TW201340232A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

乾燥處理部3係具備有處理槽5與昇降部6。昇降部係使基板在從下方支撐著直立狀態基板9的爪部61位於處理槽底部附近的液處理位置、與爪部位於處理槽上部附近的讓渡位置之間進行昇降。更設有將由一對支撐構件214所夾持的基板，在處理槽上方的搬送位置與讓渡位置之間進行昇降的移載部211。液處理位置的基板上下方向中央位置處之處理槽內側面間距離，較小於二支撐構件寬度合計加上基板直徑的值。將基板從搬送位置搬送至讓渡位置時，因為基板被載置於位在處理液中的爪部上，因而當基板所載置的爪部從處理液外進入處理液內時，可防止基板上發生條紋狀污垢。藉由處理槽的小型化亦可削減處理液的消耗量。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於處理圓板狀基板的技術。
自習知起便有採用使用純水、藥液等處理液對基板施行處理的基板處理裝置，例如日本專利特開2001-135710號公報(文獻1)的基板處理裝置，在處理槽內配置相互平行排列的直立狀態複數基板，並對複數基板統括地利用處理液施行處理。此時，文獻1的裝置，從沿基板主面的水平寬度方向二側夾置著基板並支撐的一對支撐構件(操作部)，將基板移載於從下方支撐著直立狀態基板的爪部(支撐部)，藉由爪部從處理槽上方下降，而將基板浸漬於處理槽內滯留的處理液中。
但是，如文獻1，當在爪部上所載置的基板係從處理液外進入處理液內時，會因爪部上所附著的不需要物質(例如基板載置等之時，因爪部與基板間之相摩擦而產生的微小不需要物質)，導致基板主面上出現朝上下方向延伸的條紋狀污垢。雖亦有考慮利用一對支撐構件，將基板搬送至處理槽底部附近，並將基板浸漬於處理液中，但此情況，為能在底部附近由一對支撐構件鬆開基板，便必需增加處理槽的寬度，導致處理液的消耗量增加。
本發明係針對就板狀基板施行處理的基板處理裝置，目的在於防止基板上發生上述條紋狀污垢、且削減處理液的消耗量。
本發明的基板處理裝置係具備有：處理槽、昇降部、移載部、及控制部，而該處理槽係滯留著處理液；該昇降部係具有在上述處理槽內從下方支撐著直立狀態基板的爪部，並使上述基板在上述爪部位於上述處理槽底部附近的液處理位置、與上述爪部位於上述處 理槽的上部附近之讓渡位置之間進行昇降；該移載部係利用沿直立狀態基板主面可變更水平寬度方向間隔的一對支撐構件，支撐著上述基板，且使上述基板在上述處理槽上方的搬送位置、與上述讓渡位置之間進行昇降；該控制部係利用上述移載部將基板從上述搬送位置搬送至上述讓渡位置，並將上述基板載置於位於上述處理液中的上述爪部上；其中，在位於上述液處理位置處的基板上下方向至少中央位置處，上述寬度方向的上述處理槽之內側面間距離，係較小於上述移載部的二支撐構件寬度合計加上上述基板寬度的合值之支撐構件-基板合計寬度。
根據本發明，當基板所載置的爪部從處理液外進入處理液內時，可防止基板上產生條紋狀污垢。又，可不會將移載部過度浸漬於處理液中中地將基板載置於爪部上，且亦能利用處理槽小型化而削減處理液的消耗量。
本發明一較佳形態，上述處理槽的上述上部上述內側面間距離，係能由上述一對支撐構件進行基板的支撐與鬆開之寬度；位於上述液處理位置的基板上述上下方向，從上述中央位置起朝下側，上述處理槽的上述內側面間距離係較小於上述支撐構件-基板合計寬度。
本發明另一較佳形態，上述上下方向上，上述處理槽全體係上述內側面間距離較小於上述支撐構件-基板合計寬度。結果，當支撐著基板的支撐構件從處理液外進入處理液內時，可防止基板上產生條紋狀污垢。又，亦可更加削減處理液的消耗量。
