CN105093819A - 光掩模的制造方法以及光掩模基板 - Google Patents

光掩模的制造方法以及光掩模基板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模的制造方法。具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠光学膜、反射性薄膜以及抗蚀剂膜；抗蚀剂图案形成工序；形成反射性薄膜图案的薄膜蚀刻工序；去除上述抗蚀剂图案的去除工序；测定上述反射性薄膜图案的尺寸的尺寸测定工序；光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于所测定的上述尺寸决定上述光学膜的蚀刻时间，基于上述光学膜的蚀刻时间，将上述反射性薄膜图案作为掩模，进行上述光学膜的湿式蚀刻；以及去除工序，在该工序中，去除上述反射性薄膜，在上述尺寸测定工序中，向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。

Description

光掩模的制造方法以及光掩模基板
技术领域
本发明涉及一种通过对形成于透明基板上的光学膜进行图案形成而形成转印用图案的光掩模的制造方法、以及该制造方法所使用的光掩模基板。本发明特别是涉及一种有利于用于显示装置制造用光掩模的制造方法及其所使用的光掩模基板。另外，本发明涉及一种使用通过该光掩模的制造方法制造出的光掩模的显示装置的制造方法。
背景技术
随着显示装置等电子设备产品的高精细化等，对于具备用于上述产品的制造的光掩模的转印用图案，不断提高更加精确地控制尺寸的要求。
与此相关，在专利文献1中记载了对于遮光膜的图案进行更加准确的尺寸控制的方法。即，在专利文献1中记载了一种方法，在该方法中，将抗蚀剂图案作为掩模进行遮光膜的蚀刻，去除未被抗蚀剂图案所覆盖的遮光膜，停止蚀刻后，从基板的背面照射光，使未被遮光膜遮光的抗蚀剂感光、显影，由此掌握遮光膜的边缘位置，决定追加蚀刻时间。
专利文献1：日本特开2010-169750号公报
目前，显示装置(例如，智能手机，平板电脑等移动终端)所要求的画质(清晰、明亮)、动作速度、省电性能前所未有地不断提高。为了满足这种需求，强烈希望用于显示装置的制造的光掩模的转印用图案的微细化、高密度化。
在显示装置的制造中，利用光刻工序制造具备所希望的转印用图案的光掩模。即，在成膜于透明基板上的光学膜上形成抗蚀剂膜，对于该抗蚀剂膜利用能量线(激光等)进行描绘，将通过显影所得到的抗蚀剂图案作为掩模，对光学膜施加蚀刻。根据需要，进一步成膜其他光学膜，反复上述光刻工序，形成最终的转印用图案。此处的光学膜例如包括对向光掩模的曝光用光进行遮光的遮光膜、透射一部分曝光用光的半透光膜、或者相移膜、蚀刻阻挡膜等功能膜等。
显示装置制造用光掩模与半导体制造用光掩模(通常为5～6英寸)相比尺寸较大(例如一边为300mm以上)，并且存在多种尺寸。因此在制造显示装置制造用光掩模时的光学膜的蚀刻中，与需要真空室的干式蚀刻相比，应用湿式蚀刻的情况具有蚀刻装置、蚀刻工序的负担小且控制简单的优点。
但是，经由上述工序精密地控制最终所得到的转印用图案的尺寸精度并不容易。例如，对于相对于目标尺寸的允许范围而言，若相对于目标值具有±100nm左右的允许范围，则通过描绘、显影、蚀刻等各工序的严格管理，能够将其实现而不会有很大的困难，但即使这样，对于相对于目标值形成为±50nm左右的允许范围内，进一步，相对于目标值形成为±20nm左右的允许范围内的情况，会产生新的技术课题。
例如，用图1(a)～图1(e)的流程说明制造具备具有透光部与遮光部的转印用图案的二元掩模的工序。
首先，如图1(a)所示，准备在透明基板上通过溅射法等成膜方法成膜光学膜，并在其表面涂敷光致抗蚀剂膜而成的带抗蚀剂光掩模坯料(带抗蚀剂光掩模基板)。应予说明，此处，光学膜为以铬为主要成分的遮光膜。
接下来，如图1(b)所示，使用激光描绘装置，在光致抗蚀剂膜描绘规定的图案。此处，作为描绘光，使用搭载于FPD(平板显示器：FlatPanelDisplay)用描绘装置的光源所产生的波长413nm的激光。
接下来，如图1(c)所示，给图案描绘后的抗蚀剂膜显影，形成抗蚀剂图案。
接下来，如图1(d)所示，将形成的抗蚀剂图案作为掩模，进行光学膜的湿式蚀刻，形成光学膜图案。以使成为透光部的部分的光学膜被充分去除蚀刻的方式设定蚀刻时间，而由此通过湿式蚀刻的性质来进行侧面蚀刻。因此，正如图1(d)所示，蚀刻后的光学膜图案的边缘(被蚀刻剖面)处于隐藏在抗蚀剂图案之下的状态。因此，在上述图1(b)所示的工序中进行描绘时的描绘数据中，需要将由侧蚀所引起的尺寸变化形成为预先采纳的尺寸(预先设定尺寸)。
接下来，如图1(e)所示，去除抗蚀剂图案，进行清洗，完成具备由光学膜图案所构成的转印用图案的二元掩模。
为了最终得到与目标尺寸一致的光学膜图案，需要精确地决定蚀刻时间。因此，为了达到所希望的图案尺寸，需要定量地掌握规定的光学膜的蚀刻率(单位时间的蚀刻量)。但是，即使能够掌握蚀刻率，也并不容易准确地决定蚀刻终点。
在图2中示出了成为蚀刻掩模的抗蚀剂图案的一个例子。图2表示对形成于光学膜(此处为遮光膜)上的抗蚀剂膜描绘图案并显影而形成的抗蚀剂图案剖面的SEM照片。这相当于上述图1(c)时的抗蚀剂图案的形状。
正如图2所示，所形成的抗蚀剂图案厚度为300～1000nm左右，与光学膜相比相当厚。另外，抗蚀剂图案的侧面相对于基板不垂直，存在稍许的倾斜，并且在与光学膜的接触部分的边缘可以看到裙摆部。这种抗蚀剂图案的立体形状受到描绘时、显影时的各种条件变动的影响，因而不一定具有完整的再现性。因此，将该抗蚀剂图案作为掩模，进行预先设定的时间的蚀刻后，光学膜图案的尺寸并不一定准确地达到目标尺寸。
为此，考虑在对光学膜进开始行蚀刻前，首先测定抗蚀剂图案的尺寸，以此为基准，决定对光学膜的蚀刻时间。在抗蚀剂图案的尺寸测定过程中，理论上能够通过照射检查光，检测反射光或者透射光来判断抗蚀剂图案的边缘位置。然而，如上所述，从抗蚀剂图案的厚度、具有裙摆部的倾斜剖面形状等来看，很难测定抗蚀剂图案的光学尺寸，检测出的检查光表示光学膜上的哪个位置并不明确，测定精度的可靠性不足。
接下来，考虑将该抗蚀剂图案作为掩模进行光学膜的湿式蚀刻，途中为止掌握进行蚀刻时的光学膜图案的尺寸，根据掌握的尺寸与光学膜的蚀刻率决定对光学膜的追加蚀刻时间，对光学膜追加蚀刻。
