JP6342443B2 - 電力消費量を低減させるための回路 - Google Patents

電力消費量を低減させるための回路 Download PDF

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Description

関連出願
本出願は、ここにおける引用によってここにおいて明示で組み入れられている“ＳＵＰＥＲ−ＡＰＴ”に関する米国仮特許出願一連番号第６１／５３５，８７１号（出願日：２０１１年９月１６日）に関するものであり、ＳＵＰＥＲ−ＡＰＴ”に関する米国仮特許出願一連番号第６１／５３５，８７１号（出願日：２０１１年９月１６日）からの優先権を主張するものである。
本開示は、概して、電子デバイスに関するものである。より具体的には、本開示は、電力消費量を低減させるための回路に関するものである。
この数十年間の間に電子デバイスの使用が一般的になってきている。特に、電子技術の進歩が、ますます複雑で有用になっている電子デバイスのコストを低減させている。コスト低減及び消費者の要求が、現代社会において実際上あまねく存在するような形で電子デバイスの使用を増殖させている。電子デバイスの使用が拡大するのに従い、電子デバイスの新しい及び改良された特徴に関する要求も拡大している。より具体的には、より高速に、より効率的に又はより高い品質で機能を実施する電子デバイスがしばしば求められている。
電子デバイスは、機能にするために１つ以上のエネルギー源を使用することができる。幾つかの電子デバイスは、ポータブルなエネルギー源、例えば、バッテリ、を使用する。より長持ちするバッテリが希望され及びエネルギーの浪費に対する懸念が生じている結果として、エネルギー的により効率的な電子デバイスが追求されるようになっている。
従って、電子デバイスのエネルギー効率を向上させることが１つの難題となっている。特に、電子デバイスのエネルギー効率を向上させる上での１つの難点が増幅器をより効率的に動作させるための方法を見つけ出すことを可能にしつつある。本議論からわかるように、エネルギー使用効率を向上させるシステム及び方法が有益であることができる。
電力消費量を低減させるための回路について説明される。回路は、電力増幅器と、電力増幅器に結合された前置歪み補償器（ｐｒｅｄｉｓｔｏｒｔｅｒ）と、を含む。回路は、電力増幅器に結合された電源も含む。回路は、電力増幅器、前置歪み補償器及び電源に結合されたコントローラをさらに含む。コントローラは、送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉（ｃａｐｔｕｒｅ）し、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする一組の電圧及びプリディストーション（ｐｒｅｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）から最小バイアス電圧を決定する。
最小バイアス電圧を決定することは、現在のバイアス電圧に対応する電圧増幅器の特性を決定するのを含むことができる。最小バイアス電圧を決定することは、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することを含むこともできる。次のバイアス電圧は、現在のバイアス電圧よりも低いことができる。最小バイアス電圧を決定することは、次のバイアス電圧に対応する性能を推定することをさらに含むことができる。コントローラは、次のプリディストーションを決定すること及び性能を推定することを繰り返すことができる。
次の電圧に対応する性能を推定することは、次のバイアス電圧に対応する１つ以上の性能メトリックを推定することを含むことができる。１つ以上の性能メトリックは、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び／又は送信チェーン全体の電力を含むことができる。要求事項は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＭＶ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び／又は送信チェーン全体の電力に関する指定値を含むことができる。
コントローラは、次のバイアス電圧及び次のプリディストーションが、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成することを可能にするかどうかを決定することができる。コントローラは、次のバイアス電圧及び次のプリディストーションが、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合は現在のバイアス電圧を低減させることもできる。コントローラは、次のバイアス電圧及び次のプリディストーションが、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを追加設定することができる。
少なくとも１つのパラメータを設定することは、現在のバイアス電圧を示すパラメータを電源制御信号で送信することを含むことができる。少なくとも１つのパラメータを設定することは、現在のバイアス電圧に対応するプリディストーションを示す１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号で送信することも含むことができる。
コントローラは、１つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定することができる。コントローラは、欠陥性能が生じるかどうかを決定することもできる。コントローラは、欠陥性能が生じた場合は平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて現在のバイアス電圧を初期電圧に設定することができる。
次のプリディストーションを決定することは、次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために電力増幅器の特性をスケーリングすることを含むことができる。
コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの前で電力増幅器の出力部からのフィードバック信号を捕捉することができる。コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの後で電力増幅器の出力部からのフィードバック信号を捕捉することができる。
回路によって電力消費量を低減させる方法も説明される。方法は、送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉することを含む。方法は、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定することも含む。
電力消費量を低減させるためのコンピュータプログラム製品も説明される。コンピュータプログラム製品は、命令を有する非一時的な有形のコンピュータによって読み取り可能な媒体を含む。命令は、送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することを回路に行わせるためのコードを含む。命令は、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定することを回路に行わせるためのコードも含む。
電力消費量を低減させるための装置も説明される。装置は、送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉するための手段を含む。装置は、電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定するための手段も含む。
電力消費量を低減させるための回路の一構成を例示したブロック図である。 回路によって電力消費量を低減させるための方法の一構成を例示した流れ図である。 回路によって電力消費量を低減させるための方法のより具体的な構成を例示した流れ図である。 電力増幅器の特性の一例を示したグラフである。 推定される電力増幅器の特性の一例を示したグラフである。 デジタルプリディストーションルックアップテーブルを例示したグラフである。 電力消費量を低減させるための電子デバイスの一構成を例示したブロック図である。 電力消費量を低減させるためのシステム及び方法を実装することができる無線通信デバイスの一構成を例示したブロック図である。 電子デバイスで利用することができる様々なコンポーネントを例示した図である。 無線通信デバイス内に含めることができる幾つかのコンポーネントを例示した図である。
ここにおいて開示されるシステム及び方法は、回路及び／又は電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、携帯電話、スマートフォン、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ネットブック、タブレットデバイス、電子リーダー、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、基地局、無線ルータ、オーディオプレーヤー（例えば、ムービングピクチャエキスパーツグループ−１（ＭＰＥＧ−１）又はＭＰＥＧ−２オーディオレイヤ３（ＭＰ３）プレーヤー）、ゲームプレイコンソール、ポータブルゲームプレイデバイス、ビデオカメラ、スチルカメラ、テレビ、集積回路、等を含む。ここにおいて開示されるシステム及び方法の幾つかの構成では、電子デバイスは、１つ以上の工業規格、例えば、第３世代パートナーシッププロジェクト（３ＧＰＰ（登録商標））規格、３ＧＰＰロングタームエボルーション（ＬＴＥ（登録商標））規格、グローバル移動体通信システム（ＧＳＭ（登録商標））、ユニバーサル移動通信システム（ＵＭＴＳ）、米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）８０２．１１（例えば、“Ｗｉ−Ｆｉ）”規格、ＩＥＥＥ８０２．１６（例えば、異なる機器間の世界的相互接続性“ＷｉＭＡＸ”）、及びその他に準拠して動作することができる。ここにおいて開示されるシステム及び方法の一部は、１つ以上の規格に関して説明される一方で、それらのシステム及び方法は、数多くのシステム及び／又は規格に適用可能であるため、本開示の適用範囲を制限すべきではない。
ここにおいて使用される場合、用語“回路”（ｃｉｒｃｕｉｔ）、“回路”（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）、及び用語“回路”のその他の変形は、構造上の要素又はコンポーネントを表すことができる。例えば、回路は、処理及び／又はメモリセル、ユニット、ブロック及び／又はその他のコンポーネントの形態の回路構成要素の集合体、例えば、多数の集積回路コンポーネント、であることができる。
ここにおいて使用される場合の用語“結合する”、“結合すること”、“結合された”又は単語結合のその他の変形は、間接的な接続又は直接的な接続のいずれも示すことができることが注目されるべきである。例えば、第１のコンポーネントが第２のコンポーネントに“結合される”場合は、第１のコンポーネントは、（例えば、他のコンポーネントを通じて）第２のコンポーネントに間接的に接続されるか又は第２のコンポーネントに直接的に接続される。さらに、ここにおいて使用される場合、コンポーネント、要素又はエンティティ（例えば、トランジスタ、キャパシタ、抵抗器、電源、回路、ブロック／モジュール、等）を“第１の”、“第２の”、“第３の”又は“第４の”コンポーネントとして指定することは、説明を明確化することを目的としてコンポーネントを区別するために使用されるということが注目されるべきである。また、“第２の”、“第３の”又は“第４の”、等を指定するために使用されるラベルは、先行するラベル“第１の”、“第２の”又は“第３の”を使用する要素が含まれる又は使用されることを必ず意味するものではないことも注目されるべきである。例えば、単に要素又はコンポーネントに“第３の”コンポーネントというラベルが付されているだけでは、“第１の”及び“第２の”要素又はコンポーネントが存在する又は使用されるということは必ずしも意味しない。換言すると、数字のラベル（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、等）は、説明を容易にするために使用されるラベルであり、特定の要素数、特定の順序又は特定の構造を必ずしも意味しない。従って、コンポーネントは、あらゆる形でラベル又は数字を付すことができる。
用語“同時並行した”及びその変形は、２つイベントが時間的に重なることができること及び／又は時間的に互いに接近して生じることができることを表す。しかしながら、用語“同時並行した”及びその変形は、２つイベントがまったく同時に生じることを表す場合と表さない場合がある。
ここにおいて開示されるシステム及び方法は、電力消費量を低減させるために実装することができる。幾つかの構成では、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、既知の平均電力トラッキング（ａｖｅｒａｇｅ ｐｏｗｅｒ ｔｒａｃｋｉｎｇ）（ＡＰＴ）方式以上に電力消費量を低減させることができる。例えば、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、既知の平均電力トラッキング（ＡＰＴ）方式によって提供されるバイアス電圧を超えるそれを低減させるためにプリディストーションを利用することができる。このアプローチ法は、“スーパーＡＰＴ”又は“ＳＡＰＴ”と呼ぶことができる。
平均電力トラッキング（ＡＰＴ）は、効率を向上させるために電力増幅器（ＰＡ）電源バイアス電圧を引き下げることができる。ここにおいて開示されるシステム及び方法は、バイアス電圧をさらに引き下げるためにプリディストーションと組み合わせて平均電力トラッキング（ＡＰＴ）を利用することができる。幾つかの構成では、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、次の手順を実装することができる。
本手順は、初期電圧で開始することができる。幾つかの構成及び／又は事例では、初期バイアス電圧は、平均電力トラッキングに基づくＶｃｃ（０）であることができる。この場合は、初期電圧（例えば、Ｖｃｃ（０））は、例えば、平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて決定される“安全な”バイアス電圧であることができる。さらに加えて又は代替で、初期電圧は、予測される性能上の要求事項（例えば、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、利得、等）の点で“安全”であるとみなされるその他のあらゆるバイアス電圧であることができる。初期電圧は、幾つかの構成及び／又は事例では更新又は調整することができる。
本手順は、（例えば、電力増幅器から）送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することができる。ステップ“ｉ”において、本手順は、現在の電圧Ｖｃｃ（ｉ）での電力増幅器（ＰＡ）の特性を計算することができる。本手順は、より低いＶｃｃ（ｉ＋１）に関して新しいプリディストーションを設計することができる。本手順は、電力増幅器（ＰＡ）出力部での性能を予測することができる。本手順は、最低のＶｃｃ（ｉ＋１）において性能要求が満たされるまで前記の２つのステップを繰り返すことができる。本手順は、１つ以上のパラメータを設定することができる。例えば、本手順は、振幅変調−振幅変調（ＡＭＡＭ）及び振幅変調−位相変調（ＡＭＡＭ／ＡＭＰＭ）ルックアップテーブル（ＬＵＴ）、ベースバンド利得、無線トランシーバ（ＲＴＲ）利得及びＶｃｃ（ｉ＋１）を設定することができる。（例えば、１つ以上の基準に基づいて）必要である場合は、本手順は、送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することに戻ることができる。さらに、許容不能な性能が検出された場合は、本手順は。初期電圧Ｖｃｃ（０）から開始することに戻ることができる。
本手順におけるより詳細なステップが以下に示される。最初に、本手順は、初期電圧（例えば、平均電力トラッキング（ＡＰＴ）又は“安全である”とみなされるあらゆるその他のバイアス電圧に基づいてＶｃｃ（０））で開始することができる。Ｖｃｃ（０）は、基本的な平均電力トラッキング（ＡＰＴ）によって確立された安全な電圧であることができる。例えば、基本的な平均電力トラッキングは、電力増幅器性能が変化する周波数、温度及び部品に関する１つ以上の要求事項（例えば、性能上の要求事項）を満たすことを可能にする電圧を確立することができるが、基本的な平均電力トラッキング（ＡＰＴ）は、確立された電圧と最低電圧との間で、１つ以上の要求事項を依然として満たすことができる何らかのマージンを許容することができる。従って、基本的な平均電力トラッキング（ＡＰＴ）単独ではすべての事例において最適であることはできず、効率の向上の余地を残す。
本手順は、送信信号およびフィードバック信号（例えば、電力増幅器（ＰＡ）フィードバック信号）を同時並行して捕捉することができる。送信信号は、プリディストーションの前後に捕捉することができる。フィードバック信号（例えば、“受信”信号）は、電力増幅器（ＰＡ）の後に、デュプレクサ及びスイッチの前又は後に捕捉することができる。送信信号の捕捉及びフィードバック信号の捕捉は両方ともほぼ同時にトリガすることができる。