本發明一態樣，相互平行排列的直立狀態複數基板，係由上述爪部支撐；上述處理槽係在位於上述液處理位置處的上述複數基板上述上下方向之中央位置處，設有支撐著上述複數基板外緣部的導件。藉此，可防止各基板因屈撓而與鄰接基板相接觸。
本發明另一態樣，基板處理裝置係更進一步具備有腔與氣體噴出部，而該腔係內部配置有上述處理槽，且上部設有能開閉的開口；該氣體噴出部係在上述處理槽內的上述處理液被排出狀態下， 朝向位於上述讓渡位置處的基板噴出處理氣體；上述搬送位置係位於上述腔的上方；在上述上下方向的上述液處理位置與上述讓渡位置間之距離，係較小於基板寬度。藉此，亦利用處理氣體施行處理的基板處理裝置，可降低腔的高度。
本發明亦針對由基板處理裝置就板狀基板施行處理的基板處理方法。
上述目的及其他目的、特徵、態樣以及優點，參照所附圖式根據以下所進行的本發明詳細說明便可清楚明瞭。
1‧‧‧基板處理單元
2‧‧‧處理單元
3、3a‧‧‧乾燥處理部
4、923‧‧‧腔
5、5a、922‧‧‧處理槽
6‧‧‧昇降部
7‧‧‧氣體噴出部
9‧‧‧矽基板
91‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
11‧‧‧晶盒保持部
12‧‧‧姿勢轉換部
21‧‧‧主搬送機構
22‧‧‧移載部洗淨部
23‧‧‧第1藥液處理部
24‧‧‧第2藥液處理部
40‧‧‧開口
41‧‧‧蓋體
50‧‧‧內側面
51‧‧‧處理液噴嘴
52‧‧‧排放閥
53‧‧‧導件
61、921‧‧‧爪部
62‧‧‧支撐本體
90‧‧‧晶盒
211‧‧‧移載部
212‧‧‧移載部移動機構
213‧‧‧支撐臂
214‧‧‧支撐構件
221‧‧‧洗淨槽
231‧‧‧第1藥液槽
232‧‧‧第1清洗液槽
233‧‧‧第1升降機
241‧‧‧第2藥液槽
242‧‧‧第2清洗液槽
243‧‧‧第2升降機
S11、S12‧‧‧步驟
圖1係基板處理單元的平面圖。
圖2係乾燥處理部的內部構造圖。
圖3係乾燥處理部的基板處理流程圖。
圖4係比較例的裝置圖。
圖5係乾燥處理部另一例圖。
圖1所示係基板處理單元1的平面圖。基板處理單元1係針對複數圓板狀矽基板9(以下簡稱「基板9」)，統括地施行利用純水、藥液等處理液施行處理之所謂「批次式裝置」。圖1中，利用箭頭圖示相互垂直的X方向、Y方向及Z方向。
基板處理單元1係大致區分為控制部10、晶盒保持部11、姿勢轉換部12、及處理單元2，而晶盒保持部11、姿勢轉換部12及處理單元2係利用控制部10進行控制。晶盒保持部11係保持著晶盒90。該晶盒90係將水平狀態(主面朝鉛直方向的水平姿勢)複數基板9呈上下方向(鉛直方向，圖1中的Z方向)積層狀態收容。姿勢轉換部12係將處理前的複數基板9從晶盒90中搬出，且將複數基板9的姿勢轉換為直立狀態(主面朝向水平方向的直立姿勢)，再將相互平行排列的直立狀態複數基板9讓渡給處理單元2。又，經處理單元2施行處理後的複數基板9，依直立狀態被從處理單元2讓渡給姿勢轉換部12，經 將複數基板9的姿勢轉換為水平狀態之後，複數基板9便被統括地送返於晶盒保持部11的晶盒90中。
處理單元2係具備有：主搬送機構21、移載部洗淨部22、第1藥液處理部23、第2藥液處理部24、及乾燥處理部3，而第1藥液處理部23、第2藥液處理部24、乾燥處理部3及移載部洗淨部22係依順序朝圖1中的Y方向排列。第1藥液處理部23係具備有：滯留既定藥液的第1藥液槽231、滯留清洗液的第1清洗液槽232、以及將複數基板9從第1藥液槽231統括地搬送至第1清洗液槽232的第1升降機233。第2藥液處理部24亦係與第1藥液處理部23同樣的，具備有：滯留既定藥液的第2藥液槽241、滯留清洗液的第2清洗液槽242、將複數基板9從第2藥液槽241統括地搬送至第2清洗液槽242的第2升降機243。
主搬送機構21係具備有：執行複數基板9之支撐與昇降的移載部211、以及將移載部211朝水平的圖1中Y方向移動之移載部移動機構212。移載部211係具備有：在Y方向上相隔間隔配置的一對支撐臂213、變更一對支撐臂213之間隔的機械臂驅動部、以及將一對支撐臂213在Z方向上進行昇降的機械臂昇降部。在各支撐臂213的下部設有朝X方向延伸的支撐構件214，在支撐構件214中於X方向上依一定間距形成複數溝槽。機械臂驅動部係藉由以平行X方向的軸為中心地轉動各支撐臂213，而變更一對支撐構件214的間隔(即，一對支撐構件214間的間隙距離)。
基板處理單元1中，利用姿勢轉換部12，依主面平行於YZ平面的直立狀態在處理單元2內搬送複數基板9，且藉由能變更Y方向間隔的一對支撐構件214，從沿基板9主面的Y方向二側夾置複數基板9(正確而言，基板9的邊緣位於上述溝槽內)並支撐著。實際上，一對支撐構件214的間隔係成為利用一對支撐構件214夾持著複數基板9時的寬度(較小於基板9之直徑的寬度，以下稱「夾持寬度」)、或成為從一對支撐構件214鬆開複數基板9時的寬度(較大於基板9之直徑的寬度，以下稱「鬆開寬度」)中之任一者。
移載部洗淨部22係設有朝Y方向排列的2個洗淨槽221。在各洗淨槽221內設有：噴出洗淨液的噴嘴、以及噴出氮氣的噴嘴。移載部211進行洗淨時，一對支撐構件214(及支撐臂213其中一部分)分別位於2個洗淨槽221內。然後，利用洗淨液洗淨支撐構件214，接著再利用氮氣去除支撐構件214上所附著的洗淨液(即乾燥支撐構件214)。
當基板9利用各藥液處理部23、24進行處理時，夾持著複數基板9的移載部211係位於藥液槽231、241的上方，而藥液槽231、241內的升降機233、243則移動至上方。在升降機233、243中設有為從下方支撐著直立狀態基板9的複數爪部，在基板9抵接於爪部之後，藉由一對支撐構件214的間隔張開至鬆開寬度，便從移載部211將複數基板9移載至升降機233、243。在藥液處理部23、24中，藉由升降機233、243的下降，複數基板9便位於藥液槽231、241內，並對複數基板9統括地執行利用藥液之處理。
若利用藥液進行的處理結束，升降機233、243便上昇，接著移動至清洗液槽232、242的上方。然後，藉由升降機233、243下降，複數基板9便位於清洗液槽232、242內，再對複數基板9統括地進行利用清洗液施行的處理。若利用清洗液進行的處理結束，升降機233、243便上昇，使基板9位於清洗液槽232、242的上方。此時，移載部211亦位於清洗液槽232、242的上方，且複數基板9位於間隔張開至鬆開寬度的一對支撐構件214之間。在一對支撐構件214的間隔縮小至夾持寬度後，便藉由升降機233、243的下降，而將複數基板9從升降機233、243移載於移載部211。
圖2所示係乾燥處理部3的內部構造圖，將圖1中的乾燥處理部3朝X方向的垂直面切剖之截面。另外，圖2中亦圖示移載部211其中一部分，且細部依平行斜線省略圖示。乾燥處理部3係具備有在內部執行基板9的處理，且上部設有開口40的腔4。在開口40上設有能開閉的蓋體41。即，腔4的開口40係可開閉。在腔4的內部設有：滯留既定處理液的處理槽5、與在腔4內將基板9予以昇降的昇 降部6。
昇降部6係具備有：朝圖2中紙面的垂直方向(X方向，以下亦稱「前後方向」)延伸的複數爪部61、固定著複數爪部61的端部且從爪部61的固定位置朝上方延伸的板狀支撐本體62、以及將支撐本體62在圖2的上下方向(Z方向)移動之昇降機構(未圖示)。昇降部6係利用複數爪部61，從下方支撐著相互平行排列的直立狀態複數基板9(實際上係朝前後方向緊密排列)。又，藉由利用昇降機構使複數爪部61位於處理槽5的底部附近，便使爪部61上的複數基板9位於液處理位置(圖2中依二點鏈線所示，利用爪部61支撐的位置)，藉由複數爪部61位於處理槽5的上部附近，爪部61上的複數基板9便位於讓渡位置(圖2中依實線所示，利用爪部61支撐的位置)。即，利用昇降部6，使複數基板9在處理槽5內的液處理位置、與處理槽5的上部附近之讓渡位置間進行昇降。
