JP6257446B2 - 有機−無機ハイブリッドポリマーで封止した紫外発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 15
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 106
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 106
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 43
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 25
- -1 Polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 56
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 47
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 21
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 21
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(dodecanoyloxy)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC UKLDJPRMSDWDSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 239000012975 dibutyltin dilaurate Substances 0.000 description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 9
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- RIYRDRZNXDRTIL-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;zirconium(2+) Chemical compound [Zr+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O RIYRDRZNXDRTIL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 238000000199 molecular distillation Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 5
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 238000010550 living polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical class CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- NOGBEXBVDOCGDB-NRFIWDAESA-L (z)-4-ethoxy-4-oxobut-2-en-2-olate;propan-2-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CCOC(=O)\C=C(\C)[O-].CCOC(=O)\C=C(\C)[O-] NOGBEXBVDOCGDB-NRFIWDAESA-L 0.000 description 1
- YOBOXHGSEJBUPB-MTOQALJVSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;zirconium Chemical compound [Zr].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O YOBOXHGSEJBUPB-MTOQALJVSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;propan-2-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O OVSGBKZKXUMMHS-VGKOASNMSA-L 0.000 description 1
- TYKCBTYOMAUNLH-MTOQALJVSA-J (z)-4-oxopent-2-en-2-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O TYKCBTYOMAUNLH-MTOQALJVSA-J 0.000 description 1
- KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-] KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVGAPIUWXUVICC-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)CCCCC[O-].CC(C)CCCCC[O-].CC(C)CCCCC[O-].CC(C)CCCCC[O-] HVGAPIUWXUVICC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPDWNEFHGANACG-UHFFFAOYSA-L [dibutyl(2-ethylhexanoyloxy)stannyl] 2-ethylhexanoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)O[Sn](CCCC)(CCCC)OC(=O)C(CC)CCCC GPDWNEFHGANACG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLJNVGRIQKGYCB-UHFFFAOYSA-N butyl 3-oxohexaneperoxoate;zirconium Chemical compound [Zr].CCCCOOC(=O)CC(=O)CCC.CCCCOOC(=O)CC(=O)CCC LLJNVGRIQKGYCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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Description
