JP6285933B2 - 酸化物の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、触媒としてイミド化合物を使用し、酸素とオゾンの存在下で基質を酸化する方法に関する。本願は、2013年7月18日に日本に出願した、特願2013−149855号の優先権を主張し、その内容をここに援用する。
酸化反応は有機化学工業における最も基本的な反応の一つであり、種々の酸化方法が開発されている。特許文献1には、脂溶性イミド化合物を触媒として使用し、ラジカルを生成可能な化合物を分子状酸素等で酸化する方法が記載されている。しかし、市販されているイミド化合物をそのまま触媒として使用できないこと、前記脂溶性イミド化合物は合成が困難であること、及び前記合成が困難な脂溶性イミド化合物を使用しても、基質として直鎖状アルカンを使用した場合には、非常に収率が低いことが問題であった。
特開2002−331242号公報
従って、本発明の目的は、優れた酸化力で基質を酸化して対応する酸化物を製造する方法であって、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用することができ、温和な条件下において優れた収率で酸化物を製造することができる酸化物の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、優れた酸化力で基質を酸化する方法であって、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用することができ、温和な条件下において優れた転化率で基質を酸化することができる基質の酸化方法を提供することにある。
本発明者等は上記課題を解決するため鋭意検討した結果、酸化剤としての酸素をオゾン共存下で使用すると、オゾンが基質からの水素の引き抜きを促進する作用を発揮するため、ラジカル反応を活性化することができ、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用しても、また基質として酸化が困難な直鎖状アルカンを使用しても、温和な条件下において優れた転化率で酸化して、優れた収率で対応する酸化物を製造することができることを見いだした。本発明はこれらの知見に基づいて完成させたものである。
すなわち、本発明は、下記式(I)
Figure 0006285933
[式中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す]
で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A)を酸化することにより対応する酸化物を得る酸化物の製造方法を提供する。
基質(A):(A1)ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A2)炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4)不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A5)脂環式化合物、(A6)共役化合物、(A7)アミン化合物、(A8)芳香族化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
また、イミド化合物を触媒として使用すると共に、助触媒として金属化合物を使用する前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、金属化合物を構成する金属元素がコバルト、マンガン、ジルコニウム、及びモリブデンから選択される少なくとも1種である前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、実質的に溶媒を使用することなく酸化反応を行う前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、常圧下で酸化反応を行う前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、硝酸及び窒素酸化物から選択される少なくとも1種の存在下で酸化反応を行う前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、100℃以下の温度で酸化反応を行う前記の酸化物の製造方法を提供する。
また、下記式(I)
Figure 0006285933
[式中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す]
で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A)を酸化することを特徴とする基質の酸化方法を提供する。
基質(A):(A1)ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A2)炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4)不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A5)脂環式化合物、(A6)共役化合物、(A7)アミン化合物、(A8)芳香族化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
すなわち、本発明は以下に関する。
[1] 式(I)で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A)を酸化することにより対応する酸化物を得る酸化物の製造方法。
基質(A):(A1)ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A2)炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4)不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A5)脂環式化合物、(A6)共役化合物、(A7)アミン化合物、(A8)芳香族化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
[2] イミド化合物を触媒として使用すると共に、助触媒として金属化合物を使用する[1]に記載の酸化物の製造方法。
[3] 金属化合物を構成する金属元素がコバルト、マンガン、ジルコニウム、及びモリブデンから選択される少なくとも1種である[2]に記載の酸化物の製造方法。
[4] 金属化合物が、コバルト、マンガン、ジルコニウム、及びモリブデンから選択される少なくとも1種の金属元素の有機酸塩である[2]に記載の酸化物の製造方法。
[5] 実質的に溶媒を使用することなく酸化反応を行う[1]〜[4]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[6] 常圧下で酸化反応を行う[1]〜[5]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[7] 硝酸及び窒素酸化物から選択される少なくとも1種の存在下で酸化反応を行う[1]〜[6]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[8] 100℃以下の温度で酸化反応を行う[1]〜[7]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[9] 基質(A)が、(A3-2)メチン炭素原子を有する鎖状化合物、(A4-1)芳香族性環の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する芳香族化合物、及び(A9)直鎖状アルカンから選択される化合物である[1]〜[8]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[10] 基質(A)が、直鎖状アルカン、分岐鎖状アルカン、及び芳香族炭化水素から選択される化合物である[1]〜[8]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[11] イミド化合物1モルに対して0.005〜0.500モルの金属化合物を間欠的に添加する[2]〜[10]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[12] 酸素ガスとオゾンガスの流通下(酸素ガスとオゾンガスの流通速度は、基質(A)1モルに対し、1〜40L/分)で酸化反応を行う[1]〜[11]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[13] 酸素ガスとオゾンガスをバブリングした状態で酸化反応を行う[1]〜[12]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[14] イミド化合物が、Fedorsの方法による溶解度パラメーター[SP値;エステル結合を構成する酸素原子(−O−)の蒸発エネルギーが3350J/mol、モル体積が3.8cm3/molとなる温度(25℃)での値]が26[(MPa)1/2]を超える化合物である[1]〜[13]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[15] イミド化合物が、N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒドロキシフタルイミド、N,N’−ジヒドロキシピロメリット酸ジイミド、N−ヒドロキシグルタルイミド、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド、N,N’−ジヒドロキシ−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、及び前記化合物のヒドロキシル基に保護基を導入することにより得られる化合物から選択される化合物である[1]〜[14]の何れか1つに記載の酸化物の製造方法。
[16] 式(I)で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A)を酸化することを特徴とする基質の酸化方法。
基質(A):(A1)ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A2)炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4)不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A5)脂環式化合物、(A6)共役化合物、(A7)アミン化合物、(A8)芳香族化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
本発明の酸化物の製造方法によれば、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用しても、また基質として酸化が困難な直鎖状アルカンを使用しても、更に実質的に溶媒の不存在下でも、温和な条件下において優れた収率で対応する酸化物を製造することができる。
