JP6282632B2 - しみ出し光発生素子およびしみ出し光発生デバイス - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/4203—Optical features
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12035—Materials
- G02B2006/12059—Titanium niobate (TiNbPO3)
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B2006/12107—Grating
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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Description
本発明は、光導波路からクラッド層へのしみ出し光を得るためのしみ出し光発生素子およびデバイスに関するものである。
光変調素子や二次高調波発生素子などの光導波路デバイスにおいては、光導波路基板に一対のリッジ溝を形成し、リッジ溝の間にリッジ型光導波路を形成する。そして、光導波路基板を別体の支持基板に対して接着し、光導波路基板を厚さ１０μｍ以下の薄板とすることで、位相整合を達成することが知られている。
こうしたデバイスでは、リッジ型光導波路における光の閉じ込めが厳格ではなく、接着層や支持基板などのクラッド層側へと光がしみ出すことが認められる。
本発明者は、こうしたしみ出し光を利用し、センシングを行うことを検討している。
しかし、この検討の過程で、しみ出し光の強度が比較的に低く、安定しておらず、しみ出し光を更に効率的に利用することが求められることがわかった。
本発明者は、こうしたしみ出し光を利用し、センシングを行うことを検討している。
しかし、この検討の過程で、しみ出し光の強度が比較的に低く、安定しておらず、しみ出し光を更に効率的に利用することが求められることがわかった。
本発明の課題は、光導波路からクラッド層へのしみ出し光を得るためのしみ出し光発生素子およびデバイスにおいて、しみ出し光を安定的に発振可能とすることである。
本発明は、光導波路からクラッド層へのしみ出し光を得るためのしみ出し光発生素子であって、
強誘電性の単結晶または配向結晶からなり、厚さ０．１μｍ以上、１０μｍ以下であり、一方の主面および他方の主面を有する薄層、
薄層に形成されており、薄層の入射側端面と出射側端面との間に延びるリッジ型光導波路、
薄層において前記リッジ型光導波路の両側に形成されており、薄層の前記一方の主面に開口する少なくとも一対の溝、
一方の主面上に接合されている支持基板、および
薄層の前記他方の主面上に設けられた、しみ出し光を発生させるためのクラッド層を備えており、
出射側端面におけるリッジ型光導波路の幅が、入射側端面におけるリッジ型光導波路の幅よりも小さく、薄層の他方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなるレーザ光がリッジ型光導波路に入射したとき、出射側端面から光が出射すると共に、リッジ型光導波路の出射側端面の近傍においてクラッド層からしみ出し光を得ることを特徴とする。
強誘電性の単結晶または配向結晶からなり、厚さ０．１μｍ以上、１０μｍ以下であり、一方の主面および他方の主面を有する薄層、
薄層に形成されており、薄層の入射側端面と出射側端面との間に延びるリッジ型光導波路、
薄層において前記リッジ型光導波路の両側に形成されており、薄層の前記一方の主面に開口する少なくとも一対の溝、
一方の主面上に接合されている支持基板、および
薄層の前記他方の主面上に設けられた、しみ出し光を発生させるためのクラッド層を備えており、
出射側端面におけるリッジ型光導波路の幅が、入射側端面におけるリッジ型光導波路の幅よりも小さく、薄層の他方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなるレーザ光がリッジ型光導波路に入射したとき、出射側端面から光が出射すると共に、リッジ型光導波路の出射側端面の近傍においてクラッド層からしみ出し光を得ることを特徴とする。
また、本発明は、前記しみ出し光、および薄層の入射側端面へと入射させるためのレーザ光を発振するレーザ光源を有しており、レーザ光が、前記薄層の前記一方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなることを特徴とする、しみ出し光発生デバイスに係るものである。
本発明によれば、光導波路素子の出射側端面の近傍においてしみ出し光を安定して発生できる。