本手順は、現在の電圧Ｖｃｃ（ｉ）における電力増幅器の特性を計算することができる。例えば、送信信号およびフィードバック信号（例えば、Ｔｘ／Ｒｘ信号）のマッチしている部分が抽出される。幾つかの構成では、例えば、送信信号およびフィードバック信号のマッチしている部分を抽出するために、周波数誤り訂正、粗いマッチング、微細マッチング及び／又は等化を実施することができる。位相訂正及び任意選択のビニング（ｂｉｎｎｉｎｇ）も行うことができる。本手順は、電力増幅器のＡＭＡＭ／ＡＭＰＭ特性を抽出するために曲線当てはめ（ｆｉｔｔｉｎｇ）を利用することができる。
本手順は、より低いＶｃｃ（ｉ＋１）に関する新しいプリディストーションを設計することができる。例えば、新しいプリディストーションは、データフィードバック（例えば、ワンショットデータフィードバック及び／又は適応型データフィードバック）に基づいてより低いＶｃｃ（ｉ＋１）に関して設計することができる。この文脈では、ワンショット（ｏｎｅ ｓｈｏｔ）データフィードバックは、電力増幅器（例えば、送信機）から結合された同相及び直交（ＩＱ）データの１つのレコード、又はこのデータに依存するその他のパラメータの１つのレコード、例えば、ピーク対平均電力比（ＰＡＲ）又は二乗平均平方根（ＲＭＳ）電力、等、を意味することができる。適応型データフィードバックは、上記の連続して更新される組を意味することができる。さらに加えて又は代替で、新しいプリディストーションは、予め格納された工場での校正に基づいてより低いＶｃｃ（ｉ＋１）に関して設計することができる。
一例では、電力増幅器の特性は、低減されたＶｃｃ（ｉ＋１）で予測することができる。特に、これは、電力増幅器ＡＭＡＭをワンショットで予測する例である。この例では、電力増幅器飽和電圧（例えば、Ｖｏｓａｔ）及び様々なＶｃｃでの利得に関する知識を利用して、Ｖｃｃ（ｉ＋１）での電力増幅器の特性を予測するためにＡＭＡＭ曲線をスケーリングすることができる。予測された電力増幅器の特性は、測定された特性とかなりよくマッチすることがしばしばある。幾つかの構成では、（例えば、予測された電力増幅器の特性に基づいて）プリディストーションＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を設計することができる。（例えば、プリディストーションＡＭＡＭ／ＡＭＰＭ ＬＵＴの一部であることができる）プリディストーションＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を設計する一例が以下の図６と関係させて説明される（ここで、ＡＭＡＭ出力は値２０００でクリッピングされると仮定され、これは、（その特定のデジタル信号の振幅の（最下位ビット（ＬＳＢ）で）最大レベルである。
本手順は、電力増幅器出力部での性能を予測することができる。例えば、（例えば、設計されたプリディストーションに対応して）１つ以上の性能測定を予測することができる。幾つかの構成では、次の性能メトリックのうちの１つ以上を推定する（例えば、予測する）ことができる。すなわち、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、（送信チェーン全体の）の利得及び（送信チェーンの）電力。例えば、ここにおいて開示されるシステム及び方法の一シミュレーションでは、ＡＣＬＲは約−４３ｄＢデシベル（ｄＢ）、ＰＡＲ＝３．７ｄＢ（非プリディストーションからわずかに増大された）、ＥＶＭ＝１．８％及びＰｏｕｔ＝２８．３３デシベル（ミリワット（ｄＢｍ）が基準）。この場合は、予測されるＰｏｕｔは、実際のＰｏｕｔから±０．１ｄＢｍ内であることが示された。さらに、４５メガヘルツ（ＭＨｚ）でのＲｘＢＮは仕様値よりも低かった。
本手順は、最低のＶｃｃ（ｉ＋１）に関して１つ以上の性能要求が満たされるまで上記の２つのステップ（例えば、新しいプリディストーションを設計する及び性能を予測する）を繰り返すことができる。これらの繰り返しステップは、ソフトウェア及び／又はファームウェア内で実施する（例えば、計算する）ことができる。一例では、ターゲットＡＣＬＲが満たされるまでＶｃｃ（ｉ＋１）＝３．０５ボルト（Ｖ）。例えば、ＡＣＬＲ＝−４０ｄＢは誤りに関するヘッドルーム（ｈｅａｄｒｏｏｍ）がある程度生じ、ＡＣＬＲ＝−３６ｄＢは誤りに関するヘッドルームがほとんど生じることができない。Ｖｃｃ（ｉ）での性能はフィードバックを通じて測定することができるため、プリディストーションに関して残されるヘッドルーム量を知ることができる。多くの場合は、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、１回の繰り返しでターゲットＡＣＬＲを達成することができる。
本手順は、１つ以上のパラメータを設定することができる。例えば、ＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）、ベースバンド利得、無線トランシーバ（ＲＴＲ）利得及び／又はＶｃｃ（ｉ＋１）を設定することができる。予測されるＰｏｕｔがターゲットＰｏｕｔからわずかに外れている場合は、ベースバンド利得に対する微調整を行うことができる。
本手順は、幾つかの場合は以前のステップから再び進むことができる。例えば、本手順は、必要に応じて送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することに戻ることができる。例えば、電力増幅器の特性は、温度及びその他の変数に関して変化することがある。幾つかの構成では、本手順は、１つ以上の基準に基づいて電力増幅器の変化を追跡するために送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することに戻ることができる。例えば、本手順は、最後の送信信号およびフィードバック信号の捕捉以来の経過時間に基づいて及び／又は温度変化（例えば、上昇）に基づいて、定期的に戻ることができる。
他の例では、本手順は、許容不能な性能が検出された場合は初期電圧（例えば、基本的平均電力トラッキング（ＡＰＴ）からのＶｃｃ（０）又は“安全”であるとみなされるその他のバイアス電圧）において開始することに戻ることができる。例えば、１つ以上の性能要求事項が満たされない場合は、本手順は、本手順の始めに戻ることができる（例えば、本手順が再開することができる）。特に、Ｖｃｃ（０）は、周波数、温度及び／又はその他の部分の変動においてさえも１つ以上の性能要求事項を満たすことができる電圧であることができる。さらなる追加で又は代替で、初期バイアス電圧は、アルゴリズムが（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）からＶｃｃ（ｉ＋１）に）電圧を低下させる間に決定しているその他のバイアス電圧であることができる。それらのステップのいずれにおいても、１つ以上の計算は、予測された性能要求事項（例えば、ＡＣＬＲ、ＲｘＢＮ、利得、等）において十分なマージンを有するという点でバイアス電圧を“安全である”とみなすことができる。従って、そのステップ中に利用されたバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）は、次の“安全な”フォールバックポイント（ｆａｌｌｂａｃｋ ｐｏｉｎｔ）になることができる。例えば、初期電圧は、“安全である”とみなされるあらゆるバイアス電圧に設定することができ、ここで、“安全な”バイアス電圧は、１つ以上の性能要求事項においてスレショルドのマージン量を有する。
システム及び方法の幾つかの特徴が次に与えられる。システム及び方法は、製造後に１回の校正として適用することができ及び／又は現場で（例えば、製造／校正後、デバイスを使用中）適用することができる。例えば、ここにおいて説明されるシステム及び方法は、幾つかの事例では動的に適用することができる。
平均電力トラッキング（ＡＰＴ）は、効率を向上するために電力増幅器バイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）を引き下げることができる。しかしながら、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、バイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）をさらに引き下げるために平均電力トラッキングをプリディストーションと関係させて適用することができる。従って、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、電力増幅器効率を向上させるために電力増幅器バイアス電圧を徐々に引き下げる一方で、基本的平均電力トラッキング（ＡＰＴ）を安全な開始点として及び安全なフォールバックポイントして利用することができる。従って、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、電力増幅器バイアス電圧を基本的ＡＰＴのそれよりも低く引き下げ、プリディストーションを適用することによって電力増幅器効率を向上させることができる。例えば、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、増幅器（例えば、ＰＡ）の効率を基本的平均電力トラッキング（ＡＰＴ）よりも４％向上させることができる。その結果、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、電力消費量及び熱を低減させることができる。
幾つかの既知のプリディストーション方式は、工場での校正に基づくことが注目されるべきである。しかしながら、これらの方式は、静的なプリディストーションを提供し、温度及び／又は周波数の変化に起因する電力増幅器の特性の変動を追跡することはできない。対照的に、ここにおいて開示されるシステム及び方法は、フィードバックを通じて電力増幅器の特性を動的に追跡することができ、電力増幅器の効率をより積極的に向上させることができる。
今度は、図を参照して様々な構成が説明され、同様の参照数字は、機能的に類似の要素を示すことができる。ここでの図において一般的に説明及び例示されるシステム及び方法は、非常に様々な異なる構成で手配及び設計することが可能である。従って、図において表される、幾つかの構成に関する次のより詳細な説明は、請求される適用範囲を制限することは意図されず、システム及び方法の単なる代表例であるにすぎない。
図１は、電力消費量を低減させるための回路１０２の一構成を例示するブロック図である。回路１０２は、電力増幅器１１０と、前置歪み補償器１０６と、コントローラ１２２と、電源１１６と、を含む。回路１０２内に含まれている要素又はコンポーネントのうちの１つ以上（例えば、前置歪み補償器１０６、コントローラ１２２、電力増幅器１１０及び／又は電源１１６）は、ハードウェア、ソフトウェア又は両方の組み合わせに実装することができる。例えば、回路１０２に含まれる要素又はコンポーネントのうちの１つ以上は、回路、回路コンポーネント（例えば、抵抗器、トランジスタ、キャパシタ、誘導子、等）、メモリブロック、レジスタ、処理ブロック及び／又はメモリに格納された、プロセッサで実行される命令（例えば、ソフトウェアコード）に実装することができる。
電力増幅器１１０は、送信信号１０４を増幅することができる。幾つかの構成では、電力増幅器１１０は、無線送信のために送信信号１０４の振幅を大きくすることができる。電力増幅器１１０は、電源１１６に結合される。電力増幅器１１０の性能は、電源１１６によって提供されるバイアス電圧１１８に基づいて変動する。例えば、電力増幅器１１０によって提供される増幅の大きさ及び／又は電力増幅器１１０の直線性は、提供されるバイアス電圧１１８に基づいて変化することができる。
電源１１６は、電源電圧１１４及びコントローラ１２２によって提供される電源制御信号１２０に基づいてバイアス電圧１１８を生成する。電源１１６の一例は、切り換えモード電源（ＳＭＰＳ）である。例えば、電源１１６は、直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）変換器であることができる。電源１１６は、電源電圧１１４をより低いバイアス電圧１１８に低減させることができる。電源電圧１１４は、例えば、バッテリ、電力アダプタ及び／又はその他の電源によって提供することができる。
コントローラ１２２は、電力増幅器１１０、電源１１６及び前置歪み補償器１０６に結合される。コントローラ１２２は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２に基づいて電源１１６及び前置歪み補償器１０６を制御する。特に、コントローラ１２２は、電力増幅器１１０が要求事項（例えば、性能上の要求事項）に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧１１８を決定する。例えば、コントローラ１２２は、電力増幅器１１０が以下の図２−３と関連付けて説明される方法２００、３００のうちの１つ以上により増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にするこの最小バイアス電圧１１８を決定することができる。
コントローラ１２２は、電源１１６に電源制御信号１２０を提供する。電源制御信号１２０は、特定のバイアス電圧１１８を生成することを電源１１６に行わせることができる。例えば、電源制御信号１２０は、特定のバイアス電圧１１８に対応するか又は特定のバイアス電圧１１８を示す１つ以上のパラメータを含むことができる。
コントローラ１２２は、電圧の組からバイアス電圧１１８を生成することを電源１１６に行わせることができる。電圧の組は、１つ以上の電圧を含むことができる。例えば、電圧の組は、コントローラ１２２が電源１１６に生成させることができる有限の組の個別電圧を備えることができる。幾つかの場合は、電圧の組は、コントローラ１２２、電源１１６又は両方の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）によって制限することができる。例えば、電源制御信号１２０は、有限数のビット、インジケータ又はパラメータによって表すことができる。従って、コントローラ１２２は、有限数のステップ又は有限数の値に基づいてバイアス電圧１１８を示すことができる。従って、電力増幅器１１０が１つ以上の要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組からの最小バイアス電圧１１８は、それらの要求事項が依然として満たされている場合の電圧の組内の可能な限り最小の電圧であることができる。従って、電圧の組（存在する場合）内のこの最小バイアス電圧１１８の次に低い電圧は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にしない。
コントローラ１２２は、前置歪み補償器１０６にプリディストーション制御信号１２４も提供する。プリディストーション制御信号１２４は、特定のプリディストーションを送信信号１０４ａに適用することを前置歪み補償器１０６に行わせることができる。例えば、プリディストーション制御信号１２４は、特定のプリディストーションを示す１つ以上のパラメータを含むことができる。幾つかの構成では、プリディストーション制御信号１２４は、プリディストーションを定義するＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を示すことができる。さらに加えて又は代替で、プリディストーション制御信号１２４は、（例えば、多項関数、ボルテラモデル、区分関数、等のうちの１つ以上に基づいて）プリディストーションを関数的に定義する１つ以上のパラメータを含むことができる。
前置歪み補償器１０６は、コントローラ１２２及び電力増幅器１１０に結合される。前置歪み補償器１０６は、送信信号１０４ａにプリディストーションを適用することができる。例えば、前置歪み補償器１０６は、プリディストーション制御信号１２４によって指定されたプリディストーションを適用する。送信信号１０４にプリディストーションを適用することは、電力増幅器１１０が１つ以上の要求事項を満たす増幅された送信信号１０８を依然として生成する一方でより低いバイアス電圧１１８で動作するのを可能にすることができる。１つ以上の要求事項の例は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＭＶ）、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信（Ｔｘ）チェーン全体の利得及び／又は送信（Ｔｘ）チェーン全体の電力に関する１つ以上の指定値を含む。例えば、利得又は電力は、送信の観点からは等値であることができる。例えば、利得が既知である場合は、ベースバンド送信機が生成する送信信号（例えば、送信信号１０４）は、デバイス（例えば、回路１０２）の出力電力の予測を可能にすることができる。
図２は、回路１０２によって電力消費量を低減させるための方法２００の一構成を例示した流れ図である。回路１０２は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２を同時並行して捕捉する２０２ことができる。一例では、コントローラ１２２は、重なり合う期間に送信信号１０４及びフィードバック信号１１２を捕捉する。
回路１０２は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成することを可能にする電圧の組から最小バイアス電圧１１８を決定する２０４ことができる。例えば、コントローラ１２２は、現在の電圧に対応する電力増幅器の特性を決定する。コントローラ１２２は、電圧の組内の次の（例えば、より低い）電圧に関するプリディストーションも決定し、この次の電圧に対応する性能を推定する。コントローラ１２２は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組から最小バイアス電圧１１８を決定することを試みてプリディストーション決定すること及び性能を推定することをさらに繰り返すことができる。
