JP6281816B2 - 半導体層の形成方法 - Google Patents
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このようなホッピング伝導が、電子移動度が低いことの原因となっていた。
例えば、特許文献1,2には、コロイド法やガス中蒸発法を用いて製造した金属微粒子の分散液に有機半導体化合物を添加して、金属ナノ粒子の調製及び半導体有機分子との複合化を分散液中でそのまま行う方法が記載されている。
電子移動度の向上を図る上では、このような金属ナノ粒子が好適に適用される。
このようなインクによれば、インクを安定的な状態で保持することができ、塗布プロセスにおいて金属ナノ粒子とπ共役分子が複合化され、安定的な半導体層を形成することができる。
このような方法によれば、低温でのアニーリング時に金属ナノ粒子とπ共役分子の複合化が行われるため、複合化工程を簡略化することができ、半導体層を簡便に形成することができる。
このような半導体層によれば、金属ナノ粒子を用いた有機トランジスタ製造の簡略化が図られ、また、トランジスタにおける電子移動度の向上が期待される。
したがって、本発明に係る半導体層の形成方法は、金属ナノ粒子を用いた有機トランジスタ等の有機エレクトロデバイスの製造に好適に適用することができ、また、デバイス性能の向上も期待される。
本発明に係る半導体層の形成方法は、上記(化1)で表されるフェニルボロン酸誘導体が、官能基Yとの結合で粒子表面に固定されている金属ナノ粒子を用いるものである。
このような金属ナノ粒子は、簡便に精製することができ、π共役分子との複合化に適している。したがって、これを用いることにより、溶液プロセスで含ホウ素π共役有機半導体連結型金属ナノ粒子を構築することができ、半導体層を安定的に形成することができる。
前記粒径が1nm未満では、取り扱いが困難であり、一方、100nm超の場合は、金属による導電性が大きくなり、良好な半導体特性が得られ難くなる。
このようなインクは、前記金属ナノ粒子が凝集することなく、インクを安定的な状態で保持することができ、また、従来のように金属ナノ粒子のための還元剤が溶液中に残留することがない。
また、前記インクを用いれば、塗布プロセスにおいて金属ナノ粒子とπ共役分子が複合化され、半導体層を安定的に形成することができる。
このような方法によれば、低温でのアニーリングにより金属ナノ粒子とπ共役分子の複合化が可能であるため、複合化工程を簡略化することができ、半導体層を簡便に形成することができる。
前記アニーリングは、200℃以下で行うことができ、好ましくは、100℃以下とすることができる。このような低温でのアニーリングによって半導体層を形成可能であることは、コスト及び効率の点からも有利である。
このような半導体層によれば、金属ナノ粒子を用いた有機トランジスタ製造の簡略化が図られると同時に、金属ナノ粒子と含ホウ素π共役分子とを複合化した半導体層を備えた新規の有機トランジスタが得られる。
図2においては、基板3上に、ゲート電極4が設けられ、その上に、ゲート絶縁層5が形成されている。その上に、ソース・ドレイン電極6,7が設けられており、両電極間に半導体層8が形成されている。
本発明においては、この半導体層8が、前記インクの塗布及びアニーリングにより、半導体膜として形成される。なお、半導体層8は、単層でも複数層でもよく、少なくともそれらのうちの1層が、前記インクを用いて形成されたものである。
また、ゲート電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、銅、チタン、ITO、PEDOT:PSS等が、ソース・ドレイン電極材料としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、PEDOT:PSS等の導電性高分子が挙げられる。
また、ゲート絶縁層の構成材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、自己組織化単分子膜(SAM)、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、ポリジメチルシロキサン、ポリシルセスキオキサン、イオン液体、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン(登録商標)AF、サイトップ(登録商標))等が挙げられる。
まず、テトラヒドロフランに、フェニルボロン酸被覆型金ナノ粒子とナフタレン−2,3,6,7−テトラオールを加えて混合し、インクを調製する(図3(a)参照)。
ガラス基板上にアルミニウムによりゲート電極を形成した後、ポリビニルフェノールによりゲート絶縁膜を形成する。次に、金によりソース・ドレイン電極をパターニング形成する。
そして、前記インクを厚さ100nmでスピンコート法により塗布した後、これを100℃でアニーリングする。これにより、粒子間でボロン酸エステルが構築され、架橋することにより半導体層が形成される(図3(b)参照)。
2 連結構造
3 基板
4 ゲート電極
5 ゲート絶縁層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
8 半導体層
Claims (5)
- 前記金属ナノ粒子が、粒径1〜100nmであり、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルもしくは鉄、又は、これらの2種以上の合金からなることを特徴とする請求項1記載の半導体層の形成方法。
- 前記金属ナノ粒子と、芳香族性テトラオール類又は芳香族性テトラアミン類の化合物とが含まれるインクを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体層の形成方法。
- 前記インクを塗布した後、アニーリングすることにより、含ホウ素π共役有機半導体連結型金属ナノ粒子が構築され、半導体層が得られることを特徴とする請求項3に記載の半導体層の形成方法。
- 前記半導体層が、有機トランジスタのソース・ドレイン電極間の半導体層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体層の形成方法。
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