오목부)(20)가 형성되어 있다. 그의 일례로서, 외주부(32)의 기점부(34)와 그 이외의 부위(36)에 가압부(20)가 형성된 경우를 나타내고 있다.As shown in Fig. 3 (a), a striped pressing portion (concave portion) 20 is formed in the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3. As an example thereof, there is shown a case where the pressing portion 20 is formed in the starting point 34 of the outer peripheral portion 32 and the other portion 36 thereof.

가압부(20)는, 접착제층(3)의 측연부로부터 중심부를 향해 길이 5mm 이상으로 적어도 3개 이상 형성되어 있다.At least three pressing portions 20 having a length of at least 5 mm from the side edge portion of the adhesive layer 3 toward the central portion are formed.

가압부(20)의 깊이는 접착제층(3)의 두께에 따라서도 상이하지만, 5㎛ 이상이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 7㎛ 이상이 바람직하다. 접착제층(3)의 외주부(32)와 점착제층(12) 사이의 박리력이 0.5N/25mm보다 작고 또한 가압부(20)의 깊이가 5㎛ 미만이면 접합 후에 박리될 가능성이 있다.The depth of the pressing portion 20 varies depending on the thickness of the adhesive layer 3, but is preferably 5 m or more. More preferably 7 mu m or more. If the peeling force between the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is less than 0.5 N / 25 mm and the depth of the pressing portion 20 is less than 5 m, there is a possibility of peeling off after bonding.

또한, 라벨 박리의 이유로, 길이 5mm 미만 또는 2줄 이하인 경우에는, 접착제층(3)의 박리를 충분히 방지할 수 없다.In addition, if the length is less than 5 mm or less than 2 lines for peeling of the label, peeling of the adhesive layer 3 can not be sufficiently prevented.

가압부(20)는 접착제층(3)에만 형성되어도 좋고, 점착제층(12)까지 연신하여 형성되어도 좋다. 가압부(20)가 접착제층(3)에만 형성되는 경우에는, 평면에서 보면 접착제층(3)과 점착제층(12)과의 경계면까지 형성된다.The pressing portion 20 may be formed only on the adhesive layer 3 or may be formed by stretching to the pressure-sensitive adhesive layer 12. In the case where the pressing portion 20 is formed only on the adhesive layer 3, the adhesive layer 3 is formed to the interface between the adhesive layer 3 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 in plan view.

[회전 펀칭 날] [Rotating punching blade]

가압부(20)는, 접착제층(3)의 외주부(34, 36)에 압력을 가함으로써 형성된다. 특별히 그 방법은 한정되지 않지만, 예를 들어 도 4의 (a)에 도시한 바와 같은 회전 펀칭 날(22)을 사용할 수 있다.The pressing portion 20 is formed by applying pressure to the outer peripheral portions 34 and 36 of the adhesive layer 3. Although the method is not particularly limited, for example, a rotary punching blade 22 as shown in Fig. 4 (a) can be used.

회전 펀칭 날(22)은 원형 프레임 형상을 나타내고 있으며, 접착제층(3)과 대략 동일한 길이로 구성되어 있다.The rotary punching blade 22 has a circular frame shape and is formed to have substantially the same length as the adhesive layer 3.

회전 펀칭 날(22)의 내측면의 대향하는 위치에는 각각 3개의 누름 갈고리(24)가 돌출되어 있다. 누름 갈고리(24)는 길이 7mm 이상, 폭 1mm 정도로 회전 펀칭 날(22)의 일측면에 대하여 3개 이상 설치되어 있는 것이 바람직하다.Three pressing claws 24 protrude from opposite sides of the inner surface of the rotary punching blade 22, respectively. It is preferable that at least three push claws 24 are provided on one side of the rotary punching blade 22 with a length of 7 mm or more and a width of 1 mm.

도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 회전 펀칭 날(22)의 외측 프레임에는 후술하는 프리컷 가공용의 날형(25)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 4 (b), the outer frame of the rotary punching blade 22 is provided with a blade 25 for use in the precut processing described later.

접착제층(3)을 프리컷 가공하는 경우에는, 도 5의 (a), (b)에 도시한 바와 같이 회전 펀칭 날(26)이 사용된다.When the adhesive layer 3 is pre-cut, the rotary punching blade 26 is used as shown in Figs. 5 (a) and 5 (b).

회전 펀칭 날(26)은 원형 프레임 형상을 나타내고 있다.The rotary punching blade 26 has a circular frame shape.

회전 펀칭 날(26)의 외측 프레임에는 프리컷 가공용의 날형(27)이 설치되어 있다.The outer frame of the rotary punching blade 26 is provided with a blade 27 for precut cutting.

[웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법] [Process for producing a wafer processing tape]

우선, 도 6에 도시한 바와 같이, 박리 필름(2)과 접착제층(3)과 폴리에틸렌 필름(38)으로 구성된 적층체로부터 폴리에틸렌 필름(38)을 박리한다.First, as shown in Fig. 6, the polyethylene film 38 is peeled off from the laminate composed of the peeling film 2, the adhesive layer 3, and the polyethylene film 38. Then, as shown in Fig.

그 후, 회전 펀칭 날(26)을 사용하여, 도 7에 도시한 바와 같이 접착제층(3)에 대하여 박리 필름(2)으로의 절입 깊이가 10㎛ 이하가 되도록 프리컷 가공을 행하여, 접착제층(3)의 불필요 부분을 제거한다(1차 프리컷). 한편, 기재 필름(10) 위에 점착제층(12)을 도설하여, 점착 테이프(4)를 제작한다.Thereafter, using the rotary punching blade 26, a pre-cut process was performed so that the depth of the penetration into the release film 2 with respect to the adhesive layer 3 was 10 占 퐉 or less as shown in Fig. 7, (3) is removed (primary free cut). On the other hand, a pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on the base film 10 to produce the pressure-sensitive adhesive tape 4.

그 후, 점착제층(12)을 접착제층(3)측으로 하여, 도 8에 도시한 바와 같이 점착 테이프(4)를 박리 필름(2)과 접착제층(3)에 실온에서 라미네이트한다.8, the adhesive tape 4 is laminated to the peeling film 2 and the adhesive layer 3 at room temperature, with the adhesive layer 12 facing the adhesive layer 3 side.

그 후, 도 9에 도시한 바와 같이, 반송 방향(A)과 평행하게 필름의 양쪽 측연부(14)를 제거하고, 형상을 정돈한다.Thereafter, as shown in Fig. 9, both side edge portions 14 of the film are removed in parallel with the carrying direction A, and the shape is adjusted.

마지막으로, 점착 테이프(4)에 대하여 대향 배치되어 있는 회전 펀칭 날(22)을 사용하여, 도 10에 도시한 바와 같이 점착 테이프(4)를 프리컷 가공하여 라벨부(4a)와 주변부(4b)로 구획함과 함께, 점착 테이프(4)측으로부터 접착제층(3)의 외주부(34)와 그 이외의 부위(36)에 대하여 점착제층(12)과 접착제층(3)이 함께 가압된 가압부(20)를 형성한다(2차 프리컷).10, the adhesive tape 4 is pre-cut by using the rotary punching blade 22 disposed opposite to the adhesive tape 4 to form the label portion 4a and the peripheral portion 4b And the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layer 3 are pressed against the outer peripheral portion 34 of the adhesive layer 3 and the other portion 36 from the adhesive tape 4 side, Thereby forming a portion 20 (secondary free cut).

그 결과, 웨이퍼 가공용 테이프(1)가 제조된다.As a result, the tape 1 for wafer processing is produced.

상기 가압부(20)에 의해, 도 3의 (a) 중 사선부로 도시한 바와 같이 접착제층(3)의 외주부(32)의 일부, 즉 기점부(34)와 그 이외의 부위(36)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 접합 예정부(30)보다 커진다.3 (a), a part of the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3, that is, a portion of the base portion 34 and the other portions 36 The peeling force with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 becomes larger than that of the bonding portion 30. [

구체적으로는, 기점부(34)와 그 이외의 부위(36)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 0.5N/25mm 이상으로 되어 있다.Specifically, the peel force of the starting point portion 34 and the other portion 36 with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 0.5 N / 25 mm or more.