また、本発明の基質の酸化方法によれば、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用しても、また基質として酸化が困難な直鎖状アルカンを使用しても、更に実質的に溶媒の不存在下でも、温和な条件下において優れた転化率で基質を酸化することができる。
そのため、本発明は、例えば、ガソリン等の燃料中の炭化水素、硫化物、無機成分等の酸化を促進することによる燃料の改質、酸素ガス中の一酸化炭素を酸化することによる精製、酸化珪素中の炭化水素の酸化的除去、ディーゼルエンジン中の窒素酸化物の除去、排気ガス中の炭化水素や一酸化炭素を酸化的除去することによる排気ガス精製等に応用が可能である。
実施例1及び比較例1、2の酸化反応における反応時間と原料の転化率の関係を示す図である。 実施例1及び比較例1、2の酸化反応における反応時間と酸化物の生成率の関係を示す図である。 実施例2及び比較例3、4の酸化反応における反応時間と原料の転化率の関係を示す図である。 実施例2及び比較例3、4の酸化反応における反応時間と酸化物の生成率の関係を示す図である。 実施例3〜5の酸化反応における反応時間と原料の転化率の関係を示す図である。 実施例6〜9の酸化反応における反応時間と原料の転化率の関係を示す図である。
(触媒)
本発明では、上記式(I)で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用することを特徴とする。
式(I)において、窒素原子とXとの結合は単結合又は二重結合である。前記イミド化合物は、分子中に、式(I)で表される環状イミド骨格を複数個有していてもよい。また、前記イミド化合物は、前記Xが−OR基であり且つRがヒドロキシル基の保護基である場合、環状イミド骨格のうちRを除く部分(N−オキシ環状イミド骨格)が複数個、Rを介して結合していてもよい。
前記Rで示されるヒドロキシル基の保護基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル、t−ブチル基等のC1-4アルキル基等)、アルケニル基(例えば、アリル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロヘキシル基等)、アリール基(例えば、2,4−ジニトロフェニル基等)、アラルキル基(例えば、ベンジル、2,6−ジクロロベンジル、3−ブロモベンジル、2−ニトロベンジル、トリフェニルメチル基等);置換メチル基(例えば、メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル、2,2,2−トリクロロエトキシメチル、ビス(2−クロロエトキシ)メチル、2−(トリメチルシリル)エトキシメチル基等)、置換エチル基(例えば、1−エトキシエチル、1−メチル−1−メトキシエチル、1−イソプロポキシエチル、2,2,2−トリクロロエチル、2−メトキシエチル基等)、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、1−ヒドロキシアルキル基等(例えば、1−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキシヘキシル、1−ヒドロキシデシル、1−ヒドロキシヘキサデシル、1−ヒドロキシ−1−フェニルメチル基等)のヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタールを形成可能な基;アシル基(例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、オクタノイル、ノナノイル、デカノイル、ラウロイル、ミリストイル、パルミトイル、ステアロイル基等のC1-20脂肪族アシル基等の脂肪族飽和又は不飽和アシル基;アセトアセチル基;シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカルボニル基等のシクロアルカンカルボニル基等の脂環式アシル基;ベンゾイル、ナフトイル基等の芳香族アシル基等);スルホニル基(メタンスルホニル、エタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、p−トルエンスルホニル、ナフタレンスルホニル基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル基等のC1-4アルコキシ−カルボニル基等)、アラルキルオキシカルボニル基(例えば、ベンジルオキシカルボニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボニル基等)、置換又は無置換カルバモイル基(例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、フェニルカルバモイル基等)、無機酸(例えば、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸等)からOH基を除した基、ジアルキルホスフィノチオイル基(例えば、ジメチルホスフィノチオイル基等)、ジアリールホスフィノチオイル基(例えば、ジフェニルホスフィノチオイル基等)、置換シリル基(例えば、トリメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、トリベンジルシリル、トリフェニルシリル基等)が挙げられる。
また、Xが−OR基である場合において、環状イミド骨格のうちRを除く部分(N−オキシ環状イミド骨格)が複数個、Rを介して結合する場合のRとしては、例えば、オキサリル、マロニル、スクシニル、グルタリル、アジポイル、フタロイル、イソフタロイル、テレフタロイル基等のポリカルボン酸アシル基;カルボニル基;メチレン、エチリデン、イソプロピリデン、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、ベンジリデン基等の多価の炭化水素基(特に、2つのヒドロキシル基とアセタールを形成する基)等が挙げられる。
好ましいRには、例えば、水素原子;ヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタールを形成可能な基;カルボン酸、スルホン酸、炭酸、カルバミン酸、硫酸、リン酸、ホウ酸等の酸からOH基を除した基(アシル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基等)等の加水分解により脱離可能な加水分解性保護基等が含まれる。
式(I)において、nは0又は1を示す。すなわち、式(I)は、nが0の場合は5員の環状イミド骨格を表し、nが1の場合は6員の環状イミド骨格を表す。
前記イミド化合物の代表的な例として、下記式(1)で表されるイミド化合物が挙げられる。式(1)中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す。R1、R2、R3、R4、R5、及びR6は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基又はアシルオキシ基を示す。R1、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して二重結合を形成してもよく、環状イミド骨格を構成する炭素原子と共に環を形成してもよい。前記R1、R2、R3、R4、R5、若しくはR6、又はR1、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して形成された二重結合、又は環状イミド骨格を構成する炭素原子と共に形成した環には、下記式(1)中に示される環状イミド基が1又は2個以上結合していてもよい。
Figure 0006285933
式(1)で表されるイミド化合物の置換基R1、R2、R3、R4、R5、及びR6におけるハロゲン原子には、ヨウ素、臭素、塩素、及びフッ素原子が含まれる。アルキル基には、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、s−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル基等の炭素数1〜30程度(特に、炭素数1〜20)の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が含まれる。
アリール基には、例えば、フェニル、ナフチル基等が含まれ、シクロアルキル基には、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル基等が含まれる。アルコキシ基には、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、t−ブトキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、テトラデシルオキシ、オクタデシルオキシ基等の炭素数1〜30程度(特に、炭素数1〜20)のアルコキシ基が含まれる。
置換オキシカルボニル基には、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニル基等のC1-30アルコキシカルボニル基(特に、C1-20アルコキシ−カルボニル基);シクロペンチルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のシクロアルキルオキシカルボニル基(特に、3〜20員シクロアルキルオキシカルボニル基);フェニルオキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基(特に、C6-20アリールオキシ−カルボニル基);ベンジルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基(特に、C7-21アラルキルオキシ−カルボニル基)等が挙げられる。
アシル基には、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ラウロイル、ミリストイル、パルミトイル、ステアロイル基等のC1-30脂肪族アシル基(特に、C1-20脂肪族アシル基)等の脂肪族飽和又は不飽和アシル基;アセトアセチル基;シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカルボニル基等のシクロアルカンカルボニル基等の脂環式アシル基;ベンゾイル、ナフトイル基等の芳香族アシル基等が含まれる。
アシルオキシ基には、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、イソブチリルオキシ、バレリルオキシ、ピバロイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、オクタノイルオキシ、デカノイルオキシ、ラウロイルオキシ、ミリストイルオキシ、パルミトイルオキシ、ステアロイルオキシ基等のC1-30脂肪族アシルオキシ基(特に、C1-20脂肪族アシルオキシ基)等の脂肪族飽和又は不飽和アシルオキシ基;アセトアセチルオキシ基;シクロペンタンカルボニルオキシ、シクロヘキサンカルボニルオキシ基等のシクロアルカンカルボニルオキシ基等の脂環式アシルオキシ基;ベンゾイルオキシ、ナフトイルオキシ基等の芳香族アシルオキシ基等が含まれる。
