JP6715360B2 - フォトマスク基板 - Google Patents
フォトマスク基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6715360B2 JP6715360B2 JP2019018699A JP2019018699A JP6715360B2 JP 6715360 B2 JP6715360 B2 JP 6715360B2 JP 2019018699 A JP2019018699 A JP 2019018699A JP 2019018699 A JP2019018699 A JP 2019018699A JP 6715360 B2 JP6715360 B2 JP 6715360B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical film
- film
- thin film
- photomask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 91
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 195
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 159
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 94
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 53
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明の構成1は、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ反射性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記反射性薄膜をエッチングし、反射性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記反射性薄膜パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜のエッチング時間に基づき、前記反射性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜のウェットエッチングを行う、光学膜エッチング工程と、前記反射性薄膜を除去する工程と、を有し、前記寸法測定工程においては、前記反射性薄膜パターンの測定部に検査光を照射し、前記検査光の反射光を検出することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とすることを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成2は、前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、構成1に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成3は、前記検査光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、構成1又は2に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成4は、前記検査光に対する、前記反射性薄膜の前記表面反射率Rtは、20(%)以上であることを特徴とする、構成1〜3のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成5は、前記検査光としては、波長が300〜1000nmの範囲内の光を用いることを特徴とする、構成1〜4のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成6は、表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる反射性薄膜とが積層され、前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、500nmの波長光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rtは20(%)以上であり、かつ、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高いことを特徴とする、フォトマスク基板である。
本発明の構成7は、前記500nmの波長光に対する前記反射性薄膜の前記表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の前記表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、構成6に記載のフォトマスク基板である。
本発明の構成8は、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ透過性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成された、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する、レジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記透過性薄膜をエッチングし、透過性薄膜パターンを形成する、薄膜エッチング工程と、少なくとも前記透過性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜をウェットエッチングし、光学膜予備パターンを形成する、光学膜予備エッチング工程と、前記光学膜予備パターンの寸法を測定する、寸法測定工程と、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜の追加エッチング時間に基づき、前記光学膜を追加エッチングする、光学膜追加エッチング工程と、前記透過性薄膜を除去する工程とを有し、前記寸法測定工程においては、前記光学膜予備パターンの測定部に、前記透過性薄膜を透過した検査光を照射することによって、前記寸法測定を行うことを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
本発明の構成9は、前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さいことを特徴とする、構成8に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成10は、前記検査光に対する前記透過性薄膜の透過率Ttは、50(%)以上であることを特徴とする、構成8又は9に記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成11は、前記光学膜予備エッチング工程終了時には、前記フォトマスクの表面側から見たとき、前記光学膜のエッジが、前記透過性薄膜パターンの内側に位置することを特徴とする、構成8〜10のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
本発明の構成12は、表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる透過性薄膜とが積層され、前記透過性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、500nmの波長光に対する前記透過性薄膜の光透過率Ttが、50(%)以上であることを特徴とする、フォトマスク基板である。
本発明の構成13は、500nmの波長光に対する、前記光学膜の光透過率Toは、50(%)以下であることを特徴とする、構成12に記載のフォトマスク基板である。
本発明は、本発明の構成14は、構成1〜5及び構成8〜11のいずれかに記載の製造方法により製造したフォトマスクを用意する工程と、露光装置を用いて、前記フォトマスクに露光し、前記転写用パターンを、被転写体に転写する工程とを有する、表示装置の製造方法である。
本発明の第1の態様のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板の光学膜に対して、所定の方法でパターンを形成することに適用されるフォトマスクの製造方法である。具体的には、本発明のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、レジストパターン形成工程と、薄膜エッチング工程と、レジストパターンを除去する工程と、寸法測定工程と、光学膜エッチング工程と、反射性薄膜を除去する工程と、を有する。レジスト付フォトマスク基板を用意する工程では、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ反射性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成される。レジストパターン形成工程では、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する。薄膜エッチング工程では、前記レジストパターンをマスクとして、前記反射性薄膜をエッチングし、反射性薄膜パターンを形成する。レジストパターンを除去する工程では、レジストパターンを除去する。寸法測定工程では、前記反射性薄膜パターンの寸法を測定する。尚、この寸法測定工程においては、前記反射性薄膜パターンの測定部に検査光を照射し、前記検査光の反射光を検出することによって、前記寸法測定を行う。光学膜エッチング工程では、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜のエッチング時間に基づき、前記反射性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜のウェットエッチングを行う。
本発明の第2の態様のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板の光学膜に対して、所定の方法でパターンを形成することに適用されるフォトマスクの製造方法である。具体的には、本発明のフォトマスクの製造方法は、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程と、レジストパターン形成工程と、薄膜エッチング工程と、光学膜予備エッチング工程と、寸法測定工程と、光学膜追加エッチング工程と、透過性薄膜を除去する工程と、を有する。具体的には、レジスト付フォトマスク基板を用意する工程では、透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ透過性薄膜とが積層され、更に最表面にレジスト膜が形成される。レジストパターン形成工程では、描画装置を用いて、前記レジスト膜に所定パターンを描画し、現像することによって、レジストパターンを形成する。薄膜エッチング工程では、前記レジストパターンをマスクとして、前記透過性薄膜をエッチングし、透過性薄膜パターンを形成する。光学膜予備エッチング工程では、少なくとも前記透過性薄膜パターンをマスクとして、前記光学膜をウェットエッチングし、光学膜予備パターンを形成する。寸法測定工程では、前記光学膜予備パターンの寸法を測定する。尚、この寸法測定工程においては、前記光学膜予備パターンの測定部に、前記透過性薄膜を透過した検査光を照射することによって、前記寸法測定を行う。光学膜追加エッチング工程では、測定された前記寸法に基づいて決定された、前記光学膜の追加エッチング時間に基づき、前記光学膜を追加エッチングする。透過性薄膜を除去する工程では、前記透過性薄膜を除去する。
