JP6250172B2 - 高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法 - Google Patents

高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6250172B2
JP6250172B2 JP2016541776A JP2016541776A JP6250172B2 JP 6250172 B2 JP6250172 B2 JP 6250172B2 JP 2016541776 A JP2016541776 A JP 2016541776A JP 2016541776 A JP2016541776 A JP 2016541776A JP 6250172 B2 JP6250172 B2 JP 6250172B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
fenbtisb
thermoelectric material
thermoelectric
under
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016541776A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017500748A (ja
Inventor
ティエジュイン ジュウ
ティエジュイン ジュウ
チェングワーン フゥ
チェングワーン フゥ
シンビーン ジャオ
シンビーン ジャオ
Original Assignee
ゼァージァン ユニバーシティ
ゼァージァン ユニバーシティ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ゼァージァン ユニバーシティ, ゼァージァン ユニバーシティ filed Critical ゼァージァン ユニバーシティ
Publication of JP2017500748A publication Critical patent/JP2017500748A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6250172B2 publication Critical patent/JP6250172B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

本発明は半導体熱電材料分野に関するもので、具体的には高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料におよびその調製方法に関するものである。
熱電材料とは材料内部のキャリア(電子又は正孔)の運動によって電気エネルギーと熱エネルギーとの直接交換を実現する半導体材料を指す。熱電材料の両端に温度の差が存在する場合、熱電材料は熱エネルギーを電気エネルギーに変換させて出力するが、これをゼーベック(Seebeck)効果と呼ぶ。これに対し、熱電材料の両端に電界が加えられると、熱電材料は電気エネルギーを熱エネルギーに変換させ、一端は放熱し、反対の一端は吸熱するが、これをペルティエ(Petier)効果と呼ぶ。上記二種の効果はそれぞれ熱電材料に発電又は冷凍などの面で幅広い活用背景を持たせる。
熱電材料で作られた発電装置はディープスペース宇宙船、野外作業、海洋灯台、遊牧民が使用する電源として、又は工業予熱や廃熱発電に使われる。熱電材料で作られた冷凍装置はコンパクトで、化学媒質など要らなく、小型冷蔵庫やコンピューターチップおよびレーザー探知機などの局部冷却や医用携帯式超低温冷蔵庫などに使用することができ、さらに幅広い潜在的な活用分野としては、家庭用冷蔵庫や、冷却、車両用又は家庭用エアコンなどが含まれる。熱電材料で作られた装置は、機械運動部材がなく、ノイズや摩耗がなく、構造が簡単で、体積や形状が必要に応じてデザインできるなどの際立つ長所がある。
熱電材料の性能は「熱電性能指数」−zTで評価される。
zT=(asT/k)
式中、aは熱起電力係数、sは導電率、Tは絶対温度、kは熱伝導率である。
優れた熱電材料は高い導電率、高い熱起電力および低い熱伝導率を有すべきで、高性能の熱電素子は性能と構造がお互いにマッチングするN型とP型の材料がなければならない。
目下、高温発電熱電材料は自動車工業や、工場廃熱回収、人工衛星などの分野に幅広く活用されている。典型的な高温発電材料はSiGe合金で、そのN型材料は性能が良く、zT値は約1.0であるが、P型材料は性能があまり良くなく、約0.5である。
中国特許出願公開第102386321号明細書 中国特許出願公開第1888105号明細書
ここ数年来、Half−Heuslerシステムは構成元素含有量が豊富で、電気学性能が良いなどの長所があるため、熱電分野学者たちの注目を受けている。その中、N型ZrNiSnベースHalf−Heusler材料のzT値は1.0に達し、N型SiGeとほぼ同じぐらいである。しかし、P型Half−Heusler材料のzT値は依然として低いため、当該システムの高温発電分野への活用を制約する大きな難題となっている。
FeNbTiSb熱電材料の原料は地殻中の埋蔵量が豊富で、値段も相対的に安い。しかし、目下、この熱電材料に対する研究は極めて少ない。
本発明は新型の高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法を提供し、前記P型FeNbTiSb熱電材料の最高zT値は1100Kの下で約1.1である。
本発明は高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料を開示し、原料の構成はFeNb1−xTiSbで、その中、x=0.06〜0.24、xは原子百分比である。
好ましくは、x=0.2〜0.24、さらに好ましくは、x=0.2である。
本発明は前記P型FeNbTiSb熱電材料の調製方法も開示し、そのステップは以下のとおりである。
(1)構成成分がFeNb1−xTiSbの化学成分分量比によって、原料の鉄、ニオビウム、チタンおよびアンチモンを量り取り、アルゴン雰囲気の保護の下で、溶融製錬によってインゴットが得られる。
(2)ステップ(1)から得られたインゴットを顆粒状に砕いて、再び焼成して前記P型FeNbTiSb熱電材料が得られる。
好ましくは、ステップ(1)において、原料を浮遊溶融製錬法で3回製錬することによって、インゴットが得られる。
好ましくは、ステップ(2)において、インゴットを顆粒状に砕いた粒径は200nm〜10.0μmである。
好ましくは、ステップ(2)において、放電プラズマ焼成技術によって、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、前記P型FeNbTiSb熱電材料が得られる。
既存技術に比べて、本発明は以下有益な効果がある。
本発明は高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料を調製し、そのzT最大値は1100Kの下で1.1にも達するが、これは目下Half−Heuslerシステムにて得られる最高の性能である。
