JP4904432B1 - Wafer processing tape - Google Patents

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Abstract

【課題】接着剤層が粘着テープの粘着剤層から剥離するのを防止する。
【解決手段】ウエハ加工用テープは、接着剤層３の外周部３２の剥離力が、接着剤層３の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部３０の剥離力よりも大きく、貼合予定部３０の剥離力が０．０１以上で０．４Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の剥離力が貼合予定部３０の３０倍以上または０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上のどちらか小さい方であり、貼合予定部３０の剥離力が０．４Ｎ／ｉｎｃｈ以上で０．９Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の剥離力が０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上である。
【選択図】図３An adhesive layer is prevented from peeling from an adhesive layer of an adhesive tape.
A wafer processing tape has a peeling force at an outer peripheral portion 32 of an adhesive layer 3 larger than a peeling force of a bonding portion 30 to which a semiconductor wafer of an adhesive layer 3 is to be bonded. When the peeling force of the planned part 30 is 0.01 or more and less than 0.4 N / inch, the peeling force of the outer peripheral part 32 is 30 times or more of the bonding part 30 or 0.9 N / inch or more, whichever is smaller When the peeling force of the bonding planned portion 30 is 0.4 N / inch or more and less than 0.9 N / inch, the peeling force of the outer peripheral portion 32 is 0.9 N / inch or more.
[Selection] Figure 3

Description

本発明はウエハ加工用テープに関し、特に半導体ウエハのダイシング・ピックアップに使用されるウエハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape, and more particularly to a wafer processing tape used for dicing and picking up a semiconductor wafer.

半導体ウエハを個々の半導体チップに切断する際に、半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップを基板等に接着するためのダイボンディングフィルムとの双方の機能を併せもつ「ウエハ加工用テープ」が開発されている。ウエハ加工用テープは主に、剥離フィルムと、ダイシングテープとして機能する粘着テープと、ダイボンディングフィルムとして機能する接着剤層とから、構成されている。   When cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor chips, a "wafer" that has both functions of a dicing tape for fixing the semiconductor wafer and a die bonding film for bonding the cut semiconductor chip to a substrate or the like Processing tapes "have been developed. The wafer processing tape is mainly composed of a release film, an adhesive tape that functions as a dicing tape, and an adhesive layer that functions as a die bonding film.

近年では、携帯機器向けのメモリ等の電子デバイス分野において、より一層の薄型化と高容量化が求められている。そのため、厚さ５０μｍ以下の半導体チップを多段積層する実装技術に対する要請は年々高まっている。
このような要請に応えるべく、薄膜化を図ることができ、半導体チップの回路表面の凹凸を埋め込むことができるような柔軟性を有する上記ウエハ加工用テープが開発され、開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。 In recent years, in the field of electronic devices such as memories for portable devices, further reduction in thickness and increase in capacity have been demanded. For this reason, there is an increasing demand for a mounting technique in which semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less are stacked in multiple stages.
In response to such a demand, the above wafer processing tape has been developed and disclosed, which can be thinned and has the flexibility to be able to embed irregularities on the circuit surface of a semiconductor chip (for example, (See Patent Documents 1 and 2).

ウエハ加工用テープは、一般的には、半導体ウエハのサイズよりも大きいがリングフレームには接触しない程度の形状で、接着剤層側から接着剤層と粘着剤層との界面部分までが打ち抜かれており、貼合の際にはウエハマウンターにより半導体ウエハとそれを支持するリングフレームに貼合され、リングフレーム上で円形にカットされる。   Wafer processing tape is generally larger than the size of a semiconductor wafer but not touching the ring frame, and is punched from the adhesive layer side to the interface between the adhesive layer and the adhesive layer. At the time of bonding, the wafer is mounted on a semiconductor wafer and a ring frame that supports it by a wafer mounter, and is cut into a circle on the ring frame.

最近では、上記作業性を考慮し、ウエハ加工用テープはプリカット加工がなされている。「プリカット加工」とは、粘着テープ（基材フィルム上に粘着剤層が形成されている。）に対し、あらかじめ打ち抜き加工を施すことをいい、詳しくは、基材フィルムおよび粘着剤層を、リングフレームに貼合可能でかつリングフレームからはみ出さない大きさで、円形に打ち抜き加工を施すことである。
プリカット加工を施したウエハ加工用テープを使用すれば、図５に示すとおり、ウエハマウンターによる半導体ウエハ（Ｗ）への貼合工程において、円形に打ち抜かれたウエハ加工用テープ（１）が剥離用くさび（１０１）によって剥離フィルム（２）からの剥離のきっかけを得た後、貼合ローラー（１０３）によって半導体ウエハ（Ｗ）およびリングフレーム（５）への貼合が実施され、リングフレーム上で粘着テープをカットする工程を省くことができ、更にはリングフレームへのダメージをなくすこともできる。 Recently, in consideration of the above workability, the wafer processing tape has been pre-cut. “Pre-cut processing” means that the adhesive tape (adhesive layer is formed on the base film) is punched in advance. Specifically, the base film and the adhesive layer are made of a ring. It is a size that can be bonded to the frame and does not protrude from the ring frame, and is punched into a circle.
If a wafer processing tape that has been subjected to pre-cut processing is used, as shown in FIG. 5, the wafer processing tape (1) punched into a circle is peeled off in the bonding process to the semiconductor wafer (W) by the wafer mounter. After obtaining the trigger for peeling from the release film (2) by the wedge (101), the bonding to the semiconductor wafer (W) and the ring frame (5) is performed by the bonding roller (103), and on the ring frame The step of cutting the adhesive tape can be omitted, and further damage to the ring frame can be eliminated.

