JP6321836B2 - 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の一実施形態に係る炭化珪素の結晶のインゴットについて、図1〜図6を参照しつつ説明する。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
次に、本発明の一実施形態に係る炭化珪素のウェハについて、図7および図8を参照しつつ説明する。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
以下に、本発明の一実施形態に係る炭化珪素の結晶のインゴット1およびウェハ2を製造する製造方法に使用する結晶製造装置の一例について、図9を参照しつつ本実施形態を説明する。図9の断面図は、結晶製造装置の一例の概略を示している。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
以下、本発明の一実施形態に係る炭化珪素のウェハ2および炭化珪素の結晶のインゴット1の製造方法について説明する。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
結晶製造装置100を準備する。結晶製造装置100は、上述したように、主に保持部材102、坩堝103、保持部材102に固定された種結晶101、および坩堝103内にある溶液104を含んでいる。
種結晶101の下面を溶液104に接触させる。種結晶101は、保持部材102を下方に移動させることで溶液104に接触させる。なお、本実施形態では、種結晶101を下方向へ移動させることで種結晶101を溶液104に接触させているが、坩堝103を上方向へ移動させることで種結晶101を溶液104に接触させてもよい。
接触工程で溶液104に接触させた種結晶101の下面に、溶液104から炭化珪素の結晶を成長させる。すなわち、種結晶101の下面を溶液104に接触させることによって、種結晶101の下面と種結晶101の下面付近の溶液104との間に温度差ができる。そして、その温度差によって、炭素が過飽和状態になり、溶液104中の炭素および珪素を炭化珪素の結晶のインゴット1として種結晶101の下面に析出させることができる。
炭化珪素の結晶を成長させた後、成長した炭化珪素の結晶のインゴット1を溶液104から引き離し、結晶成長を終了する。次いで、成長した炭化珪素の結晶のインゴット1を種結晶101から切り離す。これにより、インゴット1を製造することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る炭化珪素のウェハ2の製造方法について説明する。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
2 ウェハ
3 第1結晶層
4 第2結晶層
5 濃度傾斜領域
6 中央領域
7 周辺領域
8 色調傾斜領域
9 第1主面
10 第2主面
11 凹部
12 凸部
100 結晶製造装置
101 種結晶
102 保持部材
103 坩堝
104 溶液
105 移動装置
106 坩堝容器
107 保温材
108 チャンバー
109 通過孔
110 給気孔
111 排気孔
112 加熱装置
113 コイル
114 交流電源
115 制御装置
Claims (3)
- 炭化珪素の結晶のインゴットであって、
前記インゴットの側面は、複数の凹部と複数の凸部とを有しており、
前記複数の凹部と前記複数の凸部は、交互に配置されており、
前記複数の凸部のそれぞれは、その上下に位置する凹部の底よりも、径が大きくなる方向に、突出している、炭化珪素の結晶のインゴット。 - 前記インゴットは、上面から下面に向かって径が広がっている領域を有している、請求項1に記載の炭化珪素の結晶のインゴット。
- 炭化珪素の結晶のウェハであって、
前記ウェハの側面は、複数の凹部と複数の凸部とを有しており、
前記複数の凹部と前記複数の凸部は、交互に配置されており、
前記複数の凸部のそれぞれは、その上下に位置する凹部の底よりも、径が大きくなる方向に、突出している、炭化珪素の結晶のウェハ。
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