通常情况下，干式蚀刻具有各向异性蚀刻的性质，与此相对，湿式蚀刻具有蚀刻各向同性地进行的性质。因此，如上所述，伴随着沿厚度方向对蚀刻对象的光学膜进行蚀刻，从光学膜的侧面沿与基板表面平行的方向也进行蚀刻。因此，在蚀刻将近结束时，光学膜图案的尺寸与成为蚀刻掩模的抗蚀剂图案的尺寸不一致，变得更小。即，光学膜图案的边缘与抗蚀剂图案的边缘相比，向抗蚀剂图案侧进入，成为隐藏于抗蚀剂图案之下的状态。在图3中示出了将抗蚀剂图案作为蚀刻掩模的湿式蚀刻后的光学膜图案(图3所示的遮光膜的图案)的剖面形状的SEM照片。应予说明，该SEM照片与图1(d)的剖面形状相对应。
此时，即使要在测定如图3所示的光学膜图案的尺寸的情况下，从基板的表面侧(将基板的主面中的进行图案形成的一侧称为表面或者第1主面。)照射检查光，并检测反射光或者透射光，抗蚀剂图案也会成为妨碍，从而无法针对光学膜图案的尺寸获得足够的读取精度。因此，即使在要从背面侧(与基板的表面侧相反的一侧的基板的主面)照射检查光，在表面侧检测透射光的情况下，抗蚀剂图案还会成为妨碍。另外，在从背面侧照射检查光，通过反射光的检测测定光学膜图案的尺寸的情况下，透明基板会成为妨碍。
然而，在专利文献1中记载了如下方法，即、在如图3所示的状态下，从基板的背面侧进行曝光，对从背面侧观察时从光学膜的端部露出的部分的抗蚀剂进行感光，通过显影使之溶出，使抗蚀剂图案与光学膜的边缘位置一致，在此基础上，进行线宽测定。
在该情况下，由于理论上来说形成为与抗蚀剂图案形状相同形状的光学膜图案形状，所以若从抗蚀剂图案侧测定尺寸，并基于其尺寸测定结果，计算追加蚀刻时间，则能够得到目标尺寸的光学膜图案。
然而，即使通过该方法也不易满足如今的显示装置所要求的极为严格的尺寸精度。这是因为：在利用专利文献1的方法的光学膜图案的尺寸测定中，并非直接测定光学膜的尺寸，而是根据抗蚀剂图案尺寸间接地得出光学膜的尺寸，因此并不一定具有足够的测定精度。应予说明，在通过从下方(基板背面侧)照射检查光并检测反射光的反射测定来进行该光学膜图案的尺寸测定时，透明基板的厚度还是会成为测定的妨碍。
由于抗蚀剂图案的形状会受抗蚀剂的显影温度、显影剂浓度等影响，所以难以始终将上述条件保持为一定。若考虑上述的现状，则为了进行尺寸精度高的图案形成，得到一种不易受到上述变动重要因素的影响，掌握直到蚀刻终点的正确的蚀刻时间(即，符合对于光学膜来说必要的蚀刻量的蚀刻时间)的方法是非常有用的。
正如上述所提及的，在以液晶、有机EL为代表的显示装置中，具有比以往还要精细的构造的装置有增加的趋势。虽然该趋势是薄膜晶体管(TFT)基板、滤色器(间隙控制材料、色版)等显示装置的部件所共同的趋势，然而在这些显示装置中，关系到图像的精细、动作的速度、亮度、省电等的需求。
伴随着上述情况，显示装置制造用光掩模所具有的转印用图案的CD(CriticalDimension临界尺寸：以下，用于表示图案线宽的意思)的精度要求变得严格。不论是直线间隔图案还是孔型图案、或者是TFT基板用沟槽构造都相同。例如，要求将转印用图案的CD精度形成为目标值±50nm以下，更进一步根据规格形成为目标值±20nm以下，其结果是，图案尺寸的内表面分布形成为100nm以下，更加优选形成为40nm以下。
发明内容
为了满足这种要求，需要抑制在转印用图案形成中的、内表面的CD不匀的情况，并且其绝对值必须完全按照设计的尺寸进行加工。换言之，形成的转印用图案的CD的中心值需要高精度地符合目标值。因此，本发明的目的在于得到一种能够形成高尺寸精度的转印用图案的光掩模的制造方法。
为了解决上述课题，通过在各向同性蚀刻中，使被进行图案形成的光学膜尺寸的CD中心值达到目标值的同时停止蚀刻，由此能够实现。因此，准确地检测停止蚀刻的时机(终点检测)成为关键。
因此，为了解决上述课题，本发明具有以下的技术方案。本发明是以下述的技术方案1～5以及9～12为特征的光掩模的制造方法、以下述的技术方案7、8、13以及14为特征的光掩模基板、以及以下述的技术方案6、15为特征的显示装置的制造方法。
(技术方案1)
本发明的技术方案1涉及一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于上述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在上述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；薄膜蚀刻工序，在该工序中，将上述抗蚀剂图案作为掩模，对上述反射性薄膜进行蚀刻，形成反射性薄膜图案；去除上述抗蚀剂图案的工序；尺寸测定工序，在该工序中，测定上述反射性薄膜图案的尺寸；光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的蚀刻时间，将上述反射性薄膜图案作为掩模，进行上述光学膜的湿式蚀刻；以及去除上述反射性薄膜的工序，在上述尺寸测定工序中，向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。
(技术方案2)
根据技术方案1所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案2的特征在于，上述反射性薄膜的膜厚比上述光学膜的膜厚小。
(技术方案3)
根据技术方案1或2所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案3的特征在于，上述反射性薄膜相对于上述检查光的表面反射率Rt(％)比上述光学膜的表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。
(技术方案4)
根据技术方案1～3中任一项所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案4的特征在于，上述反射性薄膜相对于上述检查光的上述表面反射率Rt为20(％)以上。
(技术方案5)
根据技术方案1～4的任一项所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案5的特征在于，作为上述检查光，使用波长为300～1000nm范围内的光。
(技术方案6)
