JP6247100B2

JP6247100B2 - 排液処理装置および排液処理方法

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Publication number: JP6247100B2
Application number: JP2014003128A
Authority: JP
Inventors: 昭彦瀧; 池田　昌秀; 昌秀池田; 伸二秀浦
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2014-01-10
Filing date: 2014-01-10
Publication date: 2017-12-13
Anticipated expiration: 2034-01-10
Also published as: JP2015131259A

Description

この発明は、基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭ（ＳｕｌｆｕｒｉｃＡｃｉｄ−ＨｙｄｒｏｇｅｎＰｅｒｏｘｉｄｅＭｉｘｔｕｒｅ）を装置外部に排出する前に処理する排液処理装置に関する。

有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置においては、基板に対して処理液が供給される。そして、基板の処理に供された処理液である排液は、装置外部に排出する前に所定の処理が行われる。

特許文献１には、基板処理装置から排出された沸点の異なる複数の成分を含む排液を装置外部に排出する前に濃縮する排液濃縮装置が開示されている。この排液濃縮装置においては、濃縮前の排液を貯留する第１、第２タンクと、濃縮前の排液を第１タンクまたは第２タンクに導く複数の排液配管と、濃縮前の排液が第１タンクおよび第２タンクのいずれか一方に選択的に供給されるように複数の排液配管を開閉可能な切替装置と、第１タンクおよび第２タンクに貯留されている排液を加熱することにより濃縮する濃縮装置とを備え、濃縮前の排液を第１タンクおよび第２タンクに交互に供給させるとともに、第１タンクまたは第２タンクのうち排液の供給が停止されているタンク内の排液を加熱して濃縮する構成が採用されている。

特開２０１３−１８０２５３号公報

例えば、半導体製造におけるレジスト剥離工程では硫酸・過酸化水素水の混合溶液を洗浄液として用いるＳＰＭを利用した洗浄法が広く知られている。ＳＰＭによる洗浄は、濃硫酸中に過酸化水素水を一定の割合で混合することにより酸化力の強いカロ酸（ペルオキソ一硫酸）を生成させ、このカロ酸の酸化力を用いて半導体基板に付着したレジストを剥離して酸化分解するものである。

このようなＳＰＭによる洗浄処理後には、半導体基板に供給され洗浄に供されたＳＰＭの排液を処理するため、排液を加熱することにより、排液中の過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）濃度を低下させている。このとき、ＳＰＭの排液を過酸化水素の濃度低下を効率的に実行しうる温度まで加熱した場合には、ＳＰＭ排液中に含まれる未反応の硫酸および過酸化水素水による余反応により、排液が加熱制御温度以上の温度まで上昇するという現象が生ずるおそれがある。このような現象が生じた場合には、加熱を停止しても余反応により排液の温度が上昇し、排液の温度が装置の耐熱温度以上にまで上昇してしまうという問題が生ずる場合がある。このような問題を防止するため、排液の加熱制御温度を低く設定した場合には、過酸化水素の濃度が処理時間内に必要な濃度まで低下せず、効率的な排液処理を実行し得ないという問題が生じている。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ＳＰＭの排液を正確に温度制御することにより、排液を効率的に処理することが可能な排液処理装置および排液処理方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を処理する排液処理装置であって、前記排液の貯留部と、基板の処理に伴って前記基板処理装置より排出される排液を前記貯留部に導入する排液管路と、前記貯留部に貯留された排液を加熱する加熱手段と、前記加熱手段を制御することにより、前記貯留部に貯留された排液を第１の温度まで加熱した後、前記第１の温度より高い第２の温度まで加熱する加熱制御手段と、を備え、前記加熱制御手段は、前記基板処理装置より排液が排出される第１モード時には、前記貯留部に貯留された排液を前記第１の温度まで加熱し、前記基板処理装置より排液が排出されない第２モード時には、前記貯留部に貯留された排液を前記第２の温度まで加熱することを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を処理する排液処理装置であって、前記排液を貯留するための第１タンクおよび第２タンクと、基板の処理に伴って前記基板処理装置より排出される排液を前記第１タンクまたは前記第２タンクに交互に導入する排液管路と、前記第１タンクに貯留された排液を加熱する第１加熱手段と、前記第２タンクに貯留された排液を加熱する第２加熱手段と、前記第１加熱手段または前記第２加熱手段を制御することにより、前記第１タンクおよび前記第２タンクのうち、前記排液管路により前記基板処理装置から排出される排液が導入されている側のタンク内の排液を第１の温度で加熱するとともに、前記第１タンクおよび前記第２タンクのうち、前記排液管路により前記基板処理装置から排出される排液が導入されていない側のタンク内の排液を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱する加熱制御手段と、を備えたことを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記第１の温度は、前記排液が当該排液の余反応によっても排液処理装置の耐熱温度を越えて上昇しない温度である。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記第１の温度は、前記排液が当該排液の余反応によっても前記加熱手段により温度制御される加熱温度以上には上昇しない温度であり、前記第２の温度は、排液処理装置の耐熱温度以下の温度である。