回路１０２は、少なくとも１つのパラメータを設定する２０６ことができる。例えば、コントローラ１２２は、前置歪み補償器１０６によって送信信号１０４に適用されるプリディストーションを示す又は定義する１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号１２４で送信する。例えば、プリディストーション制御信号１２４は、プリディストーションを定義するＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を示すことができる。コントローラ１２２は、決定された２０４最小バイアス電圧１１８を示すパラメータを電源制御信号１２０で送信することもできる。幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、１つ以上の追加のパラメータ、例えば、１つ以上のベースバンド利得及び／又は１つ以上の無線トランシーバ（ＲＴＲ）利得、を設定することができる。
回路１０２は、組２０６パラメータにより送信信号１０４をプリディストーションして増幅することができる。回路１０２は、結果的に得られた増幅された送信信号１０８を送信することもできる。
図３は、電力消費量を回路１０２によって低減させるための方法３００のより具体的な構成を例示した流れ図である。回路１０２は、現在のバイアス電圧１１８（例えば、Ｖｃｃ（ｉ））を初期電圧（例えば、Ｖｃｃ（０））に設定する３０２ことができる。一例では、回路１０２は、この初期の電圧で現在のバイアス電圧１１８を生成することを電源１１６に行わせる。
幾つかの構成では、回路１０２は、初期電圧を決定するために基本的平均電力トラッキング（ＡＰＴ）を行うことができる。上述されるように、この初期電圧は、回路１０２（例えば、電力増幅器１１０）が温度、周波数及び／又は部品の変動に関する１つ以上の要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にすることができる。しかしながら、幾つかの場合は、この初期電圧は、電力増幅器１１０が１つ以上の要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組内の最小電圧よりも高いことができる。従って、初期電圧は、効率が低下することがあり、電力を浪費させることがある。
回路１０２は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２を同時並行して捕捉する３０４ことができる。例えば、コントローラ１２２は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２を重なり合う期間に捕捉する３０４ことができる。より具体的には、回路（例えば、コントローラ１２２）は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２の捕捉３０４をほぼ同時にトリガすることができる。幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、前置歪み補償器１０６（の出力）後に送信信号１０４ｂを捕捉する３０４。その他の構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、前置歪み補償器１０６（の出力）前に送信信号１０４ａを捕捉する３０４。
フィードバック信号１１２は、電力増幅器１１０の後に捕捉される３０４。幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、デュプレクサ及びスイッチ（図１に示されていない）の前でフィードバック信号１１２を捕捉する３０４ことができる。その他の構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、デュプレクサ及びスイッチ（図１に示されていない）の後でフィードバック信号１１２を捕捉する３０４ことができる。
回路１０２は、現在のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ））に対応する電力増幅器の特性を決定する３０６ことができる（ここで、ｉは、現在のバイアス電圧を表すインデックスである）。例えば、回路１０２（コントローラ１２２）は、現在のバイアス電圧に対応する捕捉された３０４送信信号１０４及びフィードバック信号１１２に基づいて電力増幅器の特性を決定する３０６。電力増幅器の特性は、現在のバイアス電圧での電力増幅器の応答（例えば、出力電圧（例えば、Ｖｏｕｔ）対入力電圧（例えば、Ｖｉｎ））を示すことができる。応答は、電力増幅器の直線性（例えば、電力増幅器の特性がほぼ直線である電圧の範囲）を示すことができる。
幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、電力増幅器の特性を次のように決定する３０６。コントローラ１２２が捕捉された３０４送信信号１０４及びフィードバック信号１１２からマッチしている信号を抽出する。例えば、コントローラ１２２は、マッチしている信号を抽出するために周波数誤り訂正、位相訂正粗マッチング、微細
マッチング及び等化のうちの１つ以上を行う。コントローラ１２２は、電力増幅器の特性（例えば、電力増幅器１１０のＡＭＡＭ／ＡＭＰＭ特性）を決定する３０６ために位相訂正も行い、及び、任意選択で、ビニングと平均化、曲線当てはめ及び／又はその他の同等のデータ縮小法を行う。
回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、電圧の組内の次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））に対応する次のプリディストーションを決定する３０８ことができる。次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））は、電圧の組内の（現在のバイアス電圧よりも）低い電圧であることができる。この次のプリディストーションは、データフィードバック及び／又は予め格納された校正に基づいて決定される３０８。幾つかの構成では、例えば、（電力増幅器１１０の）Ｖｏｓａｔ及びバイアス（例えば、電源）電圧Ｖｃｃの関係を決定する校正を事前に行うことができる。校正結果は、デバイスに予め格納することができる。データフィードバックは、ワンショット（ｏｎｅ ｓｈｏｔ）又は適応型であることができる。
ワンショットでプリディストーションを決定する３０８（例えば、予測する）一例が次に説明される。コントローラ１２２は、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１）に対応する次の電力増幅器の特性を決定する（例えば、予測する）ために飽和電圧（例えば、Ｖｏｓａｔ）及び様々なバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）での利得に基づいて決定された３０６電力増幅器の特性（例えば、現在の電圧Ｖｃｃ（ｉ）に対応するＡＭＡＭ曲線）をスケーリングする。次に、コントローラ１２２は、プリディストーションを決定する３０８ために次の電圧に対応する次の電力増幅器の特性を反転させる。
回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））に対応する性能を推定する３１０ことができる。例えば、コントローラ１２２は、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））に対応する１つ以上の性能メトリックを推定する。性能（例えば、１つ以上の性能メトリック）を推定する３１０ことは、次の電圧に対応する決定された３０８次のプリディストーションに基づくこともできる。１つ以上の性能メトリックの例は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）と、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）と、ピーク対平均比（ＰＡＲ）と、エラーベクトルマグニチュード（ＥＭＶ）と、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）と、受信帯域雑音（ＲｘＭＢ）と、利得と、を含む。
回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、電力増幅器が１つ以上の要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定することを試みて、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定する３０８こと及び次のバイアス電圧に対応する性能を推定する３１０ことを繰り返すことができる。幾つかの構成では、繰り返しは次のように実施することができる。
回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））及び対応するプリディストーションが、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１２０８を生成するのを可能にするかどうかを決定する３１２ことができる。例えば、コントローラ１２２は、次の電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））及び対応するプリディストーションが、電力増幅器１１０が１つ以上の性能上の要求事項を満たす増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にするかどうかを決定する。幾つかの構成では、この決定３１２は、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））に対応する推定された３１０性能を１つ以上の性能ターゲットと比較することによって行うことができる。例えば、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、１つ以上の性能メトリックを、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）及び／又は利得に関する１つ以上の性能ターゲットと比較することができる。これらの構成では、推定された３１０性能メトリックが性能ターゲットを満たす場合は、次のバイアス電圧及び対応するプリディストーションが、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする。そうでない場合は、次のバイアス電圧及び対応するプリディストーションは、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にしない。
電圧の組内の次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））及び対応するプリディストーションが、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成することを可能にする場合は、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、次の繰り返しに進むか又は戻り、プリディストーションを決定し３０８及び電圧の組内の１つ以上の後続する（例えば、より低い）電圧に対応する性能を推定する３１０ことができる。例えば、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、現在のバイアス電圧を低下させ３１８、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応するプリディストーションを決定する３０８ことに戻ることができる。例えば、インデックスｉを増加させることができる（例えば、ｉ＝ｉ＋１）。換言すると、インデックスｉは、増加させることができ、例えば、バイアス電圧Ｖｃｃ（ｉ＋１）＜Ｖｃｃ（ｉ）であることができる。現在のバイアス電圧を低下させても３１８実際にはバイアス電圧１１８を設定又は更新できないことが注目されるべきである。例えば、コントローラ１２２は、設定される３１４まではバイアス電圧１１８を設定するためのパラメータを電源制御信号１２０で送信することはできない。
明確化を目的として、現在のバイアス電圧を低下させる３１８ことは、次の例に従って行うことができる。“新しい”現在の電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ））を前回の繰り返しからの“古い”次の電圧（例えば、前のＶｃｃ（ｉ＋１））まで低下させる（例えば、設定する）ことができる。この場合は、“新しい”次の電圧（例えば、新しいＶｃｃ（ｉ＋１））が、電圧の組内の後続する（例えば、より低い）電圧である（例えば、組内に後続する電圧が存在する場合）。従って、回路１０２は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組内の最小バイアス電圧１１８及び対応するプリディストーションが決定されるまで（可能な場合）次の電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））を決定し３０８及び対応するプリディストーションを推定する３１０ことができる。（現在のバイアス電圧を低下させた３１８後に）次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））が電圧の組内に存在しない場合は、回路１０２の動作は、少なくとも１つのパラメータを設定する３１４ことに進むことができる。
電圧の組内の次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））及び対応する次のプリディストーションが、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にしない場合は、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、少なくとも１つのパラメータを設定する３１４ことができる。例えば、コントローラ１２２は、現在のバイアス電圧１１８（例えば、ＶＣＣ（ｉ））を示すパラメータを電源制御信号１２０で送信することができる。例えば、現在のバイアス電圧（例えば、ＶＣＣ（ｉ））は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする最小バイアス電圧であることができ、その理由は、それが、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））が要求事項を満たすことができないと決定される前の最後の該バイアス電圧であったためである。
さらに加えて又は代替として、コントローラ１２２は、送信信号１０４に対して前置歪み補償器１０６によって適用される（現在のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）に対応する）プリディストーションを示す又は定義する１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号１２４で送信する。例えば、プリディストーション制御信号１２４は、プリディストーションを定義するＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を示すことができる。幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、１つ以上の追加のパラメータ、例えば、１つ以上のベースバンド利得及び／又は１つ以上の無線トランシーバ（ＲＴＲ）利得、を設定することができる。
回路１０２は、組３１４パラメータにより送信信号１０４をプリディストーション及び増幅することができる。回路１０２は、その結果えられた増幅された送信信号１０８を送信することもできる。
回路１０２は、１つ以上の基準に基づいて再評価が必要かどうかを決定する３１６ことができる。１つ以上の基準は、例えば、定期的なトリガ、（例えば、最後の捕捉３０４又は最後の設定３１４以降に）ある時間量が経過しているかどうか、及び（例えば、最後の捕捉３０４又は最後の設定３１４以降に）温度が変化（例えば、増大）しているかどうか、を含むことができる。再評価が必要であると回路１０２が決定した３１６場合は、回路１０２は、送信信号１０４及びフィードバック信号１１２を捕捉する３０４ことに戻ることができる。
回路１０２は、さらに加えて又は代替で、欠陥性能が生じるかどうかを決定する３１６ことができる。欠陥性能は、１つ以上の要求事項が満たされていないときに生じることがある。例えば、回路１０２は、１つ以上の要求事項が満たされているかどうかを決定する３１６。１つ以上の要求事項の例は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＭＶ）、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）、受信帯域雑音（ＲｘＭＢ）及び／又は利得に関する要求事項を含む。
