JP6332271B2 - 被覆用絶縁テープ、および構造体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、被覆用絶縁テープ、および導体を該被覆絶縁テープで被覆した構造体の製造方法に関する。

電線の製造においては、導体を絶縁材料で被覆することが行われている。電線の製造方法の一つとして、ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂層を設けた積層体をテープ状に加工した絶縁テープを導体の表面に巻き付け、該表面を被覆する方法がある。該方法では、通常、導体表面の絶縁性を確保するため、導体を絶縁テープで被覆したのち、熱処理により含フッ素樹脂層を熱融着させることが行われる。
前記絶縁テープは、ポリイミドが耐熱性等の特性に優れ、含フッ素樹脂が電気絶縁性、耐熱性、耐薬品性、耐候性等の特性に優れることから、航空宇宙用途に好ましく用いられる。また、近年、電気機器の高性能、高機能化が進み、これらの電気機器に用いられる電線が高温、高湿度の環境に曝されるようになっている。さらに電線の電流量も増大し、発熱に伴って電線が一層高温に曝される場合が少なくない。前記絶縁テープは、これらの用途への適用も期待される。

前記絶縁テープにおいて、含フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）等が用いられている（例えば特許文献１〜２参照）。特に、最外層には、電気絶縁性、耐候性の点から、ＰＴＦＥ層が設けられることが多い。
前記絶縁テープの製造方法としては、ポリイミドフィルムに含フッ素樹脂のディスパージョン（dispersion）を塗布する方法が一般的である。
しかしこの方法は、生産性が良くない等問題がある。例えば含フッ素樹脂層をある程度の厚さにするには、ディスパージョンの塗布と乾燥を繰り返す必要があり、手間や時間がかかる。また、絶縁テープの製造時やこれを用いた電線の製造時に高温での熱処理が必要になる。例えば絶縁テープを用いて電線を製造する際には、通常、絶縁テープを導体に渦巻き状に、それ自身に重なるように巻き付けたのち、絶縁テープ同士を融着させ、絶縁テープ間の隙間を封止するための熱処理が行われる。この時の熱処理は焼結工程も兼ねており、例えばＰＴＦＥの場合、未焼結のＰＴＦＥ層を設けた絶縁テープを導体に巻き付けた後、３６０℃以上に加熱することが必要になる。特に該熱処理を短時間（例えば１時間程度）で完了させようとする場合、４００℃以上に加熱する必要がある。

含フッ素樹脂層を有する積層体の製造方法として、含フッ素樹脂フィルムと他のフィルムとを熱ラミネート、押出ラミネート等により積層する方法もある。
しかし、ＰＴＦＥフィルムとポリイミドフィルムとを積層した絶縁テープは、フィルム間の密着性が低い問題がある。本発明者らの検討によれば、ＰＴＦＥフィルムとポリイミドフィルムとを積層した絶縁テープの場合、導体に巻き付けた後に前記のような熱処理を行ってもＰＴＦＥフィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性は低いままで、電線の製造時や製造後にこれらのフィルム間に剥離が生じやすい問題がある。
熱処理の温度を高くするとＰＴＦＥフィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性がある程度向上する可能性はあるが、樹脂、特にＰＴＦＥに比べて耐熱性の低いポリイミドが劣化するおそれがあり、製造コストも高くなる。
ＦＥＰフィルムのポリイミドフィルムに対する密着性は、ＰＴＦＥフィルムよりは良好であるが充分とはいえず、これをポリイミドフィルムと積層した場合、ＰＴＦＥフィルムの場合と同様の問題を生じる。

特開平１０−１００３４０号公報 特開２０００−２１１０８１号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、ポリイミドフィルムと含フッ素樹脂フィルムとが優れた密着性で積層された被覆用絶縁テープ、および該被覆用絶縁テープを用いて、導体を被覆し熱処理して構造体を製造する方法を提供することを目的とする。

本発明は以下の［８］〜［１７］の構成を有し、被覆用絶縁テープおよび構造体の製造方法を提供する。［１］〜［７］は参考の態様である。
［１］ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂フィルムが直接積層してなり、
前記含フッ素樹脂フィルムが、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能であり、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する含フッ素共重合体（Ａ）を含むことを特徴とする、被覆用絶縁テープ。
［２］前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点が２６０〜３２０℃である、前記［１］に記載の被覆用絶縁テープ。
［３］前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を含む基、カーボネート基、カルボキシル基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、前記［１］または［２］に記載の被覆用絶縁テープ。
［４］前記官能基の含有量が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０６個に対して１０〜６０，０００個である、前記［１］〜［３］のいずれかに記載の被覆用絶縁テープ。
［５］前記含フッ素共重合体（Ａ）の、３７２℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜１５ｇ／１０分である、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の被覆用絶縁テープ。
［６］前記含フッ素共重合体（Ａ）の、２９７℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜２５ｇ／１０分である、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の被覆用絶縁テープ。
［７］導体の表面を、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の被覆用絶縁テープで被覆して被覆層を形成する工程と、前記被覆層で被覆された導体を、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で熱処理して構造体を得る工程とを含む、構造体の製造方法。
［８］導体の表面を、被覆用絶縁テープで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で熱処理して構造体を得る工程とを含み、
前記被覆用絶縁テープが、ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂フィルムが直接積層してなり、
前記含フッ素樹脂フィルムが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃である溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含む、
構造体の製造方法。
［９］導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
前記含フッ素樹脂フィルムが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、
前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする、構造体の製造方法。
［１０］導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第二の被覆層の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第三の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層、第二の被覆層および第三の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
前記第一の被覆層および第三の被覆層を形成する含フッ素樹脂フィルムがそれぞれ、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、
前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする、構造体の製造方法。
［１１］前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点が２６０〜３２０℃である、前記［８］〜［１０］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１２］前記含フッ素共重合体（Ａ）が、カルボニル基含有基を有し、
前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を含む基、カーボネート基、カルボキシル基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、前記［８］〜［１１］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１３］前記官能基の含有量が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０ ^６ 個に対して１０〜６０，０００個である、前記［８］〜［１２］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１４］前記含フッ素共重合体（Ａ）の、３７２℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜１５ｇ／１０分である、前記［８］〜［１３］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１５］前記含フッ素共重合体（Ａ）の、２９７℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜２５ｇ／１０分である、前記［８］〜［１３］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１６］前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上４００℃未満の温度で行われる、前記［８］〜［１５］のいずれかに記載の構造体の製造方法。
［１７］前記構造体が電線である、前記［８］〜［１６］のいずれかに記載の構造体の製造方法。

本発明によれば、ポリイミドフィルムと含フッ素樹脂フィルムとが優れた密着性で積層した被覆用絶縁テープの提供と、機械的強度も強く、耐熱性にも優れる前記被覆用絶縁テープにより導体を被覆し、熱処理して有用な構造体を製造する方法を提供できる。

〔被覆用絶縁テープ〕
本発明の被覆用絶縁テープ（以下、「絶縁テープ」ともいう。）は、ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂フィルムが直接積層してなる。
含フッ素樹脂フィルムは、ポリイミドフィルムの両面に積層していることが好ましい。
本発明の絶縁テープの厚さは、３〜３，０００μmが好ましく、１５〜１，５００μmがより好ましく、２５〜７５０μmが特に好ましい。絶縁テープの厚さが上記範囲の下限値以上であると、電気絶縁性に優れ、上記範囲の上限値以下であると、柔軟性に優れる。

（含フッ素樹脂フィルム）
含フッ素樹脂フィルムは、含フッ素共重合体（Ａ）を含む。
含フッ素共重合体（Ａ）は、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能であり、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基（以下、「官能基（Ｉ）」ともいう。）を有する。

官能基（Ｉ）を有することで、該含フッ素共重合体（Ａ）を含む含フッ素樹脂フィルムと、ポリイミドフィルムとの間の密着性が向上する。これは、官能基（Ｉ）は、ポリイミドが有する官能基、例えばカルボニル基との間で何らかの相互作用（化学反応等）を生じるためと考えられる。さらに、官能基（Ｉ）を有することで、含フッ素樹脂フィルムと、絶縁テープで被覆される導体（銅、アルミニウム等）との間の密着性、ひいては絶縁テープと導体との間の密着性も向上する。
官能基（Ｉ）は、含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖末端および側鎖の少なくとも一方に位置する。含フッ素共重合体（Ａ）が有する官能基（Ｉ）は１種でも２種以上でもよい。

含フッ素共重合体（Ａ）は、官能基（Ｉ）として少なくともカルボニル基含有基を有することが好ましい。
カルボニル基含有基は、構造中にカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）を含む基であり、例えば、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を含む基、カーボネート基、カルボキシル基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基、等が挙げられる。
前記炭化水素基としては、例えば炭素数２〜８のアルキレン基等が挙げられる。なお、該アルキレン基の炭素数は、カルボニル基を含まない状態での炭素数である。アルキレン基は直鎖状でも分岐状でもよい。
ハロホルミル基は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ（ただしＸはハロゲン原子である。）で表される。ハロホルミル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。すなわちハロホルミル基としてはフルオロホルミル基（「カルボニルフルオリド基」ともいう。）が好ましい。
アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ）中の官能基（Ｉ）の含有量は、含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０^６個に対し１０〜６０，０００個が好ましく、１００〜５０，０００個がより好ましく、１００〜１０，０００個がさらに好ましく、３００〜５，０００個が特に好ましい。
官能基（Ｉ）の含有量が上記範囲の下限値以上であると、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性、および含フッ素樹脂フィルムと導体との間の密着性がより優れたものとなり、上記範囲の上限値以下であると、低い加工温度でポリイミドフィルムに対する高度の密着性が得られる。

前記官能基（Ｉ）の含有量は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、赤外吸収スペクトル分析等の方法により、測定できる。例えば、特開２００７−３１４７２０号公報に記載のように赤外吸収スペクトル分析等の方法を用いて、含フッ素共重合体（Ａ）を構成する全構成単位中の官能基（Ｉ）を有する構成単位の割合（モル％）を求め、該割合から、官能基（Ｉ）の含有量を算出することができる。

含フッ素共重合体（Ａ）としては、テトラフルオロエチレン（以下、「ＴＦＥ」ともいう。）および／またはクロロトリフルオロエチレン（以下、「ＣＴＦＥ」ともいう。）に基づく構成単位（ａ）と、ジカルボン酸無水物基を有しかつ環内に重合性不飽和基を有する環状炭化水素モノマーに基づく構成単位（ｂ）と、その他のモノマー（ただし、ＴＦＥ、ＣＴＦＥおよびジカルボン酸無水物基を有しかつ環内に重合性不飽和基を有する環状炭化水素モノマーを除く。）に基づく構成単位（ｃ）とを含有する共重合体が好ましい。
ここで、構成単位（ｂ）の有するジカルボン酸無水物残基が官能基（Ｉ）に相当する。
含フッ素共重合体（Ａ）は、主鎖末端基として官能基（Ｉ）を有していてもよい。主鎖末端基としての官能基（Ｉ）としては、アルコキシカルボニル基、カーボネート基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、フルオロホルミル基、酸無水物残基等が好ましい。これらの官能基は、含フッ素共重合体（Ａ）の製造時に用いられる、ラジカル重合開始剤、連鎖移動剤等を適宜選定することにより導入できる。

本発明において「ジカルボン酸無水物基を有しかつ環内に重合性不飽和基を有する環状炭化水素モノマー」（以下、「環状炭化水素モノマー」ともいう。）は、１つ以上の５員環または６員環からなる環状炭化水素であって、しかもジカルボン酸無水物基と環内重合性不飽和基を有する重合性化合物をいう。
環状炭化水素としては１つ以上の有橋多環炭化水素を有する環状炭化水素が好ましい。すなわち、有橋多環炭化水素からなる環状炭化水素、有橋多環炭化水素の２以上が縮合した環状炭化水素、または有橋多環炭化水素と他の環状炭化水素が縮合した環状炭化水素であることが好ましい。

環状炭化水素モノマーは環内重合性不飽和基、すなわち炭化水素環を構成する炭素原子間に存在する重合性不飽和基、を１つ以上有する。
環状炭化水素モノマーはさらにジカルボン酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）を有する。ジカルボン酸無水物基は、炭化水素環を構成する２つの炭素原子に結合していてもよく、環外の２つの炭素原子に結合していてもよい。好ましくは、ジカルボン酸無水物基は上記環状炭化水素の環を構成する炭素原子であってかつ隣接する２つの炭素原子に結合する。さらに、環状炭化水素の環を構成する炭素原子には、水素原子の代わりに、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、その他の置換基が結合していてもよい。

環状炭化水素モノマーの具体例としては、式（１）〜（８）のいずれかで表される化合物、無水マレイン酸等が挙げられる。ここで、式（２）、（５）〜（８）におけるＲは、炭素数１〜６の低級アルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子から選択されるハロゲン原子、または前記低級アルキル基中の水素原子がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基を示す。
これらの環状炭化水素モノマーは、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記式（１）〜（８）の環状炭化水素モノマーはそれ自身公知化合物であり、例えば、シクロペンタジエンと無水マレイン酸を無触媒で加熱する方法、特開平６−７３０４３号公報に記載の方法等により容易に製造できる。また、市販の環状炭化水素モノマーを使用できる。

環状炭化水素モノマーとしては、上記のなかでも、無水イタコン酸（以下、「ＩＡＨ」ともいう。）、無水シトラコン酸（以下、「ＣＡＨ」ともいう。）および５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物（以下、「ＮＡＨ」ともいう。）からなる群から選ばれる１種以上が好ましい。ＩＡＨ、ＣＡＨおよびＮＡＨからなる群から選ばれる１種以上を用いると、無水マレイン酸を用いた場合に必要となる特殊な重合方法（特開平１１−１９３３１２号公報参照。）を用いることなく、酸無水物残基を含有する含フッ素共重合体（Ａ）を容易に製造できる。
ＩＡＨ、ＣＡＨおよびＮＡＨのなかでは、ポリイミドフィルムとの間の密着性がより優れる点から、ＩＡＨまたはＮＡＨが好ましい。

構成単位（ｃ）を形成するその他のモノマー（ただし、ＴＦＥ、ＣＴＦＥおよび前記環状炭化水素モノマーを除く。）は、含フッ素モノマー（ただしＴＦＥおよびＣＴＦＥを除く。）でもよく、非含フッ素モノマー（ただし、前記環状炭化水素モノマーを除く。）でもよく、これらの混合物でもよい。

構成単位（ｃ）を形成する含フッ素モノマーとしては、重合性二重結合を１つ有する含フッ素化合物が好ましく、例えばフッ化ビニル、フッ化ビニリデン（以下、「ＶｄＦ」ともいう。）、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン（以下、「ＨＦＰ」ともいう。）等のフルオロオレフィン（ただし、ＴＦＥおよびＣＴＦＥを除く。）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１（ただしＲ^ｆ１は炭素数１〜１０で炭素原子間に酸素原子を含んでもよいペルフルオロアルキル基。）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ２ＳＯ_２Ｘ^１（ただしＲ^ｆ２は炭素数１〜１０で炭素原子間に酸素原子を含んでもよいペルフルオロアルキレン基、Ｘ^１はハロゲン原子または水酸基。）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ３ＣＯ_２Ｘ^２（ただしＲ^ｆ３は炭素数１〜１０で炭素原子間に酸素原子を含んでもよいペルフルオロアルキレン基、Ｘ^２は水素原子または炭素数３以下のアルキル基。）、ＣＦ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_ｐＯＣＦ＝ＣＦ_２（ただしｐは１または２。）、ＣＨ_２＝ＣＸ^３（ＣＦ_２）_ｑＸ^４（ただしＸ^３は水素原子またはフッ素原子、ｑは２〜１０の整数、Ｘ^４は水素原子またはフッ素原子。）、ペルフルオロ（２−メチレン−４−メチル−１、３−ジオキソラン）等が挙げられる。

これら含フッ素モノマーのなかでも、ＶｄＦ、ＨＦＰ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１およびＣＨ_２＝ＣＸ^３（ＣＦ_２）_ｑＸ^４からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１またはＨＦＰが特に好ましい。
ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１としては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_８Ｆ等が挙げられ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（以下、「ＰＰＶＥ」ともいう。）が好ましい。
ＣＨ_２＝ＣＸ^３（ＣＦ_２）_ｑＸ^４としては、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_３Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_３Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_４Ｈ等が挙げられ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４ＦまたはＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆが好ましい。

構成単位（ｃ）を形成する非含フッ素モノマー（ただし、前記環状炭化水素モノマーを除く。）としては、重合性二重結合を１つ有する非含フッ素化合物が好ましく、例えばエチレン、プロピレン等の炭素数３以下のオレフィン、酢酸ビニル等のビニルエステル等が挙げられる。これらは、１種単独で用いても、２種以上用いてもよい。
上記のなかでも、エチレン、プロピレンまたは酢酸ビニルが好ましく、エチレンが特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ）としては、下記の含フッ素共重合体（Ａ１）または含フッ素共重合体（Ａ２）が好ましい。
含フッ素共重合体（Ａ１）：ＴＦＥおよび／またはＣＴＦＥに基づく構成単位（ａ）と、前記環状炭化水素モノマーに基づく構成単位（ｂ）と、含フッ素モノマー（ただし、ＴＦＥおよびＣＴＦＥを除く。）に基づく構成単位（ｃ１）とを含有する共重合体。
含フッ素共重合体（Ａ２）：ＴＦＥおよび／またはＣＴＦＥに基づく構成単位（ａ）と、前記環状炭化水素モノマーに基づく構成単位（ｂ）と、非含フッ素モノマー（ただし、前記環状炭化水素モノマーを除く。）に基づく構成単位（ｃ２）とを含有する共重合体。

含フッ素共重合体（Ａ１）は、構成単位（ａ）、構成単位（ｂ）および構成単位（ｃ１）以外の他の構成単位をさらに有してもよい。他の構成単位としては、例えば非含フッ素モノマー（ただし、前記環状炭化水素モノマーを除く。）に基づく構成単位（ｃ２）が挙げられる。
含フッ素共重合体（Ａ１）としては、構成単位（ａ）として少なくともＴＦＥに基づく構成単位を有し、含フッ素モノマー（ｃ１）として少なくともＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１に基づく構成単位を有するＴＦＥ／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）が特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ１）の好ましい具体例としては、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＮＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＣＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＮＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＣＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＶｄＦ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＶｄＦ／ＣＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＨＦＰ／ＮＡＨ共重合体等が挙げられる。

含フッ素共重合体（Ａ２）は、構成単位（ａ）、構成単位（ｂ）および構成単位（ｃ２）以外の他の構成単位をさらに有してもよい。他の構成単位としては、例えば含フッ素モノマー（ただし、ＴＦＥおよびＣＴＦＥを除く。）に基づく構成単位（ｃ１）が挙げられる。
含フッ素共重合体（Ａ２）としては、構成単位（ａ）として少なくともＴＦＥに基づく構成単位を有し、非含フッ素モノマー（ｃ２）として少なくともエチレンに基づく構成単位を有するＴＦＥ／エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）が特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ２）の好ましい具体例としては、ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＮＡＨ／エチレン共重合体、ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＩＡＨ／エチレン共重合体、ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＣＡＨ／エチレン共重合体、ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＮＡＨ／エチレン共重合体、
ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＩＡＨ／エチレン共重合体、ＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＣＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＮＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＩＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ／ＣＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＮＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＩＡＨ／エチレン共重合体、ＣＴＦＥ／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ／ＣＡＨ／エチレン共重合体等が挙げられる。

含フッ素共重合体（Ａ）は、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ）とを含有し、かつ構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ）との合計モル量に対する構成単位（ｂ）の割合が０．０１〜５モル％であることが好ましく、０．１〜３モル％がより好ましく、０．１〜２モル％が特に好ましい。
構成単位（ｂ）の含有量が上記範囲内であると、含フッ素共重合体（Ａ）の有するジカルボン酸無水物残基の量が適切な量となり、ポリイミドフィルムとの間の密着性、および含フッ素樹脂フィルムと導体との間の密着性に優れる。

なお、含フッ素共重合体（Ａ）が構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ）とからなる場合、構成単位（ｂ）の含有量が、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ）との合計モル量に対して０．０１モル％とは、該含フッ素共重合体（Ａ）中のジカルボン酸無水物残基の含有量が含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０^６個に対して１００個であることに相当する。構成単位（ｂ）の含有量が、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ）との合計モル量に対して５モル％とは、該含フッ素共重合体（Ａ）中のジカルボン酸無水物残基の含有量が含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０^６個に対して５００００個であることに相当する。
構成単位（ｂ）を有する含フッ素共重合体（Ａ）には、前記環状炭化水素モノマーが一部加水分解し、その結果、ジカルボン酸無水物残基に対応するジカルボン酸（イタコン酸、シトラコン酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、マレイン酸等。）に基づく構成単位が含まれる場合がある。該ジカルボン酸に基づく構成単位が含まれる場合、該構成単位の含有量は、構成単位（ｂ）に含まれるものとする。

含フッ素共重合体（Ａ１）は、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ１）との合計モル量に対して、構成単位（ａ）が５０〜９９．８９モル％で、構成単位（ｂ）が０．０１〜５モル％で、構成単位（ｃ１）が０．１〜４９．９９モル％であることが好ましく、構成単位（ａ）が５０〜９９．４モル％で、構成単位（ｂ）が０．１〜３モル％で、構成単位（ｃ１）が０．５〜４９．９モル％であることがより好ましく、構成単位（ａ）が５０〜９８．９モル％で、構成単位（ｂ）が０．１〜２モル％で、構成単位（ｃ１）が１〜４９．９モル％であることが特に好ましい。
各構成単位の含有量が上記範囲内であると、含フッ素共重合体（Ａ１）が耐熱性、耐薬品性に優れ、これを含む含フッ素樹脂フィルムが高温での弾性率に優れる。
特に、構成単位（ｂ）の含有量が上記範囲内であると、前記のとおり、ポリイミドフィルムとの間の密着性、および含フッ素樹脂フィルムと導体との間の密着性に優れる。
構成単位（ｃ１）の含有量が上記範囲内であると、含フッ素共重合体（Ａ）は成形性に優れ、これを含む含フッ素樹脂フィルムが耐ストレスクラック性等の機械物性により優れる。

含フッ素共重合体（Ａ１）が構成単位（ｃ２）を有する場合、構成単位（ｃ２）の含有量は、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ１）との合計モル量を１００モルとした際に、５〜９０モルが好ましく、５〜８０モルがより好ましく、１０〜６５モルが特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ１）の全構成単位の合計モル量を１００モル％とした際に、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ１）の合計モル量は６０モル％以上が好ましく、６５モル％以上がより好ましく、６８モル％以上が特に好ましい。好ましい上限値は、１００モル％である。

含フッ素共重合体（Ａ２）は、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ２）との合計モル量に対して、構成単位（ａ）が３０〜７０モル％で、構成単位（ｂ）が０．３〜４．０モル％で、構成単位（ｃ２）が７０〜３０モル％であることが好ましく、構成単位（ａ）が４０〜６０モル％で、構成単位（ｂ）が０．５〜３．５モル％で、構成単位（ｃ２）が４０〜６０モル％であることがより好ましく、構成単位（ａ）が５０〜６０モル％で、構成単位（ｂ）が０．５〜２．５モル％で、構成単位（ｃ２）が４０〜５０モル％であることが特に好ましい。
各構成単位の含有量が上記範囲内であると、含フッ素共重合体（Ａ２）が耐熱性、耐薬品性に優れ、これを含む含フッ素樹脂フィルムが高温での弾性率に優れる。
特に、構成単位（ｂ）の含有量が上記範囲内であると、前記のとおり、ポリイミドフィルムとの間の密着性、および含フッ素樹脂フィルムと導体との間の密着性に優れる。
構成単位（ｃ２）の含有量が上記範囲内であると、含フッ素共重合体（Ａ）は成形性に優れ、これを含む含フッ素樹脂フィルムが柔軟性および靭性に優れる。

含フッ素共重合体（Ａ２）が構成単位（ｃ１）を有する場合、構成単位（ｃ１）の含有量は、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ２）との合計モル量を１００モルとした際に、０．３〜４．０モルが好ましく、０．５〜３．５モルがより好ましく、０．７〜３．０モルが特に好ましい。

含フッ素共重合体（Ａ２）の全構成単位の合計モル量を１００モル％とした際に、構成単位（ａ）と構成単位（ｂ）と構成単位（ｃ２）の合計モル量は９６モル％以上が好ましく、９７モル％以上がより好ましく、９８モル％以上が特に好ましい。好ましい上限値は、１００モル％である。

各構成単位の含有量は、含フッ素共重合体（Ａ）の溶融ＮＭＲ分析、フッ素含有量分析、赤外吸収スペクトル分析等により算出できる。

含フッ素共重合体（Ａ）の融点は、２２０〜３２０℃であり、好ましくは２３０〜３２０℃であり、より好ましくは２６０〜３２０℃である。
含フッ素共重合体（Ａ）が含フッ素共重合体（Ａ１）である場合、その融点は、２６０〜３２０℃であることが好ましく、２６５〜３２０℃がより好ましく、２８０〜３１５℃が特に好ましい。含フッ素共重合体（Ａ１）の融点が上記範囲の下限値以上であると耐熱性に優れ、上記範囲の上限値以下であると、成形性に優れる。
含フッ素共重合体（Ａ）が含フッ素共重合体（Ａ２）である場合、その融点は、２３０〜２８０℃であることが好ましく、２４０〜２７０℃が特に好ましい。含フッ素共重合体（Ａ２）の融点が上記範囲の下限値以上であると耐熱性に優れ、上記範囲の上限値以下であると、成形性に優れる。
含フッ素共重合体（Ａ）の融点は、当該含フッ素共重合体（Ａ）を構成する構成単位の種類や含有割合、分子量等によって調整できる。例えば後述する構成単位（ａ）の割合が多くなるほど、融点が上がる傾向がある。
なお、本明細書において、含フッ素共重合体（Ａ）という場合、含フッ素共重合体（Ａ１）および含フッ素共重合体（Ａ２）の両方を包含するものとする。

含フッ素共重合体（Ａ）は、溶融成形が可能なものである。「溶融成形が可能」であるとは、溶融流動性を示すことを意味する。
本発明の好ましい態様において、含フッ素共重合体（Ａ）の、該含フッ素共重合体（Ａ）の融点よりも２０℃以上高い温度にて４９Ｎの荷重下で測定される溶融流れ速度（メルトフローレート（Ｍｅｌｔ Ｆｌｏｗ Ｒａｔｅ）：以下、「ＭＦＲ」ともいう。）は、０．１〜１，０００ｇ／１０分が好ましく、０．５〜１００ｇ／１０分がより好ましく、１〜３０ｇ／１０分がさらに好ましく、５〜２５ｇ／１０分が特に好ましく、５〜２０ｇ／１０分が最も好ましい。ＭＦＲが上記範囲の下限値以上であると、該含フッ素共重合体（Ａ）の成形性や、該含フッ素共重合体（Ａ）から形成された含フッ素樹脂フィルムは、表面平滑性、外観が優れ、上記範囲の上限値以下であると、該含フッ素共重合体（Ａ）を含有する含フッ素樹脂フィルムは、機械強度が優れる。

本発明の他の好ましい態様において、含フッ素共重合体（Ａ１）の、該含フッ素共重合体（Ａ１）の融点よりも２０℃以上高い温度にて４９Ｎの荷重下で測定されるＭＦＲは、０．５〜１５ｇ／１０分が好ましく、１〜１５ｇ／１０分がより好ましく、５〜１２ｇ／１０分がさらに好ましく、５〜１１ｇ／１０分が特に好ましく、５〜１０ｇ／１０分が最も好ましい。含フッ素共重合体（Ａ２）の、該含フッ素共重合体（Ａ２）の融点よりも２０℃以上高い温度にて４９Ｎの荷重下で測定されるＭＦＲは、０．５〜２５ｇ／１０分が好ましく、１〜２５ｇ／１０分がより好ましく、５〜２５ｇ／１０分がさらに好ましく、１０〜２５ｇ／１０分が特に好ましい。ＭＦＲが上記範囲の上限値以下であると、含フッ素共重合体（Ａ１）または含フッ素共重合体（Ａ２）を含む被覆用絶縁テープやこれを用いて導体の表面に形成される被覆層が、耐スクレープ（scrape）摩耗特性に優れる。ＭＦＲが上記範囲の下限値以上であると、成形性に優れる。

前記のＭＦＲの測定温度は、含フッ素共重合体（Ａ）が含フッ素共重合体（Ａ１）である場合は、通常、３７２℃が採用される。含フッ素共重合体（Ａ）が含フッ素共重合体（Ａ２）である場合は、通常、２９７℃が採用される。
ＭＦＲは、含フッ素共重合体（Ａ）の分子量の目安であり、ＭＦＲが大きいと分子量が小さく、小さいと分子量が大きいことを示す。含フッ素共重合体（Ａ）の分子量、ひいてはＭＦＲは、含フッ素共重合体（Ａ）の製造条件によって調整できる。例えばモノマーの重合時に重合時間を短縮すると、ＭＦＲが大きくなる傾向がある。また、重合反応により得られた含フッ素共重合体を熱処理すると、架橋構造が形成され、分子量が大きくなってＭＦＲが小さくなる傾向がある。

含フッ素共重合体（Ａ）は、常法により製造できる。
官能基（Ｉ）を有する含フッ素共重合体（Ａ）の製造方法としては、例えば、
（１）重合反応で含フッ素共重合体（Ａ）を製造する際に、官能基（Ｉ）を有するモノマーを使用する方法、
（２）官能基（Ｉ）を有するラジカル重合開始剤や連鎖移動剤を用いて、重合反応で含フッ素共重合体（Ａ）を製造する方法、
（３）官能基（Ｉ）を有しない含フッ素共重合体を加熱して、該含フッ素共重合体を部分的に熱分解することで、反応性官能基（例えばカルボニル基。）を生成させ、官能基（Ｉ）を有する含フッ素共重合体（Ａ）を得る方法、
（４）官能基（Ｉ）を有しない含フッ素共重合体に、官能基（Ｉ）を有するモノマーをグラフト重合して、該含フッ素共重合体に官能基（Ｉ）を導入する方法、等が挙げられる。
含フッ素重合体（Ａ）の製造方法としては、（１）の方法が好ましい。

重合反応で含フッ素共重合体（Ａ）を製造する場合、重合方法としては、特に制限はないが、例えばラジカル重合開始剤を用いる重合方法が好ましい。
該重合方法としては、塊状重合、フッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素等の有機溶媒を使用する溶液重合、水性媒体と必要に応じて適当な有機溶剤とを使用する懸濁重合、水性媒体と乳化剤とを使用する乳化重合が挙げられ、なかでも溶液重合が好ましい。

ラジカル重合開始剤としては、その半減期が１０時間である温度が、０〜１００℃である開始剤が好ましく、２０〜９０℃である開始剤が特に好ましい。
具体例としては、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、イソブチリルペルオキシド、オクタノイルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド等の非フッ素系ジアシルペルオキシド、ジイソプロピルペルオキシジカ−ボネート等のペルオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシアセテート等のペルオキシエステル、（Ｚ（ＣＦ_２）_ｒＣＯＯ）_２（ここで、Ｚは水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、ｒは１〜１０の整数である。）で表される化合物等の含フッ素ジアシルペルオキシド、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等の無機過酸化物等が挙げられる。

重合時には、含フッ素共重合体（Ａ）の溶融粘度を制御するために、連鎖移動剤を使用することも好ましい。
連鎖移動剤としては、メタノール、エタノール等のアルコール、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１，１−ジクロロ−１−フルオロエタン等のクロロフルオロハイドロカーボン、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン等のハイドロカーボンが挙げられる。

ラジカル重合開始剤および連鎖移動剤の少なくとも一方として、上述したように、官能基（Ｉ）を有する化合物を用いてもよい。これにより、製造される含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖末端に、官能基（Ｉ）を導入することができる。
このようなラジカル重合開始剤としては、ジ−ｎ−プロピルペルオキシジカーボネート、ジイソプロピルペルオキシカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペルオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルペルオキシジカーボネート等が挙げられ、連鎖移動剤としては、酢酸、無水酢酸、酢酸メチル、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。

溶液重合で使用される溶媒としては、ペルフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン、クロロヒドロフルオロカーボン、ヒドロフルオロエーテル等が用いられる。炭素数は、４〜１２が好ましい。
ペルフルオロカーボンの具体例としては、ペルフルオロシクロブタン、ペルフルオロペンタン、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロシクロペンタン、ペルフルオロシクロヘキサン等が挙げられる。
ヒドロフルオロカーボンの具体例としては、１−ヒドロペルフルオロヘキサン等が挙げられる。
クロロヒドロフルオロカーボンの具体例としては、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン等が挙げられる。
ヒドロフルオロエーテルの具体例としては、メチルペルフルオロブチルエーテル、２，２，２−トリフルオロエチル２，２，１，１−テトラフルオロエチルエーテル等が挙げられる。

重合条件は特に限定されず、重合温度は０〜１００℃が好ましく、２０〜９０℃が特に好ましい。重合圧力は０．１〜１０ＭＰａが好ましく、０．５〜３ＭＰａが特に好ましい。重合時間は１〜３０時間が好ましい。
構成単位（ｂ）を有する含フッ素共重合体（Ａ）を重合する場合、前記環状炭化水素モノマーの重合中の濃度は、全モノマーに対して０．０１〜５モル％が好ましく、０．１〜３モル％がより好ましく、０．１〜２モル％が特に好ましい。該モノマーの濃度が上記範囲にあると、製造時の重合速度が適度で、該モノマーの濃度が高すぎると、重合速度が低下する傾向がある。
重合中、前記環状炭化水素モノマーが重合で消費されるに従って、消費された量を連続的または断続的に重合槽内に供給し、該環状炭化水素モノマーの濃度を上記範囲内に維持することが好ましい。

含フッ素樹脂フィルムは、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、含フッ素共重合体（Ａ）以外の他の樹脂を含有してもよい。
他の樹脂としては、誘電率や誘電正接が低く、電気特性に優れることから、含フッ素樹脂（ただし含フッ素共重合体（Ａ）を除く。）が好ましい。
他の樹脂としての含フッ素樹脂（以下、「含フッ素樹脂（Ｂ）」ともいう。）としては、例えば、前記構成単位（ａ）と、前記構成単位（ｃ）とを含有し、前記構成単位（ｂ）を含有しない共重合体が挙げられる。

含フッ素樹脂（Ｂ）の具体例としては、例えば、ＴＦＥ／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）、ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体（ＦＥＰ）、エチレン／ＴＦＥ共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（以下、「ＰＣＴＦＥ」ともいう。）、エチレン／ＣＴＦＥ共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられる。

含フッ素樹脂フィルムが含フッ素樹脂（Ｂ）を含有する場合、含フッ素樹脂フィルム中の含フッ素樹脂（Ｂ）の含有量は、含フッ素共重合体（Ａ）と含フッ素樹脂（Ｂ）との合計量（１００質量％）に対して、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８０質量％がより好ましい。含フッ素樹脂（Ｂ）の含有量が前記範囲の下限値以上であると耐熱性に優れ、前記範囲の上限値以下であると密着性に優れる。

含フッ素樹脂フィルムは、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、添加剤を含有してもよい。
添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。該無機フィラーとしては、シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、珪藻土、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化錫、酸化アンチモン、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、炭酸バリウム、ドーソナイト、ハイドロタルサイト、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、珪酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、活性白土、セピオライト、イモゴライト、セリサイト、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリカ系バルーン、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラファイト、炭素繊維、ガラスバルーン、炭素バーン、木粉、ホウ酸亜鉛等が挙げられる。無機フィラーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
無機フィラーは、多孔質でも非多孔質でもよい。誘電率や誘電正接がさらに低い点で、多孔質であることが好ましい。
無機フィラーは、含フッ素共重合体（Ａ）への分散性の向上のために、シランカップリング剤やチタネートカップリング剤等の表面処理剤による表面処理が施されてもよい。
無機フィラーを含有する場合、含フッ素樹脂フィルム中の無機フィラーの含有量は、含フッ素共重合体（Ａ）に対して０．１〜１００質量％が好ましく、０．１〜６０質量％がより好ましい。

含フッ素樹脂フィルムは、常法により製造できる。例えば含フッ素共重合体（Ａ）をそのまま、または含フッ素共重合体（Ａ）と添加剤とを配合して混練して樹脂組成物とし、押出成形、インフレーション成形等の公知の成形法によりフィルム状に成形することにより製造できる。
含フッ素樹脂フィルムの表面、例えばポリイミドフィルムと積層する面に表面処理が施されてもよい。表面処理方法としては特に限定されず、コロナ放電処理、プラズマ処理等の公知の表面処理方法のなかから適宜選択できる。

含フッ素樹脂フィルムの厚さは、１〜１，０００μｍが好ましく、５〜５００μｍがより好ましく、１０〜２５０μｍが特に好ましい。含フッ素樹脂フィルムの厚さが上記範囲の下限値以上であると、電気絶縁性に優れ、上記範囲の上限値以下であると、柔軟性に優れる。

（ポリイミドフィルム）
ポリイミドフィルムは、ポリイミドから構成されるフィルムである。
ポリイミドフィルムを構成するポリイミドは特に限定されない。熱可塑性を有さないポリイミドでも、熱可塑性ポリイミドでもよい。
ポリイミドとしては、例えば、芳香族ポリイミドが挙げられる。中でも、芳香族多価カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮重合で製造される全芳香族ポリイミドが好ましい。

ポリイミドは、一般的に、多価カルボン酸二無水物（またはその誘導体）とジアミンとの反応（重縮合）によって、ポリアミック酸（ポリイミド前駆体）を経由して得られる。
ポリイミド、特に、芳香族ポリイミドは、その剛直な主鎖構造により溶媒等に対して不溶であり、また不融の性質を有する。そのため、先ず、多価カルボン酸二無水物とジアミンとの反応により、有機溶媒に可溶なポリイミド前駆体（ポリアミック酸、またはポリアミド酸）を合成し、このポリアミック酸の段階で様々な方法で成形加工が行われる。その後ポリアミック酸を加熱もしくは化学的な方法で脱水反応させて環化（イミド化）しポリイミドとされる。

上記芳香族多価カルボン酸二無水物の具体例としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
また、非芳香族系の多価カルボン酸二無水物であるエチレンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物も、芳香族系のものと遜色なく用いることができる。
これらは単独または２種以上混合して用いられる。

芳香族ジアミンの具体例としては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホキシド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、１，１−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−エタン、１，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２，２−ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホキシド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン、１，３−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン、４，４’−ビス〔３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ジフェニルエーテル、４，４’−ビス〔３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ジフェニルエーテル、４，４’−ビス〔４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ベンゾフェノン、４，４’−ビス〔４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ〕ジフェニルスルホン、ビス〔４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル〕スルホン、１，４−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ〕−α，α−ジメチルベンジル〕ベンゼン、１，３−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル〕ベンゼン等が挙げられる。これらは単独または２種以上を混合して使用される。

ポリイミドフィルムは、必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、添加剤を含有してもよい。
添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。該無機フィラーとしては、含フッ素樹脂フィルムの説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。無機フィラーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
無機フィラーは、多孔質でも非多孔質でもよい。誘電率や誘電正接がさらに低い点で、多孔質であることが好ましい。
無機フィラーは、ポリイミドへの分散性の向上のために、シランカップリング剤やチタネートカップリング剤等の表面処理剤による表面処理が施されてもよい。
無機フィラーを含有する場合、ポリイミドフィルム中の無機フィラーの含有量は、ポリイミドに対して０．１〜１００質量％が好ましく、０．１〜６０質量％が特に好ましい。

ポリイミドフィルムは、公知の製造方法により製造したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
ポリイミドフィルムの表面、例えば含フッ素樹脂フィルムと積層する面に表面処理が施されてもよい。表面処理方法としては特に限定されず、コロナ放電処理、プラズマ処理等の公知の表面処理方法の中から適宜選択できる。

ポリイミドフィルムの厚さは、１〜１，０００μｍが好ましく、５〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。ポリイミドフィルムの厚さが上記範囲の下限値以上であると、電気絶縁性に優れ、上記範囲の上限値以下であると、柔軟性に優れる。

（絶縁テープの製造方法）
本発明の絶縁テープは、ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂フィルムを積層することにより製造できる。積層後、得られた積層体がテープ状でない場合は、該積層体をテープ状に加工する工程を行ってもよい。
ポリイミドフィルムと含フッ素樹脂フィルムとの積層方法は、これらのフィルムを直接積層できる方法であれば特に限定されないが、絶縁テープの電気特性や耐熱性向上といった観点から、熱ラミネート法および押出しラミネート法が好ましい。

熱ラミネート法では、予め成形された含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとを重ね、熱プレスすることでそれらのフィルムをラミネートする。
熱プレス条件としては、温度は２６０〜４２０℃が好ましく、３００〜４００℃が特に好ましい。圧力は０．３〜３０ＭＰａが好ましく、０．５〜２０ＭＰａがより好ましく、１〜１０ＭＰａが特に好ましい。時間は３〜２４０分が好ましく、５〜１２０分がより好ましく、１０〜８０分が特に好ましい。熱プレスは、プレス板、ロール等を用いて行うことができる。プレス板としては、ステンレス鋼板が好ましい。
押出しラミネート法では、含フッ素共重合体（Ａ）またはこれを含む樹脂組成物を溶融して、フィルム状に押し出したものを、ポリイミドフィルムにラミネートする。

本発明の絶縁テープは、導体の被覆に用いられる。本発明の絶縁テープで導体の表面を被覆することで、導体の絶縁を行うことができる。
本発明においては、絶縁テープよりも広幅の導体の表面を、絶縁テープ同士が重なるように被覆し、その後に熱処理を行うことで、重なった絶縁テープ間の密着性を向上させ、導体の表面の絶縁をより確実に行うことができる。
特に、絶縁テープが、ポリイミドフィルムの両面に含フッ素樹脂フィルムが積層したものである場合、前記熱処理によって、重なった含フッ素樹脂フィルム同士を熱融着させることができ、上記効果がより優れたものとなる。

〔構造体の製造方法〕
本発明の構造体の製造方法の第一の態様は、導体の表面を、本発明の被覆用絶縁テープで被覆して被覆層を形成する工程と、前記被覆層で被覆された導体を、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で熱処理して構造体を得る工程とを含む。

導体としては、基本的には、電気伝導性の良好な材料であれば、限定されるものでなく、例えば、軟銅、硬銅、無酸素銅、クロム鉱、アルミニウム等の線材、棒状あるいは板状体材料等が用いられる。また、これらに機械的強度が要求される場合は、上記材料にマグネシウム、ケイ素、鉄等が添加され得る。

導体の被覆方法は特に限定されず、被覆する導体の形状等に応じて、公知の絶縁テープによる被覆方法を採用できる。
構造体として電線（線状の導体が絶縁テープで被覆されたもの）を製造する場合の例として、絶縁テープを導体の周りに渦巻き状に巻き付ける方法が挙げられる。このときの巻き付けは、絶縁テープの縁部が、先に巻き付けたそれ自身の上に重なるように行うことが好ましい。
重なり部分の幅は、巻き付けの際の角度に依存して変えることができる。重なり部分の幅（オーバーラップ幅）は、テープ幅の５０％程度が好ましい。
巻き付けの際に絶縁テープに適用される張力は、ちりめんじわ（wrinkling）を避けるのに充分なだけの張力から、絶縁テープを引っ張ってネックダウン（Neck down）を生じさせるのに充分な強い張力の範囲まで広く変化させることができる。たとえ張力が低くても、後続の熱処理中に熱の影響によってある程度絶縁テープが縮むので、結果的にピッタリと包まれることになる。
本発明の被覆用絶縁テープが、ポリイミドフィルムの片面に含フッ素樹脂フィルムが積層したものである場合、含フッ素樹脂フィルム側が導体側になるように被覆を行うことが好ましい。

被覆後の熱処理は、絶縁テープの含フッ素樹脂フィルムに含まれる含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われる。含フッ素樹脂フィルムが複数の含フッ素共重合体（Ａ）を含む場合、最も融点が高い含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われる。該熱処理を行うことで、含フッ素樹脂フィルムが、該含フッ素樹脂フィルムが接する面（導体の表面や、ポリイミドフィルムまたは含フッ素樹脂フィルムの表面）に熱融着し、巻き付けた絶縁テープがシールされる。
該熱処理条件としては、含フッ素樹脂フィルムの熱融着に充分な温度と時間であれば特に限定されないが、熱処理温度は、含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上４００℃未満が好ましく、４００℃未満でありかつ含フッ素共重合体（Ａ）の融点＋２０℃以上１００℃以下（例えば含フッ素共重合体（Ａ）の融点が２６０℃であれば、２８０℃以上３６０℃以下）がより好ましく、４００℃未満であり且つ含フッ素共重合体（Ａ）の融点＋２０℃以上８０℃以下が特に好ましい。熱処理温度が高いほど、より短い時間で充分にシールできる。熱処理温度が低いほど、生産性が向上する。
熱処理時間は、導体表面の被覆層の厚さ、導体のゲージ（gauge）、生産ラインの速度およびシールオーブンの長さに依存する。
被覆層を熱処理してなる層は絶縁層として機能する。

本発明の構造体の製造方法の第二の態様は、導体の表面を、本発明の被覆用絶縁テープで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で熱処理して構造体を得る工程とを含む。
ここで、本発明において、第一の被覆層は、導体の表面上に設けられる複数の被覆層のうち、最も導体側に配置されて導体の表面に直接接する被覆層である。第二の被覆層は、複数の被覆層のうち、導体側から数えて２層目の被覆層である。被覆層が３層以上である場合、３層目以降の被覆層も同様に称する。

第一の被覆層を形成する工程は、前記第一の態様における被覆層を形成する工程と同様にして実施できる。
ポリテトラフルオロエチレンを含むテープとしては、通常、非焼結のものが使用される。この場合、その後の熱処理が、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープを焼結する工程を兼ねてもよい。
ポリテトラフルオロエチレンを含むテープによる第二の被覆層の形成は、第一の被覆層の形成と同様にして実施できる。
第二の被覆層を形成した後の熱処理は、前記第一の態様における熱処理と同様にして実施できる。
第一の被覆層および第二の被覆層を熱処理してなる層は絶縁層として機能する。

本発明の構造体の製造方法の第三の態様は、導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
前記含フッ素樹脂フィルムが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２３０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする。

含フッ素樹脂フィルムおよびポリイミドフィルムとしては、それぞれ、本発明の絶縁テープの説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
これらのフィルムによる第一の被覆層〜第二の被覆層の形成は、それぞれ、前記第一の態様における被覆層を形成する工程と同様にして実施できる。
第二の被覆層を形成した後の熱処理は、前記第一の態様における熱処理と同様にして実施できる。
第二の被覆層の形成後、熱処理を行う前に、前記第二の被覆層の表面を、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープで被覆して第三の被覆層を形成する工程を行ってもよい。
第一の被覆層および第二の被覆層（任意に第三の被覆層）を熱処理してなる層は絶縁層として機能する。

本発明の構造体の製造方法の第四の態様は、導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第二の被覆層の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第三の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層、第二の被覆層および第三の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
前記第一の被覆層および第三の被覆層を形成する含フッ素樹脂フィルムが、それぞれ、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２３０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、
前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする。

ポリイミドフィルム、含フッ素樹脂フィルムとしては、それぞれ、本発明の絶縁テープの説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
これらのフィルムによる第一の被覆層〜第三の被覆層の形成は、それぞれ、前記第一の態様における被覆層を形成する工程と同様にして実施できる。
第三の被覆層を形成した後の熱処理は、前記第一の態様における熱処理と同様にして実施できる。
第三の被覆層の形成後、熱処理を行う前に、前記第三の被覆層の表面を、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープで被覆して第四の被覆層を形成する工程を行ってもよい。
第一の被覆層、第二の被覆層および第三の被覆層（任意に第四の被覆層）を熱処理してなる層は絶縁層として機能する。

上記のようにして、導体と、該導体の表面を被覆する絶縁層とを備える構造体を得ることができる。
第一の態様〜第四の態様の製造方法で得られる構造体は、いずれも、絶縁層中に、ポリイミドフィルムと含フッ素樹脂フィルムとが直接積層した構造を含む。

本発明において用いられる含フッ素樹脂フィルムは、含フッ素共重合体（Ａ）を含むことでポリイミドフィルムとの密着性が高く、構造体の製造時や製造後に、それらのフィルム間の剥離が生じにくい。そのためフィルム間の剥離による絶縁性の低下が生じにくい。
また、含フッ素共重合体（Ａ）を含むことで、含フッ素樹脂フィルムと、絶縁テープで被覆される導体（銅、アルミニウム等）との間の密着性、ひいては該絶縁テープから形成される絶縁層と導体との間の密着性も高く、構造体の製造時や製造後に、それらの間での剥離が生じにくい。そのため、絶縁層の導体からの剥離による絶縁性の低下が生じにくい。例えば、近年は導体として、従来の銅製のものに代えてアルミニウム製のものが用いられるようになっているが、アルミニウム製の導体は、銅製の導体に比べて、絶縁層との密着性が低い傾向がある。本発明によれば、アルミニウム製の導体に対しても、充分な密着性で絶縁層を形成できる。
また、本発明においては、含フッ素共重合体（Ａ）を含む含フッ素樹脂フィルムとともにポリイミドフィルムを併用するため、絶縁テープや形成される絶縁層の強度が優れる。例えば、近年用いられているようになっている断面形状が四角形の導体に絶縁テープを巻き付ける場合、導体の角の部分で絶縁テープに大きな負荷がかかり絶縁テープが破れやすいが、本発明の絶縁テープは、このような場合でも破れにくい。
さらに、従来は、絶縁層に含まれる含フッ素樹脂フィルムがＰＴＦＥテープのみである場合、被覆後を充分にシールするためには、例えば４００℃以上の高温での熱処理が必要となる。これに対し本発明では、ＰＴＦＥテープで最も外側を被覆した場合でも、含フッ素共重合体（Ａ）を含む含フッ素樹脂フィルムが介在することで、より低い温度でのシールが可能となる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。ただし本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
後述する例１〜２１のうち、例１〜４、１０〜１４が実施例であり、例５〜９、１５〜１９が比較例である。例２０〜２１は試験例である。
各例で用いた材料、測定方法を以下に示す。

〔材料〕
含フッ素共重合体（Ａ１−１）：後述する製造例１で得た、ＴＦＥ／ＮＡＨ／ＰＰＶＥ共重合体（融点３００℃、ＭＦＲ１７．６ｇ／１０分）。
含フッ素共重合体（Ａ１−２）：後述する製造例５で得た、ＴＦＥ／ＮＡＨ／ＰＰＶＥ共重合体（融点３０５℃、ＭＦＲ１１．０ｇ／１０分）。
ＰＦＡ−１：ＴＦＥ／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（融点３０５℃、ＭＦＲ１３．６ｇ／１０分）、旭硝子社製、製品名「Ｆｌｕｏｎ ＰＦＡ ７３ＰＴ」。
含フッ素共重合体（Ａ２−１）：後述する製造例２で得た、ＴＦＥ／Ｅ／ＰＦＥＥ／ＩＡＨ共重合体（融点２２１℃、ＭＦＲ２０．５ｇ／１０分）。
含フッ素共重合体（Ｂ−２）：後述する製造例３で得た、ＴＦＥ／Ｅ／ＰＦＥＥ共重合体（融点２５５℃、ＭＦＲ３０．５ｇ／１０分）。
含フッ素共重合体（ＡＢ−３）：後述する製造例４で得た、含フッ素共重合体（Ａ２−１）と（Ｂ−２）とのコンパウンド（Compound）（融点２３５℃、ＭＦＲ２１．３ｇ／１０分）。
ＥＴＦＥ−１：ＴＦＥ／エチレン共重合体（融点２５５℃、ＭＦＲ１０．９ｇ／１０分）、旭硝子社製、製品名「Ｆｌｕｏｎ ＥＴＦＥ Ｃ−８８ＡＸ」。
ＰＴＦＥテープ（厚さ１００μｍ）：ポリテトラフルオロエチレンのテープ、ニチアス社製、製品名「ナフロン」。
ポリイミドフィルム（厚さ７５μｍ）：宇部興産社製、製品名「ユーピレックス７５Ｓ」。

〔測定方法〕
（含フッ素共重合体の共重合組成）
共重合組成を溶融ＮＭＲ分析、フッ素含有量分析および赤外吸収スペクトル分析により求めた。

（含フッ素共重合体における官能基（Ｉ）の含有量）
まず、以下の赤外吸収スペクトル分析によって、含フッ素共重合体における官能基（Ｉ）を有するモノマー（ＮＡＨまたはＩＡＨ）に基づく構成単位の割合を求めた。
含フッ素共重合体をプレス成形して厚さ２００μｍのフィルムを得た。赤外吸収スペクトルにおいて、含フッ素共重合体中のＮＡＨ、ＩＡＨに基づく構成単位における吸収ピークはいずれも１，７７８ｃｍ^−１に現れる。該吸収ピークの吸光度を測定し、Ｍ＝ａＬの関係式を用いて、ＩＡＨまたはＮＡＨに基づく構成単位の含有量Ｍ（モル％）を決定した。ここで、Ｌは１，７７８ｃｍ^−１における吸光度で、ａは係数である。ａとしては、ＩＡＨをモデル化合物として決定したａ＝０.８７を用いた。
そしてＭ（モル％）から、含フッ素共重合体の主鎖炭素数１×１０^６個に対する官能基（Ｉ）（酸無水物基）の個数は、［ａ×１０^６／１００］個と算出される。

（含フッ素共重合体の融点（℃））
セイコー電子社製の示差走査熱量計（ＤＳＣ装置）を用い、含フッ素共重合体（Ａ）を１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、極大値に対応する温度（℃）を融点（Ｔｍ）とした。

（含フッ素共重合体のＭＦＲ（ｇ／１０分））
テクノセブン社製メルトインデクサーを用い、下記の条件で、直径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間（単位時間）に流出する含フッ素共重合体の質量（ｇ）を測定し、その値をＭＦＲ（ｇ／１０分）とした。
含フッ素共重合体Ａ１−１、Ａ１−２およびＰＦＡ−１：３７２℃、５ｋｇ（４９Ｎ）荷重下。
含フッ素共重合体Ａ２−１、ＡＢ−３、Ｂ−２およびＥＴＦＥ−１：２９７℃、５ｋｇ（４９Ｎ）荷重下。

（絶縁テープにおける剥離強度）
絶縁テープを長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍの大きさに切断し、試験フィルムを作製した。試験フィルムの長さ方向の一端から５０ｍｍの位置まで含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとを剥離した。次いで、試験フィルムの長さ方向の一端から５０ｍｍの位置を中央にして、引張り試験機を用いて、引張速度５０ｍｍ／分で１８０度剥離し、最大荷重を剥離強度（Ｎ／１０ｍｍ）とした。剥離強度が大きいほど、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性が優れることを示す。
上記測定において、剥離強度が０．２Ｎ／１０ｍｍ以下であった場合は、測定値のバラツキが大きく、この場合の剥離強度の結果は全て０．２Ｎ／１０ｍｍ以下と表記した。

（電線における剥離強度）
電線を作製する際、導体に渦巻き状に巻き付けた絶縁テープ（幅１０ｍｍ）の終端部と、該終端部の内側（導体側）の表面に接する絶縁テープとの間に、剥離用フィルム（長さ５０ｍｍ×幅２０ｍｍ×厚さ５０μｍのステンレス箔、材質：ＳＵＳ３０４）を、該剥離用フィルムの一端から５０ｍｍの位置まで差し込み、その状態で所定の条件による熱処理を行った。これにより得られた電線について、剥離用フィルムの部分を起点として絶縁テープの終端部を剥がしたとき、つまりポリイミドフィルムとフッ素樹脂フィルムとの間が剥離したときの最大荷重を剥離強度（Ｎ／１０ｍｍ）とした。
絶縁テープの終端部の内面側の含フッ素樹脂フィルムと、これに接する含フッ素樹脂フィルム（終端部の下側の絶縁テープの外側の含フッ素樹脂フィルム）とが熱融着している場合、上記測定の際に、絶縁テープの終端部に融着した含フッ素樹脂フィルムと、これに接するポリイミドフィルムとの界面で剥離が生じる。したがって、測定される剥離強度は、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度であり、該剥離強度が大きいほど、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性が優れることを示す。
上記測定において、剥離強度が０．２Ｎ／１０ｍｍ以下であった場合は、測定値のバラツキが大きく、この場合の剥離強度の結果は全て０．２Ｎ／１０ｍｍ以下と表記した。