(A):両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンであって、数平均分子量(Mn)が10,000〜100,000、かつ分子量分布指数(Mw/Mn;Mwは重量平均分子量)が1.3以下であるもの。
(B−1):テトラアルコキシシランのオリゴマー。
(B−2):(B−1)が有するアルコキシ基の完全又は部分加水分解物。
(B−3):(B−2)同士による、又は(B−2)と(B−1)による縮合反応生成物。なお上記(C)における芳香族炭化水素系溶剤は結局のところ不純物であるので、(A)に対する芳香族炭化水素系溶剤の残存量は20ppm以下であることがさらに望ましく、究極的には0ppmであることが望ましい。
本発明において用いられる(A)両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン(PDMS)は、分子量分布指数(Mw/Mn)が1.3以下の狭い分子量分布を有していることが必要である。
本発明においては、UV域での光透過性が高く、耐熱性(柔軟性)に優れ、熱ストレスによるクラックが発生しにくい硬化体(封止体)となる有機−無機ハイブリッドポリマーで封止した紫外発光ダイオードが提供される。
本発明に用いられる有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)の合成に使用するポリジメチルシロキサン(PDMS)は、その両末端に下記の化合物(B)と反応可能なシラノール基を有するものであり、下記の一般式で表される。
上記PDMS(A)の平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)法により測定し、重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比を分子量分布指数とした。標準試料としてポリスチレンを用い、ポリスチレン換算分子量を測定した。
なおGPC法によるポリスチレン換算分子量測定は、以下の測定条件で行うものとする。
a)測定機器:SIC Autosampler Model 09
Sugai U−620 COLUMN HEATER
Uniflows UF−3005S2B2
b)検出器 :MILLIPORE Waters 410
Differential Refractometer
c)カラム :Shodex KF806M×2本
d)オーブン温度:40℃
e)溶離液 :テトラヒドロフラン(THF) 1.0mL/min
f)標準試料:ポリスチレン
g)注入量 :100μL
h)濃度 :0.020g/10mL
i)試料調製:2,6−ジ−tert−ブチル−p−フェノール(BHT)が0.2重量%添加されたTHFを溶媒として、室温で攪拌して溶解させた。
j)補正 :検量線測定時と試料測定時とのBHTのピークのずれを補正して、分子量計算を行った。
本発明に用いられる有機−無機ハイブリッドプレポリマーの合成に使用する、無機成分をなす化合物(B)としては、ポリジメチルシロキサンの末端シラノール基と円滑に反応することが出来るテトラアルコキシシランのオリゴマー(B−1)が使用される。
〔有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)のゾルの製造〕
本発明においては前記したように、上記PDMS(A)と、テトラアルコキシシランのオリゴマーに基づく上記(B−1)、(B−2)及び(B−3)からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)と、を縮合反応させることによって、組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される単結晶層が複数積層された積層構造体を有する、発光ピーク波長が220〜350nmである紫外発光ダイオードチップの封止材として好適に使用される有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)が生成される。
上記PDMS(A)と、上記化合物(B−1)との配合比((A)/(B−1))は、モル比で0.1〜2の範囲(PDMS(A)が1molに対して、化合物(B−1)を0.5〜10mol添加)に設定されることが好ましく、モル比で0.2〜1の範囲(PDMS(A)が1molに対して、化合物(B)を1〜5mol添加)に設定されることがより好ましい。
本発明に用いられる有機−無機ハイブリッドポリマー(F)を好適に得るべく、上記有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)に有機金属化合物含有溶液(D)を混合することができる。該有機金属化合物含有溶液(D)には、通常、後述する有機金属化合物(E)を溶媒に溶解させて得られたものを使用すればよい。
本発明に用いられる有機金属化合物含有溶液(D)で使用する有機金属化合物(E)は、通常のPDMSの硬化剤として使用されるものを用いることができ、例えばSn系、Ti系、Al系、Zn系、Zr系、Bi系等の有機金属化合物のうち少なくとも1種または2種以上が選択される。
