JP6279535B2 - プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 - Google Patents
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Description
こうした前提を踏まえた本発明の実施形態は、高インピーダンス経路を介してRF検出機構から高周波(RF)電圧信号を所得し、前記RF電圧信号は多重RF発生器に関連する多重周波数を有し、前記多重周波数は第1の周波数および第2の周波数を含み、前記RF検出機構はRFロッドであり、前記RFロッドは静電チャック(ESC)サブシステムの要素に近く、前記要素はプラズマチャンバにおいて形成される場合はプラズマを有する領域の外にあり、前記RFロッドは前記RF電圧信号を検出するために使用され、前記RFロッドは前記RF電圧信号を容量分圧器ネットワークに提供し、複数の信号を生成するために前記RF電圧信号を処理し、前記複数の信号における信号の1つは前記第1の周波数を有し、前記複数の信号における信号の別の1つは前記第2の周波数を有し、伝達関数を前記第1の周波数を有する信号および前記第2の周波数を有する他の信号に適用させてウェハ電位を誘導し、前記ウェハ電位を制御信号として提供しプラズマ処理システムの少なくとも1つのサブシステムを制御することを要旨としている。
[適用例1]多重RF周波数を使用してプラズマ処理システムの動作を制御するための方法であって、
高インピーダンス経路を介してRF検出機構からRF電圧信号を所得し、
前記多重RF周波数のそれぞれに対応する少なくとも個々の信号を含む複数の信号を取得するために、前記RF電圧信号を処理し、
前記複数の信号を伝達関数に入力し、
前記伝達関数の出力を制御信号として提供し、前記プラズマ処理システムの少なくとも1つのサブシステムを制御する
方法。
[適用例2]前記RF検出機構は、前記RF電圧信号を得るために前記ESCサブシステムの非プラズマ曝露構成要素に十分近い適用例1に記載の方法。
[適用例3]前記非プラズマ曝露構成要素は基板である適用例2に記載の方法。
[適用例4]前記RF検出機構はRFロッドである適用例3に記載の方法。
[適用例5]前記高インピーダンス経路は、少なくとも容量分圧器ネットワークによって実装される適用例1に記載の方法。
[適用例6]前記複数の信号は、前記RF電圧信号のフィルタリングされていない広帯域型に対応する少なくとも1つの信号も含む適用例1に記載の方法。
[適用例7]前記処理は前記複数の信号を較正することを含む適用例1に記載の方法。
[適用例8]前記伝達関数は線形伝達関数である適用例1に記載の方法。
[適用例9]前記線形伝達関数は多変数分析を使用して得られる適用例8に記載の方法。
[適用例10]前記伝達関数は非線形伝達関数である適用例1に記載の方法。
[適用例11]前記非線形関数は電力方程式を使用して得られる適用例10に記載の方法。
[適用例12]前記処理は少なくともアナログフィルタリングを含む適用例1に記載の方法。
[適用例13]前記処理は少なくともデジタル信号処理を含む適用例1に記載の方法。
[適用例14]静電チャック(ESC)に配置される少なくとも1つのウェハを処理するように構成されるプラズマ処理システムであって、
RF電圧信号を得るために前記ESCの非プラズマ曝露構成要素に十分近く配置されたRF検出機構と、
前記RF検出機構に接続され、前記プラズマ処理システムでプラズマを駆動するRF電力の摂動を減少させて前記RF電圧信号の取得を容易にする高インピーダンス装置と、
前記RF電圧信号を受信し、伝達関数出力を取得するために、デジタルまたはアナログの前記RF電圧信号のいずれかを、伝達関数に適用するように構成される信号処理装置と、
前記少なくとも1つのウェハの処理時に、前記プラズマ処理システムを制御するためのフィードバック信号として、前記伝達関数出力を受信するように構成されるESC電力供給サブシステムとを
備えたプラズマ処理システム。
[適用例15]前記非プラズマ曝露構成要素は基板である適用例14に記載のプラズマ処理システム。
[適用例16]前記RF検出機構はRFロッドである適用例14に記載のプラズマ処理システム。
[適用例17]前記高インピーダンス経路は、少なくとも容量分圧器ネットワークによって実装される適用例14に記載のプラズマ処理システム。
[適用例18]前記RF電圧信号は、前記信号処理装置によって、前記RF電圧信号のフィルタリングされていない広帯域型に対応する少なくとも1つの信号を含む複数の信号に処理される適用例14に記載のプラズマ処理システム。
[適用例19]前記処理は前記複数の信号を較正することを含む適用例18に記載のプラズマ処理システム。
[適用例20]前記伝達関数は線形伝達関数である適用例14に記載のプラズマ処理システム。
[適用例21]前記伝達関数は非線形伝達関数である適用例14に記載のプラズマ処理システム。
Claims (17)
- 高インピーダンス経路を介してRF検出機構から高周波(RF)電圧信号を取得し、RF電圧信号は多重RF発生器に関連する多重周波数を有し、前記多重周波数は第1の周波数および第2の周波数を含み、前記RF検出機構はRFロッドであり、前記RFロッドは静電チャック(ESC)サブシステムの要素に近く、前記要素はプラズマチャンバにおいて形成される場合はプラズマを有する領域の外にあり、前記RFロッドは前記RF電圧信号を検出するために使用され、前記RFロッドは前記RF電圧信号を容量分圧器ネットワークに提供し、
複数の信号を生成するために前記RF電圧信号を処理し、前記複数の信号における信号の1つは前記第1の周波数を有し、前記複数の信号における信号の別の1つは前記第2の周波数を有し、
伝達関数を前記第1の周波数を有する信号および前記第2の周波数を有する他の信号に適用させてウェハ電位を誘導し、
前記ウェハ電位を制御信号として提供しプラズマ処理システムの少なくとも1つのサブシステムを制御する方法であって、
前記複数の信号は、前記RF電圧信号のフィルタリングされていない広帯域型に対応する少なくとも1つの信号を含む
方法。 - 前記要素は基板である、請求項1に記載の方法。
- 前記処理は前記複数の信号を較正することを含み、前記較正は前記容量分圧器ネットワークに対応する、請求項1に記載の方法。
- 前記伝達関数は線形伝達関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記線形伝達関数は多変数分析を使用して得られる、請求項4に記載の方法。
- 前記伝達関数は非線形伝達関数である、請求項1に記載の方法。
- 前記非線形伝達関数は電力方程式を使用して得られる、請求項6に記載の方法。
- 前記処理はアナログフィルタリングを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理はデジタル信号処理を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理は、前記複数の信号における前記信号をフィルタリングし、前記信号を前記第1の周波数を有する信号と前記第2の周波数を有する他の信号とに分割することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理は、前記第1の周波数を有する信号のピーク値と前記第2の周波数を有する他の信号のピーク値を生成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 静電チャック(ESC)に配置される少なくとも1つのウェハを処理するように構成されるプラズマ処理システムであって、前記プラズマ処理システムは、
RF電圧信号を得るために前記静電チャック(ESC)の要素に近いRF検出機構であって、前記要素はプラズマチャンバにおいて形成される場合はプラズマを有する領域の外にあり、前記RF電圧信号は多重RF発生器に関連する多重周波数を有し、前記多重周波数は第1の周波数および第2の周波数を含み、前記RF検出機構はRFロッドであって、前記要素は基板であり、
前記RFロッドに接続される高インピーダンスの電圧プローブ装置であって、前記高インピーダンスの電圧プローブ装置は、前記プラズマ処理システムで前記プラズマを駆動するRF電力の摂動を減少させて前記RFロッドからの前記RF電圧信号の獲得を容易にするために、少なくとも容量分圧器ネットワークによって実装され、
前記RF電圧信号を受信するように構成される信号処理装置であって、前記信号処理装置は前記RF電圧信号から複数の信号を生成し、前記複数の信号における前記信号の1つは前記第1の周波数を有し、前記複数の信号における前記信号の別の1つは前記第2の周波数を有し、前記信号処理装置は、ウェハバイアスを取得するために、デジタルまたはアナログの前記第1の周波数を有する信号および前記第2の周波数を有するその他の信号のいずれかを伝達関数に適用し、
前記少なくとも1つのウェハの処理時に、前記プラズマ処理システムを制御するためのフィードバック信号として、前記ウェハバイアスを受信するように構成されるESC電力供給サブシステムと、
を備え、
前記RF電圧信号は、前記信号処理装置によって、前記RF電圧信号のフィルタリングされていない広帯域型に対応する少なくとも1つの信号を含む前記複数の信号に処理される、
プラズマ処理システム。 - 前記信号処理装置は前記複数の信号を較正するように構成され、前記較正は前記容量分圧器ネットワークに対応する、請求項12に記載のプラズマ処理システム。
- 前記伝達関数は線形伝達関数である、請求項12に記載のプラズマ処理システム。
- 前記伝達関数は非線形伝達関数である、請求項12に記載のプラズマ処理システム。
- 前記信号処理装置は、前記複数の信号における前記信号をフィルタリングし、前記信号を前記第1の周波数を有する信号と前記第2の周波数を有する他の信号とに分割するように構成される、請求項12に記載のプラズマ処理システム。
- 前記信号処理装置は、前記第1の周波数を有する信号のピーク値および前記第2の周波数を有する他の信号のピーク値を生成するように構成される、請求項12に記載のプラズマ処理システム。
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US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
US9320126B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
US9368329B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system |
US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
US9114666B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
US9502216B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system |
US9295148B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Computation of statistics for statistical data decimation |
US9530620B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-27 | Lam Research Corporation | Dual control modes |
US9390893B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-07-12 | Lam Research Corporation | Sub-pulsing during a state |
US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
US9197196B2 (en) | 2012-02-22 | 2015-11-24 | Lam Research Corporation | State-based adjustment of power and frequency |
US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
TWI599272B (zh) * | 2012-09-14 | 2017-09-11 | 蘭姆研究公司 | 根據三個或更多狀態之功率及頻率調整 |
US9043525B2 (en) | 2012-12-14 | 2015-05-26 | Lam Research Corporation | Optimizing a rate of transfer of data between an RF generator and a host system within a plasma tool |
US9588152B2 (en) * | 2013-01-09 | 2017-03-07 | Flextronics Ap, Llc | Digital signal processing method for measurement of AC voltage with power converters at light load operation |
US9155182B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Tuning a parameter associated with plasma impedance |
US9620337B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Determining a malfunctioning device in a plasma system |
US9779196B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Segmenting a model within a plasma system |
JP6224958B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9875881B2 (en) * | 2013-02-20 | 2018-01-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US9107284B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Chamber matching using voltage control mode |
US9119283B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Chamber matching for power control mode |
US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
US9594105B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
US10950421B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
US9741543B2 (en) | 2014-07-21 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Multi-range voltage sensor and method for a voltage controlled interface of a plasma processing system |
US10121641B2 (en) | 2014-07-21 | 2018-11-06 | Lam Research Corporation | Large dynamic range RF voltage sensor and method for voltage mode RF bias application of plasma processing systems |
US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
US10969370B2 (en) * | 2015-06-05 | 2021-04-06 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Measuring semiconductor doping using constant surface potential corona charging |
US10636630B2 (en) * | 2017-07-27 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber and method with thermal control |
US10505348B2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-12-10 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for ignition of a plasma system and for monitoring health of the plasma system |
US10741363B1 (en) * | 2019-10-08 | 2020-08-11 | Mks Instruments, Inc. | Extremum seeking control apparatus and method for automatic frequency tuning for RF impedance matching |
CN110752137B (zh) * | 2019-11-01 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 偏压控制方法及装置、半导体加工设备 |
CN112858878B (zh) * | 2021-01-08 | 2021-12-21 | 胜达克半导体科技(上海)有限公司 | 一种用于晶圆测试的晶粒加权补偿计算方法 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4420790A (en) * | 1982-04-02 | 1983-12-13 | Honeywell Inc. | High sensitivity variable capacitance transducer |
DE3923662A1 (de) * | 1989-07-18 | 1991-01-24 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung zum automatischen abstimmen eines anpassungsnetzwerks |
JPH06232088A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 |
US5479340A (en) * | 1993-09-20 | 1995-12-26 | Sematech, Inc. | Real time control of plasma etch utilizing multivariate statistical analysis |
US5980767A (en) * | 1994-02-25 | 1999-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method and devices for detecting the end point of plasma process |
US5474648A (en) * | 1994-07-29 | 1995-12-12 | Lsi Logic Corporation | Uniform and repeatable plasma processing |
US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
US5764471A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck |
JPH1081968A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-31 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 非晶質シリコン膜の作製法 |
US5737177A (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for actively controlling the DC potential of a cathode pedestal |
US5894400A (en) * | 1997-05-29 | 1999-04-13 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Method and apparatus for clamping a substrate |
JP2001516963A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法 |
US6198616B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
WO1999063585A1 (fr) * | 1998-06-02 | 1999-12-09 | Nikon Corporation | Organe d'alignement de balayage, son procede de fabrication et procede de fabrication de dispositif |
US6361645B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-03-26 | Lam Research Corporation | Method and device for compensating wafer bias in a plasma processing chamber |
JP4408313B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6509542B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-01-21 | Lam Research Corp. | Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor |
JP4240259B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2009-03-18 | 富士電機システムズ株式会社 | プラズマ電位測定方法と測定用プローブ |
US7871676B2 (en) * | 2000-12-06 | 2011-01-18 | Novellus Systems, Inc. | System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
WO2002075332A1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Tokyo Electron Limited | Impedance monitoring system and method |
US6522121B2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-02-18 | Eni Technology, Inc. | Broadband design of a probe analysis system |
IE20010288A1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-02 | Scient Systems Res Ltd | Endpoint Detection in the Etching of Dielectric Layers |
JP2003045849A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US6727655B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-04-27 | Mcchesney Jon | Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber |
JP4006982B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2007-11-14 | セイコーエプソン株式会社 | プリンタ及びプリンタユニット |
US7505879B2 (en) * | 2002-06-05 | 2009-03-17 | Tokyo Electron Limited | Method for generating multivariate analysis model expression for processing apparatus, method for executing multivariate analysis of processing apparatus, control device of processing apparatus and control system for processing apparatus |
US20040028837A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
TWI259546B (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data |
US6664166B1 (en) * | 2002-09-13 | 2003-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Control of nichorme resistor temperature coefficient using RF plasma sputter etch |
US20040060660A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | Lam Research Inc., A Delaware Corporation | Control of plasma density with broadband RF sensor |
TWI391035B (zh) | 2002-12-16 | 2013-03-21 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method (1) |
US20040127031A1 (en) | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monitoring a plasma in a material processing system |
US7169625B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method for automatic determination of semiconductor plasma chamber matching and source of fault by comprehensive plasma monitoring |
US6902646B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-06-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments |
JP4448335B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2010-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US20050217795A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Armen Avoyan | Method of plasma etch endpoint detection using a V-I probe diagnostics |
US7169256B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
KR101144018B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2012-05-09 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 rf 주파수에 반응하는 전극을 갖는 플라즈마 처리기 |
US7666464B2 (en) * | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
US20060100824A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program |
JP4773079B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法 |
US7359177B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output |
JP4920991B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2012-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4657949B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2011-03-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 |
US7264688B1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources |
US7722778B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-05-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber |
CN100530529C (zh) * | 2006-07-17 | 2009-08-19 | 应用材料公司 | 具有静电卡盘电压反馈控制的双偏置频率等离子体反应器 |
JP5015517B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8192576B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-06-05 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for measuring and controlling wafer potential in pulsed RF bias processing |
JP5014166B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2012-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US7728602B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-06-01 | Mks Instruments, Inc. | Harmonic derived arc detector |
JP2008258375A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマダメージ検出測定装置及びプラズマ処理装置 |
US7768269B2 (en) * | 2007-08-15 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method of multi-location ARC sensing with adaptive threshold comparison |
US9074285B2 (en) * | 2007-12-13 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Systems for detecting unconfined-plasma events |
US9299539B2 (en) * | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
JP2011060984A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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