JP6318925B2 - 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物、該高分子化合物を含有する組成物および該高分子化合物を用いた発光素子に関する。本発明はまた、該高分子化合物の製造に有用な化合物に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１および非特許文献１では、青色発光を示す燐光発光性化合物として、トリアゾール構造を有する配位子を有する金属錯体（例えば、下記式で表される金属錯体）が提案されている。

国際公開第２００４／１０１７０７号

Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ.１８巻、３０８０頁〜３０９０頁（２００８年）

しかしながら、上記の特許文献１および非特許文献１に記載された金属錯体を用いて製造される発光素子は、駆動電圧が高いという問題があった。

そこで本発明は、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物（具体的には、金属錯体構造を有する構成単位を含む高分子化合物）を提供することを目的とする。本発明はまた、該高分子化合物を含有する組成物および該高分子化合物を用いた発光素子を提供することを目的とする。本発明はさらに、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。

本発明は、第１に、下記式（１）で表される構成単位および／または下記式（２）で表される構成単位と、下記式（Ｙ１）で表される構成単位と、下記式（Ｙ２）で表される構成単位とを含む高分子化合物を提供する。

[式（１）および（２）中、
Ａｒは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌは、直接結合、アルキレン基、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ１およびｎ２は、それぞれ独立に、０、１または２を表し、ｎ１＋ｎ２は、１または２である。Ｍが白金原子の場合は、ｎ１＋ｎ２は１であり、Ｍがイリジウム原子の場合は、ｎ１＋ｎ２は２である。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１、Ｅ^２およびＥ^３が窒素原子の場合、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７が窒素原子の場合、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は存在しない。但し、式（１）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３はＬと結合し、式（２）において、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＬと結合する。Ｅ^１とＬとが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２とＬとが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３とＬとが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４とＬとが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＬとが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＬとが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＬとが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^５とＲ^６、および、Ｒ^６とＲ^７は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
環Ａは、炭素原子、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^２およびＥ^３とで構成される５員環の芳香族複素環を表し、環Ｂは、２つの炭素原子、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７とで構成される６員環の芳香族炭化水素環または６員環の芳香族複素環を表す。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、環を構成する炭素原子、酸素原子または窒素原子であってもよい。］

［式（Ｙ１）中、
Ａｒ^Ｙ１は、芳香族炭化水素基を表し、この基はＲ^Ｙ１以外の置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ１は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｙ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＲ^Ｙ１は、他の構成単位と結合を形成する炭素原子の隣の炭素原子に結合する。
ｐは、１以上の整数を表す。］

［式（Ｙ２）中、
Ａｒ^Ｙ２は、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

本発明は、第２に、下記式（３）で表される構成単位、下記式（４）で表される構成単位、下記式（５）で表される構成単位、下記式（６）で表される構成単位、下記式（７）で表される構成単位および下記式（８）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１つの構成単位と、前記式（Ｙ１）で表される構成単位と、前記式（Ｙ２）で表される構成単位とを含む高分子化合物を提供する。

［式（３）〜（８）中、
Ｍ、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環ＢおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。但し、式（３）および（４）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３は他の構成単位と結合し、式（５）および（６）において、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７は他の構成単位と結合し、式（７）および（８）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３は他の構成単位と結合するとともに、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７は他の構成単位と結合する。Ｅ^１と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。
ｎ３は、０または１を表す。Ｍが白金原子の場合は、ｎ３は０であり、Ｍがイリジウム原子の場合は、ｎ３は１である。］

本発明は、第３に、下記式（９）で表される構成単位と、前記式（Ｙ１）で表される構成単位と、前記式（Ｙ２）で表される構成単位とを含む高分子化合物を提供する。

［式（９）中、
Ｍ、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環ＢおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。但し、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３は他の構成単位と結合するとともに、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７は他の構成単位と結合する。Ｅ^１と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７と他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。
ｎ４およびｎ５は、それぞれ独立に、０、１または２を表し、ｎ４＋ｎ５は、１または２である。Ｍが白金原子の場合は、ｎ１＋ｎ２は１であり、Ｍがイリジウム原子の場合は、ｎ１＋ｎ２は２である。］

本発明は、第４に、下記一般式（Ｍ１）または（Ｍ２）で表される化合物を提供する。

［式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、
Ａｒ、Ｌ、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環ＢおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。但し、式（Ｍ１）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３はＬと結合し、式（Ｍ２）において、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＬと結合する。Ｅ^１とＬとが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２とＬとが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３とＬとが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４とＬとが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＬとが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＬとが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＬとが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。
Ｘ^１は、下記の置換基Ａ群および置換基Ｂ群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ^１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1で表される基。
（式中、Ｒ^C1は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；−ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを示す。）で表される基；−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
）で表される基；−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表される基；、−Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。］

本発明は、第５に、下記一般式（Ｍ３）、（Ｍ４）、（Ｍ５）、（Ｍ６）、（Ｍ７）または（Ｍ８）で表される化合物を提供する。

［式（Ｍ３）〜（Ｍ８）中、
Ｍ、ｎ３、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。但し、式（Ｍ３）および（Ｍ４）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３はＸ^１と結合し、式（Ｍ５）および（Ｍ６）において、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＸ^１と結合し、式（Ｍ７）および（Ｍ８）において、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３はＸ^１と結合するとともに、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＸ^１と結合する。Ｅ^１とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。］

本発明は、第６に、下記一般式（Ｍ９）で表される化合物を提供する。

［式（Ｍ９）中、
Ｍ、ｎ４、ｎ５、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。但し、Ｅ^１、Ｅ^２またはＥ^３はＸ^１と結合するとともに、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＸ^１と結合する。Ｅ^１とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＸ^１とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。］

本発明は、第７に、上記高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物を提供する。

本発明は、第８に、上記高分子化合物を用いた発光素子を提供する。

本発明によれば、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、該高分子化合物を含有する組成物および該高分子化合物を用いた発光素子を提供することができる。さらに、本発明によれば、該高分子化合物の製造に有用な化合物を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、i-Prはイソプロピル基、n-Buはn-ブチル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

本明細書において、水素原子は重水素原子であってもよい。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計100モル％である。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐および環状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-n-プロピルヘプチル基、n-デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-n-ヘキシルデシル基、n-ドデシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-n-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐および環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基
、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル）アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル）アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含
む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(A-21)〜式(A-54)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基または置換アミノ基を表す。

＜金属錯体構造を有する構成単位＞
次に、本発明の高分子化合物について説明する。本発明の高分子化合物は、式（１)で表される構成単位および／または式（２）で表される構成単位を含むか、式（３）〜式（８）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１つの構成単位を含むか、式（９）で表される構成単位を含む。式（１）〜式（９）で表される構成単位は、金属錯体構造を有する構成単位である。

式（１）〜式（９）中、Ｍは、イリジウム原子であることが好ましい。

式（１）〜式（９）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を示す。］

また、式（１）〜式（９）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、
＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式（１）〜式（９）中、環Ａとしては、例えば、テトラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピロール環およびピラゾール環が挙げられ、トリアゾール環またはイミダゾール環が好ましい。

環Ａがトリアゾール環である場合、Ｅ^２およびＥ^３が窒素原子であり、Ｅ^１が炭素原子であることが好ましい。

環Ａがイミダゾール環である場合、Ｅ^３が窒素原子であり、Ｅ^１およびＥ^２が炭素原子であることが好ましい。

式（１）〜式（９）中、環Ｂとしては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環およびテトラジン環が挙げられ、ベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。

環Ｂがベンゼン環である場合、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７がすべて炭素原子である。

環Ｂがピリジン環である場合、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７のいずれか１つが窒素原子であるが、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７のいずれか１つが窒素原子であることが好ましく、Ｅ^５が窒素原子であることがより好ましい。

環Ｂがピラジン環である場合、Ｅ^４およびＥ^７が窒素原子である。

環Ｂがピリダジン環である場合、Ｅ^４およびＥ^５、Ｅ^５およびＥ^６、または、Ｅ^６およびＥ^７が窒素原子である。

環Ｂがピリミジン環である場合、Ｅ^４およびＥ^６、または、Ｅ^５およびＥ^７が窒素原子であるが、Ｅ^５およびＥ^７が窒素原子であることが好ましい。

環Ｂがトリアジン環である場合、Ｅ^４、Ｅ^５およびＥ^６、または、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７、Ｅ^４、Ｅ^５およびＥ^７、または、Ｅ^４、Ｅ^６およびＥ^７が窒素原子であるが、Ｅ^４、Ｅ^６およびＥ^７が窒素原子であることが好ましい。

式（１）〜式（９）中、Ｒ^１〜Ｒ^７は、本発明の高分子化合物の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、アリール基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更により好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^７で表されるアルキル基としては、炭素原子数が１〜１０のアルキル基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^７で表されるアリール基としては、アルキル基を置換基として有するアリール基であることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^７で表されるアリール基および１価の複素環基としては、デンドロンであることが好ましい。ここで、「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーと呼ぶ場合がある。）としては、例えば、ＷＯ０２／０６７３４３、特開２００３−２３１６９２、WO２００３／０７９７３６、WO２００６／０９７７１７等の文献に記載の構造が挙げられる。

デンドロンとしては、好ましくは、式(Dend-A)または(Dend-B)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DA1は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DA2およびＴ^DA3は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DA1、Ｇ^DA2およびＧ^DA3は、それぞれ独立に、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DA4、Ｔ^DA5、Ｔ^DA6およびＴ^DA7は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、通常10以下の整数であり、5以下の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが更に好ましい。また、ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DA1は、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊１、＊２および＊３は、各々、Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｇ^DA2は、好ましくは式(GDA-21)〜(GDA-25)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｇ^DA3は、好ましくは式(GDA-31)〜(GDA-35)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊２、＊４および＊５は、各々、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA4およびＡｒ^DA5との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
＊３、＊６および＊７は、各々、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^DA2、Ｔ^DA3、Ｔ^DA4、Ｔ^DA5、Ｔ^DA6およびＴ^DA7は、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式（１）〜式（９）中、Ｒ^３、Ｒ^５の少なくとも一方、若しくは両方が、式(Dend-A)または(Dend-B)で表される基であることが好ましい。

式(Dend-A)で表される基は、好ましくは式(Dend-A1)〜(Dend-A3)で表される基である。
さらに好ましくは、（Dend-A1）で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(Dend-B)で表される基は、好ましくは式(Dend-B1)〜(Dend-B3)で表される基である。
さらに好ましくは、（Dend-B1）で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、好ましくはアルキル基である。

＜式（１）で表される構成単位および式（２）で表される構成単位＞
式（１）および式（２）中、Ｍがイリジウム原子である場合、ｎ_１が２であり、ｎ_２が０であることが好ましく、Ｍが白金原子である場合、ｎ_１は１であり、ｎ_２が０であることが好ましい。

式（１）中、Ｌは、本発明の高分子化合物の合成が容易であるため、Ｅ^２またはＥ^３に結合することが好ましく、Ｅ^３に結合することがより好ましい。

式（２）中、Ｌは、本発明の高分子化合物の合成が容易であるため、Ｅ^４、Ｅ^５またはＥ^６に結合することが好ましく、Ｅ^５に結合することがより好ましい。

式（１）および式（２）中、Ｌは、直接結合またはアリーレン基であることが好ましく、直接結合であることがより好ましい。

Ｌで表されるアリーレン基としては、例えば、下記式（Ｌ−１）および（Ｌ−２）で表されるアリーレン基が挙げられ、式（Ｌ−１）で表されるアリーレン基であることが好ましい。

［式（Ｌ−１)および（Ｌ−２）中、
＊は、Ａｒとの結合位置を表し、＃は、環Ａとの結合位置を表す。
Ｒ^Ｌ１、Ｒ^Ｌ２、Ｒ^Ｌ３およびＲ^Ｌ４は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。]

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ３は、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^Ｌ２およびＲ^Ｌ４は、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。

式（１）および式（２）中、Ａｒは、本発明の高分子化合物の合成が容易であるため、芳香族炭化水素基であることが好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子３個を除いた基であることが好ましい。

Ａｒとしては、例えば、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−１３）で表される基が挙げられ、式（Ａｒ−１）、（Ａｒ−２）または（Ａｒ−３）で表される基であることが好ましく、式（Ａｒ−１）で表される基であることが更に好ましい。

［式（Ａｒ−１）〜式（Ａｒ-１１）中、
＊は、他の構成単位との結合位置を表し、＃は、Ｌとの結合位置を表す。
Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒａは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
複数存在するＲは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。複数存在するＲａは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい。
］

Ｒとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはアミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましい。

Ｒａとしては、アリール基またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基もしくはアルコキシ基で置換されていてもよいアリール基、または、アルキル基であることがより好ましく、アルキル基もしくはアルコキシ基で置換されていてもよいアリール基であることが更に好ましい。

ＲおよびＲａがそれぞれ形成する環としては、例えば、アルキル基で置換されていてもよいシクロペンチル環、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘキシル環、および、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘプチル環が挙げられる。また、ＲおよびＲａがそれぞれ形成する環は、更にベンゼン環等が縮合した縮合環であってもよい。

式（１）で表される金属錯体構造を有する構成単位としては、例えば、下記式（Ｉｒ１−１）〜（Ｉｒ１−２２）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式（Ｉｒ１−１）、（Ｉｒ１−３）、（Ｉｒ１−７）、（Ｉｒ１−１１）、（Ｉｒ１−１２）、（Ｉｒ１−１４）、（Ｉｒ１−１５）、（Ｉｒ１−１６）、（Ｉｒ１−１９）（Ｉｒ１−２０）、（Ｉｒ１−２１）または（Ｉｒ１−２２）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｉｒ１−１１）、（Ｉｒ１−１２）、（Ｉｒ１−１３）、（Ｉｒ−１４）、（Ｉｒ１−１９）、（Ｉｒ１−２０）、（Ｉｒ１−２１）または(Ｉｒ１−２２)で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｉｒ１−１）〜（Ｉｒ１−２２）中、
Ｒ^Ｌは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｌが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｌで表されるアリール基および１価の複素環基は、デンドロンであることが好ましく、上記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｌは、下記群ＩＩの式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−１５）から選ばれる基であることが好ましい。
＜群ＩＩ＞

式（２）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｉｒ２−１）〜（Ｉｒ２−２１）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式（Ｉｒ２−２）、（Ｉｒ２−３）、（Ｉｒ２−７）、（Ｉｒ２−９）、（Ｉｒ２−１１）、（Ｉｒ２−１２）、（Ｉｒ２−１３）、（Ｉｒ２−１４）、（Ｉｒ２−１６）（Ｉｒ２−１９）、（Ｉｒ２−２０）または（Ｉｒ２−２１）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｉｒ２−９）、（Ｉｒ２−１９）または（Ｉｒ２−２０）で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｉｒ２−１）〜（Ｉｒ２−２１）中、Ｒ^Ｌは、前記と同じ意味を表す。]

本発明の高分子化合物において、式（１）で表される構成単位は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。また、本発明の高分子化合物において、式（２）で表される構成単位は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

＜式（３）〜式（８）で表される構成単位＞
式（３）〜式（８）中、Ｍがイリジウム原子である場合、ｎ_３は１であり、Ｍが白金原子である場合、ｎ_３は０である。

本発明の高分子化合物は、式（３）〜式（８）で表される構成単位の中でも、式（３）、（５）または（７）で表される構成単位を含むことが好ましく、式（３）または（５）で表される構成単位を含むことがより好ましく、式（５）で表される構成単位を含むことがさらに好ましい。

式（３）および式（４）中、本発明の高分子化合物の合成が容易となるため、Ｅ^３が他の構成単位と結合することが好ましい。

式（５）および式（６）中、本発明の高分子化合物の合成が容易となるため、Ｅ^５が他の構成単位と結合することが好ましい。

式（７）および式（８）中、本発明の高分子化合物の合成が容易となるため、Ｅ^３およびＥ^５が他の構成単位と結合することが好ましい。

式（３）〜（８）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｉｒ３−１）〜（Ｉｒ３−１２）、（Ｉｒ４−１）〜（Ｉｒ４−９）、（Ｉｒ５−１）〜（Ｉｒ５−１５）、（Ｉｒ６−１）〜（Ｉｒ６−９）、（Ｉｒ７−１）〜（Ｉｒ７−１０）および（Ｉｒ８−１）〜（Ｉｒ８−２）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式（Ｉｒ３−１）〜（Ｉｒ３−１２）または（Ｉｒ５−１）〜（Ｉｒ５−１５）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｉｒ３−３）、（Ｉｒ３−７）、（Ｉｒ５−５）または（Ｉｒ５−８）で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｉｒ３−１）〜（Ｉｒ３−１２）、（Ｉｒ４−１）〜（Ｉｒ４−９）、（Ｉｒ５−１）〜（Ｉｒ５−１５）、（Ｉｒ６−１）〜（Ｉｒ６−９）、（Ｉｒ７−１）〜（Ｉｒ７−１０）および（Ｉｒ８−１）〜（Ｉｒ８−２）中、Ｒ^Ｌは前記と同じ意味を表す。］

本発明の高分子化合物において、式（３）〜式（８）で表される構成単位は、それぞれ、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

＜式（９）で表される構成単位＞
式（９）中、Ｍがイリジウム原子である場合、ｎ_４が２であり、ｎ_５が０であることが好ましく、Ｍが白金原子である場合、ｎ_４が１であり、ｎ_５が０であることが好ましい。

式（９）中、本発明の高分子化合物の合成が容易となるため、Ｅ^２もしくはＥ^３、および、Ｅ^５が他の構成単位と結合することが好ましい。

式（９）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｉｒ９−１）〜（Ｉｒ９−１２）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式（Ｉｒ９−２）、（Ｉｒ９−３）、（Ｉｒ９−５）、（Ｉｒ９−６）、（Ｉｒ９−７）、（Ｉｒ９−８）、（Ｉｒ９−９）または（Ｉｒ９−１０）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｉｒ９−５）または（Ｉｒ９−１０）で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｉｒ９−１）〜（Ｉｒ９−１２）中、Ｒ^Ｌは、前記と同じ意味を表す。］

本発明の高分子化合物において、式（９）で表される構成単位は、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式(１)〜式（９）で表される構成単位は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは1〜15モル％である。

＜式（Ｙ１）で表される構成単位＞
次に、式（Ｙ１）で表される構成単位について説明する。

式（Ｙ１）中、Ａｒ^Y1で表される芳香族炭化水素基は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（２＋ｐ）個を除いた残りの原子団を意味する。芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ^Y1で表される芳香族炭化水素基としては、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団であり、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団であり、さらに好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ１）中、Ｒ^Ｙ１は、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。

式(Ｙ１)で表される構成単位は、下記式（Ｙ１−２）または(Ｙ１−３)で表される構成単位であることが好ましく、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が優れるため、式（Ｙ１−２）で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｙ１−２）中、
Ｒ^Y１Ａは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１Ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｙ１Ｂは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１Ｂは、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y１Ａは、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはアリール基であり、さらに好ましくはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Y１Ｂは、好ましくは、水素原子、アルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、水素原子またはアルキル基であり、さらに好ましくは水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ１−２）で表される構成単位は、式(Ｙ１−２’)で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１ＡＡは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１ＡＡは、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｙ１ＡＡは、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはアリール基であり、さらに好ましくは、アルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y１ＡおよびＲ^Ｙ１Ｂは、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y1C)_２−、−Ｃ(Ｒ^Y1C)＝Ｃ(Ｒ^Y1C)−またはＣ(Ｒ^Y1C)₂−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y1Cは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1Cは、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y1C同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−で表される基中の２個のＲ^Y1Cの組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y1Cは互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y1Cが環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)〜(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y1C)＝Ｃ(Ｒ^Y1C)−で表される基中の２個のＲ^Y1Cの組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1Cにおいて、−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−で表される基中の４個のＲ^Y1Cは、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基である。複数あるＲ^Y1Cは互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y1Cが環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−Ｃ(Ｒ^Y1C)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)〜(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1Cは前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ１−３）で表される構成単位は、式(Ｙ１−３')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y１ＡおよびＸ^Y1は、前記と同じ意味を表す。］

式(Ｙ１)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-001)〜(Y-021)で表される芳香族炭化水素基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ１)で表される構成単位は、本発明の高分子化合物に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

式(Ｙ１)で表される構成単位は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜90モル％であり、より好ましくは30〜85モル％である。

＜式（Ｙ２）で表される構成単位＞
次に、式（Ｙ２）で表される構成単位について説明する。

式（Ｙ２）中、Ａｒ^Y2で表される２価の複素環基としては、好ましくは、式(A-21)〜式(A-24)、式(A-30)〜式(A-35)、式(A-38)〜式(A-41)、式(A-53)または式(A-54)で表される基であり、より好ましくは式(A-24)、式(A-30)、式(A-32)、式(A-34)または式(A-53)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基におけるアリーレン基としては、好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。また、Ａｒ^Y2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y2で表される２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ２)で表される構成単位は、下記式(Ｙ２−２)または(Ｙ２−３)で表される構成単位であることが好ましく、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式(Ｙ２−２)で表される構成単位であることがより好ましい。

［式（Ｙ２−２）中、
Ａｒ^Ｙ２Ａは、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ２Ａは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

式（Ｙ２−２）中、複数存在するＡｒ^Ｙ２Ａは、同一でも異なっていてもよいが、複数存在するＡｒ^Ｙ２Ａは同一であることが好ましい。

［式（Ｙ２−３）中、
Ｒ^Ｙ２Ａは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２Ａは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｘ^Ｙ２Ａは、窒素原子、酸素原子または直接結合を表す。］

式(Ｙ２−２)で表される構成単位は、式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y2Aは前記と同じ意味を表す。Ｒ^Y2AAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
］

Ｒ^Y2AAは、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y2AおよびＲ^Y2AAは前記と同じ意味を表す。］

式(Y2-3)で表される構成単位は、式(Y-8)〜式(Y-10)で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y２Aは前記を同じ意味を表す。Ｒ^Y２Bは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
］

Ｒ^Y２Bは、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ２)で表される構成単位としては、例えば、式（Y-101)〜(Y-107)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-201)〜(Y-208)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ−２)で表される構成単位は、本発明の高分子化合物に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

式(Ｙ２−２)で表される構成単位は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の発光効率が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜90モル％であり、より好ましくは5〜50モル％である。

＜式（Ｙ３）で表される構成単位＞
本発明の高分子化合物は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、更に、下記式(Ｙ３)で表される構成単位を含むことが好ましい。但し、式（Ｙ３）で表される構成単位は、式（Ｙ１）で表される構成単位とは異なる。

［式（Ｙ３）中、
Ａｒ^Ｙ３は、アリーレン基を表し、この基は置換基を有していてもよい。］

式（Ｙ３）で表される構成単位は、式(Ｙ−３)で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y3)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-301)〜(Y-336)で表される構成単位が挙げられ、式（Y-301）〜（Y316）で表される構成単位が好ましい。

＜式（Ｘ）で表される構成単位＞
本発明の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^X1は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基としては、好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、より好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基としては、好ましくは式(A-21)、式(A-22)または式(A-27)〜式(A-46)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)〜式(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基の好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ２）のＡｒ^Ｙ2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)〜(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)〜(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)〜(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)〜(X1-19)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-1)〜(X1-14)で表される構成単位である。

本発明の高分子化合物において、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位は、本発明の高分子化合物の正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは5〜30モル％である。

本発明の高分子化合物としては、例えば、下記表１に示される高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−４が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（１）〜式（９）、式（Ｙ１）、式（Ｙ２）、式（Ｙ３）および式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、tおよびuは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ１）で表される構成単位、式（Ｙ２）で表される構成単位、式（Ｙ３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。

本発明の高分子化合物は、前記式（Ｍ１）〜（Ｍ９）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と、下記式(M-Y1)で表される化合物と、下記式(M-Y2)で表される化合物と、必要に応じて下記式(M-Y3)および／または(M-X)で表される化合物とを縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。

［式中、Ａｒ^Y1、Ａｒ^Y2、Ａｒ^Y3、Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4、Ｒ^X1、Ｒ^X2、Ｒ^X3、ａ^X1およびａ^X2は、前記と同じ意味を表し、Ｚ^C1〜Ｚ^C8は、それぞれ独立に、前記の置換基Ａ群および置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を示す。］

例えば、Ｚ^C1およびＺ^C2が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4、Ｚ^C5、Ｚ^C6、Ｚ^C7、Ｚ^C8およびＸ^１は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。
例えば、Ｚ^C1およびＺ^C2が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4、Ｚ^C5、Ｚ^C6、Ｚ^C7、Ｚ^C8およびＸ^１は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

置換基Ｂ群における−Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基および置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

縮合重合は、通常、触媒、塩基および溶媒の存在下で行われ、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム、パラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[トリス(ジベンジリデンアセトン)]ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン]ジクロロニッケル、[ビス(1,4-シクロオクタジエン)]ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ-o-トリルホスフィン、トリ(tert-ブチルホスフィン)、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、0.00001〜３モル当量である。

塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

相間移動触媒としては、例えば、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。相間移動触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基の使用量は、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。

相関移動触媒の使用量は、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計100重量部に対して、10〜100000重量部である。

縮合重合の反応温度は、通常-100〜200℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

＜式（Ｍ１）〜式（Ｍ９）で表される化合物の製造方法＞
式（Ｍ１）〜式（Ｍ９）で表される化合物（以下、本発明の化合物ともいう。）の製造方法の一例について、具体的に説明する。

本発明の化合物の配位子となる化合物は、例えば、ベンゼン誘導体と芳香族複素環式化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等のカップリング反応により合成することができる。また、ベンゼン誘導体と脂肪族化合物や芳香族複素環式化合物との縮合反応により合成することが出来る。その一例を挙げると、ベンゾイルクロライドの誘導体とイミド酸エステルとヒドラジンの誘導体を有機溶媒に溶解させ、塩基を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより、前記配位子となる化合物を合成することができる。この合成は、「ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ. Ｒｅｖ.）、第６１巻、８７頁（１９６１年）」、「ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサエティー（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）、第７３巻、５９１４頁（１９５１年）」、「ジャーナル オブ ヘテロサイクリック ケミストリー（Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ.）、第２０巻、１６９３頁（１９８３年）」、「アドバンスド ファンクショナル マテリアルズ（Ａｄｖ．Ｆｕｎｃｔ．Ｍａｔｅｒ.）、第１８巻、３０８０頁（２００８年）」、「ケミストリー オブ マテリアルズ（Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．）、第１８巻、５１１９頁（２００６年）」等を参考にして実施することができる。

前記芳香族複素環式化合物は、「ＴＨＥ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＯＦ ＨＥＴＥＲＯＣＹＣＬＩＣ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、 Ｖｏｌｕｍｅ１４、 Ｐａｒｔ５、 ３６頁 （ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ）」、「ＴＨＥ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＯＦ ＨＥＴＥＲＯＣＹＣＬＩＣ ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、 Ｖｏｌｕｍｅ３７、３頁（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ）」等の文献に記載の方法で合成することができる。また、市販の芳香族複素環式化合物を用いてもよい。

前記脂肪族化合物は、「Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ、第１１８巻、３０８９頁（１９８５年）」、「Ｓｃｉｅｎｃｅ ｏｆ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、第２２巻、３４３頁（２００５年）」、「Ｓｃｉｅｎｃｅ ｏｆ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、第１８巻、１００１頁（２００５年）」、等の文献に記載する方法で合成することができる。また、市販の脂肪族化合物を用いてもよい。

前記カップリング反応に用いる触媒としては、パラジウム触媒が好ましい。
前記パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が好ましい。
前記パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

式（Ｍ１）および式（Ｍ２）で表される化合物は、下記式：Ａｒ（Ｘ^１）_２Ｗ^１で表される化合物と、下記式（Ｘ１）または下記式（Ｘ２）で表される金属錯体とをカップリング反応させる工程を含む方法により製造することができる。式：Ａｒ（Ｘ^１）_２Ｗ^１で表される化合物と、式（Ｘ１）または式（Ｘ２）で表される金属錯体との反応は、前記配位子となる化合物の製造方法で述べたのと同じ方法で行うことができる。

［式（Ｘ１）、（Ｍ１）、（Ｘ２）および（Ｍ２）中、
Ａｒ、Ｌ、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１０は、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、アルカンスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。
Ｗ^１は、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、アルカンスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。］

「ボロン酸基」とは、下記式（Ｗ−１）で表される基である。
「ボロン酸エステル基」とはボロン酸基のヒドロキシル基がアルコキシ基、アリールオキシ基、置換アミノ基で置換された基を意味する。ボロン酸エステル基はボロン酸エステル基の有する置換基同士が直接結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環構造を形成した基であってもよく、ボロン酸エステル基の有する置換基同士が炭素原子、酸素原子、置換基を有していてもよい窒素原子等を介して結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環構造を形成した基であってもよい。

ボロン酸エステル基としては、例えば、下記式（Ｗ−２）〜（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルカンスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。また、Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。

Ｗ^１は、式：Ａｒ（Ｘ^１）_２Ｗ^１で表される化合物と、式（Ｘ１）または式（Ｘ２）で表される金属錯体とのカップリング反応が容易に進行するので、下記群ＩＶの式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−５）から選ばれる基であることが好ましく、式（ＩＶ−１）で表される基であることがより好ましい。

＜群ＩＶ＞

式（Ｘ１）および式（Ｘ２）で表される金属錯体の合成が容易であるため、Ｒ^１０は、臭素原子、ヨウ素原子または式（ＩＶ−５）で表される基であることが好ましく、臭素原子であることがより好ましい。

式（Ｘ１）で表される金属錯体の好ましい形態である下記式（Ｘ１ａ）で表される金属錯体は、例えば、下記式（Ｘ１ｂ）で表される金属錯体から合成することができる。また、式（Ｘ２）で表される金属錯体の好ましい形態である下記式（Ｘ２ａ）で表される金属錯体は、例えば、下記式（Ｘ２ｂ）で表される金属錯体から合成することができる。

［式（Ｘ１ｂ）、（Ｘ１ａ）、（Ｘ２ｂ）および（Ｘ２ａ）中、
Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａおよび環Ｂは、前記と同じ意味を表す。Ｗ^１は前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４およびＲ^１５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^１５は、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましい。アリール基および１価の複素環基としては、前記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。

より具体的には、式（Ｘ１ｂ）で表される金属錯体（１当量）と、式：Ｒ^１５−Ｗ^１で表される化合物（２当量）とを、パラジウム触媒下で反応させることにより、式（Ｘ１ａ）で表される金属錯体へと変換することができる。また、式（Ｘ２ｂ）で表される金属錯体（１当量）と、式：Ｒ^１５−Ｗ^１で表される化合物（２当量）とを、パラジウム触媒下で反応させることにより、式（Ｘ２ａ）で表される金属錯体へと変換することができる。

式（Ｘ１ｂ）で表される金属錯体の好ましい形態である下記式（Ｘ１ｃ）で表される金属錯体は、例えば、下記の方法で合成することができる。また、式（Ｘ２ｂ）で表される金属錯体の好ましい形態である下記式（Ｘ２ｃ）で表される金属錯体は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式（ＬＸ１）、（Ｘ１ｄ）、（Ｘ１ｃ）、（ＬＸ２）、（Ｘ２ｄ）および（Ｘ２ｃ）中、Ｅ^１〜Ｅ^３、Ｒ^１〜Ｒ^７、Ｒ^１１〜Ｒ^１４および環Ａは、前記と同じ意味を表す。］

まず、式（ＬＸ１）で表される化合物と、塩化イリジウム三水和物とを反応させることにより、式（Ｘ１ｄ）で表される金属錯体を合成する。また、式（ＬＸ２）で表される化合物と、塩化イリジウム三水和物とを反応させることにより、式（Ｘ２ｄ）で表される金属錯体を合成する。

この反応は、通常、有機溶媒中で行う。有機溶媒としては、反応が円滑に進むため、極性溶媒が好ましい。このような極性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。溶媒としては、極性溶媒と水の混合溶媒でもよい。混合溶媒としては、例えば、水／２−エトキシエタノールの混合溶媒が挙げられる。極性溶媒／水の混合比は任意の割合で用いることができるが、式（ＬＸ１）および（ＬＸ２）で表される化合物を高温で溶解できるので、１０／１〜１／１の範囲内であることが好ましい。

反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃〜溶媒の沸点が好ましく、５０℃〜２００℃の範囲内であることがより好ましい。

反応時間は、通常、３０分〜５０時間であり、３０分〜２４時間の範囲内であることが好ましい。

次に、式（Ｘ１ｄ）で表される金属錯体と、式（ＬＸ１）で表される化合物とを、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で反応させることにより、式（Ｘ１ｃ）で表される金属錯体を合成することができる。また、式（Ｘ２ｄ）で表される金属錯体と、式（ＬＸ２）で表される化合物とを、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で反応させることにより、式（Ｘ２ｃ）で表される金属錯体を合成することができる。

式（ＬＸ１）で表される化合物の量は、式（Ｘ１ｄ）で表される金属錯体に対して、通常、２〜３０当量であり、好ましくは、２〜１０当量である。また、式（ＬＸ２）で表される化合物の量は、式（Ｘ２ｄ）で示される金属錯体に対して、通常、２〜３０当量であり、好ましくは、２〜１０当量である。塩化銀化合物の量は、式（Ｘ１ｄ）で表される金属錯体に対して、通常、２〜２０当量であり、好ましくは２〜５当量である。また、塩化銀化合物の量は、式（Ｘ２ｄ）で表される金属錯体に対して、通常、２〜２０当量であり、好ましくは２〜５当量である。

反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃〜溶媒の沸点が好ましく、得られる金属錯体の純度が優れるため、５０℃〜１６０℃の範囲内であることがより好ましく、７０℃〜１３０℃の範囲内であることが更に好ましい。

反応時間は、通常、３０分〜７２時間であり、１時間〜４８時間の範囲内であることが好ましい。

式（Ｍ３）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ３）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。また、式（Ｍ４）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ４）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式（ＬＸ３）、（Ｘ３ａ）、（ＬＸ）、（Ｘ３）および（Ｘ４）中、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。］

まず、式（ＬＸ３）で表される化合物と、塩化イリジウム三水和物とを反応させることにより、式（Ｘ３ａ）で表される金属錯体を合成する。次に、式（Ｘ３ａ）で表される金属錯体と、式（ＬＸ）で表される化合物とを、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で反応させることにより、式（Ｘ３）で表される化合物を合成することができる。また、式（Ｘ３ａ）で表される金属錯体と、式：Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される化合物とを、反応させることにより、式（Ｘ４）で表される化合物を合成することができる。

式（Ｍ５）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ５）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式（Ｘ５）および（Ｘ５ａ）中、
Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、Ｒ^１５、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。Ｗ^１は前記と同じ意味を表す。但し、式（Ｘ５）において、Ｒ^１５と結合する環ＢにおけるＥ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＲ^１５と結合する。Ｅ^４とＲ^１５とが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＲ^１５とが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＲ^１５とが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＲ^１５とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。］

より具体的には、式（Ｘ５ａ）で表される金属錯体（１当量）と、式：Ｒ^１５−Ｗ^１で表される金属錯体（１当量）とを、パラジウム触媒下で反応させることにより、式（Ｘ５）で表される金属錯体へと変換することができる。

式（Ｘ５ａ）で表される金属錯体の好ましい形態は、式（Ｘ２ｂ）で表される金属錯体であり、式（Ｘ２ｂ）で表される化合物と同様の方法で合成することができる。

式（Ｍ６）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ６）で表される化合物は、例えば、前記式（Ｘ６ａ）から下記の方法で合成することができる。

［式（Ｘ６）および（Ｘ６ａ）中、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。］

より具体的には、式（Ｘ６ａ）で表される化合物（１当量）と、式：Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される化合物（１当量）とを、反応させることにより、式（Ｘ６）で表される化合物へと変換することができる。

式（Ｘ６ａ）で表される金属錯体の好ましい形態は、式（Ｘ２ｄ）で表される金属錯体であり、式（Ｘ２ｄ）で表される金属錯体と同様の方法で合成することができる。

式（Ｍ７）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ７）で表される化合物は、例えば、下記式（Ｘ７ａ）で表される化合物から合成することができる。また、式（Ｍ８）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ８）で表される化合物は、例えば、下記式（Ｘ７ａ）で表される化合物から合成することができる。

［式（ＬＸ７ａ）、（ＬＸ７ｂ）、（Ｘ７ａ）、（ＬＸ）、（Ｘ７）および（Ｘ８）中、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｍ９）で表される化合物の好ましい形態である下記式（Ｘ９）で表される化合物は、例えば、下記式（Ｘ９ａ）で表される化合物から合成することができる。

［式（ＬＸ）、（ＬＸ９）、（Ｘ９ａ）および（Ｘ９）中、Ｅ^１〜Ｅ^７、Ｒ^１〜Ｒ^７、環Ａ、環Ｂ、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２およびＸ^１は、前記と同じ意味を表す。］

上記で合成された金属錯体の同定および分析は、元素分析、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、質量分析（ＭＳ）および赤外吸収（ＩＲ）分析等により行うことができる。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する。

本発明の組成物において、本発明の高分子化合物は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本発明の高分子化合物は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の発光効率は優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の高分子化合物と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の高分子化合物の含有量は、本発明の高分子化合物とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０５〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜５０重量部であり、より好ましくは０．５〜４０重量部である。

ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本発明の高分子化合物を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）および１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍｃＰ）等のカルバゾール骨格を有する化合物；１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）およびＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等のトリアリールアミン骨格を有する化合物；２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン骨格を有する化合物；トリフェニルトリアジン等のトリアリールトリアジン骨格を有する化合物；ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）および４，４’−ビス（トリフェニルシリル）ビフェニル（ＢＳＢ）等の有機ケイ素化合物；１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ｔ−Ｂｕ−ＴＡＺ）および２−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）等のアゾール骨格を有する化合物；並びに、それらの骨格を組み合わせた化合物が挙げられる。該骨格を組み合わせた化合物としては，例えば、４，４'，４''−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）等のカルバゾール骨格およびトリアリールアミン骨格を有する化合物が挙げられる。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。また、ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、前記式（Ｙ１）、（Ｙ２）、（Ｙ３）および（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が挙げられる。なお、ホスト材料に用いられる高分子化合物は、前記式（１）〜（９）で表される構成単位は含まない。

ホスト材料に用いられる高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

本発明の高分子化合物および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式(X)で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、本発明の高分子化合物を含有する。

膜は、発光素子における発光層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子である。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。

［層構成］
本発明の高分子化合物を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の高分子化合物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料が挙げられる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数および厚さは、発光効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名 ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜実施例１＞ 化合物ＭＭ１の合成
化合物Ｌ１は「Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００６，１８，５１１９−５１２９」に記載の方法に従って合成した。

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、塩化イリジウム水和物（６７．０ｇ、０．１９ｍｏｌ）、化合物Ｌ１（１２７．８ｇ、０．４５６ｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（５７０ｍＬ）および水１９０ｍＬを加え、窒素ガスを３０分間通気した後、１０２℃で１８時間加熱した。得られた反応混合物を１５℃まで冷却後、水５７０ｍＬを加えて攪拌したところ、沈殿物が生じた。得られた沈殿物をろ過し、ろ過して得られた固体を水５００ｍＬで１回、へキサン５００ｍＬで１回洗浄した後、洗浄して得られた固体を回収することにより、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ１ａを１４１．５ｇ、収率９５％で得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１ａ（１４１．５ｇ、０．０９０ｍｏｌ）、化合物Ｌ１（２５２．１ｇ、０．９００ｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（４６．３ｇ、０．１８ｍｏｌ）およびジグライム３６０ｍＬを加え、窒素ガスを３０分間通気した後、１４７℃で２１時間加熱した。得られた反応混合物を冷却後、得られた沈殿物をろ過し、トルエンで洗浄した後、得られたろ液を濃縮した。得られたろ液濃縮物に水３６０ｍＬを加えて攪拌したところ、沈殿物が生じた。得られた沈殿物をろ過し、水２００ｍＬで１回、メタノール２００ｍＬで２回洗浄した。得られたろ取物を回収後、乾燥させることで、化合物ＭＭ１ｂの粗生成物を１７６ｇで得た。得られた粗生成物をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラムに通液した後、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒（ジクロロメタン／酢酸エチル＝５：１（ｖｏｌ／ｖｏｌ））をシリカゲルカラムに通液して分離精製を行った。その後、ジクロロメタンおよびメタノールの混合溶媒を用いた再結晶を３回行うことで、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ１ｂを１５８．１ｇ、収率８５％で得た。化合物ＭＭ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．１２％を示した。

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１ｂ（１１３．３ｇ、０．１１０ｍｏｌ）、化合物Ｌ２（１０３．１ｇ、０．２２０ｍｏｌ）およびトルエン１１００ｍＬを加え、窒素ガスを２０分間通気した後、炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌを２６４ｍＬ、０．５３ｍｏｌ）およびテトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）（６．３５６ｇ、０．００６ｍｏｌ）をさらに加え、窒素ガスを１０分間通気した後、７０℃で７時間加熱した。得られた反応混合物を冷却後、水層を除去し、食塩水５００ｍＬを加えて攪拌後、さらに水層を除去した。得られた有機層を濃縮し、化合物ＭＭ１ｃの粗生成物を２９２ｇで得た。得られた粗生成物をヘキサンおよびジクロロメタンの混合溶液に溶解させ、シリカゲルカラムに通液した後、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒をシリカゲルカラムに通液することで分離精製を行い、化合物ＭＭ１ｃおよび化合物ＭＭ１を分離した。その後、得られた化合物ＭＭ１ｃおよび化合物ＭＭ１のそれぞれについて、シリカゲルカラムによる精製を３回行い、ジクロロメタンおよびメタノールの混合溶媒を用いた再結晶を３回行うことで、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ１ｃおよび化合物ＭＭ１をそれぞれ得た。

化合物ＭＭ１ｃは、６１．８ｇ、収率３６．２％で得られた。化合物ＭＭ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は８６．５４％を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３−ｄ，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８１−７．７２（ｍ，８Ｈ），７．６２（ｄｄ，９Ｈ），７．４９（ｄｄ，８Ｈ），７．１８（ｄ，２Ｈ），６．９２（ｄ，１Ｈ），６．７９（ｔ，２Ｈ），６．６３（ｄ,１Ｈ），４．２６（ｓ，６Ｈ），４．２１（ｓ，３Ｈ），２．２６−２．１７（ｍ，３Ｈ），１．９７−１．８７（ｍ，３Ｈ），１．４４−１．１７（ｍ，４２Ｈ），０．７２（ｔ，９Ｈ）．

化合物ＭＭ１は、１２．９ｇ、収率９．１％で得られた。化合物ＭＭ１のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．１５％を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_３−ｄ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７４（ｄ，１Ｈ），７．６８−７．６５（ｍ，３Ｈ），７．５８−７．５４（ｍ，６Ｈ），７．４２（ｄ，４Ｈ），７．０８（ｄｄ，１Ｈ），６．８１（ｄｄ，１Ｈ），６．７９（ｄｄ，１Ｈ），６．６２（ｄ，１Ｈ），６．５０（ｄ，１Ｈ），６．４５（ｄ，１Ｈ），４．１６（ｓ，３Ｈ），４．１０（ｓ，６Ｈ），２．１５−２．０５（ｍ，３Ｈ），１．８４−１．７１（ｍ，３Ｈ），１．３４−１．２５（ｍ，２１Ｈ），１．１５−１．０１（ｍ，３Ｈ），０．６５−０．５９（ｍ，９Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＵＶ２５４ｎｍ−ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ^＋＝１２９０．４［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例２＞ 化合物ＭＭ２の合成

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１ｃ（６１．８ｇ、３９．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（３０．２ｇ、１１９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１．７ｇ、１１９ｍｍｏｌ）および無水ジオキサン３９８ｍＬを加え、窒素ガスを２０分間通気した後、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）のジクロロメタン錯体（１：１） （Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２・ＣＨ_２Ｃｌ_２、ＣＡＳ番号９５４６４−０５−４、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ． ＬＬＣ製、０．６５ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）をさらに加え、１０３℃で５．５時間加熱した。得られた反応混合物を室温まで冷却後、不溶物をろ過により除去し、ろ過残渣をトルエンで洗浄した。得られたろ液を濃縮し、化合物ＭＭ２ａの粗生成物を９９．７ｇで得た。得られた粗生成物をヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒（ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１（ｖｏｌ／ｖｏｌ））に溶解させ、シリカゲルカラムに通液した後、ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒（ヘキサン／酢酸エチル＝３：１（ｖｏｌ/ｖｏｌ））をシリカゲルカラムに通液することで分離精製を行うことで、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ２ａを３７．４ｇで得た。化合物ＭＭ２ａのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．６％を示した。シリカゲルカラムによる精製の残渣について、上記と同様のシリカゲルカラムによる精製を行い、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ２ａを１０．５ｇでさらに得た。化合物ＭＭ２ａのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９０．８％を示した。２段階で得られた化合物ＭＭ２ａの収率は７２．９％であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３−ｄ，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９４（ｓ，１Ｈ），７．８０−７．７２（ｍ，９Ｈ），７．６２（ｄ，８Ｈ），７．４９（ｄ，８Ｈ），７．１５（ｔ，２Ｈ），６．９０−６．７６（ｍ，３Ｈ），４．２８（ｓ,３Ｈ），４．２５（ｓ，３Ｈ），４．２３（ｓ，３Ｈ），２．２９−２．１５（ｍ，３Ｈ），１．９８−１．８６（ｍ，３Ｈ），１．４１−１．１７（ｍ，５４Ｈ），０．７２（ｔ，９Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ５＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ２ａ（４５．７ｇ、２８．６ｍｍｏｌ）、１，３，５-トリブロモベンゼン（４４．９５ｇ、１４３ｍｍｏｌ）、トルエン５７１ｍＬ、炭酸ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌを８６ｍＬ、８６ｍｍｏｌ）およびメチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．３５ｇ、８６．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素ガスを２０分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）（１．６５ｇ、１．４３ｍｍｏｌ）をさらに加え、窒素ガスを１０分間通気した後、１１０℃で３時間加熱した。得られた反応混合物を冷却後、水層を除去し、食塩水１００ｍＬを加えて攪拌後、さらに水層を除去した。得られた有機層を濃縮し、化合物ＭＭ２の粗生成物を１３０ｇで得た。得られた粗生成物をヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶液（ヘキサン／酢酸エチル＝５：１（ｖｏｌ/ｖｏｌ））に溶解させ、シリカゲルカラムに通液した後、ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒（ヘキサン／酢酸エチル＝２：１（ｖｏｌ/ｖｏｌ））をシリカゲルカラムに通液する分離精製を２回行った。その後、トルエンおよびメタノールの混合溶媒を用いた再結晶を１回、酢酸エチルおよびメタノールの混合溶媒を用いた再結晶を１回行うことで、黄色粉末として目的とする化合物ＭＭ２を３１．６ｇ、収率６５％で得た。
化合物ＭＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．６１％を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３−ｄ，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｓ，２Ｈ），７．７４（ｄ，６Ｈ），７．６４−７．５６（ｍ，１２Ｈ），７．４９（ｄ，８Ｈ），７．２１−７．１７（ｍ，２Ｈ），７．００（ｄ，１Ｈ），６．８７（ｄ,２Ｈ），６．７７（ｄ，１Ｈ），４．３０（ｓ，３Ｈ），４．２６（ｓ，６Ｈ），２．３０−２．２０（ｍ，３Ｈ），２．０５−１．８８（ｍ，３Ｈ），１．４０−１．１６（ｍ，４２Ｈ），０．７０（ｔ，９Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＵＶ２５４ｎｍ−ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ^＋＝１７０６．６［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例３＞ 化合物ＭＭ３の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、特開２０１３−１４７４５０号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＭＭ３ａ（３．５７ｇ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（９０ｍｌ）を加え、０℃に冷却した。その後、そこへ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（９０ｍｌ）に溶解させたＮ−ブロモスクシンイミド（１．５８ｇ）を、０℃にて４．５時間かけて滴下した後、０℃で３０分間攪拌した。その後、室温まで昇温し、０．１重量％亜硫酸ナトリウム水溶液を加え、室温で１５分間撹拌した。その後、そこへ、酢酸エチルおよびトルエンを加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した後、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエンおよび酢酸エチルの混合溶媒)で精製した。その後、酢酸エチルおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶し、次いで、酢酸エチルおよびヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥させることにより、化合物ＭＭ３（２．８０ｇ、収率６５％、黄色固体）を得た。化合物ＭＭ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６７（ｄ，２Ｈ），７．５９（ｄ，１Ｈ），７．００−６．８１(ｍ，４Ｈ)，６．６１（ｄ，１Ｈ），６．６０（ｔ，２Ｈ），４．２３（ｓ，９Ｈ），２．２７−２．１６（ｍ，３Ｈ），１．９４−１．８２（ｍ，３Ｈ），１．４１−１．２５（ｍ，６Ｈ），０．７４（ｔ，９Ｈ）．

