JP6311887B2 - Light emitting element substrate and light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は発光素子用基板および発光装置に係り、詳しくは、発光素子が実装される発光素子用基板と、その発光素子用基板を用いた発光装置とに関するものである。   The present invention relates to a light emitting element substrate and a light emitting device, and more particularly to a light emitting element substrate on which a light emitting element is mounted and a light emitting device using the light emitting element substrate.

特許文献1には、アルミナ、AlN、Siにより形成されて発光素子が実装される実装基板と、前記実装基板を支持する放熱基板とを備え、前記放熱基板はCuより熱膨張率の低い金属およびCuからなる複合材料により形成され、前記実装基板はハンダまたは接着剤によって前記放熱基板に接合される発光モジュールが開示されている。
特許文献2には、コア金属の表面にアルミナを添加したホーロー材料からなるホーロー層が設けられた発光素子実装用基板が開示されている。
Patent Document 1 includes a mounting substrate that is formed of alumina, AlN, and Si and on which a light emitting element is mounted, and a heat dissipation substrate that supports the mounting substrate, and the heat dissipation substrate includes a metal having a lower thermal expansion coefficient than Cu and There is disclosed a light emitting module which is formed of a composite material made of Cu and the mounting substrate is bonded to the heat dissipation substrate by solder or an adhesive.
Patent Document 2 discloses a light emitting element mounting substrate in which a hollow layer made of a hollow material in which alumina is added to the surface of a core metal is provided.

特許文献3には、光源用素子が実装される光源用基板であって、ベース基板と、前記ベース基板の前記光源用素子が実装される実装面側の面に形成された絶縁層と、前記絶縁層を介して前記実装面側に形成された配線パターンと、前記ベース基板の前記実装面側と反対側の面に形成された放熱層とを有し、前記ベース基板は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅系合金の金属基板であり、前記絶縁層は、セラミック、アルミナ、窒化アルミニウム、アルミアルマイトのいずれかにより形成され、前記放熱層は、アルミナ、窒化アルミニウム、アルミアルマイトのいずれかにより形成され、前記絶縁層および前記放熱層は、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、蒸着のいずれかの方法により形成される光源用基板が開示されている。   Patent Document 3 discloses a light source substrate on which a light source element is mounted, a base substrate, an insulating layer formed on a surface of the base substrate on which the light source element is mounted, A wiring pattern formed on the mounting surface side through an insulating layer; and a heat dissipation layer formed on a surface opposite to the mounting surface side of the base substrate. The base substrate is made of aluminum or an aluminum alloy. Copper, a copper-based alloy metal substrate, the insulating layer is formed of any one of ceramic, alumina, aluminum nitride, and aluminum alumite, and the heat dissipation layer is formed of any of alumina, aluminum nitride, and aluminum alumite The insulating layer and the heat dissipation layer are formed of a light source substrate formed by any one of plasma spraying, anodizing, spin coating, CVD, PVD, and vapor deposition. It is shown.

特開2011−103353号公報JP 2011-103353 A 特開2006−165029号公報JP 2006-165029 A 特許第4880358号公報Japanese Patent No. 4880358

特許文献1の技術では、実装基板と放熱基板の線膨張係数の違いにより、実装基板やハンダまたは接着剤に剪断応力が印加されてクラックが生じるという問題や、放熱基板の外周縁部が反り返って実装基板から剥離するという問題がある。
特許文献2の技術では、ホーロー層を形成するため、製造工程が複雑で製造コストが高いという問題がある。
In the technology of Patent Document 1, due to the difference in the linear expansion coefficient between the mounting board and the heat dissipation board, a problem that a shear stress is applied to the mounting board, solder, or adhesive causes cracks, or the outer peripheral edge of the heat dissipation board warps. There is a problem of peeling from the mounting substrate.
The technique of Patent Document 2 has a problem that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is high because the enamel layer is formed.

特許文献3の技術では、プラズマ溶射、陽極酸化、スピンコート、CVD、PVD、蒸着のいずれかの方法により絶縁層および放熱層を形成するため、絶縁層および放熱層の製造工程が複雑で製造コストが高いという問題や、絶縁層および放熱層の強度が低いという問題がある。   In the technique of Patent Document 3, the insulating layer and the heat dissipation layer are formed by any one of plasma spraying, anodic oxidation, spin coating, CVD, PVD, and vapor deposition. There is a problem that the strength of the insulating layer and the heat dissipation layer is low.

本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
(1)強度が高い上に、クラックや反り返りが生じることがなく、放熱性に優れた発光素子用基板を低コストに提供する。
(2)前記(1)の発光素子用基板を用いた発光装置を提供する。
The present invention has been made to solve the above problems, and has the following objects.
(1) A substrate for a light-emitting element that has high strength, is free from cracks and warps, and has excellent heat dissipation is provided at low cost.
(2) A light emitting device using the light emitting element substrate of (1) is provided.

本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。   As a result of intensive studies in order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have arrived at each aspect of the present invention as follows.

<第1の局面>
第1の局面は、
発光素子が実装される発光素子用基板であって、
金属基板と、
前記金属基板における前記発光素子が実装される実装面に形成された第1セラミックス層と、
前記第1セラミックス層における前記金属基板に接する面の反対面に形成されて前記発光素子に接続される配線層と、
前記金属基板における前記実装面の反対面に形成された第2セラミックス層と
を備え、
前記金属基板と前記各セラミックス層とは拡散接合によって接合されている。
<First aspect>
The first aspect is
A light-emitting element substrate on which the light-emitting element is mounted,
A metal substrate;
A first ceramic layer formed on a mounting surface on which the light emitting element is mounted on the metal substrate;
A wiring layer formed on a surface opposite to the surface in contact with the metal substrate in the first ceramic layer and connected to the light emitting element;
A second ceramic layer formed on the opposite surface of the mounting surface of the metal substrate,
The metal substrate and the ceramic layers are bonded by diffusion bonding.

第1の局面では、金属基板と各セラミックス層とが拡散接合によって接合されているため、各セラミックス層の強度を高くできると共に、発光素子用基板を低コストに製造することができる。
特に、各セラミックス層を形成するためのグリーンシートを金属基板に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートを焼成して各セラミックス層を形成するのと同時に、金属基板と各セラミックス層とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
In the first aspect, since the metal substrate and each ceramic layer are bonded by diffusion bonding, the strength of each ceramic layer can be increased, and the light emitting element substrate can be manufactured at low cost.
In particular, a laminate in which a green sheet for forming each ceramic layer is bonded to a metal substrate is heated and pressurized, and the green sheet is fired to form each ceramic layer. If diffusion bonding is used, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

また、第1の局面では、金属基板の表裏両面にそれぞれセラミックス層が形成されているため、金属基板の線膨張係数と各セラミックス層の線膨張係数との差が大きくても、金属基板と各セラミックス層との間に生じる剪断応力が抑制されることから、各セラミックス層にクラックが発生するのを防止できると共に、金属基板が反り返って各セラミックス層が剥離するのを防止できる。   In the first aspect, since the ceramic layers are formed on both the front and back surfaces of the metal substrate, even if the difference between the linear expansion coefficient of the metal substrate and the linear expansion coefficient of each ceramic layer is large, Since the shear stress generated between the ceramic layer and the ceramic layer is suppressed, it is possible to prevent the occurrence of cracks in each ceramic layer, and it is possible to prevent each ceramic layer from peeling off due to the metal substrate being warped.

また、第1の局面では、熱伝導性の高い金属基板を備えるため、単体のセラミックス基板を用いる場合に比べて放熱性に優れることから、発光素子が発生した熱を速やかに放熱することが可能であり、発光素子の故障を防止して長寿命化を図ることができる。
また、第1の局面では、第1セラミックス層の線膨張係数と発光素子の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層と発光素子との間に発生する剪断応力も小さくなることから、発光素子と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
In addition, in the first aspect, since a metal substrate having high thermal conductivity is provided, heat dissipation is superior to the case where a single ceramic substrate is used, and thus heat generated by the light emitting element can be quickly dissipated. Thus, failure of the light emitting element can be prevented and the life can be extended.
Further, in the first aspect, since the difference between the linear expansion coefficient of the first ceramic layer and the linear expansion coefficient of the light emitting element is small, the shear stress generated between the first ceramic layer and the light emitting element is also small. The connection between the light emitting element and the wiring layer can be prevented from being hindered.