その後は、半導体ウエハをダイシングして複数の半導体チップを作製し、粘着テープの基材フィルム側から放射線を照射するなどして粘着剤層と接着剤層との間の剥離強度（粘着力）を十分に低下させてから、粘着テープの基材フィルムをエキスパンドさせて半導体チップのピックアップを行う。「放射線」とは、紫外線のような光線または電子線などの電離性放射線をいう。   After that, the semiconductor wafer is diced to produce a plurality of semiconductor chips, and the peeling strength (adhesive strength) between the adhesive layer and the adhesive layer is obtained by irradiating radiation from the base film side of the adhesive tape. After sufficiently lowering, the base film of the adhesive tape is expanded to pick up a semiconductor chip. “Radiation” refers to ionizing radiation such as light rays such as ultraviolet rays or electron beams.

特開２０００−１５４３５６号公報JP 2000-154356 A 特開２００３−６０１２７号公報JP 2003-60127 A

ところで、上記のようなウエハマウンターによる半導体ウエハへの貼合工程において、このようなプリカット加工を施したウエハ加工用テープから剥離フィルムを剥離すると、ウエハ加工用テープの先端部分が剥離用くさびを通過した場合に、接着剤層の先端部分が粘着テープの粘着剤層から剥離してしまい、接着剤層が半導体ウエハに密着していない部分ができてしまうという不具合を生じる問題があった。   By the way, in the bonding process to the semiconductor wafer by the wafer mounter as described above, when the release film is peeled off from the wafer processing tape subjected to such pre-cut processing, the tip of the wafer processing tape passes through the peeling wedge. In this case, there is a problem in that the tip portion of the adhesive layer is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape and a portion where the adhesive layer is not in close contact with the semiconductor wafer is formed.

この理由として、接着剤層と粘着テープの粘着剤層との間の剥離力（粘着力）が非常に低いことが挙げられる。
しかしながら、接着剤層と粘着剤層との間の剥離力を上昇させることは、その後の工程において、基材フィルムをエキスパンドさせ、半導体チップをピックアップする際に、ピックアップミスを発生させる原因になりうることが分かっている。
最近の傾向として、１つの半導体パッケージ内にてより多くの半導体チップを積層するため、半導体チップを薄肉化することが益々進んでおり、そのような薄肉の半導体チップのピックアップをミスなく行うためには、接着剤層と粘着剤層との間の剥離力がより低いものが求められている状況にあり、安易に剥離力を上昇させることは困難になっている。 This is because the peeling force (adhesive force) between the adhesive layer and the adhesive layer of the adhesive tape is very low.
However, increasing the peel force between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer may cause a pickup error when the base film is expanded and the semiconductor chip is picked up in the subsequent process. I know that.
As a recent trend, in order to stack more semiconductor chips in one semiconductor package, it is increasingly progressing to reduce the thickness of the semiconductor chip, and in order to pick up such a thin semiconductor chip without mistakes. Is in a situation where a lower peeling force between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is required, and it is difficult to easily increase the peeling force.

したがって、本発明の主な目的は、半導体ウエハへの貼合工程において、接着剤層が粘着テープの粘着剤層から剥離するのを防止することができるウエハ加工用テープを提供することにある。   Accordingly, a main object of the present invention is to provide a wafer processing tape capable of preventing the adhesive layer from peeling off from the adhesive layer of the adhesive tape in the bonding step to the semiconductor wafer.

上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
剥離フィルムと、
前記剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、
基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着テープであって、前記接着剤層を覆いかつ前記接着剤層の周囲で前記剥離フィルムに接するように形成された前記粘着テープとが、積層されたウエハ加工用テープにおいて、
前記接着剤層の外周部の一部であって、半導体ウエハの貼合時に前記剥離フィルムとの剥離の起点となる起点部を含む部位の前記粘着剤層との間の剥離力が、前記接着剤層の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部の前記粘着剤層との間の剥離力よりも大きく、かつ、前記外周部の一部が０．９Ｎ／２５ｍｍ以上であるウエハ加工用テープが提供される。 In order to solve the above problems , according to one aspect of the present invention ,
A release film;
An adhesive layer partially formed on the release film;
A pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is formed so as to cover the adhesive layer and to be in contact with the release film around the adhesive layer. In wafer processing tape,
A peeling force between the adhesive layer in a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer and including a starting point portion that becomes a starting point of peeling from the release film when the semiconductor wafer is bonded is the adhesion For wafer processing that is larger than the peeling force between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer where the semiconductor wafer of the adhesive layer is to be bonded, and a part of the outer peripheral portion is 0.9 N / 25 mm or more Tape is provided.

本発明の他の態様によれば、
剥離フィルムと、
前記剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、
基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着テープであって、前記接着剤層を覆いかつ前記接着剤層の周囲で前記剥離フィルムに接するように形成された前記粘着テープとが、積層されたウエハ加工用テープにおいて、
前記接着剤層の外周部のうち、半導体ウエハの貼合時に剥離フィルムとの剥離の起点となる起点部の前記粘着剤層との間の剥離力が、前記接着剤層の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部の前記粘着剤層との間の剥離力よりも大きく、かつ、前記起点部の剥離力が０．９Ｎ／２５ｍｍ以上であるウエハ加工用テープが提供される。 According to another aspect of the invention,
A release film;
An adhesive layer partially formed on the release film;
A pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is formed so as to cover the adhesive layer and to be in contact with the release film around the adhesive layer. In wafer processing tape,
Of the outer peripheral part of the adhesive layer, the peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer at the starting point that becomes the starting point of peeling from the release film when the semiconductor wafer is bonded is bonded to the semiconductor wafer of the adhesive layer. There is provided a wafer processing tape having a peeling force that is greater than the peeling force between the adhesive portion to be bonded and the adhesive layer, and has a peeling force of 0.9 N / 25 mm or more at the starting point .

