JP6313249B2 - 処理システムの運転方法 - Google Patents
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Description
このため、排気部にシリコンを含む副生成物が堆積した場合であっても、当該排気部を運転できる技術が求められている。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
処理システム1は、ガス供給系10と、処理装置20と、排気系30と、制御部40と、を有する。
図2は、処理装置20の断面図である。
図3は、第1排気部33の断面図である。
図4は、第2排気部35の断面図である。
図5は、図4のA−A´断面図である。
図6は、実施形態に係る処理システム1の運転方法の一例である。
シリコン含有ガスおよび塩素含有ガスを用いて基板Wの処理を行った場合、排気系30の各要素の内部には、粘性を有する液状の副生成物が堆積する場合がある。この液状の副生成物の粘度は、温度の上昇と共に低下する。
Claims (9)
- 塩素含有ガスを用いて、基板上へのシリコン含有膜の成膜または基板上のシリコン含有膜の除去を行う処理装置に接続された第1排気部の運転を停止する停止工程と、
前記停止された第1排気部を加熱することで、前記第1排気部に堆積した、シリコンを含み粘性を有する液状の副生成物の粘度を低下させる工程と、
前記副生成物の粘度が低下した状態で、前記加熱された前記第1排気部の運転を開始させる開始工程と、
を備えた処理システムの運転方法。 - 前記開始工程において、前記第1排気部を加熱した状態で、前記第1排気部の運転を開始させる請求項1記載の処理システムの運転方法。
- 塩素含有ガスを用いて、基板上へのシリコン含有膜の成膜または基板上のシリコン含有膜の除去を行う処理装置に接続された第1排気部の運転を停止する停止工程と、
前記停止された第1排気部を、第1温度まで加熱する工程と、
前記第1温度に加熱された前記第1排気部の運転を開始させる第1開始工程と、
前記第1温度に加熱された前記第1排気部への負荷が所定以上の場合には、前記第1排気部の運転を停止させ、前記停止された第1排気部を、前記第1温度よりも高い第2温度まで加熱する工程と、
前記第2温度に加熱された前記第1排気部の運転を開始させる第2開始工程と、
を備えた処理システムの運転方法。 - 前記第1開始工程及び前記第2開始工程において、前記第1排気部を加熱した状態で、前記第1排気部の運転を開始させる請求項3記載の処理システムの運転方法。
- 前記停止工程において、さらに、前記第1排気部の排気側に接続された第2排気部の運転を停止する請求項1〜4のいずれか1つに記載の処理システムの運転方法。
- 前記第1排気部は、機械式ポンプである請求項1〜5のいずれか1つに記載の処理システムの運転方法。
- 前記停止工程の後であって、前記第1排気部を加熱する前に、前記第1排気部の排気側に接続された除害装置のメンテナンスを行う請求項1〜6のいずれか1つに記載の処理システムの運転方法。
- 前記処理装置は、前記基板上へのシリコン含有膜の成膜を行うものであって、
前記処理装置の内部に前記基板を搬入する工程と、
前記処理装置の内部において、シリコン含有ガスおよび前記塩素含有ガスを用いて前記基板上に前記シリコン含有膜の形成を行う工程と、
前記シリコン含有膜が形成された前記基板を前記処理装置から搬出する工程と、
をさらに備えた請求項1〜7のいずれか1つに記載の処理システムの運転方法。 - 前記シリコン含有ガスは、ジクロロシランまたはトリクロロシランである請求項8記載の処理システムの運転方法。
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