JP6335114B2

JP6335114B2 - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

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Publication number: JP6335114B2
Application number: JP2014259776A
Authority: JP
Inventors: 宏展百武; 中山　大輔; 大輔中山; 司平山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-12-24
Filing date: 2014-12-24
Publication date: 2018-05-30
Anticipated expiration: 2034-12-24
Also published as: JP2016119436A

Description

本発明は、液処理した基板を乾燥処理槽に搬入した後に乾燥処理槽で乾燥処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。

従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶用基板などの基板に各種液処理を行った後に乾燥処理を施している。

たとえば、複数枚の基板を１ロットとして同時に処理するバッチ処理型の基板処理装置では、処理液で基板の洗浄処理を行う洗浄槽と、乾燥ガスで洗浄処理後の基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、洗浄槽から乾燥処理槽に洗浄処理後の基板を搬送する基板搬送体とが設けられている。

そして、複数枚の基板を同時に洗浄槽に浸漬させて基板の洗浄処理を行い、洗浄処理された基板を基板搬送体で乾燥処理槽に搬入し、乾燥処理槽で基板の乾燥処理を行う（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００９−１４１３８３号公報

上記従来の基板処理装置では、基板搬送体で基板を乾燥処理槽に搬入する際に、基板に付着した処理液が落下して乾燥処理槽に設けられた乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するおそれがある。乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入した処理液は、乾燥処理槽で基板の乾燥処理を行う際に乾燥ガスとともに基板に吐出され基板を汚損してしまい、パーティクル性能が低下することがある。

そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を処理する液処理槽と、前記液処理された基板の乾燥を行う乾燥処理槽と、前記乾燥処理槽の内部に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルと、前記液処理槽で液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬送する基板搬送体と、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止手段とを有することにした。

また、前記処理液浸入防止手段は、不活性ガスを吐出するための不活性ガス吐出部と、前記不活性ガス吐出部を制御する制御部とを有し、前記制御部が、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記不活性ガス吐出部から前記不活性ガスを吐出させて前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するよう制御することにした。

また、前記制御部は、前記不活性ガス吐出部から所定量の前記不活性ガスを吐出させ、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する間、前記不活性ガス吐出部から吐出する前記不活性ガスの量を前記基板搬送体によって前記基板を搬送中に前記不活性ガス吐出部から吐出される前記不活性ガスの量よりも増加させるよう制御することにした。

また、前記不活性ガス吐出部は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口から前記不活性ガスを吐出することにした。

また、前記不活性ガス吐出部は、前記乾燥ガス供給ノズルとは別に前記不活性ガスを吐出するための不活性ガス吐出ノズルを有することにした。

また、前記処理液浸入防止手段は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口の上方を覆うカバー体であることにした。

また、本発明では、基板処理方法において、基板を液処理槽で液処理する液処理工程と、前記液処理された基板を乾燥処理槽の内部で乾燥ガス供給ノズルから供給された乾燥ガスで乾燥する基板乾燥工程と、前記基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬入工程とを有し、前記基板搬入工程において、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止処理を行うことにした。

また、前記処理液浸入防止処理は、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、不活性ガスを吐出させることで前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止することにした。

また、前記処理液浸入防止処理は、所定量の前記不活性ガスを吐出させ、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する間、吐出する前記不活性ガスの量を前記液処理された基板を乾燥処理槽へ搬送中に吐出される前記不活性ガスの量よりも増加させることにした。

また、前記処理液浸入防止処理は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口から前記不活性ガスを吐出することにした。

また、前記処理液浸入防止処理は、前記乾燥ガス供給ノズルとは別に設けた不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出することにした。

また、本発明では、基板を処理する液処理槽と、前記液処理された基板の乾燥を行う乾燥処理槽と、前記乾燥処理槽の内部に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルと、前記液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬送体と、を有する基板処理装置で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、基板を液処理槽で液処理する液処理工程と、前記液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬入工程と、前記基板を乾燥処理槽の内部で乾燥ガス供給ノズルから供給された乾燥ガスで乾燥する基板乾燥工程とを有し、前記基板搬入工程において、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止処理を実行することにした。

本発明によれば、基板処理装置のパーティクル性能を向上させることができる。

基板処理装置を示す断面説明図。基板の各処理工程における不活性ガスの吐出流量を示す説明図。基板処理方法を模式的に示す説明図（基板搬入工程）。基板処理方法を模式的に示す説明図（基板乾燥工程）。基板処理方法を模式的に示す説明図（基板搬出工程）。処理液浸入防止手段を示す説明図。処理液浸入防止手段を示す説明図。