本発明によれば、接着剤層の剥離フィルムとの剥離の起点となる部分の剥離力が、半導体ウエハの貼合予定部よりも大きいため、半導体ウエハへの貼合工程において、接着剤層が粘着テープの粘着剤層から剥離するのを防止することができる。   According to the present invention, since the peeling force of the part that is the starting point of peeling of the adhesive layer from the release film is larger than the planned bonding part of the semiconductor wafer, in the bonding process to the semiconductor wafer, the adhesive layer is Peeling from the adhesive layer of the adhesive tape can be prevented.

ウエハ加工用テープの概略構成を示す図面である。It is drawing which shows schematic structure of the tape for wafer processing. 剥離フィルム、接着剤層および粘着テープの概略的な積層構造を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the schematic laminated structure of a peeling film, an adhesive bond layer, and an adhesive tape. 接着剤層の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of an adhesive bond layer. ウエハ加工用テープを半導体ウエハおよびリングフレームに貼合した概略的な状態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the schematic state which bonded the tape for wafer processing to the semiconductor wafer and the ring frame. ウエハ加工用テープを半導体ウエハおよびリングフレームに貼合する装置・方法を概略的に説明するための図面である。It is drawing for demonstrating schematically the apparatus and method which paste the wafer processing tape on a semiconductor wafer and a ring frame. 図３の比較例の態様を示す平面図である。It is a top view which shows the aspect of the comparative example of FIG. 実施例中のサンプルの剥離力測定方法を説明するための図面である。It is drawing for demonstrating the peeling force measuring method of the sample in an Example.

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

［ウエハ加工用テープ（１）］
図１に示すとおり、ウエハ加工用テープ１は、芯材となるコア６にロール状に巻回されており、使用時においてコア６から繰り出される。
図２に示すとおり、ウエハ加工用テープ１は主に剥離フィルム２、接着剤層３および粘着テープ４から構成されている。
ウエハ加工用テープ１を用いた半導体ウエハ（Ｗ）への貼合工程においては、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２が剥離され、露出した接着剤層３に半導体ウエハ（Ｗ）が貼合される。 [Tape for wafer processing (1)]
As shown in FIG. 1, the wafer processing tape 1 is wound around a core 6 serving as a core material in a roll shape, and is drawn out from the core 6 during use.
As shown in FIG. 2, the wafer processing tape 1 is mainly composed of a release film 2, an adhesive layer 3, and an adhesive tape 4.
In the bonding process to the semiconductor wafer (W) using the wafer processing tape 1, the release film 2 is peeled from the wafer processing tape 1, and the semiconductor wafer (W) is bonded to the exposed adhesive layer 3. The

［剥離フィルム（２）］
図１に示すとおり、剥離フィルム２は、矩形の帯状に形成され、一方向が十分に長くなるように形成されている。剥離フィルム２は、製造時及び使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。
剥離フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、剥離処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。 [Peeling film (2)]
As shown in FIG. 1, the release film 2 is formed in a rectangular band shape, and is formed so that one direction is sufficiently long. The release film 2 serves as a carrier film at the time of manufacture and use.
As the release film 2, a well-known film such as a polyethylene terephthalate (PET) system, a polyethylene system, or a film subjected to a release process can be used.

［粘着テープ（４）］
（１）構成
図１および図２に示すとおり、粘着テープ４は、接着剤層３を覆うと共に、接着剤層３の周囲全域で剥離フィルム２に接触可能となっている。
粘着テープ４は、ダイシング用のリングフレーム５（図４参照）の形状に対応するラベル部４ａと、ラベル部４ａの外周を囲むように形成された周辺部４ｂとを有している。粘着テープ４はウエハ加工用テープ１の使用前にプリカット加工され、周辺部４ｂが除去される（ラベル部４ａが残る。）。
図２に示すとおり、粘着テープ４は基材フィルム１０上に粘着剤層１２が形成された構成を有している。
粘着テープ４としては、ウエハＷをダイシングする際にはウエハＷが剥離しないように粘着剤層１２が十分な剥離力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層３から剥離できるように粘着剤層１２が低い剥離力を示すものであればよい。 [Adhesive tape (4)]
(1) Configuration As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the pressure-sensitive adhesive tape 4 covers the adhesive layer 3 and can come into contact with the release film 2 around the adhesive layer 3.
The adhesive tape 4 has a label portion 4a corresponding to the shape of the ring frame 5 for dicing (see FIG. 4) and a peripheral portion 4b formed so as to surround the outer periphery of the label portion 4a. The adhesive tape 4 is precut before use of the wafer processing tape 1, and the peripheral portion 4b is removed (the label portion 4a remains).
As shown in FIG. 2, the adhesive tape 4 has a configuration in which an adhesive layer 12 is formed on a base film 10.
As the pressure-sensitive adhesive tape 4, the pressure-sensitive adhesive layer 12 has a sufficient peeling force so that the wafer W does not peel when dicing the wafer W, and it is easily removed from the adhesive layer 3 when picking up a chip after dicing. What is necessary is just that the adhesive layer 12 shows a low peeling force so that it can peel.

（２）基材フィルム１０
基材フィルム１０は通常、プラスチック、ゴムなどを好ましく用い、粘着剤層１２が放射線重合成分を含む場合は、放射線の透過性の良いものを選択することが好ましい。
基材フィルム１０として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。
基材フィルム１０はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。 (2) Base film 10
In general, the base film 10 is preferably made of plastic, rubber, or the like. When the pressure-sensitive adhesive layer 12 includes a radiation polymerization component, it is preferable to select a film having good radiation transparency.
Examples of polymers that can be selected as the base film 10 include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid. Homopolymers or copolymers of α-olefins such as ethyl copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or mixtures thereof, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, etc. Engineering elastomers, polyurethanes, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, and thermoplastic elastomers such as polyamide-polyol copolymers.
The base film 10 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.