請求項５に記載の発明は、基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を、排液を貯留するための第１タンクまたは第２タンクに選択的に導入して加熱することにより処理を行う排液処理方法であって、基板処理装置からの排液を前記第１タンクに導入するとともに、前記第１タンク内の排液を第１の温度で加熱する第１工程と、基板処理装置からの排液を前記第２タンクに導入するとともに、前記第２タンク内の排液を前記第１の温度で加熱し、さらに、前記第１タンク内の排液を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱する第２工程と、前記第１タンク内の排液を排出した後、基板処理装置からの排液を前記第１タンクに導入するとともに、前記第１タンク内の排液を第１の温度で加熱し、さらに、前記第２タンク内の排液を前記第２の温度で加熱する第３工程と、前記第２タンク内の排液を排出した後、基板処理装置からの排液を前記第２タンクに導入するとともに、前記第２タンク内の排液を第１の温度で加熱し、さらに、前記第１タンク内の排液を前記第２の温度で加熱する第４工程と、前記第３工程と前記第４工程とを順次繰り返す第５工程と、を備えることを特徴とする。

請求項１から請求項５に記載の発明によれば、排液を加熱した場合においても余反応により排液の温度が過度に上昇することを防止することができ、排液を正確に温度制御することにより、排液を効率的に処理することが可能となる。

請求項２および請求項５に記載の発明によれば、第１タンクおよび第２タンクを交互に利用することにより、排液を正確に温度制御しながら、排液をさらに効率的に処理することが可能となる。

この発明に係る排液処理装置１を、基板処理装置２とともに示す概要図である。ＳＰＭの排液を摂氏１４０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。ＳＰＭの排液を摂氏１３０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。ＳＰＭの排液を第１の温度である摂氏１２５度で温度制御した後、さらに、ＳＰＭの排液を第２の温度である摂氏１５０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。ＳＰＭの排液を摂氏１２５度で温度制御した後、さらに、ＳＰＭの排液を摂氏１５０度で温度制御するときの動作を示すタイムチャートである。

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る排液処理装置１を、基板処理装置２とともに示す概要図である。

この発明に係る排液処理装置１とともに使用される基板処理装置２は、半導体ウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の処理ユニット１１を複数個備えた構成を有する。各処理ユニット１１は、基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線まわりに回転させるスピンチャック１２と、処理液としてのＳＰＭをスピンチャック１２に保持されて回転する基板Ｗに供給する処理液供給部１３と、スピンチャック１２の上方において水平に保持された遮断板１４と、スピンチャック１２に保持されて回転する基板Ｗを取り囲む筒状のカップ１５とを備える。

また、処理液供給部１３は、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）の供給部および過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）の水溶液である過酸化水素水の供給部と接続され、硫酸と過酸化水素水を混合するミキサー１６を備える。なお、図１においては図示を省略しているが、基板処理装置２の各処理ユニット１１は、その他の薬液を基板Ｗに供給する機能も有する。

基板処理装置２における各処理ユニット１１においては、スピンチャック１２とともに回転する基板Ｗの表面に、硫酸と過酸化水素水の混合液であるＳＰＭを供給することにより、基板Ｗが処理される。基板Ｗの表面に供給されたＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全域に広がる。そして、基板Ｗの表面の周縁部に達したＳＰＭは、基板Ｗの周囲に振り切られる。基板Ｗの周囲に飛散したＳＰＭは、カップ１５によって受け止められ、カップ１５の底部に集められる。そして、カップ１５の底部に集められたＳＰＭは、この発明に係る排液処理装置１に排出される。