<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、前記発光素子用基板を被取付物に取付部材を用いて取付固定するための固定部を更に備え、前記固定部における前記取付部材と当接する部分には前記第1セラミックス層が形成されておらず前記金属基板が露出している。
第2の局面では、取付部材が第1セラミックス層に当接しないため、取付部材からの印加力により第1セラミックス層にクラックが発生するのを防止できる。
<Second aspect>
According to a second aspect, in the first aspect, the light emitting device substrate further includes a fixing portion for fixing the light emitting element substrate to an attachment using an attachment member, and a portion of the fixing portion that contacts the attachment member. The first ceramic layer is not formed, and the metal substrate is exposed.
In the second aspect, since the mounting member does not contact the first ceramic layer, it is possible to prevent the first ceramic layer from being cracked by the applied force from the mounting member.

<第3の局面>
第3の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の対向する側辺に穿設された切欠を備え、
前記切欠の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記切欠の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている。
<Third aspect>
The third aspect is the second aspect,
The fixing portion is arranged and symmetrically arranged with respect to the center line of the light emitting element substrate, and includes a notch formed in opposite sides of the light emitting element substrate.
The peripheral edge of the notch is a part that contacts the mounting member,
The first ceramic layer is formed on the entire mounting surface of the metal substrate except for the peripheral edge of the notch.

第3の局面では、取付部材として雄ネジ、リベット、スナップ、割ピンなどを用い、その取付部材を固定部の切欠に挿通して被取付物に固定することが可能であるため、第2の局面を容易に実現できる。
また、第3の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
In the third aspect, since a male screw, a rivet, a snap, a split pin or the like is used as an attachment member, and the attachment member can be inserted into the notch of the fixing portion and fixed to the attachment object, The situation can be easily realized.
In addition, in the third aspect, since the fixing portions are arranged symmetrically with respect to the center line of the light emitting element substrate, a uniform force is applied to the entire surface of the light emitting element substrate to fix it to the attachment. Therefore, unnecessary deformation of the light emitting element substrate can be avoided, and cracks and peeling can be prevented from occurring in each ceramic layer.

<第4の局面>
第4の局面は、第2の局面において、
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の板厚方向に貫通形成された透孔を備え、
前記透孔の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記透孔の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
<Fourth aspect>
The fourth aspect is the second aspect,
The fixing portion is arranged to be symmetrical with respect to the center line of the light emitting element substrate, and includes a through hole formed to penetrate in the plate thickness direction of the light emitting element substrate
The peripheral portion of the through hole is a portion that comes into contact with the mounting member,
The first ceramic layer is formed on the entire surface of the mounting surface of the metal substrate except for the peripheral edge of the through hole.

第4の局面では、取付部材として雄ネジ、リベット、スナップ、割ピンなどを用い、その取付部材を固定部の透孔に挿通して被取付物に固定することが可能であるため、第2の局面を容易に実現できる。
また、第4の局面では、固定部が発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板の全面に均一な力を印加して被取付物に固定することが可能であり、発光素子用基板の不要な変形を回避して各セラミック層にクラックや剥離が発生するのを防止できる。
In the fourth aspect, since a male screw, a rivet, a snap, a split pin, or the like is used as the mounting member, and the mounting member can be inserted into the through hole of the fixing portion and fixed to the object to be attached, This aspect can be easily realized.
In addition, in the fourth aspect, since the fixing portions are arranged symmetrically with respect to the center line of the light emitting element substrate, a uniform force is applied to the entire surface of the light emitting element substrate and fixed to the attachment. Therefore, unnecessary deformation of the light emitting element substrate can be avoided, and cracks and peeling can be prevented from occurring in each ceramic layer.

<第5の局面>
第5の局面は、第3の局面または第4の局面において、前記第2セラミックス層は、前記周縁部を含めて前記金属基板における前記実装面の反対面の全面に形成されている。
第5の局面では、被取付物に対して発光素子用基板の裏面(第2セラミックス層)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板の取付強度および放熱性を高めることができる。
<5th aspect>
According to a fifth aspect, in the third or fourth aspect, the second ceramic layer is formed on the entire surface of the metal substrate opposite to the mounting surface including the peripheral edge.
In the fifth aspect, the entire back surface (second ceramic layer) of the light emitting element substrate can be brought into close contact with the attachment object, and the mounting strength and heat dissipation of the light emitting element substrate can be improved. .

<第6の局面>
第6の局面は、第1〜第5の局面において、前記金属基板は、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金から成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらの金属材料を用いれば第1〜第5の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
<Sixth aspect>
According to a sixth aspect, in the first to fifth aspects, the metal substrate is formed of any one metal selected from the group consisting of copper, a copper-based alloy, aluminum, and an aluminum-based alloy. If the metal material of this is used, the said effect | action and effect of the 1st-5th aspect will be acquired reliably.

<第7の局面>
第7の局面は、第1〜第6の局面において、前記各セラミックス層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンから成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されており、これらのセラミック材料を用いれば第1〜第6の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
<Seventh aspect>
In a seventh aspect, in each of the first to sixth aspects, each ceramic layer is formed of any one metal selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, and silicon carbide. If these ceramic materials are used, the operations and effects of the first to sixth aspects can be reliably obtained.

<第8の局面>
第8の局面では、第1〜第7の局面の発光素子用基板と、前記発光素子用基板に実装された発光素子とを備えた発光装置を提供できる。
<Eighth aspect>
In the eighth aspect, a light emitting device including the light emitting element substrate of the first to seventh aspects and the light emitting element mounted on the light emitting element substrate can be provided.

本発明を具体化した第1実施形態の発光装置10の平面図。The top view of the light-emitting device 10 of 1st Embodiment which actualized this invention. 発光装置10を雄ネジ50a,50bにより自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51に取付固定した状態を示す平面図。The top view which shows the state which attached and fixed the light-emitting device 10 to the heat sink 51 with which the headlamp of a motor vehicle is equipped with the external screws 50a and 50b. 発光装置10の縦断面の端面図であり、図1および図2に示すX−X矢視断面の端面図。3 is an end view of a longitudinal section of the light emitting device 10, and is an end view of a section taken along the line XX shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 発光装置10の製造方法を説明するための縦断面の端面図。FIG. 3 is an end view of a longitudinal section for explaining a method for manufacturing the light emitting device 10. 本発明を具体化した第2実施形態の発光装置100の平面図。The top view of the light-emitting device 100 of 2nd Embodiment which actualized this invention. 発光装置100を雄ネジ50a,50bによりヒートシンク51に取付固定した状態を示す平面図。The top view which shows the state which attached and fixed the light-emitting device 100 to the heat sink 51 with the external screws 50a and 50b.

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings. In each embodiment, the same constituent members and constituent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description of the same contents is omitted.
Moreover, in each drawing, in order to make the explanation easy to understand, the dimensional shape and arrangement location of the constituent members of each embodiment are schematically illustrated in an exaggerated manner, and the dimensional shape and arrangement location of each constituent member are the real thing. May not always match.

<第1実施形態>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の発光装置10は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層27、ソルダーレジスト層28、発光部30、LED(Light Emitting Diode)チップ31、バンプ32、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
<First Embodiment>
As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 10 of the first embodiment includes a light emitting element substrate 20 (light emitting portion mounting area 20 a), a metal substrate 21, fixing portions 22 a and 22 b (peripheral portion 22 c), a first portion. Reference hole 23, second reference hole 24, first ceramic layer 25, second ceramic layer 26, wiring layer 27, solder resist layer 28, light emitting unit 30, LED (Light Emitting Diode) chip 31, bump 32, phosphor plate 33, a sealing frame portion 34, a sealing resin portion 35, a thermistor 41, resistors 42a and 42b, a connector 43 (connection surface 43a), and the like, and an automobile headlamp using male screws 50a and 50b (seat surface 50c). Is mounted and fixed to the heat sink 51 (flat surface 51a, female screw holes 52a and 52b, reference projections 53 and 54).

発光素子用基板20は、金属基板21、固定部22a,22b、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層27、ソルダーレジスト層28などを備え、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に形成されている。
金属基板(ベース基板)21は、矩形状で金属の薄板材によって形成されている。
固定部22a,22bは、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺に穿設された略U字状の切欠を備える。
第1基準孔23は、固定部22bの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔である。
第2基準孔24は、固定部22aの近傍において、発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された長円形の透孔である。
The light emitting element substrate 20 includes a metal substrate 21, fixing portions 22a and 22b, a first reference hole 23, a second reference hole 24, a first ceramic layer 25, a second ceramic layer 26, a wiring layer 27, a solder resist layer 28, and the like. Are formed symmetrically with respect to the center line L of the light emitting device 10 (light emitting element substrate 20).
The metal substrate (base substrate) 21 has a rectangular shape and is formed of a thin metal plate material.
The fixing portions 22a, 22b are arranged and formed symmetrically with respect to the center line L of the light emitting device 10 (light emitting element substrate 20), and are formed on opposite sides of the light emitting element substrate 20 (metal substrate 21). A substantially U-shaped notch is provided.
The first reference hole 23 is a circular through hole formed in the vicinity of the fixing portion 22b in the thickness direction of the light emitting element substrate 20.
The second reference hole 24 is an oval through-hole formed in the vicinity of the fixing portion 22a in the thickness direction of the light emitting element substrate 20.

第1セラミックス層25は、金属基板21の表面(実装面)において、各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cを除く部分に形成されている。
第2セラミックス層26は、金属基板21の裏面の全面に形成されている。
配線層27は、第1セラミックス層23の表面に形成され、配線パターン(図示略)を構成する。
ソルダーレジスト層28は、第2セラミックス層26および配線層27の表面において、発光部搭載領域20aと、各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cと、配線層27と各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)との接続領域(図示略)とを除く部分に形成されている。
The first ceramic layer 25 is formed on the surface (mounting surface) of the metal substrate 21 at a portion excluding the peripheral portion 22c of the notches of the fixing portions 22a and 22b.
The second ceramic layer 26 is formed on the entire back surface of the metal substrate 21.
The wiring layer 27 is formed on the surface of the first ceramic layer 23 and constitutes a wiring pattern (not shown).
The solder resist layer 28 includes, on the surfaces of the second ceramic layer 26 and the wiring layer 27, the light emitting portion mounting area 20a, the peripheral edge portion 22c of each of the fixing portions 22a and 22b, the wiring layer 27, and each electronic component (thermistor 41). , Resistors 42a and 42b, and a connector 43).

発光部30は、LEDチップ31、バンプ32、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35などを備え、発光装置10(発光素子用基板20)の中心線Lに対して線対称に形成され、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの間に配置された発光部搭載領域20aに搭載されている。
同一構成の4個のLEDチップ31は略直方体であり、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの間において、一列に並べて配置されている。
各LEDチップ31の下面にはアノード電極およびカソード電極(図示略)が形成され、それら電極と配線層27とがバンプ32を介してフリップチップボンディングされている。
The light emitting unit 30 includes an LED chip 31, a bump 32, a phosphor plate 33, a sealing frame portion 34, a sealing resin portion 35, and the like, and is lined with respect to the center line L of the light emitting device 10 (light emitting element substrate 20). It is formed symmetrically and is mounted on the light emitting portion mounting area 20a disposed between the fixing portions 22a and 22b of the light emitting element substrate 20.
The four LED chips 31 having the same configuration are substantially rectangular parallelepiped, and are arranged in a line between the fixing portions 22a and 22b of the light emitting element substrate 20.
An anode electrode and a cathode electrode (not shown) are formed on the lower surface of each LED chip 31, and these electrodes and the wiring layer 27 are flip-chip bonded via bumps 32.

蛍光体板33は、矩形平板状であり、各LEDチップ31の上面に接着剤(図示略)を用いて取付固定されている。
封止枠部(ダム材)34は矩形環状(額縁状)であり、各LEDチップ31を取り囲むように配置され、発光素子用基板20の第1セラミックス層25の表面に形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34と封止枠部34の内部に設けられた各部材(LEDチップ31、バンプ32、蛍光体板33、第1セラミックス層25、配線層27)との間に充填されて前記各部材を封止している。
蛍光体板33の表面は封止樹脂部35から露出している。
The phosphor plate 33 has a rectangular flat plate shape, and is attached and fixed to the upper surface of each LED chip 31 using an adhesive (not shown).
The sealing frame portion (dam material) 34 has a rectangular annular shape (frame shape), is disposed so as to surround each LED chip 31, and is formed on the surface of the first ceramic layer 25 of the light emitting element substrate 20.
The sealing resin portion 35 includes a sealing frame portion 34 and each member (LED chip 31, bump 32, phosphor plate 33, first ceramic layer 25, wiring layer 27) provided inside the sealing frame portion 34. Each of the members is sealed by being filled in between.
The surface of the phosphor plate 33 is exposed from the sealing resin portion 35.

サーミスタ41は、チップ部品であり、発光装置10の中心線L上において、発光部30の近傍で各基準孔23,24の間に配置され、配線層27に接続されている。
各レジスタ42a,42bは、チップ部品であり、サーミスタ41の近傍で各基準孔23,24の間にて発光装置10の中心線Lに対して線対称に配置され、配線層27に接続されている。
コネクタ43は直方体状で配線層27に接続され、コネクタ43の接続面43aは、発光素子用基板20の各固定部22a,22bが形成されている辺とは異なる辺に隣接して配置されている。
The thermistor 41 is a chip component, is disposed between the reference holes 23 and 24 in the vicinity of the light emitting unit 30 on the center line L of the light emitting device 10, and is connected to the wiring layer 27.
Each of the registers 42 a and 42 b is a chip component, and is arranged in line symmetry with respect to the center line L of the light emitting device 10 between the reference holes 23 and 24 in the vicinity of the thermistor 41 and connected to the wiring layer 27. Yes.
The connector 43 has a rectangular parallelepiped shape and is connected to the wiring layer 27. The connection surface 43a of the connector 43 is disposed adjacent to a side different from the side where the fixing portions 22a and 22b of the light emitting element substrate 20 are formed. Yes.

[発光装置10の取付構造]
図2および図3に示すように、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51には、発光装置10を取付固定するための平坦面51aが形成されている。
ヒートシンク51の平坦面51aには、2個の雌ネジ穴52a,52bが螺設されていると共に、2個の基準突起53,54が突設されている。
基準突起53は横断面が円形状の突起物であり、基準突起53は横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第1基準孔23の横断面の寸法形状に対応している。
基準突起54は横断面が長円形状の突起物であり、基準突起54の横断面の寸法形状は、発光素子用基板20の第2基準孔24の横断面の寸法形状に対応している。
[Mounting structure of light emitting device 10]
As shown in FIGS. 2 and 3, a flat surface 51 a for mounting and fixing the light emitting device 10 is formed on the heat sink 51 provided in the headlamp of the automobile.
On the flat surface 51a of the heat sink 51, two female screw holes 52a and 52b are screwed and two reference projections 53 and 54 are projected.
The reference protrusion 53 is a protrusion having a circular cross section, and the reference protrusion 53 has a cross sectional dimension corresponding to a cross sectional dimension of the first reference hole 23 of the light emitting element substrate 20.
The reference protrusion 54 is a protrusion having an oval cross section, and the cross sectional dimension of the reference protrusion 54 corresponds to the cross sectional dimension of the second reference hole 24 of the light emitting element substrate 20.

発光装置10をヒートシンク51に取付固定するには、まず、発光素子用基板20の裏面側(第2セラミックス層26側)をヒートシンク51の平坦面51aに対向させた状態で、発光素子用基板20の各基準孔23,24をそれぞれ、ヒートシンク51の各基準突起53,54に嵌合させることにより、ヒートシンク51に対する発光装置10の位置決めを行う。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの切欠に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、図3に示すように、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの切欠の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
尚、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際には、第2セラミックス層26とヒートシンク51の平坦面51aとの間に、放熱用グリスを塗布するか、または、放熱用シートを挟設することが好ましく、そのようにすれば、発光装置10が発生した熱を放熱用グリスまたは放熱用シートを介して効率的に放熱することが可能になる。
In order to attach and fix the light emitting device 10 to the heat sink 51, first, the light emitting element substrate 20 with the back surface side (second ceramic layer 26 side) of the light emitting element substrate 20 facing the flat surface 51 a of the heat sink 51. The light emitting device 10 is positioned with respect to the heat sink 51 by fitting the reference holes 23 and 24 to the reference protrusions 53 and 54 of the heat sink 51, respectively.
Then, the cutouts of the fixing portions 22a and 22b in the light emitting element substrate 20 and the female screw holes 52a and 52b of the heat sink 51 are brought into a match state.
Accordingly, the male screws 50a and 50b are inserted into the notches of the fixing portions 22a and 22b, and the male screws 50a and 50b are screwed into the female screw holes 52a and 52b, thereby attaching the light emitting device 10 to the heat sink 51. Fix it.
Here, as shown in FIG. 3, the seat surface 50 c of the screw head of each male screw 50 a, 50 b is formed on the metal substrate 21 exposed from the peripheral portion 22 c of the notch of each fixing portion 22 a, 22 b in the light emitting element substrate 20. It is in close contact with the surface.
When the light emitting device 10 is attached and fixed to the heat sink 51, heat radiation grease is applied between the second ceramic layer 26 and the flat surface 51a of the heat sink 51, or a heat radiation sheet is sandwiched. Preferably, the heat generated by the light emitting device 10 can be efficiently radiated through the heat radiating grease or the heat radiating sheet.

コネクタ43の接続面43aに自動車のワイヤーハーネス(図示略)を接続すると、そのワイヤーハーネスからコネクタ43に印加された直流電源が、配線層27から成る配線パターンを経由してサーミスタ41と各レジスタ42a,42bと各LEDチップ31とから構成される回路に供給され、各LEDチップ31が点灯される。
発光装置10では、各LEDチップ31から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が蛍光体板33に含有される蛍光体を励起することにより波長変換された二次光(黄色光)とが混色され、その混色により生成された白色光が、発光装置10の光放射面である蛍光体板33の表面から放射される。
When an automobile wire harness (not shown) is connected to the connection surface 43a of the connector 43, the DC power applied to the connector 43 from the wire harness passes through the wiring pattern formed of the wiring layer 27 and the thermistor 41 and each register 42a. , 42b and each LED chip 31 is supplied, and each LED chip 31 is turned on.
In the light emitting device 10, primary light (blue light) emitted from each LED chip 31 and secondary light in which a part of the primary light is wavelength-converted by exciting the phosphor contained in the phosphor plate 33. (Yellow light) is mixed, and white light generated by the mixed color is emitted from the surface of the phosphor plate 33 which is a light emitting surface of the light emitting device 10.

[発光装置10の製造方法]
工程1(図4(A)を参照):プレス加工を用い、金属基板21に各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24(図4では図示無)を打ち抜き形成する。
また、各セラミックス層25,26を形成するための各グリーンシートGa,Gbの片面側にインサート金属Mの薄膜を貼着する。
そして、プレス加工を用い、各グリーンシートGa,Gbおよびインサート金属Mに各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24を打ち抜き形成する。
尚、グリーンシートは、セラミック材料とガラスなどの焼結助剤より成る原料粉末と、有機バインダーと可塑剤と溶剤とを混合してスラリー(液状混合物)を作製し、そのスラリーをドクターブレード成形機により柔軟性のあるシート材に加工したものである。
[Manufacturing Method of Light-Emitting Device 10]
Step 1 (see FIG. 4A): Using the press work, the fixing portions 22a and 22b and the reference holes 23 and 24 (not shown in FIG. 4) are punched and formed in the metal substrate 21.
Further, a thin film of insert metal M is attached to one side of each of the green sheets Ga and Gb for forming the ceramic layers 25 and 26.
Then, the fixing portions 22a and 22b and the reference holes 23 and 24 are punched and formed in the green sheets Ga and Gb and the insert metal M using press working.
The green sheet is prepared by mixing a raw material powder made of a sintering aid such as a ceramic material and glass, an organic binder, a plasticizer and a solvent to produce a slurry (liquid mixture), and the slurry is a doctor blade molding machine. Is processed into a flexible sheet material.

工程2(図4(B)を参照):金属基板21の各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24と、各グリーンシートGa,Gbおよびインサート金属Mの各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24との位置を合わせ、金属基板21の表面にインサート金属Mを挟んでグリーンシートGaを貼着すると共に、金属基板21の裏面にインサート金属Mを挟んでグリーンシートGbを貼着する。   Process 2 (refer FIG. 4 (B)): Each fixing | fixed part 22a, 22b and each reference hole 23,24 of the metal substrate 21, Each green sheet Ga, Gb, each fixing | fixed part 22a, 22b of each insert metal M, and each The positions of the reference holes 23 and 24 are aligned, and the green sheet Ga is adhered to the surface of the metal substrate 21 with the insert metal M interposed therebetween, and the green sheet Gb is adhered to the back surface of the metal substrate 21 with the insert metal M interposed therebetween. To do.

工程3(図4(C)を参照):真空または不活性ガス雰囲気中にて、金属基板21と各グリーンシートGa,Gbと各インサート金属Mとの積層物を加熱加圧する。
これにより、各グリーンシートGa,Gbを焼成(焼結)して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合法(熱圧着法)により接合する。
尚、JIS規格の定義において拡散接合とは、「母材を密着させ、母材の融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法」とされている。
Step 3 (see FIG. 4C): A laminate of the metal substrate 21, the green sheets Ga and Gb, and the insert metals M is heated and pressurized in a vacuum or an inert gas atmosphere.
Thereby, the green sheets Ga and Gb are fired (sintered) to form the ceramic layers 25 and 26, and at the same time, the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 are bonded to each other by a diffusion bonding method (thermocompression bonding method). To join.
In addition, in the definition of JIS standard, diffusion bonding means “diffusion of atoms generated between bonding surfaces by pressing the base material in close contact and pressurizing the base material to the extent that plastic deformation does not occur as much as possible. It is said that it is a method of joining using.

ここで、金属基板21と各グリーンシートGa,Gbとの間に挟まれているインサート金属Mは、液相拡散接合(TLP接合:Transient Liquid Phase Diffusion Bonding)により、一時的に溶融した後に拡散を利用して等温凝固して金属基板21および各セラミックス層25,26に接合し、それらの接合面における清浄化および密着化を図る機能があるため、金属基板21と各セラミックス層25,26との拡散接合を促進する。   Here, the insert metal M sandwiched between the metal substrate 21 and the green sheets Ga and Gb is diffused after being temporarily melted by TLP (Transient Liquid Phase Diffusion Bonding). The metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 are bonded by isothermal solidification and bonded to the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26, and the bonding surfaces of the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 are cleaned. Promote diffusion bonding.

工程4(図4(D)を参照):メッキ法を用い、第1セラミックス層25の全面に配線層27を形成する。
そして、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い、配線層27の不要部分を除去して配線パターンを形成する。
工程5(図4(E)を参照):印刷法を用い、第1セラミックス層25および配線層27の表面にソルダーレジスト層28を形成すると、発光素子用基板20が完成する。
Step 4 (see FIG. 4D): A wiring layer 27 is formed on the entire surface of the first ceramic layer 25 using a plating method.
Then, unnecessary portions of the wiring layer 27 are removed using a photolithography method and an etching method to form a wiring pattern.
Step 5 (see FIG. 4E): When the solder resist layer 28 is formed on the surfaces of the first ceramic layer 25 and the wiring layer 27 using a printing method, the light emitting element substrate 20 is completed.

工程6(図2を参照):発光素子用基板20に発光部30を形成する。まず、各LEDチップ31をバンプ32により配線層27にフリップチップボンディングし、次に、各LEDチップ31に蛍光体板33を取付固定し、続いて、第1セラミックス層25の表面に封止枠部34を形成し、その後に、封止樹脂部35を形成すると、発光部30が完成する。
そして、リフロー方式のハンダ付けを用い、各電子部品(サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43)を配線層27に接続すると、発光装置10が完成する。
Process 6 (refer FIG. 2): The light emission part 30 is formed in the board | substrate 20 for light emitting elements. First, each LED chip 31 is flip-chip bonded to the wiring layer 27 by the bump 32, and then the phosphor plate 33 is attached and fixed to each LED chip 31, and then a sealing frame is formed on the surface of the first ceramic layer 25. When the portion 34 is formed and then the sealing resin portion 35 is formed, the light emitting portion 30 is completed.
Then, when each electronic component (thermistor 41, resistors 42a and 42b, connector 43) is connected to the wiring layer 27 using reflow soldering, the light emitting device 10 is completed.

ところで、工程3の以降に、金属基板21および各セラミックス層25,26に対して、プレス加工を用いて各固定部22a,22bおよび各基準孔23,24を打ち抜き形成することも考えられるが、その場合には、硬度が高く脆い各セラミックス層25,26にクラックが生じるおそれがあるため不適である。   By the way, after Step 3, it is conceivable that the fixing portions 22a and 22b and the reference holes 23 and 24 are formed by punching the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26, respectively. In that case, the ceramic layers 25 and 26 having high hardness and brittleness may be cracked, which is not suitable.

[発光装置10の構成部材について]
発光素子用基板20の金属基板21は、高い熱伝導性と十分な強度とを有する金属材料によって形成され、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金などを用いればよい。
[Constituent Members of Light-Emitting Device 10]
The metal substrate 21 of the light emitting element substrate 20 is formed of a metal material having high thermal conductivity and sufficient strength. For example, copper, a copper alloy, aluminum, an aluminum alloy, or the like may be used.