（３）粘着剤層１２
粘着剤層１２に用いられる材料は、特に制限されるものでは無いが、放射線重合性成分を含有してなるのが好ましい。
放射線重合性成分としては、放射線照射によって三次元網状化しうるものであれば特に制限は無く、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、オリゴエステルアクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン及びイソシアネート化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体が挙げられる。
他にも、放射線重合性成分として、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られるウレタンアクリレート系オリゴマーが挙げられる。
これらの放射線重合性化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。 (3) Adhesive layer 12
The material used for the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but preferably contains a radiation polymerizable component.
The radiation polymerizable component is not particularly limited as long as it can be three-dimensionally reticulated by irradiation, for example, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, pentenyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol Dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, trimethylol pro Diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1, 6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, oligoester acrylate , Styrene, divinylbenzene, 4-bi Toluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxypropane, 1,2-methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebis Acrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, triacrylate of tris (β-hydroxyethyl) isocyanurate, isocyanate compound, urethane (meth) acrylate compound, diamine and isocyanate compound, urea methacrylate compound, ethylene in side chain And a radiation-polymerizable copolymer having a polymerizable unsaturated group.
In addition, as a radiation polymerizable component, a polyol compound such as polyester type or polyether type and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1, 3 A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2 -Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Was a urethane acrylate oligomer obtained.
These radiation polymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.

［接着剤層（３）］
図１および図２に示すとおり、接着剤層３は剥離フィルム２と粘着テープ４との間に介在されている。接着剤層３は粘着テープ４の粘着剤層１２と密着しており、チップのピックアップ時においてチップに付着した状態で粘着剤層１２から剥離される。
接着剤層３に用いられる材料は、特に限定されるものでは無く、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコンオリゴマー系等を使用することができる。 [Adhesive layer (3)]
As shown in FIGS. 1 and 2, the adhesive layer 3 is interposed between the release film 2 and the adhesive tape 4. The adhesive layer 3 is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive tape 4, and is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 12 while being attached to the chip at the time of chip pickup.
The material used for the adhesive layer 3 is not particularly limited, and known polyimide resins, polyamide resins, polyetherimide resins, polyamideimide resins, polyester resins, polyesterimide resins, phenoxy resins used for adhesives Polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, silicon oligomer, and the like can be used.

図３に示すとおり、接着剤層３はウエハＷの形状に応じた円形状を呈している。
接着剤層３は、ウエハＷが貼り合わされる予定の部位（貼合予定部３０）と、その外側の外周部３２とに、区画される。
接着剤層３の外周部３２の図３（ａ）中の上側が剥離フィルム２との剥離の起点部３４となっている。 As shown in FIG. 3, the adhesive layer 3 has a circular shape corresponding to the shape of the wafer W.
The adhesive layer 3 is partitioned into a part (a bonding scheduled part 30) where the wafer W is to be bonded and an outer peripheral part 32 on the outer side.
The upper side in FIG. 3A of the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3 is a starting point portion 34 for peeling from the release film 2.

図３（ａ）中斜線部に示すとおり、接着剤層３の外周部３２はその全域にわたって粘着剤層１２に対する剥離力が貼合予定部３０より大きくなっている。
具体的には、
（ｉ）貼合予定部３０の粘着剤層１２に対する剥離力が０．０１以上で０．４Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の粘着剤層１２に対する剥離力が、貼合予定部３０の粘着剤層１２に対する剥離力の３０倍以上または０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上のどちらか小さい方であり、
（ｉｉ）貼合予定部３０の粘着剤層１２に対する剥離力が０．４Ｎ／ｉｎｃｈ以上で０．９Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の粘着剤層１２に対する剥離力が０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上となっている。 As shown by the hatched portion in FIG. 3A, the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3 has a larger peeling force with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 than the pasted portion 30 over the entire region.
In particular,
(I) When the peeling force with respect to the adhesive layer 12 of the bonding plan part 30 is 0.01 or more and less than 0.4 N / inch, the peeling force with respect to the adhesive layer 12 of the outer peripheral part 32 is the bonding plan part 30. 30 times or more of the peel force with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 or 0.9 N / inch or more, whichever is smaller,
(Ii) When the peeling force with respect to the adhesive layer 12 of the bonding part 30 is 0.4 N / inch or more and less than 0.9 N / inch, the peeling force with respect to the adhesive layer 12 of the outer peripheral part 32 is 0.9 N / inch. It is more than inch.

