JP6385632B1 - 電流検出装置及び電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

電流検出装置（１）では、１つ以上の磁気シールド（５０ａ，５０ｂ，５０ｃ）の１つ以上の第１の板部分（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）、１つ以上の第２の板部分（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）及び１つ以上の第３の板部分（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ）は、１つ以上の突出部（３６ａ，３６ｂ，３６ｃ）における側面（３０ｓ）に対向している。１つ以上の突出部（３６ａ，３６ｂ，３６ｃ）、１つ以上の磁界検出素子（４０ａ，４０ｂ，４０ｃ）及び１つ以上の導電部材（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ）はそれぞれ１つ以上の磁気シールド（５０ａ，５０ｂ，５０ｃ）によって囲まれている。そのため、電流検出装置（１）は、小型で高い電流検出精度を有する。

Description

本発明は、電流検出装置及び電力変換装置に関する。
特開２０１６−６５７３６号公報（特許文献１）は、導体を流れる電流を検出する磁気検出素子と、磁気検出素子が載置される回路基板と、導体と磁気検出素子と回路基板とを囲む磁気シールドとを備える電流検出装置を開示している。
特開２０１６−６５７３６号公報
しかしながら、特許文献１に開示された電流検出装置は、大きなサイズを有する。本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、小型で高い電流検出精度を有する電流検出装置を提供することである。本発明の別の目的は、小型で高い電流検出精度を有する電流検出装置を備える電力変換装置を提供することである。
本発明の電流検出装置は、回路基板と、１つ以上の磁界検出素子と、１つ以上の磁気シールドとを備える。回路基板は、第１の主面と、第１の主面とは反対側の第２の主面と、第１の主面と第２の主面とに接続される側面とを有する。回路基板は１つ以上の突出部を含む。１つ以上の突出部は、側面のうち１つ以上の突出部のそれぞれに隣接する複数の側面部分から突出している。１つ以上の磁界検出素子は、第１の主面上に載置される。１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ１つ以上の突出部上に載置されている。１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ１つ以上の導電部材を流れる電流によって生成される磁界を検出し得るように構成されている。１つ以上の導電部材は、第１の主面に交差する第１の方向に沿って延在している。１つ以上の導電部材はそれぞれ１つ以上の突出部の先端部分に対向している。１つ以上の磁気シールドはそれぞれ１つ以上の突出部に対向して配置されている。１つ以上の磁気シールドは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分と、１つ以上の第２の板部分と、１つ以上の第３の板部分とを含む。１つ以上の第２の板部分はそれぞれ１つ以上の第１の板部分に対向している。１つ以上の第３の板部分はそれぞれ１つ以上の第１の板部分と１つ以上の第２の板部分とを接続している。１つ以上の第１の板部分、１つ以上の第２の板部分及び１つ以上の第３の板部分は、１つ以上の突出部における側面に対向している。第１の主面の平面視において、１つ以上の突出部、１つ以上の磁界検出素子及び１つ以上の導電部材はそれぞれ１つ以上の磁気シールドによって囲まれている。
本発明の電力変換装置は、本発明の電流検出装置と、１つ以上のパワーモジュールとを備える。１つ以上のパワーモジュールはそれぞれ半導体スイッチング素子を含む。１つ以上のパワーモジュールはそれぞれ１つ以上の導電部材に接続されている。
本発明の電流検出装置では、１つ以上の磁気シールドの１つ以上の第１の板部分、１つ以上の第２の板部分及び１つ以上の第３の板部分は、１つ以上の突出部における側面に対向している。第１の主面の平面視において、１つ以上の突出部、１つ以上の磁界検出素子及び１つ以上の導電部材はそれぞれ１つ以上の磁気シールドによって囲まれている。そのため、本発明の電流検出装置は、小型化され得る。さらに、第１の主面の平面視において、１つ以上の磁界検出素子及び１つ以上の導電部材はそれぞれ１つ以上の磁気シールドによって囲まれている。本発明の電流検出装置は、高い電流検出精度を有する。
本発明の電力変換装置によれば、小型で高い電流検出精度を有する電流検出装置を備える電力変換装置が提供され得る。
本発明の実施の形態１に係る電流検出装置の概略分解斜視図である。 本発明の実施の形態１に係る電流検出装置の概略部分拡大平面図である。 本発明の実施の形態１に係る電流検出装置の概略部分断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電流検出装置の概略部分断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電流検出装置の概略部分断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例に係る電流検出装置に含まれる回路基板の概略斜視図である。 本発明の実施の形態１に係る電流検出装置において、磁界検出素子を偏位させた場合の磁界検出素子からの出力の変化を表すグラフを示す図である。 本発明の実施の形態２に係る電流検出装置の概略部分拡大平面図である。 本発明の実施の形態３に係る電流検出装置の概略部分拡大平面図である。 本発明の実施の形態３に係る電流検出装置の概略分解斜視図である。 本発明の実施の形態４に係る電流検出装置の概略部分拡大平面図である。 本発明の実施の形態４に係る電流検出装置の概略部分拡大分解斜視図である。 本発明の実施の形態４に係る電流検出装置の概略部分拡大分解斜視図である。 本発明の実施の形態４に係る電流検出装置の概略部分拡大分解斜視図である。 本発明の実施の形態５に係る電力変換装置の概略斜視図である。 本発明の実施の形態５に係る電力変換装置の概略分解斜視図である。
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、同一の構成には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
実施の形態１．
図１から図７を参照して、実施の形態１に係る電流検出装置１を説明する。本実施の形態の電流検出装置１は、例えば、電気自動車またはハイブリットカーに組み込まれて、電気自動車またはハイブリットカーのバッテリーから流れ出す電流を測定してもよい。本実施の形態の電流検出装置１は、例えば、工作機械に組み込まれて、工作機械のモータに流れ込む電流を測定してもよい。
本実施の形態の電流検出装置１は、回路基板３０と、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃとを主に備える。本実施の形態の電流検出装置１は、複数の第１の支持部材１７と、第２の支持部材２５と、筐体１０とをさらに備えてもよい。
回路基板３０は、第１の主面３０ａと、第１の主面３０ａとは反対側の第２の主面３０ｂと、第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとに接続される側面３０ｓとを有する。第１の主面３０ａの平面視において、第１の主面３０ａは、第２の方向（例えば、ｙ方向）と、第２の方向に直交する第３の方向（例えば、ｘ方向）とに延在している。
回路基板３０は１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃを含む。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、複数の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃであってもよい。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、側面３０ｓのうち１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃのそれぞれに隣接する複数の側面部分３７ａ，３８ａ，３７ｂ，３８ｂ，３７ｃ，３８ｃから第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って突出している。具体的には、突出部３６ａは、側面３０ｓのうち突出部３６ａに隣接する側面部分３７ａ，３８ａから第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って突出している。突出部３６ｂは、側面３０ｓのうち突出部３６ｂに隣接する側面部分３７ｂ，３８ｂから第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って突出している。突出部３６ｃは、側面３０ｓのうち突出部３６ｃに隣接する側面部分３７ｃ，３８ｃから第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って突出している。
回路基板３０の側面３０ｓに、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃが形成されてもよい。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、それぞれ、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃの間に設けられている。図１及び図２に示されるように、突出部３６ａは、各々が狭い幅を有する一対のスリット３４ａ，３５ａの間に設けられてもよく、突出部３６ｂは、各々が狭い幅を有する一対のスリット３４ｂ，３５ｂの間に設けられてもよく、突出部３６ｃは、各々が狭い幅を有する一対のスリット３４ｃ，３５ｃの間に設けられてもよい。図１及び図２に示されるように、互いに隣り合う２つの突出部３６ａ，３６ｂの間に、２つのスリット３５ａ，３４ｂが形成されてもよく、互いに隣り合う２つの突出部３６ｂ，３６ｃの間に、２つのスリット３５ｂ，３４ｃが形成されてもよい。
図６に示されるように、突出部３６ａは、各々が広い幅を有する一対のスリット６４ａ，６４ｂの間に設けられてもよく、突出部３６ｂは、各々が広い幅を有する一対のスリット６４ｂ，６４ｃの間に設けられてもよく、突出部３６ｃは、各々が広い幅を有する一対のスリット６４ｃ，６４ｄの間に設けられてもよい。図６に示されるように、互いに隣り合う２つの突出部３６ａ，３６ｂの間に、１つのスリット６４ｂが形成されてもよく、互いに隣り合う２つの突出部３６ｂ，３６ｃの間に、１つのスリット６４ｃが形成されてもよい。