このため、各処理ユニット１１において基板ＷがＳＰＭにより処理されている間は、基板Ｗの処理に供されたＳＰＭの排液が、少量ずつ排液処理装置１に排出される。このとき、基板処理装置２は独立した複数の処理ユニット１１を有していることから、複数の処理ユニット１１からのＳＰＭの排液が、それぞれの処理ユニット１１における処理工程に応じて独立して排液処理装置１に排出される。

この発明に係る排液処理装置１は、筐体２９内に配設され、装置全体の動作を制御する制御部２０を備える。また、排液処理装置１は、ＳＰＭの排液を回収するための第１タンク２１および第２タンク２２を備える。第１タンク２１は、共通配管２８および個別配管２３を介して各処理ユニット１１に接続されている。また、第２タンク２２は、共通配管２８および個別配管２４を介して各処理ユニット１１と接続されている。個別配管２３には開閉弁２５が配設されており、個別配管２４には開閉弁２６が配設されている。

第１タンク２１には、第１タンク２１内の排液の液位を測定するための液位センサ３１、３２が配設されている。また、第１タンク２１には、循環ポンプ３３と、ヒータ３４と、温度センサ３５とが配設されている。第１タンク２１内の排液は、循環ポンプ３３の作用により、ヒータ３４および温度センサ３５を通過し、管路３８を介して第１タンク２１に戻る循環路を循環する。また、第１タンク２１内の排液の一部は、管路５５および冷却器５６を介して濃度測定装置５７に送液され、濃度を測定された後、管路５８を介して第１タンク２１に戻る構成となっている。

第２タンク２２には、第２タンク２２内の排液の液位を測定するための液位センサ４１、４２が配設されている。また、第２タンク２２には、循環ポンプ４３と、ヒータ４４と、温度センサ４５とが配設されている。第２タンク２２内の排液は、循環ポンプ４３の作用により、ヒータ４４および温度センサ４５を通過し、管路４８を介して第２タンク２２に戻る循環路を循環する。また、第２タンク２２内の排液の一部は、管路５５および冷却器５６を介して濃度測定装置５７に送液され、濃度を測定された後、管路５８を介して第２タンク２２に戻る構成となっている。

第１タンク２１は、開閉弁３６を備える管路３７によりドレンタンク５２に接続されている。また、第２タンク２２は、開閉弁４６を備える管路４７によりドレンタンク５２に接続されている。そして、ドレンタンク５２は、ドレンポンプ５３を介して冷却ユニット５４に接続されている。第１タンク２１および第２タンク２２から排出された処理後の排液は、ドレンタンク５２に貯留された後、ドレンポンプ５３の作用により冷却ユニット５４に送液され、冷却ユニット５４において冷却された後に排出される。

第１タンク２１および第２タンク２２の上壁には、各々、第１蒸気配管６１および第２蒸気配管６２が配設されている。これらの第１蒸気配管６１および第２蒸気配管６２は、蒸気集合部６３と接続されており、この蒸気集合部６３の上壁は排気ユニット６６に接続されている。また、蒸気集合部６３の底壁はドレンタンク６４に接続されている。第１タンク２１内で発生した蒸気は、第１蒸気配管６１を介して蒸気集合部６３に導かれ、第２タンク２２内で発生した蒸気は、第２蒸気配管６２を介して蒸気集合部６３に導かれる。そして、蒸気集合部６３に流入した蒸気は、排気ユニット６６に送られる。一方、蒸気の温度低下によって蒸気集合部６３で発生した液体は、ドレンタンク６４を介して排液ユニット６５に導かれる。排液がＳＰＭである場合には、過酸化水素と水の蒸気が、蒸気集合部６３に流入し、過酸化水素が蒸気集合部６３で発生するとともに、過酸化水素水が、ドレンタンク６４を介して排液ユニット６５に排出される。

なお、上述した液位センサ３１、３２、４１、４２による液位の検出信号および温度センサ３５、４５による温度の検出信号は制御部２０に送信され、開閉弁２５、２６、３６、４６の開閉動作は制御部２０により制御され、ヒータ３４、４４による温度制御は制御部２０により制御され、循環ポンプ３３、４３およびドレンポンプ５３の駆動は制御部２０により制御される。制御部２０は、ヒータ３４、４４等から構成される加熱手段を制御するこの発明に係る加熱制御手段として機能する。