前記置換基R 1 、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して、環状イミド骨格を構成する炭素原子と共に形成してもよい環としては、例えば5〜12員環(特に好ましくは6〜10員環)である。前記環には、炭化水素環、複素環、及び縮合複素環が含まれる。このような環の具体例としては、非芳香族性脂環式環(シクロヘキサン環等の置換基を有していてもよいシクロアルカン環、シクロヘキセン環等の置換基を有していてもよいシクロアルケン環等)、非芳香族性橋かけ環(5−ノルボルネン環等の置換基を有していてもよい橋かけ式炭化水素環等)、置換基を有していてもよい芳香族環(縮合環を含む)(ベンゼン環、ナフタレン環等)を挙げることができる。前記環が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
前記R1、R2、R3、R4、R5、若しくはR6、又はR1、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して形成された二重結合、又は環状イミド骨格を構成する炭素原子と共に形成した環には、上記式(1)中に示される環状イミド基が1又は2個以上結合していてもよく、例えば、R1、R2、R3、R4、R5、若しくはR6が炭素数2以上のアルキル基である場合、このアルキル基を構成する隣接する2つの炭素原子を含んで前記環状イミド基を形成していてもよい。また、R1、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して二重結合を形成する場合、該二重結合を含んで前記環状イミド基を形成していてもよい。さらに、R1、R2、R3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも2つが互いに結合して、環状イミド骨格を構成する炭素原子と共に前記環状イミド基を形成していてもよい。
好ましいイミド化合物には、下記式で表される化合物が含まれる。式中、R11〜R16は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、又はアシルオキシ基を示す。R17〜R26は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、又はハロゲン原子を示す。R17〜R26は、隣接する基同士が結合して、式(1c)、(1d)、(1e)、(1f)、(1h)、又は(1i)中に示される5員又は6員の環状イミド骨格を形成していてもよい。Aはメチレン基又は酸素原子を示す。Xは前記に同じ。
Figure 0006285933
置換基R11〜R16におけるハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基としては、前記R1〜R6における対応する基と同様のものが例示される。
置換基R17〜R26におけるアルキル基としては、前記例示のアルキル基と同様のアルキル基(好ましくは炭素数1〜6程度のアルキル基、特に好ましくは炭素数1〜4の低級アルキル基)が例示され、ハロアルキル基としては、トリフルオロメチル基等の炭素数1〜4程度のハロアルキル基、アルコキシ基としては、前記と同様のアルコキシ基(特に炭素数1〜4程度の低級アルコキシ基)、置換オキシカルボニル基としては、前記と同様の置換オキシカルボニル基(アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基等)が例示される。また、アシル基としては前記と同様のアシル基(脂肪族飽和又は不飽和アシル基、アセトアセチル基、脂環式アシル基、芳香族アシル基等)が例示され、アシルオキシ基としては前記と同様のアシルオキシ基(脂肪族飽和又は不飽和アシルオキシ基、アセトアセチルオキシ基、脂環式アシルオキシ基、芳香族アシルオキシ基等)が例示される。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素原子が例示される。置換基R17〜R26としては、特に、水素原子、炭素数1〜4程度の低級アルキル基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、ニトロ基、ハロゲン原子が好ましい。
また、本発明では酸化剤としての酸素をオゾン共存下で使用するため、非常に優れた酸化力で基質(A)を酸化することができる。そのため、イミド化合物のFedorsの方法による溶解度パラメーター[SP値;エステル結合を構成する酸素原子(−O−)の蒸発エネルギーが3350J/mol、モル体積が3.8cm3/molとなる温度(25℃)での値]が、例えば26[(MPa)1/2]を超える場合(好ましくは、26[(MPa)1/2]を超え、40[(MPa)1/2]以下の場合)であっても、無溶媒下において反応を速やかに進行させることができ、酸化物を効率よく得ることができる。尚、SP値は文献記載の方法[R.F.Fedors, Polym. Eng. Sci., 14(2), 147(1974); E.A.Grulke, Polymer Handbook, VII/675; 原崎勇次、塗装技術、3、129(1987)参照]により求めることができる。
好ましいイミド化合物のうち5員の環状イミド骨格を有する化合物の代表的な例として、N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α−メチルコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,α−ジメチルコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,β−ジメチルコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,α,β,β−テトラメチルコハク酸イミド、N−ヒドロキシマレイン酸イミド、N−ヒドロキシヘキサヒドロフタルイミド、N,N’−ジヒドロキシシクロヘキサンテトラカルボン酸ジイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、N−ヒドロキシテトラブロモフタルイミド、N−ヒドロキシテトラクロロフタルイミド、N−ヒドロキシヘット酸イミド、N−ヒドロキシハイミック酸イミド、N−ヒドロキシトリメリット酸イミド、N,N’−ジヒドロキシピロメリット酸ジイミド、N,N’−ジヒドロキシナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、α,β−ジアセトキシ−N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,β−ビス(プロピオニルオキシ)コハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,β−ビス(バレリルオキシ)コハク酸イミド、N−ヒドロキシ−α,β−ビス(ラウロイルオキシ)コハク酸イミド、α,β−ビス(ベンゾイルオキシ)−N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒドロキシ−4−メトキシカルボニルフタルイミド、4−エトキシカルボニル−N−ヒドロキシフタルイミド、N−ヒドロキシ−4−ペンチルオキシカルボニルフタルイミド、4−ドデシルオキシ−N−ヒドロキシカルボニルフタルイミド、N−ヒドロキシ−4−フェノキシカルボニルフタルイミド、N−ヒドロキシ−4,5−ビス(メトキシカルボニル)フタルイミド、4,5−ビス(エトキシカルボニル)−N−ヒドロキシフタルイミド、N−ヒドロキシ−4,5−ビス(ペンチルオキシカルボニル)フタルイミド、4,5−ビス(ドデシルオキシカルボニル)−N−ヒドロキシフタルイミド、N−ヒドロキシ−4,5−ビス(フェノキシカルボニル)フタルイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRが水素原子である化合物;これらの化合物に対応する、Rがアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基である化合物;N−メトキシメチルオキシフタルイミド、N−(2−メトキシエトキシメチルオキシ)フタルイミド、N−テトラヒドロピラニルオキシフタルイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRがヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタールを形成可能な基である化合物;N−メタンスルホニルオキシフタルイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)フタルイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRがスルホニル基である化合物;N−ヒドロキシフタルイミドの硫酸エステル、硝酸エステル、リン酸エステル又はホウ酸エステル等の式(1)におけるXが−OR基で且つRが無機酸からOH基を除した基である化合物等が挙げられる。
好ましいイミド化合物のうち6員の環状イミド骨格を有する化合物の代表的な例として、N−ヒドロキシグルタルイミド、N−ヒドロキシ−α,α−ジメチルグルタルイミド、N−ヒドロキシ−β,β−ジメチルグルタルイミド、N−ヒドロキシ−1,8−デカリンジカルボン酸イミド、N,N’−ジヒドロキシ−1,8;4,5−デカリンテトラカルボン酸ジイミド、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド(N−ヒドロキシナフタルイミド)、N,N’−ジヒドロキシ−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRが水素原子である化合物;これらの化合物に対応する、Rがアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基である化合物;N−メトキシメチルオキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド、N,N’−ビス(メトキシメチルオキシ)−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRがヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタールを形成可能な基である化合物;N−メタンスルホニルオキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド、N,N’−ビス(メタンスルホニルオキシ)−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド等の式(1)におけるXが−OR基で且つRがスルホニル基である化合物;N−ヒドロキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド又はN,N’−ジヒドロキシ−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドの硫酸エステル、硝酸エステル、リン酸エステル又はホウ酸エステル等の式(1)におけるXが−OR基で且つRが無機酸からOH基を除した基である化合物等が挙げられる。
前記イミド化合物のうち、Xが−OR基で且つRが水素原子である化合物(N−ヒドロキシイミド化合物)は、慣用のイミド化反応、例えば、対応する酸無水物とヒドロキシルアミンとを反応させ、酸無水物基の開環及び閉環を経てイミド化する方法により製造することができる。また、前記イミド化合物のうち、Xが−OR基で且つRがヒドロキシル基の保護基である化合物は、対応するRが水素原子である化合物(N−ヒドロキシイミド化合物)に、慣用の保護基導入反応を利用して、所望の保護基を導入することにより製造することができる。例えば、N−アセトキシフタルイミドは、N−ヒドロキシフタルイミドに無水酢酸を反応させたり、塩基の存在下でアセチルハライドを反応させることにより製造することができる。
特に好ましいイミド化合物は、脂肪族多価カルボン酸無水物又は芳香族多価カルボン酸無水物から誘導されるN−ヒドロキシイミド化合物(例えば、N−ヒドロキシコハク酸イミド(SP値:33.5[(MPa)1/2])、N−ヒドロキシフタルイミド(SP値:33.4[(MPa)1/2])、N,N’−ジヒドロキシピロメリット酸ジイミド、N−ヒドロキシグルタルイミド、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタレンジカルボン酸イミド、N,N’−ジヒドロキシ−1,8;4,5−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド等)、及び前記N−ヒドロキシイミド化合物のヒドロキシル基に保護基を導入することにより得られる化合物等が含まれる。
イミド化合物は、1種を単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。前記イミド化合物は反応系内で生成させてもよいが、本発明においては、例えば、商品名「N−ヒドロキシフタルイミド」(和光純薬工業(株)製)、商品名「N−ヒドロキシコハク酸イミド」(和光純薬工業(株)製)等の市販品を好適に使用することができる。
また、イミド化合物は担体(例えば、活性炭、ゼオライト、シリカ、シリカ−アルミナ、ベントナイト等の多孔質担体)に担持した形態で用いてもよい。
イミド化合物の使用量は、基質(A)1モルに対して、例えば0.0000001〜1モル程度、好ましくは0.00001〜0.5モル、特に好ましくは0.0001〜0.4モル、最も好ましくは0.05〜0.4モルである。イミド化合物を上記範囲で使用することにより、優れた反応速度で酸化反応を進行させることができる。
(助触媒)
本発明においては、イミド化合物を触媒として使用すると共に、助触媒として金属化合物を使用することが好ましい。前記触媒と金属化合物を併用することにより反応速度をより一層向上させることができる。
金属化合物を構成する金属元素としては、例えば、コバルト、マンガン、ジルコニウム、及びモリブデン等を挙げることができる。金属元素の原子価は特に制限されず、例えば0〜6価程度である。
金属化合物としては、前記金属元素の単体、水酸化物、酸化物(複合酸化物を含む)、ハロゲン化物(フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物)、オキソ酸塩(例えば、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩等)、イソポリ酸の塩、ヘテロポリ酸の塩等の無機化合物;有機酸塩(例えば、酢酸塩、プロピオン酸塩、青酸塩、ナフテン酸塩、ステアリン酸塩等)、錯体等の有機化合物が挙げられる。
前記錯体を構成する配位子としては、OH(ヒドロキソ)、アルコキシ(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等)、アシル(アセチル、プロピオニル等)、アルコキシカルボニル(メトキシカルボニル、エトキシカルボニル等)、アセチルアセトナト、シクロペンタジエニル基、ハロゲン原子(塩素、臭素等)、CO、CN、酸素原子、H2O(アコ)、ホスフィン(トリフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン等)のリン化合物、NH3(アンミン)、NO、NO2(ニトロ)、NO3(ニトラト)、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピリジン、フェナントロリン等の窒素含有化合物等が挙げられる。
金属化合物の具体例としては、例えば、コバルト化合物を例にとると、水酸化コバルト、酸化コバルト、塩化コバルト、臭化コバルト、硝酸コバルト、硫酸コバルト、リン酸コバルト等の無機化合物;酢酸コバルト、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸コバルト等の有機酸塩;コバルトアセチルアセトナト等の錯体等の2価又は3価のコバルト化合物等が挙げられる。他の金属元素の化合物としては、前記コバルト化合物に対応する化合物が例示される。金属化合物は1種を単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。本発明においては、反応速度を著しく向上することできる点で、少なくともコバルト化合物を使用することが好ましく、特にコバルト化合物とマンガン化合物を組み合わせて使用することが好ましい。
金属化合物の使用量(2種以上を使用する場合はその総量)は、前記イミド化合物1モルに対して、例えば0.001〜10モル程度、好ましくは0.005〜3モル、特に好ましくは0.01〜1モルである。また、金属化合物の使用量は、基質(A)に対して、例えば0.00001〜10モル%程度、好ましくは0.2〜2モル%である。
金属化合物は仕込み時に一括添加しても良く、反応系内に連続添加又は間欠添加してもよい。本発明においては、特に連続添加又は間欠添加することが、反応速度をより一層向上することができる点で好ましく、イミド化合物1モルに対して例えば0.005〜0.500モル、好ましくは0.100〜0.300モルとなる量の金属化合物(特に、コバルト化合物)を、間欠的に添加することが最も好ましい。
(溶媒)
本発明では上記触媒を溶解するために少量の溶媒(例えば、触媒量の0.1〜10重量倍程度)を使用してもよいが、酸化剤としての酸素をオゾン共存下で使用するため、実質的に溶媒を使用しなくても酸化反応を進行させることができる。そのため、溶媒の使用量は、例えば、基質(A)と基質(A)の酸化物の合計量が反応系内の液体成分全量の70重量%以上程度、好ましくは85重量%以上、特に好ましくは95重量%以上となる量である。溶媒を実質的に使用しない場合は、反応生成物である酸化物と溶媒を分離する必要がなく、製造プロセスの煩雑さを解消することができる。
前記溶媒としては、例えば、酢酸、プロピオン酸等の有機酸;アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ホルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類;ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素;クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン等のハロゲン化炭化水素;ニトロベンゼン、ニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ化合物;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;及びこれらの混合溶媒等が挙げられる。
(酸化剤)
本発明においては酸化剤としての酸素をオゾンの共存下で使用することを特徴とする。酸化剤としての酸素をオゾンと共に使用することにより、基質(A)からの水素の引き抜きを促進することができ、ラジカル反応を活性化することができる。そのため、温和な条件下(反応圧力:常圧、反応温度:例えば室温〜200℃程度、好ましくは50〜130℃、特に好ましくは60〜100℃)においても、酸化反応を促進することができる。酸素ガスとオゾンガスの流通下で反応を行う場合、オゾンガス含有酸素ガスに占めるオゾンガス量としては、反応性及び経済性の観点から、酸素ガスの例えば0.1〜10体積%程度である。
酸素としては分子状酸素を使用することが好ましい。分子状酸素としては、純粋な酸素を用いてもよく、窒素、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素等の不活性ガスで希釈した酸素や、常圧又は加圧(1〜100気圧)の空気を使用してもよい。分子状酸素の使用量は、基質(A)1モルに対して1モル以上であれば特に限定されない。
本発明においてオゾンはラジカル発生剤としての作用を有する。オゾンとしてはオゾンガスを使用することが好ましい。オゾンガスの使用量は、基質(A)1モルに対して0.01モル以上であれば特に限定されない。また、オゾンガスの供給は、反応が円滑に進行する限り、断続的に行っても連続的に行ってもよい。また、ラジカル発生剤としてオゾンと共に、例えば、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)等を使用することもできる。
本発明では酸素とオゾンの存在下、又は酸素ガスとオゾンガスの流通下で反応が行われる。前記ガス(酸素ガスとオゾンガス)の流通方法には、反応系内の気相に通気する方法や、液相に通気する方法が含まれる。基質(A)1モルに対する前記ガスの流通速度は例えば1〜40L/分程度、好ましくは10〜30L/分である。
本発明においては、前記ガスと基質との接触面積若しくは接触時間を向上させることが反応速度を一層向上することができる点で好ましく、例えば、酸素ガスとオゾンガスをバブリングして反応を行うことが好ましい。
(基質(A))
本発明において反応基質(A)として用いる有機化合物としては、安定なラジカルを生成しうる化合物が好ましく、(A1)ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A2)炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4)不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物、(A5)脂環式化合物、(A6)共役化合物、(A7)アミン化合物、(A8)芳香族化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物が挙げられる。
これらの化合物は、反応を阻害しない範囲で種々の置換基を有していてもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、オキソ基、置換オキシ基(例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基等)、置換チオ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基、スルホ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環基等が挙げられる。
ヘテロ原子の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物(A1)としては、(A1-1)第1級若しくは第2級アルコール、又は第1級若しくは第2級チオール、(A1-2)酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテル、又は硫黄原子の隣接位に炭素−水素結合を有するスルフィド、(A1-3)酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するアセタール(ヘミアセタールを含む)、又は硫黄原子の隣接位に炭素−水素結合を有するチオアセタール(チオヘミアセタールを含む)等が例示できる。