欠陥性能が生じた場合は、回路１０２は、現在のバイアス電圧を初期電圧（例えば、Ｖｃｃ（０）又は“安全である”とみなされるその他のいずれかのバイアス電圧）に設定する３０２ことに戻る（例えば、フォールバック）することができる。例えば、インデックスｉは、０にリセットすることができる。例えば、回路１０２は、平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて現在のバイアス電圧を初期電圧に設定する３０２ことができる。さらに加えて又は代替で、初期バイアス電圧は、アルゴリズムが電圧を（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）からＶｃｃ（ｉ＋１）に）低下させる一方で決定しているその他のバイアス電圧であることができる。それらのステップのいずれでも、１つ以上の計算は、予測される性能上の要求事項（例えば、ＡＣＬＲ、ＲｘＢＮ、利得、等）において十分なマージンを有するという意味でバイアス電圧が“安全である”とみなすことができる。従って、そのステップ中に利用されるバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）は、次の“安全な”フォールバックポイントになることができる。しかしながら、再評価が必要でない場合及び／又は欠陥性能が生じない場合は、回路１０２は、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組からの最小電圧である現在のバイアス電圧１１８（例えば、Ｖｃｃ（ｉ））に基づいて現在の設定により動作を続けることができる。
図４は、電力増幅器の特性４２６の一例を示したグラフである。特に、図４は、３．３５ボルト（Ｖ）の現在のバイアス電圧４１８に対応する電力増幅器の特性４２６の一例を示す。電力増幅器の特性４２６は、増幅器入力電圧４３０対増幅器出力電圧４２８の絶対値に関して例示される。図４において、横軸（例えば、ｘ）は、送信信号（例えば、アップコンバージョンされて電力増幅器１１０への入力になる送信信号１０４ｂ）の振幅の最下位ビット（ＬＳＢ）で表記される。さらに、縦軸（例えば、ｙ）は、フィードバック信号（例えば、フィードバック信号１１２）をデジタル化するために使用されるダウンコンバージョンフィードバック経路及びアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）の実装に依存して、任意の利得スケーリングを有することができるフィードバック受信機（例えば、コントローラ１２２）の最下位ビット（ＬＳＢ）が単位である。
例えば、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、３．３５Ｖの現在のバイアス電圧４１８に対応する捕捉された送信信号１０４及びフィードバックされた信号１１２に基づいて電力増幅器の特性４２６を決定する。電力増幅器の特性４２６は、現在のバイアス電圧４１８での電力増幅器１１０の応答（例えば、出力電圧（例えば、Ｖｏｕｔ）対入力電圧（例えば、Ｖｉｎ））を示すことができる。応答は、電力増幅器１１０の直線性（例えば、電力増幅器の特性４２６がほぼ直線である電圧の範囲）を示すことができる。
幾つかの構成では、回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、電力増幅器の特性を次のように決定する。コントローラ１２２は、捕捉された送信信号１０４及びフィードバック信号１１２からマッチしている信号を抽出する。例えば、コントローラ１２２は、マッチしている信号を抽出するために周波数誤り訂正、粗マッチング、微細マッチング及び等化のうちの１つ以上を実施する。コントローラ１２２は、位相訂正及び任意選択でビニングも行う。コントローラ１２２は、電力増幅器の特性４２６（例えば、電力増幅器１１０のＡＭＡＭ／ＡＭＰＭ特性）を決定するために曲線当てはめをさらに行う。
図５は、推定される電力増幅器の特性５３２の一例を示したグラフである。特に、図５は、３．３５Ｖの現在のバイアス電圧に対応する（測定された）電力増幅器の特性５２６の一例及び３．０５Ｖの次のバイアス電圧に対応する（推定された）電力増幅器の特性５３２の一例を示す。（推定された）電力増幅器の特性５３２は、増幅器入力電圧５４０対増幅器出力電圧５２８の絶対値に関して例示される。図５では、軸は、上記の図４に関して同様に詳述されるような単位を有することができる。
回路１０２（例えば、コントローラ１２２）は、電圧の組内の次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１）＝３．０５Ｖ）に対応するプリディストーションを決定することができる。次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１））は、電圧の組内の現在の電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）＝３．３５Ｖ）と比較してより低い電圧を有することができる。プリディストーションは、データフィードバック及び／又は予め格納された校正に基づいて決定される。
特に、図５は、プリディストーションをワンショットで決定する（例えば、予測する）例の一部分を示す。コントローラ１２２は、決定された（例えば、測定された）電力増幅器の特性５２６（例えば、次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１）＝３．０５Ｖに対応する次の電力増幅器の特性５３２を決定（例えば、予測）するために飽和電圧（例えば、Ｖｏｓａｔ）及び様々なバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ）での利得に基づいて現在の電圧（Ｖｃｃ（ｉ）＝３．３５Ｖに対応するＡＭＡＭ曲線）をスケーリングする。
図６は、デジタルプリディストーションルックアップテーブル６３８の例を示したグラフである。特に、プリディストーションの例６４０、６４２は、デジタルプリディストーション入力６３４対デジタルプリディストーション出力６３６に関して示される。横軸及び縦軸は、プリディストーション中のデジタル送信信号（例えば、送信信号１０４）の振幅の最下位ビット（ＬＳＢ）で表すことができる。例示されるプリディストーション６４０、６４２は、デジタルプリディストーションＡＭＡＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）６３８に実装することができる。プリディストーションは、ＡＭＡＭ ＬＵＴに加えてＡＭＰＭ ＬＵＴ内に実装することができ及び／又はＡＭＡＭ ＬＵＴは、幾つかの構成ではＡＭＰＭ ＬＵＴと同じテーブル内に組み入れることができることが注目されるべきである。
図６では、現在のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）＝３．３５Ｖ）に対応する第１のプリディストーション６４０が例示される。次のバイアス電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ）＝３．０５Ｖ）に対応する第２のプリディストーション６４２も例示される。第２のプリディストーション６４２は、図５に例示される次のバイアス電圧（Ｖｃｃ（ｉ＋１）＝３．０５Ｖ）に対応する（推定される）次の電力増幅器の特性５３２に基づいて回路１０２（例えば、コントローラ１２２）によって決定することができる。換言すると、図６は、図５において説明される例の後続する一部分を例示し、コントローラ１２２は、第２のプリディストーション６４２を決定するために次の電圧（例えば、Ｖｃｃ（ｉ＋１）＝３．０５Ｖ）に対応する電力増幅器の特性５３２を反転させる。この例では、コントローラ１２２は、第２のプリディストーション６４２が、電力増幅器１１０が要求事項に従って増幅された送信信号１０８を生成するのを可能にする電圧の組内の最小バイアス電圧に対応する場合に、デジタルプリディストーションＡＭＡＭ ＬＵＴ６３８を設定するために前置歪み補償器１０６にプリディストーション制御信号１２４でパラメータを送信することができる。
図７は、電力消費量を低減させるための電子デバイス７０２の一構成を例示したブロック図である。電子デバイス７０２は、図１と関係させて説明される回路１０２の一例であることができる。電子デバイス７０２は、電力増幅器７１０と、前置歪み補償器７０６と、コントローラ７２２と、電源７１６と、変調器７４６と、コンディショナ７４８と、デジタル−アナログ変換器７５０（ＤＡＣ）と、アップコンバータ７５２と、ダウンコンバータ７５４と、アナログ−デジタル変換器７５６（ＡＤＣ）と、を含む。電子デバイス７０２に含まれる要素又はコンポーネントのうちの１つ以上は、ハードウェア、ソフトウェアまたは両方の組み合わせ内に実装することができる。例えば、電子デバイス７０２に含まれる要素又はコンポーネントのうちの１つ以上は、回路、回路コンポーネント（例えば、抵抗器、トランジスタ、キャパシタ、誘導子、等）、メモリブロック、レジスタ、処理ブロック及び／又はメモリに格納された、プロセッサで実行される命令（例えば、ソフトウェアコード）に実装することができる。
電力増幅器７１０は、送信信号７０４を増幅することができる。幾つかの構成では、電力増幅器７１０は、無線送信のために送信信号７０４の振幅を大きくすることができる。電力増幅器７１０は、電源７１６に結合される。電力増幅器７１０の性能は、電源７１６によって提供されるバイアス電圧７１８に基づいて変動する。例えば、電力増幅器７１０によって提供される増幅の大きさ及び／又は電力増幅器７１０の直線性は、提供されるバイアス電圧７１８に基づいて変化することができる。
電源７１６は、電源電圧７１４及びコントローラ７２２によって提供される電源制御信号７２０に基づいてバイアス電圧７１８を生成する。電源７１６の一例は、切り換えモード電源（ＳＭＰＳ）である。例えば、電源７１６は、直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）変換器であることができる。電源７１６は、電源電圧７１４をより低いバイアス電圧７１８に低減させることができる。電源電圧７１４は、例えば、バッテリ、電力アダプタ及び／又はその他の電源によって提供することができる。
変調器７４６は、前置歪み補償器７０６に結合され、それは、コントローラ７２２及びコンディショナ７４８に結合される。送信情報７４４が変調器７４６に提供される。変調器７４６は、変調方式（位相偏移変調（ＰＳＫ）、直交振幅変調（ＱＡＭ）、等）により送信情報７４４を変調し、前置歪み補償器７０６に提供される変調された送信信号７０４ａを生成する。前置歪み補償器７０６は、変調された送信信号７０４ａにプリディストーションを適用することができる。しかしながら、前置歪み補償器７０６は、変調された送信信号７０４ａにプリディストーションを適用することが常にできるわけではない（例えば、増幅された送信信号７０８を直線化するためにプリディストーションが要求されないとき）。結果的に得られる（プリディストーションされた）送信信号７０４ｂは、コンディショナ７４８に提供される。コンディショナ７４８は、コンディショニングされた送信信号７０４ｃを生成するために（プリディストーションされた）送信信号７０４ｂに関して１つ以上の動作を行うことができる。例えば、コンディショナ７４８は、（プリディストーションされた）送信信号７０４ｂに関して、アップサンプリング、フィルタリング、等を行うことができる。
コンディショナ７４８は、コントローラ７２２及びデジタル−アナログ変換器７５０に結合される。コンディショニングされた送信信号７０４ｃは、コントローラ７２２及びデジタル−アナログ変換器７５０に提供される。デジタル−アナログ変換器７５０は、コンディショニングされた送信信号７０４ｃをアナログ送信信号７０４ｄに変換する。デジタル−アナログ変換器７５０は、アップコンバータ７５２に結合される。アナログ送信信号７０４ｄは、アップコンバータ７５２に提供され、それは、アナログ送信信号７０４ｄを（例えば、無線周波数（ＲＦ）範囲内に）アップコンバージョンしてアップコンバージョンされた送信信号７０４ｅを生成し、それは、電力増幅器７１０に提供される。
電力増幅器７１０は、スイッチ／デュプレクサ（図７に示されていない）に結合され、それらは、アンテナ（図７に示されていない）に結合することができる。電力増幅器７１０は、ダウンコンバータ７５４に結合される。電力増幅器７１０は、増幅された送信信号７０８を生成することができる。増幅された送信信号７０８からダウンコンバータ７５４にフィードバック信号７１２ａを提供することができる。フィードバック信号７１２ａは、スイッチ又はデュプレクサの前又は後でコントローラ７２２によって捕捉することができることが注目されるべきである。
ダウンコンバータ７５４は、フィードバック信号７１２ａを（例えば、ベースバンド周波数範囲内に）ダウンコンバージョンしてダウンコンバージョンされたフィードバック信号７１２ｂを生成する。幾つかの構成では、ダウンコンバータ７５４は、アップコンバータ７５２よりも小さいダイナミックレンジを変換することが可能である。例えば、ダウンコンバータ７５４は、７０乃至８０ｄＢの電力の電力範囲内にあることができるアナログ送信信号７０４ｄを変換することができるアップコンバータ７５２と比較して、２０乃至３０ｄＢの電力の電力範囲内にあることができるフィードバック信号７１２ａを変換することができる。幾つかの構成では、アップコンバータ７５２及びダウンコンバータ７５４は、同じ回路（例えば、無線トランシーバ（ＲＴＲ））に実装することができ、その他の構成では、アップコンバータ７５２及びダウンコンバータ７５４は、別々の回路（例えば、無線トランシーバ（ＲＴＲ））に実装することができる。ダウンコンバータ７５４は、アナログ−デジタル変換器７５６に結合される。ダウンコンバージョンされたフィードバック信号７１２ｂは、アナログ−デジタル変換器７５６に提供される。
アナログ−デジタル変換器７５６は、ダウンコンバージョンされたフィードバック信号７１２ｂをデジタルフィードバック信号７１２ｃに変換する。アナログ−デジタル変換器７５６は、コントローラ７２２に結合される。デジタルフィードバック信号７１２ｃは、コントローラ７２２に提供される。
幾つかの構成では、フィードバック信号７１２（例えば、フィードバック信号７１２ａ、ダウンコンバージョンされたフィードバック信号７１２ｂ及びデジタルフィードバック信号７１２ｃ）は、４つの信号を備えることができる。例えば、フィードバック信号７１２は、微分（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）同相成分（例えば、Ｉ＋及びＩ−）及び微分直交成分（例えば、Ｑ＋及びＱ−）を備えることができる。これらの構成では、これらの４つの信号を利用するためにダウンコンバータ７５４、アナログ−デジタル変換器７５６及びコントローラ７２２を実装することができる。
コントローラ７２２は、アナログ−デジタル変換器７５６、電源７１６、前置歪み補償器７０６、コンディショナ７４８及びデジタル−アナログ変換器７５０に結合される。コントローラ７２２は、コンディショニングされた送信信号７０４ｃ及びデジタルフィードバック信号７１２ｃに基づいて電源７１６及び前置歪み補償器７０６を制御する。特に、コントローラ７２２は、電力増幅器７１０が要求事項に従って増幅された送信信号７０８を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧７１８を決定する。例えば、コントローラ７２２は、上記の図２−３と関係させて説明される方法２００、３００のうちの１つ以上により、電力増幅器７１０が増幅された送信信号７０８を生成するのを可能にするこの最小バイアス電圧７１８及びプリディストーションを決定することができる。
コントローラ７２２は、電源７１６に電源制御信号７２０を提供する。電源制御信号７２０は、電源７１６に特定のバイアス電圧７１８を生成させることができる。例えば、電源制御信号７２０は、特定のバイアス電圧７１８に対応する又は特定のバイアス電圧７１８を示す１つ以上のパラメータを含むことができる。
コントローラ７２２は、電圧の組からバイアス電圧７１８を生成することを電源７１６に行わせることができる。電圧の組は、１つ以上の電圧を含むことができる。例えば、電圧の組は、コントローラ７２２が電源７１６に生成させることができる有限の組の個別電圧を備えることができる。幾つかの場合は、電圧の組は、コントローラ７２２、電源７１６又は両方の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）によって制限することができる。例えば、電源制御信号７２０は、有限数のビット、インジケータ又はパラメータによって表すことができる。従って、コントローラ７２２は、有限数のステップ又は有限数の値に基づいてバイアス電圧７１８を示すことができる。従って、電力増幅器７１０が１つ以上の要求事項に従って増幅された送信信号７０８を生成するのを可能にする電圧の組からの最小バイアス電圧７１８は、それらの要求事項が依然として満たされている場合の電圧の組内の可能な限り最低の電圧であることができる。従って、電圧の組（存在する場合）内のこの最小バイアス電圧７１８の次に低い電圧は、電力増幅器７１０が要求事項に従って増幅された送信信号７０８を生成するのを可能にしない。
コントローラ７２２は、前置歪み補償器７０６にプリディストーション制御信号７２４も提供する。プリディストーション制御信号７２４は、特定のプリディストーションを送信信号７０４ａに適用することを前置歪み補償器７０６に行わせることができる。例えば、プリディストーション制御信号７２４は、特定のプリディストーションを示す１つ以上のパラメータを含むことができる。幾つかの構成では、プリディストーション制御信号７２４は、プリディストーションを定義するＡＭＡＭ／ＡＭＰＭルックアップテーブル（ＬＵＴ）を示すことができる。さらに加えて又は代替で、プリディストーション制御信号７２４は、（例えば、多項関数、ボルテラモデル、区分関数、等のうちの１つ以上に基づいて）プリディストーションを関数的に定義する１つ以上のパラメータを含むことができる。前置歪み補償器７０６は、デジタルプリディストーション又はアナログプリディストーションを提供するために実装することができることが注目されるべきである。例えば、前置歪み補償器７０６は、幾つかの構成ではデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）とともに実装することができる。
前置歪み補償器７０６は、コントローラ７２２、変調器７４６及びコンディショナ７４８に結合される。前置歪み補償器７０６は、変調された送信信号７０４ａにプリディストーションを適用することができる。例えば、前置歪み補償器７０６は、プリディストーション制御信号７２４によって指定されたプリディストーションを適用する。変調された送信信号１０４ａにプリディストーションを適用することは、電力増幅器７１０が１つ以上の要求事項を満たす増幅された送信信号７０８を依然として生成する一方でより低いバイアス電圧７１８で動作するのを可能にすることができる。１つ以上の要求事項の例は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＭＶ）、出力電力（例えば、Ｐｏｕｔ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、及び／又は利得に関する１つ以上の指定値を含む。
図８は、電力消費量を低減させるためのシステム及び方法を実装することができる無線通信デバイス８０２の一構成を例示したブロック図である。無線通信デバイス８０２は、アプリケーションプロセッサ８６８を含むことができる。アプリケーションプロセッサ８６８は、概して、無線通信デバイス８０２で機能を実施するための命令を処理する（例えば、プログラムを実行する）。アプリケーションプロセッサ８６８は、音声コーダ／デコーダ（コーデック）８６６に結合することができる。
音声コーデック８６６は、音声信号を符号化及び／又は復号するために使用される回路であることができる。音声コーデック８６６は、１つ以上のスピーカー８５８、イヤピース８６０、出力ジャック８６２及び／又は１つ以上のマイク８６４に結合することができる。スピーカー８５８は、電気信号又は電子信号を音響信号に変換する電子−音響トランスデューサを含むことができる。例えば、スピーカー８５８は、音楽を再生する、スピーカーでの会話を出力する、等のために使用することができる。イヤピース８６０は、音響信号（例えば、音声信号）を使用者に出力するために使用することができる他のスピーカー又は電子−音響トランスデューサであることができる。例えば、イヤピース８６０は、使用者のみがイヤピース８６０から出力された音響信号を信頼できる形で聞くことができるように設計することができる。出力ジャック８６２は、音声を出力するために無線通信デバイス８０２にその他のデバイス、例えば、ヘッドフォン、を結合するために使用することができる。スピーカー８５８、イヤピース８６０及び／又は出力ジャック８６２は、概して音声コーデック８６６から音声信号を出力するために使用することができる。１つ以上のマイク８６４は、音響信号（例えば、使用者の声）を、音声コーデック８６６に提供される電気信号又は電子信号に変換する音響−電気トランスデューサであることができる。
アプリケーションプロセッサ８６８は、電力管理回路８７６に結合することもできる。電力管理回路８７６の一例は、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）であり、無線通信デバイス８０２の電力消費量を管理するために使用することができる。電力管理回路８７６は、バッテリ８７８に結合することができる。バッテリ８７８は、概して、無線通信デバイス８０２に電力を提供することができる。無線通信デバイス８０２内に含められており、機能するための電力を要求するコンポーネントのうちの１つ以上をバッテリ８７８及び／又は電力管理回路８７６に（例えば、直接及び／又は間接的に）結合できることが注目されるべきである。
アプリケーションプロセッサ８６８は、入力を受信するために１つ以上の入力デバイス８８０に結合することができる。入力デバイス８８０の例は、赤外線センサ、画像センサ、加速度計、タッチセンサ、キーパッド、等を含む。入力デバイス８８０は、ユーザによる無線通信デバイス８０２との対話を可能にすることができる。アプリケーションプロセッサ８６８は、１つ以上の出力デバイス８８２に結合することもできる。出力デバイス８８２の例は、プリンタ、プロジェクタ、画面、触覚デバイス、等を含む。出力デバイス８８２は、無線通信デバイス８０２がユーザによって経験することができる出力を生成するのを可能にすることができる。
アプリケーションプロセッサ８６８は、アプリケーションメモリ８８４に結合することができる。アプリケーションメモリ８８４は、電子情報を格納することが可能なあらゆる電子デバイスであることができる。アプリケーションメモリ８８４の例は、ダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＤＲＡＭ）、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＳＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ、等を含む。アプリケーションメモリ８８４は、アプリケーションプロセッサ８６８のための格納場所を提供することができる。例えば、アプリケーションメモリ８８４は、アプリケーションプロセッサ８６８上で実行されるプログラムを機能させるためのデータ及び／又は命令を格納することができる。
アプリケーションプロセッサ８６８は、ディスプレイコントローラ８８６に結合することができ、それは、ディスプレイ８８８に結合することができる。ディスプレイコントローラ８８６は、ディスプレイ８８８上で画像を生成するために使用されるハードウェアブロックであることができる。例えば、ディスプレイコントローラ８８６は、アプリケーションプロセッサ８６８からの命令及び／又はデータを翻訳し、ディスプレイ８８８上に提示することができる画像に変換することができる。ディスプレイ８８８の例は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル、発光ダイオード（ＬＥＤ）パネル、陰極線管（ＣＲＴ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ、等を含む。
アプリケーションプロセッサ８６８は、ベースバンドプロセッサ８７０に結合することができる。ベースバンドプロセッサ８７０は、概して、通信信号を処理する。例えば、ベースバンドプロセッサ８７０は、受信された信号を復調及び／又は復号することができる。さらに加えて又は代替で、ベースバンドプロセッサ８７０は、送信の準備のために信号を符号化及び又は変調することができる。
ベースバンドプロセッサ８７０は、コントローラ８２２と、前置歪み補償器８０６と、を含むことができる。コントローラ８２２は、上述されるコントローラ１２２、７２２のうちの１つ以上と同様であることができる。さらに加えて又は代替で、前置歪み補償器８０６は、上述される前置歪み補償器１０６、７０６のうちの１つ以上と同様であることができる。
ベースバンドプロセッサ８７０は、ベースバンドメモリ８９０に結合することができる。ベースバンドメモリ８９０は、電子情報を格納することが可能ないずれかの電子デバイス、例えば、ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、等、であることができる。ベースバンドプロセッサ８７０は、ベースバンドメモリ８９０から情報（例えば、命令及び／又はデータ）を読み取ること及び／又はベースバンドメモリ８９０に情報を書き込むことができる。さらに追加して又は代替で、ベースバンドプロセッサ８７０は、通信動作を行うためにベースバンドメモリ８９０に格納される命令及び／又はデータを使用することができる。
ベースバンドプロセッサ８７０は、無線周波数（ＲＦ）トランシーバ８７２に結合することができる。ＲＦトランシーバ８７２は、電力増幅器８１０及び１つ以上のアンテナ８７４に結合することができる。ＲＦトランシーバ８７２は、無線周波数信号を送信及び／又は受信することができる。例えば、ＲＦトランシーバ８７２は、電力増幅器８１０及び１つ以上のアンテナ８７４を用いてＲＦ信号を送信することができる。ＲＦトランシーバ８７２は、１つ以上のアンテナ８７４を用いてＲＦ信号を受信することもできる。無線通信デバイス８０２の例は、携帯電話、スマートフォン、ラップトップコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、オーディオプレーヤー、無線モデム、ゲームシステム、等を含む。
幾つかの構成では、無線周波数トランシーバ８７２は、１つ以上のアップコンバータ及び／又はダウンコンバータを含むことができる。例えば、無線周波数トランシーバ８７２は、図７と関係させて説明されるアップコンバータ７５２に類似するアップコンバータを含むことができる。さらなる追加で又は代替で、無線周波数トランシーバ８７２は、図７と関係させて説明されるダウンコンバータ７５４に類似するダウンコンバータを含むことができる。
幾つかの構成では、電力増幅器８１０は、上述される電力増幅器１１０、７１０のうちの１つ以上に類似することができる。電力増幅器８１０は、電源８１６に結合することができ、それは、バッテリ８７８及びベースバンドプロセッサ８７０に結合することができる。幾つかの構成では、電源８１６は、上述される電源１１６、７１６のうちの１つ以上に類似することができる。
図９は、電子デバイス９０２で利用することができる様々なコンポーネントを例示する。例示されるコンポーネントは、同じ物理的構造物内又は別個のハウジング又は構造物内に配置することができる。ここにおいて説明される回路１０２及び電子デバイス７０２のうちの１つ以上を、図９において説明される電子デバイス９０２に従って実装することができる。電子デバイス９０２は、プロセッサ９９８を含む。プロセッサ９９８は、汎用のシングル又はマルチチップマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ）、専用マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ））、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイ、等であることができる。プロセッサ９９８は、中央処理装置（ＣＰＵ）と呼ばれることがある。図９の電子デバイス９０２では単一のプロセッサ９９８のみが示されるが、代替構成では、プロセッサの組み合わせ（例えば、ＡＲＭ及びＤＳＰ）を使用可能である。
電子デバイス９０２は、プロセッサ９９８と電子的通信状態にあるメモリ９９２も含む。すなわち、プロセッサ９９８は、メモリ９９２から情報を読み取る及び／又はメモリ９９２に情報を書き込むことができる。メモリ９９２は、電子情報を格納することが可能な電子コンポーネントであることができる。メモリ９９２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、ＲＡＭ内のフラッシュメモリデバイス、プロセッサとともに含まれる搭載メモリ、プログラマブル読み取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、等であることができ、それらの組み合わせを含む。
データ９９６ａ及び命令９９４ａは、メモリ９９２内に格納することができる。命令９９４ａは、１つ以上のプログラム、ルーチン、サブルーチン、関数、プロシージャ、等を含むことができる。命令９９４ａは、単一のコンピュータによって読み取り可能な文又は数多くのコンピュータによって読み取り可能な文を含むことができる。命令９９４ａは、上述される方法２００、３００のうちの１つ以上を実装するためにプロセッサ９９８によって実行可能であることができる。命令９９４ａを実行することは、メモリ９９２に格納されるデータ９９６ａの使用を含むことができる。図９は、（命令９９４ａ及びデータ９９６ａから来ることができる）プロセッサ９９８内にロード中の幾つかの命令９９４ｂ及びデータ９９６ｂを示す。
電子デバイス９０２は、その他の電子デバイスと通信するための１つ以上の通信インタフェース９０３を含むこともできる。通信インタフェース９０３は、有線通信技術、無線通信技術、又は両方に基づくことができる。異なるタイプの通信インタフェース９０３の例は、シリアルポート、パラレルポート、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）、イーサネット（登録商標）アダプタ、ＩＥＥＥ１３９４バスインタフェース、小型コンピュータシステムインタフェース（ＳＣＳＩ）バスインタフェース、赤外線（ＩＲ）通信ポート、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）無線通信アダプタ、等を含む。
電子デバイス９０２は、１つ以上の入力デバイス９０５と、１つ以上の出力デバイス９０９、とも含むことができる。異なる種類の入力デバイス９０５の例は、キーボード、マウス、マイク、リモコン、ボタン、ジョイスティック、トラックボール、タッチパッド、ライトペン、等を含む。例えば、電子デバイス９０２は、音響信号を捕捉するための１つ以上のマイク９０７を含むことができる。一構成では、マイク９０７は、音響信号（例えば、声、話し声）を電気又は電子信号に変換するトランスデューサであることができる。異なる種類の出力デバイス９０９の例は、スピーカー、プリンタ、等を含む。例えば、電子デバイス９０２は、１つ以上のスピーカー９１１を含むことができる。一構成では、スピーカー９１１は、電気又は電子信号を音響信号に変換するトランスデューサであることができる。電子デバイス９０２に典型的に含めることができる１つの特定のタイプの出力デバイスは、表示装置９１３である。ここにおいて開示される構成とともに使用される表示装置９１３は、あらゆる適切な画像投影技術、例えば、陰極線管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ガスプラズマ、エレクトロルミネセンス、等を利用することができる。メモリ９９２に格納されたデータを、表示装置９１３上に示されるテキスト、グラフィックス及び／又は動いている画像（適宜）に変換するためのディスプレイコントローラ９１５も提供することができる。
電子デバイス９０２の様々なコンポーネントは、１つ以上のバスによってまとめて結合することができ、それらは、電力バスと、制御信号バスと、状態信号バスと、データバスと、等を含むことができる。簡略化を目的として、様々なバスは、図９ではバスシステム９０１として例示される。図９は、電子デバイス９０２の１つの可能な構成のみを例示することが注目されるべきである。様々なその他のアーキテクチャ及びコンポーネントを利用することができる。
図１０は、無線通信デバイス１００２内に含めることができる幾つかのコンポーネントを例示する。ここにおいて説明される回路１０２及び電子デバイス７０２のうちの１つ以上を、図１０において説明される無線通信デバイス１００２に従って実装することができる。
無線通信デバイス１００２は、プロセッサ１０３７を含む。プロセッサ１０３７は、汎用のシングル又はマルチチップマイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ）、専用マイクロプロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ））、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイ、等であることができる。プロセッサ１０３７は、中央処理装置（ＣＰＵ）と呼ばれることがある。図１０の無線通信デバイス１００２では単一のプロセッサ１０３７のみが示されるが、代替構成では、プロセッサの組み合わせ（例えば、ＡＲＭ及びＤＳＰ）を使用可能である。
無線通信デバイス１００２は、プロセッサ１０３７と電子的通信状態にあるメモリ１０１７も含む（すなわち、プロセッサ１０３７は、メモリ１０１７から情報を読み取る及び／又はメモリ１０１７に情報を書き込むことができる）。メモリ１０１７は、電子情報を格納することが可能な電子コンポーネントであることができる。メモリ１０１７は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、ＲＡＭ内のフラッシュメモリデバイス、プロセッサとともに含まれる搭載メモリ、プログラマブル読み取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、等であることができ、それらの組み合わせを含む。
データ１０１９及び命令１０２１は、メモリ１０１７内に格納することができる。命令１０２１は、１つ以上のプログラム、ルーチン、サブルーチン、関数、プロシージャ、コード、等を含むことができる。命令１０２１は、単一のコンピュータによって読み取り可能な文又は数多くのコンピュータによって読み取り可能な文を含むことができる。命令１０２１は、上述される方法２００、３００のうちの１つ以上を実装するためにプロセッサ１０３７によって実行可能であることができる。命令１０２１を実行することは、メモリ１０１７に格納されるデータ１０１９の使用を含むことができる。図１０は、（命令１０２１及びデータ１０１９から来ることができる）プロセッサ１０３７内にロード中の幾つかの命令１０２１ａ及びデータ１０１９ａを示す。
無線通信デバイス１００２は、無線通信デバイス１００２と遠隔場所（例えば、他の電子デバイス、無線通信デバイス、等）との間での信号の送信及び受信を可能にするための送信機１０３３と受信機１０３５とを含むこともできる。送信機１０３３及び受信機１０３５は、総称してトランシーバ１０３１と呼ぶことができる。トランシーバ１０３１にはアンテナ１０２９を電気的に結合することができる。無線通信デバイス１００２は、複数の送信機、複数の受信機、複数のトランシーバ及び／又は複数のアンテナを含むこともできる（示されていない）。
幾つかの構成では、無線通信デバイス１００２は、音響信号を捕捉するための１つ以上のマイク１０２３を含むことができる。一構成では、マイク１０２３は、音響信号（例えば、音声、話し声）を電気又は電子信号に変換するトランスデューサであることができる。さらに加えて又は代替で、無線通信デバイス１００２は、１つ以上のスピーカー１０２５を含むことができる。一構成では、スピーカー１０２５は、電気又は電子信号を音響信号に変換するトランスデューサであることができる。
無線通信デバイス１００２の様々なコンポーネントは、１つ以上のバスによってまとめて結合することができ、それらは、電力バスと、制御信号バスと、状態信号バスと、データバスと、等を含むことができる。簡略化を目的として、様々なバスは、図１０ではバスシステム１０２７として例示される。
上記の説明では、様々な用語と関係させて参照数字が時々使用されている。用語が参照数字と関係させて使用される場合は、１つ以上の図において示される特定の要素を指し示すことを意味する。用語が参照数字なしで使用される場合は、概して特定の図に限定させずに指し示すことを意味する。
表現“決定すること”は、非常に様々な行動を包含し、従って、“決定すること”は、算出すること、計算すること、処理すること、導き出すこと、調査すること、検索すること（例えば、テーブル、データベース又は他のデータ構造において検索すること）、確認すること、等を含むことができる。さらに、“決定すること”は、受信すること（例えば情報を受信すること）、アクセスすること（例えばメモリ内のデータにアクセスすること）、等を含むことができる。さらに、“決定すること”は、解決すること、選択すること、選ぶこと、確立すること、等を含むことができる。
“に基づく”という表現は、別の意味であることが明示されない限り、“のみに基づく”という意味ではない。換言すると、“に基づく”という表現は、“のみに基づく”及び“少なくとも〜に基づく”の両方を表す。
ここにおいて説明される機能は、プロセッサによって読み取り可能な又はコンピュータによって読み取り可能な媒体上に１つ以上の命令として格納することができる。用語“コンピュータによって読み取り可能な媒体”は、コンピュータ又はプロセッサによってアクセスすることができるあらゆる利用可能な媒体を意味する。一例として、及び制限することなしに、該媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ又はその他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置又はその他の磁気記憶装置、又は、希望されるプログラムコードを命令又はデータ構造の形態で格納するために用いることができ及びコンピュータによってアクセス可能なあらゆるその他の媒体、を備えることができる。ここにおいて用いられるときのディスク（ｄｉｓｋ及びｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ＣＤ）（ｄｉｓｃ）と、レーザーディスク（登録商標）（ｄｉｓｃ）と、光ディスク（ｄｉｓｃ）と、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）（ｄｉｓｃ）と、フロッピー（登録商標）ディスク（ｄｉｓｋ）と、Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）ディスク（ｄｉｓｃ）と、を含み、ここで、ｄｉｓｋは、通常は磁気的にデータを複製し、ｄｉｓｃは、レーザを用いて光学的にデータを複製する。コンピュータによって読み取り可能な媒体は、有形で非一時的であることができることが注目されるべきである。用語“コンピュータプログラム製品”は、コンピューティングデバイス又はプロセッサ及びそのコンピューティングデバイス又はプロセッサによって実行、処理又は計算することができるコード又は命令（例えば、“プログラム”）の組み合わせを意味する。ここで使用される場合において、用語“コード”は、コンピューティングデバイス又はプロセッサによって実行可能であるソフトウェア、命令、コード又はデータを意味することができる。
ソフトウェア又は命令は、送信媒体を通じて送信することもできる。例えば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、より対線、デジタル加入者ライン（ＤＳＬ）、又は無線技術、例えば、赤外線、無線、及びマイクロ波、を用いてウェブサイト、サーバ、又はその他の遠隔ソースから送信される場合は、該同軸ケーブル、光ファイバケーブル、より対線、ＤＳＬ、又は無線技術、例えば赤外線、無線、及びマイクロ波、は、送信媒体の定義の中に含まれる。
ここにおいて開示される方法は、説明される方法を達成させるための１つ以上のステップ又は行動を備える。方法のステップ及び／又は行動は、請求項の適用範囲を逸脱することなしに互換することができる。換言すると、説明されている方法を適切に運用するためにステップ又は行動の特定の順序が要求されないかぎり、特定のステップ及び／又は行動の順序及び／又は使用は、請求項の適用範囲を逸脱することなしに変更することができる。
請求項は、上記の正確な構成及びコンポーネントに限定されないことが理解されるべきである。ここにおいて説明されるシステム、方法、及び装置の手配、動作及び詳細は、請求項の適用範囲を逸脱することなしに様々な修正、変更及び変形を行うことができる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
電力増幅器と、
前記電力増幅器に結合された前置歪み補償器と、
前記電力増幅器に結合された電源と、
前記電力増幅器、前記前置歪み補償器及び前記電源に結合されたコントローラと、を備え、
前記コントローラは、送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉し、及び、前記電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定する、電力消費量を低減させるための回路。
［Ｃ２］
前記最小バイアス電圧を決定することは、
現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することと、
電圧の前記組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することであって、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低いことと、
前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することと、を備えるＣ１に記載の回路。
［Ｃ３］
前記コントローラは、前記次のプリディストーションを決定すること及び性能を推定することをさらに繰り返すＣ２に記載の回路。
［Ｃ４］
前記次の電圧に対応する性能を推定することは、前記次のバイアス電圧に対応する１つ以上の性能メトリックを推定することを備え、前記１つ以上の性能メトリックは、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ），受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つを含むＣ２に記載の回路。
［Ｃ５］
前記コントローラは、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかをさらに決定し、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合は前記バイアス電圧を低下させ、及び
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定するＣ２に記載の回路。
［Ｃ６］
少なくとも１つのパラメータを設定することは、
前記現在のバイアス電圧を示すパラメータを電源制御信号で送信することと、
前記現在のバイアス電圧に対応するプリディストーションを示す１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号で送信することと、を備えるＣ５に記載の回路。
［Ｃ７］
前記コントローラは、
１つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかをさらに決定し、及び
欠陥性能が生じたかどうかを決定するＣ２に記載の回路。
［Ｃ８］
前記コントローラは、欠陥性能が生じた場合に平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて前記現在のバイアス電圧を初期電圧にさらに設定するＣ７に記載の回路。
［Ｃ９］
前記次のプリディストーションを決定することは、
前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることと、
前記次の電力増幅器の特性を反転させることと、を備えるＣ２に記載の回路。
［Ｃ１０］
前記要求事項は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ），受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つに関する指定値を備えるＣ１に記載の回路。
［Ｃ１１］
前記コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの前で前記電力増幅器の出力部から前記フィードバック信号を捕捉するＣ１に記載の回路。
［Ｃ１２］
前記コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの後で前記電力増幅器の出力部から前記フィードバック信号を捕捉するＣ１に記載の回路。
［Ｃ１３］
送信信号およびフィードバック信号を同時並行して捕捉することと、
電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定することと、を備える、回路によって電力消費量を低減させるための方法。
［Ｃ１４］
前記最小バイアス電圧を決定することは、
現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することと、
電圧の前記組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することであって、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低いことと、
前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することと、を備えるＣ１３に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記次のプリディストーションを決定すること及び性能を推定することを繰り返すことをさらに備えるＣ１４に記載の方法。
［Ｃ１６］
前記次の電圧に対応する性能を推定することは、前記次のバイアス電圧に対応する１つ以上の性能メトリックを推定することを備え、前記１つ以上の性能メトリックは、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ），受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つを含むＣ１４に記載の方法。
［Ｃ１７］
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかをさらに決定することと、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合は前記現在のバイアス電圧を低下させることと、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定することと、をさらに備えるＣ１４に記載の方法。
［Ｃ１８］
少なくとも１つのパラメータを設定することは、
前記現在のバイアス電圧を示すパラメータを電源制御信号で送信することと、
前記現在のバイアス電圧に対応するプリディストーションを示す１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号で送信することと、を備えるＣ１７に記載の方法。
［Ｃ１９］
１つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定することと、
欠陥性能が生じたかどうかを決定することと、をさらに備えるＣ１４に記載の方法。
［Ｃ２０］
欠陥性能が生じた場合に平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて前記現在のバイアス電圧を初期電圧に設定することをさらに備えるＣ１９に記載の方法。
［Ｃ２１］
前記次のプリディストーションを決定することは、
前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることと、
前記次の電力増幅器の特性を反転させることと、を備えるＣ１４に記載の方法。
［Ｃ２２］
前記要求事項は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ），受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つに関する指定値を備えるＣ１３に記載の方法。
［Ｃ２３］
前記フィードバック信号は、スイッチ又はデュプレクサの前で前記電力増幅器の出力部からを捕捉されるＣ１３に記載の方法。
［Ｃ２４］
前記フィードバック信号は、スイッチ又はデュプレクサの後で前記電力増幅器の出力部からを捕捉されるＣ１３に記載の方法。
［Ｃ２５］
命令を有する非一時的な有形のコンピュータによって読み取り可能な媒体であって、前記命令は、
送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉することを回路に行わせるためのコードと、
電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定することを前記回路に行わせるためのコードと、を備える、命令を有する非一時的な有形のコンピュータによって読み取り可能な媒体、を備える、電力消費量を低減させるためのコンピュータプログラム製品。
［Ｃ２６］
前記最小バイアス電圧を決定することを前記回路に行わせるための前記コードは、
現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
電圧の前記組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することを前記回路に行わせるためのコードであって、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低いコードと、
前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することを前記回路に行わせるためのコードと、を備えるＣ２５に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ２７］
前記命令は、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合は前記現在のバイアス電圧を低下させることを前記回路に行わせるためのコードと、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定することを前記回路に行わせるためのコードと、をさらに備えるＣ２６に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ２８］
前記命令は、
１つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
欠陥性能が生じたかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、をさらに備えるＣ２６に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ２９］
前記次のプリディストーションを決定することを前記回路に行わせるための前記コードは、
前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることを前記回路に行わせるためのコードと、
前記次の電力増幅器の特性を反転させることを前記回路に行わせるためのコードと、を備えるＣ２６に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ３０］
送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉するための手段と、
前記電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする電圧の組及びプリディストーションから最小バイアス電圧を決定するための手段と、を備える、電力消費量を低減させるための装置。
［Ｃ３１］
前記最小バイアス電圧を決定するための前記手段は、
現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定するための手段と、
電圧の前記組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定するための手段であって、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低い手段と、