本発明によって調製されるP型FeNbTiSb熱電材料において、その材料の成分に含まれる元素は地殻中埋蔵量が多いため、生産原価が相対的に安い。
本発明中のP型FeNbTiSb熱電材料は、高温安定性に優れており、調製工程が簡単で、生産周期が短く、生産能率が高い。
実施例1によって調製されるFeNb0.8Ti0.2SbのXRD図である。 実施例1によって調製されるFeNb0.8Ti0.2Sbサンプルの熱―重量分析図である。 実施例によって調製されるFeNb1−xTiSbサンプルの熱伝導率k(a)、導電率s(b)、Seebeck係数a(c)および力率asの温度に対する変化図である。 実施例によって調製されるFeNb1−xTiSbサンプルのzT値の温度に対する変化図である。
次では実施例に合わせて本発明に対してさらに詳しく説明するものとする。
<実施例1>
原料を化学分量比FeNb0.8Ti0.2Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
RigakuD/MAX−2550PC型多結晶体のX線回折スペクトル(XRD)で、本実施例によって作られたサンプルに対するフェーズ分析を行い、図1のとおり、FeNbSb基構造、つまり、立方構造(F43m)、スペース群れ番号は216号と確認された。
Netzsch LFA−457型レーザーパルス熱分析計で測定した熱拡散係数やNetzsch DSC−404型熱重量分析計測定した比熱および材料の密度によって熱伝導率kを算出する。本実施例によって作られたサンプルの熱伝導率は、1100Kの下で、k=4.5 W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=204μV/K、導電率s=10.7×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約1.1である。
DSCQ1000装置を使って、それぞれ窒素と空気雰囲気の中でサンプルに対し熱重量分析を行ったが、測定結果は図2のとおり、昇温速度は10K/min、温度範囲は300K−1200Kであった。300Kから1000Kまで、サンプルは窒素と空気の雰囲気の中で、いずれも重量の安定さを保っていたが、これは調製されたサンプルの高温安定性が良いということを表明する。1000Kを超えると、サンプルは窒素雰囲気の中で依然として安定さを保っていたが、空気雰囲気の中では重量が増えていた。これは表面酸化が原因となる。
<実施例2>
原料を化学分量比FeNb0.76Ti0.24Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=4.6W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=198μV/K、導電率s=11.3×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約1.06である。
<実施例3>
原料を化学分量比FeNb0.84Ti0.16Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=4.8W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=219μV/K、導電率s=8.6×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約0.96である。
<実施例4>
原料を化学分量比FeNb0.88Ti0.12Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=5.1W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=222μV/K、導電率s=6.7×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約0.72である。
<実施例5>
原料を化学分量比FeNb0.92Ti0.08Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100kの下で、k=5.8W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100k下での熱起電力を測定し、熱起電力a=246μV/K、導電率s=5.3×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100kの下で約0.61である。
<実施例6>
原料を化学分量比FeNb0.94Ti0.06Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1000Kの下で、k=6.5W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=263μV/K、導電率s=5.1×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1000Kの下で約0.54である。
<熱電性能分析>
実施例1−6によって調製されたサンプルをそれぞれ異なる温度での熱電性能測定を行ったが、図3はFeNb1−xTiSbサンプルの温度変化に応じた熱電性能図である。図3(a)−3(d)から見れば、サンプルの熱伝導率とSeebeck係数はxが大きくなるにつれ、持続的に低くなり、導電率はxが大きくなるにつれ、大きくなる。計算式zT=(asT/k)によって、サンプルの最終のzT値を算出することができ、全てのサンプルのzT値がいずれも温度の上昇につれ大きくなり(図4のとおり)、最も好ましいサンプルはx=0.2、1100Kの下で最高zT=1.1であった。分析によれば、当該サンプルが最高zT値を擁する原因は、1100Kの下で最低熱伝導率(図3a)および最高力率(図3d)を有するからである。

Claims (3)

  1. 原料の構成がFeNb1−xTiSbで、その中、x=0.16〜0.24であることを特徴とする高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料。
  2. x=0.2〜0.24であることを特徴とする請求項1に記載のP型FeNbTiSb熱電材料。
  3. x=0.2であることを特徴とする請求項2に記載のP型FeNbTiSb熱電材料。
JP2016541776A 2014-05-27 2014-05-27 高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法 Active JP6250172B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2014/078513 WO2015180034A1 (zh) 2014-05-27 2014-05-27 一种高优值的P型FeNbTiSb热电材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017500748A JP2017500748A (ja) 2017-01-05
JP6250172B2 true JP6250172B2 (ja) 2017-12-20

