JP4438546B2 - 高速重切削で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具 - Google Patents
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(a)下部層として、1.5〜10μmの平均層厚を有し、かつ組成式:(Ti1-(A+Z)AlA SiZ)N(ただし、原子比で、Aは0.30〜0.55、Z:0.05〜0.15を示す)を満足するTiとAlとSiの複合窒化物[以下、(Ti,Al,Si)Nで示す]層からなる硬質層、
(b)上部層として、1〜10μmの平均層厚を有し、かつスパッタリング装置にて、カソード電極(蒸発源)として、WCターゲットを用い、炭化水素の分解ガスとArの混合ガスからなる反応雰囲気で形成され、オージェ分光分析装置で測定して、
W:5〜20原子%、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成をする非晶質炭素系潤滑層、
を蒸着形成してなる被覆超硬工具が知られており、かつ前記被覆超硬工具の表面被覆層の硬質層である(Ti,Al,Si)N層が、構成成分であるAlによって高温硬さと耐熱性、同Tiによって高温強度を有し、さらに同Si含有によって一段と耐熱性が向上し、また同上部層である非晶質炭素系潤滑層の共存と相俟って、、上記の非鉄材料などの被削材の連続切削や断続切削加工に用いた場合にすぐれた切削性能を発揮することも知られている。
(a)まず、上記下部層として、ヒータで装置内を、例えば500℃の温度に加熱した状態で、アノード電極と上記Ti−Al−Si合金のカソード電極(蒸発源)との間に、例えば電流:90Aの条件でアーク放電を発生させ、同時に装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して、例えば2Paの反応雰囲気とし、一方上記超硬基体には、例えば−100Vのバイアス電圧を印加した条件で、前記超硬基体の表面に、上記(Ti,Al,Si)N層からなる硬質層を蒸着形成し、
(b)つぎに、上部層として、例えば装置内の加熱温度を200℃とした状態で、C2H2などの炭化水素とArを、C2H2流量:40〜80sccm、Ar流量:250sccmの割合で導入して、例えば1Paの炭化水素の分解ガスとArの混合ガスからなる反応雰囲気とし、例えば上記超硬基体に印加するバイアス電圧を−20Vとし、WCターゲットのカソード電極(蒸発源)には出力:4〜6kW(周波数:40kHz)のスパッタ電力を印加した条件で、上記(Ti,Al,Si)N層からなる硬質層の上に非晶質炭素系潤滑層を蒸着形成することにより製造されることも知られている。
(a)上記の図4の蒸着装置のアーク放電装置を用いて形成された従来被覆超硬工具の表面硬質層を構成する(Ti,Al,Si)N層の下部層(硬質層)は、層厚全体に亘って実質的に均一な組成を有し、したがって均質な高温硬さと耐熱性、さらに高温強度を有するが、例えば図2(a)に概略平面図で、同(b)に概略正面図で示される構造のアークイオンプレーティング装置、すなわち装置中央部に超硬基体装着用回転テーブルを設け、前記回転テーブルを挟んで、一方側に相対的にAl含有量の高い(Ti含有量の低い)Al−Ti−Si合金、他方側に相対的にTi含有量の高い(Al含有量の低い)Ti−Al−Si合金をそれぞれカソード電極(蒸発源)として対向配置し、さらに前記両カソード電極に対して90度回転した位置にもカソード電極(蒸発源)として金属Crを装着したアークイオンプレーティング装置を用い、この蒸着装置の前記回転テーブル上に、これの中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に複数の超硬基体をリング状に装着し、この状態で装置内雰囲気を窒素雰囲気として前記回転テーブルを回転させると共に、蒸着形成される下部層(硬質層)の層厚均一化を図る目的で超硬基体自体も自転させながら、前記の図面上左右両側のそれぞれのカソード電極(蒸発源)とアノード電極との間にアーク放電を発生させて、前記超硬基体の表面にAlとTiとSiの複合窒化物[以下、(Al/Ti,Si)Nで示す]層を形成すると、この結果の(Al/Ti,Si)N層においては、回転テーブル上にリング状に配置された前記超硬基体が上記の一方側の相対的にAl含有量の高い(Ti含有量の低い)Al−Ti−Si合金のカソード電極(蒸発源)に最も接近した時点で層中にAl最高含有点が形成され、また前記超硬基体が上記の他方側の相対的にTi含有量の高い(Al含有量の低い)Ti−Al−Si合金のカソード電極に最も接近した時点で層中にTi最高含有点が形成され、上記回転テーブルの回転によって層中には層厚方向にそって前記Al最高含有点とTi最高含有点が所定間隔をもって交互に繰り返し現れると共に、前記Al最高含有点から前記Ti最高含有点、前記Ti最高含有点から前記Al最高含有点へAlおよびTi含有量がそれぞれ連続的に変化する組成変化構造をもつようになること。
