JP6313249B2 - 処理システムの運転方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、処理システムの運転方法に関する。

半導体デバイスの製造工程において、例えば、基板上へのシリコン膜の成膜または基板上に形成されたシリコン膜の少なくとも一部の除去が減圧雰囲気において行われることがある。このとき、当該処理が行われる処理装置に接続された排気部の内部には、シリコンを含む副生成物が堆積する場合がある。副生成物が堆積すると、排気部の運転が阻害される可能性がある。
このため、排気部にシリコンを含む副生成物が堆積した場合であっても、当該排気部を運転できる技術が求められている。

特開平１０−７３０８８号公報

本発明が解決しようとする課題は、排気部にシリコンを含む副生成物が堆積した場合であっても、当該排気部を運転可能とする処理システムの運転方法を提供することである。

実施形態に係る処理システムの運転方法は、処理装置に接続された第１排気部の運転を停止する停止工程と、停止された第１排気部を加熱することで、第１排気部に堆積した、シリコンを含み粘性を有する液状の副生成物の粘度を低下させる工程と、副生成物の粘度が低下した状態で、加熱された第１排気部の運転を開始させる開始工程と、を有する。処理装置は、塩素含有ガスを用いて、基板上へのシリコン含有膜の成膜または基板上のシリコン含有膜の除去が行われるものである。

実施形態に係る処理システムの概略構成を表す図である。 処理装置の断面図である。 第１排気部の断面図である。 第２排気部の断面図である。 図４のＡ−Ａ´断面図である。 実施形態に係る処理システムの運転方法の一例である。

以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、実施形態に係る処理システム１の概略構成を表す図である。
処理システム１は、ガス供給系１０と、処理装置２０と、排気系３０と、制御部４０と、を有する。

ガス供給系１０は、例えば、第１ガス供給源１０１と、第２ガス供給源１０３と、第３ガス供給源１０５と、第１バルブ１１１と、第２バルブ１１３と、第３バルブ１１５と、を有する。第１バルブ１１１は、第１ガス供給源１０１に接続されている。第２バルブ１１３は、第２ガス供給源１０３に接続されている。第３バルブ１１５は、第３ガス供給源１０５に接続されている。

第１ガス供給源１０１には、例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）またはトリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ_３）などのシリコン含有ガスが貯蔵されている。第２ガス供給源１０３には、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）などの塩素含有ガスが貯蔵されている。第３ガス供給源１０５には、例えば、アルゴンや窒素などの不活性ガスが貯蔵されている。ガス供給系１０は、さらに他のガス供給源を有していてもよい。

それぞれのバルブに接続された配管は、処理装置２０の供給口２０１に接続されている。それぞれのバルブと供給口２０１との間に、不図示のマスフローコントローラーなどが設けられていても良い。また、排気系３０と接続された配管が設けられていても良い。

処理装置２０は、例えば、基板上への成膜を減圧雰囲気において行う、ＣＶＤ(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)装置である。処理装置２０は、基板上に形成された膜の少なくとも一部の除去を減圧雰囲気において行う、ＲＩＥおよびＣＤＥなどの反応性ガスを用いるエッチング装置であってもよい。

排気系３０は、処理装置２０の排気口２０２と接続されている。排気系３０は、例えば、圧力調整部３１と、バルブ３２と、第１排気部３３と、第２排気部３５と、バルブ３８と、除害装置３９と、を有する。排気系３０は、さらに、他の排気部またはガストラップ装置などを有していてもよい。

排気口２０２に接続された配管は、例えば、圧力調整部３１に接続されている。圧力調整部３１は、処理装置２０内の圧力を調整する機能を有しうる。圧力調整部３１は、例えば、バタフライバルブを有する。

圧力調整部３１の排気側には、バルブ３２を介して、第１排気部３３が接続されている。第１排気部３３は、例えば、高真空領域に適したポンプである。第１排気部３３の排気側には、第２排気部３５が接続されている。第２排気部３５は、例えば、第１排気部３３よりも低真空領域に適したポンプである。