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝９８８．１［Ｍ＋Ｋ］^＋

＜合成例１＞ 金属錯体ＥＭ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内において、塩化３−ブロモベンゾイル６．９２ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸エチル塩酸塩４．９５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を秤量し、クロロホルム１５０ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、トリエチルアミン８．０ｍＬ（６０ｍｍｏｌ）を含むクロロホルム溶液２０ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下にて１５時間室温撹拌した。得られた溶液を濃縮してからジクロロメタンに懸濁させ、イオン交換水で洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、無色の液体として化合物（Ｅ１ａ）を９．４７ｇ得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄｄ，１Ｈ）、７．６５−７．６３（ｍ，１Ｈ）、７．３１（ｔ，１Ｈ）、４．２９（ｑ，２Ｈ）、２．３６（ｔ，２Ｈ）、１．６０（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｔ，３Ｈ）０．８８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内において、化合物（Ｅ１ａ）９．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）をクロロホルム１００ｍＬに溶解させた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、メチルヒドラジン１．５２ｇ（３３ｍｍｏｌ）と水０．６ｍＬを含むとクロロホルム溶液１５ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下で７時間室温撹拌した。得られた反応溶液をイオン交換水で洗浄することにより得られた油層を濃縮し、シリカゲルカラムへ通した。ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製し、薄黄色液体として化合物（Ｅ１ｂ）を５．８ｇ（２１ｍｍｏｌ）、収率６９％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．６０（ｍ，２Ｈ）、７．３７（ｄｄ，１Ｈ）、３．９３（ｓ，３Ｈ）、２．７２（ｔ，２Ｈ）、１．８１（ｍ，２Ｈ）、１．０１（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内において、化合物（Ｅ１ｂ）１．３ｇ（４．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル２２００ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム１２５０ｍｇ（１１．６ｍｍｏｌ）を秤量し、エタノール５ｍＬ、水１０ｍＬおよびトルエン１０ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、テトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）２６０ｍｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を加えて、再び窒素ガス雰囲気下に置いた。得られた反応混合物を８０℃で１５時間加熱した。放冷後、得られた反応溶液をイオン交換水で洗浄し、得られた油層を濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムに通して、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。白色粉末として化合物（Ｅ１ｃ）を２．１８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、収率８８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１９（ｔ，１Ｈ）、７．９８（ｄｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｔ，１Ｈ）、７．８０（ｔ，１Ｈ）、７．７７（ｄｔ，４Ｈ）、７．６６（ｔ，１Ｈ）、７．５４（ｄｔ，４Ｈ）、４．０１（ｓ，３Ｈ）、２．６３（ｔ，２Ｈ）、１．７６（ｔｄ，２Ｈ）、１．３６（ｓ，１８Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内において、塩化イリジウム２２６ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）と化合物（Ｅ１ｃ）７６０ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を秤量し、水２ｍＬと２−ブトキシエタノール６ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とし、１７時間加熱還流した。放冷後、水、ジクロロメタンを注ぎ、得られた油層を洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、黄褐色の飴色固体として８４０ｍｇ得た。反応容器内において、得られた黄褐色の飴色固体８４０ｍｇと化合物（Ｅ１ｃ）１３００ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）を秤量し、反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、トリフルオロスルホン酸銀１６５ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、ジエチレングリコールジメチルエステル１．２５ｍＬを添加し、アルゴンガス雰囲気下において１５時間加熱還流した。放冷後、ジクロロメタンを注ぎ、得られた懸濁液を吸引ろ過した。得られたろ液を分液ロートに取り入れ洗浄し、得られた油層を回収後、濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通じて、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。得られた黄色固体をジクロロメタンおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶し、次いで、ジクロロメタンおよびヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶した。黄色粉末として燐光発光性化合物ＥＭ１[ｆａｃ−トリス（１−メチル−３−プロピル−５−（５−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）]を８５０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）、収率７３％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，３Ｈ）、７．７５（ｄ，６Ｈ）、７．７２（ｄ，３Ｈ）、７．６２（ｄ，１２Ｈ）、７．４８（ｄ，１２Ｈ）、７．２０（ｄｄ，３Ｈ）、６．８７（ｄ，３Ｈ）、４．２７（ｓ，９Ｈ）、２．２６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．９６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．３７（ｓ，５４Ｈ）、１．０５（ｍ，６Ｈ）、０．７３（ｔ，９Ｈ）．

高分子化合物Ｐ１〜Ｐ３の合成において用いた単量体ＣＭ１〜ＣＭ３の構造を下記表２に示す。

単量体ＣＭ１〜ＣＭ３は下記の方法に従って合成し、９９．５％以上のＨＰＬＣ面積百分率値を示したものを用いた。
単量体ＣＣ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＣ２は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ１は、特開２０１０―１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ２は、下記の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ３は、下記の方法に従って合成した。

＜合成例２＞ 単量体ＣＭ２の合成

３００ｍＬの三口フラスコに、化合物ＣＣ１（７．４ｇ，１０ｍｍｏｌ）、２−ヨード−５−ブロモ−ｍ−キシレン（９．３ｇ，３０ｍｍｏｌ）およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（０．２３ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）を加え、三口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した。その後、それぞれ予め１０分間アルゴンガスをバブリングすることにより溶存酸素を除去したトルエン（６０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（４０ｍＬ）およびイオン交換水（２０ｍＬ）を室温にて加え、その後、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３０ｇ，８ｍｍｏｌ）を更に加え、５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応溶液に、イオン交換水およびトルエンを加え、攪拌、静置した後に、分液を行った。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムにより乾燥させ、無機塩をろ別した。得られたろ液から溶媒を減圧留去した後に、アセトニトリルを加え、７０℃で３０分間攪拌し、室温まで冷却し、析出した固体をろ過により取り出した。得られた固体を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝１５／１（ｖ／ｖ（体積比であることを示す。以下同様。））により精製し、更に、再結晶（クロロホルム／アセトニトリル＝４／７（ｖ／ｖ））により精製し、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＣＭ２（４．７２ｇ）を白色固体として得た。収率は５５％であった。また、得られた化合物ＣＭ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．９９％以上を示した。必要に応じて、上記の操作を繰り返し行った。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．２３（ｍ，４Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７．１２−７．０７（ｍ，６Ｈ），６．９９−６．９５（ｍ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．９５（ｓ，１２H），１．５９−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．３２−１．１８（ｍ，１２Ｈ），０．８５（ｔ，６Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：８５０［Ｍ］+

＜合成例３＞ 単量体ＣＭ３の合成

（第一工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ２（４１．８７ｇ）、ビス（ピナコール）ジボロン（９１．９ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）のジクロロメタン錯体（１：１） （Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２・ＣＨ_２Ｃｌ_２、ＣＡＳ番号９５４６４−０５−４、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ． ＬＬＣ製、５．１５ｇ）、酢酸カリウム（７０．９６ｇ）および１，４−ジオキサン（市販脱水品、５００ｍＬ）の混合物を、８０℃のオイルバスで加熱しながら約８時間攪拌した後に、トルエン（５００ｍＬ）で希釈してからセライトおよびシリカゲルパッドに通液することにより不溶物を除去し、次いで、溶媒を留去することにより固体を得た。得られた固体にメタノール（７５０ｍＬ）を加え、よく攪拌した後に、固体をろ過により取り出し、減圧乾燥することにより、固体（５７ｇ）を得た。得られた固体をヘキサンに溶解させ、活性炭を加え、６０℃のオイルバスで加熱しながら１時間攪拌した後に、セライトろ過により、不溶物を除去し、次いで、溶媒を留去することにより白色固体を得た。得られた固体にメタノール（７５０ｍＬ）を加え、５０℃に加熱しながら１時間攪拌した後に、室温まで冷却してから、析出している固体をろ過により取り出し、減圧乾燥することにより、化合物ＣＣ２ａ（４０．５９ｇ）を得た。収率は８４％であった。得られた化合物ＣＣ２ａは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．７５（ｄ，４Ｈ），８．６８（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，４Ｈ），７．３９（ｄ，２Ｈ），２．７３（ｔ，２Ｈ），１．７１−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．５０−１．２０（ｍ，４２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ、ｐｏｓｉ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋＝７３０．５

（第二工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ２ａ（２５．５８ｇ）、５−ヨード−２−ブロモ−ｍ−キシレン（３２．７３ｇ）、トルエン（２１０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（１４０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（１１０ｍＬ）、イオン交換水（７０ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０４．２ｇ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．４５ｇ）の混合物を、４０℃に設定したオイルバスで加熱しながら４０時間攪拌した後、室温まで冷却し、トルエン（１４０ｍＬ）およびイオン交換水（１４０ｍＬ）を加え、有機層を分液により得た。得られた有機層を５重量％食塩水で洗浄した後に、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し、得られた固体をろ過により除去した後に、減圧濃縮により溶媒を留去することにより、茶色油状物（３７ｇ）を得た。得られた茶色油状物をトルエンで希釈してからシリカゲルショートカラムに通液し、減圧濃縮により溶媒を留去することにより黄色油状物を得た。得られた黄色油状物を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサンおよびクロロホルムの混合溶媒）により精製し、目的物を含むフラクションを減圧濃縮した後に、再結晶（トルエンおよびメタノールの混合溶媒）により精製し、得られた固体を減圧乾燥することにより、化合物ＣＭ３（６．１５ｇ）を得た。収率は２１％であった。得られた化合物ＣＭ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．９％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ₂Ｃｌ₂）：δ（ｐｐｍ）＝８．８６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ) ，７．３２（ｓ，４Ｈ），２．７５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），２．０７（ｓ，１２Ｈ），１．７５−１．６６（ｍｕｌｔ，２Ｈ)，１．４２−１．２２（ｍｕｌｔ，１８Ｈ)，０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ、ｐｏｓｉ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋＝８４２．３

