JP6340825B2 - 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 - Google Patents
有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6340825B2 JP6340825B2 JP2014035402A JP2014035402A JP6340825B2 JP 6340825 B2 JP6340825 B2 JP 6340825B2 JP 2014035402 A JP2014035402 A JP 2014035402A JP 2014035402 A JP2014035402 A JP 2014035402A JP 6340825 B2 JP6340825 B2 JP 6340825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- liquid
- inorganic
- polymer
- dispersion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 100
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 86
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 58
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 37
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 33
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 29
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 claims description 27
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 16
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 34
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 34
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 description 33
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 18
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 3
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLHUBROMZOAQMV-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzosemiquinone Chemical compound [O]C1=CC=C(O)C=C1 XLHUBROMZOAQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N bismuth selenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[Bi+3].[Bi+3] FBGGJHZVZAAUKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 1-dodecanesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCS(O)(=O)=O LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTTJWXVQRJUJQW-UHFFFAOYSA-N 2,2-dioctyl-3-sulfobutanedioic acid Chemical compound CCCCCCCCC(C(O)=O)(C(C(O)=O)S(O)(=O)=O)CCCCCCCC CTTJWXVQRJUJQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229960000878 docusate sodium Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-amino-4-(4-fluorophenyl)thiophene-3-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=C(N)SC=C1C1=CC=C(F)C=C1 CJMZLCRLBNZJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
これまでにも、高分子と金属ナノ粒子を複合する技術が知られている(例えば、特許文献1を参照)。
しかしながら、この従来技術では以下の課題があった。すなわち、この技術では、高分子膜内部における金属ナノ粒子の均一分散化は不十分であった。
高分子の酸性分散液と、
高分子電解質としてのポリスチレンスルホン酸ナトリウムで被覆した無機ナノ粒子の分散液と、
を、混合した混合液を乾燥させて、有機無機ハイブリッド膜を製造する有機無機ハイブリッド膜の製造方法であって、
前記無機ナノ粒子が、Bi2Te3、Bi2Se3、他の元素をドーピングしたBi2Te3、及び他の元素をドーピングしたBi2Se3からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを要旨とする。
前記無機ナノ粒子が、Bi2Te3、Bi2Se3、他の元素をドーピングしたBi2Te3、及び他の元素をドーピングしたBi2Se3からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを要旨とする。
すなわち、無機ナノ粒子を高分子電解質で被覆した後に、有機膜の原料となる高分子の酸性分散液と混合している。通常の無機ナノ粒子は酸性条件において不安定であるため分散状態を保つことが困難である。一方、本発明では、無機ナノ粒子が高分子電解質で被覆されているから、高分子の酸性分散液と混合した後でも、無機ナノ粒子の分散状態を保つことができる。その結果、原料液体の乾燥による膜化後においても無機ナノ粒子は、有機膜内部に均一に分散した状態となる。
〔1〕有機無機ハイブリッド膜の製造方法
本発明の有機無機ハイブリッド膜の製造方法では、高分子の酸性分散液(A液)と、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子の分散液(B液)と、を、混合した混合液(C液)を乾燥させて、有機無機ハイブリッド膜を製造する。
図1〜図2に本発明の製造方法を模式的に示す。図1のA液では、高分子が液中に存在している様子が示されている。図1のB液では、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子が液中に存在している様子が示されている。そして、図1では、A液とB液とを混合したC液においても、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子が液中に分散している様子が示されている。また、図2には、C液を乾燥させた有機無機ハイブリッド膜が示されているが、この膜においても、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子が高分子膜中に分散している様子が示されている。
