JP6306707B2 - 基板上の集積受動デバイス(ipd) - Google Patents
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Description
いくつかの新規の特徴は、基板と、基板を横断する第1の空洞とを含む半導体デバイスに関連する。第1の空洞は、相互接続材料(たとえば、ハンダボール)によって占有されるように構成される。また、基板は第1の空洞の第1の側壁に結合される第1の金属層(たとえば、第1の側面金属層)も含む。基板はさらに、基板の第1の表面(たとえば、上面)上に第1の集積受動デバイス(IPD)を含み、第1のIPDは第1の金属層(たとえば、第1の側面金属層)に結合される。いくつかの実施態様では、基板はガラス基板である。いくつかの実施態様では、第1のIPDは少なくともキャパシタ、インダクタおよび/または抵抗器のうちの1つである。いくつかの実施態様では、半導体デバイスはさらに、基板の第2の表面(たとえば、底面)上に第2の集積受動デバイス(IPD)を含む。いくつかの実施態様では、第2のIPDは基板の第1の表面(たとえば、上面)上にある。第2のIPDは、第1の金属層(たとえば、第1の側面金属層)に結合される。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、第1の空洞の第2の側壁に結合される第2の金属層(たとえば、第2の側面金属層)も含む。いくつかの実施態様では、第1の金属層および第2の金属層は、異なる金属層とすることができるか、または同じ金属層とすることができる。いくつかの実施態様では、第1の金属層(たとえば、第1の側面金属層)および/または第2の金属層(たとえば、第2の側面金属層)は、貫通基板ビア(TSV:through substrate via)または貫通ガラスビア(TGV:through glass via)とすることができる。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、IPDパッドおよびボールパッドを備える集積回路(IC)に結合されるように構成されるウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイスである。いくつかの実施態様では、第1の側面金属層はICのIPDパッドに結合されるように構成される。
図2は、いくつかの実施態様における、新規の半導体デバイスに結合されるダイを概念的に示す。図2に示されるように、集積回路(IC)/ダイ200が半導体デバイス202に結合される。いくつかの実施態様では、IC/ダイ200は、ウェハレベルプロセスを用いて製造されるウェハレベルパッケージ(WLP)である。いくつかの実施態様では、半導体デバイス202は、ウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイス(たとえば、ウェハレベルプロセスを用いて製造された半導体デバイス)である。いくつかの実施態様では、半導体デバイス202は、1つまたは複数の集積受動デバイス(IPD)を含む集積受動デバイス構造である。IPDの例は、キャパシタ、インダクタおよび/または抵抗器を含む。いくつかの実施態様では、集積受動デバイス構造は、ウェハレベルプロセスを用いて製造される。
図5〜図6は、半導体デバイスの詳細な側面図を示す。具体的には、図5〜図6は、半導体デバイスの側面図を示しており、集積受動デバイス(IPD)が詳細に示されている。いくつかの実施態様では、図5〜図6の半導体デバイスは、ウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイス(たとえば、ウェハレベルプロセスを用いて製造された半導体デバイス)である。いくつかの実施態様では、図5〜図6の半導体デバイスは、1つまたは複数の集積受動デバイス(IPD)を含む集積受動デバイス構造である。
図7A〜図7Dは、集積受動デバイス(IPD)を含む半導体デバイスを設けるための例示的なシーケンスを示す図である。いくつかの実施態様では、図7A〜図7Dのシーケンスを用いて、図2、図3A〜図3B、図4A〜図4B、および/または図5〜図6の半導体デバイスまたは本開示において説明される他の半導体デバイスを設ける/製造することができる。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、ウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイス(たとえば、ウェハレベルプロセスを用いて製造された半導体デバイス)である。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、1つまたは複数の集積受動デバイス(IPD)を含む集積受動デバイス構造である。いくつかの実施態様では、図7A〜図7Dのシーケンスは、いくつかの半導体デバイスを含むウェハを設ける(たとえば、ウェハ上にカットされていない半導体デバイスを設ける)一例を示す。
図8は、集積受動デバイス(IPD)を含む半導体デバイスを設けるための例示的な方法を示す図である。いくつかの実施態様では、図8の方法を用いて、図2、図3A〜図3B、図4A〜図4B、および/または図5〜図6の半導体デバイスまたは本開示において説明される他の半導体デバイスを設ける/製造することができる。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、ウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイス(たとえば、ウェハレベルプロセスを用いて製造された半導体デバイス)である。いくつかの実施態様では、半導体デバイスは、1つまたは複数の集積受動デバイス(IPD)を含む集積受動デバイス構造である。いくつかの実施態様では、図8の方法は、いくつかの半導体デバイスを含むウェハを設ける(たとえば、ウェハ上にカットされていない半導体デバイスを設ける)一例を示す。
図9は、集積受動デバイス(IPD)を含む半導体デバイスの概念図に重ね合わせられた例示的な回路図を示す。図9に示されるように、回路図は、第1のノード902と、第2のノード904と、第3のノード906と、第4のノード908とを含む。第1のノード902は第1の相互接続材料(たとえば、第1のハンダボール)を含み、第2のノード904は第2の相互接続材料(たとえば、第2のハンダボール)を含み、第3のノード906は第3の相互接続材料(たとえば、第3のハンダボール)を含み、第4のノード908は第4の相互接続材料(たとえば、第4のハンダボール)を含む。また、回路図は、第1のIPD910と、第2のIPD912と、第3のIPD914と、第4のIPD916とも含む。第1のIPD910、第2のIPD912、第3のIPD914および第4のIPD916はキャパシタ(たとえば、デカップリングキャパシタ)である。第1のIPD910、第2のIPD912、第3のIPD914および第4のIPD916は、いくつかの実施態様では、半導体デバイス900に組み込まれる。異なる実施態様は、半導体デバイス900においてノードおよびIPDの異なる構成を用いることができる。いくつかの実施態様では、図9のIPDは直列に、および/または並列に配置できることに留意されたい。
図11は、上述した半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、またはパッケージのうちのいずれかと一体に構成することができる種々の電子デバイスを示す。たとえば、モバイル電話1102、ラップトップコンピュータ1104、および定置端末1106が、本明細書において説明されたような集積回路(IC)1100を含むことができる。IC 1100は、たとえば、本明細書において説明される集積回路、ダイ、またはパッケージのうちのいずれかとすることができる。図11に示されるデバイス1102、1104、1106は例示にすぎない。限定しないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、GPS対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、メータ読取り機器などの定置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、またはデータもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取り出しを行う任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せを含む、他の電子デバイスが、IC1100を採用することもできる。
102 集積回路(IC)/ダイ
104 ハンダボール
106 第1のデカップリングキャパシタ
108 第2のデカップリングキャパシタ
110 経路
200 集積回路(IC)/ダイ
202 半導体デバイス
204 ハンダボール
300 ダイ
302 半導体デバイス
304 ハンダボール
306 パッド
308 空洞/穴
400 一部
401 集積回路(IC)/ダイ
402 半導体デバイス
403 空洞/穴
404 ハンダボール
406 PCB
408 第1の集積受動デバイス(IPD)パッド
410 ボールパッド
412 第2の集積受動デバイス(IPD)パッド
414 基板
415 第1の集積受動デバイス(IPD)
416 第1の誘電体層
417 第2の集積受動デバイス(IPD)
418 第2の誘電体層
420 第1の金属層
425 第3の集積受動デバイス(IPD)
426 第3の誘電体層
427 第4の集積受動デバイス(IPD)
428 第4の誘電体層
430 第2の金属層
500 基板
501 空洞/穴
502 層間誘電体層
504 第1のIPD金属層
506 第1のIPD誘電体層
508 第2のIPD金属層
510 第1の金属層
514 第3のIPD金属層
516 第2のIPD誘電体層
518 第4のIPD金属層
520 第2の金属層
600 基板
601 空洞/穴
602 第1の層間誘電体層
604 第1のIPD金属層
606 第1のIPD誘電体層
608 第2のIPD金属層
610 第1の金属層
612 第2の層間誘電体層
614 第3のIPD金属層
616 第2のIPD誘電体層
618 第4のIPD金属層
702 基板
704 第1の金属層
706 第2の金属層
708 第1のIPD金属層
710 第2のIPD金属層
712 第3のIPD金属層
714 第4のIPD金属層
716 第1の誘電体層
718 第2の誘電体層
719 トレンチ
720 第1のIPD誘電体層
721 トレンチ
722 第2のIPD誘電体層
723 トレンチ
724 第3のIPD誘電体層
725 トレンチ
726 第4のIPD誘電体層
728 第5のIPD金属層
730 第6のIPD金属層
732 第7のIPD金属層
734 第8のIPD金属層
735 第1のトレンチ
737 第2のトレンチ
739 空洞/穴
740 第1の金属層
742 第2の金属層
744 第3の金属層
746 第4の金属層
748 第1の金属層
750 第2の金属層
900 半導体デバイス
902 第1のノード
904 第2のノード
906 第3のノード
908 第4のノード
910 第1のIPD
912 第2のIPD
914 第3のIPD
916 第4のIPD
1000 半導体デバイス
1002 第1のノード
1003 第2のノード
1004 第3のノード
1005 第4のノード
1010 第1のIPD
1012 第2のIPD
1014 第3のIPD
1100 集積回路(IC)
1102 モバイル電話
1104 ラップトップコンピュータ
1106 定置端末
Claims (18)
- デバイスであって、
基板と、
前記基板を横断する第1の空洞と、
前記基板の第1の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在している第1の金属層と、
前記第1の空洞内に形成された第1のハンダボールから形成されており、前記第1の空洞を通って延在し、前記第1の金属層に結合された、前記第1の金属層とは異なる相互接続であって、前記相互接続はさらに、前記基板の第1の側に配置された集積回路(IC)上のボールパッドと、前記基板の前記第1の側の反対側にある前記基板の第2の側に配置されたプリント回路基板とに直接結合されている、相互接続と、
前記基板の第1の表面上の第1の集積受動デバイス(IPD)であって、前記第1のIPDは前記第1の金属層とは異なり、前記第1の金属層に結合されている、第1の集積受動デバイス(IPD)と、
前記基板の第2の表面上の第2の集積受動デバイス(IPD)であって、前記第1の金属層に結合されている、第2の集積受動デバイス(IPD)と、を備えており、
前記デバイスは、前記ICに結合されるように構成されたウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイスであり、前記ICはIPDパッドを含み、
前記第1の金属層は、前記第1の空洞を通って延在し、前記ICの前記IPDパッドに直接結合されている、デバイス。 - 前記相互接続は単一のハンダボールから形成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1のIPDは少なくともキャパシタ、インダクタおよび/または抵抗器のうちの1つである、請求項1に記載のデバイス。
- 前記基板の第2の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在している第2の金属層と、
前記基板の前記第1の表面上の第3の集積受動デバイス(IPD)であって、前記第3のIPDは前記第2の金属層に結合されている、第3の集積受動デバイス(IPD)とをさらに備えた、請求項1に記載のデバイス。 - 前記第1の金属層および前記第2の金属層は同じである、請求項4に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および/またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれている、請求項1に記載のデバイス。
- 装置であって、
基板と、
前記基板を横断する第1の空洞と、
前記基板の第1の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在している第1の金属層と、
前記第1の空洞内に形成された第1のハンダボールから形成されており、前記第1の空洞を通って延在し、前記第1の金属層に結合された、前記第1の金属層とは異なる相互接続手段であって、前記相互接続手段はさらに、前記基板の第1の側に配置された集積回路(IC)上のボールパッドと、前記基板の前記第1の側の反対側にある前記基板の第2の側に配置されたプリント回路基板とに直接結合されている、相互接続手段と、
前記基板の第1の表面上の集積受動機能のための第1の手段であって、前記第1の手段は前記第1の金属層とは異なり、前記第1の金属層に結合されている、集積受動機能のための第1の手段と、
前記基板の第2の表面上の集積受動機能のための第2の手段であって、前記第1の金属層に結合されている、集積受動機能のための第2の手段と、を備えており、
前記装置は、前記ICに結合されるように構成されたウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイスであり、前記ICは集積受動デバイス(IPD)パッドを含み、
前記第1の金属層は、前記第1の空洞を通って延在し、前記ICの前記IPDパッドに直接結合されている、装置。 - 前記相互接続手段は単一のハンダボールから形成された、請求項7に記載の装置。
- 集積受動機能のための前記第1の手段は少なくともキャパシタ、インダクタおよび/または抵抗器のうちの1つである、請求項7に記載の装置。
- 前記基板の第2の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在している第2の金属層と、
前記基板の前記第1の表面上の集積受動機能のための第3の手段であって、集積受動機能のための前記第3の手段は前記第2の金属層に結合されている、集積受動機能のための第3の手段とをさらに備えた、請求項7に記載の装置。 - 前記第1の金属層および前記第2の金属層は同じである、請求項10に記載の装置。
- 前記装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および/またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれている、請求項7に記載の装置。
- デバイスを設けるための方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板を横断する第1の空洞を形成するステップと、
前記基板の第1の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在する第1の金属層を形成するステップと、
前記第1の空洞内に形成された第1のハンダボールから形成されており、前記第1の金属層とは異なり、前記第1の空洞を通って延在する相互接続を形成するステップと、
前記相互接続を前記第1の金属層に結合するステップと、
前記相互接続を、前記基板の第1の側に配置される集積回路(IC)上のボールパッドと、前記基板の前記第1の側の反対側にある前記基板の第2の側に配置されるプリント回路基板とに直接結合するステップと、
前記基板の第1の表面上に第1の集積受動デバイス(IPD)を形成するステップであって、前記第1のIPDは前記第1の金属層とは異なり、前記第1の金属層に結合される、第1の集積受動デバイス(IPD)を形成するステップと、
前記基板の第2の表面上に第2の集積受動デバイス(IPD)を形成するステップであって、前記第2の集積受動デバイス(IPD)は前記第1の金属層に結合される、第2の集積受動デバイス(IPD)を形成するステップと、を含み、
前記デバイスは、前記ICに結合されるように構成されるウェハレベルパッケージ(WLP)半導体デバイスであり、前記ICはIPDパッドを含み、
前記第1の金属層を形成するステップは、前記第1の金属層を前記第1の空洞を通って延在させるステップと、前記第1の金属層を前記ICの前記IPDパッドに直接結合するステップとを含む、デバイスを設けるための方法。 - 前記相互接続を前記形成するステップは、単一のハンダボールから前記相互接続を形成するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のIPDは少なくともキャパシタ、インダクタおよび/または抵抗器のうちの1つである、請求項13に記載の方法。
- 前記基板の第2の側壁に結合され、前記第1の空洞の長さに沿って延在する第2の金属層を形成するステップと、
前記基板の前記第1の表面上に第3の集積受動デバイス(IPD)を形成するステップであって、前記第3のIPDは前記第2の金属層に結合される、形成するステップとをさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 前記第1の金属層および前記第2の金属層は同じである、請求項16に記載の方法。
- 前記デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および/またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項13に記載の方法。
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