JP6332097B2 - 電力増幅器 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000255777 Lepidoptera Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
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- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す回路図である。入力整合回路1がFET2の入力に接続され、出力整合回路3がFET2の出力に接続されている。入力端子INから入力したRF信号がFET2により増幅され、出力端子OUTから出力される。
図6は、本発明の実施の形態2に係る電力増幅器を示す回路図である。本実施の形態では、実施の形態1のショートスタブ6をオープンスタブ7で置き換えている。オープンスタブ7は、線路L1の他端に接続された線路L4を含む。基本波周波数の波長λに対して線路L4の長さは3λ/8である。
図10は、本発明の実施の形態3に係る電力増幅器を示す回路図である。本実施の形態では、実施の形態1の構成に加えて、A点と線路L1との間に抵抗R1を接続している。
図11は、本発明の実施の形態4に係る電力増幅器を示す回路図である。本実施の形態では、実施の形態1の構成に加えて、コンデンサC1と並列にコンデンサC3を接続している。コンデンサC1は低周波数に対して低インピーダンスとなるが、コンデンサC3は基本波周波数と2倍波周波数に対して低インピーダンスとなる(例えば基本波周波数が14GHzの場合は10pF前後)。
図12は、本発明の実施の形態5に係る電力増幅器を示す回路図である。本実施の形態では、実施の形態4の構成に加えて、低周波処理回路4に直流バイアス電圧を印加するための端子8を線路L2とコンデンサC3の接続点に接続している。
Claims (5)
- 増幅器と、
前記増幅器の入力に接続された入力整合回路と、
前記増幅器の出力に接続された出力整合回路と、
前記入力整合回路又は前記出力整合回路に接続された低周波処理回路とを備え、
前記低周波処理回路は、
前記入力整合回路又は前記出力整合回路に一端が接続された第1の線路と、
前記第1の線路の他端に互いに直列に接続された第2の線路と第1のコンデンサを含む第1のショートスタブと、
前記第1の線路の他端に前記第1のショートスタブと並列に接続され、互いに直列に接続された第3の線路と第2のコンデンサを含む第2のショートスタブとを有し、
基本波周波数の波長λに対して、前記第1の線路の長さはλ/8、前記第2の線路の長さはλ/4、前記第3の線路の長さはλ/8であることを特徴とする電力増幅器。 - 増幅器と、
前記増幅器の入力に接続された入力整合回路と、
前記増幅器の出力に接続された出力整合回路と、
前記入力整合回路又は前記出力整合回路に接続された低周波処理回路とを備え、
前記低周波処理回路は、
前記入力整合回路又は前記出力整合回路に一端が接続された第1の線路と、
前記第1の線路の他端に直列に接続された第2の線路と第1のコンデンサを含むショートスタブと、
前記第1の線路の他端に接続された第3の線路を含むオープンスタブとを有し、
基本波周波数の波長λに対して、前記第1の線路の長さはλ/8、前記第2の線路の長さはλ/4、前記第3の線路の長さは3λ/8であることを特徴とする電力増幅器。 - 前記低周波処理回路は、前記入力整合回路又は前記出力整合回路と前記第1の線路との間に接続された抵抗を更に有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電力増幅器。
- 前記低周波処理回路は、前記第1のコンデンサに並列に接続された第3のコンデンサを更に有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の電力増幅器。
- 前記第2の線路と前記第3のコンデンサの接続点に接続された、前記低周波処理回路に直流バイアス電圧を印加するための端子を更に備えることを特徴とする請求項4に記載の電力増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060595A JP6332097B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 電力増幅器 |
US14/926,913 US9543902B2 (en) | 2015-03-24 | 2015-10-29 | Power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060595A JP6332097B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016181788A JP2016181788A (ja) | 2016-10-13 |
JP6332097B2 true JP6332097B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=56975772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015060595A Active JP6332097B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | 電力増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9543902B2 (ja) |
JP (1) | JP6332097B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10236833B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-03-19 | Infineon Technologies Ag | RF amplifier with dual frequency response capacitor |
US11336253B2 (en) * | 2017-11-27 | 2022-05-17 | Wolfspeed, Inc. | RF power amplifier with combined baseband, fundamental and harmonic tuning network |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693584B2 (ja) * | 1984-06-01 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | バイアス回路 |
JPS6135006A (ja) | 1984-07-10 | 1986-02-19 | Fujitsu Ltd | 超高周波増幅器 |
KR100414252B1 (ko) * | 2000-02-08 | 2004-01-07 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 다단 증폭기 |
JP2002171138A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Nec Corp | マイクロ波電力増幅器 |
JP2003017948A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅器 |
JP2004228989A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP4485487B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2010-06-23 | シャープ株式会社 | 電力増幅器 |
JP2008135829A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Japan Radio Co Ltd | 電力増幅回路 |
US8076994B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-12-13 | Cree, Inc. | RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction |
KR101758086B1 (ko) * | 2011-04-12 | 2017-07-17 | 숭실대학교산학협력단 | 개선된 선형적 특징을 가지는 전력 증폭기 |
US8624676B2 (en) * | 2012-03-08 | 2014-01-07 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Broadband transistor bias network |
JP6191016B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2017-09-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP6098195B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2017-03-22 | 富士通株式会社 | 増幅器 |
-
2015
- 2015-03-24 JP JP2015060595A patent/JP6332097B2/ja active Active
- 2015-10-29 US US14/926,913 patent/US9543902B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016181788A (ja) | 2016-10-13 |
US9543902B2 (en) | 2017-01-10 |
US20160285421A1 (en) | 2016-09-29 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170616 |
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A977 | Report on retrieval |
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