JP2005209736A - 半導体素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 カーボンナノチューブとイオン性液体から成るゲル状組成物を作製し、これを、基材に印刷または塗布し、トランジスタ用半導体層として用いる。カーボンナノチューブは、直径1nm、長さ約1μm程度である。イオン性液体は、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロ−ロボレートである。カーボンナノチューブ1mgを、イオン性液体1000mg中に混合して分散し、前記ゲル状組成物を得る。
【選択図】 図1
Description
Transistor、略称TFT)にはシリコン系の無機材料が使われているが、折り曲げるとTFTのチャネル領域、つまり半導体層にクラックが生じてしまうため、フレキシブルなデバイスを作製するには適さない。そこでフレキシビリティが高く軽量な有機半導体材料を用いた有機トランジスタへの期待が高まっている。
また本発明は、カーボンナノチューブとイオン性液体とを含むゲル状組成物を、半導体層として、可撓性基材上に印刷または塗布することを特徴とする半導体素子の製造方法である。
[PRXH4−X]+ …(IV)
Transistor、静電誘導トランジスタ)型の縦型トランジスタ13を示す断面図である。この図4に示される実施の形態は、前述の図1〜図3に示される実施の各形態に類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。まず、PETフィルムの基板1上に、金を蒸着しソースまたはドレインの一方の電極4を形成する。この電極4の上に、インクジェット法等により前述の実施の形態と同様にカーボンナノチューブを含むゲル状組成物を塗布する。その上に金を蒸着してゲート電極2として挿入する。そのゲート電極2の上に再びインクジェット法等によりカーボンナノチューブを含むゲル状組成物を塗布し、半導体層6とする。こうしてゲート電極2は、半導体層6内に埋設される。さらに、その半導体層6の上に、金を蒸着積層することで、ソースまたはドレインの他方の電極5を形成する。こうして縦型トランジスタを完成する。電極4,5は同一形状を有し、これらの電極4,5間に半導体層6がサンドイッチされ、半導体層6内に複数(たとえばこの実施の形態では4)のゲート電極2が埋設される。
2 ゲート電極
3 絶縁層
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 半導体層
11,12,13,14 トランジスタ
Claims (6)
- 少なくともカーボンナノチューブとイオン性液体とを含むゲル状組成物を半導体層として用いることを特徴とする半導体素子。
- 前記半導体層を、可撓性を有する基材上に形成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- イオン性液体は、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロ−ロボレートであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体素子。
- カーボンナノチューブは、ゲル状組成物の0.01〜10.0重量%であることを特徴とする請求項1〜3のうちの1つに記載の半導体素子。
- 前記半導体は、厚み10〜200nmであることを特徴とする半導体素子。
- カーボンナノチューブとイオン性液体とを含むゲル状組成物を、半導体層として、可撓性基材上に印刷または塗布することを特徴とする半導体素子の製造方法。
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