本发明的技术方案6涉及一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：准备通过技术方案1～5的任一项所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和转印工序，在该工序中，使用曝光装置对上述光掩模曝光，将上述转印用图案转印至被转印体。
(技术方案7)
本发明的技术方案7涉及一种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于，在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于上述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的反射性薄膜，上述反射性薄膜的膜厚比上述光学膜的膜厚小，上述反射性薄膜相对于波长为500nm的光的表面反射率Rt为20(％)以上，并且比上述光学膜的表面反射率Ro(％)高。
(技术方案8)
根据技术方案7所述的光掩模基板，本发明的技术方案8的特征在于，上述反射性薄膜相对于上述波长为500nm的光的上述表面反射率Rt(％)比上述光学膜的上述表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。
(技术方案9)
本发明的技术方案9涉及一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于上述光学膜具有蚀刻选择性的透射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在上述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；薄膜蚀刻工序，在该工序中，将上述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻上述透射性薄膜行，形成透射性薄膜图案；光学膜预备蚀刻工序，在该工序中，至少将上述透射性薄膜图案作为掩模，对上述光学膜进行湿式蚀刻，形成光学膜预备图案；尺寸测定工序，在该工序中，测定上述光学膜预备图案的尺寸；光学膜追加蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的追加蚀刻时间，追加蚀刻上述光学膜；以及去除上述透射性薄膜的工序，在上述尺寸测定工序中，通过向上述光学膜预备图案的测定部照射透射了上述透射性薄膜的检查光来进行上述尺寸测定。
(技术方案10)
根据技术方案9所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案10的特征在于，上述透射性薄膜的膜厚比上述光学膜的膜厚小。
(技术方案11)
根据技术方案9或10所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案11的特征在于，上述透射性薄膜相对于上述检查光的透射率Tt为50(％)以上。
(技术方案12)
根据技术方案9～11的任一项所述的光掩模的制造方法，本发明的技术方案12的特征在于，在上述光学膜预备蚀刻工序结束时，在从上述光掩模的表面侧观察时，上述光学膜的边缘位于上述透射性薄膜图案的内侧。
(技术方案13)
本发明的技术方案13涉及一种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用转印用图案的光掩模，其特征在于，在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于上述光学膜具有蚀刻选择性的材料所构成的透射性薄膜，上述透射性薄膜的膜厚比上述光学膜的膜厚小，上述透射性薄膜相对于波长为500nm的光的透光率Tt为50(％)以上。
(技术方案14)
根据技术方案13所述的光掩模基板，本发明的技术方案14的特征在于，上述光学膜相对于波长为500nm的光的透光率To为50(％)以下。
(技术方案15)
本发明的技术方案15涉及一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：准备通过技术方案9～12的任一项所述的制造方法制造出的光掩模的工序；转印工序，在该工序中，使用曝光装置对上述光掩模曝光，将上述转印用图案转印至被转印体。
通过本发明的光掩模的制造方法，能够在光掩模的制造过程中进行精密的图案尺寸精度的控制。
附图说明
图1(a)是表示光掩模的制造工序(a)的一个例子的剖面示意图。
图1(b)是表示光掩模的制造工序(b)的一个例子的剖面示意图。
图1(c)是表示光掩模的制造工序(c)的一个例子的剖面示意图。
图1(d)是表示光掩模的制造工序(d)的一个例子的剖面示意图。
图1(e)是表示光掩模的制造工序(e)的一个例子的剖面示意图。
图2是与图1(c)所示的工序对应的抗蚀剂图案的剖面形状的SEM照片的一个例子。
图3是以与图1(d)所示的工序对应的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模的湿式蚀刻后的光学膜图案(遮光膜图案)的剖面形状的SEM照片的一个例子。
图4(a)是表示本发明的第1实施方式的制造工序(a)的剖面示意图。
图4(b)是表示第1实施方式的制造工序(b)的剖面示意图。
图4(c)是表示第1实施方式的制造工序(c)的剖面示意图。
图4(d)是表示第1实施方式的制造工序(d)的剖面示意图。
图4(e)是表示第1实施方式的制造工序(e)的剖面示意图。
图4(f)是表示第1实施方式的制造工序(f)的剖面示意图。
图4(g)是表示第1实施方式的制造工序(g)的剖面示意图。
图4(h)是表示第实施1方式的制造工序(h)的剖面示意图。
图5(a)是表示本发明的光掩模的制造方法的第2实施方式的制造工序(a)的剖面示意图。
图5(b)是表示第2实施方式的制造工序(b)的剖面示意图。
图5(c)是表示第2实施方式的制造工序(c)的剖面示意图。
图5(d)是表示第2实施方式的制造工序(d)的剖面示意图。
图5(e)是表示第2实施方式的制造工序(e)的剖面示意图。
图5(f)是表示第2实施方式的制造工序(f)的剖面示意图。
图5(g)是表示第2实施方式的制造工序(g)的剖面示意图。
图5(h)是表示第2实施方式的制造工序(h)的剖面示意图。
图5(i)是表示第2实施方式的制造工序(i)的剖面示意图。
图6是表示反射性薄膜图案的尺寸测定方法的说明图。
图7是表示图5(g)所示的尺寸测定工序中的光学膜图案的尺寸测定方法的说明图。
图8是表示与蚀刻时间与CD变化量的关系的一个例图。
具体实施方式
(第1实施方式)
本发明的第1实施方式所涉及的光掩模的制造方法应用于相对于带抗蚀剂光掩模基板的光学膜使用规定的方法形成图案的情况。具体而言，本发明的光掩模的制造方法具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序、抗蚀剂图案形成工序、薄膜蚀刻工序、去除抗蚀剂图案的工序、尺寸测定工序、光学膜蚀刻工序以及去除反射性薄膜的工序。
在准备带抗蚀剂光掩模基板的工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于上述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜。在抗蚀剂图案形成工序中，使用描绘装置在上述抗蚀剂膜描绘规定图案，并通过显影形成抗蚀剂图案。在薄膜蚀刻工序中，将上述抗蚀剂图案作为掩模，对上述反射性薄膜进行蚀刻，形成反射性薄膜图案。在去除抗蚀剂图案的工序中，去除抗蚀剂图案。在尺寸测定工序中，测定上述反射性薄膜图案的尺寸。应予说明，在该尺寸测定工序中，向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。在光学膜蚀刻工序中，基于根据所测定的上述尺寸决定的上述光学膜的蚀刻时间，将上述反射性薄膜图案作为掩模，进行上述光学膜的湿式蚀刻。
参照图4具体说明本发明的光掩模的制造方法的第1实施方式。
如图4(a)所示那样准备光掩模基板(准备带抗蚀剂光掩模基板的工序)。
作为光掩模基板，能够形成为具有以下的结构的光掩模坯料。应予说明，如后所述，本发明的光掩模基板并非一定为光掩模坯料，但在本实施方式中，形成为图4(a)所示的光掩模坯料，以下进行说明。
应予说明，在图4(a)中，“Qz”是指合成石英等透明基板，在其他图中也相同。
作为用于光掩模基板的制造的透明基板，使用将由合成石英等构成的物质研磨得平坦、平滑而成的基板。透明基板的第1主面的一边是300mm～1400mm的四边形，厚度是5～13mm左右。
通过溅射法等公知的成膜法，在透明基板的第1主面上形成光学膜。
作为光学膜，例如，能够形成为遮光膜(相对于使用光掩模时的曝光用光的光学浓度OD为3以上)。另外，光学膜也可形成为透射一部分曝光用光的半透光膜。举例说明有曝光用光透光率为3～60％的半透光膜。
光学膜例如能够是相对于曝光用光的透射率为3～30％，并且将曝光用光所包含的代表性波长的光的相位偏转大致180度的相移膜。大致180度的意思为150～210度的范围内的角度。
并且，光学膜是相对于曝光用光的透光率为3～60％并且能够使曝光用光所包括的代表性波长的光的相位在5～90度的范围内偏转的半透光膜。这种半透光膜能够成为达到在形成精细的间隔图案、孔型图案的情况下，代替遮光膜或与遮光膜一起使用地辅助透射光掩模的光量，使之达到被转印体上的抗蚀剂的感光阈值的目的的、光量辅助图案。
光学膜的膜厚根据功能决定，可为10～300nm，在100～150nm左右时，本发明效果显著。例如优选在光学膜为遮光膜时形成为该膜厚范围。
光学膜能够进行湿式蚀刻。作为光学膜的材料，列举有包含铬(Cr)的膜。光学膜例如能够为包含铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化氮化碳化物的任一种的膜。
并且，也能够应用由铬以外的金属，例如钼、钽、钨、锆、铌、钛、或者它们的化合物所构成的光学膜。这种情况下的光学膜例如能够为包含金属硅化物、其氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化氮化碳化物的材料。作为金属硅化物的例子，有钼硅化物以及钽硅化物等。
优选光学膜相对于后述的用于基于反射光的尺寸测定的检查光，其表面反射率Ro为15(％)以下。例如，在作为检查光使用波长500nm的光的情况下，光学膜相对于该波长的表面反射率Ro500优选为15(％)以下。表面反射率Ro500更加优选为10(％)以下，进一步优选为8％以下。
上述光学膜优选在其表面部分具备用于抑制光反射率的反射防止层。在这种情况下，例如，在以铬为主要成分的光学膜中，反射防止层优选其铬化合物(氧化物、氮化物、碳化物等)的表面层在光学膜的厚度方向发生成分变化而形成。应予说明，成分变化可以为阶段性变化，也可以为连续变化。该反射防止层具有抑制对使用光掩模时所使用的曝光用光反射的功能，在后述的尺寸测定中，也有抑制表面反射的作用。
另外，本发明的光掩模基板并不局限于光掩模坯料，在不妨碍本发明的效果的范围内，可以为在透明基板上形成除本发明的光学膜、本发明的反射性薄膜以外的膜、或者该膜的图案的材料，并且也可以为具备本发明的光学膜、反射性薄膜的光掩模中间体。虽然列举了功能膜(给予导电性、绝缘性等电学性能的材料、具有蚀刻阻止功能的材料)等，但反射性薄膜以外的膜或者该膜的图案选取不会影响本发明的反射率测定的图案(在第2实施方式中为透射率测定)。
接下来，在光学膜上通过溅射法等公知的成膜法形成反射性薄膜。反射性薄膜是具有反射在尺寸测定工序中检查装置为了进行尺寸测定而发出的波长的光的性质的薄膜。
反射性薄膜的材料使用在与光学膜之间相互具有蚀刻选择性的材料。所谓蚀刻选择性是指对蚀刻另一方的膜的蚀刻剂相互具有耐性。优选，相对于另一方的膜蚀刻剂的蚀刻率，相比另一方的膜相对于该蚀刻剂的蚀刻率为1/10以下，优选为1/50以下，更加优选为1/100以下。
优选反射性薄膜相对于在后述的尺寸测定时所使用的检查光的表面反射率Rt为20(％)以上。例如，在作为检查光使用波长500nm的光的情况下，反射性薄膜相对于检查光的反射率Rt500优选为20(％)以上，更加优选为50(％)。
另外，反射性薄膜优选为在描绘工序中相对于描绘光的反射率不会过大。因此，反射性薄膜相对于描绘光波长(例如413nm)的表面反射率Rw优选为10(％)以下。
另外，反射性薄膜相对于检查光的表面反射率Rt优选比反射性薄膜相对于描绘光的表面反射率Rw更高。例如，反射性薄膜相对于500nm的波长的表面反射率Rt500与相对于413nm的波长的表面反射率Rw413之差优选为5(％)左右。