도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 가압부(20)는 기점부(34)에만 형성되어도 좋다. 이 경우, 기점부(34)만이 접합 예정부(30)보다 점착제층(12)에 대한 박리력이 커진다.As shown in Fig. 3 (b), the pressing portion 20 may be formed only on the starting point portion 34. Fig. In this case, only the starting point portion 34 has a larger peeling force with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 than the joining portion 30. [

구체적으로는, 기점부(34)의 점착제층(12)에 대한 박리력이 0.5N/25mm 이상으로 되어 있다.Specifically, the peeling force of the starting point portion 34 with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 is 0.5 N / 25 mm or more.

접착제층(3)의 외주부(32)의 박리력을 증가시키기 위해 상기 가압부 형성 방법을 단독으로 사용하여도 좋고, 레이저 조사, 코로나 표면 개질 처리, 가열 처리, 보강 테이프의 부착, 접착제의 도포 등의 방법과 조합하여 사용하여도 좋다.The pressing portion forming method may be used alone to increase the peeling force of the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3 or may be applied by laser irradiation, corona surface modification treatment, heat treatment, adhesion of the reinforcing tape, May be used in combination with the above method.

[웨이퍼 가공용 테이프의 사용 방법] [Method of Using Wafer Processing Tape]

웨이퍼 가공용 테이프(1)를 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 부착한다.The wafer 1 for processing a wafer is attached to the semiconductor wafer W and the ring frame 5. [

상세하게는, 도 12에 도시한 바와 같이 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 그의 롤체로부터 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프(1)를 롤러(100)에 의해 인출한다.Specifically, as shown in Fig. 12, the wafer 1 is taken up from its roll and the wafer 1 is taken out by the roller 100. As shown in Fig.

웨이퍼 가공용 테이프(1)의 인출 경로에는 박리용 쐐기(101)가 설치되어 있으며, 박리용 쐐기(101)의 선단부를 반환점으로 하여 박리 필름(2)만이 박리되고, 박리 필름(2)이 권취 롤러(100)에 권취된다.The peeling film 2 is peeled off with the leading end of the peeling wedge 101 as a turning point and the peeling film 2 is peeled off from the take- (100).

박리용 쐐기(101)의 선단부의 하측에는 흡착 스테이지(102)가 설치되어 있으며, 흡착 스테이지(102)의 상면에는 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)이 설치되어 있다.An adsorption stage 102 is provided below the tip of the peeling wedge 101 and a semiconductor wafer W and a ring frame 5 are provided on the upper surface of the adsorption stage 102.

박리용 쐐기(101)에 의해 박리 필름(2)이 박리된 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)는, 반도체 웨이퍼(W) 위로 유도되어, 접합 롤러(103)에 의해 반도체 웨이퍼(W)에 접합된다.The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 from which the release film 2 has been peeled off by the peeling wedge 101 are guided over the semiconductor wafer W and transferred to the semiconductor wafer W by the joining roller 103, Respectively.

그 후, 도 11에 도시한 바와 같이 접착제층(3) 및 점착 테이프(4)를 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(5)에 부착한 상태로 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱한다.Thereafter, as shown in Fig. 11, the semiconductor wafer W is diced with the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 attached to the semiconductor wafer W and the ring frame 5. Then, as shown in Fig.

그 후, 점착 테이프(4)에 방사선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 다이싱 후의 반도체 웨이퍼(W)(반도체 칩)를 픽업한다. 이때, 점착 테이프(4)는 경화 처리에 의해 박리력이 저하되어 있으므로, 접착제층(3)은 점착 테이프(4)의 점착제층(12)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(3)이 부착된 상태로 픽업된다.Thereafter, the adhesive tape 4 is subjected to a hardening treatment such as irradiation with radiation to pick up the semiconductor wafer W (semiconductor chip) after dicing. The adhesive layer 3 is easily peeled from the adhesive layer 12 of the adhesive tape 4 and the adhesive layer 3 is peeled from the adhesive layer 12 3) are attached.