上述した第１タンク２１と第２タンク２２とは、交互にモードが切り替えられる。すなわち、第１タンク２１が、開閉弁２５が開放されて基板処理装置２の各処理ユニット１１からの排液が第１タンク２１に排出される貯留モード（第１モード）となっているときには、第２タンク２２は、開閉弁２６が閉止されて各処理ユニット１１からの排液が第２タンク２２には排出されない分解モード（第２モード）となっている。また、これとは逆に、第２タンク２２が、開閉弁２６が開放されて各処理ユニット１１からの排液が第２タンク２２に排出される貯留モード（第１モード）となっているときには、第１タンク２１は、開閉弁２５が閉止されて各処理ユニット１１からの排液が第１タンク２１には排出されない分解モード（第２モード）となっている。

なお、貯留モード（第１モード）および分解モード（第２モード）において、第１タンク２１内の排液は、循環ポンプ３３の作用により循環し、ヒータ３４により加熱される。このときの排液の温度は、温度センサ３５により検出され、制御部２０の制御によりヒータ３４が制御される。同様に、貯留モード（第１モード）および分解モード（第２モード）において、第２タンク２２内の排液は、循環ポンプ４３の作用により循環し、ヒータ４４により加熱される。このときの排液の温度は、温度センサ４５により検出され、制御部２０の制御によりヒータ４４が制御される。

排液を加熱制御する場合において、排液が硫酸（沸点が摂氏２９１度）と過酸化水素水（過酸化水素の濃度が３０％の場合、沸点が摂氏１０８度）とを含むＳＰＭである場合には、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の一部は、加熱によって蒸発する。また、「Ｈ_２ＳＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２→Ｈ_２ＳＯ_５＋Ｈ_２Ｏ」の化学反応が加熱によって起こり、残りの過酸化水素が水に分解される。そして、分解によって生じた水は、加熱によって蒸発する。そのため、第１タンク２１および第２タンク２２内のＳＰＭの排液が加熱されると、過酸化水素の濃度が低下し、排液に含まれる硫酸成分が濃縮される。なお、排液処理装置１から排出される排液については、過酸化水素の濃度が一定以下であることが要請されている。

このとき、ヒータ３４、４４を有する排液の加熱機構による加熱温度（加熱制御の目標温度）により、排液の温度の挙動および過酸化水素の濃度変化に差異が生ずる。以下、この点について説明する。

図２は、ＳＰＭの排液を摂氏１４０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。このグラフにおいては、横軸は時間を示し、縦軸はＳＰＭの排液の温度およびＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。また、このグラフにおいては、実線はＳＰＭの排液の温度を示し、一点鎖線はＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。

目標温度を摂氏１４０度としてＳＰＭを温度制御した場合、排液の温度が１４０度近傍まで加熱され、その後、加熱は停止される。しかし実際には、加熱を停止した場合でも、ＳＰＭの排液の温度は上昇を続ける。これは、ＳＰＭの余反応によるものと推測される。このときには、図２に示すように、ＳＰＭの排液の温度が１６０度を超過することになる。排液処理装置１においては、一般的に、上述した第１タンク２１および第２タンク２２等のタンクの材質としてはフッ素樹脂等が使用されるが、その配管系には樹脂等が使用される。このため、ＳＰＭの排液の温度が排液処理装置１の耐熱温度以上に上昇すると、装置の配管系等に損傷を与える可能性がある。このような排液処理装置１の耐熱温度は、例えば、摂氏１６０度程度である。従って、ＳＰＭの排液の温度が１６０度を超過すると、配管系統に損傷が生じる可能性がある。なお、目標温度を摂氏１４０度として温度制御した場合には、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度は、１％程度まで減少している。

図３は、ＳＰＭの排液を摂氏１３０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。このグラフにおいても、横軸は時間を示し、縦軸はＳＰＭの排液の温度およびＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。また、このグラフにおいても、実線はＳＰＭの排液の温度を示し、一点鎖線はＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。