前記(A1-1)における第1級若しくは第2級アルコールには、広範囲のアルコールが含まれる。また、アルコールは、1価、2価、及び多価アルコールの何れであってもよい。
代表的な第1級アルコールとしては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、1−オクタノール、1−デカノール、2−ブテン−1−オール、エチレングリコール、トリメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ペンタエリスリトール等の炭素数1〜30程度(好ましくは1〜20、特に好ましくは1〜15)の飽和又は不飽和脂肪族第1級アルコール;シクロペンチルメチルアルコール、シクロヘキシルメチルアルコール、2−シクロヘキシルエチルアルコール等の飽和又は不飽和脂環式第1級アルコール;ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニルプロピルアルコール、桂皮アルコール等の芳香族第1級アルコール;2−ヒドロキシメチルピリジン等の複素環式アルコールが挙げられる。
代表的な第2級アルコールとしては、2−プロパノール、s−ブチルアルコール、2−ペンタノール、2−オクタノール、2−ペンテン−4−オール、1,2−プロパンジオール、2,3−ブタンジオールや2,3−ペンタンジオール等のビシナルジオール類等の炭素数3〜30程度(好ましくは3〜20、特に好ましくは3〜15)の飽和又は不飽和脂肪族第2級アルコール;1−シクロペンチルエタノール、1−シクロヘキシルエタノール等の、ヒドロキシル基の結合した炭素原子に脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素(シクロアルキル基等)とが結合している第2級アルコール;シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロオクタノール、シクロドデカノール、2−シクロヘキセン−1−オール、2−アダマンタノール、橋頭位にヒドロキシル基を1〜4個有する2−アダマンタノール、アダマンタン環にオキソ基を有する2−アダマンタノール等の3〜20員程度(好ましくは3〜15員、特に好ましくは5〜15員、最も好ましくは5〜8員)の飽和又は不飽和脂環式第2級アルコール(橋かけ環式第2級アルコールを含む);1−フェニルエタノール等の芳香族第2級アルコール;1−(2−ピリジル)エタノール等の複素環式第2級アルコール等が含まれる。
さらに、代表的なアルコールには、1−アダマンタンメタノール、α−メチル−1−アダマンタンメタノール、3−ヒドロキシ−α−メチル−1−アダマンタンメタノール、3−カルボキシ−α−メチル−1−アダマンタンメタノール、α−メチル−3a−パーヒドロインデンメタノール、α−メチル−4a−デカリンメタノール、α−メチル−4a−パーヒドロフルオレンメタノール、α−メチル−2−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンメタノール、α−メチル−1−ノルボルナンメタノール等の橋かけ環炭化水素基を有するアルコール(ヒドロキシル基が結合している炭素原子に橋かけ環炭化水素基が結合している化合物等)も含まれる。
前記(A1-1)における第1級若しくは第2級チオールとしては、前記第1級若しくは第2級アルコールに対応するチオールが挙げられる。
前記(A1-2)における酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテルとしては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジアリルエーテル等の脂肪族エーテル類;アニソール、フェネトール、ジベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル等の芳香族エーテル類;ジヒドロフラン、テトラヒドロフラン、ピラン、ジヒドロピラン、テトラヒドロピラン、モルホリン、クロマン、イソクロマン等の環状エーテル類(芳香環又は非芳香環が縮合していてもよい)等が挙げられる。
前記(A1-2)における硫黄原子の隣接位に炭素−水素結合を有するスルフィドとしては、前記酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテルに対応するスルフィドが挙げられる。
前記(A1-3)における酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するアセタールとしては、例えば、アルデヒドとアルコールや酸無水物等から誘導されるアセタールが挙げられ、該アセタールには環状アセタール及び非環状アセタールが含まれる。前記アルデヒドとして、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド等の脂肪族アルデヒド;シクロペンタンカルバルデヒド、シクロヘキサンカルバルデヒド等の脂環式アルデヒド;ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等の芳香族アルデヒド等が挙げられる。また、前記アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、1−ブタノール、ベンジルアルコール等の1価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−プロパンジオール、2,2−ジブロモ−1,3−プロパンジオール等の2価アルコール等が挙げられる。代表的なアセタールとして、1,3−ジオキソラン、2−メチル−1,3−ジオキソラン、2−エチル−1,3−ジオキソラン等の1,3−ジオキソラン化合物;2−メチル−1,3−ジオキサン等の1,3−ジオキサン化合物;アセトアルデヒドジメチルアセタール等のジアルキルアセタール化合物等が例示される。
前記(A1-3)における硫黄原子の隣接位に炭素−水素結合を有するチオアセタールとしては、前記酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するアセタールに対応するチオアセタールが挙げられる。
前記炭素−ヘテロ原子二重結合を有する化合物(A2)としては、(A2-1)カルボニル基含有化合物、(A2-2)チオカルボニル基含有化合物、(A2-3)イミン類等が挙げられる。カルボニル基含有化合物(A2-1)には、ケトン及びアルデヒドが含まれ、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、3−ペンタノン、メチルビニルケトン、メチルシクロヘキシルケトン、アセトフェノン等の鎖状ケトン類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、イソホロン、シクロデカノン、シクロドデカノン、1,4−シクロオクタンジオン、2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパン、2−アダマンタノン等の環状ケトン類;ビアセチル(2,3−ブタンジオン)、ビベンゾイル(=ベンジル)、アセチルベンゾイル、シクロヘキサン−1,2−ジオン等の1,2−ジカルボニル化合物(α−ジケトン類等);アセトイン、ベンゾイン等のα−ケトアルコール類;アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブタナール、ヘキサナール、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒド等の脂肪族アルデヒド;シクロヘキシルアルデヒド、シトラール、シトロネラール等の脂環式アルデヒド;ベンズアルデヒド、カルボキシベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、シンナムアルデヒド、サリチルアルデヒド、アニスアルデヒド、フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド等の芳香族アルデヒド;フルフラール、ニコチンアルデヒド等の複素環アルデヒド等が挙げられる。
チオカルボニル基含有化合物(A2-2)としては、前記カルボニル基含有化合物(A2-1)に対応するチオカルボニル基含有化合物が挙げられる。
イミン類(A2-3)には、前記カルボニル基含有化合物(A2-1)と、アンモニア又はアミン類(例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ベンジルアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン等のアミン;ヒドロキシルアミン、O−メチルヒドロキシルアミン等のヒドロキシルアミン類;ヒドラジン、メチルヒドラジン、フェニルヒドラジン等のヒドラジン類等)とから誘導されるイミン類(オキシムやヒドラゾンも含む)が含まれる。
前記メチン炭素原子を有する化合物(A3)には、(A3-1)環の構成単位としてメチン基(すなわち、メチン炭素−水素結合)を含む環状化合物、(A3-2)メチン炭素原子を有する鎖状化合物が含まれる。
環状化合物(A3-1)には、(A3-1a)少なくとも1つのメチン基を有する橋かけ環式化合物、(A3-1b)環に炭化水素基が結合した非芳香族性環状化合物(脂環式炭化水素等)が含まれる。尚、前記橋かけ環式化合物には、2つの環が2個の炭素原子を共有している化合物(例えば、縮合多環式芳香族炭化水素類の水素添加生成物等)も含まれる。
橋かけ環式化合物(A3-1a)としては、例えば、デカリン、ビシクロ[2.2.0]ヘキサン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、ビシクロ[3.2.1]オクタン、ビシクロ[4.3.2]ウンデカン、ビシクロ[3.3.3]ウンデカン、ツジョン、カラン、ピナン、ピネン、ボルナン、ボルニレン、ノルボルナン、ノルボルネン、カンファー、ショウノウ酸、カンフェン、トリシクレン、トリシクロ[5.2.1.03,8]デカン、トリシクロ[4.2.1.12,5]デカン、エキソトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、エンドトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン、トリシクロ[4.2.2.12,5]ウンデカン、エンドトリシクロ[5.2.2.02,6]ウンデカン、アダマンタン、1−アダマンタノール、1−クロロアダマンタン、1−メチルアダマンタン、1,3−ジメチルアダマンタン、1−メトキシアダマンタン、1−カルボキシアダマンタン、1−メトキシカルボニルアダマンタン、1−ニトロアダマンタン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、ペルヒドロアントラセン、ペルヒドロアセナフテン、ペルヒドロフェナントレン、ペルヒドロフェナレン、ペルヒドロインデン、キヌクリジン等の2〜4環式の橋かけ環式炭化水素又は橋かけ複素環化合物、及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらの橋かけ環式化合物は、橋頭位(2環が2個の原子を共有している場合には接合部位に相当)にメチン炭素原子を有する。