これら金属材料のうち、銅は熱伝導性が高く、各セラミックス層25,26との拡散接合が容易であるため、最も好適である。
アルミニウムやアルミニウム系合金は、比重が小さいため発光装置10を軽量化できるものの、熱伝導性が銅や銅系合金よりも劣り、各セラミックス層25,26との拡散接合が困難である。
Among these metal materials, copper is most suitable because it has high thermal conductivity and can be easily diffusion bonded to the ceramic layers 25 and 26.
Aluminum and aluminum-based alloys can reduce the weight of the light-emitting device 10 because of their low specific gravity, but their thermal conductivity is inferior to copper or copper-based alloys, and diffusion bonding with the ceramic layers 25 and 26 is difficult.

第1実施形態の金属基板21は銅を用いており、平面寸法は18×19mm、板厚は1mmである。
金属基板21に銅を用いる場合、板厚の範囲は0.5〜3mmが適当であり、望ましくは1〜2mmである。
The metal substrate 21 of the first embodiment uses copper, has a planar dimension of 18 × 19 mm, and a plate thickness of 1 mm.
When copper is used for the metal substrate 21, the thickness range is suitably 0.5 to 3 mm, and preferably 1 to 2 mm.

金属基板21の板厚がこの範囲より厚くなると、熱抵抗が高くなり放熱性が低下することに加えて、コストが増加することになる。   If the thickness of the metal substrate 21 is larger than this range, the thermal resistance increases and the heat dissipation decreases, and the cost increases.

また、金属基板21の板厚がこの範囲より薄くなると、金属基板21に反り返りが発生し易くなり、各セラミックス層25,26が剥離することに加えて、ヒートシンク51との間に隙間が生じて熱伝導性が低下することになる。そして、金属基板21が反り返ると、各雄ネジ50a,50bにより発光装置10をヒートシンク51に螺着する際に、各雄ネジ50a,50bから発光素子用基板20に印加される応力が増大し、各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを助長することになる。
尚、板厚が1mmの銅板は流通量が多いため特に安価であることから、発光装置10の低コスト化を図ることができる。
Further, when the thickness of the metal substrate 21 is smaller than this range, the metal substrate 21 is likely to be warped, and in addition to the ceramic layers 25 and 26 being peeled, a gap is generated between the metal substrate 21 and the heat sink 51. Thermal conductivity will decrease. When the metal substrate 21 is warped, the stress applied to the light emitting element substrate 20 from the male screws 50a and 50b when the light emitting device 10 is screwed to the heat sink 51 by the male screws 50a and 50b increases. This promotes the occurrence of cracks and peeling in the ceramic layers 25 and 26.
Note that a copper plate having a thickness of 1 mm is particularly inexpensive because it has a large amount of circulation, so that the cost of the light emitting device 10 can be reduced.

発光素子用基板20における固定部22a,22bの切欠の寸法は、図1に示す第1実施形態では幅t=3.2mm、奥行d=3.6mmである。
固定部22a,22bの切欠の寸法は、発光装置10をヒートシンク51に取付固定する際に十分な強度が得られるような各雄ネジ50a,50bのネジ径に対応して設定すればよい。
In the first embodiment shown in FIG. 1, the cutout dimensions of the fixing portions 22a and 22b in the light emitting element substrate 20 are a width t = 3.2 mm and a depth d = 3.6 mm.
The dimensions of the notches of the fixing portions 22a and 22b may be set corresponding to the screw diameters of the male screws 50a and 50b so that sufficient strength can be obtained when the light emitting device 10 is attached and fixed to the heat sink 51.

各セラミックス層25,26は、高い絶縁性と十分な強度とを有するセラミック材料によって形成され、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ)、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンなどを用いればよい。   Each ceramic layer 25, 26 is formed of a ceramic material having high insulation and sufficient strength. For example, aluminum oxide (alumina), aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, or the like may be used.

これらセラミック材料のうち、酸化アルミニウムは、高硬度で且つ安価である上に、線膨張係数=7.2ppm/℃であり、LEDチップ31の線膨張係数=3.6ppm/℃と近く、第1セラミックス層25と各LEDチップ31との間に発生する剪断応力が小さくなることから、バンプ32にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能である上に、安価であるため最も好適である。
窒化アルミニウムは、線膨張係数=4.6ppm/℃であり、酸化アルミニウムよりもLEDチップ31の線膨張係数と近いため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能であり、熱伝導率=150W/(m・K)であり、酸化アルミニウムの熱伝導率=32W/(m・K)よりも高いため放熱性に優れるが、高価であるという欠点もある。
Among these ceramic materials, aluminum oxide has high hardness and is inexpensive, and also has a linear expansion coefficient = 7.2 ppm / ° C., and the linear expansion coefficient of the LED chip 31 is close to 3.6 ppm / ° C. Since the shear stress generated between the ceramic layer 25 and each LED chip 31 is reduced, it is possible to reliably prevent the bump 32 from being cracked or peeled, and it is most suitable because it is inexpensive. .
Aluminum nitride has a linear expansion coefficient of 4.6 ppm / ° C. and is closer to the linear expansion coefficient of the LED chip 31 than aluminum oxide, so that it is possible to reliably prevent cracks and peeling from occurring in the ceramic layers 25 and 26. The thermal conductivity is 150 W / (m · K), and the thermal conductivity of aluminum oxide is higher than 32 W / (m · K), so that the heat dissipation is excellent, but there is a disadvantage that it is expensive.

窒化シリコンは、線膨張係数=2.8ppm/℃であり、酸化アルミニウムよりもLEDチップ31の線膨張係数と近いため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを確実に防止可能であり、熱伝導率=27W/(m・K)で酸化アルミニウムと同等であり、靱性=7Mpa√mであり、酸化アルミニウムの靱性=4〜5Mpa√mよりも高いため第1セラミックス層25を薄くすることが可能であるが、高価であるという欠点もある。   Since silicon nitride has a linear expansion coefficient of 2.8 ppm / ° C. and is closer to the linear expansion coefficient of the LED chip 31 than aluminum oxide, it is possible to reliably prevent the ceramic layers 25 and 26 from cracking and peeling. Yes, thermal conductivity = 27 W / (m · K), equivalent to aluminum oxide, toughness = 7 Mpa√m, and aluminum oxide toughness = higher than 4-5 Mpa√m. It can be done, but it has the disadvantage of being expensive.

炭化シリコンは、線膨張係数=3.7ppm/℃でLEDチップ31と略同一であるため各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生するのを更に確実に防止可能であり、熱伝導率=200W/(m・K)で酸化アルミニウムよりも高いため放熱性に優れるが、高価であるという欠点もある。   Since silicon carbide is substantially the same as the LED chip 31 at a linear expansion coefficient of 3.7 ppm / ° C., it is possible to more reliably prevent the ceramic layers 25 and 26 from being cracked or peeled off, and the thermal conductivity = Since it is higher than aluminum oxide at 200 W / (m · K), it has excellent heat dissipation, but it also has the disadvantage of being expensive.

第1実施形態の各セラミックス層25,26は酸化アルミニウムを用いており、層厚は0.3mmである。
第1セラミックス層25に酸化アルミニウムを用いる場合、層厚の範囲は0.1〜0.5mmが適当であり、望ましくは0.2〜0.4mm、特に望ましくは0.3mmである。
The ceramic layers 25 and 26 of the first embodiment use aluminum oxide, and the layer thickness is 0.3 mm.
When aluminum oxide is used for the first ceramic layer 25, the range of the layer thickness is suitably 0.1 to 0.5 mm, desirably 0.2 to 0.4 mm, and particularly desirably 0.3 mm.

各セラミックス層25,26の層厚がこの範囲より厚くなると、熱抵抗が高くなり放熱性が低下することに加えて、コストが増加することになる上に、厚みによる線膨張の変位差が大きくなるため、各セラミックス層25,26内で層内破壊が発生し、各セラミックス層25,26が横方向(厚みと交差する方向)に破断することが懸念される。
また、各セラミックス層25,26の層厚がこの範囲より薄くなると、絶縁性が低下することに加えて、焼成時にクラックが発生し易くなる。
If the thickness of each ceramic layer 25, 26 is larger than this range, in addition to an increase in thermal resistance and a decrease in heat dissipation, the cost increases, and a displacement difference in linear expansion due to the thickness increases. Therefore, there is a concern that intra-layer fracture occurs in each ceramic layer 25, 26, and that each ceramic layer 25, 26 breaks in the lateral direction (direction intersecting with the thickness).
Further, if the thickness of each ceramic layer 25, 26 is thinner than this range, in addition to the decrease in insulation, cracks are likely to occur during firing.

尚、各セラミックス層25,26の材料および層厚が異なる場合には、各セラミックス層25,26の線膨張も異なるものになるため、その線膨張の差により各セラミックス層25,26に反り返りが生じ、各セラミックス層25,26にクラックや剥離が発生することになる。
従って、各セラミックス層25,26の材料および層厚は略同一にする必要がある。
When the ceramic layers 25 and 26 have different materials and layer thicknesses, the ceramic layers 25 and 26 have different linear expansions. Therefore, the ceramic layers 25 and 26 are warped due to the difference in linear expansion. As a result, the ceramic layers 25 and 26 are cracked or peeled off.
Therefore, the materials and layer thicknesses of the ceramic layers 25 and 26 need to be substantially the same.

インサート金属Mは、前記のように、接合部における拡散、接合面間の密着化、接合面に生じる酸化被膜の破壊と除去などの効果を促進するものであり、例えば、チタンやチタン系合金などを用いればよく、チタンやチタン系合金は金属およびセラミックスの両者と共有結合を介した化合物を形成するという特徴があるため、最も好適である。   As described above, the insert metal M promotes effects such as diffusion in the joint, adhesion between the joint surfaces, and destruction and removal of the oxide film generated on the joint surface. For example, titanium, titanium-based alloy, etc. Titanium and titanium-based alloys are most suitable because they form a compound through covalent bonds with both metals and ceramics.

配線層27は多層の金属層によって形成され、その層構成として、第1セラミックス層25側より、例えば、チタンまたはニッケルと白金と金とを積層した層構成、銅とニッケルと低純度金と高純度金とを積層した層構成などを用いればよい。   The wiring layer 27 is formed of a multi-layered metal layer. As the layer structure, for example, a layer structure in which titanium or nickel, platinum, and gold are laminated from the first ceramic layer 25 side, copper, nickel, low-purity gold, and high A layer structure in which pure gold is stacked may be used.

ソルダーレジスト層28に黒色のソルダーレジストを用いれば、発光部30から放射された光が発光素子用基板20の表面で不要に反射し、その反射光が光学制御されていない迷光となるのを防止可能であるため、その迷光がヘッドライトのレンズ(図示略)を介して意図しない領域へ放射されるのを防止できる。   If a black solder resist is used for the solder resist layer 28, the light emitted from the light emitting section 30 is unnecessarily reflected on the surface of the light emitting element substrate 20, and the reflected light is prevented from becoming stray light that is not optically controlled. Therefore, it is possible to prevent the stray light from being emitted to an unintended region via a headlight lens (not shown).

バンプ32は金・スズ合金のハンダバンプであり、金・スズ合金のハンダバンププは融点が約300℃と高いため、各LEDチップ31の発熱にも十分に耐えられる。
蛍光体板33は、蛍光体(例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系など)の微粒子を含有した透明材料(例えば、合成樹脂材料、ガラス材料など)によって形成されており、前記のように波長変換部材(波長変換層)として機能する。
封止枠部34は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)、光反射性のセラミックス材料(例えば、酸化アルミニウムなど)、光反射性の金属材料(例えば、アルミニウム合金など)などによって形成されている。
封止樹脂部35は、封止枠部34の前記微粒子と同様の光反射性の高い材料の微粒子を含有する合成樹脂材料によって形成されている。
The bumps 32 are gold / tin alloy solder bumps, and the gold / tin alloy solder bumps have a high melting point of about 300 ° C., and therefore can sufficiently withstand the heat generation of the LED chips 31.
The phosphor plate 33 is formed of a transparent material (for example, synthetic resin material, glass material, etc.) containing fine particles of a phosphor (for example, YAG (Yttrium Aluminum Garnet) type), and wavelength conversion is performed as described above. It functions as a member (wavelength conversion layer).
The sealing frame portion 34 is a white synthetic resin material (for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like) containing fine particles of a highly light-reflective material (for example, titanium oxide or aluminum oxide), or a light-reflective ceramic material. (For example, aluminum oxide), a light-reflective metal material (for example, aluminum alloy) or the like.
The sealing resin portion 35 is formed of a synthetic resin material containing fine particles of a material having high light reflectivity similar to the fine particles of the sealing frame portion 34.

[第1実施形態の作用・効果]
第1実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
[Operations and effects of the first embodiment]
According to the first embodiment, the following actions and effects can be obtained.

[1]発光素子用基板20には各LEDチップ31(各LEDチップ31)が実装され、金属基板21と、金属基板21における前記各LEDチップ31が実装される実装面に形成された第1セラミックス層25と、第1セラミックス層25における金属基板21に接する面の反対面に形成されて各LEDチップ31に接続される配線層27と、金属基板21における実装面の反対面に形成された第2セラミックス層26とを備え、金属基板21と各セラミックス層25,26とは拡散接合によって接合されている。   [1] Each LED chip 31 (each LED chip 31) is mounted on the light emitting element substrate 20, and a metal substrate 21 and a first surface formed on the mounting surface of the metal substrate 21 on which the LED chips 31 are mounted. The ceramic layer 25, the wiring layer 27 formed on the surface opposite to the surface of the first ceramic layer 25 in contact with the metal substrate 21 and connected to each LED chip 31, and the surface opposite to the mounting surface of the metal substrate 21 are formed. The second ceramic layer 26 is provided, and the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 are joined by diffusion bonding.

そのため、各セラミックス層25,26の強度を高くできると共に、発光素子用基板20を低コストに製造することができる。
特に、各セラミックス層25,26を形成するためのグリーンシートGa,Gbを金属基板21に貼着した積層物を加熱加圧し、グリーンシートGa,Gbを焼成して各セラミックス層25,26を形成するのと同時に、金属基板21と各セラミックス層25,26とを拡散接合すれば、製造工程が単純であるため製造コストを低減できる。
Therefore, the strength of the ceramic layers 25 and 26 can be increased, and the light emitting element substrate 20 can be manufactured at low cost.
In particular, a laminate in which green sheets Ga and Gb for forming the ceramic layers 25 and 26 are bonded to the metal substrate 21 is heated and pressurized, and the green sheets Ga and Gb are fired to form the ceramic layers 25 and 26. At the same time, if the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 are diffusion bonded, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

また、発光素子用基板20では、金属基板21の表裏両面にそれぞれ各セラミックス層25,26が形成されているため、金属基板21の線膨張係数と各セラミックス層25,26の線膨張係数との差が大きくても、金属基板21と各セラミックス層25,26との間に生じる剪断応力が抑制されることから、各セラミックス層25,26にクラックが発生するのを防止できると共に、金属基板21が反り返って各セラミックス層25,26が剥離するのを防止できる。   In the light emitting element substrate 20, the ceramic layers 25 and 26 are formed on both the front and back surfaces of the metal substrate 21. Therefore, the linear expansion coefficient of the metal substrate 21 and the linear expansion coefficient of the ceramic layers 25 and 26 are different from each other. Even if the difference is large, since the shear stress generated between the metal substrate 21 and the ceramic layers 25 and 26 is suppressed, it is possible to prevent the ceramic layers 25 and 26 from being cracked and to prevent the metal substrate 21. It is possible to prevent the ceramic layers 25 and 26 from peeling off and peeling off.

また、発光素子用基板20では、熱伝導性の高い金属基板21を備えるため、単体のセラミックス基板を用いる場合に比べて放熱性に優れることから、各LEDチップ31が発生した熱を速やかに放熱することが可能であり、各LEDチップ31の故障を防止して長寿命化を図ることができる。
また、発光素子用基板20では、第1セラミックス層25の線膨張係数と各LEDチップ31の線膨張係数との差が小さいため、第1セラミックス層25と各LEDチップ31との間に発生する剪断応力も小さくなることから、各LEDチップ31と配線層の接続が阻害されるのを防止できる。
In addition, since the light emitting element substrate 20 includes the metal substrate 21 having high thermal conductivity, the heat dissipation is superior to that in the case of using a single ceramic substrate, and thus the heat generated by each LED chip 31 is quickly dissipated. The failure of each LED chip 31 can be prevented and the life can be extended.
Further, in the light emitting element substrate 20, since the difference between the linear expansion coefficient of the first ceramic layer 25 and the linear expansion coefficient of each LED chip 31 is small, it occurs between the first ceramic layer 25 and each LED chip 31. Since the shear stress is also reduced, it is possible to prevent the connection between each LED chip 31 and the wiring layer from being hindered.