本発明に用いられる有機金属化合物含有溶液(D)で使用する上記溶媒としては、短波長の光透過に影響しない有機溶媒が好ましく、また、PDMS(A)および化合物(B)の溶解性も良好なtert−ブチルアルコールが好ましい。
本発明に用いられる有機金属化合物含有溶液(D)は、上記有機金属化合物(E)とPDMSとの混合物を含むものとすることができる。この有機金属化合物(E)との混合に用いるPDMSとしては、上記プレポリマーの合成に使用されたPDMS(A)と同じものが好ましい。
上記有機金属化合物含有溶液(D)における上記有機金属化合物(E)と希釈剤との混合比率は、通常は、質量比で3:97〜50:50に設定されることが望ましい。ここで希釈剤とは、tert−ブチルアルコール等の上記有機溶媒、PDMS、テトラアルコキシシランのオリゴマー等、有機金属化合物含有溶液(D)中の上記有機金属化合物(E)以外の成分をいう。上記有機金属化合物(E)の比率が上記範囲よりも少ない場合には、上記有機金属化合物(E)の硬化剤としての効果を顕著に発揮することが出来なくなり、上記範囲を上回ると上記有機金属化合物含有溶液(D)が不安定になる。
本発明に用いられる封止材としての有機−無機ハイブリッドポリマー(F)は、上記プレポリマー(C)のゾルのみを加熱硬化させる、又は上記プレポリマー(C)のゾルを、上記有機金属化合物含有溶液(D)と混合して該有機金属化合物含有溶液(D)の存在下にて加熱硬化させることによって得られた硬化体である。
上記プレポリマー(C)と、上記有機金属化合物含有溶液(D)とを混合してポリマー(F)を得る場合、上記プレポリマー(C)と上記有機金属化合物含有溶液(D)との混合比率は、一般に(C):(D)の質量比として、100:0.1〜100:20の範囲に設定されることが望ましい。上記有機金属化合物含有溶液(D)の比率が上記範囲よりも下回ると、上記プレポリマー(C)の硬化反応の均質化効果が不充分となり、また上記有機金属化合物含有溶液(D)の比率が上記範囲を越えると、耐熱性(重量減少)が低下する。
本発明において、発光ダイオードチップは、発光ピーク波長が220〜350nmの範囲にある紫外光を放射するものである。
紫外発光ダイオードチップ2を製造する際、基板4は、その上に複数の単結晶層が積層された積層構造体を形成するために使用される。積層構造体自体で自立できる程度の強度を有する場合には、基板は除去することができる。また、積層構造体自体で自立できない場合には、紫外発光ダイオード2は基板4上に多層膜を有する積層構造となり、フリップチップ接続を採用する際には、積層構造体が存在しない反対側の面が光放射主面となる。
複数の単結晶層が積層された積層構造体5は、組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される単結晶層を複数有し、前記基板上で成長することができる。次の各層に限定されるわけではないが、積層構造体は、n型層、発光層、電子ブロック層、およびp型層がこの順で積層された積層構造を有することが好ましい。これら各層は単結晶層である。以下で説明する各層は、公知の方法で製造することができ、MOCVD法により製造することが好ましい。
n型AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)層6は、n型不純物を含むことが好ましい。
発光層7は、量子井戸構造を有している。つまり、組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される井戸層8と障壁層9から構成される。
電子ブロック層10は、組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される単結晶層である。また、電子ブロック層は、障壁層9、および下記に詳述するp型クラッド層12よりもバンドギャップエネルギーが大きくなることが好ましい。AlX6GaY6InZ6Nの組成で表した場合、以下の組成となることが好ましい。すなわち、AlX6GaY6InZ6N(X6、Y6、Z6は、0.1≦X6≦1.0、0.0≦Y6≦0.9、0.0≦Z6≦0.9、X6+Y6+Z6=1を満足する有理数である)層であることが好ましい。
p型AlXGaYInZN層11は、特に制限されるものではないが、複数層であることが好ましい。具体的には、p型クラッド層12、p型コンタクト層13から構成されることが好ましい。なお、p型コンタクト層13上にp型電極14(正電極)が形成される。
負電極(n型電極)
負電極15は、n型AlXGaYInZN層6の露出面に形成される。前記n型AlXGaYInZN層の露出面は、エッチングにより形成できる。エッチングの手法としては、反応性イオンエッチング、誘導結合プラズマエッチング等のドライエッチングが挙げられる。前記n型AlXGaYInZN層の露出面を形成後、エッチングのダメージを除去するため、酸またはアルカリの溶液で表面処理を施すことが好ましい。その後、前記n型AlXGaYInZN層の露出面にオーミック性を有する負電極を形成する。
正電極14は、p型コンタクト層13上に形成される。正電極のパターニングは、負電極のパターニング同様、リフトオフ法を用いることが好ましい。正電極に用いられる金属材料は、特に制限されるものではなく、例えば、Ni、Cr、Au、Mg、Zn、及びPd等である。また、正電極は、これらの金属の合金または酸化物を含む層を有する単層、又は多層構造であってもよい、好ましい組み合わせは、Ni/Auである。
図2は、紫外発光ダイオードチップを有機−無機ハイブリッドポリマー(F)で封止した紫外発光ダイオードの概略図である。紫外発光ダイオード1は、紫外発光ダイオードチップ2を有機−無機ハイブリッドポリマー(F)3で封止したものであり、実装基板16を備える。
〔プレポリマー(C)のゾル液の調製〕