環に炭化水素基が結合した非芳香族性環状化合物(A3-1b)としては、1−メチルシクロペンタン、1−メチルシクロヘキサン、リモネン、メンテン、メントール、カルボメントン、メントン等の、炭素数1〜20程度(好ましくは1〜10)の炭化水素基(例えば、アルキル基等)が環に結合した3〜15員程度の脂環式炭化水素、及びその誘導体等が挙げられる。環に炭化水素基が結合した非芳香族性環状化合物(A3-1b)は、環と前記炭化水素基との結合部位にメチン炭素原子を有する。
メチン炭素原子を有する鎖状化合物(A3-2)としては、第3級炭素原子を有する鎖状炭化水素類[例えば、イソブタン、イソペンタン、2−メチルペンタン、3−メチルペンタン、2,2−ジメチルブタン、2,3−ジメチルブタン、3−メチルヘキサン、3−エチルヘプタン、2,2−ジメチルペンタン、2,3−ジメチルペンタン、2,4−ジメチルペンタン、2,2,3−トリメチルブタン、2−メチルヘプタン、3−メチルヘプタン、4−メチルヘプタン、3−エチルヘキサン、2,3−ジメチルヘキサン、2,4−ジメチルヘキサン、2,5−ジメチルヘキサン、3,4−ジメチルヘキサン、3−エチル−2−メチルペンタン、2,2,3−トリメチルペンタン、2,2,4−トリメチルペンタン、2,3,3−トリメチルペンタン、2,3,4−トリメチルペンタン等の炭素数4〜20程度(好ましくは、4〜10)の脂肪族炭化水素類(若しくは、分岐鎖状アルカン)、及びその誘導体]等が例示できる。
前記不飽和結合の隣接位に炭素−水素結合を有する化合物(A4)としては、(A4-1)芳香族性環の隣接位(いわゆるベンジル位)にメチル基又はメチレン基を有する芳香族化合物、(A4-2)不飽和結合(例えば、炭素−酸素二重結合等の炭素−炭素不飽和結合)の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する非芳香族性化合物等が挙げられる。
前記芳香族性化合物(A4-1)において、芳香族性環は、芳香族炭化水素環、芳香族性複素環の何れであってもよい。芳香族炭化水素環には、ベンゼン環、縮合炭素環(例えば、ナフタレン、アズレン、インダセン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレン等の、4〜7員炭素環が2〜10個縮合した縮合炭素環等)が含まれる。芳香族性複素環としては、例えば、ヘテロ原子として酸素原子を含む複素環(例えば、フラン、オキサゾール、イソオキサゾール等の5員環、4−オキソ−4H−ピラン等の6員環、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、4−オキソ−4H−クロメン等の縮合環等)、ヘテロ原子としてイオウ原子を含む複素環(例えば、チオフェン、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール等の5員環、4−オキソ−4H−チオピラン等の6員環、ベンゾチオフェン等の縮合環等)、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環(例えば、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール等の5員環、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン等の6員環、インドール、キノリン、アクリジン、ナフチリジン、キナゾリン、プリン等の縮合環等)が挙げられる。
なお、芳香族性環の隣接位のメチレン基は、前記芳香族性環に縮合した非芳香族性環を構成するメチレン基であってもよい。また、前記(A4-1)において、芳香族性環と隣接する位置にメチル基とメチレン基の両方の基が存在していてもよい。
芳香族性環の隣接位にメチル基を有する芳香族化合物としては、例えば、芳香環に1〜6個程度のメチル基が置換した芳香族炭化水素類(例えば、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、o−t−ブチルトルエン、m−t−ブチルトルエン、p−t−ブチルトルエン、1−エチル−4−メチルベンゼン、1−エチル−3−メチルベンゼン、クメン、1−イソプロピル−4−メチルベンゼン、1−t−ブチル−4−メチルベンゼン、1−メトキシ−4−メチルベンゼン、メシチレン、プソイドクメン、デュレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、メチルアントラセン、4,4’−ジメチルビフェニル、トルアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、トリメチルベンズアルデヒド、トルイル酸、トリメチル安息香酸、ジメチル安息香酸等)、複素環に1〜6個程度のメチル基が置換した複素環化合物(例えば、2−メチルフラン、3−メチルフラン、3−メチルチオフェン、2−メチルピリジン、3−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2,4−ジメチルピリジン、2,4,6−トリメチルピリジン、4−メチルインドール、2−メチルキノリン、3−メチルキノリン等)が例示できる。
芳香族性環の隣接位にメチレン基を有する芳香族化合物としては、例えば、炭素数2以上のアルキル基又は置換アルキル基を有する芳香族炭化水素類(例えば、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、1,4−ジエチルベンゼン、ジフェニルメタン等)、炭素数2以上のアルキル基又は置換アルキル基を有する芳香族性複素環化合物(例えば、2−エチルフラン、3−プロピルチオフェン、4−エチルピリジン、4−ブチルキノリン等)、芳香族性環に非芳香族性環が縮合した化合物であって、該非芳香族性環のうち芳香族性環に隣接する部位にメチレン基を有する化合物(例えば、ジヒドロナフタレン、インデン、インダン、テトラリン、フルオレン、アセナフテン、フェナレン、インダノン、キサンテン等)が例示できる。
不飽和結合の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する非芳香族性化合物(A4-2)には、例えば、(A4-2a)いわゆるアリル位にメチル基又はメチレン基を有する鎖状不飽和炭化水素類、(A4-2b)カルボニル基の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する化合物が例示できる。
前記鎖状不飽和炭化水素類(A4-2a)としては、例えば、プロピレン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、2−ヘキセン、1,5−ヘキサジエン、1−オクテン、3−オクテン、ウンデカトリエン等の炭素数3〜20程度の鎖状不飽和炭化水素類が例示できる。前記化合物(A4-2b)には、ケトン類(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、3−ペンタノン、アセトフェノン等の鎖状ケトン類;シクロヘキサノン等の環状ケトン類)、カルボン酸又はその誘導体(例えば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、フェニル酢酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、及びこれらのエステル等)が含まれる。
前記脂環式化合物(=非芳香族性環状炭化水素)(A5)には、(A5-1)シクロアルカン類及び(A5-2)シクロアルケン類が含まれる。
前記シクロアルカン類(A5-1)としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロドデカン、シクロテトラデカン、シクロヘキサデカン、シクロテトラコサン、シクロトリアコンタン等の3〜30員(好ましくは5〜30員、特に好ましくは5〜20員)のシクロアルカン環を有する化合物、及びこれらの誘導体等が挙げられる。
前記シクロアルケン類(A5-2)には、例えば、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、シクロヘキセン、1−メチル−シクロヘキセン、イソホロン、シクロヘプテン、シクロドデカエン等の3〜30員(好ましくは3〜20員環、特に好ましくは3〜12員)のシクロアルケン環を有する化合物;シクロペンタジエン、1,3−シクロヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン等のシクロアルカジエン類;シクロオクタトリエン等のシクロアルカトリエン類;及びこれらの誘導体等が含まれる。
前記共役化合物(A6)には、共役ジエン類(A6-1)、α,β−不飽和ニトリル(A6-2)、α,β−不飽和カルボン酸又はその誘導体(例えば、エステル、アミド、酸無水物等)(A6-3)等が挙げられる。
共役ジエン類(A6-1)としては、例えば、ブタジエン、イソプレン、2−クロロブタジエン、2−エチルブタジエン等が挙げられる。尚、共役ジエン類(A6-1)には、二重結合と三重結合とが共役している化合物(例えば、ビニルアセチレン等)も含めるものとする。
α,β−不飽和ニトリル(A6-2)としては、例えば、(メタ)アクリロニトリル等が挙げられる。
α,β−不飽和カルボン酸又はその誘導体(A6-3)としては、例えば、(メタ)アクリル酸;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシエチル等の(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド等の(メタ)アクリルアミド誘導体等が挙げられる。
前記アミン化合物(A7)としては、例えば、第1級又は第2級アミン[例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、エチレンジアミン、1,4−ブタンジアミン、ヒドロキシルアミン、エタノールアミン等の脂肪族アミン;シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン;ベンジルアミン、トルイジン等の芳香族アミン;ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、インドリン等の環状アミン(芳香族性又は非芳香族性環が縮合していてもよい)]等が挙げられる。
前記芳香族化合物(A8)としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アセナフチレン、フェナントレン、アントラセン、ナフタセン等の、少なくともベンゼン環を1つ有する芳香族炭化水素;ベンゼン環が複数個(例えば、2〜10個)縮合している縮合多環式芳香族炭化水素等が挙げられる。また、前記ベンゼン環には、非芳香族性炭素環、芳香族性複素環、又は非芳香族性複素環が縮合していてもよい。これらの芳香族化合物は、1又は2以上の置換基を有していてもよい。置換基を有する芳香族化合物としては、具体的に、2−クロロナフタレン、2−メトキシナフタレン、1−メチルナフタレン、2−メチルナフタレン、1−ブロモアントラセン、2−メチルアントラセン、2−t−ブチルアントラセン、2−カルボキシアントラセン、2−エトキシカルボニルアントラセン、2−シアノアントラセン、2−ニトロアントラセン、2−メチルペンタレン等が挙げられる。