并且，反射性薄膜相对于检查光的反射性薄膜的表面反射率Rt(％)优选为比上述光学膜的表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。在作为检查光使用500nm的波长的情况下，反射性薄膜与上述光学膜相对于500nm的波长光的反射率之差(Rt500-Ro500)为5(％)以上，优选为10(％)以上，更加优选为20％以上。
作为反射性薄膜的材料的例子，列举有包含钼、钛、钨、钽、或者锆的金属、或其化合物。化合物例如举例说明有氧化物、氮化物、碳化物以及氧化氮化物。反射性薄膜的材料也可使用上述金属的硅化物、其氧化物、氮化物、炭化物、氧化氮化物、或氧化氮化碳化物等。另外，若光学膜为铬以外的材料，则也可以对于反射性薄膜使用包含铬的材料。其中，上述之中不包含硅的材料由于与抗蚀剂膜的紧贴性高，因而也可说是更加优选的材料。
反射性薄膜的材料如上所述是能得到与光学膜的蚀刻选择性的材料。
反射性薄膜的膜厚优选比光学膜的膜厚小。反射性薄膜的膜厚为5～100nm，更加优选为5～20nm。
若反射性薄膜过厚，则蚀刻时间过长，并且，后述的尺寸测定精度容易变得不足。若反射性薄膜过薄，则面内的膜厚变动容易变大。另外，为了使反射性薄膜的侧面蚀刻不影响后述的测定，优选反射性薄膜的膜厚比光学膜的膜厚小。反射性薄膜的膜厚例如形成为相对于光学膜的膜厚为1/10以下，更加优选为1/20以下的膜厚。若反射性薄膜的膜厚变小至该程度，则能够使预先使反射性薄膜的侧面蚀刻大小反映到描绘数据中(设定尺寸)时的尺寸设定量变小，是有利的。应予说明，若尺寸设定量大，在中空图案(孔型图案、间隔图案等)等中，会产生接近(或达到)最小分辨尺寸等的不良。换句话说，反射性薄膜的膜厚小在形成精细的中空图案(例如CD为0.5～2μm以下等)时特别重要。
作为本发明的第1实施方式所涉及的光掩模的制造方法所能够使用的光掩模基板，能够优选使用在透明基板上按照顺序层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由对光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的反射性薄膜的基板。如上所述，优选为反射性薄膜的膜厚比光学膜的膜厚小，反射性薄膜相对于波长500nm的光的表面反射率Rt为20(％)以上，并且，比光学膜的表面反射率Ro(％)高。并且，如上所述，反射性薄膜相对于检查光的表面反射率Rt(％)优选比光学膜的表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。
作为本发明的光掩模的制造方法所使用的光掩模基板，能够使用在反射性薄膜上进一步形成抗蚀剂膜的带抗蚀剂光掩模基板。为了形成抗蚀剂膜，能够使用狭缝式涂敷机、旋转涂敷机等公知的涂敷装置，能够将成为抗蚀剂膜的原料的抗蚀剂涂敷于反射性薄膜上。抗蚀剂膜的膜厚优选为300～1000nm。
应予说明，此处，作为激光描绘用正型光致抗蚀剂对抗蚀剂膜进行说明。其中，作为抗蚀剂膜，可以使用负型光致抗蚀剂，另外，在使用电子束进行描绘的情况下，也能够使用电子束用抗蚀剂。
接下来，如图4(b)所示，对于上述抗蚀剂膜进行所希望的图案的描绘(抗蚀剂图案形成工序的描绘)。用于图案的描绘的描绘装置能够使用FPD用激光描绘装置。描绘光通常情况下使用波长413nm的激光。在图4(b)中，使用多个箭头示意地表示用于描绘的激光的照射。
作为此处所使用的描绘数据，对作为目标的光学膜图案的间隔宽度的尺寸(图4(g)的CD2)预先设定尺寸，将其设定为稍小(下方)。
接下来，如图4(c)所示，利用显影剂显影抗蚀剂膜，形成抗蚀剂图案(抗蚀剂图案形成工序的显影)。
接下来，如图4(d)所示，将形成的抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻反射性薄膜，形成反射性薄膜图案(薄膜蚀刻工序)。应予说明，该蚀刻优选为湿式蚀刻，也可以为干式蚀刻。
通常情况下，显示装置用的光掩模与半导体制造用的光掩模(5～6英寸)相比较，尺寸(例如，一边为300mm～1400mm)大，并且有多种尺寸。因此，与需要真空室等装置控制的负担大的干式蚀刻相比，进行湿式蚀刻更有利。此处，作为形成反射性薄膜图案的方法以湿式蚀刻为例进行说明。
作为用于进行湿式蚀刻的蚀刻液(蚀刻剂)，能够按照反射性薄膜的材料从公知的物质中选择。例如，对于包含铬的反射性薄膜，能够使用硝酸铈铵等。在反射性薄膜为金属硅化物系等材料的情况下，适当使用缓冲氢氟酸(BufferedHydrogenFluoride)等。
通过反射性薄膜的蚀刻，从而与被蚀刻的反射性薄膜相对应的部分的光学膜表面露出。
接下来，如图4(e)所示，去除残存于反射性薄膜图案上的抗蚀剂图案，进行清洗(去除抗蚀剂图案的工序)。
接下来，如图4(f)所示，进行反射性薄膜图案的尺寸测定(尺寸测定工序)。尺寸测定可以在反射性薄膜图案的任意一部分进行。例如，若为直线间隔图案，则可以测定线部的宽度，也可以测定间隔部。在图4(f)中，举例说明测定间隔部的CD1的情况。在作为想最终得到的转印用图案中，特别是将要求高精度的部分作为测定部，测定该部分的宽度。测定对象可以为反射性薄膜图案的宽度(例如遮光部的宽度)、反射性薄膜图案的间隙(孔、狭缝等透光部的宽度)的任一个。
在图6中对反射性薄膜图案的尺寸测定方法为反射法的情况进行举例说明。该方法为向反射性薄膜图案照射检查光，并通过检测反射性薄膜图案的边缘位置处的反射光的变化来掌握上述尺寸。作为检查光，能够使用波长为300～1000nm的范围内的光。例如，在尺寸测定使用400～600nm波长的检查光的情况下测定灵敏度高，另外，若为使用300～500nm的检查光，由于分辨率高而能够得到高精度。此处，作为检查光举例说明有500nm左右的检查光。应予说明，如上所述，由于在反射性薄膜相对于检查光的反射率与光学膜相对于检查光的反射率之间具有可检测的对比度，所以确保尺寸测定的精度。
另外，检查光的波长优选与描绘光的波长不同，更加优选在两波长之间具有一定的波长差。检查光与描绘光的波长差优选为50nm以上，更加优选为80nm以上。
此处，使用测定出的CD1的值与预先掌握的光学膜的蚀刻率来设定用于光学膜的蚀刻的蚀刻时间。
如上所述，光学膜的蚀刻率能够通过预先获得如图8例示的蚀刻时间与CD变化量的关系而求得。即，预先获得对与所要得到的光学膜图案相同的膜材料、膜厚的光学膜采用了所使用的蚀刻液时的单位时间的蚀刻量作为数据。
接下来，如图4(g)所示，将该反射性薄膜图案作为掩模，施加所设定的蚀刻时间的湿式蚀刻(光学膜蚀刻工序)。在该蚀刻结束后，进行光学膜的侧面蚀刻，在从光掩模的第1主面(图案形成面)侧观察时，上述光学膜图案的边缘(被蚀刻剖面)形成为隐藏于上述反射性薄膜图案之下的状态。
然而，正确控制蚀刻后的光学膜图案的边缘位置，能够得到目标尺寸CD2。
接下来，如图4(h)所示，去除反射性薄膜(去除反射性薄膜工序)。
根据上述方法，进行使用了反射性薄膜的尺寸测定，决定蚀刻时间，因此与将抗蚀剂图案作为掩模对光学膜进行蚀刻的情况比较，能够提高光学膜的CD精度。作为尺寸测定的对象的反射性薄膜的膜厚与抗蚀剂图案的厚度相比为1/50以下，具有适用于基于反射法的测定的物性，也有助于CD精度提高。
当然本发明的制造方法包括在形成如上所述的光学膜图案后，进一步进行成膜与图案形成，形成为更加复杂的构造的光掩模的情况。
(第2实施方式)
本发明的第2实施方式所涉及的光掩模的制造方法应用于对带抗蚀剂光掩模基板的光学膜使用规定的方法形成图案的情况。具体而言，本发明的光掩模的制造方法具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序、抗蚀剂图案形成工序、薄膜蚀刻工序、光学膜预备蚀刻工序、尺寸测定工序、光学膜追加蚀刻工序和去除透射性薄膜的工序。
在准备带抗蚀剂光掩模基板的工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与对上述光学膜具有蚀刻选择性的透射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜。在抗蚀剂图案形成工序中，使用描绘装置在上述抗蚀剂膜描绘规定图案，并显影而形成抗蚀剂图案。在薄膜蚀刻工序中，将上述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻上述透射性薄膜，形成透射性薄膜图案。在光学膜预备蚀刻工序中，至少将上述透射性薄膜图案作为掩模，对上述光学膜进行湿式蚀刻，形成光学膜预备图案。在尺寸测定工序中，测定上述光学膜预备图案的尺寸。在该尺寸测定工序中，通过向上述光学膜预备图案的测定部照射透过了上述透射性薄膜的检查光来进行上述尺寸测定。在光学膜追加蚀刻工序中，基于根据测定出的上述尺寸决定的上述光学膜的追加蚀刻时间，追加蚀刻上述光学膜。在去除透射性薄膜的工序中，去除上述透射性薄膜。
使用图5具体说明本发明的光掩模的制造方法的第2实施方式。
如图5(a)所示，此处，准备光掩模基板，其使用了透射性薄膜代替上述第1实施方式中使用的反射性薄膜。
在第2实施方式涉及的光掩模的制造方法中，例如，首先准备图5(a)所示的光掩模坯料(准备带抗蚀剂光掩模基板的工序)。本实施方式的光掩模基板除设置透射性薄膜代替反射性薄膜以外，与第1实施方式的光掩模坯料相同。
作为第2实施方式的透明基板，能够使用与第1实施方式相同的透明基板。
作为第2实施方式的光学膜，能够使用与第1方式相同的光学膜。其中，如后所述，第2实施方式的光学膜相对于基于透射光的尺寸测定所使用的检查光，其透射率To优选为50(％)以下。例如，在作为检查光使用波长500nm的光的情况下，光学膜相对于该波长的透射率To500优选处于上述范围。另外，光学膜相对于检查光的反射率Ro优选为15％以下。光学膜的反射率Ro更加优选为8％以下。
在第2实施方式所涉及的光掩模的制造方法中，在上述光学膜上通过溅射等公知的成膜法形成透射性薄膜。透射性的意思是指透光性，该透射性薄膜是具有透射在尺寸测定工序中检查装置为了进行尺寸测定而发出的波长的光的性质的薄膜。
透射性薄膜的材料在与光学膜的材料之间相互具有蚀刻选择性的这方面与第1实施方式相同。另外，与第1实施方式的反射性薄膜的情况相同，透射性薄膜的膜厚优选比光学膜的膜厚小。
透射性薄膜相对于后述的尺寸测定时所使用的检查光的透射率Tt优选为50(％)以上。透射性薄膜相对于检查光的透射率Tt更加优选为70(％)以上，进一步优选为80(％)以上。例如，在作为检查光使用波长500nm的光的情况下，透射性薄膜相对于检查光的透射率Tt500优选处于上述范围。此处，透射率Tt500使用空气中的检查光的透射率为100(％)时的值表示。
上述光学膜相对于上述检查光的透射率To(％)优选比透射性薄膜相对于上述检查光的透射率Tt(％)低。透射性薄膜相对于上述检查光的透射率Tt(％)与上述光学膜的透射率To(％)之差(Tt-To)优选为20(％)以上，更加优选为30％以上。
另外，在描绘工序中，优选透射性薄膜相对于描绘光的反射率不要过大。因此，透射性薄膜相对于描绘光波长(例如413nm)的表面反射率Rw优选为10(％)以下。
作为透射性薄膜的材料列举了包含钼、钛、钨、钽、或者锆的金属、它们的化合物。化合物举例说明有氧化物、氮化物、碳化物、以及氧化氮化物。透射性薄膜的材料也可以使用上述金属的硅化物或者该硅化物的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、或者氧化氮化碳化物等。并且，透射性薄膜的材料也能够是硅的氧化物、氮化物、氧化氮化物。其中，上述中不含硅的材料由于与抗蚀剂膜的紧贴性高，所以可以说是更加优选的材料。考虑这些，透射性薄膜的材料特别优选钽、钛、或者锆的氧化物、氮化物、氧化氮化物、碳化氮化氧化物等。在这种材料中，能够选择使用具有上述的透光性的物质。
其中，透射性薄膜是能够如上所述地得到与光学膜的蚀刻选择性的材料。
透射性薄膜的膜厚比光学膜的膜厚小，其膜厚为5～100nm，优选5～50nm，更加优选为5～20nm。
为了减小侧面蚀刻的影响，透射性薄膜的膜厚与上述第1方式相同地优选为光学膜的膜厚的1/10以下，更加优选为1/20以下。
作为本发明的第2实施方式所涉及的光掩模的制造方法所能够使用的光掩模基板，能够优选使用在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由对上述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的透射性薄膜的基板。如上所述，优选为透射性薄膜的膜厚比上述光学膜的膜厚小，上述透射性薄膜相对于波长500nm的光的透光率Tt为50(％)以上。更优选为光学膜相对于波长500nm的光的透光率To为50(％)以下。
作为第2实施方式所使用的抗蚀剂膜，能够使用与第1方式的抗蚀剂膜相同的抗蚀剂膜。