處理槽5係上部呈開口的略箱形，圖2中Y方向(以下稱「寬度方向」)的處理槽5上部寬度，較大於下部的寬度。詳言之，從位於液處理位置的基板9之上下方向的中央位置，於些微靠上方處變化處理槽5的寬度。將寬度方向上相對向處理槽5的2個內側面50間之距離設為內側面間距離，則處理槽5下部的內側面間距離係大約等於基板9的寬度(即直徑)(正確而言，些微大於直徑)。本實施形態中，基板9的直徑係例如450mm(毫米)。
再者，處理槽5上部的內側面間距離，係較大於移載部211的二支撐構件214之寬度合計，加上基板9寬度(即直徑)的總值之支撐構件-基板合計寬度，屬於支撐著複數基板9的一對支撐構件214能進入之寬度。更詳言之，處理槽5上部的內側面間距離係較大於間隔張開至鬆開寬度的一對支撐構件214之外側面(相對向於另一支撐構件214的背後側之面)間之距離，屬於一對支撐構件214能進行基板9之支撐與鬆開的寬度。2個內側面50分別在位於液處理位置處的基板9上下方向之中央位置高度處，設有支撐著複數基板9外緣部的梳齒狀導件53(複數溝槽朝前後方向依一定間距排列的導件53)。位於液處理 位置的複數基板9，利用位於處理槽5底部附近的複數爪部61從下方支撐著，且利用2個內側面50上的導件53，從寬度方向二側支撐著。
在處理槽5的底部附近設有：供應處理液的處理液噴嘴51、以及在處理槽5的排出口處安裝之排放閥52。處理液噴嘴51係連接於處理液供應部，排放閥52係經由排出管連接於排液處理部。
在腔4的內部更進一步設有朝向讓渡位置處的複數基板9噴出氣體的複數(圖1中為4個)氣體噴出部7。各氣體噴出部7係複數噴出口朝前後方向排列，可對複數基板9大約均勻地噴出氣體。各氣體噴出部7係經由屬於氣體流路的氣體供應管，連接於氮氣的供應部與IPA(異丙醇)蒸氣的供應部，可選擇性噴出氮氣與IPA的蒸氣。另外，IPA的蒸氣中含有當作載氣用的氮氣。
其次，針對乾燥處理部3的基板9處理，參照圖3進行說明。乾燥處理部3中，執行經第1或第2藥液處理部23、24施行處理後的基板9乾燥。圖2的乾燥處理部3中之基板9處理，首先從處理液噴嘴51噴出純水並當作處理液用，且處理液滯留於處理槽5內(步驟S11)。又，經藥液處理部23、24施行處理過的複數基板9，如前述，從升降機233、243移載至移載部211(參照圖1)，藉由移載部211朝Y方向移動，便如圖2所示，複數基板9被搬送至乾燥處理部3的腔4上方位置(以下稱「搬送位置」)。接著，腔4的蓋體41被開放，藉由支撐臂213的下降，複數基板9便被搬入於腔4內。
此時，處理液充滿至處理槽5的上端，讓渡位置處的複數爪部61位於處理液中。一對支撐構件214進入處理槽5的上部內側(即，進入處理液中)，基板9被搬送至處理槽5上部附近的讓渡位置，並載置於處理液中的複數爪部61上(步驟S12)。一對支撐構件214的間隔張開至鬆開寬度，然後支撐臂213上升並從腔4中退縮。在支撐臂213退縮後，便關閉蓋體41，使腔4呈大約密閉。
接著，利用昇降部6將複數基板9下降而位於處理液內的液處理位置(步驟S13)。即，複數基板9全體浸漬於處理液中，基板9維持濕潤狀態。又，氣體噴出部7係依既定流量噴出經加熱至既定溫 度的IPA蒸氣。若從IPA蒸氣開始噴出起經過既定時間使腔4內充滿IPA的蒸氣(步驟S14)，藉由開放排放閥52，處理槽5內的處理液便於短時間內被排出(步驟S15)。然後，利用昇降部6使複數基板9上昇並位於讓渡位置(步驟S16)。藉此，基板9表面處的IPA蒸氣便冷凝。