第２排気部３５の排気側には、除害装置３９が接続されている。除害装置３９の内部には、ガスの有毒成分を吸着または分解する薬剤が設けられている。第１排気部３３および第２排気部３５から排気されたガスは、除害装置３９によって処理された後、外部空間へ排出される。第２排気部３５と除害装置３９との間には、バルブ３８が設けられている。

制御部４０は、例えばコンピューターであり、処理システム１に含まれる種々の要素における動作を制御しうる。例えば、制御部４０は、ガス供給系１０に含まれるそれぞれのバルブ、処理装置２０、および排気系３０に含まれるそれぞれの要素に、制御信号を送信可能に構成されている。

次に、処理装置２０がＣＶＤ装置である場合の、処理装置２０の詳細な構造の一例を、図２を用いて説明する。
図２は、処理装置２０の断面図である。

図２に表すように、処理装置２０は、処理容器２０３を有する。処理容器２０３の内部には、例えば、処理容器２０３と、基板ホルダ２０４と、ガス供給ヘッド２０５と、ビューポート２０６と、スリットバルブ２０７と、が設けられている。

処理装置２０は、プラズマを用いて成膜を行う装置であってもよい。その場合、処理装置２０は、さらに、電力供給アンテナおよび当該アンテナに接続されたマッチングボックスなどを有していてもよい。また、処理装置２０は、さらに、不図示のシールドを有していてもよい。

一例として、処理容器２０３の上部には、供給口２０１が設けられ、処理容器２０３の下部には、排気口２０２が設けられている。処理容器の供給口２０１は、例えば、ガス供給ヘッド２０５と連通している。ガス供給ヘッド２０５は、基板ホルダ２０４と対向する位置に設けられている。ガス供給ヘッド２０５の基板ホルダ２０４側には、例えば、多数の孔が設けられている。

基板ホルダ２０４は、基板Ｗに成膜を行う際の成膜レートの基板面内のばらつきを抑制するために、回転可能に構成されていてもよい。基板ホルダ２０４はさらに、基板ホルダ２０４とガス供給ヘッド２０５との間の距離を変更可能に構成されていてもよい。

基板ホルダ２０４は、例えば、基板支持部２０４１と、支柱２０４２と、支持板２０４３と、反射板２０４４と、ヒータ２０４５と、第１円筒部２０４６と、第２円筒部２０４７と、を有する。

基板支持部２０４１は、環状の部材であり、基板支持部２０４１の中央に基板Ｗが支持される。基板支持部２０４１は、第１円筒部２０４６に固定されている。第１円筒部２０４６は、第２円筒部２０４７に支持されている。第２円筒部２０４７の径は、第１円筒部２０４６の径よりも小さい。例えば、第２円筒部２０４７の一部は処理容器２０３の内部に設けられ、第２円筒部２０４７の他の一部は処理容器２０３の外部に設けられている。

ヒータ２０４５は、基板Ｗを加熱するために用いられうる。ヒータ２０４５は、例えば、輻射熱により基板Ｗの加熱を行う。ヒータ２０４５は、支柱２０４２内部を通る不図示の配線によって電源に接続されうる。ヒータ２０４５により加熱された基板Ｗの温度は、例えば、ビューポート２０６を通して放射温度計などにより測定される。

ヒータ２０４５は、反射板２０４４に支持されている。ヒータ２０４５は、支持板２０４３に支持されていてもよい。反射板２０４４は、例えば、ヒータ２０４５から発せられた光を基板Ｗの側へ反射するために設けられる。反射板２０４４は、支持板２０４３に支持されている。