図１に示すように、光源１から発振したレーザ光を集光系２によって集光し、矢印３のように薄層４へと入射させる。薄層は、一方の主面４ｃと他方の主面４ｄとを有する。薄層の他方の主面４ｄがクラッド層９に対して接合されている。薄層の入射側端面４ａから出射側端面４ｂへと向かって、例えば一列のリッジ型光導波路５が延びている。リッジ型光導波路５の具体的な形態は後述する。レーザ光は、矢印３のようにリッジ型光導波路５の端部５ａへと入射し、リッジ型光導波路内を伝搬し、出射側の端部５ｂから矢印６のように出射する。
尚、図１では集光系２によって薄層４へと入射させているが、光源１から直接薄層４へ入射させるバットジョイントでもよい。
ここで、本発明では、出射側端面４ｂにおけるリッジ型光導波路５の幅が、入射側端面４ａにおけるリッジ型光導波路の幅よりも小さい。
なお、本例では、薄層内に回折格子７が形成されており、回折格子７が反射器としてレーザ光源１と共振器を構成し、コヒーレント性の極めて高いレーザ光を入射させる。
図２（ａ）の例では、リッジ型光導波路５が、出射側端面４ｂの近傍に設けられる狭幅部５ｂ、入射側端面４ａから狭幅部５ｂへと向かって延びる本体部５ｅ、および本体部５ｅと狭幅部５ｂとの間に設けられている連結部５ｄを有する。出射側端面４ｂにおけるリッジ型光導波路５の幅ＬＯは、入射側端面４ａにおけるリッジ型光導波路の幅ＬＩよりも小さい。
図２（ｂ）の例では、リッジ型光導波路５が、出射側端面４ｂの近傍に設けられており、出射側端面へと向かって幅が減少するテーパ部５ｃ、および入射側端面４ａからテーパ部５ｃへと向かって延びる本体部５ｅを有する。本例では、出射側端面においてテーパ部の幅が０となっているが、ＬＩよりも小さい値であれば０となっていなくてもよい。
リッジ型光導波路は、その両側に設けられたリッジ溝８Ａ、８Ｂによって挟まれており、輪郭づけられている。また、光導波路から見てリッジ溝８Ａ、８Ｂの外側にもそれぞれ薄層４が連続して設けられている。
図３は、図２（ａ）に示すような素子を出射側端面側から見た模式図である。
本例では、薄層４の他方の主面４ｄ上にクラッド層９を設けるだけでなく、一方の主面４ｃ上にもクラッド層１０を設けている。
ここで、出射側端面４ｂの近傍では、リッジ型光導波路の端部５ｂの幅が狭くなっており、光ビームが絞られてから出射する。この際、リッジ溝８Ａ、８Ｂは、一方の主面４ｃ側に開口しており、リッジ型光導波路５ｂを伝搬する光のクラッド層９側での閉じ込めが相対的に弱い。
しかも、薄層が単結晶または配向結晶からなっているので、リッジ型光導波路を伝搬する際の散乱などによる損失が少なく、入力光の偏光方向を光学軸、または配向軸方向に一致させることで直線偏光性の高い光伝送が可能になる。さらに、その光が絞られた状態で幅の狭い端部５ｂに集まり、しかもクラッド層へと向かって導波モードがしみ出し易い形態になっている。
なお、図３では、リッジ溝が開口する一方の主面とは反対側の他方の主面上のクラッド部へと光エネルギーがしみ出す例を示している。
こうした素子を別体の支持基体と接合した構造とする。この場合には、クラッド層１０の上部を接合面とする。この接合方法については、接着方法、直接接合方法が例示できる。従って、本形態では、クラッド層１０が支持基体に対して直接接合されていてよく、あるいは、クラッド層１０が接合層を介して支持基体に対して接合されていてよい。
さらには、クラッド層自体を支持基体によって構成することも可能である。この場合は、薄層と支持基体の界面が接合面となっており、従って支持基体それ自体がクラッド層１０として機能することとなる。
この結果、図３の左側のグラフに模式的に示すように、光強度Ｉは、クラッド層９側へと向かって大きく裾を引いた形状となり、裾を引いた斜線部分Ｌが染み出し光となる。
こうした素子を用いれば、クラッド層９側へと安定して染み出し光を発生させることができる。
一方、例えば図４に示すように、チャンネル型光導波路１２を薄膜製造プロセスによってクラッド９、１０、１１内に埋め込んだ場合には、光のしみ出し部分Ｌが少なく、しみ出し光の強度が低い構造なので、安定してしみ出し光を発生させることが難しい。
半導体レーザとの結合効率という観点で薄層の厚みは０．５μｍ以上、２μｍ以下が好ましいが、埋め込み構造の場合、この薄層の厚みでは非常に強いマルチモード導波路になってしまうために、シングルモード励起が不可能となる。このために伝搬損失が大きくなり十分なしみ出し光が得られないという問題が生じる。
以下、本発明の各要素について更に述べる。
薄層は、強誘電性の単結晶または配向結晶からなる。
薄層の材質は、必要な屈折率に応じて選択するが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、酸化亜鉛、ガリウム−砒素、窒化ガリウム、インジウム−リン、酸化ガリウム、タンタル酸カリウムおよびニオブ酸タンタル酸カリウムを基本組成とすることが好ましい。これはドープ成分を含んでいてよい。
薄層は、強誘電性の単結晶または配向結晶からなる。