攪拌装置、温度計、滴下ラインを取り付けた反応容器に、窒素ガスを十分に充満させた。このとき、窒素ガスとして、窒素ガス製造装置(ジャパンユニックス社製UNX−200)によって製造したものを用いた。次に、上記窒素ガスを十分に充満させた上記反応容器内に、両末端にシラノール基を有するPDMS(A)と、テトラアルコキシシランのオリゴマー(B−1)と、溶媒とを投入し、室温で30分間攪拌した。次いで縮合触媒を投入した後、室温から140℃まで10℃/分の速度で昇温し、さらに140℃で1時間反応させた。その後室温まで自然放冷し、プレポリマー(C)のゾル液を得た。上記反応の間、窒素ガスは流し続けた。なお、各実施例で使用したPDMS(A)及びオリゴマー(B−1)の種類、質量と、それぞれのモル比、溶媒、縮合触媒とその添加量は、下記の通りである。
PDMS(A);JNC社製、FM9926(分子蒸留装置による溶媒除去処理品)、数平均分子量(Mn)=23,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.10、トルエン含有量=10ppm未満。
オリゴマー(B−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(A)が85.0g、オリゴマー(B−1)(シリケート45)が15.0gで、FM9926に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比が1:3。
溶媒;tert−ブチルアルコール 150g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.01g。
PDMS(A);JNC社製、FM9927(分子蒸留装置による溶媒除去処理品)、数平均分子量(Mn)=32,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.09、トルエン含有量=10ppm未満。
オリゴマー(B−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(A)が88.8g、オリゴマー(B−1)(シリケート45)が11.2gで、FM9927に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:3。
溶媒;tert−ブチルアルコール 112g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.01g。
PDMS(A);JNC社製、FM9926(分子蒸留装置による溶媒除去処理品)、数平均分子量(Mn)=23,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.10、トルエン含有量=10ppm未満。
オリゴマー(B−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(A)が81.0g、オリゴマー(B−1)(シリケート45)が19.0gで、FM9926に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:4。
溶媒;tert−ブチルアルコール 190g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.01g。
PDMS(A);JNC社製、FM9927(分子蒸留装置による溶媒除去処理品)、数平均分子量(Mn)=32,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.09、トルエン含有量=10ppm未満。
オリゴマー(B−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(A)が88.8g、オリゴマー(B−1)(シリケート45)が11.2gで、FM9927に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:3。
溶媒;tert−ブチルアルコール 112g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.01g。
両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン(PDMS)と、有機金属化合物(E)と、溶媒とを、上記プレポリマー(C)とは別の反応容器に投入し、60℃に加熱して大気下で30分間撹拌し、有機金属化合物含有溶液(D)を得た。なお、各実施例で使用したPDMS、有機金属化合物(E)、溶媒とそれぞれの添加量は、下記の通りである。
PDMS;上記〔プレポリマー(C)のゾル液の調製〕(実施例1)で使用したものと同じ 27.2g。
有機金属化合物(E);オクチル酸亜鉛(日本化学産業製、ニッカオクチックス亜鉛 Zn:18%)1.24g、および2−エチルヘキサン酸ジルコニル(日本化学産業製 ニッカオクチックスジルコニウム Zr:12%)1.55g。
溶媒;tert−ブチルアルコール 3.0g
PDMS;上記〔プレポリマー(C)のゾル液の調製〕(実施例2)で使用したものと同じ 28.2g。
有機金属化合物(E);オクチル酸亜鉛(日本化学産業製、ニッカオクチックス亜鉛 Zn:18%)0.80g、および2−エチルヘキサン酸ジルコニル(日本化学産業製 ニッカオクチックスジルコニウム Zr:12%)1.00g。
溶媒;tert−ブチルアルコール 3.0g
上記プレポリマー(C)のゾル液と、上記有機金属化合物含有溶液(D)とを所定の質量比で混合し、混合物(F’)を得た。
(実施例1); 100:10(質量比)
(実施例2); 100:5 (質量比)
〔プレポリマー(c)のゾル液の調製〕
上記実施例1〜4と同条件の反応容器に両末端にシラノール基を有するPDMS(a)と、テトラアルコキシシランのオリゴマー(b−1)と、溶媒とを投入し、室温で30分間攪拌した。次いで縮合触媒を投入した後、室温から140℃まで10℃/分の速度で昇温し、さらに140℃で1時間反応させた。その後室温まで自然放冷し、プレポリマー(c)のゾル液を得た。上記反応の間、窒素ガスは流し続けた。なお、各比較例で使用したPDMS(a)及びオリゴマー(b−1)の種類、質量と、それぞれのモル比、溶媒、縮合触媒とその添加量は、下記の通りである。
PDMS(a);モメンティブ社製 XF3905、数平均分子量(Mn)=20,000)、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.47、トルエン含有量=10ppm未満。
オリゴマー(b−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(a)が78.7g、オリゴマー(b−1)(シリケート45)が21.3gで、XF3905とシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:4。
溶媒;tert−ブチルアルコール 213g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.02g。
PDMS(a);モメンティブ社製、YF3800、数平均分子量(Mn)=6,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.81、トルエン含有量:10ppm未満。
オリゴマー(b−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(a)が81.6g、オリゴマー(b−1)(シリケート45)が18.4gで、YF3800に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:1。
溶媒;tert−ブチルアルコール 184g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.05g。
PDMS(a);JNC社製、FM9926の残留溶媒未処理品、数平均分子量(Mn)=22,000、分子量分布指数(Mw/Mn)=1.15、トルエン含有量=100ppm。
オリゴマー(b−1);エチルシリケート、多摩化学工業株式会社製、シリケート45:テトラエトキシシランの直鎖状8〜10量体であるオリゴマー(オリゴマー純度:95質量%)、平均分子量=1282。
モル比;PDMS(a)が84.5g、オリゴマー(b−1)(シリケート45)が15.5gで、FM9926に対するシリケート45のオリゴマー純分のモル比は1:3。
溶媒;tert−ブチルアルコール 155g。
縮合触媒;ジブチル錫ジラウレート 0.02g。
両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン(PDMS)と、有機金属化合物(e)と、溶媒とを、上記プレポリマー(c)とは別の反応容器に投入し、60℃に加熱して大気下で30分間撹拌し、有機金属化合物含有溶液(d)を得た。なお、各比較例で使用したPDMS、有機金属化合物(e)、溶媒とそれぞれの添加量は、下記の通りである。
PDMS;上記〔プレポリマー(c)のゾル液の調製〕(比較例1)で使用したものと同じ 28.1g。
有機金属化合物(e);オクチル酸亜鉛(日本化学産業製、ニッカオクチックス亜鉛 Zn:18%)0.80g、および2−エチルヘキサン酸ジルコニル(日本化学産業製 ニッカオクチックスジルコニウム Zr:12%)1.10g。
溶媒;tert−ブチルアルコール 3.0g
PDMS;上記〔プレポリマー(c)のゾル液の調製〕(比較例2)で使用したものと同じ 22.4g。
有機金属化合物(e);オクチル酸亜鉛(日本化学産業製、ニッカオクチックス亜鉛 Zn:18%)3.39g、および2−エチルヘキサン酸ジルコニル(日本化学産業製 ニッカオクチックスジルコニウム Zr:12%)4.25g。
溶媒;tert−ブチルアルコール 3.0g
PDMS;上記〔プレポリマー(c)のゾル液の調製〕(比較例3)で使用したものと同じ 27.2g。
有機金属化合物(e);オクチル酸亜鉛(日本化学産業製、ニッカオクチックス亜鉛 Zn:18%)1.24g、および2−エチルヘキサン酸ジルコニル(日本化学産業製 ニッカオクチックスジルコニウム Zr:12%)1.55g。
溶媒;tert−ブチルアルコール 3.0g
上記プレポリマー(c)のゾル液と、上記有機金属化合物含有溶液(d)とを所定の質量比で混合し、混合物(f’)を得た。なお、各比較例における上記プレポリマー(c)のゾル液と、上記有機金属化合物含有溶液(d)との質量比は、(c):(d)の質量比で、下記の通りである。
(比較例1); 100:10(質量比)
(比較例2); 100:15(質量比)
(比較例3); 100:10(質量比)
〔評価用サンプルの作製〕
上記実施例1、2の混合物(F’)をそれぞれ石英ガラスの間に0.5mmの厚みで挟み、180℃で5時間加熱して硬化させ、硬化体であるポリマー(F)が2枚の石英ガラスで挟み込まれた評価用サンプルを作製し、各実施例の試料とした。上記実施例3、4については、有機金属化合物含有溶液(D)を混合せず、プレポリマー(C)のみを実施例1、2と同様に2枚の石英ガラスの間に挟み、220℃で5時間加熱して硬化させた。上記各比較例の混合物(f’)についても、上記実施例1、2と同様にして硬化させ、硬化体であるポリマー(f)からなる評価用サンプルを作製し、各比較例の試料を得た。
実施例1〜4、比較例1〜3の各試料について、分光光度計U−4100(日立社製)を使い、波長200nm〜800nmでの透過率を測定した。その結果を実施例1〜4については図3のグラフ、実施例1と比較例1〜3については図4のグラフに示す。なお、上記透過率は、予めリファレンスとして石英ガラスの透過率を測定しておき、測定結果から該リファレンス分を引いて得た値とした。
図3のグラフより、分子量分布指数が1.09および1.10の実施例1〜4は、光透過性に優れていることが示された。220nmでの透過率はいずれも88%以上であり、200nmにおいても70%以上であった。
〔評価用シートの作製〕
上記各実施例1、2の混合物(F’)、各実施例3、4のプレポリマー(C)および各比較例1、2の混合物(f’)をPFAで表面処理を施した金型(15cm□)に、仕上がり時4mmの厚みになるように注入し、常温〜200℃まで8時間かけて昇温した後、200℃で2時間保持の乾燥焼成処理を行った。その後、金型から脱離し、評価用シート(縦150mm×横150mm×厚さ4mm)とした。
各評価用シートを、対流式の乾燥炉にて大気中200℃の環境下に1,000時間保管し、評価開始前と1,000時間経過後の質量を電子天秤で測定し、重量減少率を算出した。
以上の結果を各実施例、比較例の材料の特徴と共に表1に示す。本発明に係る実施例1〜4のハイブリッド材料は、従来の比較例1、2の材料に比べ、UV域(220nm)を含めた略全ての波長域で光透過性が高く、特性として上回っていることがわかる。そして、実施例1〜4のように分子量が揃った(つまり分子量分布指数が1.3以下、さらには1.1下)PDMSを使用することで、高耐熱性と高光透過性を実現でき、光を均質に透過するハイブリッド材料が得られる。
(紫外発光ダイオードチップ2の作製)
先ず、図1で示した紫外発光ダイオードチップ2を以下の方法で作製した。基板4は、Applied Physics Express 5(2012)122101に記載の方法に準じて、ハイドライド気相エピタキシー(HVPE)法により製造した。
紫外発光ダイオードチップ2の正・負電極を、実装基板16(AlN多結晶焼結体製の実装基板)に設けられた電極と対向させ、それぞれの電極パターンが整合するように位置合わせを行った後、はんだにより接合を行った(接合物品を作製した)。この場合、光放射主面は窒化アルミニウム単結晶基板となる。
紫外発光ダイオードに、定電流電源(菊水工業製PMC250−0.25A)を用いて通電した。各電流値における光出力の値を積分球ユニット(SphereOptics製SMS−500)を用いて測定し、封止材を有さないもの、即ち、単なる接合物品の光出力と比較し、その増倍率を算出した。
LED寿命評価装置(ダイトエレクトロン製)を用いて、評価開始時の紫外発光ダイオードの光出力が2mWとなる電流値において、100時間連続駆動させ、1時間毎に光出力を測定した。合わせて、接合物品にも同じ電流を注入し、同様に100時間駆動させ測定を行った。これらの結果を比較して、封止材の劣化による光出力の減少を評価した。
本発明は上記実施例のみに限定されるものではなく、特許請求の範囲および明細書の記載から当業者が認識することができる本発明の技術的思想に反しない限り、変更、削除および付加が可能である。また上記実施例においては、これに限定されるものではなく、異なった種類・特性の有機金属化合物を使用してもよい。
2 紫外発光ダイオードチップ
3 有機−無機ハイブリッドポリマー(F)
4 基板
5 積層構造体
6 n型AlXGaYInZN層
7 発光層
11 p型AlXGaYInZN層
15 実装基板
Claims (6)
- 組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される単結晶層が複数積層された積層構造体を有し、光放射主面が、組成式Al X2 Ga Y2 In Z2 N(但し、X2、Y2、Z2は、0.5≦X2≦1.0、0.0≦Y2≦0.5、0.0≦Z2≦0.5、X2+Y2+Z2=1を満足する有理数である)で表される単結晶で形成されている、発光ピーク波長が220〜350nmである紫外発光ダイオードチップを、
下記の有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)を含む組成物を熱硬化させて得られる有機−無機ハイブリッドポリマー(F)で封止したことを特徴とする紫外発光ダイオード。
(C):下記(A)と下記(B−1)、(B−2)及び(B−3)からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)と、が縮合反応することによって生成される有機−無機ハイブリッドプレポリマーであり、さらに芳香族炭化水素系溶剤の含有量が(A)に対して50ppm以下であるもの。
(A):両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンであって、数平均分子量(Mn)が10,000〜100,000、かつ分子量分布指数(Mw/Mn;Mwは重量平均分子量)が1.3以下であるもの。
(B−1):テトラアルコキシシランのオリゴマー。
(B−2):(B−1)が有するアルコキシ基の完全又は部分加水分解物。
(B−3):(B−2)同士による、又は(B−2)と(B−1)による縮合反応生成物。 - 上記(B−1)は、直鎖状であって、4量体〜10量体である請求項1に記載の紫外発光ダイオード。
- 上記(A)と上記(B−1)の配合比(モル比)が、(A)/(B−1)で0.1〜2である請求項1または2に記載の紫外発光ダイオード。
- 上記有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)が、イソプロピルアルコールおよびtert−ブチルアルコールから選ばれた少なくとも1種の有機溶媒の存在下において、製造されたものである請求項1〜3の何れかに記載の紫外発光ダイオード。
- 上記有機−無機ハイブリッドポリマー(F)は、0.5mmの厚みの板状体とした場合、厚み方向で波長220nmの光を85%以上透過する請求項1〜4の何れかに記載の紫外発光ダイオード。
- 組成式AlXGaYInZN(但し、X、Y、Zは、X+Y+Z=1を満足する有理数である)で表される単結晶層が複数積層された積層構造体を有する、発光ピーク波長が220〜350nmである紫外発光ダイオードチップを基板上にマウントする工程と、
下記の有機−無機ハイブリッドプレポリマー(C)を含む組成物で前記紫外発光ダイオードチップを被覆する工程と、
前記組成物で被覆した紫外発光ダイオードチップを180〜230℃の温度で加熱処理することにより、該組成物を硬化させる工程と、を
有することを特徴とする紫外発光ダイオードの製造方法。
(C):下記(A)と下記(B−1)、(B−2)及び(B−3)からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物(B)と、が縮合反応することによって生成される有機−無機ハイブリッドプレポリマーであり、さらに芳香族炭化水素系溶剤の含有量が(A)に対して50ppm以下であるもの。
(A):両末端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサンであって、数平均分子量(Mn)が10,000〜100,000、かつ分子量分布指数(Mw/Mn;Mwは重量平均分子量)が1.3以下であるもの。
(B−1):テトラアルコキシシランのオリゴマー。
(B−2):(B−1)が有するアルコキシ基の完全又は部分加水分解物。
(B−3):(B−2)同士による、又は(B−2)と(B−1)による縮合反応生成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014106293A JP6257446B2 (ja) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | 有機−無機ハイブリッドポリマーで封止した紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014106293A JP6257446B2 (ja) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | 有機−無機ハイブリッドポリマーで封止した紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015222767A JP2015222767A (ja) | 2015-12-10 |
JP6257446B2 true JP6257446B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=54785641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014106293A Active JP6257446B2 (ja) | 2014-05-22 | 2014-05-22 | 有機−無機ハイブリッドポリマーで封止した紫外発光ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6257446B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107544177B (zh) * | 2016-06-28 | 2021-01-26 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
JP6942589B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-09-29 | 旭化成株式会社 | 半導体発光装置および紫外線発光モジュール |
JP2020090572A (ja) | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Jnc株式会社 | 縮合硬化型樹脂組成物、硬化物、成形体、及び半導体装置 |
JP6814902B1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-01-20 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4622426B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-02-02 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5465781B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-04-09 | 日本山村硝子株式会社 | 有機−無機ハイブリッドプレポリマーの製造方法 |
CN103080193A (zh) * | 2010-08-20 | 2013-05-01 | 日本山村硝子株式会社 | 含苯基有机-无机混合预聚物及耐热性有机-无机混合材料以及组件密封构造 |
EP2587560A1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-01 | Forschungsverbund Berlin e.V. | Light emitting diode |
WO2015046567A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 日本山村硝子株式会社 | 有機-無機ハイブリッドプレポリマー、それによって得られる有機-無機ハイブリッドポリマー及びled素子の封止材並びにled素子の封止構造 |
-
2014
- 2014-05-22 JP JP2014106293A patent/JP6257446B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015222767A (ja) | 2015-12-10 |
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