目標温度を摂氏１３０度としてＳＰＭを温度制御した場合においては、ＳＰＭの排液の温度は摂氏１５０度程度まで上昇する。このときのＳＰＭの排液の最高温度は、制御温度を摂氏１４０度として制御した場合のように１６０度までは上昇しないが、制御温度である摂氏１３０度よりは高い温度となる。そして、ＳＰＭの排液を摂氏１３０度として温度制御した場合には、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度は、２％程度までしか減少しないことになる。このため、ＳＰＭの排液を摂氏１３０度で温度制御したときには、ＳＰＭの排液中から過酸化水素を十分に除去することができないという問題が生ずる。排液処理装置１から排出される排液中の過酸化水素の濃度は、一般的には、１％以下とすることが要請されている。

図４は、この発明に係る排液処理方法を適用することにより、ＳＰＭの排液を第１の温度である摂氏１２５度で温度制御した後、さらに、ＳＰＭの排液を第２の温度である摂氏１５０度で温度制御したときの、ＳＰＭの排液の温度と、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度とを示すグラフである。このグラフにおいても、横軸は時間を示し、縦軸はＳＰＭの排液の温度およびＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。また、このグラフにおいても、実線はＳＰＭの排液の温度を示し、一点鎖線はＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を示している。

図４に示すこの発明の実施形態においては、基板処理装置２の各処理ユニット１１からの排液が第１タンク２１または第２タンク２２に排出される貯留モード（第１モード）においては、第１タンク２１または第２タンク２２内の排液を第１の温度である摂氏１２５度となるように温度制御する。そして、各処理ユニット１１からの排液が第１タンク２１または第２タンク２２には排出されない分解モード（第２モード）となった時点で、第１タンク２１または第２タンク２２内の排液を第２の温度である摂氏１５０度となるように温度制御する。

このような温度制御を行うことにより、各処理ユニット１１から排出されたＳＰＭの排液は、最初に、比較的低い第１の温度（摂氏１２５度）で加熱される。これによりＳＰＭの排液は、ある程度まで反応し、その活性が低下する。なお、ＳＰＭの排液を摂氏１２５度程度の低温とした場合には、ＳＰＭの排液が余反応で制御温度以上まで上昇することはない。そして、新しい排液が第１タンク２１または第２タンク２２に排出されなくなった時点で、第１タンク２１または第２タンク２２内の排液を第２の温度（摂氏１５０度）まで加熱する。このときには、第１タンク２１または第２タンク２２内の排液はすでにある程度まで反応済であることから、その温度を摂氏１５０度程度で制御することが可能となる。また、ＳＰＭの排液の温度を摂氏１５０度程度まで上昇させることにより、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を１％程度まで低下させることが可能となる。

次に、この発明の実施形態について、より詳細に説明する。図５は、この発明に係る排液処理方法を適用することにより、ＳＰＭの排液を摂氏１２５度で温度制御した後、さらに、ＳＰＭの排液を摂氏１５０度で温度制御するときの動作を示すタイムチャートである。

処理開始時には、個別配管２３における開閉弁２５が開放され、個別配管２４における開閉弁２６が閉止されている。この状態においては、基板処理装置２における各処理ユニット１１からのＳＰＭの排液は、第１タンク２１に排出される。このときには、循環ポンプ３３およびヒータ３４は停止している（Ｓ１１）。そして、第１タンク２１における液位センサ３２によって、ＳＰＭの排液が第１タンク２１に所定量だけ貯留されたことが検出されると、循環ポンプ３３を駆動し、第１タンク２１内のＳＰＭの排液をヒータ３４により加熱する（Ｓ１２）。しかる後、温度センサ３５により検出されたＳＰＭの排液の温度が摂氏１１５度に到達すれば、制御部２０によるヒータ３４の制御が開始され、第１タンク２１内のＳＰＭの排液の温度が第１の温度である摂氏１２５度に温度制御される（Ｓ１３）。

この第１タンク２１内のＳＰＭの排液の温度を摂氏１２５度に温度制御している間には、基板処理装置２における各処理ユニット１１からのＳＰＭの排液が第１タンク２１内に流出する。また、各処理ユニット１１においては、基板Ｗに対してＳＰＭを供給した後に、処理液供給部１３内にＳＰＭにおける粘度の高い硫酸が残存することを防止するため、処理液供給部１３に過酸化水素水のみを供給する処理を実行する場合がある。このときには、各処理ユニット１１から供給された過酸化水素水のみが、第１タンク２１に流出する。このような場合には、第１タンク２１内において、硫酸と過酸化水素の平衡が崩れ、カロ酸が生成されること等の余反応により、第１タンク２１内のＳＰＭの排液の温度が上昇する。しかしながら、第１タンク２１内のＳＰＭの排液は、摂氏１２５度という低い温度に温度制御されていることから、この排液の温度が過度に上昇することはない。