Family

ID=54697820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016541776A Active JP6250172B2 (ja) 2014-05-27 2014-05-27 高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10446732B2 (ja)
JP (1) JP6250172B2 (ja)
WO (1) WO2015180034A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130019918A1 (en) 2011-07-18 2013-01-24 The Regents Of The University Of Michigan Thermoelectric devices, systems and methods
CN106537621B (zh) * 2014-03-25 2018-12-07 美特瑞克斯实业公司 热电设备和系统
DE102018117553B4 (de) 2018-07-20 2024-05-02 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Legierung, gesinterter Gegenstand, thermoelektrisches Modul und Verfahren zum Herstellen eines gesinterten Gegenstands
DE102019106830B4 (de) 2019-03-18 2021-09-23 Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines Teils aus einer Halb-Heusler-Legierung
CN114890792B (zh) * 2022-05-31 2023-07-28 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种高热电性能p型碲化铋基热电材料及其制备方法和应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4804638B2 (ja) * 2001-03-21 2011-11-02 株式会社Ihi クラスレート化合物と高効率熱電材料およびその製造方法と高効率熱電材料を用いた熱電モジュール
JP4374578B2 (ja) * 2004-12-03 2009-12-02 株式会社豊田中央研究所 熱電材料及びその製造方法
CN100549195C (zh) 2006-06-07 2009-10-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法
EP2092579A2 (en) 2006-12-04 2009-08-26 Arhus Universitet Use of thermoelectric materials for low temperature thermoelectric purposes
JP2010153365A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
CN102386321A (zh) 2011-10-19 2012-03-21 东华大学 一种纳米热电粉体材料的制备方法
WO2015148493A1 (en) * 2014-03-24 2015-10-01 University Of Houston System Nbfesb-based half-heusler thermoelectric materials and methods of fabrication and use

Also Published As

Publication number Publication date
US20160141480A1 (en) 2016-05-19
US10446732B2 (en) 2019-10-15
JP2017500748A (ja) 2017-01-05
WO2015180034A1 (zh) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Elsheikh et al. A review on thermoelectric renewable energy: Principle parameters that affect their performance
Qiu et al. Sulfide bornite thermoelectric material: a natural mineral with ultralow thermal conductivity
Zhang et al. High‐performance pseudocubic thermoelectric materials from non‐cubic chalcopyrite compounds
JP6250172B2 (ja) 高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法
JP6483842B2 (ja) 高効率のP型FeNbHfSb熱電材料及び製造方法
US10177295B2 (en) P-type high-performance thermoelectric material with reversible phase change, and preparation method therefor
Zhang et al. Solution-processed n-type Bi2Te3− xSex nanocomposites with enhanced thermoelectric performance via liquid-phase sintering
JP6593870B2 (ja) 熱電変換材料、およびそれを用いた熱電発電素子、ペルチェ冷却用素子
CN103864026B (zh) Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺
CN107195767B (zh) 一种五元n型热电材料及其制备方法
CN108242500B (zh) 一种铜硒基纳米复合热电材料及其制备方法
Sallehin et al. A review on fabrication methods for segmented thermoelectric structure
CN105244435B (zh) 一种新型n‑type热电材料NbVTaCoSb及其制备方法
Famengo et al. Phase content influence on thermoelectric properties of manganese silicide-based materials for middle-high temperatures
CN103247752B (zh) Ge‑Pb‑Te‑Se复合热电材料及其制备方法
Singh et al. Advancements in thermoelectric materials for efficient waste heat recovery and renewable energy generation
Waldrop et al. Low-Temperature Thermoelectric Properties of PtSb 2− x Te x for Cryogenic Peltier Cooling Applications
Sifi et al. Comparison between the thermoelectric properties of new materials: The alloy of iron, vanadium, tungsten, and aluminum (Fe2V0. 8W0. 2Al) against an oxide such as NaCO2O4
CN107937749A (zh) 一种half‑Heusler合金块体热电材料的制备方法
CN104124332B (zh) 一种高优值的P型FeNbTiSb热电材料及其制备方法
CN106756423A (zh) 一种19价电子n型NbCoSbSn热电材料及其制备方法
WO2006082926A1 (ja) タリウム化合物熱電変換材料とその製造方法
CN109503147B (zh) 一种Ga元素掺杂In2O3(ZnO)3热电材料及其制备方法与应用
CN106587135A (zh) I掺杂的Cu‑S基热电材料及其制备方法
Mitra et al. Thermoelectric Materials Synthesized by Spark Plasma Sintering (SPS) for Clean Energy Generation

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6250172

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250