前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定するための手段と、を備えるＣ３０に記載の装置。
［Ｃ３２］
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定するための手段と、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合は前記現在のバイアス電圧を低下させるための手段と、
前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定するための手段と、をさらに備えるＣ３１に記載の装置。
［Ｃ３３］
１つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかをさらに決定するための手段と、
欠陥性能が生じたかどうかを決定するための手段と、をさらに備えるＣ３１に記載の装置。
［Ｃ３４］
前記次のプリディストーションを決定するための前記手段は、
前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングするための手段と、
前記次の電力増幅器の特性を反転させるための手段と、を備えるＣ３１に記載の装置。

Claims (34)

  1. 電力増幅器と、
    前記電力増幅器に結合された前置歪み補償器と、
    前記電力増幅器に結合された電源と、
    前記電力増幅器と、前記前置歪み補償器と、前記電源と、に結合されたコントローラと、を備え、
    前記コントローラは、送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉し、
    前記コントローラは、前記電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする、前記電源のための最小バイアス電圧を決定するように構成され、ここにおいて、前記最小バイアス電圧を決定することは、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することを備え、
    前記コントローラは、前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合には現在のバイアス電圧を低下させ、可能にしない場合には前記現在のバイアス電圧を前記最小バイアス電圧と決定するように構成される、電力消費量を低減させるための回路。
  2. 前記最小バイアス電圧を決定することは、
    現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することと、ここにおいて、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低い、
    前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することと、を備える請求項１に記載の回路。
  3. 前記コントローラは、前記次のプリディストーションを決定すること及び性能を推定することをさらに繰り返す請求項２に記載の回路。
  4. 前記次の電圧に対応する性能を推定することは、前記次のバイアス電圧に対応する１つ以上の性能メトリックを推定することを備え、前記１つ以上の性能メトリックは、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び前記送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つを含む請求項２に記載の回路。
  5. 前記コントローラは、さらに、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定し、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定する請求項２に記載の回路。
  6. 少なくとも１つのパラメータを設定することは、
    前記現在のバイアス電圧を示すパラメータを電源制御信号で送信することと、
    前記現在のバイアス電圧に対応するプリディストーションを示す１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号で送信することと、を備える請求項５に記載の回路。
  7. 前記コントローラは、さらに、
    １つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定し、及び
    欠陥性能が生じるかどうかを決定する請求項２に記載の回路。
  8. 前記コントローラは、欠陥性能が生じる場合に平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて前記現在のバイアス電圧を初期電圧にさらに設定する請求項７に記載の回路。
  9. 前記次のプリディストーションを決定することは、
    前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることと、
    前記次の電力増幅器の特性を反転させることと、を備える請求項２に記載の回路。
  10. 前記要求事項は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び前記送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つに関する指定値を備える請求項１に記載の回路。
  11. 前記コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの前で前記電力増幅器の出力部から前記フィードバック信号を捕捉する請求項１に記載の回路。
  12. 前記コントローラは、スイッチ又はデュプレクサの後で前記電力増幅器の出力部から前記フィードバック信号を捕捉する請求項１に記載の回路。
  13. 送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉することと、
    電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする、電源のための最小バイアス電圧を決定することと、
    前記最小バイアス電圧を決定することは、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することを備え、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合には現在のバイアス電圧を低下させ、可能にしない場合には前記現在のバイアス電圧を前記最小バイアス電圧と決定することと、
    を備える、回路によって電力消費量を低減させるための方法。
  14. 前記最小バイアス電圧を決定することは、
    現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することと、ここにおいて、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低い、
    前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することと、を備える請求項１３に記載の方法。
  15. 前記次のプリディストーションを決定すること及び性能を推定することを繰り返すことをさらに備える請求項１４に記載の方法。
  16. 前記次の電圧に対応する性能を推定することは、前記次のバイアス電圧に対応する１つ以上の性能メトリックを推定することを備え、前記１つ以上の性能メトリックは、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び前記送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つを含む請求項１４に記載の方法。
  17. 前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定することと、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定することと、をさらに備える請求項１４に記載の方法。
  18. 少なくとも１つのパラメータを設定することは、
    前記現在のバイアス電圧を示すパラメータを電源制御信号で送信することと、
    前記現在のバイアス電圧に対応するプリディストーションを示す１つ以上のパラメータをプリディストーション制御信号で送信することと、を備える請求項１７に記載の方法。
  19. １つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定することと、
    欠陥性能が生じるかどうかを決定することと、をさらに備える請求項１４に記載の方法。
  20. 欠陥性能が生じる場合に平均電力トラッキング（ＡＰＴ）に基づいて前記現在のバイアス電圧を初期電圧に設定することをさらに備える請求項１９に記載の方法。
  21. 前記次のプリディストーションを決定することは、
    前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることと、
    前記次の電力増幅器の特性を反転させることと、を備える請求項１４に記載の方法。
  22. 前記要求事項は、隣接チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ）、隣接チャネル電力比（ＡＣＰＲ）、ピーク対平均比（ＰＡＲ）、エラーベクトルマグニチュード（ＥＶＭ）、受信帯域雑音（ＲｘＢＮ）、送信チェーン全体の利得及び前記送信チェーン全体の電力から成るグループの中の少なくとも１つに関する指定値を備える請求項１３に記載の方法。
  23. 前記フィードバック信号は、スイッチ又はデュプレクサの前で前記電力増幅器の出力部から捕捉される請求項１３に記載の方法。
  24. 前記フィードバック信号は、スイッチ又はデュプレクサの後で前記電力増幅器の出力部から捕捉される請求項１３に記載の方法。
  25. 命令を有する非一時的な有形のコンピュータによって読み取り可能な媒体であって、前記命令は、
    送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉することを回路に行わせるためのコードと、
    電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする、電源のための最小バイアス電圧を決定することを前記回路に行わせるためのコードと、ここにおいて、前記最小バイアス電圧を決定することは、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定することを備え、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合には現在のバイアス電圧を低下させ、可能にしない場合には前記現在のバイアス電圧を前記最小バイアス電圧と決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
    を備える、命令を有する非一時的な有形のコンピュータによって読み取り可能な媒体、を備える、電力消費量を低減させるためのコンピュータプログラム製品。
  26. 前記最小バイアス電圧を決定することを前記回路に行わせるための前記コードは、
    現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定することを前記回路に行わせるためのコードと、ここにおいて、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低い、
    前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定することを前記回路に行わせるためのコードと、を備える請求項２５に記載のコンピュータプログラム製品。
  27. 前記命令は、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定することを前記回路に行わせるためのコードと、をさらに備える請求項２６に記載のコンピュータプログラム製品。
  28. 前記命令は、
    １つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、
    欠陥性能が生じるかどうかを決定することを前記回路に行わせるためのコードと、をさらに備える請求項２６に記載のコンピュータプログラム製品。
  29. 前記次のプリディストーションを決定することを前記回路に行わせるための前記コードは、
    前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングすることを前記回路に行わせるためのコードと、
    前記次の電力増幅器の特性を反転させることを前記回路に行わせるためのコードと、を備える請求項２６に記載のコンピュータプログラム製品。
  30. 送信信号及びフィードバック信号を同時並行して捕捉するための手段と、
    電力増幅器が要求事項に従って増幅された送信信号を生成するのを可能にする、電源のための最小バイアス電圧を決定するための手段と、ここにおいて、前記最小バイアス電圧を決定するための前記手段は、電圧の組内の次のバイアス電圧に対応する次のプリディストーションを決定するための手段を備え、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にする場合には現在のバイアス電圧を低下させ、可能にしない場合には前記現在のバイアス電圧を前記最小バイアス電圧と決定するための手段と、
    を備える、電力消費量を低減させるための装置。
  31. 前記最小バイアス電圧を決定するための前記手段は、
    現在のバイアス電圧に対応する電力増幅器の特性を決定するための手段と、ここにおいて、前記次のバイアス電圧は、前記現在のバイアス電圧よりも低い、
    前記次のバイアス電圧に対応する性能を推定するための手段と、を備える請求項３０に記載の装置。
  32. 前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にするかどうかを決定するための手段と、
    前記次のバイアス電圧及び前記次のプリディストーションが、前記電力増幅器が前記要求事項に従って前記増幅された送信信号を生成するのを可能にしない場合は少なくとも１つのパラメータを設定するための手段と、をさらに備える請求項３１に記載の装置。
  33. １つ以上の基準に基づいて再評価が必要であるかどうかを決定するための手段と、
    欠陥性能が生じるかどうかを決定するための手段と、をさらに備える請求項３１に記載の装置。
  34. 前記次のプリディストーションを決定するための前記手段は、
    前記次のバイアス電圧に対応する次の電力増幅器の特性を決定するために前記電力増幅器の特性をスケーリングするための手段と、
    前記次の電力増幅器の特性を反転させるための手段と、を備える請求項３１に記載の装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111912609B (zh) * 2020-08-11 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 测量装置及测量方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9190959B2 (en) * 2012-11-12 2015-11-17 Intel Deutschland Gmbh Circuit, transceiver and mobile communication device
JP2014116691A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Samsung Electronics Co Ltd 高周波増幅装置及び歪補償方法
US9729110B2 (en) * 2013-03-27 2017-08-08 Qualcomm Incorporated Radio-frequency device calibration
JP2015056743A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 シャープ株式会社 移動体通信端末および移動体通信端末の制御方法
US20150092825A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Qualcomm Incorporated Self-test using internal feedback for transmit signal quality estimation
US9443572B2 (en) 2014-06-06 2016-09-13 Qualcomm Incorporated Programmable power for a memory interface
US20160034421A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Infineon Technologies Ag Digital pre-distortion and post-distortion based on segmentwise piecewise polynomial approximation
US9654154B2 (en) * 2014-09-08 2017-05-16 Apple Inc. Radio frequency adaptive voltage shaping power amplifier systems and methods
JP2016149743A (ja) 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
US9893684B2 (en) 2015-02-15 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter
US9866182B2 (en) * 2015-05-15 2018-01-09 Crocus Technology Inc. MRAM-based pre-distortion linearization and amplification circuits
DE102015212149A1 (de) 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem und Verfahren zur Einstellung einer Ausgangsgröße der Verstärkerstufe eines Leistungsversorgungssystems
WO2017041272A1 (zh) * 2015-09-10 2017-03-16 华为技术有限公司 一种功率调节方法及设备
US9985590B2 (en) * 2016-01-27 2018-05-29 Mediatek Inc. Adaptive power amplifier supply with pre-distortion mechanism
US9906428B2 (en) * 2016-04-28 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for frequency-domain weighted least squares
US9813085B1 (en) * 2016-09-23 2017-11-07 Qualcomm Incorporated Closed loop digital pre-distortion
CN106569539B (zh) * 2016-10-31 2018-04-17 努比亚技术有限公司 一种偏置电压补偿的方法及装置、终端
US11368175B2 (en) * 2017-03-07 2022-06-21 Qorvo Us, Inc. Radio frequency control circuit
US10469109B2 (en) * 2017-09-19 2019-11-05 Qualcomm Incorporated Predistortion for transmitter with array
CN111512542B (zh) * 2017-12-15 2023-08-22 苹果公司 具有动态变化电压电平的数字包络跟踪的方法和设备
CN108390683B (zh) * 2018-03-22 2020-10-16 广东小天才科技有限公司 一种信号传输方法及信号传输电路
US11258640B2 (en) * 2018-03-30 2022-02-22 Intel Corporation Feedback control systems for wireless devices
US10454423B1 (en) 2018-04-12 2019-10-22 Apple Inc. Techniques for improving cellular current consumption
US10637694B1 (en) 2018-12-21 2020-04-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Reduction and/or mitigation of spatial emissions in multi-antenna wireless communication systems for advanced networks
US10902791B2 (en) * 2019-01-16 2021-01-26 Novatek Microelectronics Corp. Method of controlling source driver and related display system
CN110166004B (zh) * 2019-04-18 2023-12-22 翱捷科技股份有限公司 一种功率放大器减小功耗的方法及装置
CN115298978B (zh) * 2020-03-18 2023-10-27 哲库科技(上海)有限公司 用于谐波干扰消除的基带芯片和无线通信方法
US11218118B2 (en) * 2020-03-30 2022-01-04 Analog Devices International Unlimited Company Linearity optimizer for a millimeter-wave beamforming system
CN111405732B (zh) * 2020-04-01 2021-09-28 广州市珠江灯光科技有限公司 灯具双向信号放大方法及控制系统
KR20210144317A (ko) * 2020-05-22 2021-11-30 삼성전기주식회사 스타트업 기능을 갖는 증폭회로 및 증폭 장치
KR20230020832A (ko) * 2021-08-04 2023-02-13 삼성전자주식회사 Rf 신호를 송신하는 전자 장치 및 그 동작 방법
WO2023233735A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 株式会社村田製作所 平均電力トラッキングモジュール、平均電力トラッキング回路、通信装置および電源電圧供給方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5420536A (en) * 1993-03-16 1995-05-30 Victoria University Of Technology Linearized power amplifier
US5892404A (en) 1994-10-25 1999-04-06 Vac-Com, Inc. Linear power amplifier with a pulse density modulated switching power supply
US6141541A (en) * 1997-12-31 2000-10-31 Motorola, Inc. Method, device, phone and base station for providing envelope-following for variable envelope radio frequency signals
US6081161A (en) * 1998-05-18 2000-06-27 Omnipoint Corporation Amplifier with dynamatically adaptable supply voltage
US6191653B1 (en) 1998-11-18 2001-02-20 Ericsson Inc. Circuit and method for linearizing amplitude modulation in a power amplifier
US6043707A (en) 1999-01-07 2000-03-28 Motorola, Inc. Method and apparatus for operating a radio-frequency power amplifier as a variable-class linear amplifier
US6531860B1 (en) 2001-06-14 2003-03-11 Qualcomm Inc. Integrated power detector with temperature compensation
JP2003258563A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Hitachi Kokusai Electric Inc プリディストーション方式歪み補償増幅装置
US6703897B2 (en) * 2001-12-26 2004-03-09 Nortel Networks Limited Methods of optimising power amplifier efficiency and closed-loop power amplifier controllers
US6646501B1 (en) * 2002-06-25 2003-11-11 Nortel Networks Limited Power amplifier configuration
DE50213057D1 (de) * 2002-07-17 2009-01-08 Nokia Siemens Networks Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben eines Sendeverstärkers
US7346122B1 (en) 2002-08-21 2008-03-18 Weixun Cao Direct modulation of a power amplifier with adaptive digital predistortion
US6987417B2 (en) * 2003-06-24 2006-01-17 Northrop Grumman Corpoation Polar and linear amplifier system
US7026868B2 (en) * 2003-11-20 2006-04-11 Northrop Grumman Corporation Variable supply amplifier system
JP2005175561A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路用電源回路および電源用半導体集積回路並びに電源用電子部品
JP2005197870A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Fujitsu Ltd 歪補償型電力増幅器
US7333563B2 (en) 2004-02-20 2008-02-19 Research In Motion Limited Method and apparatus for improving power amplifier efficiency in wireless communication systems having high peak to average power ratios
US20060199553A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Andrew Corporation Integrated transceiver with envelope tracking
JP4802190B2 (ja) * 2005-04-27 2011-10-26 パナソニック株式会社 ポーラ変調送信回路及び通信機器
JP5003134B2 (ja) 2006-01-10 2012-08-15 日本電気株式会社 増幅装置
US7761065B2 (en) * 2006-02-03 2010-07-20 Quantance, Inc. RF power amplifier controller circuit with compensation for output impedance mismatch
US7427897B2 (en) 2006-02-08 2008-09-23 Fairchild Semiconductor Corporation Power amplifier with close-loop adaptive voltage supply
US8093946B2 (en) 2006-03-17 2012-01-10 Nujira Limited Joint optimisation of supply and bias modulation
US7830220B2 (en) * 2006-09-26 2010-11-09 Infineon Technologies Ag Modulator arrangement and method for signal modulation
US8274332B2 (en) 2007-04-23 2012-09-25 Dali Systems Co. Ltd. N-way Doherty distributed power amplifier with power tracking
US7741903B2 (en) 2007-07-17 2010-06-22 Quantance, Inc. Distortion-driven power amplifier power supply controller
WO2009037603A2 (en) * 2007-08-16 2009-03-26 St-Nxp Wireless (Holding) Ag Polar modulation based transmitter with switching mode power amplifiers
US8295396B2 (en) 2007-08-22 2012-10-23 Texas Instruments Incorporated System and method for power control in a wireless transmitter
US8090051B2 (en) * 2008-04-29 2012-01-03 Motorola Solutions, Inc. Combined feedback and feed-forward linearization of radio frequency (RF) power amplifiers
US7741906B1 (en) 2008-08-29 2010-06-22 Xilinx, Inc. Method of and circuit for generating parameters for a predistortion circuit in an integrated circuit
US8160519B2 (en) * 2008-09-08 2012-04-17 Nokia Corporation Compensating for variations in the response of a power supply
EP2226932B1 (en) * 2009-03-02 2013-10-16 Alcatel Lucent Method for amplifying a signal by a power amplifier, power amplifier system, device, computer program product, and digital storage medium thereof
CN101605388A (zh) * 2009-07-09 2009-12-16 中兴通讯股份有限公司 一种降低手机射频功耗的电路及方法
JP2011082953A (ja) * 2009-09-10 2011-04-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 増幅装置、及びこれを用いた無線送信装置
US8018278B2 (en) 2009-09-17 2011-09-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Pre-distortion apparatus of power amplifier and method thereof
US8183917B2 (en) 2010-06-04 2012-05-22 Quantance, Inc. RF power amplifier circuit with mismatch tolerance
CN102172085B (zh) * 2011-04-14 2013-04-17 华为技术有限公司 降低功率放大器功耗的方法及装置
US8754706B2 (en) 2011-08-02 2014-06-17 Qualcomm Incorporated Power based feedback for improved power amplifier (PA) efficiency

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111912609B (zh) * 2020-08-11 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 测量装置及测量方法

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Publication number Publication date
JP2016167821A (ja) 2016-09-15
US20130257529A1 (en) 2013-10-03
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EP2756596A1 (en) 2014-07-23
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KR20140067135A (ko) 2014-06-03

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