JP6386179B2 - 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の検査方法 - Google Patents
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Description
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。
まず、本発明に先立って本発明者らによって検討されたパワー半導体装置について説明する。
本実施例による半導体装置の構造について図1〜図4を用いて説明する。図1は、本実施例による半導体装置の一例を示す要部平面図である。図2は、本実施例による半導体装置に付される識別マークの一例を示す図である。図3は、本実施例による半導体装置の一例を示す要部断面図(図1のX1−X2線に沿った断面図)である。図4は、本実施例による半導体装置の他の例を示す要部断面図(図1のX1−X2線に沿った断面図)である。
図3は、半導体装置の一例を示す要部断面図である。
≪半導体装置の製造方法≫
(工程S101)
(工程S102)
(工程S103)
次に、アクティブ領域に所望するデバイスを形成する。
(工程S104)
(工程S105)
(工程S106)
(工程S107)
(工程S108)
(工程S109)
(工程S110)
≪半導体装置の検査方法≫
(工程S201)
(工程S202)
(工程S203)
(工程S204)
(工程S205)
(工程S206)
≪半導体装置の検査方法の他の例≫
2 アクティブ領域
3 第1樹脂領域
4 第2樹脂領域
5 識別マーク
101 SiC基板
102 裏面電極
103 コンタクト領域
104 ドリフト層
105 電界緩和領域
106a 第1層間膜
106b 第2層間膜
106c 開口部
107 表面電極
107A 金属膜
108 第1保護膜
108A 第1樹脂材料
109 識別パターン領域
110 アクティブ開口部
111 識別マーク開口部
112 第2保護膜
113 フォトレジスト膜
114 C(炭素)膜
115 第1絶縁膜
116 第2絶縁膜
401 データベース
402 SiCウェハ
403 測定機
404 制御装置
405 測定機
406 制御装置
407 半導体チップ
408 測定機
409 制御装置
410 実装基板
411 測定機
412 制御装置
413 識別マーク
414 自動認識装置
415 制御装置
416 出力媒体
417 半導体ウェハの画像
418 データベース
BC バーコード
CA カメラ
EPI エピタキシャル層
LI 光(視野領域)
PR プローブ(探針)
Claims (11)
- 第1導電型の炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板の主面上に形成された前記第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面に形成されたアクティブ領域と、
平面視において前記アクティブ領域を囲んで、前記半導体層の上面に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の電界緩和領域と、
前記電界緩和領域の上方に形成された、第1樹脂材料からなる第1厚さの第1保護膜と、
を有し、
前記アクティブ領域の一部の上面上に、ウェハ状態における位置情報が付された、前記第1樹脂材料からなる識別マークが形成され、
前記第1保護膜の上面上に、第2樹脂材料からなる前記第1厚さよりも厚い第2厚さの第2保護膜が形成されており、
前記第2樹脂材料の粘度は、前記第1樹脂材料の粘度よりも高い、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記識別マークは、平面視において縞模様状の複数の線からなる、半導体装置。 - (a)ウェハの主面側に、第1樹脂材料を塗布する工程、
(b)前記第1樹脂材料を加工して、前記ウェハの各チップ領域のそれぞれに設けられた第1領域に、ウェハ状態における位置情報を示す識別マークを形成し、前記ウェハの各チップ領域のそれぞれに設けられた、前記第1領域とは異なる第2領域に、第1保護膜を形成する工程、
(c)前記第2領域の前記第1保護膜の上面上に、第2樹脂材料からなる第2保護膜を形成する工程、
を含み、
前記第2樹脂材料の粘度は、前記第1樹脂材料の粘度よりも高い、半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1樹脂材料は、スピンコートを用いて塗布され、前記第2樹脂材料は、ディスペンサを用いて塗布される、半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2領域は、前記ウェハの各チップ領域の外周部である、半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程の後、
(d)前記ウェハから複数のチップを個々に分離する工程
をさらに含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハは、炭化ケイ素からなる、半導体装置の製造方法。 - (a)ウェハから分離され、ウェハ状態における位置情報を有するチップを準備する工程、
(b)前記チップに形成された半導体装置に対して電気的試験を実施する工程、
(c)前記電気的試験により得られた前記半導体装置の特性情報を、ウェハ状態における前記チップの前記位置情報と共に、データベースに保存する工程、
(d)前記データベースに保存された前記半導体装置の前記特性情報および前記チップの前記位置情報を出力する工程、
を含み、
前記半導体装置は、
第1導電型の炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板の主面上に形成された前記第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の上面に形成されたアクティブ領域と、
平面視において前記アクティブ領域を囲んで、前記半導体層の上面に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の電界緩和領域と、
前記電界緩和領域の上方に形成された、第1樹脂材料からなる第1厚さの第1保護膜と、
を有し、
前記アクティブ領域の一部の上面上に、ウェハ状態における位置情報が付された、前記第1樹脂材料からなる識別マークが形成され、
前記第1保護膜の上面上に、第2樹脂材料からなる前記第1厚さよりも厚い第2厚さの第2保護膜が形成されており、
前記第2樹脂材料の粘度は、前記第1樹脂材料の粘度よりも高い、半導体装置の検査方法。 - 請求項8記載の半導体装置の検査方法において、
前記(a)工程の前に、
(e)前記ウェハが有する欠陥の位置をデータベースに保存する工程
をさらに含み、
前記(c)工程で、前記ウェハが有する前記欠陥の位置を出力する、半導体装置の検査方法。 - 請求項8記載の半導体装置の検査方法において、
前記チップの前記位置情報は、前記チップの主面側に塗布された第1樹脂材料によって形成される、半導体装置の検査方法。 - 請求項8記載の半導体装置の検査方法において、
前記ウェハは、炭化ケイ素からなる、半導体装置の検査方法。
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