温度制御開始後所定の時間が経過すれば、個別配管２３における開閉弁２５を閉止し、個別配管２４における開閉弁２６を開放することにより、基板処理装置２における各処理ユニット１１からのＳＰＭの排液の導入先を第１タンク２１から第２タンク２２に切り替える。このタンクの切り換えにより、各処理ユニット１１から第１タンク２１へのＳＰＭの排液の導入が停止されるとともに、各処理ユニット１１から第２タンク２２へのＳＰＭの排液の導入が開始される。

このときには、第１タンク２１においては、第１タンク２１内に貯留されたＳＰＭの排液がさらに加熱される（Ｓ１４）。そして、温度センサ３５により検出したＳＰＭの排液の温度が摂氏１４０度に到達すれば、制御部２０の制御によるヒータ３４の制御が開始され、第１タンク２１内のＳＰＭの排液の温度を第２の温度である摂氏１５０度に温度制御する（Ｓ１５）。このときには、各処理ユニット１１から新たなＳＰＭの排液が第１タンク２１内に導入されることはなく、また、第１タンク２１内の排液はすでにある程度まで反応済であることから、その温度を摂氏１５０度程度（装置の耐熱温度である摂氏１６０度以下）で制御することが可能となる。そして、ＳＰＭの排液の温度を摂氏１５０度程度まで上昇させることにより、ＳＰＭの排液中の過酸化水素の濃度を１％程度まで低下させることが可能となる。しかる後、所定の時間が経過すれば、ヒータ３４による温度制御を停止して、第１タンク２１内の処理後のＳＰＭの排液を、ドレンタンク５２を介して冷却ユニット５４に排出する（Ｓ１６）。

一方、これと並行して、第２タンク２２においては、先に第１タンク２１において実行された工程と同様の工程が実行される。すなわち、基板処理装置２における各処理ユニット１１からのＳＰＭの排液は、第２タンク２２に排出される。このときには、循環ポンプ４３およびヒータ４４は停止している（Ｓ２１）。そして、第２タンク２２における液位センサ４２によって、ＳＰＭの排液が第２タンク２２に所定量だけ貯留されたことが検出されると、循環ポンプ４３を駆動し、第２タンク２２内のＳＰＭの排液をヒータ４４により加熱する（Ｓ２２）。そして、温度センサ４５により検出したされたＳＰＭの排液の温度が摂氏１１５度に到達すれば、制御部２０によるヒータ４４の制御が開始され、第２タンク２２内のＳＰＭの排液の温度が第１の温度である摂氏１２５度に温度制御される（Ｓ２３）。

第１タンク２１および第２タンク２２において上述した動作が完了すれば、再度、個別配管２３における開閉弁２５を開放し、個別配管２４における開閉弁２６を閉鎖することにより、基板処理装置２における各処理ユニット１１からのＳＰＭの排液の導入先を第２タンク２２から第１タンク２１に切り替える。そして、第１タンク２１および第２タンク２２において上述した動作と同様の動作を、第１タンク２１と第２タンク２２とに対して交互に繰り返すことにより、基板処理装置２における各処理ユニット１１からＳＰＭの排液の処理動作を継続して実行する。

なお、上述した第１の温度は、ＳＰＭの排液が所定の反応を起こしつつ、その余反応によっても排液処理装置１の耐熱温度（例えば、摂氏１６０度）を超えない温度である必要がある。この場合には、第１の温度は、例えば、摂氏１２０度以上、摂氏１３０度以下の温度である。

また、この第１の温度は、ＳＰＭの排液が、その余反応によっても温度制御される加熱温度以上には上昇しない温度であることがより好ましい。この場合には、第１の温度は、例えば、摂氏１２０度以上、摂氏１２５度以下の温度である。