以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１に示すように、基板処理装置１は、基板２の洗浄を行う洗浄処理槽３の上方に基板２の乾燥を行う乾燥処理槽４を設け、洗浄処理槽３と乾燥処理槽４との間に遮蔽機構５を設けている。また、基板処理装置１は、基板２を支持しながら洗浄処理槽３と乾燥処理槽４との間で基板２の搬送を行う基板支持機構６を設けるとともに、基板２の搬入及び搬出を行う基板搬送機構７を設けている。

洗浄処理槽３は、それぞれ上端部を開口させた貯留槽８とオーバーフロー槽９とシール槽10とで構成される。貯留槽８は、矩形箱型状に形成される。この貯留槽８では、処理液を貯留するとともに、貯留した処理液に基板２を浸漬させて、基板２の液処理を行う。オーバーフロー槽９は、貯留槽８の上端外周部に形成される。このオーバーフロー槽９では、貯留槽８からオーバーフローした処理液を貯留する。なお、オーバーフロー槽９に貯留された処理液は、貯留槽８で循環利用したり外部へ排液される。シール槽10は、オーバーフロー槽９の上端外周部に形成される。このシール槽10では、貯留した純水等で洗浄処理槽３の内部と外部とを遮断する。

洗浄処理槽３には、処理液の供給を行う処理液供給機構11と、処理液の排出を行う処理液排出機構12とが設けられている。

処理液供給機構11は、貯留槽８の内側底部に左右一対の処理液吐出ノズル13,13を配置し、処理液吐出ノズル13,13に洗浄液供給源14とリンス液供給源15とをそれぞれ流量調整器16,17を介して接続している。洗浄液供給源14は、基板２を洗浄処理するためのフッ酸等の洗浄液を供給する。リンス液供給源15は、基板２をリンス処理するための純水等のリンス液を供給する。流量調整器16,17は、制御部18（制御装置）に接続されており、制御部18で開閉制御及び流量制御される。

そして、処理液供給機構11は、洗浄液供給源14又はリンス液供給源15から供給される洗浄液又はリンス液のいずれかの処理液を流量調整器16,17で流量調整しながら処理液吐出ノズル13,13から貯留槽８の内部に供給する。

処理液排出機構12は、貯留槽８の内側底部中央に排出口19を形成し、排出口19に開閉弁20を介して外部の排水管21に接続している。開閉弁20は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御される。

そして、処理液排出機構12は、開閉弁20を開放することで貯留槽８の内部に貯留した処理液を排出口19から外部の排水管21に排出する。

乾燥処理槽４は、上端部及び下端部を開口させた槽本体22と、槽本体22の上端開口部に開閉可能に設けた蓋体23とで構成される。

乾燥処理槽４には、乾燥ガスの供給を行う乾燥ガス供給機構24と、排気を行う排気機構25と、蓋体23の開閉を行う蓋開閉機構26とが設けられている。

乾燥ガス供給機構24は、乾燥処理槽４の槽本体22の内側上部に左右一対の乾燥ガス供給ノズル27,27を設け、乾燥ガス供給ノズル27,27に乾燥ガス供給源28を流量調整器29を介して接続している。乾燥ガス供給ノズル27には、乾燥処理槽４の内側上部に向けて乾燥ガスを吐出するための複数の吐出口30が伸延方向に間隔をあけて設けられている。乾燥ガス供給源28は、基板２を乾燥処理するためのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の乾燥ガスを供給する。流量調整器29は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御及び流量制御される。

この乾燥ガス供給機構24には、乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30から不活性ガスを吐出するための不活性ガス吐出部31が組み込まれている。不活性ガス吐出部31は、乾燥ガス供給ノズル27,27に不活性ガス供給源32を流量調整器33を介して接続している。不活性ガス供給源32は、窒素ガス等の不活性ガスを供給する。流量調整器33は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御及び流量制御される。この不活性ガス吐出部31は、後述するように制御部18で制御されることによって、基板２の搬入時に基板２から落下する処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止するための処理液浸入防止手段を構成する。

そして、乾燥ガス供給機構24は、乾燥ガス供給源28から供給される乾燥ガスや不活性ガス供給源32から供給される不活性ガスを流量調整器29,33で流量調整して乾燥ガス供給ノズル27,27の吐出口30から吐出する。

排気機構25は、乾燥処理槽４の槽本体22の内側下部に左右一対の排気ノズル34,34を設け、排気ノズル34,34に開閉弁35を介して外部の排気管36に接続している。開閉弁35は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御される。