[2]発光素子用基板20は、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(被取付物)に雄ネジ50a,50b(取付部材)を用いて取付固定するための固定部22a,22bを備える。
固定部22a,22bは、発光素子用基板20の中心線Lに対して線対称に配置形成され、発光素子用基板20の対向する側辺に穿設された切欠を備える。
[2] The light emitting element substrate 20 includes fixing portions 22a and 22b for mounting and fixing to the heat sink 51 (attachment) provided in the headlamp of the automobile using male screws 50a and 50b (attachment members).
The fixing portions 22 a and 22 b are arranged and formed symmetrically with respect to the center line L of the light emitting element substrate 20, and are provided with notches formed on opposite sides of the light emitting element substrate 20.

固定部22a,22bの切欠の周縁部22cは、雄ネジ50a,50bの座面50cと当接する部分であり、周縁部22cには第1セラミックス層25が形成されておらず金属基板21が露出している。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの切欠に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
The peripheral portion 22c of the notch of the fixing portions 22a and 22b is a portion in contact with the seating surface 50c of the male screws 50a and 50b. The first ceramic layer 25 is not formed on the peripheral portion 22c and the metal substrate 21 is exposed. doing.
Therefore, since the seating surface 50c of the male screws 50a and 50b does not contact the first ceramic layer 25, it is possible to prevent the first ceramic layer 25 from being cracked by the applied force from the male screws 50a and 50b.
Then, the male screws 50 a and 50 b can be inserted into the notches of the fixing portions 22 a and 22 b and fixed to the heat sink 51.

また、固定部22a,22bが発光素子用基板20の中心線Lに対して線対称に配置形成されているため、発光素子用基板20の全面に均一な力を印加してヒートシンク51に固定することが可能であり、発光素子用基板20の不要な変形を回避して各セラミック層25,26にクラックや剥離が発生するのを防止できる。   Further, since the fixing portions 22 a and 22 b are arranged and formed symmetrically with respect to the center line L of the light emitting element substrate 20, a uniform force is applied to the entire surface of the light emitting element substrate 20 to fix it to the heat sink 51. It is possible to prevent unnecessary deformation of the light emitting element substrate 20 and prevent the ceramic layers 25 and 26 from cracking or peeling.

[3]第2セラミックス層26は、固定部22a,22bの切欠の周縁部22cを含めて金属基板21における裏面(実装面の反対面)の全面に形成されている。
そのため、ヒートシンク51に対して発光素子用基板20の裏面(第2セラミックス層26)の全面を密着させることが可能であり、発光素子用基板20の取付強度および放熱性を高めることができる。
[3] The second ceramic layer 26 is formed on the entire back surface (opposite surface of the mounting surface) of the metal substrate 21 including the peripheral portion 22c of the notches of the fixing portions 22a and 22b.
Therefore, the entire back surface (second ceramic layer 26) of the light emitting element substrate 20 can be brought into close contact with the heat sink 51, and the mounting strength and heat dissipation of the light emitting element substrate 20 can be increased.

<第2実施形態>
図5および図6に示すように、第2実施形態の発光装置100は、発光素子用基板20(発光部搭載領域20a)、金属基板21、固定部22a,22b(周縁部22c)、第1基準孔23、第2基準孔24、第1セラミックス層25、第2セラミックス層26、配線層、ソルダーレジスト層28、発光部30、LEDチップ31、バンプ、蛍光体板33、封止枠部34、封止樹脂部35、サーミスタ41、レジスタ42a,42b、コネクタ43(接続面43a)などを備え、雄ネジ50a,50b(座面50c)を用いて自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51(平坦面51a、雌ネジ穴52a,52b、基準突起53,54)に取付固定されている。
Second Embodiment
As shown in FIGS. 5 and 6, the light emitting device 100 according to the second embodiment includes a light emitting element substrate 20 (light emitting portion mounting area 20a), a metal substrate 21, fixing portions 22a and 22b (peripheral portion 22c), a first portion. Reference hole 23, second reference hole 24, first ceramic layer 25, second ceramic layer 26, wiring layer, solder resist layer 28, light emitting portion 30, LED chip 31, bump, phosphor plate 33, sealing frame portion 34 , A sealing resin portion 35, a thermistor 41, resistors 42a and 42b, a connector 43 (connection surface 43a) and the like, and a heat sink 51 (flat surface) included in a headlamp of an automobile using male screws 50a and 50b (seat surface 50c). 51a, female screw holes 52a and 52b, and reference projections 53 and 54).

第2実施形態の発光装置100において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは以下の事項である。
[ア]固定部22a,22bは、発光素子用基板20(金属基板21)の対向する側辺の近傍にて発光素子用基板20の板厚方向に貫通形成された円形の透孔を備える。
[イ]第1セラミックス層25は、金属基板21の表面(実装面)において、各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cを除く部分に形成されている。
[ウ]発光部30は、発光素子用基板20における各基準孔23,24の間に配置された発光部搭載領域20aに搭載されている。
The light emitting device 100 of the second embodiment differs from the light emitting device 10 of the first embodiment in the following matters.
[A] The fixing portions 22a and 22b include circular through-holes that are formed through the light emitting element substrate 20 in the thickness direction in the vicinity of the opposing sides of the light emitting element substrate 20 (metal substrate 21).
[A] The first ceramic layer 25 is formed on the surface (mounting surface) of the metal substrate 21 except for the peripheral portion 22c of the through holes of the fixing portions 22a and 22b.
[C] The light emitting unit 30 is mounted on the light emitting unit mounting region 20 a disposed between the reference holes 23 and 24 in the light emitting element substrate 20.

図6に示すように、発光装置100をヒートシンク51に取付固定するには、まず、発光素子用基板20の裏面側(第2セラミックス層26側)をヒートシンク51の平坦面51aに対向させた状態で、発光素子用基板20の各基準孔23,24をそれぞれ、ヒートシンク51の各基準突起53,54に嵌合させることにより、ヒートシンク51に対する発光装置100の位置決めを行う。
すると、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔と、ヒートシンク51の各雌ネジ穴52a,52bとが合致した状態になる。
そこで、各固定部22a,22bの透孔に各雄ネジ50a,50bを挿通し、各雄ネジ50a,50bを各雌ネジ穴52a,52bに螺着させることにより、発光装置100をヒートシンク51に取付固定する。
ここで、各雄ネジ50a,50bのネジ頭の座面50cは、発光素子用基板20における各固定部22a,22bの透孔の周縁部22cから露出した金属基板21の表面に密着している。
As shown in FIG. 6, in order to attach and fix the light emitting device 100 to the heat sink 51, first, the back surface side (second ceramic layer 26 side) of the light emitting element substrate 20 is opposed to the flat surface 51a of the heat sink 51. Thus, the light emitting device 100 is positioned with respect to the heat sink 51 by fitting the reference holes 23 and 24 of the light emitting element substrate 20 to the reference protrusions 53 and 54 of the heat sink 51, respectively.
Then, the through holes of the fixing portions 22 a and 22 b in the light emitting element substrate 20 and the female screw holes 52 a and 52 b of the heat sink 51 are brought into a match state.
Therefore, the male screws 50a and 50b are inserted into the through holes of the fixing portions 22a and 22b, and the male screws 50a and 50b are screwed into the female screw holes 52a and 52b, whereby the light emitting device 100 is attached to the heat sink 51. Mount and fix.
Here, the bearing surface 50c of the screw head of each male screw 50a, 50b is in close contact with the surface of the metal substrate 21 exposed from the peripheral edge portion 22c of the through hole of each fixing portion 22a, 22b in the light emitting element substrate 20. .

[第2実施形態の作用・効果]
第2実施形態によれば、第1実施形態の前記[1][3]の作用・効果が得られる。
そして、第2実施形態において、固定部22a,22bの透孔の周縁部22cは、雄ネジ50a,50bの座面50cと当接する部分であり、周縁部22cには第1セラミックス層25が形成されておらず金属基板21が露出している。
そのため、雄ネジ50a,50bの座面50cが第1セラミックス層25に当接しないため、雄ネジ50a,50bからの印加力により第1セラミックス層25にクラックが発生するのを防止できる。
そして、雄ネジ50a,50bを固定部22a,22bの透孔に挿通してヒートシンク51に固定することができる。
加えて、第2実施形態では、前記[ウ]により、発光部30をより精度よく位置決めすることが可能であるため、発光部30から放射される光の利用効率を高めることができる。
[Operation and Effect of Second Embodiment]
According to the second embodiment, the effects [1] and [3] of the first embodiment can be obtained.
And in 2nd Embodiment, the peripheral part 22c of the through-hole of fixing | fixed part 22a, 22b is a part contact | abutted with the seat surface 50c of external thread 50a, 50b, and the 1st ceramics layer 25 is formed in the peripheral part 22c. The metal substrate 21 is exposed.
Therefore, since the seating surface 50c of the male screws 50a and 50b does not contact the first ceramic layer 25, it is possible to prevent the first ceramic layer 25 from being cracked by the applied force from the male screws 50a and 50b.
The male screws 50 a and 50 b can be inserted into the through holes of the fixing portions 22 a and 22 b and fixed to the heat sink 51.
In addition, in the second embodiment, the light emitting unit 30 can be positioned with higher accuracy by the above [c], and thus the utilization efficiency of the light emitted from the light emitting unit 30 can be increased.