前記直鎖状アルカン(A9)としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン等の炭素数1〜30程度(好ましくは炭素数1〜20)の直鎖状アルカンが挙げられる。
前記オレフィン(A10)としては、例えば、置換基(例えば、ヒドロキシル基、アシルオキシ基等)を有していてもよいα−オレフィン、内部オレフィン、及びジエン等の炭素−炭素二重結合を複数個有するオレフィン等が挙げられる。具体的には、エチレン、プロピレン、1−ブテン、2−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン、2−ヘキセン、1−アセトキシ−3,7−ジメチル−2,6−オクタジエン、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、3−ビニルピリジン、3−ビニルチオフェン等の鎖状オレフィン;シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロドデセン、1,4−シクロヘキサジエン、リモネン、1−p−メンテン、3−p−メンテン、カルベオール、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、ビシクロ[3.2.1]オクタ−2−エン、α−ピネン、2−ボルネン等の環状オレフィン等が挙げられる。
上記の基質(A)は1種を単独で用いてもよく、同種又は異種のものを2種以上組み合わせて用いてもよい。本発明においては酸化剤としての酸素をオゾン共存下で使用するため非常に優れた酸化力で基質を酸化することができる。そのため、一般的には酸化し難いとされる直鎖状アルカン(A9)も効率よく酸化することができ、対応する酸化物を高収率で得ることができる。
また、ガソリンは主に2,2,4−トリメチルペンタン、n−ヘプタン、トルエンの3成分で構成されるが、本発明の酸化反応を利用すれば、前記3成分で構成されたガソリンを酸化して、オクタン価を高めることができ、より効率的な燃焼を実現することができる。すなわち、本発明の酸化物の製造方法は、ガソリンの改質方法として特に有用である。
(ラジカル発生剤)
本発明の酸化反応は、更に、上記イミド化合物から水素原子を引き抜きラジカル活性種を生成する効果を有するラジカル発生剤の存在下で行うことが、反応速度を一層向上することができる点で好ましい。
前記ラジカル発生剤としては、一般的にラジカル発生剤として使用される化合物を特に制限無く使用することができるが、本発明においては、なかでも、排出ガス等に含まれる硝酸及び窒素酸化物[例えば、一酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、一酸化二窒素(N2O)、三酸化二窒素(N23)、四酸化二窒素(N24)、五酸化二窒素(N25)等]から選択される少なくとも1種を使用することが、排出ガスを削減することができ、環境負荷を低減しつつ、酸化反応を向上することができる点で好ましい。
硝酸及び窒素酸化物の使用量(2種以上を使用する場合はその総量)は、基質(A)1モルに対して、例えば0.001〜50モル程度、好ましくは0.01〜10モルである。
硝酸及び窒素酸化物は仕込み時に一括添加しても良く、反応系内に連続添加又は間欠添加してもよい。
(酸化反応)
本発明の酸化反応は温和な条件でも円滑に進行することを特徴とする。反応温度は、基質(A)の種類や目的生成物(アルコール、ケトン、ジケトン)の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば室温〜200℃程度、好ましくは50〜130℃、特に好ましくは60〜100℃である。本発明は酸化反応は上記構成を有するため、100℃以下の温和な温度環境下でも基質として酸化が困難な直鎖状アルカンを効率よく酸化して優れた収率で対応する酸化物を製造することができる。
本発明の酸化反応は、常圧又は加圧下で行うことができ、加圧下で反応させる場合には、通常0.1〜10MPa程度(好ましくは0.15〜8MPa、特に好ましくは0.5〜8MPa)である。本発明では酸化剤としての酸素をオゾンと共に使用するため、常圧(0.1MPa)下でも酸化反応を円滑に進行させることができる。反応時間は、反応温度及び圧力に応じて適宜調整することができ、例えば0.1〜20時間程度、好ましくは1〜10時間である。そして、反応時間を上記範囲内で調整することにより、目的とする酸化物を選択的に製造することができる。例えば、アルコールを選択的に製造する為には、反応時間は短時間(例えば0.5〜8.0時間程度)とすることが好ましい。
酸化反応は、回分式、半回分式、連続式等の慣用の方法により行うことができる。上記イミド化合物を系内に逐次的に添加すると、より高い転化率で基質を酸化することができ、より高い選択率で酸化物を得ることができる場合がある。また、上記助触媒としての金属化合物を系内に逐次的に添加すると、より高い転化率で基質を酸化することができ、より高い選択率で酸化物を得ることができる。
反応終了後、酸化物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。
本発明の方法によれば、式(I)で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物のなかでも溶解性の低いもの(例えば、SP値が26を超えるもの)を触媒として使用しても、実質的に無溶媒下でも、温和な条件下において基質(A)(例えば、直鎖状アルカン(A9)等の酸化し難い基質)を速やかに酸化して対応する酸化物を効率よく製造することができる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
実施例1
200mLの4つ口フラスコに温度計、ガス導入管、冷却コンデンサーを装着した後、テトラデカン(東京化成工業(株)製、79.36g=104mL、400ミリモル)、N−ヒドロキシコハク酸イミド(以後「NHSI」と称する場合がある、和光純薬工業(株)製、SP値:33.5[(MPa)1/2]、4ミリモル)、コバルトアセチルアセトナト(東京化成工業(株)製、0.4ミリモル)、酢酸マンガン四水和物(和光純薬工業(株)製、0.04ミリモル)を仕込んだ。
オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む酸素(オゾンガス含有量:1.4体積%)をバブリング(2L/分)して反応器内をガスで満たしてから、バブリングを中止し、断続的にガスを気相通気しつつ、80℃まで昇温し、7時間加熱撹拌を行った。
80℃に達した直後(0時間)、その後1時間後、3時間後、7時間後に、テトラデカン転化率、酸化物(テトラデカノン、及びテトラデカノール)の生成率をガスクロマトグラフィーを使用して測定した。
比較例1
オゾンガス含有酸素ガスに代えて酸素ガス(住友精化(株)製)を使用した以外は実施例1と同様に行った。
比較例2
NHSIを使用しなかった以外は実施例1と同様に行った。
結果を下記表1、2、及び図1、2に示す。
Figure 0006285933
Figure 0006285933
実施例2
200mLの4つ口フラスコに温度計、ガス導入管、冷却コンデンサーを装着した後、トルエン(和光純薬工業(株)製、92.14g=106mL、1000ミリモル)、酢酸(ナカライテスク(株)製、10.6mL)、NHSI(2ミリモル)、ナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%、コバルト基準で0.2ミリモル)を仕込んだ。
オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む酸素(オゾンガス含有量:1.4体積%)をバブリング(2L/分)して反応器内をガスで満たしてから、バブリングを中止し、断続的にガスを気相通気しつつ、80℃まで昇温して加熱撹拌を行った。その結果、安息香酸が得られた。尚、反応中間体であるベンジルアルコールやベンズアルデヒドの生成は見られなかった。
80℃に達した直後(0時間)、その後1時間後、3時間後、4時間後に、トルエン転化率、酸化物(安息香酸)の生成率をガスクロマトグラフィーを使用して測定した。
比較例3
オゾンガス含有酸素ガスに代えて酸素ガス(住友精化(株)製)を使用した以外は実施例2と同様に行った。
比較例4
NHSIを使用しなかった以外は実施例2と同様に行った。
結果を下記表3、4、及び図3、4に示す。
Figure 0006285933
Figure 0006285933
実施例3
ガス通気ラインおよび挿入管を備えた100mLのSUS製耐圧反応器(耐圧硝子工業(株)製、TVS−1型)に、N−ヒドロキシフタルイミド(以後「NHPI」と称する場合がある、SP値:33.4[(MPa)1/2])0.808g(4.95ミリモル、基質の10.0モル%)、酢酸マンガン四水和物0.0142g(0.0495ミリモル、基質の0.1モル%)、テトラデカン(東京化成工業(株)製)10.0g(50.4ミリモル)を加えた後、オイルバスにセットしてガス通気ラインを接続した。オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む空気(酸素含有量:20.7体積%、オゾンガス含有量:0.3体積%)のバブリング(1000mL/分)を開始し、反応容器の加熱を開始して内温が90℃に到達したらナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%)0.996g(コバルト基準で0.995ミリモル、基質の2.0モル%)を添加して反応を開始した。反応開始直後(0時間)、反応開始1時間後、2時間後、3時間後、4時間後に、テトラデカン転化率をガスクロマトグラフィー(カラム:007−FFAP)を使用して測定した。
実施例4
ガス通気ラインおよび挿入管を備えた100mLのSUS製耐圧反応器(耐圧硝子工業株式会社製、TVS−1型)に、NHPI 0.206g(1.26ミリモル、基質の2.5モル%)、酢酸マンガン四水和物0.0034g(0.0013ミリモル、基質の0.025モル%)、テトラデカン(東京化成工業(株)製)10.0g(50.4ミリモル)を加えた後、オイルバスにセットしガス通気ラインを接続した。オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む空気(酸素含有量:20.7体積%、オゾンガス含有量:0.3体積%)のバブリング(1000mL/分)を開始し、反応容器の加熱を開始して内温が90℃に到達したらナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%)を0.250g(コバルト基準で0.25ミリモル、基質の0.5モル%)添加して反応を開始した。反応開始後1時間毎にナフテン酸コバルトを初期仕込量と同等量(0.25g、基質の0.5モル%)添加した。反応開始直後(0時間)、反応開始1時間後、2時間後、3時間後、4時間後に、テトラデカン転化率をガスクロマトグラフィー(カラム:007−FFAP)を使用して測定した。
実施例5
オゾンガスを含む空気の供給方法をバブリングから気相通気(1000mL/分)に変更した以外は実施例4と同様に行った。
結果を下記表5、及び図5に示す。
Figure 0006285933
実施例6〜8
