JP5015517B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
2 処理容器
5 上部電極
6 下部電極
10 ガス供給経路
11 ガス排気経路
15、20、30 整合器
16、21、31 高周波電源
25 給電点
35 給電ライン
40 測定点
41 ローパスフィルタ
42、46 高周波電圧検出器
45 ハイパスフィルタ
50 計算機
60 ディスプレイ
61 記録装置
62 上位システム
66 直流電圧検出器
70 高周波電力分解手段
A1 絶縁体
A2 壁部
K 処理空間
V1、V2 各高周波電力の電圧
V10、V20 補正された各高周波電力の電圧
Vdc 直流バイアス電圧
Vpp ピーク−ピーク間電圧
W 基板
Claims (11)
- 処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理装置であって、
互いに周波数の異なる高周波電力を供給する複数の高周波電源と、
前記複数の高周波電源から各々供給された高周波電力を同一の高周波電極に給電する共通の給電ラインと、
前記給電ラインで給電される高周波電力から所定の周波数の高周波電力を抽出する高周波電力抽出手段と、
前記高周波電力抽出手段により抽出した前記所定の周波数の高周波電力の電圧、電流及び位相のうちの少なくとも1つ以上を測定する高周波検出器と、を有し、
前記所定の周波数は、前記複数の高周波電源が各々供給する高周波電力の周波数であることを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 前記高周波検出器は、前記所定の周波数の高周波電力の電圧を測定する高周波電圧検出器であることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電力抽出手段は、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを有することを特徴とする、請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電力抽出手段は、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解する高周波電力分解手段を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の高周波電源は、前記給電ラインとの間に各々整合器を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出する直流電圧抽出手段と、
前記直流電圧抽出手段により抽出した直流電圧を測定する直流電圧検出器と、を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電圧検出器で測定された前記所定の周波数の高周波電力の電圧を、予め保持するか又は取得したインピーダンス情報に基づいて補正し、前記高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出する計算機を有することを特徴とする、請求項2〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 処理容器内に設けた上下に対向する高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成し、基板を処理するプラズマ処理方法であって、
互いに周波数の異なる複数の高周波電力を共通の給電ラインを用いて同一の高周波電極に給電し、
前記給電ラインで給電される高周波電力から前記周波数のいずれかである所定の周波数の高周波電力を抽出してその電圧を測定し、
前記測定した電圧を所定のインピーダンス情報を用いて補正し、前記同一の高周波電極における前記所定の周波数の高周波電力の電圧を算出することを特徴とする、プラズマ処理方法。 - 前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記所定の周波数の高周波電力だけを通過させるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタの少なくともいずれかを用いて抽出することを特徴とする、請求項8に記載のプラズマ処理方法。
- 前記所定の高周波電力を抽出する際に、前記給電ラインで給電される高周波電力を前記所定の周波数の高周波電力に分解して抽出することを特徴とする、請求項8又は9に記載のプラズマ処理方法。
- 前記給電ラインで給電される高周波電力から直流電圧を抽出してその電圧を測定することを特徴とする、請求項8〜10のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006211747A JP5015517B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11/830,309 US20080029385A1 (en) | 2006-08-03 | 2007-07-30 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US13/014,155 US8404137B2 (en) | 2006-08-03 | 2011-01-26 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006211747A JP5015517B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041795A JP2008041795A (ja) | 2008-02-21 |
JP5015517B2 true JP5015517B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=39176504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006211747A Expired - Fee Related JP5015517B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5015517B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8901935B2 (en) * | 2009-11-19 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system |
CN102612864B (zh) * | 2009-11-19 | 2015-06-10 | 朗姆研究公司 | 用于控制等离子体处理系统的方法和装置 |
JP2012175001A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 制御装置、プラズマ処理装置、及び制御方法 |
JP5935116B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN111916327B (zh) * | 2019-05-10 | 2023-04-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 多频率多阶段的等离子体射频输出的方法及其装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
JPH049465A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Ube Ind Ltd | 薄膜処理装置の直流電位制御方法および装置 |
JP2002299322A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6770166B1 (en) * | 2001-06-29 | 2004-08-03 | Lam Research Corp. | Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor |
JP4773079B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2011-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の制御方法 |
JP2007115867A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の制御方法 |
-
2006
- 2006-08-03 JP JP2006211747A patent/JP5015517B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008041795A (ja) | 2008-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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