上記Al最高含有点が、組成式:(Al1-(X+Z) TiXSiZ)N(ただし、原子比で、Xは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、
上記Ti最高含有点が、組成式:(Ti1-(Y+Z)AlYSiZ)N(ただし、原子比で、Yは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、
をそれぞれ満足し、かつ隣り合う上記Al最高含有点とTi最高含有点の厚さ方向の間隔を0.01〜0.1μmとすると、
上記Al最高含有点部分では、上記の従来(Ti,Al,Si)N層に比してAl含有量が相対的に高くなることから、より一段とすぐれた高温硬さと耐熱性(高温特性)を示し、一方上記Ti最高含有点部分では、前記従来(Ti,Al,Si)N層に比してTi含有量が相対的に高くなることから、一段と高い高温強度を具備し、かつこれらAl最高含有点とTi最高含有点の間隔をきわめて小さくしたことから、層全体の特性としてすぐれた高温強度を保持した状態ですぐれた高温硬さと耐熱性を具備するようになること。
W:5〜20原子%、
Ti:5〜20原子%、
窒素:0.5〜18原子%、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有するようにすると、この結果形成された非晶質炭素系潤滑層は、これの素地が含有するW成分の作用と、結晶質Ti(C,N)系微粒の分散分布効果、および前記電磁コイルによる磁場成膜に際しての細粒化効果で、高温強度が著しく向上するようになること。
以上(a)〜(e)に示される研究結果を得たのである。
(a)下部層として、1.5〜10μmの平均層厚を有し、かつ、層厚方向にそって、Al最高含有点とTi最高含有点とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在し、かつ前記Al最高含有点から前記Ti最高含有点、前記Ti最高含有点から前記Al最高含有点へAlおよびTi含有量がそれぞれ連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、
さらに、上記Al最高含有点が、組成式:(Al1-(X+Z) TiXSiZ)N(ただし、原子比で、Xは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、上記Ti最高含有点が、組成式:(Ti1-(Y+Z)AlYSiZ)N(ただし、原子比で、Yは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、を満足し、
かつ隣り合う上記Al最高含有点とTi最高含有点の間隔が、0.01〜0.1μmからなる組成変化構造を有する(Al/Ti,Si)N層からなる硬質層、
(b)上部層として、1〜10μmの平均層厚を有し、かつマグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極(蒸発源)として、WCターゲットとTiターゲットを用い、炭化水素の分解ガスと窒素とArの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜され、オージェ分光分析装置で測定して、
W:5〜20原子%、
Ti:5〜20原子%、
窒素:0.5〜18原子%、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共に、透過型電子顕微鏡による観察で、W成分含有の炭素系非晶質体の素地に、結晶質Ti(C,N)系化合物微粒が分散分布した組織を有する非晶質炭素系潤滑層、
以上(a)および(b)で構成された表面被覆層を蒸着形成してなる、特に高速重切削加工で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆超硬工具に特徴を有するものである。
(A)下部層[(Al/Ti,Si)N層]
(a)Al最高含有点の組成
下部層である(Al/Ti,Si)N層におけるAl成分は、高温硬さおよび耐熱性を向上させ、同Ti成分は高温強度を向上させ、さらに同Si成分は一段と耐熱性を向上させる作用があり、したがって相対的にAl成分の含有割合が高いAl最高含有点では一段とすぐれた高温硬さと耐熱性を具備するようになり、高熱発生を伴う高速切削条件で、すぐれた耐摩耗性を発揮するようになるが、Tiの割合を示すX値がAlとSiの合量に占める割合(原子比)で0.05未満になると、相対的にAlの割合が多くなり過ぎて、すぐれた高温強度を有するTi最高含有点が隣接して存在しても層自体の強度低下は避けられず、この結果高速重切削条件ではチッピングなどが発生し易くなり、一方Ti成分の割合を示すX値が同0.25を越えると、相対的にAlの割合が少なくなり過ぎて、所望のすぐれた高温硬さおよび耐熱性を確保することができなくなり、またSi成分の割合を示すZ値がAlとTiの合量に占める割合(原子比)で0.05未満では所望の耐熱性向上効果が得られず、さらに同Z値が0.15を超えると、強度が急激に低下するようになることから、X値を0.05〜0.25、Z値を0.05〜0.15とそれぞれ定めた。
上記の通りAl最高含有点は高温硬さおよび耐熱性のすぐれたものであるが、反面高温強度の劣るものであるため、このAl最高含有点の高温強度不足を補う目的で、相対的にTi含有割合が高く、これによってすぐれた高温強度を有するようになるTi最高含有点を厚さ方向に交互に介在させるものであり、したがってAlの割合を示すY値がTiとSiの合量に占める割合(原子比)で0.25を越えると、相対的にAlの割合が多くなり過ぎて、所望のすぐれた高温強度を確保することができず、一方同Y値が同じく0.05未満になると、相対的にTiの割合が多くなり過ぎて、Ti最高含有点に所望の高温硬さおよび耐熱性を具備せしめることができなくなり、摩耗進行促進の原因となることから、Y値を0.05〜0.25と定めたものであり、またSi成分の割合を示すZ値は上記のAl最高含有点におけると同じ理由で0.05〜0.15と定めた。
その間隔が0.01μm未満ではそれぞれの点を上記の組成で明確に形成することが困難であり、この結果層に所望のすぐれた高温強度と、すぐれた高温硬さおよび耐熱性を確保することができなくなり、またその間隔が0.1μmを越えるとそれぞれの点がもつ欠点、すなわちAl最高含有点であれば高温強度不足、Ti最高含有点であれば高温硬さおよび耐熱性不足が層内に局部的に現れ、これが原因で切刃にチッピングが発生し易くなったり、摩耗進行が促進されるようになることから、その間隔を0.01〜0.1μmと定めた。
その層厚が1.5μm未満では、所望の耐摩耗性を長期に亘って確保することができず、一方その平均層厚が10μmを越えると、チッピングが発生し易くなることから、その平均層厚を1.5〜10μmと定めた。
(a)W含有量
W成分は、上記の非晶質炭素系潤滑層の素地に含有して、層の高温強度を向上させる作用があるが、その含有量が5原子%未満では所望のすぐれた高温強度を確保することができず、一方その含有量が20原子%を越えると潤滑性が急激に低下するようになることから、その含有量を5〜20原子%と定めた。
Ti成分とN成分、さらにC(炭素)成分は磁場成膜下で結合して、被膜中に結晶質のTi(C,N)系化合物微粒として存在し、層の具備するすぐれた潤滑性を損なうことなく、高温強度を著しく向上させる作用があるが、その含有量がTi成分が5原子%未満、およびN成分が0.5原子%未満では、層中にTi(C,N)系微粒として存在する割合が少なくて、所望のすぐれた高温強度を確保することができず、一方その含有量がTi成分が20原子%、およびN成分が18原子%を越えると高温硬さおよび潤滑性が急激に低下するようになることから、その含有量をそれぞれTi:5〜20原子%、N:0.5〜18原子%と定めた。
その平均層厚が1μm未満では、所望の潤滑効果を長期に亘って確保することができず、一方その平均層厚が10μmを越えると、切刃部にチッピングが発生し易くなることから、その平均層厚を1〜10μmと定めた。
(b)まず、装置内を排気して0.1Pa以下の真空に保持しながら、ヒーターで装置内を500℃に加熱した後、前記回転テーブル上で自転しながら回転する超硬基体に−1000Vの直流バイアス電圧を印加し、かつカソード電極として装着した前記金属Crとアノード電極との間に100Aの電流を流してアーク放電を発生させ、もって超硬基体表面を前記金属Crによってボンバード洗浄し、
(c)ついで装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して3Paの反応雰囲気とすると共に、前記回転テーブル上で自転しながら回転する超硬基体に−60Vの直流バイアス電圧を印加し、かつそれぞれ対向配置した両カソード電極(前記Ti最高含有点形成用Ti−Al−Si合金およびAl最高含有点形成用Al−Ti−Si合金)とアノード電極との間に100Aの電流を流してアーク放電を発生させ、もって前記超硬基体の表面に、層厚方向に沿って表3に示される目標組成のAl最高含有点とTi最高含有点とが交互に同じく表3に示される目標間隔で繰り返し存在し、かつ前記Al最高含有点から前記Ti最高含有点、前記Ti最高含有点から前記Al最高含有点へAlおよびTi含有量がそれぞれ連続的に変化する組成変化構造を有し、かつ同じく表3に示される目標層厚の(Al/Ti,Si)N層を表面被覆層の下部層として蒸着形成し、
(d)つぎに、図3に示される蒸着装置、すなわち一方側のマグネトロンスパッタリング装置のカソード電極(蒸発源)として、純度:99.9質量%のTiターゲット、他方側のマグネトロンスパッタリング装置のカソード電極(蒸発源)として、純度:99.6質量%のWCターゲットを回転テーブルを挟んで対向配置した蒸着装置を用い、装置内の回転テーブル上に、これの中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に上記の下部層形成の超硬基体をリング状に装着し、
(e)電磁コイルに印加する条件を、電圧:50〜100V、電流:10〜20Aの範囲内の所定の値として、上記下部層形成の超硬基体の装着部における磁束密度を100〜300G(ガウス)の範囲内の所定の値とし、前記蒸着装置内の加熱温度を400℃、前記超硬基体に−100Vのバイアス電圧を印加し、一方前記蒸着装置内には反応ガスとして、C2H2(炭化水素)と窒素とArを、C2H2流量:25〜100sccm、窒素流量:200〜300sccm、Ar流量:150〜250sccmの範囲内の所定の流量で導入して、反応雰囲気を、1PaのC2H2の分解ガスと窒素とArの混合ガスとすると共に、前記両マグネトロンスパッタリング装置のWCターゲットのカソード電極(蒸発源)には、例えば出力:1〜3kW(周波数:40kHz)の範囲内の所定のスパッタ電力、同Tiターゲットには、出力:3〜8kW(周波数:40kHz)の範囲内の所定のスパッタ電力を同時に印加した条件で、同じく表3,4に示される目標組成および目標層厚の非晶質炭素系潤滑層を上部層として蒸着形成することにより、本発明被覆超硬工具としての本発明表面被覆超硬合金製スローアウエイチップ(以下、本発明被覆チップと云う)1〜16をそれぞれ製造した。
(b)まず、装置内を排気して0.1Pa以下の真空に保持しながら、ヒーターで装置内を500℃に加熱した後、前記超硬基体に−1000Vの直流バイアス電圧を印加し、かつカソード電極の前記Ti−Al−Si合金とアノード電極との間に100Aの電流を流してアーク放電を発生させ、もって超硬基体表面を前記Ti−Al−Si合金でボンバード洗浄し、
(c)上記装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して3Paの反応雰囲気とすると共に、前記超硬基体に印加するバイアス電圧を−100Vに下げて、前記Ti−Al−Si合金のカソード電極とアノード電極との間にアーク放電を発生させ、もって前記超硬基体A−1〜A−10およびB−1〜B−6のそれぞれの表面に、表4に示される目標組成および目標層厚の(Ti,Al,Si)N層を表面被覆層の下部層として蒸着形成し、
(d)ついで、上記蒸着装置内の加熱温度を200℃とした状態で、C2H2とArを、C2H2流量:40〜80sccm、Ar流量:250sccmの範囲内の所定の流量で導入して、1PaのC2H2の分解ガスとArの混合ガスからなる反応雰囲気とすると共に、上記の下部層形成の超硬基体に印加するバイアス電圧を−20Vとし、WCターゲットのカソード電極(蒸発源)には出力:4〜6kW(周波数:40kHz)の範囲内の所定のスパッタ電力を印加した条件で、上記下部層の上に、同じく表5,6に示される目標組成および目標層厚の非晶質炭素系潤滑層を蒸着形成することにより、従来被覆超硬工具に相当する比較表面被覆超硬合金製スローアウエイチップ(以下、比較被覆超硬チップと云う)1〜16をそれぞれ製造した。
被削材:JIS・A5052の丸棒、
切削速度:800m/min.、
切り込み:7.1mm、
送り:0.1mm/rev.、
切削時間:20分、
の条件(切削条件A)でのAl合金の乾式連続高速高切り込み切削加工試験(通常の切削速度および切り込みは400m/min.および2mm)、
被削材:JIS・C3710の丸棒、
切削速度:380m/min.、
切り込み:6.6mm、
送り:0.12mm/rev.、
切削時間:20分、
の条件(切削条件B)でのCu合金の乾式連続高速高切り込み切削加工試験(通常の切削速度および切り込みは200m/min.および2mm)、
被削材:JIS・TB340Hの丸棒、
切削速度:150m/min.、
切り込み:6.2mm、
送り:0.1mm/rev.、
切削時間:15分、
の条件(切削条件C)でのTi合金の乾式連続高速高切り込み切削加工試験(通常の切削速度および切り込みは100m/min.および1.5mm)を行い、いずれの切削加工試験でも切刃の逃げ面摩耗幅を測定した。この測定結果を表5に示した。
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・C3710の板材、
切削速度:170m/min.、
溝深さ(切り込み):5mm、
テーブル送り:480mm/分、
の条件でのCu合金の乾式高速高切り込み溝切削加工試験(通常の切削速度および溝深さは150m/min.および2mm)、本発明被覆エンドミル4〜6および比較被覆エンドミル4〜6については、
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・TP340HVの板材、
切削速度:180m/min.、
溝深さ(切り込み):8mm、
テーブル送り:450mm/分、
の条件でのTi合金の乾式高速高切り込み溝切削加工試験(通常の切削速度および溝深さは150m/min.および4mm)、本発明被覆エンドミル7,8および比較被覆エンドミル7,8については、
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・A5052の板材、
切削速度:200m/min.、
溝深さ(切り込み):16mm、
テーブル送り:500mm/分、
の条件でのAl合金の乾式高速高送り溝切削加工試験(通常の切削速度および溝深さは180m/min.および8mm)をそれぞれ行い、いずれの溝切削加工試験でも切刃部の外周刃の逃げ面摩耗幅が使用寿命の目安とされる0.1mmに至るまでの切削溝長を測定した。この測定結果をそれぞれ表7,8に示した。
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・A5052の板材、
切削速度:100m/min.、
送り:0.5mm/rev、
穴深さ:6mm、
の条件でのAl合金の湿式高速高送り穴あけ切削加工試験(通常の切削速度および送りは80m/min.および0.2mm/rev)、本発明被覆ドリル4〜6および比較被覆ドリル4〜6については、
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・C3710の板材、
切削速度:100m/min.、
送り:0.55mm/rev、
穴深さ:12mm、
の条件でのCu合金の湿式高速高送り穴あけ切削加工試験(通常の切削速度および送りは80m/min.および0.25mm/rev)、本発明被覆ドリル7,8および比較被覆ドリル7,8については、
被削材−平面寸法:100mm×250mm、厚さ:50mmのJIS・TP340Hの板材、
切削速度:60m/min.、
送り:0.5mm/rev、
穴深さ:20mm、
の条件でのTi合金の湿式高速高送り穴あけ切削加工試験(通常の切削速度および送りは40m/min.および0.2mm/rev)、をそれぞれ行い、いずれの湿式高速高送り穴あけ切削加工試験(水溶性切削油使用)でも先端切刃面の逃げ面摩耗幅が0.3mmに至るまでの穴あけ加工数を測定した。この測定結果をそれぞれ表9,10に示した。
さらに、同上部層を構成する非晶質炭素系潤滑層についても、その組成をオージェ分光分析装置、その層厚を走査型電子顕微鏡を用いて測定したところ、いずれも目標組成および目標層厚と実質的に同じ組成および平均層厚(断面5箇所の平均値)を示し、また、その組織を透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、前記本発明被覆超硬工具は、図1に示される通り炭素系非晶質体の素地に、結晶質のTi(C,N)系化合物微粒が分散分布した組織を示し、一方前記従来被覆超硬工具は、炭素系非晶質体の単一相からなる組織を示した。
Claims (1)
- 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された超硬基体の表面に、
(a)下部層として、1.5〜10μmの平均層厚を有し、かつ、層厚方向にそって、Al最高含有点とTi最高含有点とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在し、かつ前記Al最高含有点から前記Ti最高含有点、前記Ti最高含有点から前記Al最高含有点へAlおよびTi含有量がそれぞれ連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、
さらに、上記Al最高含有点が、組成式:(Al1-(X+Z) TiXSiZ)N(ただし、原子比で、Xは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、
上記Ti最高含有点が、組成式:(Ti1-(Y+Z)AlYSiZ)N(ただし、原子比で、Yは0.05〜0.25、Zは0.05〜0.15を示す)、
を満足し、かつ隣り合う上記Al最高含有点とTi最高含有点の間隔が、0.01〜0.1μmからなる組成変化構造を有するTiとAlとSiの複合窒化物層からなる硬質層、
(b)上部層として、1〜10μmの平均層厚を有し、かつマグネトロンスパッタリング装置にて、カソード電極(蒸発源)として、炭化タングステンターゲットとTiターゲットを用い、炭化水素の分解ガスと窒素とArの混合ガスからなる反応雰囲気で磁場中成膜され、オージェ分光分析装置で測定して、
W:5〜20原子%、
Ti:5〜20原子%、
窒素:0.5〜18原子%、
を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共に、透過型電子顕微鏡による観察で、W成分含有の炭素系非晶質体の素地に、結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒が分散分布した組織を有する非晶質炭素系潤滑層、
以上(a)および(b)で構成された表面被覆層を蒸着形成してなる、高速重切削加工で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具。
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