支持板２０４３は、例えば、支柱２０４２により支持されている。第２円筒部２０４７と処理容器２０３との間には、例えば、不図示の磁性流体などが設けられ、第２円筒部２０４６は、処理容器２０３および支柱２０４２に対して回転可能に設けられる。第２円筒部２０４７が回転することで、第２円筒部２０４７と固定された第１円筒部２０４６および基板支持部２０４１と、基板支持部２０４１によって保持された基板Ｗと、が回転する。第２円筒部２０４７は、さらに上下に駆動可能に構成されていてもよい。

スリットバルブ２０７は、例えば、基板ホルダ２０４の側方に設けられる。処理容器２０３への基板Ｗの搬入および処理容器２０３からの基板Ｗの搬出は、スリットバルブ２０７を通して行われる。

次に、第１排気部３３の詳細な構造について説明する。第１排気部３３は、例えば、機械式ポンプである。具体的には、第１排気部３３は、ターボ分子ポンプまたはメカニカルブースターポンプでありうる。第１排気部３３がターボ分子ポンプである場合の一例を、図３を用いて説明する。
図３は、第１排気部３３の断面図である。

図３に表すように、第１排気部３３は、外部ケーシング３３１と、内部ケーシング３３２と、回動部材３３３と、固定部材３３４と、コネクタ３３５と、吸気口３３６と、排気口３３７と、ヒータ３３８と、モータ３３９と、温度検出部３４０と、を有する。

吸気口３３６を通して第１排気部３３に気体が流入し、排気口３３７を通して第１排気部３３から気体が排出される。

外部ケーシング３３１は、円筒状の部材である。外部ケーシング３３１の内部には、内部ケーシング３３２が設けられている。内部ケーシング３３２は、外部ケーシング３３１と同様の円筒状の部材であり、内側に複数の静翼３３２１を有する。複数の静翼３３２１は、回動部材３３３の回転軸に沿って並んでいる。外部ケーシング３３１および内部ケーシング３３２は、複数の部材を組み合わせることで構成されていてもよい。

内部ケーシング３３２の内側には、回動部材３３３が設けられている。回動部材３３３は、主軸３３３１と、ロータ３３３２と、を有する。ロータ３３３２は、複数の動翼３３３３を有している。複数の動翼３３３３は、回動部材３３３の回転軸に沿って並んでいる。静翼３３２１と動翼３３３３は、回動部材３３３の回転軸に沿って交互に設けられている。

主軸３３３１の回転軸方向における静翼３３２１の厚みは、吸気口３３６の側から排気口３３７の側に向けて、薄くなっている。同様に、当該回転軸方向における動翼３３３３の厚みも、吸気口３３６の側から排気口３３７の側に向けて、薄くなっている。

主軸３３３１がモータ３３９によって回転されることで、ロータ３３３２が回転し、それぞれの静翼３３２１の間を動翼３３３３が回転する。この動作によって気体が吸気口３３６から排気口３３７へ押し出され、処理容器２０３内が排気される。

固定部材３３４は、例えば、下部ラジアル磁気軸受３３４１と、上部ラジアル磁気軸受３３４２と、固定部３３４３と、を有する。固定部３３４３は、円筒状の部材であり、主軸３３３１の一部を囲うように設けられている。それぞれのラジアル磁気軸受は、固定部３３４３に固定されている。下部ラジアル磁気軸受３３４１および上部ラジアル磁気軸受３３４２により、主軸３３３１は、固定部材３３４に対して回動可能に保持される。

コネクタ３３５は、不図示の電源に接続される。コネクタ３３５によって固定部材３３４、ヒータ３３８、およびモータ３３９などの各部へ、電力が供給される。

ヒータ３３８は、例えば、外部ケーシング３３１の周りに、ロータ３３３２の少なくとも一部を囲うように設けられている。より具体的には、ヒータ３３８は、複数の静翼３３２１の少なくとも一部および複数の動翼３３３３の少なくとも一部を、主軸３３３１の回転軸に直交する面に沿って、囲んでいる。外部ケーシング３３１の周りに、環状に、複数のヒータ３３８が設けられていてもよい。

または、ヒータ３３８は、外部ケーシング３３１と内部ケーシング３３２との間に設けられていてもよい。この場合、ヒータ３３８は、例えば、内部ケーシング３３２の周りに環状に設けられる。

温度検出部３４０は、ヒータ３３８によって加熱される第１排気部３３の温度を検出可能に設けられている。温度検出部３４０は、検出した温度を制御部４０にフィードバック可能に構成されている。制御部４０は、温度検出部３４０から送られた情報に基づいて、ヒータ３３８の動作を制御することができる。

ヒータ３３８は、例えば、電熱線を用いて加熱を行うものである。または、ヒータ３３８は、輻射を用いて加熱を行うものであってもよい。ヒータ３３８には、その他の種々の構造を適用することができる。

次に、第２排気部３５の詳細な構造について説明する。第２排気部３５は、例えば、機械式ポンプである。具体的には、第２排気部３５は、ドライポンプでありうる。第２排気部３５が多段式ドライポンプである場合の一例を、図４および図５を用いて説明する。
図４は、第２排気部３５の断面図である。
図５は、図４のＡ−Ａ´断面図である。

図４に表すように、第２排気部３５は、吸気口３５１と、排気口３５２と、主軸３５３と、ロータ３５５〜３５９と、ポンプ室３６０〜３６４と、ガス輸送路３６０ａ〜３６３ａと、モータ３７１と、ケーシング３７２と、自由側ベアリング３７３と、固定側ベアリング３７４と、潤滑油３７５と、タイミングギア３７６と、ヒータ３７７と、温度検出部３７８と、を有する。

吸気口３５１から第２排気部３５に入った気体は、ケーシング３７２内のガス輸送路３６０ａ〜３６３ａを通過しながら、ポンプ室３６０〜３６４を順に流れ、吸気口３５１から排気される。それぞれのポンプ室には、ロータ３５５〜３５９のそれぞれが設けられている。

主軸３５３は、モータ３７１により回転される。各ロータは、主軸３５３と連結されており、主軸３５３が回転することで、それぞれのロータが、それぞれのポンプ室内で回転する。各ロータの主軸３５３の回転軸方向の厚みは、吸気口３５１から排気口３５２に向けて、薄くなっている。

それぞれのポンプ室には、２つのロータが設けられ、それぞれのロータは、各主軸と連結されている。例えば、図５に表すように、ポンプ室３６０内には、ロータ３５５ａと３５５ｂが設けられている。ロータ３５５ａは、主軸３５３ａと連結され、ロータ３５５ｂは、主軸３５３ｂと連結されている。ロータ３５５ａと３５５ｂが、互いに反対方向に回転することで、気体がガス輸送路３６０ａの側に排出される。

２つの主軸３５３ａと３５３ｂは、タイミングギア３７６によって、同じ回転速度で互いに反対方向に回転するように構成されている。また、主軸３５３は、固定側ベアリング３７４および自由側ベアリング３７３によって、ケーシング３７２に対して回動可能に構成されている。自由側ベアリング３７３側には、例えば、潤滑油３７５が設けられている。

ヒータ３７７は、ロータ３５５〜３５９を加熱できるように設けられている。ヒータ３７７は、例えば、ケーシング３７２の少なくとも一部を、主軸３５３の回転軸に対して直交する面に沿って囲んでいる。より具体的には、ヒータ３７７は、ロータ３５５〜３５９の少なくとも１つを囲むように設けられている。

温度検出部３７８は、ヒータ３７７によって加熱される第２排気部３５の温度を検出可能に設けられている。温度検出部３７８は、検出した温度を制御部４０にフィードバック可能に構成されている。制御部４０は、温度検出部３７８から送られた情報に基づいて、ヒータ３７７の動作を制御することができる。

ヒータ３７７は、例えば、電熱線を用いて加熱を行うものである。または、ヒータ３７７は、輻射を用いて加熱を行うものであってもよい。ヒータ３７７には、その他の種々の構造を適用しうる。ケーシング３７２には、さらに、不図示の冷媒を循環させるための流路が設けられていてもよい。