<別の実施形態>
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
<Another embodiment>
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be embodied as follows. Even in this case, operations and effects equivalent to or higher than those of the above-described embodiments can be obtained.

[A]LEDチップ11は、どのような半導体発光素子(例えば、LD(Laser Diode)など)に置き換えてもよい。   [A] The LED chip 11 may be replaced with any semiconductor light emitting element (for example, LD (Laser Diode)).

[B]発光装置10,100は、自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク51に限らず、どのような被取付物(例えば、ヘッドランプのケース(ハウジング)、屋内・屋外の照明器具など)に取り付けてもよい。   [B] The light-emitting devices 10 and 100 are not limited to the heat sink 51 provided in the headlamp of an automobile, but are attached to any attachments (for example, a headlamp case (housing), indoor / outdoor lighting fixtures, etc.). Also good.

[C]雄ネジ50a,50bは、固定部22a,22bの切欠または透孔に挿通して発光装置10,100を取付固定することが可能であれば、どのような取付部材(例えば、リベット、スナップ、割ピンなど)に置き換えてもよい。   [C] The male screws 50a and 50b may be any attachment member (for example, a rivet, etc.) as long as the light-emitting devices 10 and 100 can be attached and fixed through the notches or through holes of the fixing portions 22a and 22b. Snap, split pin, etc.) may be substituted.

[D]各LEDチップ31は、フリップチップボンディングに限らず、ワイヤボンディングによって配線層27と接続してもよい。   [D] Each LED chip 31 may be connected to the wiring layer 27 not only by flip chip bonding but also by wire bonding.

[E]各セラミックス層25,26となる各グリーンシートGa,Gbを金属基板21に貼着するのではなく、各セラミックス層25,26を予め焼成することにより作製しておき、その作製した各セラミックス層25,26と金属基板21を拡散接合させてもよい。   [E] Rather than sticking the green sheets Ga and Gb to be the ceramic layers 25 and 26 to the metal substrate 21, the ceramic layers 25 and 26 are prepared by firing in advance, The ceramic layers 25 and 26 and the metal substrate 21 may be diffusion bonded.

[F]低温同時焼成セラミックス(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)技術を利用し、銀などの導体を含んだペーストをスクリーン印刷法によって各グリーンシートGa,Gbの表面に印刷しておき、各セラミックス層25,26と金属基板21を拡散接合させるのと同時に、前記ペーストを焼成して配線層27を形成してもよい。   [F] Using a low temperature co-fired ceramics (LTCC) technology, a paste containing a conductor such as silver is printed on the surface of each green sheet Ga, Gb by screen printing, At the same time as the ceramic layers 25 and 26 and the metal substrate 21 are diffusion-bonded, the paste may be fired to form the wiring layer 27.

10…発光装置
20…発光素子用基板
21…金属基板
22a,22b…固定部
22c…周縁部
25…第1セラミックス層
26…第2セラミックス層
27…配線層
28…ソルダーレジスト層
30…発光部
31…LEDチップ(発光素子)
50a,50b…雄ネジ(取付部材)
51…自動車のヘッドランプが備えるヒートシンク(被取付物)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light-emitting device 20 ... Light-emitting element substrate 21 ... Metal substrate 22a, 22b ... Fixed part 22c ... Peripheral part 25 ... 1st ceramic layer 26 ... 2nd ceramic layer 27 ... Wiring layer 28 ... Solder resist layer 30 ... Light-emitting part 31 ... LED chip (light emitting element)
50a, 50b ... Male thread (mounting member)
51 ... Heat sink (attachment) provided in the headlamp of an automobile

Claims (8)

発光素子が実装される発光素子用基板であって、
金属基板と、
前記金属基板における前記発光素子が実装される実装面に形成された第1セラミックス層と、
前記第1セラミックス層における前記金属基板に接する面の反対面に形成されて前記発光素子に接続される配線層と、
前記金属基板における前記実装面の反対面に形成された第2セラミックス層と
を備え、
前記金属基板と前記各セラミックス層とは拡散接合によって接合された発光素子用基板。
A light-emitting element substrate on which the light-emitting element is mounted,
A metal substrate;
A first ceramic layer formed on a mounting surface on which the light emitting element is mounted on the metal substrate;
A wiring layer formed on a surface opposite to the surface in contact with the metal substrate in the first ceramic layer and connected to the light emitting element;
A second ceramic layer formed on the opposite surface of the mounting surface of the metal substrate,
The light emitting element substrate in which the metal substrate and the ceramic layers are bonded by diffusion bonding.
前記発光素子用基板を被取付物に取付部材を用いて取付固定するための固定部を更に備え、
前記固定部における前記取付部材と当接する部分には前記第1セラミックス層が形成されておらず前記金属基板が露出している、
請求項1に記載の発光素子用基板。
Further comprising a fixing portion for fixing the light emitting element substrate to an attachment using an attachment member,
The first ceramic layer is not formed on the portion of the fixed portion that contacts the mounting member, and the metal substrate is exposed.
The light emitting element substrate according to claim 1.
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の対向する側辺に穿設された切欠を備え、
前記切欠の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記切欠の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
請求項2に記載の発光素子用基板。
The fixing portion is arranged and symmetrically arranged with respect to the center line of the light emitting element substrate, and includes a notch formed in opposite sides of the light emitting element substrate.
The peripheral edge of the notch is a part that contacts the mounting member,
The first ceramic layer is formed on the entire surface of the mounting surface of the metal substrate except for a peripheral edge of the notch.
The light emitting element substrate according to claim 2.
前記固定部は、前記発光素子用基板の中心線に対して線対称に配置形成され、前記発光素子用基板の板厚方向に貫通形成された透孔を備え、
前記透孔の周縁部は前記取付部材と当接する部分であり、
前記第1セラミックス層は、前記透孔の周縁部を除いて、前記金属基板における前記実装面の全面に形成されている、
請求項2に記載の発光素子用基板。
The fixing portion is arranged to be symmetrical with respect to the center line of the light emitting element substrate, and includes a through hole formed to penetrate in the plate thickness direction of the light emitting element substrate
The peripheral portion of the through hole is a portion that comes into contact with the mounting member,
The first ceramic layer is formed on the entire surface of the mounting surface of the metal substrate except for the peripheral edge of the through hole.
The light emitting element substrate according to claim 2.
前記第2セラミックス層は、前記周縁部を含めて前記金属基板における前記実装面の反対面の全面に形成されている、
請求項3または請求項4に記載の発光素子用基板。
The second ceramic layer is formed on the entire surface of the metal substrate opposite to the mounting surface including the periphery.
The substrate for a light emitting device according to claim 3 or 4.
前記金属基板は、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金から成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光素子用基板。
The metal substrate is formed of any one metal selected from the group consisting of copper, a copper-based alloy, aluminum, and an aluminum-based alloy.
The light emitting element use substrate according to any one of claims 1 to 5.
前記各セラミックス層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコンから成るグループから選択されたいずれか一つの金属によって形成されている、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子用基板。
Each ceramic layer is formed of any one metal selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide,
The light emitting element use substrate according to any one of claims 1 to 6.
請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子用基板と、
前記発光素子用基板に実装された発光素子と
を備えた発光装置。
A substrate for a light emitting device according to any one of claims 1 to 7,
A light emitting device comprising: a light emitting element mounted on the light emitting element substrate.
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JP4880358B2 (en) * 2006-05-23 2012-02-22 株式会社光波 Light source substrate and illumination device using the same
JP2010073724A (en) * 2008-09-16 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd Light-emitting module
JP5483868B2 (en) * 2008-11-26 2014-05-07 京セラ株式会社 Plasma generating electrode and plasma reactor
JP5229123B2 (en) * 2009-06-12 2013-07-03 大日本印刷株式会社 Light emitting diode mounting substrate and manufacturing method thereof

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