Claims (13)
- 表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、
透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜であってパターンが未形成の光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる反射性薄膜と、300nm以上の厚みをもつ、レジスト膜とがこの順に積層され、
前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、
300〜1000nmの範囲内にある波長光である検査光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rtは、20(%)以上であるとともに、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高く、
前記反射性薄膜の、波長413nmのレーザー光に対する表面反射率Rwは、10(%)以下であり、
前記検査光と、前記波長413nmのレーザー光との波長差は、50nm以上であることを特徴とする、フォトマスク基板(ただし、表示装置製造用の転写用パターンを備えたフォトマスクとするためのフォトマスク基板において、
透明基板上に、転写用パターンを形成するための光学膜であってパターンが未形成の光学膜と、前記光学膜に対してエッチング選択性をもつ材料からなる反射性薄膜と、300nm以上の厚みをもつ、レジスト膜とがこの順に積層され、
前記反射性薄膜の膜厚は、前記光学膜の膜厚より小さく、
500nmの波長光に対する前記反射性薄膜の表面反射率Rtは、20(%)以上であるとともに、前記光学膜の表面反射率Ro(%)より高く、
前記反射性薄膜の、波長413nmのレーザー光に対する表面反射率Rwは、10(%)以下であることを特徴とする、フォトマスク基板を除く)。 - 前記検査光に対する前記反射性薄膜の前記表面反射率Rt(%)は、前記光学膜の前記表面反射率Ro(%)より高く、その差(Rt−Ro)が5(%)以上であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク基板。
- 前記光学膜は、その表面に、反射防止層を備えることを特徴とする、請求項1または2に記載のフォトマスク基板。
- 前記検査光の波長は、400〜600nmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 前記レジスト膜は、レーザー描画用のポジ型フォトレジストであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 前記光学膜の、前記検査光に対する表面反射率Roが15(%)以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 前記光学膜の表面反射率Roは、8(%)以下であることを特徴とする、請求項6記載のフォトマスク基板。
- 前記転写用パターンの線幅は、1μm以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 前記光学膜及び反射性薄膜は、ウェットエッチング可能な材料からなることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 前記光学膜は、クロムを主成分とすることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- 反射性薄膜は、金属のシリサイド、又はその酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、又は酸化窒化炭化物を含む、請求項1〜10のいずれか1項記載のフォトマスク基板。
- i線、h線、g線を含む、波長域の光源によって露光するフォトマスクを製造するためのフォトマスク基板であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載のフォトマスク基板。
- 前記レジスト膜は、前記反射性薄膜をエッチングするときのマスクとするためのものであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載のフォトマスク基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019018699A JP6715360B2 (ja) | 2019-02-05 | 2019-02-05 | フォトマスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019018699A JP6715360B2 (ja) | 2019-02-05 | 2019-02-05 | フォトマスク基板 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017233507A Division JP6500076B2 (ja) | 2017-12-05 | 2017-12-05 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019079075A JP2019079075A (ja) | 2019-05-23 |
JP6715360B2 true JP6715360B2 (ja) | 2020-07-01 |
Family
ID=66626609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019018699A Active JP6715360B2 (ja) | 2019-02-05 | 2019-02-05 | フォトマスク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6715360B2 (ja) |
-
2019
- 2019-02-05 JP JP2019018699A patent/JP6715360B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019079075A (ja) | 2019-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200925774A (en) | Photomask and method of manufacturing the same, and method of transferring a pattern | |
TWI690770B (zh) | 光罩及顯示裝置之製造方法 | |
JP2009258250A (ja) | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
TW201627751A (zh) | 光罩及顯示裝置之製造方法 | |
US6007324A (en) | Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask | |
JP2004184764A (ja) | レチクルセット、レチクルセットの設計方法、露光モニタ方法、レチクルセットの検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR102207837B1 (ko) | 포토마스크의 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2009086381A (ja) | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 | |
KR101898796B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 기판 | |
JP2015219290A5 (ja) | ||
JP6391495B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスクセット、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
JP6500076B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク基板 | |
TWI604267B (zh) | 光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
JP6715360B2 (ja) | フォトマスク基板 | |
JPH06289589A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク | |
JP2016156857A5 (ja) | ||
TWI821542B (zh) | 光罩、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
JPH06250376A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
KR101171432B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
CN111752089B (zh) | 光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法 | |
JP2007233138A (ja) | マスク、マスクの製造方法およびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH08194303A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
JP2624335B2 (ja) | レジスト露光方法 | |
JP6420975B2 (ja) | レジスト感度評価方法、転写用マスクの製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびレジスト付基材の供給方法 | |
JP2009229868A (ja) | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190205 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20191105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6715360 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |