JP2020071215A - 整流素子劣化測定装置および整流素子劣化測定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態の整流素子劣化測定装置の概略構成図である。整流素子劣化測定装置100は、インバータトランス150に設けたダイオードスタック170のダイオード172、174の劣化の進行度合いを測定する。
図3は、本実施形態の整流素子劣化測定装置の動作フローチャートである。また、図4は、図3の動作フローチャートの説明に供する図である。この動作フローチャートの処理を、図4を参照しながら説明する。
図5は、本実施形態の整流素子劣化測定方法の処理手順のフローチャートである。整流素子劣化測定方法の処理手順としては、図4の動作フローチャートと同一であるので、簡単に説明する。
110 プログラマブル電源(電源)、
115 抵抗器(電流検出部)、
120 絶縁アンプ(電流検出部)、
130 オシロスコープ(電流検出部)、
140 パーソナルコンピュータ(判断部)、
150 インバータトランス、
160 トランス、
162 二次巻線、
170 ダイオードスタック、
172、174 ダイオード、
176 冷却水路、
178 マニホールド、
180 マルチメーター、
200 抵抗溶接機、
210 電極。
Claims (11)
- 逆電圧を整流素子に印加する電源と、
前記逆電圧を印加しているときに前記整流素子に流れている電流の電流値を検出する電流検出部と、
検出した電流値が前記整流素子の劣化を判定するための判定電流値よりも大きければ前記整流素子は劣化していると判断し、小さければ前記整流素子は劣化していないと判断する判断部と、
を有する、整流素子劣化測定装置。 - 前記電源は、前記整流素子に印加する前記逆電圧を段階的に上昇させる、請求項1に記載の整流素子劣化測定装置。
- 前記逆電圧の段階的な上昇は、次の段階に上昇させるときに、現段階の電圧から次の段階の電圧まで一定の時間をかけて上昇させる、請求項2に記載の整流素子劣化測定装置。
- 前記整流素子に印加する前記逆電圧の最大電圧は、劣化が進んでいる前記整流素子に印加しても、前記整流素子が破損しないように、前記整流素子の逆耐圧の0を含まない60%以下の電圧とする、請求項1から3のいずれかに記載の整流素子劣化測定装置。
- 前記電流検出部は、前記整流素子に直列に接続した抵抗器を含み、前記抵抗器に流れる電流によって生じる前記抵抗器の端子間電圧を用いて、前記整流素子に流れている電流の電流値を検出する、請求項1から4のいずれかに記載の整流素子劣化測定装置。
- 前記整流素子の劣化を判定するための判定電流値は、破損する前の前記整流素子の電気的特性から設定する、請求項1から5のいずれかに記載の整流素子劣化測定装置。
- 前記整流素子は、抵抗溶接機が備えるインバータトランスに設けたダイオードスタックのダイオードである、請求項1から6のいずれかに記載の整流素子劣化測定装置。
- 逆電圧を整流素子に印加し、前記整流素子に流れている電流の電流値を検出する段階と、
検出した電流値が前記整流素子の劣化を判定するための判定電流値よりも大きければ前記整流素子は劣化していると判断し、小さければ前記整流素子は劣化していないと判断する段階と、
を含む、整流素子劣化測定方法。 - 前記整流素子に印加する前記逆電圧は、段階的に上昇させる、請求項8に記載の整流素子劣化測定方法。
- 前記逆電圧の段階的な上昇は、次の段階に上昇させるときに、現段階の電圧から次の段階の電圧まで一定の時間をかけて上昇させる、請求項9に記載の整流素子劣化測定方法。
- 前記整流素子に印加する前記逆電圧の最大電圧は、劣化している前記整流素子に印加しても、前記整流素子が破損しないように、前記整流素子の逆耐圧の0を含まない60%以下の電圧とする、請求項8から10のいずれかに記載の整流素子劣化測定方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02108582U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-29 | ||
JPH04235361A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路のテスト方法 |
JP2000042751A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-15 | Toshiba Corp | 抵抗溶接機の制御装置 |
JP2003294807A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 半導体デバイス劣化診断装置 |
JP2015155825A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体試験装置および半導体装置 |
JP2016021652A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP2016208567A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 中国電力株式会社 | 太陽光発電システム |
JP2017087280A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 株式会社向洋技研 | インバータ式抵抗溶接機 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02108582U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-29 | ||
JPH04235361A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路のテスト方法 |
JP2000042751A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-15 | Toshiba Corp | 抵抗溶接機の制御装置 |
JP2003294807A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 半導体デバイス劣化診断装置 |
JP2015155825A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体試験装置および半導体装置 |
JP2016021652A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP2016208567A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 中国電力株式会社 | 太陽光発電システム |
JP2017087280A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 株式会社向洋技研 | インバータ式抵抗溶接機 |
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