以上で説明した処理システム１において、処理装置２０および除害装置３９のメンテナンスを行う際の工程、およびメンテナンスが行われた後に基板Ｗの処理が行われる際の工程について、図６を用いて説明する。
図６は、実施形態に係る処理システム１の運転方法の一例である。

まず、バルブ３２およびバルブ３８を閉じる（ステップＳ６０１）。ただし、除害装置３９のメンテナンスのみが行われる場合は、バルブ３８のみを閉じてもよい。バルブ３２およびバルブ３８が閉じられることで、第１排気部３３および第２排気部３５を大気に暴露させることなく、処理装置２０および除害装置３９のメンテナンスを行うことができる。続いて、第１排気部３３および第２排気部３５の運転を停止する（ステップＳ６０２）。

その後、処理装置２０および除害装置３９のメンテナンスが行われる。これらの装置のメンテナンスが完了し、処理システム１の動作を再開させる場合、まず、第１排気部３３のヒータ３３８および第２排気部３５のヒータ３７７を動作させる（ステップＳ６０３）。このとき、ヒータ３３８によって静翼３３２１および動翼３３３３が加熱され、ヒータ３７７によってロータ３５５〜３５９が加熱される。

具体的には、ステップＳ６０３では、第１排気部３３および第２排気部３５の温度を、温度検出部３４０および３７８により検出しながら、これらの排気部が所定の温度（第１の温度）に達するまで、各ヒータで加熱を行う。

各ヒータによってそれぞれの排気部の温度が所定の温度に達した後、第１排気部３３および第２排気部３５の運転を開始する（ステップＳ６０４）。副生成物の影響により、回動部材３３３または主軸３５３への負荷が依然として大きい場合は、排気部の運転を停止させ、ヒータによるそれぞれの排気部への加熱を続ける。このとき、排気部の温度が第１の温度よりも高い第２の温度になるように、ヒータを動作させる。または、排気部を所定の時間停止させた後に、排気部の運転を開始してもよい。排気部の運転が停止している間、ヒータによる排気部の加熱が継続して行われているため、排気部の温度は第１の温度よりも高くなる。

ヒータ３３８および３７７は、処理装置２０および除害装置３９のメンテナンスが終了した後に動作させてもよいし、メンテナンスが終了する前に動作させてもよい。すなわち、メンテナンスが完了した後、各排気部の運転を開始する際に、各ヒータによってそれぞれの排気部の加熱が行われていれば、ヒータを動作させるタイミングは任意である。

第１排気部３３および第２排気部３５の運転を開始した後、ヒータ３３８および３７７を停止させる（ステップＳ６０５）。ただし、ヒータ３３８および３７７は、ステップＳ６０３の後であってステップＳ６０４の前に停止させてもよい。

ステップＳ６０３とＳ６０４の間でヒータの動作を停止させる場合であって、ステップＳ６０４において副生成物の影響により排気部を運転できない場合は、再度、各ヒータを動作させる。すなわち、各排気部が動作可能な状態になるまで、ステップＳ６０３が繰り返し行われる。

なお、排気部が過度に加熱されると、熱膨張により、静翼３３２１と動翼３３３３との接触、またはロータ３５５〜３５９とそれぞれのポンプ室の内壁との接触が生じうる。このため、制御部４０に各排気部の温度の上限値を登録し、制御部４０に、この上限値を超えないように各ヒータを動作させることが望ましい。または、この上限値に達した場合に、制御部４０が警告を発するように、制御部４０のプログラムを構成してもよい。

副生成物の影響が低減され、第１排気部３３および第２排気部３５の運転が開始された後、バルブ３２およびバルブ３８を開く（ステップＳ６０６）。このとき、圧力調整部３１が閉じられている場合は、圧力調整部３１を開く。圧力調整部３１、バルブ３２、およびバルブ３８が開放されることで、処理容器２０３内の排気が再開される。

処理容器２０３内の排気が行われ、処理容器２０３内が所定の圧力に達した後、処理容器２０３の内部に基板を搬入する（ステップＳ６０７）。ステップＳ６０２とステップＳ６０３の間で処理装置２０のメンテナンスが行われた場合は、処理容器２０３内に基板を搬入する前に、処理容器２０３内部のクリーニング工程およびコンディショニング工程などが行われても良い。

次に、第１ガス供給源１０１からシリコン含有ガスを、第２ガス供給源１０３から塩素含有ガスを、処理容器２０３内に導入し、基板Ｗの処理を行う。このとき、例えば、基板Ｗの上にシリコンを含有する膜が形成される（ステップＳ６０８）。より具体的には、例えば、基板Ｗの上にシリコン膜がエピタキシャル成長される。基板Ｗの上にシリコンを含有する膜を形成する場合、例えば、ヒータ２０４５によって基板Ｗの加熱を行ってもよい。

次に、処理容器２０３から基板Ｗを搬出する（ステップＳ６０９）。

以上のステップＳ６０６からステップＳ６０９が繰り返され、処理装置２０または除害装置３９のメンテナンスが必要になった際に、再度、ステップＳ６０１からステップＳ６０５が行われる。

上述したステップＳ６０１〜Ｓ６０９は、制御部４０によって自動で行われても良いし、人が、各要素に接続された端末を操作することで行ってもよい。

ここで、本実施形態に係る処理システムの運転方法による作用および効果について説明する。
シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスを用いて基板Ｗの処理を行った場合、排気系３０の各要素の内部には、粘性を有する液状の副生成物が堆積する場合がある。この液状の副生成物の粘度は、温度の上昇と共に低下する。

従って、この副生成物が第１排気部３３の内部に堆積した場合、第１排気部３３が運転している間は、回動部材３３３の動作により生じた熱によって副生成物の粘度が低下する。同様に、副生成物が第２排気部３５の内部に堆積した場合、第２排気部３５が運転している間は、主軸３５３およびロータ３５５〜３５９の動作により生じた熱によって副生成物の粘度が低下する。

しかし、各排気部の運転を停止した場合、それぞれの排気部内の温度が低下することで副生成物の粘度が増加する。この結果、各排気部を再び動作させる際に、副生成物によって排気部を動かすことができない場合が生じうる。

具体的には、第１排気部３３の内部では、静翼３３２１および動翼３３３３に付着した副生成物によって、動翼３３３３を、静翼３３２１に対して回動させることができなくなる。第２排気部３５の内部では、ロータと当該ロータが設けられたポンプ室とに付着した副生成物によって、ロータをポンプ室内で回転させることができなくなる。

これに対して、本実施形態に係る運転方法では、各排気部の運転を開始する前に、各排気部に設けられたヒータを動作させている。ヒータによって各排気部の内部が加熱されることで、各排気部の内部に堆積した副生成物の粘度が低下する。このため、排気部の運転を停止させた場合でも、再度排気部を動作させることが可能となる。

このような副生成物による課題は、ケイ素含有ガスがジクロロシランまたはトリクロロシランである場合に顕著となる。これらのケイ素含有ガスと塩素含有ガスとを用いた場合は、液状の副生成物がより形成されやすいためである。

液状の副生成物が形成される場合、ヒータによる加熱によって、副生成物に含まれる低分子が蒸発し、粘度が増加することがある。このため、ヒータによる排気部の加熱時間は、短いことが望ましい。従って、ヒータ３３８および３７７は、メンテナンスの後に動作が開始され、ステップＳ６０６の前に動作が停止されることが望ましい。

また、このような副生成物による課題は、排気部が機械式ポンプである場合に顕著となりうる。副生成物によって機械部品の動作が阻害されるためである。

さらに、基板Ｗの上にシリコン膜を形成する場合、基板Ｗの上に形成されたシリコン膜をエッチングする場合に比べて、それぞれの排気部に流れるシリコン含有ガスおよび塩素含有ガスの量が多くなる。このため、それぞれの排気部の内部に形成される副生成物の量が増加する。