然後，停止IPA蒸氣的噴出，並從氣體噴出部7強勢噴出經加熱至既定溫度的氮氣(步驟S17)。又，利用腔4所連接的減壓機構(未圖示)將腔4內予以減壓。依此，在處理槽5內的處理液被排出狀態(即處理槽5內沒有存在處理液的狀態)下，從氣體噴出部7朝位於讓渡位置處的基板9噴出氮氣，且藉由將腔4內予以減壓，在基板9表面上所附著的IPA(含純水)便於短時間內被效率佳地除去。另外，讓渡位置亦是利用氮氣乾燥基板9的氣體處理位置。
若氮氣的噴出及腔4內的減壓持續既定時間，便停止減壓機構的驅動，且降低氮氣的流量。若腔4內返回大氣壓，便開放蓋體41。接著，位於腔4上方的撐臂213下降，間隔張開至鬆開寬度的一對支撐構件214位於在讓渡位置處的複數基板9寬度方向二外側。經一對支撐構件214的間隔縮小至夾持寬度之後，便藉由昇降部6的下降，而從昇降部6將複數基板9移載於移載部211。另外，一對支撐構件214利用移載部洗淨部22進行洗淨與乾燥。然後，藉由支撐臂213上昇，複數基板9被從腔4中搬出並位於搬送位置(步驟S18)。藉此，完成在乾燥處理部3中的基板9處理。另外，本實施形態中，當尚未使移載部211的支撐構件214進入處理液中之時，亦可選擇在使昇降部6上昇至爪部61完全離開液面為止之後，才進行基板讓渡的動作。
圖4所示係比較例的裝置圖。圖4的比較例裝置，因為讓渡位置處的基板91(圖4中依實線所示基板)係由位於處理槽922之處理液外的爪部921所支撐著，因而當基板91移動至液處理位置(依二點鏈線所示基板91的位置)時，爪部921便從處理液外進入處理液內，會有因爪部921上所附著的不需要物質(例如基板載置等之時，因爪部921與基板的相摩擦而產生之微小不需要物質)，在基板主面上產生朝上下方向延伸的條紋狀污垢。又，當假設利用一對支撐構件，將 基板搬送至處理槽底部附近而將基板浸漬於處理液中的另一比較例裝置時，此種裝置為能在底部附近處鬆開由一對支撐構件夾持的基板，便必需增加處理槽的寬度，導致處理液的消耗量增加。
相對於此，由乾燥處理部3、移載部211及控制部10互動而實現的基板處理裝置，在位於液處理位置的基板9之上下方向中央位置處，處理槽5的內側面間距離較小於移載部211的二支撐構件214寬度合計加上基板9寬度(即直徑)之值的支撐構件-基板合計寬度。所以，當利用移載部211將基板9從處理槽5上方的搬送位置搬送至處理槽5上部附近的讓渡位置時，便會在移載部211不致過度浸漬於處理液中的情況下，將基板9載置於位於處理液中的爪部61上。此種基板處理裝置，當基板所載置的爪部從處理液外進入處理液內時，可防止在基板上產生(有可能性)條紋狀污垢。又，利用處理槽的小型化亦可削減處理液的消耗量。
再者，圖4的比較例裝置，液處理位置與讓渡位置間之距離(圖4中依二點鏈線所基板、與依實線所基板間之中心間距離)，因為較大於基板的直徑，因而變為較大於腔923的高度。所以，大型基板用裝置在裝置自體搬送(從裝置的製造場所搬送至使用場所)等之時會有發生障礙的可能性。
相對於此，在乾燥處理部3中，於爪部61位於處理槽5內的狀態下，將基板9從移載部211讓渡給爪部61，上下方向的液處理位置與讓渡位置間之距離，較小於基板9的直徑。藉此，利用處理液及處理氣體施行處理的基板處理裝置，可降低腔4的高度，便可抑制大型基板處理所使用基板處理裝置的大型化(後述圖5的乾燥處理部3a亦同)。
但是，當相互平行排列的直立狀態複數大型基板9僅由爪部61支撐的情況，會有處理中的各基板9屈撓而接觸到鄰接基板9，導致基板9上所形成圖案遭受損傷的虞慮。相對於此，乾燥處理部3中，處理槽5藉由在位於液處理位置的複數基板9上下方向中央位置處，設有支撐著複數基板9外緣部的導件53，便可防止各基板9屈撓 而接觸到鄰接基板9的情形。另外，將基板搬送至處理槽的底部附近而將基板浸漬於處理液中的上述其他比較例裝置，頗難設置此種導件。