薄層の材質は、必要な屈折率に応じて選択するが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、酸化亜鉛、ガリウム−砒素、窒化ガリウム、インジウム−リン、酸化ガリウム、タンタル酸カリウムおよびニオブ酸タンタル酸カリウムを基本組成とすることが好ましい。これはドープ成分を含んでいてよい。
薄層の材質である強誘電体中には、光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。この強誘電体中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザ発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にＮｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｐｒが好ましい。
また、好適な実施形態においては、薄層を構成する材質の屈折率が２．３以上である。
薄層を構成する材質は、単結晶または配向結晶である。ここで言う単結晶は、結晶の全体にわたって規則正しく原子が配列した単結晶であり、複屈折をもつ材料が特に好ましい。この理由は、前記のように直線偏光性の高い光伝送を可能にするためである。しかし、それのみに限定する意味ではなく、一般工業的に流通している配向結晶を含む。すなわち、結晶がある程度の欠陥を含んでいたり、歪みを内在していたり、不純物がとりこまれていたりしていてもよく、多結晶（セラミックス）と区別されるものであれば良い。
薄層の厚さは、しみ出し光の効率的な発生という観点からは、１０μｍ以下とするが、２μｍ以下が更に好ましい。また、薄層の取り扱いの観点からは、薄層の厚さは、０．１μｍ以上とするが、０．４μｍ以上が更に好ましい。
特に、半導体レーザ光を光導波路に結合させるためには、結合効率を向上させるという観点で薄層の厚さは０．５μｍ以上、３μｍ以下が好ましい。
リッジ型光導波路は、薄層に形成されており、薄層の入射側端面と出射側端面との間に延びる。また、薄層においてリッジ型光導波路の両側に少なくとも一対の溝が形成されており、溝は薄層の一方の主面に開口する。
本発明では、出射側端面におけるリッジ型光導波路の幅ＬＯが、入射側端面におけるリッジ型光導波路の幅ＬＩよりも小さく、これによりリッジ型光導波路の出射側端面の近傍から強いしみ出し光が得られる。
リッジ型光導波路の幅とは、リッジ型光導波路の表面の平坦な部分を、光の進行方向に見たときの幅である。溝の深さとは、リッジ型光導波路の表面の平坦な部分から溝の底面までの深さである。リッジ型光導波路の幅、溝の深さは、AFM（原子間力顕微鏡）によって測定する。
また、出射側端面の近傍とは、図２（ａ）のリッジ型光導波路の幅ＬＯの部分、あるいは図２（ｂ）ではテーパ部分に相当し、光導波路の幅が2μｍ以下でしみ出し光の光強度が大きくなり、１μｍ以下でさらに強いしみ出し光を得ることができる。
しみ出し光とは、薄層に閉じ込むことができないクラッド層へのリーク光のことを示す。センシング用途ではクラッド部に吸着物質などを設置することで特定物質が吸着し、その光吸収特性を評価することによりセンサーとして利用することが可能である。
（出射側端面におけるリッジ型光導波路の幅ＬＯ）／（入射側端面におけるリッジ型光導波路の幅ＬＩ）は、しみ出し光を効率よく得るという観点からは、１／３以下であることが好ましく、１／６以下であることが更に好ましい。
好適な実施形態においては、リッジ型光導波路が、出射側端面の近傍に設けられる狭幅部、入射側端面から狭幅部へと向かって延びる本体部、および本体部と狭幅部との間に設けられている連結部を有している。
こうした連結部を設けることで、光導波路幅の急激な変化による伝搬損失の増大を抑制できる。この観点からは、連結部において、本体部から狭幅部へと向かって、光導波路幅が滑らかに単調減少することが好ましく、一次関数的に減少することでもよく、曲線的に減少してもよい。
好適な実施形態においては、リッジ型光導波路が、出射側端面の近傍に設けられており、出射側端面へと向かって幅が減少するテーパ部、および入射側端面からテーパ部へと向かって延びる本体部を有する。
こうしたテーパ部を設けることで、光導波路幅の急激な変化による伝搬損失の拡大を抑制できる。この観点からは、テーパにおいて、本体部から狭幅部へと向かって、光導波路幅が滑らかに単調減少することが好ましく、一次関数的に減少することでもよく、曲線的に減少してもよい。
この実施形態においては、出射側端面においてテーパ部の幅が０となることが特に好ましく、これによって染み出し光量を更に安定化できる。
好適な実施形態においては、クラッド層の屈折率が１．４以下である。
クラッド層は、別体の支持基板であってよく、また支持基板と薄層との間に設けられる接合層であってよく、また薄層の主面上に形成されたバッファ層であってよく、これらの組み合わせであってよい。
バッファ層の材質は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナ、五酸化タンタルを例示できる。
接合層の材質は、無機接着剤であってよく、有機接着剤であってよく、無機接着剤と有機接着剤との組み合わせであってよい。また、低屈折率材料という観点で、半導体ＬＳＩなどで使用されるlow-ｋ材といわれる層間絶縁膜であってもよい。
さらに接合方法については、前記の接着以外に直接接合方法であってもよい。直接接合方法として、常温接合が好ましい。
支持基体の具体的材質は特に限定されず，ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、石英ガラスなどのガラスや水晶、Siなどを例示することができる。この場合、熱膨張差の観点では、強誘電体層と支持基板とを同じ材質とすることが好ましく、ニオブ酸リチウム単結晶が特に好ましい。
好適な実施形態においては、溝が、レーザアブレーション加工、ドライエッチング、またはウェットエッチングにより形成されている。
レーザアブレーション加工の場合には、強誘電性材料からなる材料基板の表面にレーザ光を照射することによって溝およびリッジ型光導波路を形成する。
走査速度が遅いと、溝が深くなり、溝幅が大きくなるので、リッジ型光導波路の幅が狭くなる。走査速度が速いと、溝が浅くなり、溝幅が小さくなるので、リッジ型光導波路の幅が広くなる。したがって、出射側端面近傍で走査速度を遅くすることで、光導波路幅を狭くすることができる。
また、加工時のマスク形状を目的形状とすることで、光導波路幅を制御できる。
加工用のレーザ光については特に限定されず、加工すべき材質に応じて選択する。好適な実施形態においては、レーザ光のパルスの半値幅が１０ｎｓｅｃ以下である。また、レーザ光のパルスの半値幅の下限は特にないが、生産性良く基材を加工するという観点からは、０．５ｎｓｅｃ以上が好ましい。
レーザ加工用の光の波長は、３５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３００ｎｍ以下とすることが一層好ましい。ただし、実用的な観点からは、１５０ｎｍ以上とすることが好ましい。
エキシマレーザは、紫外線のパルス繰り返し発振レーザであり、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）などの気体状の化合物が発振する紫外光を、光共振機により方向性を揃えて取り出したものである。 現実の光源としては、エキシマレーザ光源の他に、ＹＡＧの四次高調波（例えばＮｄ−ＹＡＧレーザの第４次高調波）、エキシマランプが、現在のところ実用的である。
レーザ加工用の光照射素子としては、いわゆる一括露光方式の素子と多重反射方式の素子とが含まれる。また、レーザ光の照射によって溝を形成する方法としては、次の二つの態様を挙げることができる。
（１）スポットスキャン加工
（２）スリットスキャン加工
（１）スポットスキャン加工
（２）スリットスキャン加工
レーザ光の走査速度は、加工ステージの移動速度によって変更することができる。
レーザ光の走査速度は、加工すべき材質に合わせて選択するが、例えば０．００５ｍｍ／秒〜１．０ｍｍ／秒とすることができる。
レーザ光の走査速度は、加工すべき材質に合わせて選択するが、例えば０．００５ｍｍ／秒〜１．０ｍｍ／秒とすることができる。
本発明のしみ出し光発生デバイスにおいては、薄層の入射側端面へと入射させるためのレーザ光を発振するレーザ光源を用いる。光導波層に入射するレーザ光が、薄層の一方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなる。
固体レーザ発振体としては、高い信頼性を有するＧａＡｓ系やＩｎＰ系材料によるレーザが好適である。例えば、緑色レーザの場合は、波長１０６４ｎｍ付近で発振するＧａＡｓ系のレーザを用いることになる。ＧａＡｓ系やＩｎＰ系のレーザは信頼性が高いため、一次元状に配列したレーザアレイ等の光源も実現可能である。
また、固体レーザ発振体にブラッググレーティングが集積されたＤＢＲレーザを用いることもでき、あるいはファイバグレーティングを用いて共振器を構成することもできる。
薄層にレーザ光を入射させる際には、上述のような集光系を用いてもよい。あるいは、偏波面保持型の光伝送部材（ファイバやフェルール等）を光導波層に対して結合してもよい。
周期分極反転構造を、薄層の全長あるいは一部に形成することで、高調波を発生させてもよい。
周期分極反転構造を、薄層の全長あるいは一部に形成することで、高調波を発生させてもよい。
（実施例）
図２（ａ）、図３および図５に示す形態のしみ出し光発生素子を作製した。
具体的には、薄層4をニオブ酸リチウム結晶によって形成し、SiO2層を上部クラッド層とした構造の素子とした。
図２（ａ）、図３および図５に示す形態のしみ出し光発生素子を作製した。
具体的には、薄層4をニオブ酸リチウム結晶によって形成し、SiO2層を上部クラッド層とした構造の素子とした。
すなわち、ｙ板MgOドープのニオブ酸リチウム結晶基板（y軸方向屈折率2.3）の＋ｙ面にＮｉを成膜して、フォトリソグラフィー技術によりｘ軸方向に溝形成するためのパターンを作製した。その後、Ｎｉパターンをマスクにしてフッ素系の反応性イオンエッチングにより、0.6μｍの深さの溝8A、8Bを形成し、溝の間にリッジ導波路５を形成した。リッジ幅LIは3μｍ、LOは1μｍとした。続いて、溝形成面にSiO2からなるバッファ層11をスパッタ装置で1μｍ成膜し、支持基板２３としてサファイア基板を使用して貼り合わせ接着した。接着層20の屈折率は1.45であり、接着層の厚さは0.7μｍである。サファイア基板の屈折率は1.63である。
次に、サファイア基板２３側を研磨定盤に貼り付け、ニオブ酸リチウム基板を精密研磨して1.2μｍの厚みの薄層4とした。その後、定盤からはずし、研磨面にスパッタにてSiO2からなる上部クラッド層9を１μｍ成膜した。
その後、ダイシング装置にてバー状に切断し、両端面を光学研磨し、両端面を0.1％のARコートを形成し、最後にチップ切断を行い、しみだし光発生素子を作製した。素子サイズは幅1mm、長さ3mmとした。
しみ出し光発生素子の光学特性は、波長800ｎｍの半導体レーザを使用して評価した。出力側からモード形状を測定した結果、図6に示すようなシングルモード励起したモード形状を得ることができた。
本構造のモード形状を計算した結果、図7に示すように上部クラッド側に光パワーがしみ出し、上部クラッドとＬＮ界面付近にて薄層部の最大パワーの約２％となり、130nm程度までしみ出すことがわかった。
(比較例)
比較例として、図２（ａ）、図４および図8に示す形態のしみ出し光発生素子を作製した。具体的には、ニオブ酸リチウム結晶とSiO2を上部クラッド層とした構造の素子とした。
比較例として、図２（ａ）、図４および図8に示す形態のしみ出し光発生素子を作製した。具体的には、ニオブ酸リチウム結晶とSiO2を上部クラッド層とした構造の素子とした。
ｙ板MgOドープのニオブ酸リチウム結晶基板(y軸方向屈折率2.3)の＋ｙ面にＮｉを成膜して、フォトリソグラフィー技術により、ｘ軸方向に溝形成するためのパターンを作製した。その後、Ｎｉパターンをマスクにしてフッ素系の反応性イオンエッチングにより、1.5μｍの深さの溝を形成し、溝の間にリッジ導波路を形成した。リッジ幅LIは3μｍ、LOは1μｍとした。
続いて、溝形成面にSiO2からなるバッファ層をスパッタ装置で1μｍ成膜し、支持基板２３としてサファイア基板を使用して貼り合わせ接着した（接着層は0.7μｍ）。サファイア基板の屈折率は1.63である。 次に、サファイア基板２３側を研磨定盤に貼り付け、ニオブ酸リチウム基板を精密研磨して1.2μｍの厚みの薄層とした。その後、定盤からはずし、研磨面をスパッタにてSiO2からなる上部クラッド層9を３．５μｍ成膜し、図4および図8に示す形態の埋め込み型の光導波路12を形成した。すなわち、光導波路12の全体がクラッド中に埋め込まれている形態である。
その後、ダイシング装置にてバー状に切断し、両端面を光学研磨し、両端面を0.1％のARコートを形成し、最後にチップ切断を行いしみだし光発生素子を作製した。素子サイズは幅1mm、長さ3mmとした。
しみ出し光発生素子の光学特性は、波長800ｎｍの半導体レーザを使用して評価した。出力側からモード形状を測定した結果、図９にしめすようなマルチモードとなり、シングルモードを励起することはできなかった。
本構造のモード形状を計算した結果、図１０に示すように上部クラッド側には光パワーがしみ出さないことがわかった。
Claims (9)
- 光導波路からクラッド層へのしみ出し光を得るためのしみ出し光発生素子であって、
強誘電性の単結晶または配向結晶からなり、厚さ０．１μｍ以上、１０μｍ以下であり、一方の主面および他方の主面を有する薄層、
前記薄層に形成されており、前記薄層の入射側端面と出射側端面との間に延びるリッジ型光導波路、
前記薄層において前記リッジ型光導波路の両側に形成されており、前記薄層の前記一方の主面に開口する少なくとも一対の溝、
前記一方の主面上に接合されている支持基板、および
前記薄層の前記他方の主面上に設けられた、前記しみ出し光を発生させるためのクラッド層を備えており、
前記出射側端面におけるリッジ型光導波路の幅が、前記入射側端面における前記リッジ型光導波路の幅よりも小さく、前記薄層の前記他方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなるレーザ光が前記リッジ型光導波路に入射したとき、前記出射側端面から光が出射すると共に、前記リッジ型光導波路の前記出射側端面の近傍において前記クラッド層から前記しみ出し光を得ることを特徴とする、しみ出し光発生素子。 - 前記リッジ型光導波路が、前記出射側端面の近傍に設けられる狭幅部、前記入射側端面から前記狭幅部へと向かって延びる本体部、および前記本体部と前記狭幅部との間に設けられている連結部を有することを特徴とする、請求項１記載の素子。