接下来，如图5(b)所示，对上述抗蚀剂膜进行希望的图案描绘(抗蚀剂图案形成工序的描绘)。第2实施方式的图案的描绘与第1实施方式相同。但是，作为使用的描绘数据，优选对作为目标的光学膜图案的间隔部分的尺寸(图5(h)的CD5)预先设定尺寸，将其设定为稍小(下方)。在图5(b)中使用多个箭头示意地表示用于描绘的激光的照射。
接下来，如图5(c)所示，利用显影剂显影抗蚀剂膜，形成抗蚀剂图案(抗蚀剂图案形成工序的显影)。
接下来，如图5(d)所示，将形成的抗蚀剂图案作为掩模，对透射性薄膜进行蚀刻，形成透射性薄膜图案(薄膜蚀刻工序)。该蚀刻优选为湿式蚀刻，也可以是干式蚀刻。这里采用湿式蚀刻。在第2实施方式中为了形成透射性薄膜图案而能够应用的蚀刻液与用于形成第1实施方式的反射性薄膜图案的蚀刻的情况相同。
通过透射性薄膜的蚀刻，从而与被蚀刻的透射性薄膜相对应的部分的光学膜表面露出。将该部分的尺寸CD设为CD3。
接下来，如图5(e)所示，将透射性薄膜图案作为掩模，对露出的光学膜进行湿式蚀刻(光学膜预备蚀刻工序)。此处，蚀刻时间是比预测得到光学膜图案的最终尺寸(CD5)所需要的蚀刻时间短的时间，即为在下方停留蚀刻的蚀刻时间。在本说明书中，将该蚀刻称为“预备蚀刻”。通过预备蚀刻去除蚀刻光学膜，并且进入侧面蚀刻，因此被侧面蚀刻的部分的尺寸形成为比CD3大的CD4。而且，此时的光学膜图案的边缘(被蚀刻剖面)位于透射性薄膜图案之下。换句话说，在光学膜预备蚀刻工序结束时，当从上述光掩模的表面侧观察时，光学膜图案的边缘处于位于透射性薄膜图案(透射性薄膜的区域)的内侧的状态。
接下来，如图5(f)所示，去除抗蚀剂，进行清洗。
接下来，如图5(g)所示，检测光学膜的边缘位置，测定CD4(尺寸测定工序)。在图7中示出了基于透射法的尺寸测定方法。
在图7中，透射性薄膜相对于检查光(例如，具有500nm左右的波长的光)具有足够的透射性。因此，若使检查光从透明基板的背面(第2主面)侧入射，并在表面(第1主面)侧检测透射光，则能够检测位于透射性薄膜与透明基板之间的光学膜的边缘。其结果是，能够以足够的精度测定光学膜的边缘的部分的尺寸(CD4)。
如上所述，由于光学膜的边缘的部分的尺寸(CD4)相对于目标尺寸(CD5)稍微蚀刻不足(下方)，所以能够利用之后的追加蚀刻达到目标尺寸CD5。为了追加蚀刻，根据测定出的CD4的尺寸与预先掌握的透射性薄膜的蚀刻率，计算直到到达目标尺寸CD5的追加蚀刻时间。
接下来，如图5(h)所示，进行计算出的时间大小的追加蚀刻(光学膜追加蚀刻工序)。
接下来，如图5(i)所示，去除透射性薄膜(去除透射性薄膜的工序)。
由此，完成光掩模。当然，与第1方式相同，也可以之后进一步进行成膜、图案形成，来制造构造更加复杂的光掩模。
该光掩模相对于上述目标尺寸(CD5)而言CD精度优异，相对于目标值能准确进行蚀刻终点的决定，因此CD的内表面中心值的一致性高。
应予说明，在上述的第2实施方式的制造方法中，也可以在图5(e)中进行光学膜的蚀刻之前进行图5(f)所示的抗蚀剂图案的去除。
本发明的制造方法所涉及的光掩模的用途并不被特别限制。本发明的制造方法所涉及的光掩模能够特别有利于用于作为显示装置制造用的光掩模。例如，本发明的制造方法所涉及光掩模能够有利于用于形成显示装置所使用的各层(例如，TFT阵列的源极·漏极·层、像素层、滤色器的光致间隙控制材料层等CD精度特别关键的层)。
因此，本发明为使用了通过上述的本发明的制造方法所制造的光掩模的显示装置的制造方法。具体而言，本发明所涉及的显示装置的制造方法具有：准备通过上述的本发明的第1实施方式或第2实施方式的制造方法制造出的光掩模的工序；和使用曝光装置对上述光掩模进行曝光，将上述转印用图案转印至被转印体的工序。根据本发明的显示装置的制造方法，能够使用能够控制精细的图案尺寸精度的光掩模来制造显示装置，因此即使在被制造的显示装置中，也能够控制精细的图案尺寸精度。
例如在制造显示装置的情况下，转印用图案所具有的线宽为1～100μm左右，在为以2～30μm的部分(测定部)为尺寸测定的对象那样的光掩模的情况下，本发明的光掩模的制造方法的效果特别显著。
因此，作为将通过本发明的制造方法制造的光掩模所具备的转印用图案转印至被转印体时所使用的曝光装置，能够形成为作为所谓的FPD用曝光装置(或液晶用曝光装置)的等倍投影曝光装置、或者接近式曝光装置。
此时，曝光用光是在使用光掩模时被曝光装置曝光时所使用的光，在显示装置的制造中，使用包括i线、h线、g线在内的波长范围的光源。另外，在本说明书中，上述代表性波长可以为此处所包括的任一波长光，例如h线。
作为上述曝光装置的光学系统，在为投影曝光装置的情况下能够适当地使用NA(开口数)为0.08～0.10，耦合因子(σ)的值为0.5～1.0的范围的系统。其中，还产生了更高分辨率的曝光装置的需求，例如，当然还能够使用NA为0.08～0.14的系统。
本发明的光掩模制造方法能够应用于在透明基板上至少具有一层光学膜的所有种类的光掩模的制造。
本发明的光掩模制造方法例如能够优选用于将光学膜作为遮光膜来制造二元掩模时。另外，本发明当然还能够应用于以光学膜为相移膜的相移掩模(即列文森掩模、或者半色调型相移掩模)的制造方法。
另外，本发明还能够应用于在转印用图案形成包括透光部、遮光部以及使用了本发明的光学膜的半透光部的多灰度光掩模的情况。在这种情况下，作为光学膜，通过使用不使曝光用光相位反转(相移量为90度以下)而进行一部分透射(透射率例如为20～60％)的膜，而成为半透光部。所形成的转印用图案能够在被转印体上形成具有阶梯差的立体形状的抗蚀剂图案，能够实现显示装置等的制造的高效化。
本发明还能够应用于光量辅助掩模，即、作为光学膜，使用不使曝光用光相位反转而进行一部分透射的(透射率例如为2～50％)膜，使基于上述光学膜的半透光部邻接于透光部，由此补充精细狭缝的透射光量不足。
另外，本发明包括用于上述制造方法的形成有光学膜与反射性薄膜、或者透射性薄膜的光掩模基板，例如光掩模坯料。
在第1实施方式、第2实施方式的任一种情况下，在尺寸测定工序中成为尺寸测定的对象的部分(测定部)优选多个位置，以便能够掌握光掩模基板的主表面整体的趋势。此外，该测定部优选设置于至少具有四边形的主表面的基板的四边各自的附近、以及/或者四个角各自的附近。此外，当将主表面描绘为以一定面积等分的格子时，优选将测定部配置于等分为该格子而成的区域各处。这种情况下，能够准确地掌握显影、蚀刻时产生的面内的线宽变动趋势。或者，能够对利用这些多个点得到的尺寸取得平均值等进行适当的运算，做定量的分析。

