JP6258064B2 - 半導体試験装置 - Google Patents
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Description
被測定半導体装置に電気的に接続される第1および第2の検査端子と、
直流電圧源と、前記直流電圧源が前記第1の検査端子に供給する電圧を制御することにより、前記被測定半導体装置に印加される試験電圧を調節する電圧調節部とを有する電源部と、
前記試験電圧に対応した設定電圧を出力する制御部と、
前記制御部から前記設定電圧を入力する第1の入力端子と、前記電源部から前記試験電圧に基づくフィードバック電圧を入力する第2の入力端子と、前記電源部の前記電圧調節部に電源制御信号を送信する出力端子とを有し、前記フィードバック電圧が前記設定電圧に等しくなるように前記電源部を制御する電源制御アンプと、
前記フィードバック電圧が前記設定電圧に基づく正常範囲に含まれているか否かを判定し、前記フィードバック電圧が前記正常範囲から外れた場合、前記電源部の出力異常を示す出力異常信号を送信する電源出力監視部と、
前記第2の検査端子に電気的に接続され、前記被測定半導体装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記電流測定部により測定された電流値に基づいて前記被測定半導体装置の良否を判定することを特徴とする。
前記制御部は、前記出力異常信号を受信した場合、前記電源部の出力異常をユーザに通知するようにしてもよい。
前記電流測定部は、前記第1の検査端子に電気的に接続された複数の被測定半導体装置に流れる電流をそれぞれ測定し、
前記制御部は、前記電流測定部により前記各被測定半導体装置について測定された電流値に基づいて、前記各被測定半導体装置の良否を判定するようにしてもよい。
前記被測定半導体装置は、ダイオードであり、
前記電源部は、前記ダイオードの逆方向に前記試験電圧を印加し、
前記制御部は、前記電流測定部により測定された、前記ダイオードのアノード−カソード間を流れる電流の値が所定の閾値よりも小さい場合に、前記ダイオードが正常であると判定するようにしてもよい。
前記電源出力監視部は、
前記フィードバック電圧を降下させ、降下電圧を出力する電圧降下回路と、
前記制御部から出力された前記設定電圧に基づいて、上限基準電圧および下限基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記上限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記上限基準電圧よりも大きい場合に出力超過信号を出力する出力端子とを有する第1の比較器と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記下限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記下限基準電圧よりも小さい場合に出力低下信号を出力する出力端子とを有する第2の比較器と、
前記出力超過信号または前記出力低下信号を受信すると、前記制御部に前記出力異常信号を出力する異常信号生成回路と、
を有するようにしてもよい。
前記電源出力監視部は、前記異常信号生成回路と前記制御部の間に設けられ、前記出力異常信号を受信し保持するラッチ回路をさらに有してもよい。
被測定半導体装置に電気的に接続される第1および第2の検査端子と、
直流電流源と、前記直流電流源が前記第1の検査端子に供給する電流を制御することにより、前記被測定半導体装置に印加される試験電流を調節する電流調節部とを有する電源部と、
前記試験電流に対応した設定電圧を出力する制御部と、
前記制御部から前記設定電圧を入力する第1の入力端子と、前記電源部から前記試験電流に基づくフィードバック電圧を入力する第2の入力端子と、前記電源部の前記電流調節部に電源制御信号を出力する出力端子とを有し、前記フィードバック電圧が前記設定電圧に等しくなるように前記電源部を制御する電源制御アンプと、
前記フィードバック電圧が前記設定電圧に基づく正常範囲に含まれているか否かを判定し、前記フィードバック電圧が前記正常範囲から外れた場合、前記電源部の出力異常を示す出力異常信号を送信する電源出力監視部と、
前記第1の検査端子および前記第2の検査端子間の電圧を測定する電圧測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記電圧測定部により測定された電圧値に基づいて前記被測定半導体装置の良否を判定することを特徴とする。
前記制御部は、前記出力異常信号を受信した場合、前記電源部の出力異常をユーザに通知するようにしてもよい。
前記被測定半導体装置は、ダイオードであり、
前記電源部は、前記ダイオードの順方向に前記試験電流を印加し、
前記制御部は、前記電圧測定部により測定された、前記ダイオードのアノード−カソード間の電圧値が所定の閾値よりも小さい場合に前記ダイオードが正常であると判定するようにしてもよい。
前記電源出力監視部は、
前記フィードバック電圧を降下させ、降下電圧を出力する電圧降下回路と、
前記制御部から出力された前記設定電圧に基づいて、上限基準電圧および下限基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記上限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記上限基準電圧よりも大きい場合に出力超過信号を出力する出力端子とを有する第1の比較器と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記下限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記下限基準電圧よりも小さい場合に出力低下信号を出力する出力端子とを有する第2の比較器と、
前記出力超過信号または前記出力低下信号を受信すると、前記制御部に前記出力異常信号を出力する異常信号生成回路と、
を有してもよい。
本発明の第1の実施形態に係る半導体試験装置1について、図1〜図4を参照して説明する。図1は第1の実施形態に係る半導体試験装置1の概略的な構成を示している。図2は半導体試験装置1の電源部2の構成例を示し、図3は半導体試験装置1の電流測定部6の構成例を示し、図4は半導体試験装置1の電源出力監視部5の構成例を示している。
次に、半導体試験装置1の変形例に係る半導体試験装置1Aについて、図5を参照して説明する。変形例に係る半導体試験装置1Aは、複数個の被測定半導体装置を同時に試験し、それらの中から良品を選別するチップ自動選別機である。チップ自動選別機では複数個の被測定半導体装置を同時に試験するため、試験効率を大幅に改善することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体試験装置1Bについて、図6を参照して説明する。図6は、半導体試験装置1Bの概略的な構成を示している。
2,2A 電源部
3,3A 制御部
4,4A 電源制御アンプ
5 電源出力監視部
6 電流測定部
7,8,9 電流測定ユニット
10 電圧測定部
21 直流電圧源
22 電圧調節部
23 電圧検出回路
25 直流電流源
26 電流調節部
27 電流検出回路
50 電圧降下回路
51 基準電圧生成回路
52 異常信号生成回路
53 ラッチ回路
61 オペアンプ
90〜93 被測定半導体装置
C (位相補償用の)コンデンサ
CMP1,CMP2 比較器
IF 試験電流
IR (逆方向)電流
N1,N2 接続点
Ra,Rb,Rc,R1,R2,R3 抵抗
Q1,Q2,Q3 スイッチング素子
T1,T2,T21,T22,T23,T3,T4 検査端子
VCC 電源電圧
VF (順方向)電圧
VR 試験電圧
VR_FB,IF_FB フィードバック電圧
VR_REF,IF_REF 設定電圧
Claims (10)
- 被測定半導体装置に電気的に接続される第1および第2の検査端子と、
直流電圧源と、前記直流電圧源が前記第1の検査端子に供給する電圧を制御することにより、前記被測定半導体装置に印加される試験電圧を調節する電圧調節部とを有する電源部と、
前記試験電圧に対応した設定電圧を出力する制御部と、
前記制御部から前記設定電圧を入力する第1の入力端子と、前記電源部から前記試験電圧に基づくフィードバック電圧を入力する第2の入力端子と、前記電源部の前記電圧調節部に電源制御信号を送信する出力端子とを有し、前記フィードバック電圧が前記設定電圧に等しくなるように前記電源部を制御する電源制御アンプと、
前記フィードバック電圧が前記設定電圧に基づく正常範囲に含まれているか否かを判定し、前記フィードバック電圧が前記正常範囲から外れた場合、前記電源部の出力異常を示す出力異常信号を送信する電源出力監視部と、
前記第2の検査端子に電気的に接続され、前記被測定半導体装置に流れる電流を測定する電流測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記電流測定部により測定された電流値に基づいて前記被測定半導体装置の良否を判定することを特徴とする半導体試験装置。 - 前記制御部は、前記出力異常信号を受信した場合、前記電源部の出力異常をユーザに通知することを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記電流測定部は、前記第1の検査端子に電気的に接続された複数の被測定半導体装置に流れる電流をそれぞれ測定し、
前記制御部は、前記電流測定部により前記各被測定半導体装置について測定された電流値に基づいて、前記各被測定半導体装置の良否を判定することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体試験装置。 - 前記被測定半導体装置は、ダイオードであり、
前記電源部は、前記ダイオードの逆方向に前記試験電圧を印加し、
前記制御部は、前記電流測定部により測定された、前記ダイオードのアノード−カソード間を流れる電流の値が所定の閾値よりも小さい場合に、前記ダイオードが正常であると判定することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体試験装置。 - 前記電源出力監視部は、
前記フィードバック電圧を降下させ、降下電圧を出力する電圧降下回路と、
前記制御部から出力された前記設定電圧に基づいて、上限基準電圧および下限基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記上限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記上限基準電圧よりも大きい場合に出力超過信号を出力する出力端子とを有する第1の比較器と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記下限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記下限基準電圧よりも小さい場合に出力低下信号を出力する出力端子とを有する第2の比較器と、
前記出力超過信号または前記出力低下信号を受信すると、前記制御部に前記出力異常信号を出力する異常信号生成回路と、
を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体試験装置。 - 前記電源出力監視部は、前記異常信号生成回路と前記制御部の間に設けられ、前記出力異常信号を受信し保持するラッチ回路をさらに有することを特徴とする請求項5に記載の半導体試験装置。
- 被測定半導体装置に電気的に接続される第1および第2の検査端子と、
直流電流源と、前記直流電流源が前記第1の検査端子に供給する電流を制御することにより、前記被測定半導体装置に印加される試験電流を調節する電流調節部とを有する電源部と、
前記試験電流に対応した設定電圧を出力する制御部と、
前記制御部から前記設定電圧を入力する第1の入力端子と、前記電源部から前記試験電流に基づくフィードバック電圧を入力する第2の入力端子と、前記電源部の前記電流調節部に電源制御信号を出力する出力端子とを有し、前記フィードバック電圧が前記設定電圧に等しくなるように前記電源部を制御する電源制御アンプと、
前記フィードバック電圧が前記設定電圧に基づく正常範囲に含まれているか否かを判定し、前記フィードバック電圧が前記正常範囲から外れた場合、前記電源部の出力異常を示す出力異常信号を送信する電源出力監視部と、
前記第1の検査端子および前記第2の検査端子間の電圧を測定する電圧測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記電圧測定部により測定された電圧値に基づいて前記被測定半導体装置の良否を判定することを特徴とする半導体試験装置。 - 前記制御部は、前記出力異常信号を受信した場合、前記電源部の出力異常をユーザに通知することを特徴とする請求項7に記載の半導体試験装置。
- 前記被測定半導体装置は、ダイオードであり、
前記電源部は、前記ダイオードの順方向に前記試験電流を印加し、
前記制御部は、前記電圧測定部により測定された、前記ダイオードのアノード−カソード間の電圧値が所定の閾値よりも小さい場合に前記ダイオードが正常であると判定することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体試験装置。 - 前記電源出力監視部は、
前記フィードバック電圧を降下させ、降下電圧を出力する電圧降下回路と、
前記制御部から出力された前記設定電圧に基づいて、上限基準電圧および下限基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記上限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記上限基準電圧よりも大きい場合に出力超過信号を出力する出力端子とを有する第1の比較器と、
前記降下電圧を入力する第1の入力端子と、前記下限基準電圧を入力する第2の入力端子と、前記降下電圧が前記下限基準電圧よりも小さい場合に出力低下信号を出力する出力端子とを有する第2の比較器と、
前記出力超過信号または前記出力低下信号を受信すると、前記制御部に前記出力異常信号を出力する異常信号生成回路と、
を有することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の半導体試験装置。
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