JP6326136B2 - 単結晶成長装置 - Google Patents
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Description
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- チャンバー;
前記チャンバーの内部に設けられ、単結晶の成長原料である溶融液を収容するるつぼ;
前記るつぼの上端に配置されるるつぼスクリーン(crucible screen);
前記るつぼスクリーン上に配置される第1上側断熱部;
前記第1上側断熱部から離隔し、前記第1上側断熱部上に配置される第2上側断熱部
前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に上昇または下降させる移送手段;及び
前記第1上側断熱部と前記第2上側断熱部の間の距離を調節するように前記移送手段を制御する制御部
を含み、
前記制御部は、成長する単結晶の行程距離を測定し、測定された行程距離を既設定の距離基準値と比較し、比較した結果に基づいて前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に上昇させるように前記移送手段を制御し、
前記行程距離は、前記成長する単結晶を前記るつぼスクリーンに接触するまで引き上げることができる距離である
ことを特徴とする、単結晶成長装置。 - 前記測定された行程距離が、前記既設定の距離基準値以下の場合に、前記制御部は、前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に上昇させる
ことを特徴とする、請求項1に記載の単結晶成長装置。 - 前記既設定の距離基準値は、最大行程距離の10分の1であり、前記最大行程距離は、前記るつぼスクリーンと、前記溶融液の界面の間の距離である
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の単結晶成長装置。 - 前記移送手段は、
前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に縛る少なくとも一つのジグ(jig);及び
前記少なくとも一つのジグを上昇または下降させる昇降部を含むことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の単結晶成長装置。 - 前記少なくとも一つのジグは、
前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に取り囲む結合部;及び
前記第2上側断熱部を通過して一端は前記結合部に連結され、他端は前記昇降部に連結される支持部を含むことを特徴とする、請求項4に記載の単結晶成長装置。 - 前記少なくとも一つのジグは複数であり、複数のジグは互いに離隔して位置することを特徴とする、請求項4に記載の単結晶成長装置。
- 前記少なくとも一つのジグは、
前記第1上側断熱部及び前記第2上側断熱部を通過して一端は前記るつぼスクリーンに連結され、他端は前記昇降部に連結されることを特徴とする、請求項4に記載の単結晶成長装置。 - 前記測定された行程距離が、前記既設定の距離基準値より大きい場合に、前記制御部は、成長した単結晶の重さが既設定の基準重さに到達したかを判断し、前記既設定の基準重さは、前記成長原料の総重量である
ことを特徴とする、請求項2に記載の単結晶成長装置。 - 前記制御部は、
前記成長する単結晶の重さを測定する重さ測定センサー;及び
前記成長する単結晶と前記るつぼスクリーンの間の距離を測定する距離測定センサーを含むことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の単結晶成長装置。 - 前記制御部は、
前記行程距離を測定する距離測定センサーを含む
ことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の単結晶成長装置。 - 前記第1上側断熱部の下面は前記るつぼスクリーンの上面に接することを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の単結晶成長装置。
- 前記移送手段は、前記第1上側断熱部と前記第2上側断熱部の間の離隔した空間内で前記るつぼスクリーン及び前記第1上側断熱部を一緒に上昇または下降させることを特徴とする、請求項1から11のいずれかに記載の単結晶成長装置。
- 前記結合部は、
前記第1上側断熱部の上面、前記るつぼスクリーンの外側面と前記第1上側断熱部の外側面、及び前記るつぼスクリーンの下面の少なくとも一部を取り囲むことを特徴とする、請求項5に記載の単結晶成長装置。 - 前記制御部は、
前記成長した単結晶の重さが前記既設定の基準重さに到逹した場合に、前記成長した単結晶を前記るつぼから分離するリフトオフ工程を遂行する
ことを特徴とする、請求項8に記載の単結晶成長装置。 - 前記制御部は、
前記るつぼスクリーンと前記第1上側断熱部を一緒に引き上げることで前記行程距離を確保する
ことを特徴とする、請求項2に記載の単結晶成長装置。
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