JP6262450B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Description
図2、図9および図10を参照すると、ダミー配線122は、一端が基板110の側壁110sに整列し得る。基板110上に複数のダミー配線122が形成され得、この場合複数のダミー配線122のうち少なくとも一部は基板側壁整列配線AWであり得る。
110 基板、
122 ダミー配線、
124 ダミー交差配線、
126 静電気分散パターン、
140 半導体パターン、
150 導電パターン層。
Claims (29)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1配線と、
前記第1配線と絶縁されて交差する第2配線と、
前記第2配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含み、
前記第1配線は、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列され、駆動信号が印加されない基板側壁整列配線であり、
前記静電気分散パターンは、閉曲線形状で形成され、前記第2配線と複数のスポットで交差し、
前記基板側壁整列配線から流入した静電気は、前記第2配線を介して前記静電気分散パターンに伝達される有機発光表示装置。 - 前記基板側壁整列配線の一端の側面は、前記基板の側壁と同一平面上に配置される請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板側壁整列配線の一端の側面は、前記基板の一面に対して垂直である請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板側壁整列配線の一端と前記基板の側壁とは、同一の切断工程により形成される請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板は、表示領域および非表示領域を含み、前記静電気分散パターンは前記非表示領域に位置する請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターンは、前記基板の側壁から離隔して配置され、前記基板の側壁と整列しない基板側壁非整列配線である請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板側壁整列配線と前記静電気分散パターンは、同一層に形成される請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンをさらに含む請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記半導体パターンは、第1辺、第2辺、第3辺、および第4辺を含み、
前記第1ないし第4辺のうち何れか一つは少なくとも他の一つと連結されている請求項8に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2配線を基準として前記基板の側壁に近い方向である第2配線の外側で、前記静電気分散パターンと前記半導体パターンとが交差する請求項8または9に記載の有機発光表示装置。
- 前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項8〜10のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電パターン層は、前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトを介して相互連結される請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電パターン層は、前記第2配線と同一層に形成される請求項12に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターン、前記絶縁膜、前記半導体パターンおよび前記導電パターン層は薄膜トランジスタを構成する請求項13に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、
前記基板上に形成され、相互絶縁されて交差するゲートラインおよびデータラインと、
前記ゲートラインとデータラインのうち何れか一つと同一層に形成され、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列した、駆動信号が印加されないダミー配線と、
前記ダミー配線と絶縁されて交差するダミー交差配線と、
前記ダミー交差配線と絶縁されて交差する静電気分散パターンと、を含み、
前記静電気分散パターンは、閉曲線形状で形成され、前記ダミー交差配線と複数のスポットで交差し、
前記ダミー配線から流入した静電気は、前記ダミー交差配線を介して前記静電気分散パターンに伝達される有機発光表示装置。 - 前記ダミー交差配線の一端の側面は、前記基板の側壁と同一平面上に配置される請求項15に記載の有機発光表示装置。
- 前記ダミー交差配線の一端の側面は、前記基板の一面に対して垂直である請求項16に記載の有機発光表示装置。
- 前記ダミー配線の一端と前記基板の側壁とは、同一の切断工程により形成される請求項15〜17のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターンは、前記基板の側壁から離隔して配置され、前記基板の側壁と整列しない基板側壁非整列配線である請求項15に記載の有機発光表示装置。
- 前記ダミー交差配線と前記静電気分散パターンとは、同一層に形成される請求項15〜19のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記ダミー交差配線は、前記ダミー配線が前記ゲートラインと同一層に形成された場合には前記データラインであり得、前記ダミー配線が前記データラインと同一層に形成された場合には前記ゲートラインであり得る請求項15〜20のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンをさらに含む請求項15〜21のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項22に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電パターン層は、前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、前記絶縁膜に形成されたコンタクトを介して相互連結される請求項23に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電パターン層は、前記ダミー交差配線と同一層に形成される請求項23に記載の有機発光表示装置。
- 前記静電気分散パターン、前記絶縁膜、前記半導体パターンおよび前記導電パターン層は薄膜トランジスタを構成する請求項24に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、
前記基板上に形成された第1配線と、
前記第1配線と絶縁されて交差する第2配線と、
前記第2配線と絶縁されて交差し、閉曲線形状で形成された静電気分散パターンと、
前記静電気分散パターンと絶縁されて交差する半導体パターンを含み、
前記第1配線は、少なくとも一端が前記基板の側壁に整列され、駆動信号が印加されない基板側壁整列配線であり、
前記静電気分散パターンは、閉曲線形状で形成され、前記第2配線と複数のスポットで交差し、
前記基板側壁整列配線から流入した静電気は、前記第2配線を介して前記静電気分散パターンおよび前記半導体パターンに伝達される有機発光表示装置。 - 前記半導体パターンと絶縁膜を間において形成され、コンタクトを介して前記半導体パターンと連結された導電パターン層をさらに含む請求項27に記載の有機発光表示装置。
- 前記導電パターン層は、一部が前記第2配線と同一層に形成される請求項28に記載の有機発光表示装置。
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