JP6290525B2 - 摺動部材及びその製造方法 - Google Patents
摺動部材及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6290525B2 JP6290525B2 JP2012129449A JP2012129449A JP6290525B2 JP 6290525 B2 JP6290525 B2 JP 6290525B2 JP 2012129449 A JP2012129449 A JP 2012129449A JP 2012129449 A JP2012129449 A JP 2012129449A JP 6290525 B2 JP6290525 B2 JP 6290525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peak
- less
- sliding member
- carbonaceous film
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 51
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 41
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 claims description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000677 High-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000016571 aggressive behavior Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002199 base oil Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
よい。
−水素濃度−
DLC膜に含まれる水素の濃度は、高分解弾性反跳粒子検出法(High Resolution-Elastic Recoil Detection Analysis、HR−ERDA)により測定した。測定には神戸製鋼所製の高分解能RBS分析装置HRBS500を用いた。試料面の法線に対して70度の角度でN2 +イオンを試料に照射し、偏光磁場型エネルギー分析器により反跳された水素イオンを検出した。入射イオンは1原子核あたりのエネルギーを240KeVとした。水素イオンの散乱角は30度とした。イオンの照射量はビーム経路にて振り子を振動させ、振り子に照射された電流量を測定することにより求めた。試料電流は約2nAであり、照射量は約0.3μCであった。
DLC膜組成はX線光電子分光(XPS)測定により評価した。XPS測定には日本電子社製JPS−9010を用いた。XPS測定の条件は、試料に対する検出角度を90度とし、X線源にはAlを用い、X線照射エネルギーを100Wとした。1回の測定時間は0.2msとし、1つの試料について32回測定を行った。炭素中を進む光電子の非弾性平均自由工程を考慮すると、表面から9nmまでの範囲について測定されると考えられる。さらに、光電子は表面から深くなるにつれて脱出しにくくなり、光電子の検出は表面から深くなるほど減衰する。従って、今回測定された情報の50%は表面からおよそ1.5nmまでの最表層の情報で占められていると考えられる。
DLC膜の表面粗さは算術平均表面粗度Raにより評価した。算術平均表面粗度Raは、JIS B−0601に準拠して求めた。表面粗さの測定には表面粗さ測定機(ミツトヨ社製:SurfTest501)を用いた。
HRC硬さ60に調整した合金工具鋼(JIS:SKD11)からなるディスクの端面に、図1に示すマグネトロンスパッタ装置を用いてDLC膜を形成した。チャンバ内にテトラメチルシラン(Si(CH3)4)を導入し、基板に1kVのバイアス電圧を印加して、30分間放電を行った。ターゲット207にはグラファイトを用い、スパッタリングガスにはアルゴンを用いた。スパッタ電源215には直流パルス電源を用い、パルス周波数を300kHzとし、デューティー比を40%とし、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は3.6Wcm-2とした。また、最大電流密度の絶対値は68.2mAcm-2であった。スパッタリングガスにはアルゴンを用いた。
μ=(F×R)/(W×r) ・・・ 式(1)
但し、Fは摩擦力、Wは押し付け荷重、Rは摩擦力測定子の回転中心からの距離、rはリング外周半径とリング内径半径の和を2で除した値、すなわちリング半径中心を表す。
DLC膜を形成する際のパルス周波数を350kHzとして「実施例1」と同様にしてDLC膜を成膜し、摩擦係数を測定した。なお、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は4.1W/cm2となり、また最大電流密度の絶対値は67.3cm-2であった。ワーク側の平均電力密度の絶対値は28.7mW/cm2となった。
DLC膜を形成する際のパルス周波数を100kHzとして「実施例1」と同様にしてDLC膜を成膜し、摩擦係数を測定した。なお、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は2.0W/cm2となり、また最大電流密度の絶対値は20.6mAcm-2であった。ワーク側の平均電力密度の絶対値は17.2mW/cm2となった。
DLC膜を形成する際のパルス周波数を200kHzとして「実施例1」と同様にしてDLC膜を成膜し、摩擦係数を測定した。なお、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は2.6W/cm2となり、また最大電流密度の絶対値は55.8mAcm-2であった。ワーク側の平均電力密度の絶対値は19.7mW/cm2となった。
DLC膜を形成する際のスパッタ電源を直流パルス電源に代えて直流電源とした以外は「実施例1」と同様にしてDLC膜を成膜し、摩擦係数を測定した。なお、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は0.5W/cm2となり、ワーク側の平均電力密度の絶対値は0W/cm2となった。
DLC膜を形成する際のパルス周波数を300kHzとし、デューティー比を15%として「実施例1」と同様にしてDLC膜を成膜し、摩擦係数を測定した。なお、ターゲット側の平均電力密度の絶対値は3.3W/cm2となり、また最大電流密度の絶対値は48.8mAcm-2であった。ワーク側の平均電力密度の絶対値は24.8mW/cm2となった。