一方、比較のために、図3〜図4には、従来技術の製造方法を模式的に示す。図3のA液では、高分子が液中に存在している様子が示されている。図3のB液では、高分子電解質で被覆されていない無機ナノ粒子が液中に存在している様子が示されている。そして、図3では、A液とB液とを混合したC液においては、無機ナノ粒子が液中で凝集している様子が示されている。また、図4には、C液を乾燥させた有機無機ハイブリッド膜が示されているが、この膜においては、無機ナノ粒子が高分子膜中で凝集している様子が示されている。
「高分子」としては、導電性を有する高分子を用いてもよいし、導電性を有しない高分子を用いてもよい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリエステル、ポリスルホン、ポリイミド、及びこれらの誘導体等を用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリウレタン樹脂、及びこれらの誘導体等を用いることができる。
導電性高分子は、ドーピングにより絶縁体−金属転移を起こして導電性を発現する。p型半導体として用いる場合、アクセプタと呼ばれるドーパントを用い、導電性高分子の共役系からπ電子を奪うことで、正孔が主鎖に沿って移動可能になる。このようなアクセプタ・ドーパントとして、公知のハロゲン類、ルイス酸、プロトン酸、および遷移金属ハライドなどが挙げられる。
なお、ポリアニリンの場合、塩酸等の酸化能力のないプロトン酸によってもセミキノンラジカルが生成し導電性を示すようになる。アクセプタ・ドーパントとして、プロトン酸が用いられることが多い。このようなものとして、例えば、公知のp−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、蟻酸等の有機酸、及び塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機プロトン酸が挙げられる。
一方、導電性高分子をn型半導体として用いる場合、ドナーと呼ばれるドーパントを用い、導電性高分子の共役系に電子を与えることにより、電子が主鎖に沿って移動可能になる。このようなドナー・ドーパントとして、アルカリ金属、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられる。
例えば、ポリアニリンを用いた場合には、酸性とするためにはプロトン酸を用いることが好ましい。プロトン酸は、無機プロトン酸又は有機プロトン酸のいずれであってもよい。
無機プロトン酸としては、塩酸、硫酸及び過塩素酸からなる群より選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。
有機プロトン酸としては、例えば、スルホン酸、クエン酸が用いられる。スルホン酸としては、例えば、カンフルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、スルホサリチル酸、p−スチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ジオクチルスルホコハク酸及びスルファニル酸からなる群より選ばれる少なくとも1つが用いられる。
高分子及び酸の種類に応じて適宜調節される。例えば、高分子がポリアニリンであり、酸として塩酸を用いる場合には、塩酸1mLに対して、ポリアニリンが、0.01〜300mgであることが好ましく、より好ましくは1〜100mg、更に好ましくは3〜30mgである。
PEDOT/PSS液中のPEDOTの固形分濃度は、特に限定されない。通常、0.05〜10質量%である。PEDOTに対するPSSの含有量は、通常、PEDOTのモノマー単位1モルに対して0.001〜1000モルであり、PSSの重合度は、通常、モノマー単位で10〜100000個の範囲内であるが、これらに限定されない。PEDOT/PSS溶液には、例えばヘレウス株式会社(Heraeus)のClevios PH 1000(商品名)、Clevios FE−T(商品名)が例示されるが、本発明では、これらに限定されない。
「高分子電解質」としては、ポリスチレンスルホン酸ナトリウムが用いられる。
高分子電解質のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定することができる。
また、他の元素をドーピングしたBi2Te3の場合におけるドーパントとしては、特に限定されないが、例えば、Se、Sn等が用いられる。
さらに、他の元素をドーピングしたBi2Se3の場合におけるドーパントとしては、特に限定されないが、例えば、Te、Sn等が用いられる。
これらの無機ナノ粒子は、1種用いてもよいし、2種以上用いてもよい。
「無機ナノ粒子」の平均粒径は、1〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは10〜700nm、更に好ましくは20〜500nmである。粒径が好ましい範囲内にある場合には、無機ナノ粒子が、有機膜内部で均一によく分散した状態になりやすいからである。
「無機ナノ粒子」の平面形状は特に限定されない。円形、矩形、不定形であってもよい。
なお、無機ナノ粒子の平均粒径及び厚みは、例えば、電子顕微鏡観察(SEM、TEM)等により測定することができる。
混合液(C液)は、高分子の酸性分散液(A液)と、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子の分散液(B液)と、を混合することにより調製することができる。
混合方法としては、特に限定されず、公知の方法を採用することができる。例えば、マグネチックスターラー、プロペラ型攪拌機、タービン型攪拌機等のミキサーを用いる攪拌法を挙げることができる。また、ホモジナイザー法、超音波照射法等が挙げられる。本発明では、これらの方法を適宜、組み合わせて使用しても良い。
本発明では、混合した混合液(C液)を乾燥させて、有機無機ハイブリッド膜を製造する。
一般的には、基材上に、コーティング液を塗布して塗膜を形成した後、これを乾燥する。基材としては、特に限定されず、有機物、無機物であってもよく、例えば、ガラス板、樹脂フィルム、金属板が用いられる。
乾燥は、特に限定されず、公知の方法が用いられる。例えば、自然乾燥(常温常圧での乾燥)、強制的な乾燥が用いられる。強制的な乾燥としては、減圧乾燥、加熱乾燥、減圧加熱乾燥等が挙げられる。乾燥温度は、特に限定されないが、溶媒の種類によって、適宜、選択される。通常、5〜200℃であり、好ましくは20〜150℃、更に好ましくは30〜120℃である。この温度範囲であれば、良好な複合状態の有機無機ハイブリッド膜が形成される。乾燥時間は、乾燥温度や溶媒の種類によって、適宜、選択され得る。厚みバラツキの小さい乾燥塗膜を得るためには、乾燥時間は、例えば、1分間〜120時間であり、好ましくは10分間〜80時間であり、更に好ましくは30分間〜50時間である。
そして、ナノ粒子が有する極めて大きい比表面積により、無機材料及び有機材料の接触面積が非常に大きな複合状態を形成できる。
また、ナノ粒子のその他の特性、例えば、表面原子の割合が大きく反応性が高いという特性、量子サイズ効果、局在表面プラズモン共鳴等の特性をハイブリッド膜に付与することが可能となる。
本発明の有機無機ハイブリッド膜は、高分子電解質で被覆した無機ナノ粒子が、導電性高分子の膜の中に分散されていることを特徴とする。
高分子電解質のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定することができる。
また、他の元素をドーピングしたBi2Te3の場合におけるドーパントとしては、特に限定されないが、例えば、Se、Sn等が用いられる。
さらに、他の元素をドーピングしたBi2Se3の場合におけるドーパントとしては、特に限定されないが、例えば、Te、Sn等が用いられる。