圖5所示係乾燥處理部的另一例圖。圖5的乾燥處理部3a相較於圖2的乾燥處理部3，僅就處理槽5a的形狀不同。其餘的構造均與圖2大致相同，就相同構造賦予相同的元件符號。
乾燥處理部3a的處理槽5a中，上下方向的處理槽5a全體係在寬度方向(Y方向)上相對向內側面50間的距離之內側面間距離呈一定，大約等於基板9的直徑(正確而言，些微大於直徑)。換言之，上下方向的處理槽5a全體，內側面間距離較小於移載部211的二支撐構件214寬度合計加上基板9直徑之值的支撐構件-基板合計寬度，屬於支撐著複數基板9的一對支撐構件214無法進入的寬度。處理槽5a亦是與處理槽5同樣，支撐著複數基板9外緣部的導件53，設置於位於液處理位置的基板9(圖5中依二點鏈線所基板9)上下方向中央位置處。
當將基板9從搬送位置搬送至讓渡位置時，如圖5中的實線所示，在支撐構件214未浸漬於處理液中的情況下，將基板9載置於位於處理液中的爪部61上。所以，當基板所載置的爪部從處理液外進入處理液內時，能防止基板上產生條紋狀污垢，且當支撐著基板9的支撐構件214從處理液外進入處理液內時，亦可防止基板9上產生(具可能性)污垢。又，相較於圖2的處理槽5之下，因為處理槽5a更加小型化，因而可更加削減處理液的消耗量。另一方面，圖2的處理槽5相較於圖5的處理槽5a之下，可縮短上下方向的液處理位置與讓渡位置間之距離，便可更加降低腔4的高度。
以上針對本發明實施形態進行說明，惟本發明並不僅侷限於上述實施形態，亦可進行各種變化。
上述實施形態，就圖2與圖5雙方的處理槽5、5a，較位於液處理位置的基板9上下方向中央位置處朝下側，處理槽5,5a的內側面間距離較小於支撐構件-基板合計寬度，但依照處理槽的設計(例如為確保大型處理液噴嘴51的配置空間)，亦可在處理槽5a的底部附近處，內側面間距離較大於支撐構件-基板合計寬度。即，只要在位於 液處理位置的基板9上下方向至少中央位置處，處理槽的內側面間距離較小於支撐構件-基板合計寬度便可。
上述基板處理裝置亦可僅對1個基板9施行處理，此情況可更加縮小處理槽的容積。
乾燥處理部3、3a中，亦可從處理液噴嘴51中噴出純水以外的處理液。又，氣體噴出部7亦可噴出氮氣與IPA之蒸氣以外的氣體。
將處理槽(其中一部分)內側面間距離設為較小於支撐構件-基板合計寬度，且利用移載部將基板載置於位在處理液中的爪部上之上述手法，亦可採取使用氫氟酸(HF)等藥液對基板9施行處理的處理部(例如上述藥液處理部23、24)。另外，圖1的藥液處理部23、24並無設置氣體噴出部與腔。
基板處理裝置所處理的基板9，並不僅局限於矽基板，亦可為玻璃基板等其他種類的基板。
上述實施形態及各變化例的構造在無相互矛盾之前提下，亦可適當組合。
針對發明進行詳細敘述說明，惟前述說明僅為例示而已並非限定。所以，可謂在不脫逸本發明範圍之前提下，能有多數種變化與態樣。
3‧‧‧乾燥處理部
4‧‧‧腔
5‧‧‧處理槽
6‧‧‧昇降部
7‧‧‧氣體噴出部
9‧‧‧矽基板
40‧‧‧開口
41‧‧‧蓋體
50‧‧‧內側面
51‧‧‧處理液噴嘴
52‧‧‧排放閥
53‧‧‧導件
61‧‧‧爪部
62‧‧‧支撐本體
211‧‧‧移載部
213‧‧‧支撐臂
214‧‧‧支撐構件