- 前記リッジ型光導波路が、前記出射側端面の近傍に設けられており、前記出射側端面へと向かって幅が減少するテーパ部、および前記入射側端面から前記テーパ部へと向かって延びる本体部を有することを特徴とする、請求項１または２記載の素子。
- 前記薄層が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、酸化亜鉛、ガリウム−砒素、窒化ガリウム、インジウム−リン、酸化ガリウム、タンタル酸カリウムまたはニオブ酸タンタル酸カリウムを基本組成とすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記薄層の屈折率が２．３以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記クラッド層の屈折率が１．４以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 前記溝が、レーザアブレーション加工、ドライエッチング、またはウェットエッチングにより形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の素子。
- 請求項１〜７のいずれか一つの請求項に記載の素子、および前記薄層の前記入射側端面へと入射させるための前記レーザ光を発振するレーザ光源を有しており、前記レーザ光が、前記薄層の前記他方の主面の法線方向に偏光する直線偏向の光波からなることを特徴とする、しみ出し光発生デバイス。
- 反射器として機能する回折格子が前記リッジ型光導波路内に形成されており、前記レーザ光源と前記回折格子とによって共振器を構成し、前記回折格子によって決定される反射波長でレーザ発振することを特徴とする、請求項８記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361786971P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
| US61/786,971 | 2013-03-15 | ||
| PCT/JP2014/057632 WO2014142347A1 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | しみ出し光発生素子およびしみ出し光発生デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2014142347A1 JPWO2014142347A1 (ja) | 2017-02-16 |
| JP6282632B2 true JP6282632B2 (ja) | 2018-02-21 |
Family
ID=51536991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015505617A Active JP6282632B2 (ja) | 2013-03-15 | 2014-03-13 | しみ出し光発生素子およびしみ出し光発生デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9933569B2 (ja) |
| JP (1) | JP6282632B2 (ja) |
| DE (1) | DE112014001386B4 (ja) |
| WO (1) | WO2014142347A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI737811B (zh) | 2016-11-25 | 2021-09-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4729620A (en) * | 1984-05-25 | 1988-03-08 | Litton Systems, Inc. | Fiber optic frequency shifter |
| JPS61249004A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Hitachi Ltd | 光合分波器 |
| JPH05341343A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
| JPH05232537A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-10 | Ricoh Co Ltd | 波長変換素子 |