これらの無機ナノ粒子は、1種用いてもよいし、2種以上用いてもよい。
「無機ナノ粒子」の平均粒径は、1〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは10〜700nm、更に好ましくは20〜500nmである。粒径が好ましい範囲内にある場合には、無機ナノ粒子が、有機膜内部で均一によく分散した状態となりやすいからである。
「無機ナノ粒子」の平面形状は特に限定されない。円形、矩形、不定形であってもよい。
なお、無機ナノ粒子の平均粒径及び厚みは、例えば、電子顕微鏡観察(SEM、TEM)等により測定することができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、アセタール樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリエステル、ポリスルホン、ポリイミド、及びこれらの誘導体等を用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリウレタン樹脂、及びこれらの誘導体等を用いることができる。
導電性高分子は、ドーピングにより絶縁体−金属転移を起こして導電性を発現する。p型半導体として用いる場合、アクセプタと呼ばれるドーパントを用い、導電性高分子の共役系からπ電子を奪うことで、正孔が主鎖に沿って移動可能になる。このようなアクセプタ・ドーパントとして、公知のハロゲン類、ルイス酸、プロトン酸、および遷移金属ハライド等が挙げられる。
なお、ポリアニリンの場合、塩酸などの酸化能力のないプロトン酸によってもセミキノンラジカルが生成し導電性を示すようになる。アクセプタ・ドーパントとして、プロトン酸が用いられることが多い。このようなものとして、例えば、公知のp−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸、蟻酸などの有機酸、及び塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機プロトン酸が挙げられる。
一方、導電性高分子をn型半導体として用いる場合、ドナーと呼ばれるドーパントを用い、導電性高分子の共役系に電子を与えることにより、電子が主鎖に沿って移動可能になる。このようなドナー・ドーパントとして、アルカリ金属、アルキルアンモニウムイオン等が挙げられる。
<実施例1>
(1)ポリアニリンナノ粒子の分散液(A液)の調製
ポリアニリン(PAni)のナノ粒子を塩酸に分散した分散液(A液)を用意した。この分散液ではポリアニリンのナノ粒子4mgが塩酸(1mM、0.5mL)に分散している。
(2)PSS被覆Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)の調製
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム(PSS、平均分子量70000)の水溶液を用意した。この水溶液では、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム250mgが水10mLに溶解している。
Bi2Te3(テルル化ビスマス)のナノフレーク分散液を用意した。この分散液ではBi2Te3のナノフレーク50mgが水5mLに分散している。
上記ポリスチレンスルホン酸ナトリウムの水溶液に、上記Bi2Te3(テルル化ビスマス)のナノフレーク分散液を加え、終夜撹拌した後、水による洗浄を行った。そして、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークを得た。
そして、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークを水に分散して、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、PSS被覆Bi2Te3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合して、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、室温・常圧にて自然乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図5に、実施例1の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Te3/PAniハイブリッド膜)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図5の比較的明るい部分がBi2Te3である。Bi2Te3がポリアニリン膜内部でよく分散していることが分かる。
(1)ポリアニリンナノ粒子の分散液(A液)の調製
ポリアニリン(PAni)のナノ粒子を塩酸に分散した分散液(A液)を用意した。この分散液ではポリアニリンのナノ粒子4mgが塩酸(1mM、0.5mL)に分散している。
(2)Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)の調製
Bi2Te3ナノフレークを水に分散して、Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、Bi2Te3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合して、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、室温・常圧にて自然乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図6に、比較例1の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Te3/PAniハイブリッド膜)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図6の比較的明るい部分がBi2Te3である。図5の実施例1の場合と比べて、図6の比較例1では、Bi2Te3がポリアニリン膜内部で凝集していることが分かる。
(1)ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)溶液(A液)の調製
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)〔PEDOT/PSS〕溶液(Clevios PH 1000、Heraeus、0.9mL)、及びジメチルスルホキシド(0.07mL)を混合してA液を調製した。
(2)PSS被覆Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)の調製
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム(PSS、平均分子量70000)の水溶液を用意した。この水溶液では、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム250mgが水10mLに溶解している。
Bi2Te3(テルル化ビスマス)のナノフレーク分散液を用意した。この分散液ではBi2Te3のナノフレーク50mgが水5mLに分散している。
上記ポリスチレンスルホン酸ナトリウムの水溶液に、上記Bi2Te3(テルル化ビスマス)のナノフレーク分散液を加え、終夜撹拌した後、水による洗浄を行った。そして、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークを得た。