剥離力を増大させる手法としては下記（ａ）〜（ｅ）の手法をとりうる。
上記（ａ）〜（ｅ）の手法は単独で使用してもよいし、これらを組み合わせて使用してもよい（その組合せも適宜変更可能である。）。
（ａ）レーザー照射
粘着剤層３の外周部３２に対しレーザーを照射する。
照射されるレーザーは一般的にレーザーマークで利用されるレーザー種類・波長であればどれでも良く、品質を損なわずに効果を発揮できる程度で種類・波長・照射時間を適宜調節してもよい。
（ｂ）コロナ表面改質処理
接着剤層３の外周部３２に対しコロナ表面改質処理を施す。
コロナ表面改質処理は一般的に表面改質処理で利用される方法であればどれでもよく、品質を損なわずに効果を発揮できる程度で種類・処理時間を適宜調節してもよい。
（ｃ）加熱処理
接着剤層３の外周部３２に対し加熱処理を施す。
加熱処理は、一般的に加熱により接着力が強固となるものであればどれでも良く、たとえば、熱線を照射することがあげられる。
（ｄ）補強テープ貼付け
接着剤層３の外周部３２（外縁部）に対し、接着剤層３と粘着テープ４の粘着剤層１２との境界をはさむようにして別の粘着テープを貼り付け補強する。
補強用の粘着テープは、一般的に使われる粘着テープであればどれでも良い。
（ｅ）接着剤による補強
接着剤層３２の外周部３２において、接着剤層３と粘着テープ４の粘着剤層１２との間に接着剤を塗布する。
接着剤は、一般的に使われる接着剤であればどれでも良い。 The following methods (a) to (e) can be used as a method for increasing the peeling force.
The methods (a) to (e) may be used alone or in combination (the combination can be changed as appropriate).
(A) Laser irradiation The outer peripheral portion 32 of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is irradiated with a laser.
The laser to be irradiated may be any laser type and wavelength that are generally used in laser marks, and the type, wavelength, and irradiation time may be appropriately adjusted so that the effect can be exhibited without losing quality.
(B) Corona surface modification treatment A corona surface modification treatment is performed on the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3.
The corona surface modification treatment may be any method generally used in the surface modification treatment, and the kind and treatment time may be appropriately adjusted to such an extent that the effect can be exhibited without impairing the quality.
(C) Heat treatment Heat treatment is performed on the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 3.
The heat treatment is not particularly limited as long as the adhesive strength is strengthened by heating, and for example, irradiation with heat rays can be mentioned.
(D) Reinforcement tape sticking Reinforcing and sticking another adhesive tape to the outer peripheral part 32 (outer edge part) of the adhesive layer 3 so as to sandwich the boundary between the adhesive layer 3 and the adhesive layer 12 of the adhesive tape 4. .
The reinforcing adhesive tape may be any commonly used adhesive tape.
(E) Reinforcement with Adhesive An adhesive is applied between the adhesive layer 3 and the adhesive layer 12 of the adhesive tape 4 at the outer peripheral portion 32 of the adhesive layer 32.
The adhesive may be any commonly used adhesive.

なお、図３（ｂ）に示すとおり、接着剤層３の外周部３２のうち、起点部３４とその他の部位（３６）とが貼合予定部３０より粘着剤層１２に対する剥離力が大きくなっていてもよいし、終局的には、図３（ｃ）に示すとおり、起点部３４だけが貼合予定部３０より粘着剤層１２に対する剥離力が大きくなってもよい。
この場合も、接着剤層３の起点部３４やその他の部位３６で剥離力を増大させる手法として、上記（ａ）〜（ｅ）の手法をとりうるし、上記（ａ）〜（ｅ）の手法は単独で使用してもよいし、これらを組み合わせて使用してもよい（その組合せも適宜変更可能である。）。 In addition, as shown in FIG.3 (b), in the outer peripheral part 32 of the adhesive bond layer 3, the starting part 34 and another site | part (36) have larger peeling force with respect to the adhesive layer 12 than the bonding plan part 30. FIG. Finally, as shown in FIG. 3 (c), only the starting point portion 34 may have a greater peeling force with respect to the pressure-sensitive adhesive layer 12 than the bonding planned portion 30.
Also in this case, the methods (a) to (e) described above can be used as a method for increasing the peeling force at the starting portion 34 and other parts 36 of the adhesive layer 3, and the methods (a) to (e) described above can be used. May be used alone or in combination (the combination can be changed as appropriate).

［ウエハ加工用テープ（１）の使用方法］
ウエハ加工用テープ１を半導体ウエハＷおよびリングフレーム５に貼りつける。
詳しくは、図５に示すとおり、ウエハ加工用テープ１をそのロール体から巻き取り、ウエハ加工用テープ１をローラ１００により引き出す。
ウエハ加工用テープ１の引き出し経路には、剥離用くさび１０１が設けられており、剥離用くさび１０１の先端部を折り返し点として、剥離フィルム２のみが引き剥がされ、剥離フィルム２が巻き取りローラ１００に巻き取られる。
剥離用くさび１０１の先端部の下方には、吸着ステージ１０２が設けられており、吸着ステージ１０２の上面には、半導体ウエハＷおよびリングフレーム５が設けられている。
剥離用くさび１０１により剥離フィルム２が引き剥がされた接着剤層３および粘着テープ４は、半導体ウエハＷ上に導かれ、貼合ローラ１０３によってウエハＷに貼合される。 [How to use wafer processing tape (1)]
Wafer processing tape 1 is attached to semiconductor wafer W and ring frame 5.
Specifically, as shown in FIG. 5, the wafer processing tape 1 is wound up from the roll body, and the wafer processing tape 1 is pulled out by the roller 100.
A peeling wedge 101 is provided in the drawing path of the wafer processing tape 1, and only the peeling film 2 is peeled off with the tip of the peeling wedge 101 as a turning point, and the peeling film 2 is taken up by the take-up roller 100. Rolled up.
An adsorption stage 102 is provided below the tip of the peeling wedge 101, and a semiconductor wafer W and a ring frame 5 are provided on the upper surface of the adsorption stage 102.
The adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 from which the release film 2 has been peeled off by the peeling wedge 101 are guided onto the semiconductor wafer W and bonded to the wafer W by the bonding roller 103.

その後、接着剤層３および粘着テープ４を半導体ウエハＷおよびリングフレーム５に貼りつけた状態で、半導体ウエハＷをダイシングする。
その後、粘着テープ４に放射線照射等の硬化処理を施してダイシング後の半導体ウエハＷ（半導体チップ）をピックアップする。このとき、粘着テープ４は硬化処理によって剥離力が低下しているので、接着剤層３は粘着テープ４の粘着剤層１２から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層３が付着した状態でピックアップされる。
半導体チップの裏面に付着した接着剤層３は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。 Thereafter, the semiconductor wafer W is diced in a state where the adhesive layer 3 and the adhesive tape 4 are attached to the semiconductor wafer W and the ring frame 5.
Thereafter, the adhesive tape 4 is subjected to a curing process such as radiation irradiation to pick up a semiconductor wafer W (semiconductor chip) after dicing. At this time, since the peeling force of the pressure-sensitive adhesive tape 4 is reduced by the curing process, the adhesive layer 3 is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the pressure-sensitive adhesive tape 4, and the adhesive layer 3 is adhered to the back surface of the semiconductor chip. Picked up in state.
The adhesive layer 3 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

（１）サンプルの作製
（１．１）基材フィルムの準備および粘着剤層の形成
基材フィルムとしてポリオレフィン系基材フィルムＺ（厚さ１００μｍ）を準備した。
他方で、放射線重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーＸ（分子量７０万Ｍｗ、Ｔｇ＝−６５℃）あるいはＹ（分子量２０万Ｍｗ、Ｔｇ＝−２０℃）１００部、ポリイソシアネート系硬化剤２〜１８部に対し、光重合開始剤（２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン）１部を配合し、その溶液を上記基材フィルム上に乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、その後１１０℃で２分間乾燥させ、基材フィルム上に「粘着剤層Ａ〜Ｆ」を形成した。
粘着剤層Ａ〜Ｆのポリマーの種類（ＸまたはＹ）や、硬化剤，光重合開始剤の配合比は表１のとおりである。
その後、粘着剤層Ａ〜Ｆを形成した基材フィルムに対してプリカット加工を施し、粘着テープを作製した（完成させた）。 (1) Preparation of sample (1.1) Preparation of base film and formation of pressure-sensitive adhesive layer A polyolefin base film Z (thickness: 100 μm) was prepared as a base film.
On the other hand, acrylic polymer X having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond (molecular weight 700,000 Mw, Tg = −65 ° C.) or Y (molecular weight 200,000 Mw, Tg = −20 ° C.) 100 parts, polyisocyanate type 1 part of a photopolymerization initiator (2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone) is blended with 2 to 18 parts of the curing agent, and the solution is applied on the base film so that the dry film thickness is 10 μm. And then dried at 110 ° C. for 2 minutes to form “adhesive layers A to F” on the base film.
Table 1 shows the polymer types (X or Y) of the pressure-sensitive adhesive layers A to F, and the blending ratios of the curing agent and the photopolymerization initiator.
Thereafter, the base film on which the pressure-sensitive adhesive layers A to F were formed was subjected to pre-cut processing to produce (completed) a pressure-sensitive adhesive tape.

Figure 0004904432
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（１．２）接着剤層の形成
アクリル系共重合体１００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１００部、キシレンノボラック型フェノール樹脂１０部に、エポキシ硬化剤として２−フェニルイミダゾール５部とキシレンジアミン０．５部を配合し、その溶液をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗布し、その後１１０℃で２分間乾燥させ、ＰＥＴフィルム上に接着剤層を形成した。 (1.2) Formation of adhesive layer 100 parts of acrylic copolymer, 100 parts of cresol novolac type epoxy resin, 10 parts of xylene novolac type phenol resin, 5 parts of 2-phenylimidazole and 0. 5 parts were blended, and the solution was applied to a polyethylene terephthalate (PET) film and then dried at 110 ° C. for 2 minutes to form an adhesive layer on the PET film.

その後、接着剤層の外周部であって接着剤層の半導体ウエハの貼合予定部分を除く部位に対し、下記（１．２．１）〜（１．２．５）に記載のレーザー照射、コロナ表面改質処理、加熱処理、補強テープの貼付けまたは接着剤の塗布のいずれかの処理を施した。
処理を施した部位や処理方法は表２および表３に示すとおりとした。
なお、比較例１，２では、図６（ａ）に示すとおり、接着剤層の外周部に対しなんらの処理も施さなかった。
比較例３，５，７，８，１０，１２〜１４では、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すとおり、接着剤層の外周部の一部であって接着剤層の剥離フィルムとの剥離の起点を除く部位（斜線部参照）に対し、上記いずれかの処理を施した。 Then, the laser irradiation described in the following (1.2.1) to (1.2.5) on the outer peripheral portion of the adhesive layer and excluding the portion to be bonded to the semiconductor wafer of the adhesive layer, Any of corona surface modification treatment, heat treatment, application of a reinforcing tape, or application of an adhesive was performed.
The treated parts and treatment methods were as shown in Tables 2 and 3.
In Comparative Examples 1 and 2, as shown in FIG. 6A, no treatment was performed on the outer peripheral portion of the adhesive layer.
In Comparative Examples 3, 5, 7, 8, 10, 12 to 14, as shown in FIGS. 6 (b) and 6 (c), a part of the outer periphery of the adhesive layer and a release film of the adhesive layer Any one of the above treatments was performed on the portion excluding the starting point of the peeling (see the shaded area).

（１．２．１）レーザー照射
ＣＯ２レーザーマーカを使用し、接着剤層の表面に対しレーザー照射を行った。
（１．２．２）コロナ表面改質処理
コロナ表面改質処理機を使用し、接着剤層の表面に対しコロナ表面改質処理を行った。
（１．２．３）加熱処理
接着剤層の表面に対し熱線を照射し、加熱処理を行った。
（１．２．４）補強テープ貼付け
接着剤層の外縁部に対し、粘着テープと接着剤層との境界をはさむようにして補強用の粘着テープを貼り付けた。
（１．２．５）接着剤の塗布
接着剤層の外周部において接着剤層と粘着テープの粘着剤層との間に接着剤を塗布し、接着剤層と粘着テープとを接着剤により貼り付けた。 (1.2.1) Laser irradiation Laser irradiation was performed on the surface of the adhesive layer using a CO 2 laser marker.
(1.2.2) Corona surface modification treatment Using a corona surface modification processor, the surface of the adhesive layer was subjected to a corona surface modification treatment.
(1.2.3) Heat treatment Heat treatment was performed by irradiating the surface of the adhesive layer with heat rays.
(1.2.4) Reinforcement tape sticking Reinforcing adhesive tape was stuck to the outer edge of the adhesive layer so as to sandwich the boundary between the adhesive tape and the adhesive layer.
(1.2.5) Application of adhesive Adhesive is applied between the adhesive layer and the adhesive layer of the adhesive tape at the outer periphery of the adhesive layer, and the adhesive layer and the adhesive tape are attached with the adhesive. I attached.