そして、排気機構25は、開閉弁35を開放することで乾燥処理槽４の内部の乾燥ガスや不活性ガスなどのガスを排気管36に排出する。

蓋開閉機構26は、乾燥処理槽４の蓋体23に接続されており、蓋体23を上下に昇降させることで蓋体23を開閉する。この蓋開閉機構26は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御される。

遮蔽機構５は、中空箱型状のケーシング37の内部に遮蔽扉38を移動（開閉）可能に収容し、遮蔽扉38に遮蔽扉開閉機構39と排液機構40とが接続されている。

ケーシング37は、洗浄処理槽３と乾燥処理槽４との間に介在して洗浄処理槽３の上端開口部と乾燥処理槽４の下端開口部とを連通させる連通ケーシング41と、遮蔽扉38の開放時に遮蔽扉38を収容する遮蔽扉収容ケーシング42とで構成している。このケーシング37は、下端面に矩形枠状のシール片43を形成している。このシール片43は、シール槽10に貯留した純水に浸漬される。

遮蔽扉38は、矩形平板形状となっており、上面外周端縁部にシール部材44を取付けるとともに、上面の外周端縁部から中央部に向けて下方に傾斜させることで上面を凹状に形成している。

遮蔽扉開閉機構39は、遮蔽扉38を左右及び上下に移動させることで遮蔽扉38を開閉する。この遮蔽扉開閉機構39は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御される。

そして、遮蔽扉開閉機構39は、遮蔽扉38の開放時には、遮蔽扉38を遮蔽扉収容ケーシング42の内部に移動させて、洗浄処理槽３と乾燥処理槽４とが連通した状態にし、遮蔽扉38の閉塞時には、遮蔽扉38を遮蔽扉収容ケーシング42から連通ケーシング41に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング41の内部で上方に移動させ、遮蔽扉38と連通ケーシング41とをシール部材44を介して密着させることで、洗浄処理槽３と乾燥処理槽４とを遮蔽し、乾燥処理槽４を密閉した状態にする。

排液機構40は、遮蔽扉38の上面凹状部の最下端部に排液口45を形成するとともに、遮蔽扉38の内部に排液口45へと連通する連通路46を形成し、連通路46に外部の排水管47を開閉弁48を介して接続している。開閉弁48は、制御部18に接続されており、制御部18で開閉制御される。なお、外部の排水管47は、処理液排出機構12に接続した排水管21と共通でもよい。

この排液機構40は、基板２の乾燥処理を行う際に基板２から流下する液体を遮蔽扉38の上面で収集し外部の排水管47に排出する。

基板支持機構６は、基板２を支持する基板支持体49に昇降アーム50を接続し、昇降アーム50に昇降機構51を接続している。基板支持体49は、複数枚の基板２を前後に間隔をあけて平行に下方から支持する。昇降機構51は、昇降アーム50を介して基板支持体49を昇降させることで洗浄処理槽３と乾燥処理槽４との間で基板２を上下に搬送する。この昇降機構51は、制御部18に接続されており、制御部18で昇降制御（搬送制御）される。

基板搬送機構７は、基板２を搬送する基板搬送体52に移動機構53を接続している。基板搬送体52は、複数枚の基板２を前後に間隔をあけて平行に下方から支持する。移動機構53は、基板搬送体52を前後・上下・左右に移動させることで、基板２を乾燥処理槽４に搬入し、また、基板２を乾燥処理槽４から搬出する。

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部18（コンピュータ）が読み取り可能な記憶媒体54に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板２を処理する。なお、記憶媒体54は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。

まず、基板処理プログラムは、基板を処理液で液処理する液処理工程を実行する。この液処理工程では、洗浄処理槽３とは異なる液処理槽（図示省略）を用いて液処理する。液処理としては、たとえば洗浄薬液やエッチング液などを用いて洗浄処理やエッチング処理した基板を純水などを用いてリンス処理する。

次に、基板処理プログラムは、図２及び図３に示すように、基板搬入工程を実行する。

この基板搬入工程において、制御部18は、図３(a)に示すように、液処理工程で液処理された基板２を基板搬送体52で乾燥処理槽４へ搬送する。その際に、制御部18は、不活性ガス吐出部31を制御して乾燥ガス供給ノズル27から所定流量（たとえば、20L/min又は100L/min）の不活性ガスを吐出し、配管内の加熱（温度保持）などを行う。

その後、制御部18は、図３(b)に示すように、乾燥処理槽４の蓋体23を上昇させ、基板搬送体52で基板２を乾燥処理槽４の内部に搬入する。その際に、制御部18は、不活性ガス吐出部31を制御して乾燥ガス供給ノズル27から吐出する不活性ガスの流量を増加し、所定流量（たとえば、150L/min）の不活性ガスを吐出口30から所定時間吐出する。これにより、基板搬入時に基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する際に、基板２から処理液が落下しても、その処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止することができる。このように基板搬入工程において処理液浸入防止処理を行うことで、従来のように乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入した処理液が乾燥ガスとともに基板２に吐出されることによって基板２の乾燥不良が生じるのを防止することができる。