| US5391756A (en) | 1992-11-20 | 1995-02-21 | R. T. Vanderbilt Company, Inc. | Aromatic amine derivatives of 2,5-dimercapto-1,3,4,-thiadiazoles |
| JP3223648B2 (ja) * | 1993-07-14 | 2001-10-29 | 松下電器産業株式会社 | 光波長変換素子ならびにレーザ光源 |
| JPH09181395A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光結合デバイス |
| JPH11326966A (ja) | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Ngk Insulators Ltd | 第二高調波発生装置 |
| US6212314B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-04-03 | Lucent Technologies | Integrated opto-mechanical apparatus |
| JP2001042149A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | リッジ型光導波路をもつ光学素子 |
| JP2001183713A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Ngk Insulators Ltd | 第二高調波発生装置 |
| US6631231B2 (en) * | 2000-03-21 | 2003-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide elements, optical wavelength conversion elements, and process for producing optical waveguide elements |
| JP2003107260A (ja) * | 2002-09-19 | 2003-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アレイ導波路格子素子 |
| EP1801625B1 (en) | 2004-10-12 | 2019-11-20 | NGK Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate and harmonics generating device |
| JP4806424B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2011-11-02 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子 |
| JP4576438B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子の製造方法 |
| JP5074436B2 (ja) | 2009-03-06 | 2012-11-14 | 日本碍子株式会社 | 高調波発生素子 |
-
2014
- 2014-03-13 WO PCT/JP2014/057632 patent/WO2014142347A1/ja active Application Filing
- 2014-03-13 DE DE112014001386.2T patent/DE112014001386B4/de active Active
- 2014-03-13 JP JP2015505617A patent/JP6282632B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-14 US US14/853,144 patent/US9933569B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2014142347A1 (ja) | 2017-02-16 |
| US9933569B2 (en) | 2018-04-03 |
| US20160047984A1 (en) | 2016-02-18 |
| DE112014001386B4 (de) | 2024-03-28 |
| DE112014001386T5 (de) | 2016-02-18 |
| WO2014142347A1 (ja) | 2014-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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