図１に示されるように、回路基板３０は第１の制御部４３を含んでもよい。第１の制御部４３は、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに電気的に接続されている。回路基板３０に含まれる１つ以上の配線４５ａ，４５ｂ，４５ｃを介して、第１の制御部４３は、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに電気的に接続されている。具体的には、第１の制御部４３は、配線４５ａを介して、磁界検出素子４０ａに電気的に接続されている。第１の制御部４３は、配線４５ｂを介して、磁界検出素子４０ｂに電気的に接続されている。第１の制御部４３は、配線４５ｃを介して、磁界検出素子４０ｃに電気的に接続されている。
第１の制御部４３は、電流検出装置１を作動させるための電源を含んでもよい。第１の制御部４３は、例えば、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれに印加する電圧または電流を調整することによって、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのゲインを制御してもよい。第１の制御部４３は、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれによって検出された磁界から、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃのそれぞれを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃのそれぞれを算出してもよい。第１の制御部４３は、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力信号を受け取って、この出力信号に応じて他の電子機器（例えば、図１６に示されるパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）または他の制御部（例えば、図１５及び図１６に示される第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃ）を制御してもよい。
回路基板３０は１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃを含んでもよい。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、例えば、抵抗器、キャパシタ及びインダクタのいずれかであってもよい。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、第１の制御部４３と複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃとの間に配置されている。具体的には、インピーダンス整合部品４８ａは、第１の制御部４３と磁界検出素子４０ａとの間に配置されている。インピーダンス整合部品４８ｂは、第１の制御部４３と磁界検出素子４０ｂとの間に配置されている。インピーダンス整合部品４８ｃは、第１の制御部４３と磁界検出素子４０ｃとの間に配置されている。
１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれと第１の制御部４３との間の電気経路における抵抗値、静電容量及びインダンクタンスの少なくとも１つを調整して、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれと第１の制御部４３との間のインピーダンスを整合させる。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれと第１の制御部４３との間の電気経路における過渡特性のばらつきを減少させる。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、例えば、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれから出力される信号の波形がなまることと、この信号の位相がばらつくことを低減する。こうして、本実施の形態の電流検出装置１は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃ（図３から図５を参照）を高い精度で検出し得る。
１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、第１の主面３０ａ上に載置される。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃであってもよい。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、特に限定されないが、例えば、ホール効果を有する半導体素子であってもよいし、磁気抵抗素子であってもよい。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、それぞれ、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ上に載置されている。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃによって生成される磁界を検出し得るように構成されている。具体的には、磁界検出素子４０ａは、導電部材２０ａを流れる電流６０ａによって生成される磁界を検出し得るように構成されている。磁界検出素子４０ｂは、導電部材２０ｂを流れる電流６０ｂによって生成される磁界を検出し得るように構成されている。磁界検出素子４０ｃは、導電部材２０ｃを流れる電流６０ｃによって生成される磁界を検出し得るように構成されている。
１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、第１の主面３０ａに交差する第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿って延在している。特定的には、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、第１の主面３０ａの法線に平行な第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿って延在している。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、複数の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃであってもよい。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃの先端部分３９ａ，３９ｂ，３９ｃに対向している。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、板の形状を有してもよい。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、１つ以上の主面２０ｍを有してもよい。１つ以上の主面２０ｍは、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃにおける側面３０ｓに面してもよい。１つ以上の主面２０ｍは、それぞれ、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃの先端部分３９ａ，３９ｂ，３９ｃに面してもよい。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、例えば、銅または銅合金のような金属材料で作られてもよい。
図１及び図３から図５に示されるように、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿って延在する１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在する１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃとを含んでもよい。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、各々、Ｌ字の形状を有してもよい。１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃに接続されている。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを折り曲げることによって、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃとが形成されてもよい。１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃとは別の導体であってもよい。１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、それぞれ、はんだまたは溶接によって、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃに接続されてもよい。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃのそれぞれを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃは、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃのそれぞれから１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃのそれぞれに流れてもよいし（図３から図５を参照）、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃのそれぞれから１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃのそれぞれに流れてもよい。