この処理液浸入防止処理は、基板搬入時に基板搬送体52によって基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する際に、基板２から落下する処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止できる流量の不活性ガスを不活性ガス吐出部31から吐出すればよい。処理液浸入防止処理における不活性ガスの吐出量は、配管内の加熱などを行う基板搬入工程の前半での準備処理における流量や後述する基板搬出工程における流量よりも多くした方が好ましい。また、処理液浸入防止処理における不活性ガスの吐出開始時期（不活性ガスの吐出量の増加開始時期）は、少なくとも基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する直前までに行えばよく、洗浄処理槽３と異なる前工程の液処理槽で液処理された基板２を基板搬送体52で乾燥処理槽４へ搬送する際に、基板搬送体52による搬送開始時から所定時間後や蓋体23の上昇開始時より所定時間前などに設定してもよい。さらに、処理液浸入防止処理における不活性ガスの吐出終了時期（不活性ガスの吐出量の増加終了時期）は、少なくとも基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過した直後以降に行えばよく、基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過してから所定時間経過後（たとえば、基板２が基板搬送体52から基板支持体49に受け渡され洗浄処理槽３に搬入された後、又は、蓋体23を降下させた後）に行ってもよい。この場合には、基板２から乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に直接落下する処理液の浸入を防げるだけでなく、基板２から落下した処理液が乾燥ガス供給ノズル27の外周面を伝って吐出口30に浸入するのを防ぐこともできる。

次に、基板処理プログラムは、図２及び図４に示すように、基板乾燥工程を実行する。

この基板乾燥工程において、制御部18は、図４(a)に示すように、基板２を洗浄処理槽３で洗浄処理する。その際に、制御部18は、不活性ガス吐出部31を制御して乾燥ガス供給ノズル27から所定流量（たとえば、300L/min）の不活性ガスを吐出し、乾燥処理前の乾燥処理槽４の内部のパージを行う。

その後、制御部18は、図４(b)に示すように、基板支持体49を上昇させるとともに遮蔽扉38を閉じて、基板２を乾燥処理槽４で乾燥処理する。その際に、制御部18は、不活性ガス吐出部31を制御して乾燥ガス供給ノズル27から所定流量（たとえば、100L/min）の不活性ガスを乾燥ガスとともに吐出して基板２の乾燥を行った後に、所定流量（たとえば、300L/min）の不活性ガスを吐出して乾燥処理後の乾燥処理槽４の内部のパージを行う。

次に、基板処理プログラムは、図２及び図５に示すように、基板搬出工程を実行する。

この基板搬出工程において、制御部18は、図５(a)に示すように、乾燥処理槽４の蓋体23を上昇させ、基板２を基板支持体49から基板搬送体52に受け渡す。その後、制御部18は、図５(b)に示すように、基板搬送体52で基板２を乾燥処理槽４から搬出する。その際に、制御部18は、不活性ガス吐出部31を制御して乾燥ガス供給ノズル27から所定流量（たとえば、20L/min又は100L/min）の不活性ガスを吐出し、配管内の加熱（温度保持）などを行う。

上記基板処理装置１では、基板搬入工程において、基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する際に、基板２から落下する処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止するための処理液浸入防止処理を行っている。この処理液浸入防止処理は、制御部18で不活性ガス吐出部31を制御することで行っている。そのため、上記基板処理装置１では、制御部18と不活性ガス吐出部31とで処理液浸入防止手段を構成する。そして、上記基板処理装置１では、処理液浸入防止手段として、既存の乾燥ガス供給ノズル27から不活性ガスを吐出する構成とすることで、コスト増を招くことなく処理液の浸入を防止することができる。

この処理液浸入防止手段は、基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する際に、基板２から落下する処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止できる構成であればよく、上記構成に限定されるものではない。

たとえば、上記基板処理装置１では、不活性ガス吐出部31として乾燥ガス供給ノズル27から不活性ガスを吐出するように構成しているが、図６に示すように、乾燥ガス供給ノズル27とは別個独立した不活性ガス供給ノズル55を乾燥ガス供給ノズル27の上方に設け、不活性ガス供給ノズル55から不活性ガスをエアーカーテン状に吐出するように構成してもよい。これにより、処理液の浸入の防止に特化した不活性ガス供給ノズル55の構造とすることができる。また、上記基板処理装置１では、左右の乾燥ガス供給ノズル27,27から不活性ガスを吐出するように構成しているが、基板２が上方を通過する乾燥ガス供給ノズル27（図６に示す構成の場合には不活性ガス供給ノズル55）だけから不活性ガスを吐出するように構成してもよい。これにより、不活性ガスの消費量を低減することができる。