반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(3)은, 그 후 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 또는 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.The adhesive layer 3 attached to the back surface of the semiconductor chip functions as a die bonding film when the semiconductor chip is thereafter bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

[실시예][Example]

(1) 샘플의 제작 (1) Production of a sample

(1.1) 기재 필름의 준비 및 점착제층의 형성(1.1) Preparation of base film and formation of pressure-sensitive adhesive layer

기재 필름으로서 폴리올레핀계 기재 필름 Z(두께 100㎛)를 준비하였다.A polyolefin-based substrate film Z (thickness: 100 mu m) was prepared as a base film.

한편, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체 X(분자량 70만 Mw, Tg=-65℃) 또는 Y(분자량 20만 Mw, Tg=-20℃) 100부, 폴리이소시아네이트계 경화제 2 내지 18부에 대하여 광중합 개시제(2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논) 1부를 배합하고, 그 용액을 상기 기재 필름 위에 건조 막 두께가 10㎛가 되도록 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜, 기재 필름 위에 「점착제층 A 내지 F」를 형성하였다.On the other hand, 100 parts of the acrylic polymer X having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond (molecular weight 700,000 Mw, Tg = -65 ° C) or Y (molecular weight 200,000 Mw, Tg = -20 ° C) (2, 2-dimethoxy-2-phenylacetophenone) was added to 18 parts of the base film, and the solution was coated on the base film so as to have a dry film thickness of 10 mu m, And dried to form "pressure-sensitive adhesive layers A to F" on the base film.

점착제층 A 내지 F의 중합체의 종류(X 또는 Y)나, 경화제, 광중합 개시제의 배합비는 표 1과 같다.Table 1 shows the types (X or Y) of the polymer of the pressure-sensitive adhesive layers A to F, the blending ratio of the curing agent and the photopolymerization initiator.

Figure 112012104145787-pat00001
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(1.2) 접착제층의 형성 (1.2) Formation of adhesive layer

아크릴계 공중합체 100부, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 100부, 크실렌 노볼락형 페놀 수지 10부에 에폭시 경화제로서 2-페닐이미다졸 5부와 크실렌디아민 0.5부를 배합하고, 그 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에 도포하고, 그 후 110℃에서 2분간 건조시켜 PET 필름 위에 접착제층을 형성하였다.100 parts of an acrylic copolymer, 100 parts of a cresol novolak type epoxy resin, and 10 parts of a xylene novolak type phenol resin were mixed 5 parts of 2-phenylimidazole as an epoxy curing agent and 0.5 part of xylene diamine, and the solution was mixed with polyethylene terephthalate PET) film, and then dried at 110 DEG C for 2 minutes to form an adhesive layer on the PET film.

그 후, 접착제층에 대하여 웨이퍼 크기보다 큰 형상으로 프리컷 가공을 실시하였다.Thereafter, the adhesive layer was subjected to free cutting in a shape larger than the wafer size.

(1.3) 웨이퍼 가공용 테이프의 형성 (1.3) Formation of Wafer Processing Tape

이 두께 10㎛의 접착제층을 점착 테이프의 점착제층 위에 접합하고, 점착 테이프측으로부터 링 프레임의 형상에 따라 점착 테이프를 프리컷 가공함과 함께, 접착제층의 외주부이며 접착제층의 반도체 웨이퍼의 접합 예정 부분을 제외한 부위에 대하여 회전 펀칭 날에 의해 가압부를 형성하여(도 3(a) 참조), 웨이퍼 가공용 테이프를 형성하였다(완성시켰다).The adhesive layer having a thickness of 10 占 퐉 was bonded to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape, and the pressure-sensitive adhesive tape was free-cut according to the shape of the ring frame from the pressure-sensitive adhesive tape side, and the outer periphery of the adhesive layer (See Fig. 3 (a)) to form a wafer processing tape (completed).

당해 웨이퍼 가공용 테이프에는, 접착제층의 형성 공정에서 사용한 PET계의 세퍼레이터가 박리 필름으로서 설치되어 있다.The PET-based separator used in the step of forming the adhesive layer is provided as a peeling film on the wafer processing tape.

또한, 비교예 1, 2에서는, 도 13에 도시한 바와 같이 접착제층의 외주부에 대하여 하등의 처리도 실시하지 않았다.In Comparative Examples 1 and 2, as shown in Fig. 13, the outer peripheral portion of the adhesive layer was not subjected to any treatment.

(2) 샘플의 평가 (2) Evaluation of sample

(2.1) 박리력 측정 방법 (2.1) Measurement method of peel force

각 샘플에 대하여 박리 필름(PET)을 벗긴 후, 박리 시험시의 접착제층의 신장을 방지하기 위해 접착제층측에 지지 테이프(세끼스이 가가꾸 고교카 가부시끼가이샤제의 곤포용 오리엔 스팟 테이프, 38mm 폭)를 평평한 유리판 위에서 수동의 접합 롤러(2kg)를 사용하여 접합하여, 점착 테이프, 접착제층, 지지 테이프의 적층체로 하였다.In order to prevent elongation of the adhesive layer during the peeling test, a support tape (Orient Spot tape for goggles manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., 38 mm width ) Was bonded on a flat glass plate using a manual bonding roller (2 kg) to obtain a laminate of an adhesive tape, an adhesive layer, and a support tape.

그 후, 이 적층체를 도 14에 도시한 바와 같이 접착제층의 박리 필름(PET 필름)과의 박리의 기점이 되는 부분을 포함하고, 외주부로부터 중심을 향하는 방향에 대하여 길이 100mm, 폭 25mm의 직사각형으로 절단하여 시험편으로 하였다.Thereafter, as shown in Fig. 14, the laminated body was formed into a rectangular shape having a length of 100 mm and a width of 25 mm with respect to the direction from the outer peripheral portion to the center, including a portion serving as a starting point for peeling off the adhesive layer from the peeling film (PET film) To prepare a test piece.

그 후, 각 시험편에 대하여 도 14의 화살표 방향, 즉 접착제층의 중심으로부터 외주부를 향하는 방향을 향해 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/min(분)으로 점착제층과 접착제층 사이를 박리하고, 반도체 웨이퍼의 접합 예정부에 상당하는 부분과, 박리의 기점부에 상당하는 부분의 박리력을 각각 구하였다. 측정 결과를 표 2 내지 6에 나타낸다.Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer were peeled off from each test piece in the direction of the arrow in Fig. 14, that is, toward the direction from the center of the adhesive layer toward the outer periphery at a peeling angle of 180 degrees and a peeling rate of 300 mm / The peeling force of the portion corresponding to the pre-bonding portion of the wafer and the portion corresponding to the starting portion of peeling were respectively obtained. The measurement results are shown in Tables 2 to 6.

(2.2) 접합 시험(2.2) Bonding test

실시예 및 비교예의 각 샘플에 대하여, 두께 50㎛, 직경 200mm의 실리콘 웨이퍼를 도 12에 도시한 장치ㆍ방법에 의해 가열 온도 70℃, 접합 속도 12mm/s로 접합하였다.A silicon wafer having a thickness of 50 占 퐉 and a diameter of 200 mm was bonded to each sample of the examples and the comparative example at a heating temperature of 70 占 폚 and a bonding speed of 12 mm / s by the apparatus and method shown in Fig.

상기 접합 작업을 10회 시행하여, 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 걷어 올려진 상태(1/4 이상)로 실리콘 웨이퍼에 접합되어 있는지 아닌지를 확인하였다. 시험 결과를 표 2 내지 6에 나타낸다.The bonding operation was performed ten times to confirm whether or not the adhesive layer was bonded to the silicon wafer in a state where the adhesive layer was partially lifted from the adhesive tape (1/4 or more). The test results are shown in Tables 2 to 6.

10회의 접합 작업 후에 있어서, 모든 회에서 접착제층이 점착 테이프로부터 들뜨고, 걷어 올려지지 않고 점착 테이프에 부착되어 있는 경우를 「○(접합 양호)」, 적어도 1회는 끝에 들뜸이 있는 경우를 「△ (접합 불량)」, 적어도 1회는 접착제층이 점착 테이프로부터 일부 걷어 올려진 경우를 「× (접합 불량)」로 간주하여 평가하였다.A case where the adhesive layer was peeled off from the adhesive tape at all times after ten times of bonding operations and was attached to the adhesive tape without being pulled up was defined as " Good (good bonding) " (Bonding failure) ", and a case where the adhesive layer was partially lifted from the adhesive tape at least once was regarded as " x (bonding failure) "

(2.3) 픽업 시험 (2.3) Pickup test

실시예 및 비교예의 각 샘플에 대하여 두께 50㎛의 실리콘 웨이퍼를 70℃×10초로 가열 접합한 후, 10mm×10mm로 다이싱하였다.A silicon wafer having a thickness of 50 占 퐉 was heat bonded to each sample of Example and Comparative Example at 70 占 폚 for 10 seconds, and then diced into 10 mm 占 10 mm.

그 후, 점착제층에 자외선을 공냉식 고압 수은등(80W/cm, 조사 거리 10cm)에 의해 200mJ/cm2 조사한 후, 실리콘 웨이퍼 중앙부의 칩 50개에 대하여 픽업 장치(캐논 머시너리제, 상품명: CAP-300II)에 의한 픽업 시험을 행하였다. 시험 결과를 표 2 내지 6에 나타낸다.Thereafter, the pressure sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays at 200 mJ / cm 2 by air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm), and then 50 chips of the central part of the silicon wafer were picked up by a pickup device (trade name: CAP- 300II) was carried out. The test results are shown in Tables 2 to 6.

50개 모든 칩의 픽업에 성공한 것을 「○」로, 50개의 칩 중 1개라도 픽업에 실패한 것을 「×」로 간주하여 평가하였다.A case in which all 50 chips were successfully picked up was evaluated as "? &Quot;, and a case where even one of 50 chips failed to pick up was evaluated as " x ".

Figure 112012104145787-pat00002
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Figure 112012104145787-pat00003
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Figure 112012104145787-pat00006
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(3) 정리(3) Theorem

표 2 내지 6에 나타낸 바와 같이 실시예 1 내지 13에서는 접합 시험, 픽업 시험 중 어떠한 것에서도 결과가 양호하고, 접착제층의 외주부의 박리력을 반도체 웨이퍼의 접합 예정부의 박리력보다 크면서도 0.5N/25mm 이상으로 하면, 접착제층이 점착 테이프의 점착제층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있고, 픽업 오류도 유인되지 않는다는 것을 알 수 있었다.As shown in Tables 2 to 6, the results of the bonding test and the pick-up test were good in Examples 1 to 13, and the peeling force of the outer peripheral portion of the adhesive layer was larger than the peeling force of the to- If it is 25 mm or more, it can be prevented that the adhesive layer is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape, and the pickup error is not induced.

또한, 비교예 1은, 반도체 웨이퍼의 접합 예정부도 박리력이 높기 때문에 실리콘 웨이퍼로의 접합은 양호하게 행할 수 있었지만, 픽업 오류가 다발하였다.Further, in Comparative Example 1, since the peeling force of the semiconductor wafer to be bonded is high, the bonding to the silicon wafer can be satisfactorily performed, but the pick-up error frequently occurs.

1 웨이퍼 가공용 테이프
2 박리 필름
3 접착제층
4 점착 테이프
4a 라벨부
4b 주변부
5 링 프레임
6 코어
10 기재 필름
12 점착제층
14 측연부
20 가압부
22, 26 회전 펀칭 날
24 누름 갈고리
25, 27 날형
30 접합 예정부
32 외주부
34 기점부
36 그 이외의 부위
38 폴리에틸렌 필름
100 권취 롤러
101 박리용 쐐기
102 흡착 스테이지
103 접합 롤러
A 박리 필름의 인출 방향
B 박리 필름의 박리 방향
W 반도체 웨이퍼1 Wafer processing tape
2 peeling film
3 adhesive layer
4 adhesive tape
4a Label section
4b peripheral portion
5 ring frame
6 cores
10 base film
12 pressure-sensitive adhesive layer
14 side edge
20 pressing portion
22, 26 Rotating punching blade
24 Press the hook
25, 27 blade
30 junction example
32 Outer part
34 Starting point
36 Other parts
38 Polyethylene film
100 wound rollers
101 peeling wedge
102 adsorption stage
103 splicing roller
A Draw-out direction of release film
B Peeling direction of peeling film
W semiconductor wafer

Claims (3)

박리 필름과,
상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,
기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부가 함께 가압된 가압부가 형성되고,
상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정인 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,
상기 가압부에서의 상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이 0.5N/25mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.A peeling film,
An adhesive layer partially formed on the release film,
An adhesive tape comprising a substrate film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is laminated on the adhesive layer so as to be in contact with the release film around the adhesive layer,
A pressurized portion in which an outer peripheral portion of the adhesive layer and an outer peripheral portion of the adhesive tape are pressed together is formed,
The peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer in the peripheral portion of the adhesive layer is larger than the peeling force between the semiconductor wafer in the adhesive layer and the adhesive layer in the pre-
Wherein the peeling force between the pressing portion and the pressure-sensitive adhesive layer in the outer peripheral portion of the adhesive layer is 0.5 N / 25 mm or more. 박리 필름과,
상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,
기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
상기 접착제층의 외주부 중, 반도체 웨이퍼의 접합시에 박리 필름과의 박리의 기점이 되는 기점부에는, 상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부가 함께 가압된 가압부가 형성되고,
상기 기점부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이, 상기 접착제층의 반도체 웨이퍼가 접합될 예정인 접합 예정부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력보다 크고,
상기 기점부에서의 상기 접착제층의 외주부의 상기 점착제층과의 사이의 박리력이 0.5N/25mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.A peeling film,
An adhesive layer partially formed on the release film,
An adhesive tape comprising a substrate film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is laminated on the adhesive layer so as to be in contact with the release film around the adhesive layer,
A pressing portion is formed in the outer circumferential portion of the adhesive layer where the peripheral portion of the adhesive layer and the outer circumferential portion of the adhesive tape are pressed together at the starting point of the peeling of the peeling film at the time of bonding the semiconductor wafer,
The peeling force between the starting point portion and the pressure-sensitive adhesive layer is larger than the peeling force between the semiconductor wafer of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer of the scheduled joining portion to be joined,
Wherein the peeling force between the peripheral portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer in the starting point portion is 0.5 N / 25 mm or more. 박리 필름과,
상기 박리 필름 위에 부분적으로 형성된 접착제층과,
기재 필름 위에 점착제층이 형성된 점착 테이프이며, 상기 접착제층을 덮고 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 박리 필름에 접하도록 형성된 상기 점착 테이프가 적층된 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법에 있어서,
상기 박리 필름 위에 형성된 상기 접착제층을, 제1 회전 펀칭 날의 날형을 사용하여 소정의 형상으로 펀칭하는 1차 프리컷 공정과,
프리컷 가공된 상기 접착제층 위에 상기 점착 테이프를 적층하는 공정과,
상기 점착 테이프를 제2 회전 펀칭 날의 날형을 사용하여 펀칭함과 함께, 상기 제2 회전 펀칭 날의 누름 갈고리를 사용하여 상기 접착제층의 외주부와 상기 점착 테이프의 외주부를 함께 가압하는 2차 프리컷 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법.A peeling film,
An adhesive layer partially formed on the release film,
A method for producing a tape for wafer processing in which an adhesive tape is formed on a base film and laminated with the adhesive tape covering the adhesive layer and formed so as to contact the release film around the adhesive layer,
A first pre-cutting step of punching the adhesive layer formed on the release film into a predetermined shape using a first rotary punching blade;
Laminating the adhesive tape on the pre-cut adhesive layer;
Wherein the adhesive tape is punched using a blade of a second rotary punching blade and a second secondary cut punch which presses the outer peripheral portion of the adhesive layer and the outer peripheral portion of the adhesive tape together using the pressing pawls of the second rotary punching blade fair
And a step of cutting the wafer.
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