スパッタリング法に代えて、原料ガスにベンゼン(C6H6)を用いたイオン化蒸着法によりディスクの端面にDLC膜を形成し、摩擦係数を測定した。ガス圧を10-3Torrとし、C6H6を30ml/minの速度で連続的に導入しながら放電を行うことによりC6H6をイオン化し、イオン化蒸着を約10分間行い、厚さ0.1μmのDLC膜を基材の表面に形成した。
202 外周磁石
203 第1外部磁石
204 第2外部磁石
205 コイル
207 ターゲット
208 ワーク
210 ワークホルダ
211 ターゲット台
212 マッチング回路
213 高周波電源
214 スパッタリング電源
214 ローパスフィルター
215 スパッタ電源
216 ローパスフィルター
218 バイアス電源
221 チャンバ
Claims (7)
- 潤滑油の存在下において相手部材と摺動する摺動面となる表面を有する基材と、
前記表面に設けられた、厚さが0.001μm以上、10μm以下の、水素を含む炭素質膜とを備え、
前記炭素質膜は、試料に対する検出角度を90度としたX線光電子分光測定において得られるC1sピークをカーブフィッティングによりsp 3 C−Cの結合エネルギーに基づく第1ピーク、sp 2 C−Cの結合エネルギーに基づく第2ピーク、sp 3 C−Hの結合エネルギーに基づく第3ピーク、sp 2 C−Hの結合エネルギーに基づく第4ピークに分解することにより求めた、前記第3ピークの面積と前記第4ピークの面積との和の前記第1ピークの面積と前記第2ピークの面積との和に対する比が0.59未満であり、前記第3ピークの面積の前記第1ピークの面積に対する比が0.57未満であり、前記第4ピークの面積の前記第2ピークの面積に対する比が0.58未満であることを特徴とする摺動部材。 - 前記炭素質膜は、水素の含有量が2原子%以下であることを特徴とする請求項1に記載の摺動部材。
- 前記炭素質膜は、算術平均表面粗度Raが0.1μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の摺動部材。
- 前記炭素質膜は、中間層を介して前記基材の表面に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の摺動部材。
- 摺動部材の基材の表面に炭素質膜を形成する工程を備え、
前記炭素質膜を形成する工程は、
グラファイトをターゲットとし、希ガス又は窒素をスパッタリングガスとし、スパッタリング電源を直流パルス電源とするアンバランスドマグネトロンスパッタリング法により行い、
前記パルス電源の平均出力の絶対値を2.7Wcm-2以上とし、前記パルス電源のパルス周波数を250kHz以上、1MHz以下とし、
前記パルス電源のデューティー比を15%よりも大きく、90%以下とし、
試料に対する検出角度を90度としたX線光電子分光測定において得られるC1sピークをカーブフィッティングによりsp 3 C−Cの結合エネルギーに基づく第1ピーク、sp 2 C−Cの結合エネルギーに基づく第2ピーク、sp 3 C−Hの結合エネルギーに基づく第3ピーク、sp 2 C−Hの結合エネルギーに基づく第4ピークに分解することにより求めた、前記第3ピークの面積と前記第4ピークの面積との和の前記第1ピークの面積と前記第2ピークの面積との和に対する比が0.59未満で、厚さが0.001μm以上、10μm以下の炭素質膜を形成することを特徴とする摺動部材の製造方法。 - 摺動部材の基材の表面に炭素質膜を形成する工程を備え、
前記炭素質膜を形成する工程は、
グラファイトをターゲットとし、希ガス又は窒素をスパッタリングガスとし、スパッタリング電源を直流パルス電源とするアンバランスドマグネトロンスパッタリング法により行い、
前記パルス電源の最大電流密度の絶対値を55.8mAcm-2よりも大きくし、前記パルス電源のパルス周波数を250kHz以上、1MHz以下とし、
試料に対する検出角度を90度としたX線光電子分光測定において得られるC1sピークをカーブフィッティングによりsp 3 C−Cの結合エネルギーに基づく第1ピーク、sp 2 C−Cの結合エネルギーに基づく第2ピーク、sp 3 C−Hの結合エネルギーに基づく第3ピーク、sp 2 C−Hの結合エネルギーに基づく第4ピークに分解することにより求めた、前記第3ピークの面積と前記第4ピークの面積との和の前記第1ピークの面積と前記第2ピークの面積との和に対する比が0.59未満で、厚さが0.001μm以上、10μm以下の炭素質膜を形成することを特徴とする摺動部材の製造方法。 - 前記炭素質膜を形成する工程において、前記基材側の平均電力密度の絶対値を19.7mWcm-2よりも大きくすることを特徴とする請求項5又は6に記載の摺動部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129449A JP6290525B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | 摺動部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012129449A JP6290525B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | 摺動部材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013253291A JP2013253291A (ja) | 2013-12-19 |
JP6290525B2 true JP6290525B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=49951050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012129449A Active JP6290525B2 (ja) | 2012-06-07 | 2012-06-07 | 摺動部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6290525B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10858727B2 (en) * | 2016-08-19 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition |
DE102017220152B4 (de) * | 2017-11-13 | 2021-01-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Antriebsanordnung für ein Zweirad |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6565719B1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-05-20 | Komag, Inc. | Magnetic disk comprising a first carbon overcoat having a high SP3 content and a second carbon overcoat having a low SP3 content |
US7771821B2 (en) * | 2003-08-21 | 2010-08-10 | Nissan Motor Co., Ltd. | Low-friction sliding member and low-friction sliding mechanism using same |
JP5839318B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2016-01-06 | ナノテック株式会社 | 炭素膜の形成方法、炭素膜の形成装置、及び炭素膜 |
-
2012
- 2012-06-07 JP JP2012129449A patent/JP6290525B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013253291A (ja) | 2013-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Vetter | 60 years of DLC coatings: historical highlights and technical review of cathodic arc processes to synthesize various DLC types, and their evolution for industrial applications | |
JP5918326B2 (ja) | 被覆摺動部材 | |
US20070141347A1 (en) | Hard carbon film, production method thereof, and sliding member | |
JP4793531B2 (ja) | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 | |
JP6621401B2 (ja) | 耐摩耗層を生産する方法およびその方法によって生産された耐摩耗層 | |
US9546425B2 (en) | Member having hydrogen-containing, hard, amorphous carbon coating and its production method | |
JP5627148B1 (ja) | ピストンリング及びその製造方法 | |
DE102010052971A1 (de) | Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen | |
JP4300762B2 (ja) | 炭素膜被覆物品及びその製造方法 | |
DE102012007796A1 (de) | Beschichtung enthaltend Si-DLC, DLC und Me-DLC und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen | |
JP6290525B2 (ja) | 摺動部材及びその製造方法 | |
JP2003247060A (ja) | 非晶質炭素被膜の製造方法及び非晶質炭素被覆摺動部品 | |
JP4720052B2 (ja) | 非晶質炭素被膜の形成装置及び形成方法 | |
Cao et al. | Effect of bias voltage on microstructure, mechanical and tribological properties of TiAlN coatings | |
Ghantasala et al. | Magnetron sputtered thin films based on transition metal nitride: structure and properties | |
JP5150861B2 (ja) | 硬質炭素膜およびその形成方法 | |
CN108441825B (zh) | 掺杂金属类金刚石涂层制备方法及其制品 | |
JP6883805B2 (ja) | 硬質被膜及びその製造方法 | |
JP4645944B2 (ja) | 潤滑性非晶質炭素系被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製超硬ブローチ | |
JP2019116677A (ja) | 摺動部材 | |
JP6046379B2 (ja) | ボールペンチップ、ボールペン及びその製造方法 | |
JP4438546B2 (ja) | 高速重切削で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具 | |
JP4649946B2 (ja) | 潤滑性非晶質炭素系被膜がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製超硬ブローチ | |
Guliyev | Influence of voltage oscillation pulse-off time in a doms on the properties of hard hydrogen-free DLC coatings for the automotive industry. | |
JP2018059136A (ja) | 金属構造体及び金属構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160325 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6290525 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |