JP6298354B2 - フォトマスクの製造方法及びフォトマスク基板 - Google Patents
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Description
本発明の構成1は、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ反射性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記反射性薄膜をエッチングし、反射性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記反射性薄膜パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜のエッチング時間に基づき、前記反射性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜のウェットエッチングを行う、光学膜エッチング工程と、前記反射性薄膜を除去する工程と、を有し、前記寸法測定工程においては、前記反射性薄膜パターンの測定部に検査光を照射し、前記検査光の反射光を検出することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とすることを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成2は、前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、構成1に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成3は、前記検査光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、構成1又は2に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成4は、前記検査光に対する、前記反射性薄膜の前記表面反射率Rtは、20(%)以上であることを特徴とする、構成1〜3のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成5は、前記検査光としては、波長が300〜1000nmの範囲内の光を用いることを特徴とする、構成1〜4のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成6は、表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる反射性薄膜とが積層され、前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、500nmの波長光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rtは20(%)以上であり、かつ、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高いことを特徴とする、フォトマスク基板である。
本発明の構成7は、前記500nmの波長光に対する前記反射性薄膜の前記表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の前記表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、構成6に記載のフォトマスク基板である。
本発明の構成8は、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ透過性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記透過性薄膜をエッチングし、透過性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、少なくとも前記透過性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜をウェットエッチングし、光学膜予備パターンを形成する、光学膜予備エッチング工程と、前記光学膜予備パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜の追加エッチング時間に基づき、前記光学膜を追加エッチングする、光学膜追加エッチング工程と、前記透過性薄膜を除去する工程とを有し、前記寸法測定工程においては、前記光学膜予備パターンの測定部に、前記透過性薄膜を透過した検査光を照射することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成9は、前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、構成8に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成10は、前記検査光に対する前記透過性薄膜の透過率Ttは、50(%)以上であることを特徴とする、構成8又は9に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成11は、前記光学膜予備エッチング工程終了時には、前記フォトマスクの表面側から見たとき、前記光学膜のエッジが、前記透過性薄膜パターンの内側に位置することを特徴とする、構成8〜10のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成12は、表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる透過性薄膜とが積層され、前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、500nmの波長光に対する前記透過性薄膜の光透過率Ttが、50(%)以上であることを特徴とする、フォトマスク基板である。
本発明の構成13は、500nmの波長光に対する、前記光学膜の光透過率Toは、50(%)以下であることを特徴とする、構成12に記載のフォトマスク基板である。
本発明は、本発明の構成14は、構成1〜5及び構成8〜11のいずれかに記載の製造方法により製造したフォトマスクを用意する工程と、露光装置を用いて、前記フォトマスクに露光し、前記転写用パターンを、被転写体に転写する工程とを有する、表示装置の製造方法である。
本発明の第1の態様のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板の光学膜に対して、所定の方法でパターンを形成することに適用されるフォトマスクの製造方法である。具体的には、本発明のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、レジストパターン形成工程と、薄膜エッチング工程と、レジストパターンを除去する工程と、寸法測定工程と、光学膜エッチング工程と、反射性薄膜を除去する工程と、を有する。レジスト付フォトマスク基板を用意する工程では、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ反射性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成される。レジストパターン形成工程では、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する。薄膜エッチング工程では、前記レジストパターンをマスクとして、前記反射性薄膜をエッチングし、反射性薄膜パターンを形成する。レジストパターンを除去する工程では、レジストパターンを除去する。寸法測定工程では、前記反射性薄膜パターンの寸法を測定する。尚、この寸法測定工程においては、前記反射性薄膜パターンの測定部に検査光を照射し、前記検査光の反射光を検出することによって、前記寸法測定を行う。光学膜エッチング工程では、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜のエッチング時間に基づき、前記反射性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜のウェットエッチングを行う。
本発明の第2の態様のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板の光学膜に対して、所定の方法でパターンを形成することに適用されるフォトマスクの製造方法である。具体的には、本発明のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、レジストパターン形成工程と、薄膜エッチング工程と、光学膜予備エッチング工程と、寸法測定工程と、光学膜追加エッチング工程と、透過性薄膜を除去する工程と、を有する。具体的には、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程では、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ透過性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成される。レジストパターン形成工程では、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する。薄膜エッチング工程では、前記レジストパターンをマスクとして、前記透過性薄膜をエッチングし、透過性薄膜パターンを形成する。光学膜予備エッチング工程では、少なくとも前記透過性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜をウェットエッチングし、光学膜予備パターンを形成する。寸法測定工程では、前記光学膜予備パターンの寸法を測定する。尚、この寸法測定工程においては、前記光学膜予備パターンの測定部に、前記透過性薄膜を透過した検査光を照射することによって、前記寸法測定を行う。光学膜追加エッチング工程では、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜の追加エッチング時間に基づき、前記光学膜を追加エッチングする。透過性薄膜を除去する工程では、前記透過性薄膜を除去する。
Claims (13)
- 透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ反射性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、
描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記反射性薄膜をエッチングし、反射性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記反射性薄膜パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、
測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜のエッチング時間に基づき、前記反射性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜のウェットエッチングを行う、光学膜エッチング工程と、
前記反射性薄膜を除去する工程と、を有し、
前記寸法測定工程においては、前記反射性薄膜パターンの測定部に検査光を照射し、前記検査光の反射光を検出することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とすることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記検査光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記検査光に対する、前記反射性薄膜の前記表面反射率Rtは、20(%)以上であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記検査光としては、波長が300〜1000nmの範囲内の光を用いることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ透過性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、
描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記透過性薄膜をエッチングし、透過性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、
少なくとも前記透過性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜をウェットエッチングし、光学膜予備パターンを形成する、光学膜予備エッチング工程と、
前記光学膜予備パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、
測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜の追加エッチング時間に基づき、前記光学膜を追加エッチングする、光学膜追加エッチング工程と、
前記透過性薄膜を除去する工程とを有し、
前記寸法測定工程においては、前記光学膜予備パターンの測定部に、前記透過性薄膜を透過した検査光を照射することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 - 前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、請求項6に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記検査光に対する前記透過性薄膜の透過率Ttは、50(%)以上であることを特徴とする、請求項6又は7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記光学膜予備エッチング工程終了時には、前記フォトマスクの表面側から見たとき、前記光学膜のエッジが、前記透過性薄膜パターンの内側に位置することを特徴とする、請求項6〜8のいずれか1項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、
透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜であってパターンが未形成の光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる透過性薄膜とがこの順に積層され、
前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、
500nmの波長光に対する前記透過性薄膜の光透過率Ttが、50(%)以上であることを特徴とする、フォトマスク基板。 - 500nmの波長光に対する、前記光学膜の光透過率Toは、50(%)以下であることを特徴とする、請求項10に記載のフォトマスク基板。
- 500nmの波長光に対する前記光学膜の反射率Roは15%以下であることを特徴とする、請求項10又は11に記載のフォトマスク基板。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の製造方法により製造したフォトマスクを用意する工程と、
露光装置を用いて、前記フォトマスクに露光し、前記転写用パターンを、被転写体に転写する工程とを有する、
表示装置の製造方法。
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