＜実施例Ｐ１＞ 高分子化合物Ｐ１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記表３に示す単量体混合物Ｐ１ａおよびトルエン（４１ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．２２ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で、６時間攪拌することで、高分子化合物を含む反応液を得た。

（工程２）得られた反応液に、フェニルボロン酸（４４．３ｍｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．１８ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で１７時間攪拌した。

（工程３）得られた反応液に、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後に、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で４回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラムおよびシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１（１．６３８ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１のＭｎは５．４×１０^４であり、Ｍｗは１．２×１０^５であった。

＜実施例Ｐ２＞ 高分子化合物Ｐ２の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記表４に示す単量体混合物Ｐ２ａおよびトルエン（４７ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．１７ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で、６時間攪拌することで、高分子化合物を含む反応液を得た。

（工程２）得られた反応液に、フェニルボロン酸（４４．３ｍｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．６２ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で１７時間攪拌した。

（工程３）得られた反応液に、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後に、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で５回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラムおよびシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ２（１．９４５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ２のＭｎは１．０×１０^５であり、Ｍｗは２．８×１０^５であった。

＜合成例Ｐ３＞ 高分子化合物Ｐ３の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記表５に示す単量体混合物Ｐ３ａおよびトルエン（８４ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（７．１１ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．１ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で、４時間攪拌することで、高分子化合物を含む反応液を得た。

（工程２）得られた反応液に、フェニルボロン酸（９８．５ｍｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．５２ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．１ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で１９時間攪拌した。

（工程３）得られた反応液に、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後に、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で６回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラムおよびシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ３（３．２１０ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ３のＭｎは９．８×１０^４であり、Ｍｗは２．７×１０^５であった。

＜実施例Ｐ４＞ 高分子化合物Ｐ４の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記表６に示す単量体混合物Ｐ４ａおよびトルエン（３６ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。その後、そこへ、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．１６ｍｇ）および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で、７．５時間攪拌することで、高分子化合物を含む反応液を得た。

（工程２）得られた反応液に、フェニルボロン酸（４４．３ｍｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（３．１９ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．５ｇ）を加え、オイルバスの温度を１００℃とすることで更に加熱し、還流下で１５時間攪拌した。

（工程３）得られた反応液に、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後に、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で６回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラムおよびシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ４（１．４７９ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ４のＭｎは９．０×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。

＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製および評価
（発光素子ＣＤ１の作製）
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
クロロベンゼンにポリビニルカルバゾール（アルドリッチ社製）を０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）を１．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。
なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ３の全構成単位および金属錯体ＥＭ１の合計に対する、金属錯体ＥＭ１の割合は、７．３モル％である。

（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子ＣＤ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜比較例ＣＤ２＞ 発光素子ＣＤ２の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ３の全構成単位および金属錯体ＥＭ１の合計に対する、金属錯体ＥＭ１の割合は、１０．９モル％である。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜比較例ＣＤ３＞ 発光素子ＣＤ３の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝６０重量％／４０重量％）を用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ３の全構成単位および金属錯体ＥＭ１の合計に対する、金属錯体ＥＭ１の割合は、１４．５モル％である。
発光素子ＣＤ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および高分子化合物Ｐ２（高分子化合物Ｐ３／高分子化合物Ｐ２＝５０重量％／５０重量％）を用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ１を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３およびＰ２が含有されるが、高分子化合物Ｐ３およびＰ２の全構成単位に対する、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位の割合は、７．３モル％である。
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および高分子化合物Ｐ２（高分子化合物Ｐ３／高分子化合物Ｐ２＝２５重量％／７５重量％）を用いた以外は比較例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３およびＰ２が含有されるが、高分子化合物Ｐ３およびＰ２の全構成単位に対する、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位の割合は、１０．９モル％である。
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ３＞ 発光素子Ｄ３の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２を単独で用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ２が含有されるが、高分子化合物Ｐ２の全構成単位に対する、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位の割合は、１４．５モル％である。
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ４＞ 発光素子Ｄ４の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および高分子化合物Ｐ１（高分子化合物Ｐ３／高分子化合物Ｐ１＝５０重量％／５０重量％）を用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３およびＰ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ３およびＰ１の全構成単位に対する、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位の割合は、７．３モル％である。
発光素子Ｄ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ５＞ 発光素子Ｄ５の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ３および高分子化合物Ｐ１（高分子化合物Ｐ３／高分子化合物Ｐ１＝２５重量％／７５重量％）を用いた以外は比較例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ３およびＰ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ３およびＰ１の全構成単位に対する、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位の割合は、１０．９モル％である。
発光素子Ｄ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ６＞ 発光素子Ｄ６の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ１を単独で用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ１が含有されるが、高分子化合物Ｐ１の全構成単位に対する、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位の割合は、１４．５モル％である。
発光素子Ｄ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ７＞ 発光素子Ｄ７の作製および評価
比較例ＣＤ１における、高分子化合物Ｐ３および金属錯体ＥＭ１（高分子化合物Ｐ３／金属錯体ＥＭ１＝８０重量％／２０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ４を単独で用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。なお、該キシレン溶液には、高分子化合物Ｐ４が含有されるが、高分子化合物Ｐ４の全構成単位に対する、化合物ＭＭ３から誘導される構成単位の割合は、１４．５モル％である。
発光素子Ｄ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２における駆動電圧［Ｖ］、発光スペクトルピーク波長［ｎｍ］およびＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）を表７にそれぞれ示す。

これらの結果から、本発明の高分子化合物を用いた発光素子は、金属錯体ＥＭ１を用いた発光素子と比較して、駆動電圧に優れることがわかる。

Claims (5)

1. 下記式（２）で表される構成単位と、
   下記式（Ｙ１−２）で表される構成単位と、
   下記式（Ｙ２）で表される構成単位とを含む高分子化合物。
   

   

   [式（２）中、
   Ａｒは、芳香族炭化水素基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｌは、直接結合を表す。
   Ｍは、イリジウム原子を表す。
   ｎ１は２を表し、ｎ２は０を表す。
   Ｅ ^１、Ｅ^２ およびＥ ^３ は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２ およびＥ ^３ が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１、Ｅ^２およびＥ^３が窒素原子の場合、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、存在しても存在しなくてもよい。Ｅ ^４ 、Ｅ ^５ 、Ｅ ^６ およびＥ ^７ は、炭素原子を表す。但し、Ｅ ^４、Ｅ^５、Ｅ^６またはＥ^７はＬと結合する。Ｅ ^４とＬとが結合する場合、Ｒ^４は存在せず、Ｅ^５とＬとが結合する場合、Ｒ^５は存在せず、Ｅ^６とＬとが結合する場合、Ｒ^６は存在せず、Ｅ^７とＬとが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよいが、Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群から選ばれる少なくとも１つが、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）で表される基である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^５とＲ^６、および、Ｒ^６とＲ^７は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   環Ａは、炭素原子、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^２およびＥ^３とで構成されるトリアゾール環を表し、環Ｂは、２つの炭素原子、Ｅ^４、Ｅ^５、Ｅ^６およびＥ^７とで構成されるベンゼン環を表す。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、環を構成する炭素原子、酸素原子または窒素原子であってもよい。］
   

   

   ［式（Ｄｅｎｄ−Ａ）中、
   ｍ ^DA1 、ｍ ^DA2 およびｍ ^DA3 は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ ^DA1 は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ ^DA2 およびＴ ^DA3 は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   ［式（Ｙ１−２）中、
   Ｒ ^１ＹＡ は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ ^１ＹＡ は、同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ ^１ＹＢ は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ ^１ＹＢ は、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式（Ｙ２）中、
   Ａｒ^Ｙ２は、２価の芳香族複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の芳香族複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記Ｅ ^１ が炭素原子であり、Ｅ^２およびＥ^３が窒素原子である、請求項１に記載の高分子化合物。
3. 前記式（Ｙ２）で表される構成単位が、下記式（Ｙ２−２）で表される構成単位である、請求項１または２に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式（Ｙ２−２）中、
   Ａｒ^Ｙ２Ａは、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^Ｙ２Ａは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物を用いた発光素子。