Claims (15)

1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：
准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；
抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；
薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述反射性薄膜，形成反射性薄膜图案；
去除所述抗蚀剂图案的工序；
尺寸测定工序，在该工序中，测定所述反射性薄膜图案的尺寸；
光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的蚀刻时间，将所述反射性薄膜图案作为掩模，进行所述光学膜的湿式蚀刻；以及
去除所述反射性薄膜的工序，
在所述尺寸测定工序中，向所述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测所述检查光的反射光来进行所述尺寸测定。
2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。
3.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的表面反射率Rt(％)比所述光学膜的表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。
4.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的所述表面反射率Rt为20(％)以上。
5.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，作为所述检查光，使用波长为300～1000nm范围内的光。
6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
准备通过权利要求1或2所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和
转印工序，在该工序中，使用曝光装置对所述光掩模曝光，将所述转印用图案转印至被转印体。
7.一种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于，
在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的反射性薄膜，
所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小，
所述反射性薄膜相对于波长为500nm的光的表面反射率Rt为20(％)以上，并且比所述光学膜的表面反射率Ro(％)高。
8.根据权利要求7所述的光掩模基板，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述波长为500nm的光的所述表面反射率Rt(％)比所述光学膜的所述表面反射率Ro(％)高，其差(Rt-Ro)为5(％)以上。
9.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：
准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的透射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；
抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；
薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述透射性薄膜，形成透射性薄膜图案；
光学膜预备蚀刻工序，在该工序中，至少将所述透射性薄膜图案作为掩模，对所述光学膜进行湿式蚀刻，形成光学膜预备图案；
尺寸测定工序，在该工序中，测定所述光学膜预备图案的尺寸；
光学膜追加蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的追加蚀刻时间，追加蚀刻所述光学膜；以及
去除所述透射性薄膜的工序，
在所述尺寸测定工序中，通过向所述光学膜预备图案的测定部照射透射了所述透射性薄膜的检查光来进行所述尺寸测定。
10.根据权利要求9所述的光掩模制造方法，其特征在于，所述透射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。
11.根据权利要求9或10所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述透射性薄膜相对于所述检查光的透射率Tt为50(％)以上。
12.根据权利要求9或10所述的光掩模的制造方法，其特征在于，在所述光学膜预备蚀刻工序结束时，在从所述光掩模的表面侧观察时，所述光学膜的边缘位于所述透射性薄膜图案的内侧。
13.一种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于，
在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的透射性薄膜，
所述透射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小，
所述透射性薄膜相对于波长为500nm的光的透光率Tt为50(％)以上。
14.根据权利要求13所述的光掩模基板，其特征在于，所述光学膜相对于波长为500nm的光的透光率To为50(％)以下。
15.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
准备通过权利要求9或10所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和
转印工序，在该工序中，使用曝光装置对所述光掩模曝光，将所述转印用图案转印至被转印体。
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