（１．３）ウエハ加工用テープの形成
接着剤層に対しウエハサイズよりも大きい形状で打ち抜き加工を施し、この厚さ１０μｍの接着剤層を粘着テープの粘着剤層上に貼合し、ウエハ加工用テープを形成した（完成させた）。当該ウエハ加工用テープには、接着剤層の形成工程で使用したＰＥＴ系のセパレーターが剥離フィルムが設けられている。 (1.3) Formation of wafer processing tape The punching process is performed on the adhesive layer in a shape larger than the wafer size, and the adhesive layer having a thickness of 10 μm is bonded onto the adhesive layer of the adhesive tape. A processing tape was formed (completed). The wafer processing tape is provided with a release film made of a PET separator used in the adhesive layer forming step.

（２）サンプルの評価
（２．１）剥離力測定方法
各サンプルについて、剥離フィルム（ＰＥＴ）を剥した後、剥離試験時の接着剤層の伸びを防止するため、接着剤層側に支持テープ（積水化学工業化株式会社製の梱包用オリエンスパットテープ、３８ｍｍ幅）を平らな硝子板上で手動の貼合ローラー（２ｋｇ）を用いて貼合し、粘着テープ、接着剤層、支持テープの積層体とした。
その後、この積層体を、図７に示すように、接着剤層の剥離フィルム（ＰＥＴフィルム）との剥離の起点となる部分を含み、外周部から中心に向かう方向に対し、長さ１００ｍ、幅２５ｍｍの短冊状に切り取り、試験片とした。
その後、各試験片について、図７の矢印方向、すなわち接着剤層の中心から外周部に向かう方向に向かって、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ（分）で、粘着剤層と接着剤層との間を引き剥がし、半導体ウエハの貼合予定部に相当する部分と、剥離の起点部に相当する部分の剥離力をそれぞれ求めた。測定結果を表２〜表６に示す。 (2) Sample evaluation (2.1) Method for measuring peel force For each sample, after peeling off the peelable film (PET), a support tape is provided on the adhesive layer side to prevent the adhesive layer from stretching during the peel test. (Sekisui Chemical Industrial Co., Ltd. packing orient spat tape, 38 mm width) is laminated on a flat glass plate using a manual laminating roller (2 kg), and the adhesive tape, adhesive layer, and support tape are laminated. The body.
Thereafter, as shown in FIG. 7, the laminate includes a portion that becomes a starting point of peeling of the adhesive layer from the release film (PET film), and has a length of 100 m and a width with respect to the direction from the outer peripheral portion toward the center. It was cut into a 25 mm strip and used as a test piece.
Thereafter, with respect to each test piece, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive were peeled at an angle of 180 degrees and peeled at a rate of 300 mm / min (minutes) in the direction of the arrow in FIG. 7, that is, from the center of the adhesive layer toward the outer periphery. The layers were peeled from each other, and the peeling force of the part corresponding to the bonding planned part of the semiconductor wafer and the part corresponding to the starting point part of peeling were determined. The measurement results are shown in Tables 2 to 6.

（２．２）貼合試験
実施例及び比較例の各サンプルに対し、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウエハを、図５に示す装置・方法により、加熱温度７０℃，貼合速度１２ｍｍ／ｓで貼合した。
上記貼合作業を１０回試行し、接着剤層が粘着テープから一部捲れ上がった状態でシリコンウエハに貼合されていないか否かを確認した。試験結果を表２〜表６に示す。
１０回の貼合作業後において、すべての回で接着剤層が粘着テープから捲れ上がることなく粘着テープに付着していた場合を「○（貼合良好）」と、少なくとも１回は接着剤層が粘着テープから一部捲れ上がった場合を、「×（貼合不良）」とみなして評価した。 (2.2) Bonding test For each sample of Examples and Comparative Examples, a silicon wafer having a thickness of 50 μm and a diameter of 200 mm was heated at a heating temperature of 70 ° C. and a bonding speed of 12 mm / s by the apparatus and method shown in FIG. Bonded with.
The above bonding operation was tried 10 times, and it was confirmed whether or not the adhesive layer was bonded to the silicon wafer in a state where the adhesive layer was partially lifted from the adhesive tape. The test results are shown in Tables 2 to 6.
After 10 pasting operations, the case where the adhesive layer adhered to the adhesive tape without rising from the adhesive tape at all times was indicated as “O (adhesion good)” and at least once the adhesive layer The case where a part of the film was rolled up from the adhesive tape was regarded as “× (poor bonding)” and evaluated.

（２．３）ピックアップ試験
実施例および比較例の各サンプルに対し厚み５０μｍのシリコンウエハを７０℃×１０秒で加熱貼合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。
その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ５０個についてピックアップ装置（キヤノンマシナリー製、商品名：ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ試験を行った。試験結果を表２〜表６に示す。
５０個すべてのチップのピックアップに成功したものを「○」と、５０個のチップのうち１個でもピックアップに失敗したものを「×」とみなして評価した。 (2.3) Pickup Test A silicon wafer having a thickness of 50 μm was bonded to each sample of the example and the comparative example by heating at 70 ° C. for 10 seconds, and then diced to 10 mm × 10 mm.
Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 by an air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance 10 cm), and then a pick-up device for 50 chips in the center of the silicon wafer (product name: CAP manufactured by Canon Machinery). A pickup test according to -300II) was performed. The test results are shown in Tables 2 to 6.
Evaluations were made by regarding “50” as a result of successful pickup of all 50 chips, and “X” as a result of failure in picking up even one of the 50 chips.