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係處理板狀基板者，具備有：處理槽，其係滯留著處理液；昇降部，其係具有在上述處理槽內從下方支撐直立狀態之基板的爪部，並使上述基板在上述爪部配置於上述處理槽底部附近的液處理位置、與上述爪部配置於上述處理槽的上部附近之讓渡位置之間進行昇降；移載部，其係利用沿直立狀態基板之主面並可變更水平寬度方向間隔的一對支撐構件，支撐上述基板，且使上述基板在屬於上述處理槽上方的搬送位置、與上述讓渡位置之間進行昇降；以及控制部，其係利用上述移載部將基板從上述搬送位置搬送至上述讓渡位置，並將上述基板載置於位於上述處理液中的上述爪部上；其中，在配置於上述液處理位置處的基板之上下方向之至少中央位置處，上述寬度方向的上述處理槽之內側面間距離係小於上述移載部的二支撐構件寬度合計加上上述基板寬度的合值之支撐構件-基板合計寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理槽的上述上部之上述內側面間距離，係可由上述一對支撐構件進行基板的支撐與鬆開之寬度；在配置於上述液處理位置的基板之上述上下方向之從上述中央位置起朝下側，上述處理槽的上述內側面間距離係小於上述支撐構件-基板合計寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述上下方向上，上述處理槽全體係上述內側面間距離小於上述支撐構件-基板合計寬度。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，相互平行排列的直立狀態之複數基板，係由上述爪部支撐；上述處理槽係在配置於上述液處理位置處的上述複數基板 之上述上下方向之中央位置處，設有支撐上述複數基板外緣部的導件。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，相互平行排列的直立狀態之複數基板，係由上述爪部支撐；上述處理槽係在配置於上述液處理位置的上述複數基板之上述上下方向之中央位置處，設有支撐上述複數基板外緣部的導件。
  6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，相互平行排列的直立狀態之複數基板，係由上述爪部支撐；上述處理槽係在配置於上述液處理位置的上述複數基板之上述上下方向之中央位置處，設有支撐上述複數基板外緣部的導件。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，基板處理裝置係更進一步具備有：腔，其係內部配置有上述處理槽，且上部設有可開閉的開口；以及氣體噴出部，其係在上述處理槽內的上述處理液被排出之狀態下，朝向配置於上述讓渡位置的基板噴出處理氣體；上述搬送位置係位於上述腔的上方；上述上下方向的上述液處理位置與上述讓渡位置間之距離，係小於基板寬度。
  8. 一種基板處理方法，係在基板處理裝置中處理板狀之基板者；上述基板處理裝置係具備有：處理槽；昇降部，其係具有在上述處理槽內從下方支撐直立狀態之基板的爪部，並使上述基板在上述爪部配置於上述處理槽底部附近的液處理位置、與上述爪部配置於上述處理槽的上部附近之讓渡位置之間進行昇降；以及移載部，其係利用沿直立狀態基板之主面並可變更水平寬度方向間隔的一對支撐構件，支撐上述基板，且使上述基板在 屬於上述處理槽上方的搬送位置、與上述讓渡位置之間進行昇降；在配置於上述液處理位置處的基板之上下方向之至少中央位置處，上述寬度方向的上述處理槽之內側面間距離係小於上述移載部的二支撐構件寬度合計加上上述基板寬度的合值之支撐構件-基板合計寬度；上述基板處理方法係包括有：a)在上述處理槽內滯留處理液的步驟；以及b)利用上述移載部將基板從上述搬送位置搬送至上述讓渡位置，並將上述基板載置於位在上述處理液中的上述爪部上之步驟。
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