JP6364079B2 - 少なくとも1つの機能層を有する複合体を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品をさらに生産するための方法 - Google Patents
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Description
− プレートの形態にあり少なくとも1つの平面基板表面を有する少なくとも1つの基板と、
− 少なくとも1つの化合物半導体、セラミック材料または金属硬質材料を含む少なくとも1つの実質的に多結晶の、または少なくとも1つの実質的に単結晶の層と
を備える、方法に関する。
− 平面基板表面の少なくとも一部を少なくとも100℃、最大で550℃の温度まで加熱するステップと、
− 第1の材料源からの水素と、特にそのために生成されたプラズマとを供給することにより基板表面を洗浄するステップと、
− 第1の材料源または第2の材料源からの炭素、窒素または酸素と、特にそのために生成されたプラズマとを加えることで基板表面を終端するステップと、
− 化合物半導体、セラミック材料または金属硬質材料の材料成分を第1の材料源および第2の材料源から少なくとも1つの平面基板表面へ供給することにより、少なくとも1つの層を成長させるステップと
を備える。
− 元素周期表(PTE:the Periodic Table of the Elements)の第II主族元素と第VI主族元素との化合物、
− 第III主族元素と第V主族元素との化合物、
− 第III主族元素と第VI主族元素との化合物、
− 第I主族元素と第III主族元素および第VI主族元素との化合物、
− 第III主族元素と第VI主族元素との化合物、
− PTEの異なる第IV主族元素の化合物
により形成される半導体特性を有する化合物を含むものとする。
− ストリップ要素からなり、これを介して化合物半導体、セラミック材料または金属硬質材料の成分を供給するために必要な全ての原料が共に導かれるか、
− 複数のストリップ要素を含み、これらを介して全ての必要な原料が個別に導かれるかまたは比較的小さいグループに組み合わせられるか、
− ストリップ・マグネトロン源の形態であるか、
− 管状マグネトロン源の形態であるか、
− ストリップ蒸発機の形態であるか、
− ストリップを共に形成する複数の蒸発機ステーションを含むか、
− ストリップを共に形成する複数のイオン銃を含むか、
− ストリップ・イオン銃の形態であるか、
− 必要な原料がそれを通して出てくる1つまたは複数のスロットを備えるストリップマスクを有するか、
− 必要な原料がそれを通して出てくるスクリーン・インレット(screen inlet)を備えるストリップマスクを有する
ことができる。
基板34は、非晶形形態を有し、窓ガラス(window glass pane)からなる。機能層は、多結晶形態を有し、化合物半導体を含み、これは酸化インジウム・スズ(ITO:indium tin oxide)からなり、窓ガラスに対する統合された熱保護として、または透明導電層として機能する。
他の用途のために、多結晶機能層は、他の化合物半導体、たとえばインジウム・ガリウム亜鉛酸化物、銅インジウム・ガリウム・ジセレニドまたは窒化ガリウムを含むことができ、また、別の基板34上に配置することができ、その場合、複合体36の基板34は、その使用に適合され、非結晶または多結晶材料、たとえばポリシリコン、プラスチック・フィルム、紙、セラミックおよび金属ウェハ、たとえばタングステン−銅により形成することができる。
層構造の形態の複合体36の図1に示された構造は、電子または光電子部品40、42、44を生産するためにさらに使用するための複合体36の構造に実質的に対応し、その場合、複合体36の基板34はこの使用に適合される。この例示的実施形態では、複合体36の基板34は、単結晶形態を有し、サファイアからなる。
この例示的実施形態では、複合体36は、電子または光電子部品40、42、44を生産するためにさらに使用するために同様に提供される。複合体36の基板34は、単結晶形態を有し、シリコンからなり、これは様々な配向((111)、(110)、(100))を有することができ、オンまたはオフ配向とすることができる。
この例示的実施形態では、複合体36は、電子または光電子部品40、42、44を生産するためにさらに使用するために同様に提供される。複合体36の基板34は、単結晶形態を有し、シリコンからなる。
12 ロードおよびアンロード・チャンバ
14 搬送チャンバ
16 真空ロック
18 反応器
20 第1の材料源
22 第2の材料源
24 第1のガスライン
26 第2のガスライン
28 加熱装置
30 容量結合型RF放電
32 ウェハ・プレート
34 基板
36 複合体
38 (化合物半導体)層
39 複数の半導体含有層
40 電子または光電子部品
42 電子または光電子部品
44 電子または光電子部品
46 ユニット
48 中間層
50 中間層
52 終端層
Claims (8)
- 少なくとも1つの機能層を有する複合体(36)を生産するための方法、または電子もしくは光電子部品(40、42、44)を生産するためにさらに使用するための方法であって、
前記複合体(36)が、
層構造の形態であり、プレートの形態にあり少なくとも1つの平面基板表面を有する、少なくとも1つの基板(34)と、
少なくとも1つの化合物半導体、セラミック材料または金属硬質材料を含む少なくとも1つの実質的に多結晶の、または少なくとも1つの実質的に単結晶の層(38)と
を備える、下記(I)〜(IV)のステップが、(I)〜(IV)の順に行われることを特徴とする方法で、
(I)前記平面基板表面の少なくとも一部を少なくとも100℃、最大で550℃の温度まで加熱するステップ、
(II)第1の材料源(20)からの水素と、特にそのために生成されたプラズマとを供給することにより前記基板表面を洗浄するステップ、
(III)前記第1の材料源(20)または第2の材料源(22)からの炭素、窒素または酸素と、特にそのために生成されたプラズマとを加えることで前記基板表面を終端するステップ、
(IV)前記化合物半導体、前記セラミック材料または前記金属硬質材料の材料成分を前記第1の材料源(20)および前記第2の材料源(22)から前記少なくとも1つの平面基板表面へ供給する、ここで、前記化合物半導体、前記セラミック材料または前記金属硬質材料の少なくとも一つの前記材料成分の前記少なくとも1つの平面基板表面への供給は、前記第1の材料源(20)または第2の材料源(22)の少なくともいずれか一方に備えられたイオン銃によって行われる、ことにより、前記少なくとも1つの層(38)を成長させるステップ、
とからなる。 - 前記化合物半導体、前記セラミック材料または前記金属硬質材料の前記成分が、スパッタリングまたはプラズマ化学気相堆積PECVDを用いて供給されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記化合物半導体、前記セラミック材料または前記金属硬質材料の前記成分が、少なくとも2つの異なる材料源を用いて供給され、その少なくとも一方の材料源がイオン銃を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 少なくとも前記終端および前記成長のステップ(III)および(IV)が実行される場合に、前記基板(34)が、前記材料源(20、22)の少なくとも1つに対して移動されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップ(I)〜(IV)が、少なくとも2つの異なる真空対応反応器(18)において行われ、前記反応器(18)が真空ロック(16)により互いに接続されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法を用いて複数の半導体含有層(39)を複合体(36)に加えることを特徴とする電子または光電子部品(40、42、44)を生産する方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法を用いて複数の半導体含有層(39)および機械的応力を低減させる役割を果たす中間層(48、50)を前記複合体(36)に加えることを特徴とする電子または光電子部品(40、42、44)を生産する方法。
- 前記複数の半導体含有層(39)を複合体(36)に加えることが、有機金属化学気相堆積MOCVD、分子線エピタキシMBEまたはハイドライド気相エピタキシHVPEからなるグループから選択された手段に代替されることを特徴とする、請求項6または7に記載の電子または光電子部品(40、42、44)を生産する方法。
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