さらに、上述した第２の温度は、排液処理装置１の耐熱温度以下の温度である必要がある。

なお、上述した実施形態においては、第１タンク２１および第２タンク２２という２個のタンクを使用してＳＰＭの排液の処理を実行しているが、３個以上のタンクを使用してＳＰＭの排液の処理を実行してもよい。また、貯留モード（第１モード）と分解モード（第２モード）とを並行して実行しない場合においては、単一のタンクを使用してＳＰＭの排液の処理を実行してもよい。

また、上述した実施形態においては、基板処理装置２における各処理ユニット１１が、円板状の基板Ｗを処理する場合について説明したが、対象となる基板Ｗは、液晶表示装置用基板等の角型の基板であってもよい。

１排液処理装置
２基板処理装置
１１処理ユニット
１２スピンチャック
１３処理液供給部
２０制御部
２１第１タンク
２２第２タンク
２５開閉弁
２６開閉弁
３３循環ポンプ
３４ヒータ
３５温度センサ
３６開閉弁
４３循環ポンプ
４４ヒータ
４５温度センサ
４６開閉弁
５２ドレンタンク
５４冷却ユニット
６３蒸気集合部
６４ドレンタンク
６５排液ユニット
６６排気ユニット
Ｗ基板

Claims

基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を処理する排液処理装置であって、
前記排液の貯留部と、
基板の処理に伴って前記基板処理装置より排出される排液を前記貯留部に導入する排液管路と、
前記貯留部に貯留された排液を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段を制御することにより、前記貯留部に貯留された排液を第１の温度まで加熱した後、前記第１の温度より高い第２の温度まで加熱する加熱制御手段と、
を備え、
前記加熱制御手段は、前記基板処理装置より排液が排出される第１モード時には、前記貯留部に貯留された排液を前記第１の温度まで加熱し、前記基板処理装置より排液が排出されない第２モード時には、前記貯留部に貯留された排液を前記第２の温度まで加熱することを特徴とする排液処理装置。
基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を処理する排液処理装置であって、
前記排液を貯留するための第１タンクおよび第２タンクと、
基板の処理に伴って前記基板処理装置より排出される排液を前記第１タンクまたは前記第２タンクに交互に導入する排液管路と、
前記第１タンクに貯留された排液を加熱する第１加熱手段と、
前記第２タンクに貯留された排液を加熱する第２加熱手段と、
前記第１加熱手段または前記第２加熱手段を制御することにより、前記第１タンクおよび前記第２タンクのうち、前記排液管路により前記基板処理装置から排出される排液が導入されている側のタンク内の排液を第１の温度で加熱するとともに、前記第１タンクおよび前記第２タンクのうち、前記排液管路により前記基板処理装置から排出される排液が導入されていない側のタンク内の排液を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱する加熱制御手段と、
を備えたことを特徴とする排液処理装置。
請求項１または請求項２に記載の排液処理装置において、
前記第１の温度は、前記排液が当該排液の余反応によっても排液処理装置の耐熱温度を越えて上昇しない温度である排液処理装置。
請求項３に記載の排液処理装置において、
前記第１の温度は、前記排液が当該排液の余反応によっても前記加熱手段により温度制御される加熱温度以上には上昇しない温度であり、前記第２の温度は、排液処理装置の耐熱温度以下の温度である排液処理装置。
基板処理装置において基板の処理に供されたＳＰＭの排液を、排液を貯留するための第１タンクまたは第２タンクに選択的に導入して加熱することにより、処理を行う排液処理方法であって、
基板処理装置からの排液を前記第１タンクに導入するとともに、前記第１タンク内の排液を第１の温度で加熱する第１工程と、
基板処理装置からの排液を前記第２タンクに導入するとともに、前記第２タンク内の排液を前記第１の温度で加熱し、さらに、前記第１タンク内の排液を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱する第２工程と、前記第１タンク内の排液を排出した後、基板処理装置からの排液を前記第１タンクに導入するとともに、前記第１タンク内の排液を第１の温度で加熱し、さらに、前記第２タンク内の排液を前記第２の温度で加熱する第３工程と、
前記第２タンク内の排液を排出した後、基板処理装置からの排液を前記第２タンクに導入するとともに、前記第２タンク内の排液を第１の温度で加熱し、さらに、前記第１タンク内の排液を前記第２の温度で加熱する第４工程と、
前記第３工程と前記第４工程とを順次繰り返す第５工程と、
を備えることを特徴とする排液処理方法。