第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、それぞれ、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃに重なってもよい。そのため、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃがそれぞれ１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃにおいて形成する磁界の方向は、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃがそれぞれ１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃにおいて形成する磁界の方向に実質的に等しい。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれにおいて、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃのそれぞれにより形成される磁界と、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃのそれぞれにより形成される磁界とが強め合う。本実施の形態の電流検出装置１は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃを高い精度で検出し得る。
第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃから第２の方向（例えば、ｙ方向）に離間されている。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、各々、第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿う第１の磁界感度と、第３の方向（例えば、ｘ方向）に沿う第２の磁界感度とを有している。第２の磁界感度は第１の磁界感度よりも大きくてもよい。そのため、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）に対応する１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃのうちの１つ（例えば、導電部材２０ｂ）を流れる電流（例えば、電流６０ｂ）によって生成される磁界に対して、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）は高い磁界感度を有するとともに、他の導電部材（例えば、導電部材２０ａ，２０ｃ）を流れる電流（例えば、電流６０ａ，６０ｃ）によって生成される磁界に対して１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）は低い磁界感度を有する。
具体的には、磁界検出素子４０ｂにおける、導電部材２０ｂを流れる電流６０ｂによって生成される磁界の向きは、主に第３の方向（例えば、ｘ方向）である。これに対し、磁界検出素子４０ｂにおける、他の導電部材２０ａ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｃによって生成される磁界の向きは、主に第２の方向（例えば、ｙ方向）である。磁界検出素子４０ｂの第２の磁界感度は磁界検出素子４０ｂの第１の磁界感度よりも大きいため、磁界検出素子４０ｂは、導電部材２０ｂを流れる電流６０ｂによって生成される磁界に対して相対的に高い感度を有し、他の導電部材２０ａ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｃによって生成される磁界に対して相対的に低い感度を有する。磁界検出素子４０ｂと同様のことは、磁界検出素子４０ａ，４０ｃにも当てはまる。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃを高い精度で検出し得る。
１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃに対向して配置されている。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、複数の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃであってもよい。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、磁性材料で作られてもよい。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは外乱磁界及び電磁ノイズを遮って、外乱磁界及び電磁ノイズが１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれに漏れることを抑制する。例えば、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）に対応する１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃうちの１つ（例えば、磁気シールド５０ｂ）は、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）に対応する１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃのうちの１つ（例えば、導電部材２０ｂ）以外の他の導電部材（例えば、導電部材２０ａ，２０ｃ）を流れる電流６０ａ，６０ｃによって生成される磁界の大部分を遮る。
さらに、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃによって生成される磁界を閉じ込めて、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃにこの磁界を集中させ得る。具体的には、磁気シールド５０ａは導電部材２０ａを流れる電流６０ａによって生成される磁界を閉じ込めて、磁界検出素子４０ａにこの磁界を集中させ得る。磁気シールド５０ｂは導電部材２０ｂを流れる電流６０ｂによって生成される磁界を閉じ込めて、磁界検出素子４０ｂにこの磁界を集中させ得る。磁気シールド５０ｃは導電部材２０ｃを流れる電流６０ｃによって生成される磁界を閉じ込めて、磁界検出素子４０ｃにこの磁界を集中させ得る。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃを高い精度で検出し得る。
１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと、１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃと、１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃとを含む。１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃに対向している。１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃとを接続している。具体的には、磁気シールド５０ａは、第１の板部分５１ａと、第１の板部分５１ａに対向する第２の板部分５２ａと、第１の板部分５１ａと第２の板部分５２ａとを接続する第３の板部分５３ａとを含む。磁気シールド５０ｂは、第１の板部分５１ｂと、第１の板部分５１ｂに対向する第２の板部分５２ｂと、第１の板部分５１ｂと第２の板部分５２ｂとを接続する第３の板部分５３ｂとを含む。磁気シールド５０ｃは、第１の板部分５１ｃと、第１の板部分５１ｃに対向する第２の板部分５２ｃと、第１の板部分５１ｃと第２の板部分５２ｃとを接続する第３の板部分５３ｃとを含む。
１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃ、１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃ及び１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、それぞれ、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃにおける側面３０ｓに対向している。具体的には、第１の板部分５１ａ、第２の板部分５２ａ及び第３の板部分５３ａは、突出部３６ａにおける側面３０ｓに対向している。第１の板部分５１ｂ、第２の板部分５２ｂ及び第３の板部分５３ｂは、突出部３６ｂにおける側面３０ｓに対向している。第１の板部分５１ｃ、第２の板部分５２ｃ及び第３の板部分５３ｃは、突出部３６ｃにおける側面３０ｓに対向している。
図２に示されるように、第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃ及び１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃによって囲まれている。具体的には、第１の主面３０ａの平面視において、突出部３６ａ、磁界検出素子４０ａ及び導電部材２０ａは、磁気シールド５０ａによって囲まれている。第１の主面３０ａの平面視において、突出部３６ｂ、磁界検出素子４０ｂ及び導電部材２０ｂは、磁気シールド５０ｂによって囲まれている。第１の主面３０ａの平面視において、突出部３６ｃ、磁界検出素子４０ｃ及び導電部材２０ｃは、磁気シールド５０ｃによって囲まれている。
図１に示されるように、複数の第１の支持部材１７は、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂの少なくとも１つを支持する。本実施の形態では、複数の第１の支持部材１７は、第２の主面３０ｂを支持している。例えば、複数の第１の支持部材１７は、各々、柱の形状を有してもよい。回路基板３０の第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂの少なくとも１つは、複数の第１の支持部材１７に固定される。本実施の形態では、第２の主面３０ｂが、複数の第１の支持部材１７に固定されている。そのため、本実施の形態の電流検出装置１に振動が加わっても、回路基板３０が第２の方向（例えば、ｙ方向）及び第３の方向（例えば、ｘ方向）に偏位することが防止され得る。本実施の形態の電流検出装置１が、例えば、自動車または工作機械に組み込まれるとき、この振動はエンジンまたはモータに起因して発生してもよい。
図７に示されるように、磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが第２の方向（例えば、ｙ方向）に偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化は、磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが第１の方向（例えば、ｚ方向）に偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化よりも大きい。本実施の形態の電流検出装置１では、回路基板３０が第２の方向（例えば、ｙ方向）及び第３の方向（例えば、ｘ方向）に偏位することが抑制されている。そのため、本実施の形態の電流検出装置１に振動が加わって、回路基板３０が第１の方向（例えば、ｚ方向）において振動しても、本実施の形態の電流検出装置１は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃを高い精度で検出し得る。
１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃが第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿って延在しているため、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃによって形成される磁界の第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿う第１の成分は、この磁界の第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿う第２の成分及びこの磁界の第３の方向（例えば、ｘ方向）に沿う第３の成分よりも非常に小さい。電流検出装置１に振動が加わって、回路基板３０は第１の方向（例えば、ｚ方向）に振動しても、回路基板３０が振動する方向は、磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化が小さい方向に実質的に一致している。そのため、図７に示されるように、磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが第１の方向（例えば、ｚ方向）に偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化は、磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが第２の方向（例えば、ｙ方向）に偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化よりも小さいと考えられる。
複数の第１の支持部材１７は、筐体１０に固定されている。複数の第１の支持部材１７は、筐体１０に一体化されてもよい。回路基板３０は、複数の第１の支持部材１７を介して、筐体１０に固定されてもよい。具体的には、回路基板３０は、複数のねじ３２を用いて、複数の第１の支持部材１７に固定される。回路基板３０には、複数のねじ３２がそれぞれ挿入される複数の貫通孔３１が形成されている。
図１及び図３から図５に示されるように、第２の支持部材２５は、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを支持する。具体的には、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、１つ以上のバスバー２１ａ，２１ｂ，２１ｃに接続されている。第２の支持部材２５は、１つ以上のバスバー２１ａ，２１ｂ，２１ｃを支持している。１つ以上のバスバー２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、第２の支持部材２５に取り付けられている。こうして、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、１つ以上のバスバー２１ａ，２１ｂ，２１ｃを介して第２の支持部材２５に支持されている。１つ以上のバスバー２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、例えば、銅または銅合金のような金属材料で作られてもよい。第２の支持部材２５は、筐体１０に固定されている。第２の支持部材２５は、例えば、端子台であってもよい。第２の支持部材２５は、筐体１０に一体化されてもよい。
１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、第２の支持部材２５に支持されてもよい。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、第２の支持部材２５に取り付けられてもよい。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃに取り付けられてもよい。具体的には、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、ねじ（図示せず）を用いて、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃに取り付けられてもよい。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを介して、第２の支持部材２５に取り付けられてもよい。
本実施の形態の電流検出装置１の効果を説明する。
本実施の形態の電流検出装置１は、回路基板３０と、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃとを備える。回路基板３０は、第１の主面３０ａと、第１の主面３０ａとは反対側の第２の主面３０ｂと、第１の主面３０ａと第２の主面３０ｂとに接続される側面３０ｓとを有する。回路基板３０は１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃを含む。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、側面３０ｓのうち１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃのそれぞれに隣接する複数の側面部分３７ａ，３８ａ，３７ｂ，３８ｂ，３７ｃ，３８ｃから突出している。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、第１の主面３０ａ上に載置される。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃはそれぞれ１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ上に載置されている。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃはそれぞれ１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃによって生成される磁界を検出し得るように構成されている。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、第１の主面３０ａに交差する第１の方向に沿って延在している。１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃはそれぞれ１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃの先端部分３９ａ，３９ｂ，３９ｃに対向している。
１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃはそれぞれ１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃに対向して配置されている。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと、１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃと、１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃとを含む。１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃはそれぞれ１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃに対向している。１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃはそれぞれ１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃとを接続している。１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃ、１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃ及び１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃにおける側面３０ｓに対向している。第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃ及び１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃはそれぞれ１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃによって囲まれている。
本実施の形態の電流検出装置１では、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃの１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃ、１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃ及び１つ以上の第３の板部分５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃにおける側面３０ｓに対向している。第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃ及び１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃはそれぞれ１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃによって囲まれている。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、小型化され得る。
さらに、第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃ及び１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃはそれぞれ１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃによって囲まれている。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは外乱磁界及び電磁ノイズを遮蔽して、外乱磁界及び電磁ノイズが１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれに漏れることを防止する。さらに、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃを流れる電流６０ａ，６０ｂ，６０ｃによって生成される磁界を閉じ込めて、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに磁界を集中させ得る。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、高い電流検出精度を有する。
本実施の形態の電流検出装置１では、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃは複数の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃであってもよく、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは複数の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃであってもよく、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃであってもよく、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、複数の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃであってもよい。本実施の形態の電流検出装置１では、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが１つの回路基板３０上に設けられるとともに、複数の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃ及び複数の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃが１つの回路基板３０に隣り合って配置される。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、小型化され得る。
本実施の形態の電流検出装置１では、回路基板３０は制御部（第１の制御部４３）を含む。制御部（第１の制御部４３）は複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに電気的に接続されている。本実施の形態の電流検出装置１では、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃを制御する制御部（第１の制御部４３）が１つの回路基板３０上に設けられている。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、小型化され得る。
本実施の形態の電流検出装置１では、回路基板３０は１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃを含む。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、制御部（第１の制御部４３）と複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃとの間に配置されている。１つ以上のインピーダンス整合部品４８ａ，４８ｂ，４８ｃは、複数の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれと制御部（第１の制御部４３）との間の電気経路における過渡特性のばらつきを減少させる。そのため、本実施の形態の電流検出装置１は、高い電流検出精度を有する。
本実施の形態の電流検出装置１では、第１の主面３０ａの平面視において、第１の主面３０ａは、第２の方向（例えば、ｙ方向）と、第２の方向に直交する第３の方向（例えば、ｘ方向）とに延在している。第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃはそれぞれ１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃから第２の方向（例えば、ｙ方向）に離間されている。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、各々、第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿う第１の磁界感度と、第３の方向（例えば、ｘ方向）に沿う第２の磁界感度とを有している。第２の磁界感度は第１の磁界感度よりも大きい。
そのため、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）に対応する１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃのうちの１つ（例えば、導電部材２０ｂ）を流れる電流（例えば、電流６０ｂ）によって生成される磁界に対して１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）は高い磁界感度を有するとともに、他の導電部材（例えば、導電部材２０ａ，２０ｃ）を流れる電流（例えば、電流６０ａ，６０ｃ）によって生成される磁界に対して１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのうちの１つ（例えば、磁界検出素子４０ｂ）は低い磁界感度を有する。本実施の形態の電流検出装置１は、高い電流検出精度を有する。
本実施の形態の電流検出装置１では、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、それぞれ、第１の方向（例えば、ｚ方向）に沿って延在する１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在する１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃとを含む。１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃはそれぞれ１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃに接続されている。第１の主面３０ａの平面視において、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃはそれぞれ１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃに重なっている。そのため、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃがそれぞれ１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに形成する磁界の方向は、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃがそれぞれ１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに形成する磁界の方向に実質的に等しい。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃのそれぞれにおいて、１つ以上の第１の導電部分２２ａ，２２ｂ，２２ｃのそれぞれにより形成される磁界と、１つ以上の第２の導電部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃのそれぞれにより形成される磁界とが強め合う。本実施の形態の電流検出装置１は、高い電流検出精度を有する。
本実施の形態の電流検出装置１は、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂの少なくとも１つが固定される複数の第１の支持部材１７と、複数の第１の支持部材１７が固定される筐体１０とをさらに備える。回路基板３０は、複数の第１の支持部材１７を介して、筐体１０に固定されている。そのため、電流検出装置１に振動が加わっても、回路基板３０が第１の主面３０ａ内及び第２の主面３０ｂ内において偏位することが抑制される。また、電流検出装置１に振動が加わると回路基板３０は第１の方向（例えば、ｚ方向）に振動し得るが、回路基板３０が振動する方向は磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃが偏位したときの磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの出力の変化が小さい方向に実質的に一致している。本実施の形態の電流検出装置１は、高い電流検出精度を有する。
実施の形態２．
図８を参照して、実施の形態２に係る電流検出装置１ｂを説明する。本実施の形態の電流検出装置１ｂは、実施の形態１の電流検出装置１と同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電流検出装置１ｂでは、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃはそれぞれ１つ以上の第１の端部５６ａ，５６ｂ，５６ｃを含む。１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃはそれぞれ１つ以上の第２の端部５７ａ，５７ｂ，５７ｃを含む。１つ以上の第１の端部５６ａ，５６ｂ，５６ｃと１つ以上の第２の端部５７ａ，５７ｂ，５７ｃとは、複数の側面部分３７ａ，３８ａ，３７ｂ，３８ｂ，３７ｃ，３８ｃに突き当てられている。具体的には、図８に示されるように、磁気シールド５０ａの第１の端部５６ａは、側面部分３７ａに突き当てられている。磁気シールド５０ａの第２の端部５７ａは、側面部分３８ａに突き当てられている。磁気シールド５０ｂの第１の板部分５１ｂの第１の端部５６ｂ及び磁気シールド５０ｂの第２の板部分５２ｂの第２の端部５７ｂは、それぞれ、側面部分３７ｂ及び側面部分３８ｂに突き当てられている。磁気シールド５０ｃの第１の板部分５１ｃの第１の端部５６ｃ及び磁気シールド５０ｃの第２の板部分５２ｃの第２の端部５７ｃは、それぞれ、複数の側面部分３７ｃ及び側面部分３８ｃに突き当てられている。
本実施の形態の電流検出装置１ｂは、実施の形態１の電流検出装置１の効果に加えて、以下の効果を奏する。
本実施の形態の電流検出装置１ｂでは、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃはそれぞれ１つ以上の第１の端部５６ａ，５６ｂ，５６ｃを含む。１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃはそれぞれ１つ以上の第２の端部５７ａ，５７ｂ，５７ｃを含む。１つ以上の第１の端部５６ａ，５６ｂ，５６ｃと１つ以上の第２の端部５７ａ，５７ｂ，５７ｃとは、複数の側面部分３７ａ，３８ａ，３７ｂ，３８ｂ，３７ｃ，３８ｃに突き当てられている。そのため、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに対して、第２の方向（例えば、ｙ方向）において位置決めされる。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃがそれぞれ１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに対して第２の方向（例えば、ｙ方向）に偏位することが防止される。本実施の形態の電流検出装置１ｂは、高い電流検出精度を有する。
実施の形態３．
図９及び図１０を参照して、実施の形態３に係る電流検出装置１ｃを説明する。本実施の形態の電流検出装置１ｃは、実施の形態２の電流検出装置１ｂと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電流検出装置１ｃでは、回路基板３０の側面３０ｓに、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃが形成されている。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃはそれぞれ複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃの間に設けられている。１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃとは、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃに圧入されている。具体的には、突出部３６ａは、スリット３４ａとスリット３５ａとの間に設けられている。磁気シールド５０ａの第１の板部分５１ａ及び第２の板部分５２ａは、それぞれ、スリット３４ａ及びスリット３５ａに圧入されている。突出部３６ｂは、スリット３４ｂとスリット３５ｂとの間に設けられている。磁気シールド５０ｂの第１の板部分５１ｂ及び第２の板部分５２ｂは、それぞれ、スリット３４ｂ及びスリット３５ｂに圧入されている。突出部３６ｃは、スリット３４ｃとスリット３５ｃとの間に設けられている。磁気シールド５０ｃの第１の板部分５１ｃ及び第２の板部分５２ｃは、それぞれ、スリット３４ｃ及びスリット３５ｃに圧入されている。
図１０に示されるように、本実施の形態の電流検出装置１ｃは、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃを支持する第２の支持部材２５と、第２の支持部材２５が固定される筐体１０とをさらに備える。回路基板３０は、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃ及び第２の支持部材２５を介して、筐体１０に固定されている。本実施の形態の電流検出装置１ｃでは、実施の形態１及び実施の形態２における第１の支持部材１７、複数のねじ３２及び複数の貫通孔３１が省略されてもよい。
本実施の形態の電流検出装置１ｃは、実施の形態２の電流検出装置１ｂの効果に加えて、以下の効果を奏する。
本実施の形態の電流検出装置１ｃでは、回路基板３０の側面３０ｓに、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃが形成されている。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃはそれぞれ複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃの間に設けられている。１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃと１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃとは、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃに圧入されている。そのため、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに対して、第２の方向（例えば、ｙ方向）及び第３の方向（例えば、ｘ方向）において位置決めされる。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、それぞれ、１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに対して、第２の方向（例えば、ｙ方向）及び第３の方向（例えば、ｘ方向）に偏位することが防止される。本実施の形態の電流検出装置１ｃは、高い電流検出精度を有する。
さらに、本実施の形態の電流検出装置１ｃに振動が加わって回路基板３０が第１の方向（例えば、ｚ方向）に振動しても、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ及び１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに追従して第１の方向（例えば、ｚ方向）に振動する。１つ以上の磁界検出素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃに対する１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃのそれぞれの相対位置が偏位することが抑制される。本実施の形態の電流検出装置１ｃは、高い電流検出精度を有する。
本実施の形態の電流検出装置１ｃは、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃを支持する第２の支持部材２５と、第２の支持部材２５が固定される筐体１０とをさらに備える。回路基板３０は、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃ及び第２の支持部材２５を介して、筐体１０に固定されている。そのため、回路基板３０を筐体１０に固定するために用いられる実施の形態１及び実施の形態２の第１の支持部材１７、複数のねじ３２及び複数の貫通孔３１が省略され得る。本実施の形態の電流検出装置１ｃは、小型化され得るとともに、簡素化された構造を有する。
実施の形態４．
図１１から図１４を参照して、実施の形態４に係る電流検出装置１ｄを説明する。本実施の形態の電流検出装置１ｄは、実施の形態３の電流検出装置１ｃと同様の構成を備えるが、主に以下の点で異なる。
本実施の形態の電流検出装置１ｄは、１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃと、１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃとをさらに備える。１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃ及び１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃは、例えば、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）またはポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）のような樹脂材料で作られてもよい。
１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃを覆っている。１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃはそれぞれ１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃを覆っている。具体的には、第１の樹脂部材７１ａは、磁気シールド５０ａの第１の板部分５１ａを覆っている。第１の樹脂部材７１ｂは、磁気シールド５０ｂの第１の板部分５１ｂを覆っている。第１の樹脂部材７１ｃは、磁気シールド５０ｃの第１の板部分５１ｃを覆っている。第２の樹脂部材７２ａは、磁気シールド５０ａの第２の板部分５２ａを覆っている。第２の樹脂部材７２ｂは、磁気シールド５０ｂの第２の板部分５２ｂを覆っている。第２の樹脂部材７２ｃは、磁気シールド５０ｃの第２の板部分５２ｃを覆っている。
回路基板３０の側面３０ｓに、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃが形成されている。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃはそれぞれ複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃの間に設けられている。１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃと１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃとは、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃに圧入されている。具体的には、磁気シールド５０ａに設けられた第１の樹脂部材７１ａはスリット３４ａに圧入され、磁気シールド５０ａに設けられた第２の樹脂部材７２ａはスリット３５ａに圧入されている。磁気シールド５０ｂに設けられた第１の樹脂部材７１ｂはスリット３４ｂに圧入され、磁気シールド５０ｂに設けられた第２の樹脂部材７２ｂはスリット３５ｂに圧入されている。磁気シールド５０ｃに設けられた第１の樹脂部材７１ｃはスリット３４ｃに圧入され、磁気シールド５０ｃに設けられた第２の樹脂部材７２ｃはスリット３５ｃに圧入されている。
１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、側面３０ｓ、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂに接触している。１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃは、側面３０ｓ、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂに接触している。具体的には、図１２に示されるように、第１の樹脂部材７１ａに溝７５ａが形成されており、第２の樹脂部材７２ａに溝７６ａが形成されている。溝７５ａ及び溝７６ａは、突出部３６ａにおける側面３０ｓに対向している。第１の樹脂部材７１ａに溝７７ａが形成されており、第２の樹脂部材７２ａに溝７８ａが形成されている。溝７７ａ及び溝７８ａは、それぞれ、溝７５ａ及び溝７６ａと反対側に形成されている。溝７７ａ及び溝７８ａは、突出部３６ａにおける側面３０ｓとは反対側の回路基板３０の側面３０ｓに対向している。溝７５ａ，７６ａ，７７ａ，７８ａは、スリット３４ａ，３５ａが延在する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ａ，７６ａ，７７ａ，７８ａは、突出部３６ａが突出する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ａの内壁及び溝７６ａの内壁は、突出部３６ａにおける第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。突出部３６ａは、溝７５ａ及び溝７６ａに嵌合している。溝７７ａ及び溝７８ａは、回路基板３０の第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。回路基板３０は、溝７７ａ及び溝７８ａに嵌合している。
図１３に示されるように、第１の樹脂部材７１ｂに溝７５ｂが形成されており、第２の樹脂部材７２ｂに溝７６ｂが形成されている。溝７５ｂ及び溝７６ｂは、突出部３６ｂにおける側面３０ｓに対向している。第１の樹脂部材７１ｂに溝７７ｂが形成されており、第２の樹脂部材７２ｂに溝７８ｂが形成されている。溝７７ｂ及び溝７８ｂは、それぞれ、溝７５ｂ及び溝７６ｂと反対側に形成されている。溝７７ｂ及び溝７８ｂは、突出部３６ｂにおける側面３０ｓとは反対側の回路基板３０の側面３０ｓに対向している。溝７５ｂ，７６ｂ，７７ｂ，７８ｂは、スリット３４ｂ，３５ｂが延在する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ｂ，７６ｂ，７７ｂ，７８ｂは、突出部３６ｂが突出する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ｂの内壁及び溝７６ｂの内壁は、突出部３６ｂにおける第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。突出部３６ｂは、溝７５ｂ及び溝７６ｂに嵌合している。溝７７ｂ及び溝７８ｂは、回路基板３０の第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。回路基板３０は、溝７７ａ及び溝７８ａに嵌合している。
図１４に示されるように、第１の樹脂部材７１ｃに溝７５ｃが形成されており、第２の樹脂部材７２ｃに溝７６ｃが形成されている。溝７５ｃ及び溝７６ｃは、突出部３６ｃにおける側面３０ｓに対向している。第１の樹脂部材７１ｃに溝７７ｃが形成されており、第２の樹脂部材７２ｃに溝７８ｃが形成されている。溝７７ｃ及び溝７８ｃは、それぞれ、溝７５ｃ及び溝７６ｃと反対側に形成されている。溝７７ｃ及び溝７８ｃは、突出部３６ｃにおける側面３０ｓとは反対側の回路基板３０の側面３０ｓに対向している。溝７５ｃ，７６ｃ，７７ｃ，７８ｃは、スリット３４ｃ，３５ｃが延在する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ｃ，７６ｃ，７７ｃ，７８ｃは、突出部３６ｃが突出する第２の方向（例えば、ｙ方向）に沿って延在している。溝７５ｃの内壁及び溝７６ｃの内壁は、突出部３６ｃにおける第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。突出部３６ｃは、溝７５ｃ及び溝７６ｃに嵌合している。溝７７ｃ及び溝７８ｃは、回路基板３０の第１の主面３０ａ、第２の主面３０ｂ及び側面３０ｓに接触している。回路基板３０は、溝７７ｃ及び溝７８ｃに嵌合している。
本実施の形態の電流検出装置１ｄは、実施の形態３の電流検出装置１ｃの効果に加えて、以下の効果を奏する。
本実施の形態の電流検出装置１ｄは、１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃと、１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃとをさらに備える。１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃはそれぞれ１つ以上の第１の板部分５１ａ，５１ｂ，５１ｃを覆っている。１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃはそれぞれ１つ以上の第２の板部分５２ａ，５２ｂ，５２ｃを覆っている。回路基板３０の側面３０ｓに、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃが形成されている。１つ以上の突出部３６ａ，３６ｂ，３６ｃはそれぞれ複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃの間に設けられている。１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃと１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃとは、複数のスリット３４ａ，３５ａ，３４ｂ，３５ｂ，３４ｃ，３５ｃに圧入されている。１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、側面３０ｓ、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂに接触している。１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃは、側面３０ｓ、第１の主面３０ａ及び第２の主面３０ｂに接触している。
そのため、１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃ及び１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃは、より大きな面積で回路基板３０に接触する。１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、１つ以上の第１の樹脂部材７１ａ，７１ｂ，７１ｃ及び１つ以上の第２の樹脂部材７２ａ，７２ｂ，７２ｃを介して、回路基板３０により強固に固定される。本実施の形態の電流検出装置１ｄは、高い信頼性及び長い寿命を有する。
実施の形態５．
図１５及び図１６を参照して、実施の形態５に係る電力変換装置５を説明する。本実施の形態の電力変換装置５は、実施の形態１の電流検出装置１と、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃとを主に備える。本実施の形態では、実施の形態１の電流検出装置１が電力変換装置５に適用されている。実施の形態２−４の電流検出装置１ｂ，１ｃ，１ｄのいずれかが電力変換装置５に適用されてもよい。
１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、それぞれ、半導体スイッチング素子を含んでもよい。半導体スイッチング素子は、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であってもよい。半導体スイッチング素子は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）のような半導体材料から形成されてもよい。１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、それぞれ、１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃに接続されてもよい。本実施の形態では、電流検出装置１は、例えば、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃのそれぞれから出力される電流を検出する。
１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、クランプ１５によって筐体１０に押圧されて取り付けられてもよい。第１の支持部材１７の一部は、クランプ１５に設けられてもよい。第１の支持部材１７の一部は、クランプ１５に一体化されてもよい。
回路基板３０は、１つ以上の第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃを含んでもよい。１つ以上の第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃは、それぞれ、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃに電気的に接続されている。１つ以上の第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃは、それぞれ、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃを制御する。第１の制御部４３は、１つ以上の第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃに電気的に接続されている。回路基板３０に含まれる１つ以上の配線４６ａ，４６ｂ，４６ｃを介して、第１の制御部４３は、１つ以上の第２の制御部８０ａ，８０ｂ，８０ｃに電気的に接続されている。具体的には、第１の制御部４３は、配線４６ａを介して、第２の制御部８０ａに電気的に接続されている。第１の制御部４３は、配線４６ｂを介して、第２の制御部８０ｂに電気的に接続されている。第１の制御部４３は、配線４６ｃを介して、第２の制御部８０ｃに電気的に接続されている。
本実施の形態の電力変換装置５では、１つ以上の磁気シールド５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、第１の支持部材１７及び第２の支持部材２５ではなく、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃに固定されてもよい。
本実施の形態の電力変換装置５は、モータのような負荷８５に接続されてもよい。負荷８５は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機である。負荷８５は、例えば、ハイブリッド自動車、電気自動車、鉄道車両、エレベーター、または、空調機器用の電動機として用いられてもよい。
本実施の形態の電力変換装置５の効果を説明する。
本実施の形態の電力変換装置５は、実施の形態１−４の電流検出装置１，１ｂ，１ｃ，１ｄのいずれかと、１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃとを備える。１つ以上のパワーモジュール１２ａ，１２ｂ，１２ｃはそれぞれ１つ以上の導電部材２０ａ，２０ｂ，２０ｃに接続されている。そのため、本実施の形態の電力変換装置５は、小型で高い電流検出精度を有する電流検出装置１，１ｂ，１ｃ，１ｄを備える。
今回開示された実施の形態１−５はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。矛盾のない限り、今回開示された実施の形態１−５の少なくとも２つを組み合わせてもよい。本発明の範囲は、上記した説明ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
１，１ｂ，１ｃ，１ｄ 電流検出装置、５ 電力変換装置、１０ 筐体、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ パワーモジュール、１５ クランプ、１７ 第１の支持部材、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 導電部材、２０ｍ 主面、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ バスバー、２２ａ，２２ｂ，２２ｃ 第１の導電部分、２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 第２の導電部分、２５ 第２の支持部材、３０ 回路基板、３０ａ 第１の主面、３０ｂ 第２の主面、３０ｓ 側面、３１ 貫通孔、３２ ねじ、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ スリット、３６ａ，３６ｂ，３６ｃ 突出部、３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３８ａ，３８ｂ，３８ｃ 側面部分、３９ａ，３９ｂ，３９ｃ 先端部分、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 磁界検出素子、４３ 第１の制御部、４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ 配線、４８ａ，４８ｂ，４８ｃ インピーダンス整合部品、５０ａ，５０ｂ，５０ｃ 磁気シールド、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ 第１の板部分、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ 第２の板部分、５３ａ，５３ｂ，５３ｃ 第３の板部分、５６ａ，５６ｂ，５６ｃ 第１の端部、５７ａ，５７ｂ，５７ｃ 第２の端部、６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 電流、７１ａ，７１ｂ，７１ｃ 第１の樹脂部材、７２ａ，７２ｂ，７２ｃ 第２の樹脂部材、７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７６ａ，７６ｂ，７６ｃ，７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７８ａ，７８ｂ，７８ｃ 溝、８０ａ，８０ｂ，８０ｃ 第２の制御部、８５ 負荷。

Claims (12)

  1. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とに接続される側面とを有する回路基板を備え、前記回路基板は１つ以上の突出部を含み、前記１つ以上の突出部は、前記側面のうち前記１つ以上の突出部のそれぞれに隣接する複数の側面部分から突出しており、さらに、
    前記第１の主面上に載置される１つ以上の磁界検出素子を備え、前記１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ前記１つ以上の突出部上に載置されており、前記１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ１つ以上の導電部材を流れる電流によって生成される磁界を検出し得るように構成されており、前記１つ以上の導電部材は前記第１の主面に交差する第１の方向に沿って延在しており、前記１つ以上の導電部材はそれぞれ前記１つ以上の突出部の先端部分に対向しており、さらに、
    １つ以上の磁気シールドを備え、前記１つ以上の磁気シールドはそれぞれ前記１つ以上の突出部に対向して配置されており、前記１つ以上の磁気シールドは、それぞれ、１つ以上の第１の板部分と、１つ以上の第２の板部分と、１つ以上の第３の板部分とを含み、前記１つ以上の第２の板部分はそれぞれ前記１つ以上の第１の板部分に対向し、前記１つ以上の第３の板部分はそれぞれ前記１つ以上の第１の板部分と前記１つ以上の第２の板部分とを接続し、
    前記１つ以上の第１の板部分、前記１つ以上の第２の板部分及び前記１つ以上の第３の板部分は、前記１つ以上の突出部における前記側面に対向しており、
    前記第１の主面の平面視において、前記１つ以上の突出部、前記１つ以上の磁界検出素子及び前記１つ以上の導電部材はそれぞれ前記１つ以上の磁気シールドによって囲まれている、電流検出装置。
  2. 前記１つ以上の突出部は、複数の前記突出部であり、
    前記１つ以上の導電部材は、複数の前記導電部材であり、
    前記１つ以上の磁界検出素子は、複数の前記磁界検出素子であり、
    前記１つ以上の磁気シールドは、複数の前記磁気シールドである、請求項１に記載の電流検出装置。
  3. 前記回路基板は制御部を含み、前記制御部は前記複数の磁界検出素子に電気的に接続されている、請求項２に記載の電流検出装置。
  4. 前記回路基板は１つ以上のインピーダンス整合部品を含み、
    前記１つ以上のインピーダンス整合部品は、前記制御部と前記複数の磁界検出素子との間に配置されている、請求項３に記載の電流検出装置。
  5. 前記第１の主面の前記平面視において、前記第１の主面は、第２の方向と前記第２の方向に直交する第３の方向とに延在しており、
    前記第１の主面の前記平面視において、前記１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ前記１つ以上の導電部材から前記第２の方向に離間されており、
    前記１つ以上の磁界検出素子は、各々、前記第２の方向に沿う第１の磁界感度と、前記第３の方向に沿う第２の磁界感度とを有し、
    前記第２の磁界感度は前記第１の磁界感度よりも大きい、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電流検出装置。
  6. 前記１つ以上の導電部材は、それぞれ、前記第１の方向に沿って延在する１つ以上の第１の導電部分と、前記第２の方向に沿って延在する１つ以上の第２の導電部分とを含み、前記１つ以上の第２の導電部分はそれぞれ前記１つ以上の第１の導電部分に接続されており、
    前記第１の主面の前記平面視において、前記１つ以上の磁界検出素子はそれぞれ前記１つ以上の第２の導電部分に重なっている、請求項５に記載の電流検出装置。
  7. 前記１つ以上の第１の板部分はそれぞれ１つ以上の第１の端部を含み、
    前記１つ以上の第２の板部分はそれぞれ１つ以上の第２の端部を含み、
    前記１つ以上の第１の端部と前記１つ以上の第２の端部とは、前記複数の側面部分に突き当てられている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電流検出装置。
  8. 前記回路基板の前記側面に複数のスリットが形成されており、
    前記１つ以上の突出部はそれぞれ前記複数のスリットの間に設けられており、
    前記１つ以上の第１の板部分と前記１つ以上の第２の板部分とは、前記複数のスリットに圧入されている、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電流検出装置。
  9. １つ以上の第１の樹脂部材と、
    １つ以上の第２の樹脂部材とをさらに備え、
    前記１つ以上の第１の樹脂部材はそれぞれ前記１つ以上の第１の板部分を覆っており、
    前記１つ以上の第２の樹脂部材はそれぞれ前記１つ以上の第２の板部分を覆っており、
    前記回路基板の前記側面に複数のスリットが形成されており、
    前記１つ以上の突出部はそれぞれ前記複数のスリットの間に設けられており、
    前記１つ以上の第１の樹脂部材と前記１つ以上の第２の樹脂部材とは、前記複数のスリットに圧入されており、
    前記１つ以上の第１の樹脂部材は、前記側面、前記第１の主面及び前記第２の主面に接触しており、
    前記１つ以上の第２の樹脂部材は、前記側面、前記第１の主面及び前記第２の主面に接触している、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電流検出装置。
  10. 前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも１つが固定される複数の第１の支持部材と、
    前記複数の第１の支持部材が固定される筐体とをさらに備え、
    前記回路基板は、前記複数の第１の支持部材を介して、前記筐体に固定されている、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電流検出装置。
  11. 前記１つ以上の磁気シールドが固定される第２の支持部材と、
    前記第２の支持部材が固定される筐体とをさらに備え、
    前記回路基板は、前記１つ以上の磁気シールド及び前記第２の支持部材を介して、前記筐体に固定されている、請求項８または請求項９に記載の電流検出装置。
  12. 請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の前記電流検出装置と、
    １つ以上のパワーモジュールとを備え、前記１つ以上のパワーモジュールはそれぞれ前記１つ以上の導電部材に接続されている、電力変換装置。
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