また、上記基板処理装置１では、不活性ガスの吐出により処理液の浸入を防止するよう構成しているが、図７に示すように、乾燥ガス供給ノズル27の上方位置に内側下方へ向けて傾斜する庇状のカバー56を設けた構成としてもよい。また、カバー56を乾燥ガス供給ノズル27の上方に固定せずに進退可能に設け、基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する時にカバー56で乾燥ガス供給ノズル27の上方を覆うようにしてもよい。これにより、処理液の浸入の防止に特化したカバー56の構造とすることができるとともに、不活性ガスの消費量を低減することができる。

以上に説明したように、上記基板処理装置１では、基板２が乾燥ガス供給ノズル27の上方を通過する際に、基板２から落下する処理液が乾燥ガス供給ノズル27の吐出口30に浸入するのを防止する手段や方法を有している。そのため、上記基板処理装置１では、基板乾燥工程時に基板２に処理液が再付着するのを防止することができるので、基板処理装置１のパーティクル性能を向上させることができる。

また、基板処理装置１で単位時間あたりに処理できる能力（スループット）を向上させるために、前工程の別の液処理槽からの基板２の搬出速度を速くした場合には、基板２に付着する処理液の量が増大して、パーティクル性能がより低下してしまうおそれがある。上記基板処理装置１では、基板搬送体52によって基板２を高速で搬送することができるので、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。

１基板処理装置
２基板
４乾燥処理槽
18 制御部
27 乾燥ガス供給ノズル
30 吐出口
31 不活性ガス吐出部
52 基板搬送体

Claims

基板を処理する液処理槽と、
前記液処理された基板の乾燥を行う乾燥処理槽と、
前記乾燥処理槽の内部に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルと、
前記液処理槽で液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬送する基板搬送体と、
前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
前記処理液浸入防止手段は、
不活性ガスを吐出するための不活性ガス吐出部と、前記不活性ガス吐出部を制御する制御部とを有し、
前記制御部が、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記不活性ガス吐出部から前記不活性ガスを吐出させて前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するよう制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記不活性ガス吐出部から所定量の前記不活性ガスを吐出させ、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する間、前記不活性ガス吐出部から吐出する前記不活性ガスの量を前記基板搬送体によって前記基板を搬送中に前記不活性ガス吐出部から吐出される前記不活性ガスの量よりも増加させるよう制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記不活性ガス吐出部は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口から前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理装置。
前記不活性ガス吐出部は、前記乾燥ガス供給ノズルとは別に前記不活性ガスを吐出するための不活性ガス吐出ノズルを有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板処理装置。
前記処理液浸入防止手段は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口の上方を覆うカバー体であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
基板を液処理槽で液処理する液処理工程と、
前記液処理された基板を乾燥処理槽の内部で乾燥ガス供給ノズルから供給された乾燥ガスで乾燥する基板乾燥工程と、
前記基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬入工程と、
を有し、
前記基板搬入工程において、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
前記処理液浸入防止処理は、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、不活性ガスを吐出させることで前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
前記処理液浸入防止処理は、所定量の前記不活性ガスを吐出させ、前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する間、吐出する前記不活性ガスの量を前記液処理された基板を乾燥処理槽へ搬送中に吐出される前記不活性ガスの量よりも増加させることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
前記処理液浸入防止処理は、前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口から前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
前記処理液浸入防止処理は、前記乾燥ガス供給ノズルとは別に設けた不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
基板を処理する液処理槽と、
前記液処理された基板の乾燥を行う乾燥処理槽と、
前記乾燥処理槽の内部に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給ノズルと、
前記液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬送体と、
を有する基板処理装置で基板を処理させる基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
基板を液処理槽で液処理する液処理工程と、
前記液処理された基板を前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過して前記乾燥処理槽に搬入する基板搬入工程と、
前記基板を乾燥処理槽の内部で乾燥ガス供給ノズルから供給された乾燥ガスで乾燥する基板乾燥工程と、
を有し、
前記基板搬入工程において、前記基板搬送体によって前記基板が前記乾燥ガス供給ノズルの上方を通過する際に、前記基板から落下する処理液が前記乾燥ガス供給ノズルの吐出口に浸入するのを防止するための処理液浸入防止処理を実行することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。