JP6365077B2 - Mems装置 - Google Patents
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Description
以下では図1−図3を参照しながら、実施例に係るMEMS装置である光偏向装置1について説明する。光偏向装置1は、上部基板10と、下部基板20と、可動部12と、コア31,32とを備えている。図1では、上部基板10と下部基板20が離間して図示されているが、実際は、上部基板10の下面と、下部基板20の上面とは接合されており、図1では、下部基板20の内側にコア31,32の上方(z軸の正方向)の部分が収まるように配置されている。上部基板10と可動部12は、半導体基板を材料として、MEMS技術を用いて一体に成形されている。下部基板20は非磁性材料によって形成されており、下部基板20を介して、コア31,32と上部基板10が固定されている。コア31,32にはそれぞれコイルが捲回されているが、図示を省略している。
光偏向装置1では、コア31の対向する2つの磁極311,312に、それぞれ、閉ループ40a〜d,40f〜i,閉ループ41a〜d,41f〜iが固定された形態を例示して説明したが、閉ループの設置位置は、これに限定されない。例えば、図8に示すように、上部基板10aから下方に伸びた板状部材141、142に閉ループを配置してもよい。板状部材141,142は、矩形状の平板であり、その平面はx方向に直交し、その下端は、永久磁石150の下端まで伸びている。永久磁石150と磁極311との間に、板状部材141が配置されており、永久磁石150と磁極312との間に、板状部材142が配置されている。例えば、板状部材141の磁極311側の面141a,永久磁石150側の面141b、板状部材142の磁極312側の面142a,永久磁石150側の面142bの少なくともいずれか一つに、絶縁性の接着剤等を用いて閉ループを接着して固定してもよい。
10 : 上部基板
12 : 可動部
20 : 下部基板
31,32 : コア
40a-d,40f-i,41a-d,41f-i,51a-d,55a-d : 閉ループ
42,43,53 : 磁場が強化される領域
50a-i : 開閉式のループ
111a,111b,121a,121b : 可撓梁
112 : 支持枠
140 : ミラー構造体
141,142,431,432 : 板状部材
150 : 永久磁石
311,312,321,322 : 磁極
Claims (5)
- 基板と、
永久磁石を有し、前記基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、
前記永久磁石に磁場を印加可能な第1磁極および第2磁極を含む固定部と、
前記永久磁石に対して、前記第1磁極側または前記第2磁極側に設けられた導電性の閉ループと、を備えており、
前記永久磁石は、N極とS極を有しており、前記N極から前記S極へ向かう方向が前記第1磁極から前記第2磁極へ向かう方向と交差しており、
前記閉ループは、前記閉ループのループ面が前記第1磁極から前記第2磁極へ向かう方向と交差する向きで配置されており、
前記第1磁極の少なくとも一部と前記第2磁極の少なくとも一部が、前記閉ループの内側の範囲を介さずに、前記N極または前記S極を挟んで対向している、MEMS装置。 - 前記閉ループは、可動部に固定されている、請求項1に記載のMEMS装置。
- 前記閉ループは、固定部に固定されている、請求項1に記載のMEMS装置。
- 基板と、
永久磁石を有し、前記基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、
前記永久磁石に磁場を印加可能な第1磁極および第2磁極を含む固定部と、
前記永久磁石に対して、前記第1磁極側または前記第2磁極側に設けられた、スイッチにより開閉可能な導電性の開閉ループと、を備えており、
前記永久磁石は、N極とS極を有しており、前記N極から前記S極へ向かう方向が前記第1磁極から前記第2磁極へ向かう方向と交差しており、
前記開閉ループは、そのループ面が前記第1磁極から前記第2磁極へ向かう方向と交差する向きで配置されており、
前記可動部の傾動に応じて、前記開閉ループのスイッチが開閉され、
前記第1磁極の少なくとも一部と前記第2磁極の少なくとも一部が、前記スイッチが閉じられた前記開閉ループの内側の範囲を介さずに、および/または、前記スイッチが開かれた前記開閉ループの内側の範囲を介して、前記N極または前記S極を挟んで対向している、MEMS装置。 - 前記第1磁極と前記第2磁極は、電磁石であり、
前記MEMS装置は、前記第1磁極と前記第2磁極に入力する電流信号を制御することによって、前記第1磁極と前記第2磁極の磁場を制御する制御装置をさらに備えており、
前記閉ループまたは前記スイッチが閉じられた前記開閉ループが存在することに起因して前記第1磁極と前記第2磁極の磁場の位相がdt進む場合に、前記制御装置は、前記第1磁極と前記第2磁極に入力する電流信号の位相をdt遅らせる、請求項1から4のいずれか一項に記載のMEMS装置。
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