下記表6に記載の条件で、ガス通気ラインおよび挿入管を備えた100mLのSUS製耐圧反応器(耐圧硝子工業株式会社製、TVS−1型)に、NHPI、酢酸マンガン四水和物(基質の0.01モル%)、テトラデカン(東京化成工業(株)製)10g(50.4ミリモル)を加えた後、オイルバスにセットしガス通気ラインを接続した。オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む空気(酸素含有量:20.7体積%、オゾンガス含有量:0.3体積%)の気相通気(50mL/分)を開始し、反応容器の加熱を開始して内温が80℃に到達したらナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%)を添加して反応を開始した。実施例7〜9では、反応開始後1時間毎にナフテン酸コバルトを初期仕込量と同量添加した。反応開始直後(0時間)、反応開始1時間後、2時間後、3時間後、4時間後に、テトラデカン転化率をガスクロマトグラフィー(カラム:007−FFAP)を使用して測定した。
実施例9
酢酸マンガン四水和物の使用量を基質の0.25モル%に変更した以外は実施例6〜8と同様に行った。
Figure 0006285933
結果を下記表7、及び図6に示す。
Figure 0006285933
実施例10
300mLの4つ口フラスコに温度計、冷却コンデンサーを装着した後、テトラデカン(東京化成工業(株)製、79.36g=104mL、400ミリモル)、NHPI(基質の1モル%)、ナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%、コバルト基準で基質の1モル%)、酢酸マンガン四水和物(和光純薬工業(株)製、基質の0.1モル%)を仕込んだ。
基質の10モル%のNO2ガスをバブリングした後に加熱を開始した。その後、2時間後、4時間後に同量のNO2ガスを添加した。
更に、オゾンガスを含む酸素(オゾンガス含有量:1.4体積%)のバブリング(1000mL/分)を開始し、反応容器の内温が80℃となるまで昇温し、その温度を4時間保持した後、更に110℃まで昇温し、その温度を保持しつつ4時間撹拌した。反応開始直後(0時間)、反応開始1時間後、2時間後、3時間後、4時間後、8時間後に、テトラデカン転化率をガスクロマトグラフィー(カラム:DB−1)を使用して測定した。
実施例11
NO2ガスの間欠添加に代えて、濃硝酸(HNO3:98%以上含有)を反応開始時に一括添加(HNO3添加量:基質の10モル%)した以外は実施例10と同様に行った。
比較例5
オゾンガス含有酸素ガスに代えて酸素ガス(住友精化(株)製)を使用し、更にNO2ガスを使用しなかった以外は実施例10と同様に行った。
結果を下記表8に示す。
Figure 0006285933
実施例12
500mLのSUS製耐圧反応器(富士テクノエンジニアリング(株)製)にテトラデカン(東京化成工業(株)製、357ミリモル)、NHPI(8.93ミリモル)、ナフテン酸コバルト(和光純薬工業(株)製、コバルト含量約6.0%、コバルト基準で1.79ミリモル)、酢酸マンガン四水和物(和光純薬工業(株)製、0.089ミリモル)を仕込んだ。
オゾン発生装置(商品名「SG-01-PSA2」、住友精密工業(株)製)を使用して発生させたオゾンガスを含む空気(酸素含有量:20.7体積%、オゾンガス含有量:0.3体積%)をバブリング(2000mL/分)して反応器内をガスで満たしてから、バブリングを中止し、断続的にガスを気相通気しつつ、95℃まで昇温し、4時間加熱撹拌を行った。基質転化率をガスクロマトグラフィー(カラム:007−FFAP)を使用して測定したところ16%であった。
比較例6
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は6.6%であった。
実施例13
基質をテトラデカンから2,2,4−トリメチルペンタン(569ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は21%であった。
比較例7
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例13と同様に行ったところ、基質転化率は8.7%であった。
実施例14
基質をテトラデカンからn−ヘプタン(630ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は17%であった。
比較例8
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例14と同様に行ったところ、基質転化率は6.9%であった。
実施例15
基質をテトラデカンからトルエン(798ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は100%であった。
比較例9
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例15と同様に行ったところ、基質転化率は43%であった。
実施例16
基質をテトラデカンからシクロヘキサン(833ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は25%であった。
比較例10
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例16と同様に行ったところ、基質転化率は10.4%であった。
実施例17
基質をテトラデカンからシクロヘキセン(889ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は30%であった。
比較例11
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例17と同様に行ったところ、基質転化率は13%であった。
実施例18
基質をテトラデカンからイソクロマン(716ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は40%であった。
比較例12
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例18と同様に行ったところ、基質転化率は17%であった。
実施例19
基質をテトラデカンからクメン(647ミリモル)に変更した以外は実施例12と同様に行ったところ、基質転化率は35%であった。
比較例13
オゾンガスを含む空気に代えてオゾンガスを含まない空気を使用した以外は実施例19と同様に行ったところ、基質転化率は15%であった。
本発明の酸化物の製造方法によれば、市販のイミド化合物をそのまま触媒として使用しても、また基質として酸化が困難な直鎖状アルカンを使用しても、更に実質的に溶媒の不存在下でも、温和な条件下において優れた収率で対応する酸化物を製造することができる。
そのため、本発明は、例えば、ガソリン等の燃料中の炭化水素、硫化物、無機成分等の酸化を促進することによる燃料の改質、酸素ガス中の一酸化炭素を酸化することによる精製、酸化珪素中の炭化水素の酸化的除去、ディーゼルエンジン中の窒素酸化物の除去、排気ガス中の炭化水素や一酸化炭素を酸化的除去することによる排気ガス精製等に応用が可能である。

Claims (7)

  1. 下記式(I)
    Figure 0006285933

    [式中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す]
    で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A’)を酸化することにより対応する酸化物を得る酸化物の製造方法であって、
    前記イミド化合物を触媒として使用すると共に、助触媒として金属化合物を使用し、
    前記金属化合物を構成する金属元素がコバルト及びマンガンから選択される少なくとも1種である酸化物の製造方法
    基質(A’)(A1−1’)第1級若しくは第2級アルコール、(A1−2’)酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテル、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4−1)芳香族性環の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する芳香族化合物、(A5)脂環式化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
  2. 実質的に溶媒を使用することなく酸化反応を行う請求項に記載の酸化物の製造方法。
  3. 常圧下で酸化反応を行う請求項1又は2に記載の酸化物の製造方法。
  4. 硝酸及び窒素酸化物から選択される少なくとも1種の存在下で酸化反応を行う請求項1〜の何れか1項に記載の酸化物の製造方法。
  5. 100℃以下の温度で酸化反応を行う請求項1〜の何れか1項に記載の酸化物の製造方法。
  6. 下記式(I)
    Figure 0006285933

    [式中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す]
    で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として使用し、酸素とオゾンの存在下で下記基質(A’)を酸化する基質の酸化方法であって、
    前記イミド化合物を触媒として使用すると共に、助触媒として金属化合物を使用し、
    前記金属化合物を構成する金属元素がコバルト及びマンガンから選択される少なくとも1種である基質の酸化方法
    基質(A’)(A1−1’)第1級若しくは第2級アルコール、(A1−2’)酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテル、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4−1)芳香族性環の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する芳香族化合物、(A5)脂環式化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
  7. 素とオゾンの存在下で下記基質(A’)を酸化するための反応器
    下記基質(A’)を反応器に供給するための手段、
    下記式(I)
    Figure 0006285933

    [式中、nは0又は1を示す。Xは酸素原子又は−OR基(Rは水素原子又はヒドロキシル基の保護基を示す)を示す]
    で表される環状イミド骨格を有するイミド化合物を触媒として反応器に供給するための手段、
    コバルト及びマンガンから選択される少なくとも1種の金属元素で構成された金属化合物を助触媒として反応器に供給するための手段、
    オゾン発生装置、及び
    オゾンガスを反応器に供給するための手段を有する酸化反応装置。
    基質(A’)(A1−1’)第1級若しくは第2級アルコール、(A1−2’)酸素原子の隣接位に炭素−水素結合を有するエーテル、(A3)メチン炭素原子を有する化合物、(A4−1)芳香族性環の隣接位にメチル基又はメチレン基を有する芳香族化合物、(A5)脂環式化合物、(A9)直鎖状アルカン、及び(A10)オレフィンから選択される化合物
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