（摩耗抵抗（耐スクレープ摩耗特性））
例２０〜２１で作製した電線をそれぞれ長さ２ｍに切り出し、安田精機社製、製品名「マグネットワイヤー摩耗試験機（往復式）」を用い、ＩＳＯ６７２２−１に準拠した試験方法によって、下記条件にて摩耗抵抗を測定した。
ニードル直径：０．４５±０．０１ｍｍ、
ニードル材質：ＳＵＳ３１６（ＪＩＳ Ｇ７６０２準拠）、
摩耗距離：１５．５±１ｍｍ、
摩耗速度：５５±５回／分、
荷重：７Ｎ、
試験環境：２３±１℃。
摩耗抵抗は、ニードルの往復運動によって、電線導体がシースから露出するまでに要したニードルの往復回数で表される。摩耗抵抗（回数）が多いほど、耐スクレープ摩耗特性に優れる。

〔樹脂の製造〕
（製造例１）
構成単位（ｂ）を形成するモノマーとしてＮＡＨ（無水ハイミックス酸、日立化成社製）を、構成単位（ｃ１）を形成するモノマーとしてＰＰＶＥ（ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｆ、ペルフルオロプロピルビニルエーテル、旭硝子社製）を用いて、含フッ素共重合体（Ａ１−１）を製造した。
まず、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＡＫ２２５ｃｂ、旭硝子社製）（以下、「ＡＫ２２５ｃｂ」ともいう。）の３６９ｋｇと、ＰＰＶＥの３０ｋｇとを、予め脱気された内容積４３０Ｌの撹拌機付き重合槽に仕込んだ。次いで、この重合槽内を加熟して５０℃に昇温し、さらに５０ｋｇのＴＦＥを仕込んだ後、当該重合槽内の圧力を０．８９ＭＰａ／Ｇまで昇圧した。なお、「０．８９ＭＰａ／Ｇ」は、ゲージ圧が０．８９ＭＰａであることを示し、以下においても同様である。
さらに、（ペルフルオロブチリル）ペルオキシドを０．３６質量％の濃度でＡＫ２２５ｃｂに溶解した重合開始剤溶液を調製し、重合槽中に当該重合開始剤溶液の３Ｌを１分間に６．２５ｍＬの速度にて連続的に添加しながら重合を行った。また、重合反応中における重合槽内の圧力が０．８９ＭＰａ／Ｇを保持するようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。また、ＮＡＨを０．３質量％の濃度でＡＫ２２５ｃｂに溶解した溶液を、重合中に仕込むＴＦＥのモル数に対して０．１モル％に相当する量ずつ連続的に仕込んだ。
重合開始８時間後、３２ｋｇのＴＦＥを仕込んだ時点で、重合槽内の温度を室温まで降温するとともに、圧力を常圧までパージした。得られたスラリをＡＫ２２５ｃｂと固液分離した後、１５０℃で１５時間乾燥することにより、３３ｋｇの含フッ素共重合体（Ａ１−１）を得た。得られた含フッ素共重合体（Ａ１−１）の比重は２．１５であった。
溶融ＮＭＲ分析および赤外吸収スペクトル分析の結果から、この含フッ素共重合体（Ａ１−１）の共重合組成は、ＴＦＥに基づく構成単位／ＮＡＨに基づく構成単位／ＰＰＶＥに基づく構成単位＝９７．９／０．１／２．０（モル％）であった。

（製造例２）
内容積９４Ｌの撹拌機付きステンレス鋼製重合槽を脱気し、ペルフルオロペンチルジフルオロメタンの６９．７ｋｇ、ＡＫ２２５ｃｂの２２．３ｋｇ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆの５２８ｇ、ＴＦＥの１３．３ｋｇ、およびエチレン（以下、「Ｅ」ともいう。）の４５６ｇを圧入し、重合槽内を６６℃ に昇温した。このとき圧力は１．４９ＭＰａ／Ｇであった。重合開始剤としてｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレートの１９ｇを仕込み、重合を開始させた。重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝６０／４０のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、重合中に仕込むＴＦＥとＥの合計モル数に対して３モル％に相当する量のＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆと０．３モル％に相当する量の無水イタコン酸（ＩＡＨ）を連続的に仕込んだ。重合開始の５．６時間後、モノマー混合ガスが１１．５ｋｇ仕込まれた時点で、重合槽内温を室温まで冷却するとともに重合槽内の圧力を常圧までパージした。
得られたスラリを、水の１００ｋｇを仕込んだ３００Ｌの造粒槽に投入し、撹拌しながら１０５℃まで昇温し溶媒を留出除去して造粒した。得られた造粒物を１３５℃で３時間乾燥することにより、含フッ素共重合体（Ａ２−１）の造粒物の１２．２ｋｇが得られた。
溶融ＮＭＲ分析および赤外吸収スペクトル分析の結果から、この含フッ素共重合体（Ａ２−１）の共重合組成は、ＴＦＥに基づく構成単位／Ｅに基づく構成単位／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆに基づく構成単位／ＩＡＨに基づく構成単位＝５８．２／３８．４／３．１／０．３（モル比）であった。

（製造例３）
内容積９４Ｌの撹拌機付きステンレス鋼製重合槽を脱気し、ペルフルオロペンチルジフルオロメタンの７１．０ｋｇ、ＡＫ２２５ｃｂの２７．３ｋｇ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆの１５０ｇ、ＴＦＥの１２．６ｋｇ、およびＥの７５２ｇを圧入し、重合槽内を６６℃ に昇温した。このとき圧力は１．５３ＭＰａ／Ｇであった。重合開始剤としてｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレートの９ｇを仕込み、重合を開始させた。重合中圧力が一定になるようにＴＦＥ／Ｅ＝５１／４６のモル比のモノマー混合ガスを連続的に仕込んだ。また、重合中に仕込むＴＦＥとＥの合計モル数に対して０．７モル％に相当する量のＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆを連続的に仕込んだ。重合開始の５．７時間後、モノマー混合ガスが１１．５ｋｇ仕込まれた時点で、重合槽内温を室温まで冷却するとともに重合槽内の圧力を常圧までパージした。
得られたスラリを用いる以外は製造例２と同様に造粒して、含フッ素共重合体（Ｂ−２）の造粒物の１２．５ｋｇを得た。
溶融ＮＭＲ分析および赤外吸収スペクトル分析の結果から、この含フッ素共重合体（Ｂ−２）の共重合組成は、ＴＦＥに基づく構成単位／Ｅに基づく構成単位／ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆに基づく構成単位＝５３．７／４５．６／０．７（モル比）であった。

（製造例４）
含フッ素共重合体（Ａ２−１）の２０質量部と含フッ素共重合体（Ｂ−２）の８０質量部とをドライブレンド（dryblend）した後、２軸押出機を用いて温度２６０℃、滞留時間２分で溶融混練し、含フッ素共重合体（ＡＢ−３）を得た。

（製造例５）
製造例１で得た含フッ素共重合体（Ａ１−１）を、２６０℃で２４時間熱処理することで含フッ素共重合体（Ａ１−２）を得た。

〔含フッ素樹脂フィルムの製造〕
（製造例６）
含フッ素共重合体（Ａ１−１）を、７５０ｍｍ巾コートハンガーダイを有する３０ｍｍφ単軸押出機を用いて押出成形し、厚さ５０μｍの含フッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム１」ともいう。）を得た。装置のスクリューＬ／Ｄ比は２４であり、スクリューＣＲは３であった。成形条件は、以下の通りであった。
シリンダー温度：Ｃ１＝３００℃、Ｃ２＝３２０℃、Ｃ３＝３４０℃、
アダプター温度：３４０℃、
ヘッド温度：３４０℃、
ダイ温度：３４０℃、
スクリュー回転数：毎分１０回転、
引取速度：５ｍ／分。

（製造例７および８）
含フッ素共重合体（Ａ１−１）の代わりにＰＦＡ−１または含フッ素共重合体（Ａ１−２）を用いた以外は製造例６と同条件にて含フッ素樹脂フィルム（以下それぞれ、「フィルム２」、「フィルム５」ともいう。）を作製した。

（製造例９）
含フッ素共重合体（Ａ１−１）の代わりに含フッ素共重合体（ＡＢ−３）を用い、成形条件を以下にした以外は製造例６と同様にして含フッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム３」ともいう。）を得た。
シリンダー温度：Ｃ１＝２６０℃、Ｃ２＝３００℃、Ｃ３＝３００℃、
アダプター温度：３２０℃、
ヘッド温度：３２０℃、
ダイ温度：３２０℃、
スクリュー回転数：毎分１０回転、
引取速度：５ｍ／分。

（製造例１０）
含フッ素共重合体（ＡＢ−３）の代わりにＥＴＦＥ−１を用いた以外は製造例９と同条件にて含フッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム４」ともいう。）を作製した。

〔絶縁テープの製造〕
（例１）
フィルム１およびポリイミドフィルムを、フィルム１／ポリイミドフィルム／フィルム１の順序で積層し、温度３２０℃、圧力１０ＭＰａの条件で５分間プレスして絶縁テープを得た。含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定し、結果を表１に示す。

（例２〜１０）
積層するフィルムの種類と積層順番、プレス温度を表１に示す通りにした以外は例１と同様にして絶縁テープを得た。含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定し、結果を表１に示す。

表１に示すとおり、含フッ素樹脂フィルムとしてフィルム１、フィルム３またはフィルム５を用いた例１〜４および例１０の絶縁テープは、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性に優れていた。
一方、含フッ素樹脂フィルムとしてフィルム２（ＰＦＡフィルム）、フィルム４（ＥＴＦＥフィルム）またはＰＴＦＥテープを用いた例５〜９の絶縁テープは、含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の密着性が不充分であった。

〔構造体の製造〕
（例１１）
例２で作製した絶縁テープ（フィルム１／ポリイミドフィルム／フィルム１）を、電線用の導体（芯線径φ１．８ｍｍ、材質：スズメッキ軟銅）の周りに渦巻き状に、該絶縁テープのテープ幅の５０％がそれ自身の上に重なるように巻き付けた。これをオーブンに入れ、炉内温度３６０℃の条件下で１時間加熱して電線を作製した。
本電線について含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定した。結果を表２に示す。

＜マンドレル巻き付け時剥離（銅線）＞
絶縁テープがそれ自身の上に重ならないようにした以外は上記と同様にして、前記絶縁テープを電線用の導体の周りに巻き付けた。これをオーブンに入れ、炉内温度３６０℃の条件下で１時間加熱して電線を作製した。本電線を、Φ２０ｍｍのマンドレルに巻き付け、前記絶縁テープと導体との間の剥離の有無を目視で確認した。下記基準で判定した結果を表２に示す。
○（良好）：剥離なし。
×（不良）：剥離あり。

＜マンドレル巻き付け時剥離（アルミニウム線）＞
電線用の導体の材質を、スズメッキ軟銅から、アルミニウム（Ａ１０７０：ＪＩＳ）に変更した以外はマンドレル巻き付け時剥離（銅線）と同様に電線を作製した。本電線を、Φ２０ｍｍのマンドレルに巻き付け、前記絶縁テープと導体との間の剥離の有無を目視で確認した。下記基準で判定した結果を表２に示す。
○（良好）：剥離なし。
×（不良）：剥離あり。

（例１２）
例２で作製した絶縁テープ（フィルム１／ポリイミドフィルム／フィルム１）を、電線用の導体（芯線径φ１．８ｍｍ、材質：スズメッキ軟銅）の周りに渦巻き状に、該絶縁テープのテープ幅の５０％がそれ自身の上に重なるように巻き付けた。次いで、その上に、ＰＴＦＥテープを渦巻き状に、それ自身の上に重なるように巻き付けた。これをオーブンに入れ、炉内温度３６０℃の条件下で１時間加熱して電線を作製した。
本電線について含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定した。また、マンドレル巻き付け時剥離（銅線）およびマンドレル巻き付け時剥離（アルミニウム線）を確認した。結果を表２に示す。

（例１４〜１５、および１８〜１９）
絶縁テープの種類とオーブンで加熱する際の炉内温度を変更した以外は例１１と同様にして電線を作製した。本電線について含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定した。また、マンドレル巻き付け時剥離（銅線）およびマンドレル巻き付け時剥離（アルミニウム線）を確認した。結果を表２に示す。
ただし、例１８〜１９では、前記の加熱条件では、絶縁テープの重なり部分で含フッ素樹脂フィルム同士が密着していなかったため、剥離強度の測定ができなかった。

（例１３、および１６〜１７）
オーブンで加熱する際の炉内温度または絶縁テープの種類を変更した以外は例１２と同様にして電線を作製した。本電線について含フッ素樹脂フィルムとポリイミドフィルムとの間の剥離強度を測定した。また、マンドレル巻き付け時剥離（銅線）およびマンドレル巻き付け時剥離（アルミニウム線）を確認した。結果を表２に示す。

表２に示すとおり、含フッ素樹脂フィルムとしてフィルム１またはフィルム３を用いた例２または例４の絶縁テープで導体を被覆した例１１〜１４では、３２０〜３６０℃の熱処理で、巻き付けた絶縁テープを充分に密着させることができた。また、絶縁テープと電線用導体との密着性に優れていた。
一方、含フッ素樹脂フィルムとしてフィルム４（ＥＴＦＥフィルム）、フィルム２（ＰＦＡフィルム）またはＰＴＦＥテープを用いた例６、例８または例９の絶縁テープで導体を被覆した例１５〜１９では、巻き付けた絶縁テープを充分に密着させることができなかった。また、絶縁テープと電線用導体との密着性が不充分であった。

例２、８、または９の絶縁テープ上にＰＴＦＥテープ巻き付けた例１２〜１３、１６、または１７の結果を対比すると、例１２〜１３では、例２の絶縁テープ上に巻き付けたＰＴＦＥテープが、例２の絶縁テープに充分に密着していた。

表１に示した例２、８、および９の結果と、表２に示した例１２、１６、および１７の結果を対比すると、例２の絶縁テープの場合、巻き付け後の加熱を３６０℃で行うことで、フィルム１とポリイミドフィルムとの間の剥離強度が６．５Ｎ／１０ｍｍから９．１Ｎ／１０ｍｍまで上昇した。このような大幅な剥離強度の上昇は、例８、および９の絶縁テープの場合には見られなかった。
同様に、表１に示した例４、および６の結果と、表２に示した例１４、および１５の結果を対比すると、例４の絶縁テープの場合、巻き付け後の加熱を３３０℃で行うことで、フィルム３とポリイミドフィルムとの間の剥離強度が５．０Ｎ／１０ｍｍから７．３Ｎ／１０ｍｍまで上昇した。このような大幅な剥離強度の上昇は、例６の絶縁テープの場合には見られなかった。

上記の結果から、本発明の絶縁テープが、導体の表面を被覆し、熱処理して構造体を得る用途において有用であることが確認された。

（例２０）
電線導体と、電線導体のまわりを被覆するシース（Sheath）とからなる電線を以下の手順で作製した。
含フッ素共重合体（Ａ１−１）を二軸押出機（テクノベル社製）によりペレットとした。得られたペレットを用い、電線導体（芯線径：φ１．８ｍｍ、撚り線）のまわりに下記条件にて含フッ素共重合体（Ａ１−１）を押出してシースを形成し、電線径：φ２．８ｍｍ、シース厚さ：０．５ｍｍの電線を得た。
シリンダー温度：３５０〜３９０℃、
ダイス温度：３９０℃、
引取速度：１０〜３０ｍ/分。
得られた電線について摩耗抵抗を測定したところ、摩耗抵抗は３，２７４回であった。

（例２１）
含フッ素共重合体（Ａ１−１）を含フッ素共重合体（Ａ１−２）に変更した以外は、例２０と同様にして電線を作製した。
得られた電線について摩耗抵抗を測定したところ、摩耗抵抗は１６，９５４回であり、例２０よりも耐スクレープ摩耗特性に優れていた。

本発明の構造体は、電線、特にモーター用のコイル、ケーブル、航空機用電線等に好適に用いることができる。
なお、２０１３年７月４日に出願された日本特許出願２０１３−１４０９６０号、および２０１３年１２月１２日に出願された日本特許出願２０１３−２５７４８７号の明細書、特許請求の範囲、および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (10)

1. 導体の表面を、被覆用絶縁テープで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、ポリテトラフルオロエチレンを含むテープで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で熱処理して構造体を得る工程とを含み、
   前記被覆用絶縁テープが、ポリイミドフィルムの片面または両面に含フッ素樹脂フィルムが直接積層してなり、
   前記含フッ素樹脂フィルムが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含む、
   構造体の製造方法。
2. 導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層および第二の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
   前記含フッ素樹脂フィルムが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、
   前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする、構造体の製造方法。
3. 導体の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第一の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層の表面を、テープ状のポリイミドフィルムで被覆して第二の被覆層を形成する工程と、前記第二の被覆層の表面を、テープ状の含フッ素樹脂フィルムで被覆して第三の被覆層を形成する工程と、前記第一の被覆層、第二の被覆層および第三の被覆層で被覆された導体を熱処理して構造体を得る工程とを含み、
   前記第一の被覆層および第三の被覆層を形成する含フッ素樹脂フィルムがそれぞれ、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有し、融点が２２０〜３２０℃であり、溶融成形が可能な含フッ素共重合体（Ａ）を含み、
   前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上の温度で行われることを特徴とする、構造体の製造方法。
4. 前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点が２６０〜３２０℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
5. 前記含フッ素共重合体（Ａ）が、カルボニル基含有基を有し、
   前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を含む基、カーボネート基、カルボキシル基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
6. 前記官能基の含有量が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の主鎖炭素数１×１０ ^６ 個に対して１０〜６０，０００個である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
7. 前記含フッ素共重合体（Ａ）の、３７２℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜１５ｇ／１０分である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
8. 前記含フッ素共重合体（Ａ）の、２９７℃、４９Ｎ荷重下で測定されるメルトフローレートが、０．５〜２５ｇ／１０分である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
9. 前記熱処理が、前記含フッ素共重合体（Ａ）の融点以上４００℃未満の温度で行われる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。
10. 前記構造体が電線である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の構造体の製造方法。