そして、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークを水に分散して、PSS被覆Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、PSS被覆Bi2Te3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合して、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、60℃にて1日間真空乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図7に、実施例2の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Te3/PEDOT−PSSハイブリッド膜)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図7の比較的明るい部分がBi2Te3である。Bi2Te3がPEDOT−PSS膜内部でよく分散していることが分かる。
(1)ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)溶液(A液)の調製
ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)〔PEDOT/PSS〕溶液(Clevios PH 1000、Heraeus、0.9mL)、及びジメチルスルホキシド(0.07mL)を混合してA液を調製した。
(2)Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)の調製
Bi2Te3ナノフレークを水に分散して、Bi2Te3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、Bi2Te3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合し、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、60℃にて1日間真空乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図8に、比較例2の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Te3/PEDOT−PSSハイブリッド膜)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図8の比較的明るい部分がBi2Te3である。図7の実施例2の場合と比べて、図8の比較例2では、Bi2Te3がPEDOT−PSS膜内部で凝集していることが分かる。
(1)ポリアニリンナノ粒子の分散液(A液)の調製
ポリアニリン(PAni)のナノ粒子を塩酸に分散した分散液(A液)を用意した。この分散液ではポリアニリンのナノ粒子4mgが塩酸(1mM、0.5mL)に分散している。
(2)PSS被覆Bi2Se3ナノフレークの分散液(B液)の調製
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム(PSS、平均分子量70000)の水溶液を用意した。この水溶液では、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム250mgが水10mLに溶解している。
Bi2Se3(セレン化ビスマス)のナノフレーク分散液を用意した。この分散液ではBi2Se3のナノフレーク50mgが水5mLに分散している。
上記ポリスチレンスルホン酸ナトリウムの水溶液に、上記Bi2Se3(セレン化ビスマス)のナノフレーク分散液を加え、終夜撹拌した後、水による洗浄を行った。そして、PSS被覆Bi2Se3ナノフレークを得た。
そして、PSS被覆Bi2Se3ナノフレークを水に分散して、PSS被覆Bi2Se3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、PSS被覆Bi2Se3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合し、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、室温・常圧にて自然乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図9に、実施例3の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Se3/PAniハイブリッド膜)の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図9の比較的明るい部分がBi2Se3である。Bi2Se3がポリアニリン膜内部でよく分散していることが分かる。
(1)ポリアニリンナノ粒子の分散液(A液)の調製
ポリアニリン(PAni)のナノ粒子を塩酸に分散した分散液(A液)を用意した。この分散液ではポリアニリンのナノ粒子4mgが塩酸(1mM、0.5mL)に分散している。
(2)Bi2Se3ナノフレークの分散液(B液)の調製
Bi2Se3ナノフレークを水に分散して、Bi2Se3ナノフレークの分散液(B液)を調製した。このB液では、Bi2Se3ナノフレーク3mgが水0.3mLに分散している。
(3)混合液C液の調製、及び乾燥
A液とB液とを混合して、1時間撹拌後、混合液Cをスライドガラス上にのせ、室温・常圧にて自然乾燥し、有機無機ハイブリッド膜を調製した。
(4)走査型電子顕微鏡(SEM)像
図10に、比較例3の有機無機ハイブリッド膜(Bi2Se3/PAniハイブリッド膜の走査型電子顕微鏡(SEM)像を示す。なお、走査型電子顕微鏡では、反射電子検出器を使用している。
この図10の比較的明るい部分がBi2Se3である。図9の実施例3の場合と比べて、図10の比較例3では、Bi2Se3がポリアニリン膜内部で凝集していることが分かる。
以上の結果より、実施例1〜3によれば、高分子の酸性分散液と混合した後でも、無機ナノ粒子の分散状態を良好に保つことができる。その結果、原料液体の乾燥による有機無機ハイブリッド膜化後においても、無機ナノ粒子は、有機膜内部に均一に分散した状態となる。従って、実施例1〜3によれば、無機ナノ材料及び有機ナノ材料の両者の利点を兼ね備えた高性能な機能材料を作製可能である。例えば、熱電変換素子等に応用することができる。
そして、ナノ粒子が有する極めて大きい比表面積により、無機材料と有機材料の接触面積が非常に大きい複合状態を形成できる。
また、ナノ粒子のその他の特性、例えば、表面原子の割合が大きく反応性が高いという特性、量子サイズ効果、局在表面プラズモン共鳴等の特性をハイブリッド膜に付与することが可能となる。
Claims (4)
- 高分子の酸性分散液と、
高分子電解質としてのポリスチレンスルホン酸ナトリウムで被覆した無機ナノ粒子の分散液と、
を、混合した混合液を乾燥させて、有機無機ハイブリッド膜を製造する有機無機ハイブリッド膜の製造方法であって、
前記無機ナノ粒子が、Bi2Te3、Bi2Se3、他の元素をドーピングしたBi2Te3、及び他の元素をドーピングしたBi2Se3からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする有機無機ハイブリッド膜の製造方法。 - 前記高分子が、ポリアニリン、及びポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の有機無機ハイブリッド膜の製造方法。
- 高分子電解質としてのポリスチレンスルホン酸ナトリウムで被覆した無機ナノ粒子が、高分子の膜の中に分散されている有機無機ハイブリッド膜であって、