従って、本実施形態に係る運転方法は、成膜を行う処理装置２０を有する処理システムに対してより効果的である。

なお、本実施形態では、第１排気部３３および第２排気部３５の２つの排気部を有する処理システム１について説明したが、処理システム１は１つの排気部のみを有していてもよい。この場合、処理システム１は、例えば、低真空領域に適した第２排気部３５のみを有しうる。あるいは、処理システム１は、より多くの排気部を有していてもよい。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１…処理システム １０…ガス供給系 ２０…処理装置 ３０…排気系 ３１…圧力調整部 ３３…第１排気部 ３５…第２排気部 ３８…バルブ ３９…除害装置 ４０…制御部 ２０３…処理容器 ２０４…基板ホルダ ２０７…スリットバルブ ３３３…回動部材 ３３４…固定部材 ３３６…吸気口 ３３７…排気口 ３３８…ヒータ ３５１…吸気口 ３５２…排気口 ３５５〜３５９…ロータ ３６０〜３６４…ポンプ室 ３７７…ヒータ

Claims (9)

1. 塩素含有ガスを用いて、基板上へのシリコン含有膜の成膜または基板上のシリコン含有膜の除去を行う処理装置に接続された第１排気部の運転を停止する停止工程と、
   前記停止された第１排気部を加熱することで、前記第１排気部に堆積した、シリコンを含み粘性を有する液状の副生成物の粘度を低下させる工程と、
   前記副生成物の粘度が低下した状態で、前記加熱された前記第１排気部の運転を開始させる開始工程と、
   を備えた処理システムの運転方法。
2. 前記開始工程において、前記第１排気部を加熱した状態で、前記第１排気部の運転を開始させる請求項１記載の処理システムの運転方法。
3. 塩素含有ガスを用いて、基板上へのシリコン含有膜の成膜または基板上のシリコン含有膜の除去を行う処理装置に接続された第１排気部の運転を停止する停止工程と、
   前記停止された第１排気部を、第１温度まで加熱する工程と、
   前記第１温度に加熱された前記第１排気部の運転を開始させる第１開始工程と、
   前記第１温度に加熱された前記第１排気部への負荷が所定以上の場合には、前記第１排気部の運転を停止させ、前記停止された第１排気部を、前記第１温度よりも高い第２温度まで加熱する工程と、
   前記第２温度に加熱された前記第１排気部の運転を開始させる第２開始工程と、
   を備えた処理システムの運転方法。
4. 前記第１開始工程及び前記第２開始工程において、前記第１排気部を加熱した状態で、前記第１排気部の運転を開始させる請求項３記載の処理システムの運転方法。
5. 前記停止工程において、さらに、前記第１排気部の排気側に接続された第２排気部の運転を停止する請求項１〜４のいずれか１つに記載の処理システムの運転方法。
6. 前記第１排気部は、機械式ポンプである請求項１〜５のいずれか１つに記載の処理システムの運転方法。
7. 前記停止工程の後であって、前記第１排気部を加熱する前に、前記第１排気部の排気側に接続された除害装置のメンテナンスを行う請求項１〜６のいずれか１つに記載の処理システムの運転方法。
8. 前記処理装置は、前記基板上へのシリコン含有膜の成膜を行うものであって、
   前記処理装置の内部に前記基板を搬入する工程と、
   前記処理装置の内部において、シリコン含有ガスおよび前記塩素含有ガスを用いて前記基板上に前記シリコン含有膜の形成を行う工程と、
   前記シリコン含有膜が形成された前記基板を前記処理装置から搬出する工程と、
   をさらに備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載の処理システムの運転方法。
9. 前記シリコン含有ガスは、ジクロロシランまたはトリクロロシランである請求項８記載の処理システムの運転方法。

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