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（３）まとめ
表２〜表６に示すとおり、実施例１〜１２では貼合試験，ピックアップ試験のいずれにおいても結果が良好であり、接着剤層の外周部であって剥離フィルムとの剥離の起点を含む部分において半導体ウエハの貼合予定部位よりも剥離力を増大させれば、接着剤層が粘着テープの粘着剤層から剥離するのを防止することができ、ピックアップミスも誘引されないことがわかる。なお、比較例１は、半導体ウエハの貼合予定部位も剥離力が高いため、シリコンウエハへの貼合は良好に行うことが出来たが、ピックアップミスが多発した。 (3) Summary As shown in Tables 2 to 6, in Examples 1 to 12, the results are good in both the bonding test and the pick-up test, and the outer peripheral portion of the adhesive layer is peeled off from the release film. If the peeling force is increased in the part including the starting point than the planned bonding part of the semiconductor wafer, the adhesive layer can be prevented from peeling from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape, and pick-up mistakes are not induced. Recognize. In Comparative Example 1, since the part to be bonded to the semiconductor wafer had a high peeling force, the bonding to the silicon wafer could be performed satisfactorily, but many pickup mistakes occurred.

１ ウエハ加工用テープ
２ 剥離フィルム
３ 接着剤層
４ 粘着テープ
４ａ ラベル部
４ｂ 周辺部
６ コア
１０ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１００ 巻き取りローラ
１０１ 剥離用くさび
１０２ 吸着ステージ
１０３ 貼合ローラ
Ａ 剥離フィルムの引き出し方向
Ｂ 剥離フィルムの引き剥がし方向 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer processing tape 2 Release film 3 Adhesive layer 4 Adhesive tape 4a Label part 4b Peripheral part 6 Core 10 Base film 12 Adhesive layer 100 Winding roller 101 Peeling wedge 102 Adsorption stage 103 Bonding roller A of peeling film Pull-out direction B Stripping direction of peeling film

Claims (6)

剥離フィルムと、
前記剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、
基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着テープであって、前記接着剤層を覆いかつ前記接着剤層の周囲で前記剥離フィルムに接するように形成された前記粘着テープとが、積層されたウエハ加工用テープにおいて、
前記接着剤層の外周部の一部であって、半導体ウエハの貼合時に前記剥離フィルムとの剥離の起点となる起点部を含む部位の前記粘着剤層との間の剥離力が、前記接着剤層の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部の前記粘着剤層との間の剥離力よりも大きく、かつ、前記外周部の一部の剥離力が０．９Ｎ／２５ｍｍ以上であるウエハ加工用テープ。 A release film;
An adhesive layer partially formed on the release film;
A pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is formed so as to cover the adhesive layer and to be in contact with the release film around the adhesive layer. In wafer processing tape,
A peeling force between the adhesive layer in a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer and including a starting point portion that becomes a starting point of peeling from the release film when the semiconductor wafer is bonded is the adhesion It is larger than the peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer of the part to be bonded to which the semiconductor wafer of the agent layer is to be bonded, and a part of the outer peripheral part has a peeling force of 0.9 N / 25 mm or more. Wafer processing tape. 剥離フィルムと、
前記剥離フィルム上に部分的に形成された接着剤層と、
基材フィルム上に粘着剤層が形成された粘着テープであって、前記接着剤層を覆いかつ前記接着剤層の周囲で前記剥離フィルムに接するように形成された前記粘着テープとが、積層されたウエハ加工用テープにおいて、
前記接着剤層の外周部のうち、半導体ウエハの貼合時に剥離フィルムとの剥離の起点となる起点部の前記粘着剤層との間の剥離力が、前記接着剤層の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部の前記粘着剤層との間の剥離力よりも大きく、かつ、前記起点部の剥離力が０．９Ｎ／２５ｍｍ以上であるウエハ加工用テープ。 A release film;
An adhesive layer partially formed on the release film;
A pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is formed so as to cover the adhesive layer and to be in contact with the release film around the adhesive layer. In wafer processing tape,
Of the outer peripheral part of the adhesive layer, the peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer at the starting point that becomes the starting point of peeling from the release film when the semiconductor wafer is bonded is bonded to the semiconductor wafer of the adhesive layer. A wafer processing tape having a peeling force that is greater than the peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer to be bonded , and the starting point has a peeling force of 0.9 N / 25 mm or more . 請求項１または２に記載のウエハ加工用テープにおいて、
前記外周部の一部または前記起点部が、レーザー照射されていることを特徴とするウエハ加工用テープ。 The tape for wafer processing according to claim 1 or 2 ,
Some or the start part of the front Kigaishu portion, the wafer processing tape, characterized by being laser irradiation. 請求項１または２に記載のウエハ加工用テープにおいて、
前記外周部の一部または前記起点部が、コロナ表面改質処理されていることを特徴とするウエハ加工用テープ。 The tape for wafer processing according to claim 1 or 2 ,
Some or the start part of the front Kigaishu portion, the wafer processing tape, characterized by being processed corona surface modification. 請求項１または２に記載のウエハ加工用テープにおいて、
前記外周部の一部または前記起点部が、加熱処理されていることを特徴とするウエハ加工用テープ。 The tape for wafer processing according to claim 1 or 2 ,
Wafer processing tape, wherein a part or the start part of the front Kigaishu portion is heat treated. 請求項１または２に記載のウエハ加工用テープにおいて、
前記外周部の一部または前記起点部では、前記接着剤層と前記粘着剤層との間に接着剤が塗布されていることを特徴とするウエハ加工用テープ。 The tape for wafer processing according to claim 1 or 2 ,
Some or the start part of the front Kigaishu portion, the wafer processing tape the adhesive is characterized in that it is applied between the adhesive layer and the adhesive layer.
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