前記無機ナノ粒子が、Bi2Te3、Bi2Se3、他の元素をドーピングしたBi2Te3、及び他の元素をドーピングしたBi2Se3からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする有機無機ハイブリッド膜。 - 前記高分子が、ポリアニリン、及びポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホナート)からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項3に記載の有機無機ハイブリッド膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014035402A JP6340825B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014035402A JP6340825B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015162502A JP2015162502A (ja) | 2015-09-07 |
JP6340825B2 true JP6340825B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=54185428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014035402A Expired - Fee Related JP6340825B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 有機無機ハイブリッド膜の製造方法、有機無機ハイブリッド膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6340825B2 (ja) |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2714559B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1998-02-16 | 日本エヌエスシー株式会社 | 球状炭酸カルシウムおよびその製法 |
JP3056522B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-06-26 | 三菱レイヨン株式会社 | 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法 |
JPH0878734A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電変換素子の製造方法 |
JP4337175B2 (ja) * | 1998-07-06 | 2009-09-30 | 東レ株式会社 | 高分子電解質およびイオン交換体 |
JP2000124075A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4057206B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2008-03-05 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2002129156A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-05-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体超微粒子及びこれを含有してなる樹脂組成物 |
JP2002036718A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-06 | Seiko Epson Corp | 記録媒体 |
JP4296236B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2009-07-15 | 学校法人東京理科大学 | 熱電材料及び熱電素子並びに熱電材料の製造方法 |
JP2003138033A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体結晶粒子を含有する薄膜状成形体、及びその用途 |
JP2003155355A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超微粒子を含有する樹脂組成物成形体 |
JP3810324B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2006-08-16 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
JP3743801B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2006-02-08 | 国立大学法人神戸大学 | 貴金属系触媒担持導電性高分子複合体の製造方法 |
JP2005251426A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 光電変換素子を用いた色素量の測定方法 |
JP4568820B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2010-10-27 | 国立大学法人大阪大学 | π共役系分子化合物−金属ナノクラスターの製造方法 |
JP4886444B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-02-29 | 石原産業株式会社 | 流動性組成物及びそれを用いて形成した電極、配線パターン、塗膜並びにその塗膜を形成した装飾物品 |
JP5515041B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2014-06-11 | 国立大学法人九州大学 | 超分子ナノ集合体の製造方法および超分子ナノ集合体 |
JP5243181B2 (ja) * | 2008-10-20 | 2013-07-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 導電性高分子複合体及び導電性高分子材料を用いた熱電素子 |
JP5599095B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-10-01 | 学校法人東京理科大学 | 有機−無機ハイブリッド熱電材料の製造方法 |
WO2013141065A1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | リンテック株式会社 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2013222868A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Panasonic Corp | 有機無機複合熱電材料 |
WO2014006932A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換材料及び熱電変換素子 |
WO2014141367A1 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-18 | 昭和電工株式会社 | 導電性重合体含有分散液の製造方法 |
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014035402A patent/JP6340825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015162502A (ja) | 2015-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ponnamma et al. | Synthesis, optimization and applications of ZnO/polymer nanocomposites | |
Bhadra et al. | Progress in preparation, processing and applications of polyaniline | |
Zhang et al. | Synthesis and characterization of CdSe nanorods functionalized with regioregular poly (3-hexylthiophene) | |
Palaniappan et al. | Polyaniline materials by emulsion polymerization pathway | |
Han et al. | 1-Dimensional structures of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT): a chemical route to tubes, rods, thimbles, and belts | |
Xu et al. | Organic− inorganic nanocomposites via directly grafting conjugated polymers onto quantum dots | |
Lee et al. | Nanostar and nanonetwork crystals fabricated by in situ nanoparticlization of fully conjugated polythiophene diblock copolymers | |
Dai et al. | Doping of conducting polymers by sulfonated fullerene derivatives and dendrimers | |
Li et al. | Self‐stabilized nanoparticles of intrinsically conducting copolymers from 5‐sulfonic‐2‐anisidine | |
Bhadra et al. | Polyaniline/polyvinyl alcohol blends: Effect of sulfonic acid dopants on microstructural, optical, thermal and electrical properties | |
Badawi et al. | Effect of carbon quantum dots on the optical and electrical properties of polyvinylidene fluoride polymer for optoelectronic applications | |
TW200539195A (en) | Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof | |
Oh et al. | Electroconductive polymer nanoparticles preparation and characterization of PANI and PEDOT nanoparticles | |
Ma et al. | Cetyl trimethyl ammonium bromide (CTAB) micellar templates directed synthesis of water-dispersible polyaniline rhombic plates with excellent processability and flow-induced color variation | |
US20060231805A1 (en) | Catalytic synthesis of metal crystals using conductive polymers | |
Pud et al. | On the importance of interface interactions in core-shell nanocomposites of intrinsically conducting polymers. | |
Chen et al. | Enhanced electrical and thermal properties of semi-conductive PANI-CNCs with surface modified CNCs | |
Abutalip et al. | Strategic synthesis of 2D and 3D conducting polymers and derived nanocomposites | |
Omelchenko et al. | The effect of the degree of graphene oxidation on the electric conductivity of nanocomposites based on a polyaniline complex | |
Hernández-Martínez et al. | Electrospinning of P3HT-PEO-CdS fibers by solution method and their properties | |
KR101254425B1 (ko) | 그래핀옥사이드-폴리비닐알콜 복합체를 함유하는 그래핀 필름 및 그 제조방법 | |
Jang et al. | Ice-assisted synthesis and characterization of water-dispersible nanocomposites based on polyaniline and polymer acid surfactants | |
Mendez et al. | Synthesis, electrical properties, and nanocomposites of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene) nanorods | |
Sukchol et al. | Effects of the addition of anionic surfactant during template polymerization of conducting polymers containing pedot with sulfonated poly (imide) and poly (styrene sulfonate) as templates for nano-thin film applications | |
KR101741941B1 (ko) | 다공성 폴리아닐린/탄소나노점 나노복합재의 제조법과 염료감응형 태양전지의 상대전극으로의 응용 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160119 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180430 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6340825 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |