JP6234473B2 - ガス分離のための吸着剤の選択化 - Google Patents

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Description

吸着材料を使用してガス分離を行うためのシステム(又は設備)および方法が記載される。
気相ストリームからの汚染物質または不純物の除去は、石油および天然ガスの処理中によく発生するプロセスである。たとえば、多くの天然ガスストリームは、所望のCHに加えて少なくともある程度のCOを含有する。さらに、多くの精製プロセスでは、標準温度および圧力で気体であるCHおよびCOなどのさまざまな化学種を含む気相の排出が行われる。CHを含有する気相ストリームに対して分離を実施することで、制御された条件下でCOまたはNなどの不純物および/または希釈剤を除去することができる。次に、このような不純物または希釈剤は、環境への温室効果ガスの放出を減少させる別の使用への誘導など別のプロセスに誘導することができる。
特許文献1には、スイング吸着法を用いてCO、N、またはHSを除去するためのシステムおよび方法が記載されている。スイング吸着法に使用できる吸着剤の種類の1つは、DDR型ゼオライトなどの8環ゼオライトである。
特許文献2には、炭素を含有する多孔質無機膜およびそのような膜の使用方法が記載されている。多孔質で炭素を含有しない無機膜(ゼオライトなど)が、無機膜上の化学反応による炭素の堆積に好適な温度および時間条件下で、炭化水素型供給材料で処理される。次に、得られた炭素含有膜は、膜分離を行う前に、堆積温度よりも高温においてある時間維持される。この膜は、炭化水素供給材料からCO、CH、またはHなどの非凝縮性ガスを分離するのに有用であると記載されている。
特許文献3には、高選択性分離用の膜が記載されている。焼成後、SAPO−34などのモレキュラーシーブ膜が、アンモニアなどの改質剤で処理される。このように処理された膜は、膜を通過した透過物中のCH量が減少するCHからのCOの膜分離の改善に好適であると記載されている。別の改質剤として、ゼオライトの酸性部位と反応するシラン類および/またはアミン類、ならびにエタノールなどの極性化合物が記載されている。
米国特許出願公開第2008/0282885号明細書 米国特許第7,255,725号明細書 国際公開第2006/017557号パンフレット
一態様において、ガス分離を行う方法が提供される。この方法は、有効条件下で、8員環ゼオライトまたは別の8員環微孔質(細孔性又は微小孔性:microporous)材料を含む吸着剤または膜を、障壁化合物(又はバリア化合物:barrier compound)と接触させて、吸着剤または膜の選択化(selectivate)を行い、障壁化合物が、少なくとも約4.05オングストロームの最小寸法および約25オングストローム以下の最大寸法を有すること;選択化した吸着剤または膜を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、入力ガスストリームよりも第1の成分に富む第1のガスストリームを形成すること;及び入力ガスストリームよりも第2の成分に富む第2のガスストリームを収集することを含む。
別の一態様においては、スイング吸着ユニット中でガス分離を行う方法が提供される。この方法は、スイング吸着ユニット中の8員環ゼオライトまたは別の8員環微孔質材料を含む吸着剤を有効条件下で障壁化合物と接触させて、吸着剤の選択化を行い、8員環ゼオライトが、DDR型ゼオライト、ZSM−58、Sigma−1、またはそれらの組み合わせであること;選択化した吸着剤を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、入力ガスストリームよりも第1の成分に富む出力ガスストリームを形成し、接触中に、選択化した吸着剤が第2の成分の少なくとも一部を吸着すること;吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成すること;及び脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含むガスストリームを収集し、そのガスストリームが、入力ガスストリームよりも第2の成分に富むことを含む。
さらに別の一態様においては、スイング吸着ユニット(又は装置)中でガス分離を行う方法が提供される。この方法は、スイング吸着ユニット中の微孔質材料を含む吸着剤を有効条件下で障壁化合物と接触させて、吸着剤の選択化を行い、微孔質材料は、細孔であって、細孔中の任意の方向に沿って拡散可能な最大剛体球の第1の寸法を特徴とする細孔を有し、障壁化合物は、化合物の最小寸法となる第2の寸法を有し、第2の寸法が第1の寸法よりも10%〜60%の間で大きいこと;選択化した吸着剤を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、入力ガスストリームよりも第1の成分に富む出力ガスストリームを形成し、接触中に、選択化した吸着剤が第2の成分の少なくとも一部を吸着すること;吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成すること;及び脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含むガスストリームを収集し、そのガスストリームが、入力ガスストリームよりも第2の成分に富むことを含む。
種々の条件下でのガス拡散のゼロ長クロマトグラフィー結果を示す。 種々の条件下でのガス拡散のゼロ長クロマトグラフィー結果を示す。 種々の条件下でのCO吸着等温線を示している。 種々の条件下でのガス拡散のゼロ長クロマトグラフィー結果を示す。 種々の条件下でのガス拡散のゼロ長クロマトグラフィー結果を示す。 種々の条件下でのCO吸着等温線を示している。 不活性化していない吸着剤の平衡吸着に対する、選択的に不活性化した吸着剤の経時によるワーキングキャパシティを示している。 種々のアルカンの30℃における拡散係数を示している。
概要
種々の態様において、速度論的に選択的な吸着剤などの吸着剤を用いて気相ストリームの分離を改善するためのシステムおよび方法が提供される。本明細書における議論では、速度論的に選択的な吸着剤は、少なくとも1種類の第2の化合物に対する少なくとも1種類の第1の化合物の移動速度に関して異なる拡散係数を有する吸着剤を意味する。好適な吸着剤の一例は、DDR型ゼオライトなどの8員環ゼオライト吸着剤である。好適な気相ストリームは、メタン、または少なくとも1つの飽和炭素−炭素結合を含有する(気体)炭化水素などの少なくとも1種類の炭化水素と、COまたはNなどの少なくとも1種類の追加成分とを含むことができる。なんらかの特定の理論によって束縛使用とするものではないが、吸着剤の選択性は、障壁化合物が吸着材料の細孔構造に挿入される(または細孔構造を少なくとも閉鎖する)ことによって改善できると考えられる。細孔構造に入る(細孔構造を閉鎖する)ことによって、障壁化合物は、可能性のある吸着質が吸着材料中に入ることができる有効細孔入口面積および/または細孔容積に影響を与えうる。したがって、可能性のある2種類の吸着質が、吸着剤の細孔網目構造中への好適なサイズを有しうる場合でも、障壁化合物の存在が、可能性のある異なる吸着質の、吸着剤の細孔に入るおよび/または内部に移動する相対能力を変化させうる。場合により、障壁化合物は、吸着剤の表面上の層形成にも寄与しうる。場合により形成されるこのような障壁化合物の層は、吸着材料の細孔に入る(細孔を閉鎖する)潜在的吸着質の能力を変化させることもある。上記説明は化合物の吸着質中への進入の速度の変化に関連しているが、たとえば8員環ゼオライト構造に基づく膜への化合物の進入の速度を変化させるために類似の方法を使用できることにさらに留意されたい。
より一般的には、気相ストリームの分離に適した吸着剤としては、微孔質材料(ゼオライトを含む)、たとえばSAPO材料、あるいはゼオライト型フレームワーク構造中にSiおよびAl以外のフレームワーク原子を含む別の種類の構造を挙げることができる。さらに、10員環構造、12員環構造、あるいは別の数の原子の環を有する構造を有するゼオライトまたは別の微孔質材料など、別の環サイズを有するフレームワークを有する微孔質材料(ゼオライトを含む)が好適な吸着剤を形成することができる。
好ましくは、障壁化合物は、吸着剤(または膜)の細孔中に分子種が入る場合の速度を変化させることができるが、別の標的分子種の吸着(および/または膜輸送)への影響は少ない、または最小限となる。これによって、所望の吸着質化合物の吸着速度を維持しながら、別の化合物の吸着に対する選択性を改善することができる。別の実施形態において、所望の吸着質と別の化合物(または複数の化合物)との両方の進入の速度を障壁化合物によって変化させ、所望の吸着質の速度の変化を、別の化合物の速度の変化よりも小さくすることができ、それによって、所望の吸着質化合物を優先的に吸着する選択性を好都合に改善することができる。たとえば、CHおよびCは、特定の障壁化合物の存在が吸着速度に影響を与えうる化合物の例である。NおよびCOは、特定の障壁化合物の存在による吸着速度の影響が低いおよび/または最小限である化合物のである。したがって、NおよびCOは、可能性のある所望の吸着質化合物となる。
スイング吸着および膜分離プロセスにおいて、障壁化合物を用いた吸着材料の選択化によって、第2の化合物よりも第1の化合物を優先的に吸着するために吸着剤の選択性を改善することができる。たとえば、これによって、所望の炭化水素(CHまたはCなど)の生成物ストリームは、所望の炭化水素をより高い収率で含むことができ、入力ガスストリームよりも所望の炭化水素の重量パーセント値を大きくすることができる。これは、入力ガスストリームの1種類以上の別の成分(NまたはCOなど)の吸着速度よりも所望の炭化水素の吸着速度を優先的に低下させることによって実現可能である。細孔網目構造に挿入される(細孔網目構造を閉鎖する)および/または分離の改善のための障壁層を形成する障壁化合物を、たとえば、気相分離を行うためのスイング吸着装置中で使用することができる。さらに、所望の炭化水素が吸着剤中に拡散する速度を遅くすることによって、吸着剤層/材料のサイクル時間の要求を緩和することができる。これによって、大規模バルブおよび構造化吸着床の運転に必要なタイミングでの適合性をより高めることが可能な吸着および再生サイクルの実施が可能となる。膜分離用途においては、障壁化合物の存在によって、別の成分(CHなど)が膜に進入し拡散して通過する可能性と比較して、成分(COまたはNなど)が膜に進入し拡散して通過する相対的可能性が増加しうる。
好ましくは、障壁層は、吸着剤の吸着容量(または所望の透過成分)を実質的に変化させない。好ましい一実施形態においては、障壁層の存在は、吸着剤の吸着容量を40%以下だけ、たとえば20%未満だけまたは10%未満だけ低下させる。障壁層によって吸着容量がある程度低下しうるが、速度論的選択性が改善されるため、吸着剤の性能は改善されうる。
好ましくは、障壁層は、吸着剤の細孔構造にゆっくり拡散する化合物を使用して形成することができる。これによって、頻繁な再生または補充が不要となる比較的安定な層の形成が可能となる。ゆっくり拡散する化合物から障壁層を形成することによって、層は、吸着剤の中心から離れた細孔(すなわち、吸着剤の表面付近の細孔)の中または間に集中させることができる。吸着剤表面の付近または上の細孔の中または間に障壁が形成されることは、移動がすぐに阻止または遅延されることによって、したがって化学種の吸着速度が低下して吸着剤から速度論的に排除されることによって、速度論的選択性の改善に役立ちうる。所望の分離プロセスの温度において、障壁層の形成に使用される化合物の拡散係数は、好ましくは10−15/s未満、たとえば10−19/s未満または10−23/s未満であってよい。
ある好ましい実施形態においては、吸着剤は、障壁化合物を使用する前(または使用しない場合)に、第1の化合物に対して第2の化合物を優先的に吸着することができる。このような実施形態において、障壁化合物を使用することで、場合によっては、膜またはスイング吸着法における吸着剤の選択性をさらに向上させることができる。別の実施形態において、他の場合に葉第1の化合物に対する第2の化合物の吸着選択性がほとんどまたはまったくない吸着剤に障壁化合物を使用することができる。このような別の実施形態において、障壁化合物を使用することで、吸着剤系への選択的吸着を誘導することができる。
実施形態に依存するが、種々の時点で障壁層を形成するために、吸着剤に遮断化合物(blocking compound)を導入することができる。選択肢の1つでは、吸着剤結晶を合成した後で、それらの結晶を接触器または床構造に組み込む前に、遮断化合物を導入することができる。別の選択肢の1つでは、結晶が混入された吸着床を形成した後に遮断化合物を導入することができる。さらに別の選択肢の1つでは、結晶が混入された吸着床が、スイング吸着容器などの接触器の構成に使用された後で遮断化合物を導入することができる。
小さい炭化水素を含有するストリームからのCOの除去は、さまざまな理由で有益となりうる。たとえば、燃焼用燃料として使用されるストリーム中では、COは不活性希釈剤として機能することができる。燃料ストリーム中のCOが多すぎると燃焼反応が阻害されることがある。燃料として販売される天然ガスは、最大量の希釈剤の存在に対する仕様を有することが多い。ある実施形態においては、天然ガスストリーム中に存在する不活性物質の量は、好ましくは約2体積%以下となることができる。さらに、燃焼反応にCOが入り込むと、反応によって生成する温室効果ガスが増加しうる。Nも燃焼中に不活性希釈剤として機能することができるので、メタン含有ストリーム(または小さな炭化水素を含有する別のストリーム)からNを除去することも有益となりうる。燃料ストリーム中の希釈剤としての機能に加えて、多量のCOおよび/またはNは、天然ガスストリームなどのメタン含有ストリームの液化の困難さを増加させることができる。
分離プロセス
本発明は、膜およびスイング吸着法に利用することができる。膜は、吸着材料から形成することができる。たとえば水熱合成プロセスによってゼオライト膜を製造することができる。ゼオライトは、混合マトリックス膜中に混入することもできる。膜分離プロセスにおいて、供給材料混合物(通常は気相)の流れが、膜の一方の側の上の通過することができる。膜は、一部の化学種を膜の反対側に選択的に移動させることができ、これはより低い圧力での維持、または除去のいずれかが可能である。膜を優先的に透過する化学種は、重質成分と呼ばれ、供給側に優先的に維持される化学種は軽質成分と呼ばれる(それらの相対モル質量とは無関係である)。膜を通過する分子の移動速度は、速度論および平衡吸着によって決定されうる。選択化によって速度論的選択性を向上させることで、たとえば軽質成分の維持、したがって回収を改善することができる。
すべてのスイング吸着法は、供給混合物(通常は気相)が吸着剤の上を流れ、あまり吸着しない成分よりも吸着しやすい成分が優先的に吸着剤に吸着される吸着ステップを有する。ある成分は、吸着剤の速度特性または平衡特性のためにより容易に吸着されうる。吸着剤は典型的には、スイング吸着ユニットの一部である接触器中に収容することができる。接触器は典型的には、計画されて構造化された吸着床または粒子吸着床を有することができる。床は、本発明の吸着剤、および別の材料、たとえば別の吸着剤、メソ細孔充填材料、および/または吸着および脱着の熱による温度の逸脱を緩和するために使用される不活性材料を含有することができる。スイング吸着ユニット中の別の構成要素としては、バルブ、配管、タンク、および別の接触器を挙げることができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。
吸着剤再生方法によって、スイング吸着法の種類が指定される。圧力スイング吸着(PSA)プロセスは、加圧下のガスが微孔質吸着材料の細孔構造中に吸着されやすいことに依拠している。通常、圧力が高いほど、吸着される標的ガス成分の量が多くなる。圧力が低下すると、吸着した標的成分が通常は放出され、すなわち脱着する。吸着剤平衡特性または速度論的特性のいずれかのために異なるガスは吸着剤のミクロ細孔または自由体積を異なる程度で充填する傾向にあるので、PSAプロセスは、ガス混合物のガスの分離に使用することができる。温度スイング吸着(TSA)プロセスも、加圧下のガスが、微孔質吸着材料の細孔構造中に吸着されやすいことに依拠している。吸着剤の温度が上昇すると、吸着したガスは通常は放出され、すなわち脱着する。吸着床の温度を周期的にスイングすることによって、TSAプロセスは、ガス混合物中の1種類以上の成分に対して選択的な吸着剤とともに使用される場合に、混合物中のガスの分離に使用できる。分圧パージ置換(Partial pressure purge displacement)(PPSA)スイング吸着法は、パージによって吸着剤を再生する。急速サイクル(RC)スイング吸着法は、短時間でスイング吸着法の吸着ステップが完了する。速度論的に選択的な吸着剤の場合、急速サイクルスイング吸着法の使用が好ましいことがある。サイクル時間が長くなりすぎると、速度論的選択性が失われることがある。これらのスイング吸着プロトコルは、別々にまたは組み合わせて実施することができる。組み合わせて使用できるプロセスの例は、RCPSA、RCTSA、PTSA、およびPPTSAである。選択化は、すべてのスイング吸着法の性能を改善するために使用することができる。
スイング吸着法は、多種多様のガス混合物から種々の標的ガスを除去するために使用することができる。本明細書において使用される場合、「軽質成分」は、プロセスの吸着ステップ中に吸着剤によって優先的に取り込まれない化学種または分子成分である。逆に、本明細書において使用される場合、「重質成分」は、プロセスの吸着ステップ中に吸着剤によって優先的に取り込まれる化学種または分子成分である。
本明細書に記載の選択化方法は、速度論的制御型スイング吸着法を改善することができ、たとえば、軽質成分の回収を増加させることができる。速度論的制御型スイング吸着法では、選択性の少なくとも一部(好ましくは大部分)は、軽質種の吸着剤のミクロ細孔および自由体積中の輸送拡散係数が重質種の値よりも小さいために付与することができる。また、8員環ゼオライト吸着剤などの微孔質吸着剤を用いる速度論的制御型スイング吸着法において、拡散選択性は、吸着剤のミクロ細孔中の拡散の差によって、および/または吸着剤を構成する結晶または粒子の中の選択的拡散表面抵抗によって生じうる。速度論的制御型スイング吸着法は、吸着剤の平衡吸着特性が選択性を制御する傾向にある平衡制御型スイング吸着法とは対照的である。速度論的選択性の改善は、たとえば、スイング吸着法によって実現される、プロセスに導入される軽質成分の全回収率が、約80mol%を超える、たとえば、約85mol%を超える、約90mol%を超える、または約95mol%を超えることが可能となるような場合であってよい。軽質成分の回収率は、生成物ストリーム中の軽質成分の時間平均モル流量を、供給ストリーム中の軽質成分の時間平均モル流量で割ったものとして定義することができる。同様に、重質成分の回収率は、生成物ストリーム中の重質成分の時間平均モル流量を、供給ストリーム中の重質成分の時間平均モル流量で割ったものとして定義することができる。
2種類以上の汚染物質を同時に除去可能であるが、便宜上、選択的吸着によって除去される成分は、通常、本明細書において単一のものとして言及され、汚染物質または重質成分と記載される。
本明細書に記載の選択化方法によって、吸着材料の速度論的選択性を改善することができ、これは、適切な設計を行うことで、速度論的制御型スイング吸着法および/または膜分離プロセスにおける所望の成分回収率が改善されると言い換えることができる。
吸着剤接触器および床
本明細書において使用される場合、用語「吸着剤接触器」は、構造化された吸着剤接触器および構造化されていない吸着剤接触器の両方を含む。吸着剤接触器は、供給ガスを吸着剤と接触させるスイング吸着ユニットの部分である。TSAプロセスにおいて、接触器は、加熱および冷却チャネルなど、吸着剤の加熱および冷却を行う手段を有することができる。各接触器は1つ以上の吸着床を有することができる。床は、吸着剤を有する接触器の区画または部分である。それぞれの床は、1種類の吸着剤、または異なる吸着剤の混合物を含有することができる。接触器中のすべての床が同じ吸着剤を含有する必要は無い。
ある実施形態においては、接触器中の床は、少なくとも固体の不活性粒子と吸着剤を含有するペレットとを含有する充填材を含むことができる。不活性粒子は、吸着および脱着の熱の管理を促進するために床に混入することができる。吸着剤を含有するペレットは、典型的には、吸着剤粒子、細孔、およびバインダーを含むことができる。ペレットは、噴霧乾燥または押出成形プロセスで形成できることが多い。不活性粒子は、通常約100ミクロン〜約10cmの範囲の寸法を有することができるが、設計に依存してあらゆる好適な粒子寸法を使用することができる。吸着剤を含有するペレットは、通常約250ミクロン〜約1cmの範囲の寸法を有することができるが、この場合も設計に依存してあらゆる好適な粒子寸法を使用することができる。物質移動は、より小さなサイズのペレットを用いる事で改善できるが、サイズの減少とともに床通過の圧力低下が増加する傾向が生じることがある。
設計された吸着剤接触器の一例は平行チャネル接触器であり、これは種々のスイング吸着法での使用に好適となりうる。平行チャネル接触器を構成する吸着剤接触器の構造は、吸着剤または他の活性材料が保持される固定面を含むことができる。平行チャネル接触器は、吸着ビーズまたは押出成形された吸着剤粒子が収容された容器などの従来のガス分離方法に対して大きな利点を得ることができる。「平行チャネル接触器」は、床中に構造化された(設計された)吸着剤を含み実質的に平行の流動チャネルを有する吸着剤接触器の1つとして本明細書において規定される。これらの流動チャネルは種々の手段によって形成することができる。吸着材料以外に、床構造は、限定するものではないが支持材料、ヒートシンク材料、および空隙減少構成要素などの1種類以上の要素を有することができる。
平行接触器チャネルを有するスイング吸着装置において、チャネルの壁は、吸着剤、たとえば均一サイズの8環ゼオライト結晶を含有することができる。接触器中の床は、圧力スイング吸着法の吸着および脱着ステップの両方の間に接触器の吸着剤の加熱および冷却の制御に役立つ熱質量(伝熱)材料を場合により含有することができる。吸着中の加熱は、吸着剤に入った分子の吸着熱によって生じうる。任意選択の熱質量材料は、脱着ステップ中の接触器の冷却の制御にも役立ちうる。熱質量は、接触器中の床の流動チャネル中に組み込んだり、吸着剤自体に組み込んだり、および/または流動チャネルの壁の一部として組み込んだりすることができる。吸着剤中に組み込まれる場合、それは吸着剤層全体に分布する固体材料であってよいし、および/または吸着剤中の層として含んでもよい。流動チャネルの壁の一部として組み込まれる場合、吸着剤を壁の上に堆積または形成することができる。本発明の実施における熱質量材料としてあらゆる好適な材料を使用することができる。このような材料の非限定的な例としては、金属、セラミックス、よびポリマーが挙げられる。好ましい金属の非限定的な例としては、鋼、銅、およびアルミニウム合金が挙げられる。好ましいセラミックスの非限定的な例としては、シリカ、アルミナ、およびジルコニアが挙げられる。本発明の実施に使用できる好ましいポリマーの一例はポリイミドである。
吸着ステップ中に温度上昇の制限される程度に依存するが、使用される熱質量材料の量は、接触器の微孔質吸着剤の質量の約0.1〜約25倍、たとえば約0.25〜5倍、約0.25〜2倍、または約0.25〜1倍の範囲であってよい。好ましい一実施形態においては、有効量の熱質量を接触器中に組み込むことができる。有効量の熱質量は、吸着ステップ中の吸着剤の温度上昇を約100℃未満、たとえば約50℃未満または約10℃未満に維持する野に十分な量であってよい。
「流動チャネル」または「ガス流動チャネル」と記載される場合もある接触器中のチャネルは、ガスが中を流れる接触器中の通路である。一般に、流動チャネルは、比較的低い流体抵抗と比較的広い表面積とを得ることができる。流動チャネル長さは、好都合には物質移動ゾーンを得るのに十分な長さであってよく、その長さは少なくとも流体速度、および表面積とチャネル容積との比の関数となりうる。チャネルは、チャネルの長さに沿った圧力低下が最小限となるように構成することができる。多くの実施形態において、接触器の第1の末端においてチャネルに入る流体流の一部は、第2の末端から出た後に再合流するまでは、第1の末端で別のチャネルに入るあらゆる別の流体の一部と連絡しない。平行チャネル接触器において、(実質的にすべての)チャネルが効率的に利用され、物質移動ゾーンが実質的に等しく構成されるようにするため、床中のチャネルの均一性が重要となりうる。過度のチャネルの不一致がある場合には、生産性およびガスの純度の両方が低下することがある。ある流動チャネルが隣の流動チャネルよりも大きい場合、透過生成物の破過が起こることがあり、それによって生成ガスの純度が低下することがあり、場合によっては許容できない純度レベルになることがある。さらに、約50サイクル/分(cpm)を超えるサイクル頻度で運転される装置は、より少ないサイクル/分で運転される場合よりも、流動チャネル均一性および少ない圧力低下に対する要求が高くなりうる。さらに、床での圧力低下が大きすぎると、3cpmを超える程度などのより高いサイクル頻度を容易に実現できなくなる。
平行チャネル接触器中の床の寸法および幾何学的形状としては、スイング吸着法の装置への使用に好適なあらゆるものを挙げることができる。幾何学的形状の非限定的な例としては、モノリスの一端から他端まで延在する複数の実質的に平行のチャネルを有する種々の形状のモノリス;複数の管部材;各シートの間にスペーサーを有するおよび有さない吸着剤シートの積層体;多層スパイラルロール;中空繊維の束;および実質的に平行の中実繊維の束が挙げられる。吸着剤を、これらの幾何学的形状の上にコーティングすることができるし、または多くの場合では、これらの形状は吸着材料と好適なバインダーとから直接形成することもできる。吸着剤/バインダーから直接形成される幾何学的形状の一例は、ゼオライト/ポリマー複合材料の押出成形で得られるモノリスであってよい。吸着剤から直接形成される幾何学的形状の別の例は、ゼオライト/ポリマー複合材料から製造される押出成形または紡糸による中空繊維であってよい。吸着剤がコーティングされる幾何学的形状の一例は、微孔質で低メソ細孔の吸着剤フィルム、たとえばゼオライトフィルムをコーティングした薄い平坦な鋼シートであってよい。直接形成されるまたはコーティングされる吸着剤層自体を構造化して、複数の層あるいは同じまたは異なる吸着材料を得ることができる。多層吸着剤シート構造は、たとえば、米国特許出願公開第2006/0169142号明細書(参照により本明細書に援用される)に記載されている。
流動チャネルの寸法は、流動チャネルに沿った圧力低下を考慮して計算することができる。流動チャネルは、約5ミクロン〜約1mm、たとえば、約50ミクロン〜約250ミクロンのチャネル間隙を有することが好ましい場合がある。本明細書において使用される場合、流動チャネルの「チャネル間隙」は、流路と直交して見た場合に流動チャネルの最小寸法に沿った線の長さとして定義される。たとえば、流動チャネルの断面が円形である場合、チャネル間隙はその塩の内径である。しかし、チャネル間隙の断面が長方形である場合、流れの間隙は、長方形の2つの長辺に対して垂直でありそれらを接続する線の距離(すなわち、長方形の短辺の長さ)である。流動チャネルは、あらゆる断面形状であってよいことにも留意すべきである。ある好ましい実施形態においては、流動チャネルの断面形状は円形、長方形、正方形、または六角形であってよい。しかし、限定するものではないが楕円、卵形、三角形、種々の多角形、またはさらには不規則な形状などのあらゆる幾何学的断面形状を使用することができる。別の好ましい実施形態においては、吸着剤接触器中の吸着剤の体積と流動チャネルの容積との比は約0.5:1〜約100:1、たとえば約1:1〜約50:1であってよい。
ある用途においては、流動チャネルは、吸着剤シートを互いに積層することによって形成することができる。通常、吸着剤積層体の用途では、約0.5センチメートル〜約10メートル、たとえば約10cm〜約1メートルの流動チャネル長さ、および約50ミクロン〜約450ミクロンのチャネル間隙を有することができる。チャネルは、スペーサー、またはスペーサーとして機能するメッシュを有することができる。積層された吸着剤の場合、吸着剤積層体の間の分離を画定する構造または材料であるスペーサーを使用することができる。本発明において使用できるスペーサーの種類の非限定的な例としては、プラスチック、金属、ガラス、または炭素のメッシュ;プラスチックフィルムまたは金属箔;プラスチック、金属、ガラス、セラミック、または炭素の繊維および糸;セラミックの柱;プラスチック、ガラス、セラミック、または金属の球、または円板;あるいはそれらの組み合わせまたは複合材料から構成される寸法的に正確なものが挙げられる。吸着剤積層体は、最大で少なくとも約150cpmのPSAサイクル頻度で運転される装置に使用することができる。流動チャネル長さは、サイクル速度と相関する場合がある。約20cpm〜約40cpmなどのより低いサイクル速度では、流動チャネル長さは1メートル以上、さらには最長約10メートルの長さであってよい。約40cpmを超えるサイクル速度の場合、流動チャネル長さは、通常は減少させることができ、たとえば約10cm〜約1メートルで変動させることができる。より長い流動チャネル長さは、より遅いサイクルのPSAプロセスに使用することができる。RCTSAプロセスは、RCPSAプロセスよりも遅くなる傾向にあるので、より長い流動チャネル長さをTSAプロセスに使用することもできる。
一実施形態において、スイング吸着ユニット中の接触器中の少なくとも1つの床は選択化した吸着剤を含有することができる。種々の実施形態において、接触器の床中に含まれる吸着剤の大部分の選択化を行うことができる。
ガス供給材料および吸着材料
本明細書に記載の分離方法を使用して、種々の気相供給材料の分離を行うことができる。気相供給材料の一例としては、天然ガス供給材料またはストリーム、たとえば石油生産拠点で生産される天然ガス供給材料、あるいは天然ガス供給材料またはストリームが挙げられる。天然ガス供給材料は、通常、メタン、場合によりC−C炭化水素などの一部のより大きな炭化水素、CO、ならびに場合によりN、HS、HO、およびメルカプタン類などの1種類以上のさらなる成分を含有する。天然ガス供給材料は、製造拠点で天然ガスを抽出するプロセスの一部として導入される1種類以上の物質を含有する場合もある。このような物質の非限定的な例としては、グリコール、たとえばエチレングリコール、アミン、たとえばメチルジエチルアミン、二硫化ジメチル、およびそれらの組み合わせを挙げることができる。
吸着剤または膜の選択化によって得られる軽質成分の回収の改善は、天然ガスストリーム、特に高圧天然ガスストリームから不純物を除去するために使用されるプロセスにおいて有用となりうる。天然ガス処理における操作性に対して実用的な高圧で、「重質成分」とも呼ばれる不純物、および「軽質成分」とも呼ばれるメタンに富む生成物を回収することが望ましくなりうる。実施形態に依存するが、比較的高い入口圧力、たとえば約50psig(約350kPag)を超え、たとえば、少なくとも約150psig(約1.0MPag)、少なくとも約450psig(約3.1MPag)、少なくとも約600psig(約4.1MPag)、または少なくとも約1200psig(約8.3MPag)で天然ガスが供給される場合でさえも、選択化した吸着剤を用いたスイング吸着法を使用して、約80mol%を超える、たとえば、約85mol%を超える、約90mol%を超える、または約95mol%を超えるメタン回収率を得ることができる。地下ガス田から直接得られる天然ガスストリーム(生天然ガス)の組成は、ガス田間で変動しうる。住宅用および市販燃料市場に販売するためにパイプライン中に導入可能なガスを生産するために、N、Hg、メルカプタン類、ならびに酸性ガスのCOおよびHSなどの汚染物質は、許容得きるレベルで除去すべきである。それらのレベルおよび不純物の種類は、ガス田間で変動し、場合によっては、生産されたガス中の分子の大部分を構成することがある。たとえば、ある天然ガス田では約0〜約90mol%のCO、より典型的には約10mol%〜約70mol%のCOを含有することが珍しくない。
好適な気相供給材料の別の例としては、精製プロセスで得られる煙道ガスおよび/または燃料ガスを挙げることができる。種々のプロセスによって、COおよびCHなどの小さい炭化水素を含む煙道ガスおよび/または燃料ガスが生成されうる。煙道ガス/燃料ガスの供給源に依存するが、これはHS、H、N、HO、および/または標準条件で気相である他の成分をも含有することができる。COおよびNなどの成分は、このような煙道ガスおよび/または燃料ガスストリームの価値を低下させる希釈剤として機能しうる。
気相ストリームの価値を改善するために、分離を行って少なくとも2つの生成物ストリームを得ることができる。軽質成分に該当する第1の生成物ストリームは、所望の生成物、たとえばCHおよび/または別の炭化水素、たとえば一般に別の炭化水素、4個以下の炭素原子を有する別の炭化水素、または3個以下の炭素原子を有する炭化水素を多く含むことができる。好ましくは、別の炭化水素は、少なくとも1つの飽和炭素−炭素結合を有することができる。重質成分に該当する第2の生成物ストリームは、COおよび/またはNなどの1種類以上の除去される成分を多く含むことができる。
分離を行う方法の1つは、気相ストリームの1種類以上の成分を優先的にまたは選択的に吸着できる吸着材料に入力ストリームを曝露することである。吸着の差は、平衡または速度論のいずれかによるものであってよい。平衡における差は、競合吸着等温線で反映されることがあり、および/または単一成分の等温線から推定することができる。速度論における差は、拡散係数に反映されうる。選択性の実質的な部分が速度の差によって生じるプロセスは、典型的には速度論的分離と呼ばれる。速度論的分離の場合、吸着ステップの時間は、好ましくは供給ストリームと平衡しないのに十分な短さであってよい。一例として、比較的大きな細孔(>5Åの平均孔径)のカチオンゼオライトは、COがCHに優先して吸着できる平衡選択性を有することができ、一方、比較的小さい細孔(<3.8Åの平均孔径)のカチオンゼオライトは、COがCHに優先して吸着できる速度論的選択性を有することができる。ゼオライト吸着剤を用いて作製した接触器を使用して、COおよびCHを含有する入力ガスストリームからCOを選択的に吸着して、その結果CHに富む出力ストリームを得ることができる。速度論的吸着剤の場合、吸着ステップの時間は、ゼオライトの結晶サイズおよびCHの拡散係数によって設定することができる。このような速度論的吸着剤の再生は、圧力スイング、温度スイング、パージ、および/または置換によって行うことができる。COを弱く吸着する(すなわち、比較的平坦な吸着等温線)速度論的吸着剤を使用することで、再生を促進することができる。高シリカゼオライト(Si/Al比>約100)は、多くの場合これらの種類の弱い等温線を有しうる。再生プロセスは、通常、COが多くCHなどの炭化水素が少ないストリームを生成することができる。
吸着剤ゼオライト(または別の吸着材料)の選択において考慮すべきことの1つは、所望の分離のための選択性であってよい。他の記載がなければ、本明細書において使用される用語「スイング吸着選択性」は、供給ストリーム中の成分のモル濃度、および特定のシステム運転条件および供給ストリーム組成におけるプロセスサイクルの吸着ステップ中に特定の吸着剤によって吸着されるこれらの成分の全モル数の二元(組での)比較に基づく。このスイング吸着選択性の規定は、圧力および/または温度スイング吸着の種類などのスイング吸着法の一部であるプロセスサイクルに好適となりうる。選択性を規定するために、供給材料中の成分の取り込み値を求めることができる。少なくとも成分AおよびBを含有する供給材料の場合、成分AおよびBの吸着取り込み値は:U={スイング吸着法の吸着ステップ中の吸着剤中のAの全モル数の変化}/{供給材料中のAのモル濃度};およびU={スイング吸着法の吸着ステップ中の吸着剤中のBの全モル数の変化}/{供給材料中のBのモル濃度}として定義でき、ここでUは成分Aの吸着取り込みを表し、Uは成分Bの吸着取り込みを表す。
成分A、成分B、および場合により1種類以上の追加成分を含有する供給材料の場合、成分Aに対する「選択性」が成分Bよりも高い吸着剤は、スイング吸着法サイクルの吸着ステップの終了時にUよりも大きいUの値を一般に有することができる。したがって、選択性は:スイング吸着選択性=U/U(U>Uの場合)と定義することができる。主として速度論的に選択的な吸着剤の場合、スイング吸着選択性はサイクル時間に依存しうる。そのような場合、吸着が長い、したがってサイクル時間が長いと、スイング吸着選択性が低下しうる。
以上に基づいて、好適な吸着剤は、好適なスイング吸着ユニット中、第1の成分(たとえば、成分A)の第2の成分(たとえば、成分B)に対するスイング吸着選択性が1を超えるサイクル時間で使用することができる。たとえば、CHをCOから分離するために好適な吸着剤は、CO(成分A)のCH(成分B)に対する吸着の場合にスイング吸着選択性が1を超えることができる。選択化後、第1の成分の第2の成分に対するスイング吸着選択性は少なくとも約5、たとえば少なくとも約10となることができる。ある選択化では、第1の成分の第2の成分に対するスイング吸着選択性が少なくとも25、たとえば、少なくとも100となることができる。
成分の例としては、分子窒素(N)、二酸化炭素(CO)、硫化水素(HS)、およびメタン(CH)を挙げることができる。上記定義によると、メタンは潜在的な「第2の成分」に対応する成分となり、一方、窒素、二酸化炭素、またはそれらの組み合わせは、「第1の成分」として潜在的に選択されものとなる。選択肢の1つでは、COのCHに対するスイング吸着選択性が少なくとも5、たとえば、少なくとも10、少なくとも25、または少なくとも100となるように、吸着剤(および/または対応する好適なスイング吸着ユニット)の選択化を行うことができる。これに加えて、またはこれとは別に、NのCHに対するスイング吸着選択性が少なくとも5、たとえば、少なくとも10または少なくとも25となるように吸着剤の選択化を行うことができる。さらにこれに加えて、またはこれとは別に、上記成分の2つ以上の組み合わせのCHに対するスイング吸着選択性が少なくとも5、たとえば、少なくとも10または少なくとも25となるように吸着剤の選択化を行うことができる(たとえば、このような状況において、第1の成分は、CO、N、またはHSから選択することができ、第2の成分はCHであってよい)。すべての場合で、選択化によって、吸着剤のスイング吸着選択性を好都合に増加させることができる。
平衡選択性は、吸着剤の選択の要因の1つとして使用することもできる。本明細書に記載の方法によって、吸着剤のスイング吸着選択性を増加させることができる方法で速度論的選択性が平衡選択性に付け加えられる。平衡選択性は、移動の長時間測定に基づいて、または低速サイクル性能に基づいて特徴付けることができる。たとえば、8員環DDR型ゼオライト吸着剤を用いたCOの約40℃における吸着の場合、COは、約10ミクロンサイズの結晶で約0.5秒〜約10秒の時間スケール(オーダー)で吸着分子の平衡レベルに到達することができる。このオーダーの記述の場合、吸着の平衡レベルの到達は、平衡吸着濃度の約5%の範囲内、たとえば約2%の範囲内として定義される。CHの場合、吸着分子の平衡レベルは、通常御、数十秒のオーダーの時間スケールで到達しうる。言い換えると、平衡吸着濃度は、約2秒〜約200秒の間の時間で到達しうる。急速サイクル圧力および/または温度スイング吸着法などの比較的速いサイクル時間を有するスイング吸着法において、吸着ステップの時間は、CHが吸着分子の平衡レベルに到達する時間スケールと同等(または場合によってはより短く)なりうる。結果として、数十秒以下のオーダーのサイクル時間を有するスイング吸着法において、COおよびCHの吸着は、たとえば10ミクロンサイズのDDR吸着剤の場合異なる要因の影響を受けることがある。スイング吸着サイクルの時間スケールはCO吸着の平衡の時間スケールに対して長くなりうるので、CO吸着は、平衡吸着とより類似性の高い特性を有することができる。対照的に、スイング吸着法の時間スケールはCHが平衡に到達する時間スケールとほぼ同等となりうるので、速度論的吸着要因は、CH吸着の場合により大きな影響を与えうる。結果として、CH吸着を緩和しプロセスの許容範囲を改善することによって(吸着ステップで消費される許容時間を増加させることによって)、速度論的選択性を増加させるために、選択化を使用することができる。CHよりも速い時間スケールで平衡吸着に到達するので、NはCOと同様となりうる。
天然ガス、またはメタンおよび/または別のC−C炭化水素を含有する別のガスストリームから、CO、N、および/またはHSを除去するための、好適な吸着材料の例としては、COおよび/またはNを供給ストリームから分離するために選択化によって改善できる速度論的選択性を有する8員環ゼオライト材料を挙げることができる。スイング吸着法で使用可能案この種類の材料の好適な8員環ゼオライトの一例はゼオライトDDRである。8員環ゼオライトの別の例としては、Sigma−1およびZSM−58が挙げられ、これらはDDRと同形のフレームワーク構造を有する。8員環ゼオライト材料は約1:1〜約10000:1、たとえば約10:1〜約5000:1または約50:1〜約3000:1のSi/Al比を有することができる。
DDRなどの8員環ゼオライトは、ウィンドウ(細孔)サイズが3〜4オングストローム程度である細孔チャネルを典型的には有することができる。たとえば、DDR型ゼオライトのウィンドウ(細孔)サイズは約3.65オングストロームである。比較的直線状の構造を有するCOおよび/またはNなどの分子は、このようなウィンドウサイズを有する細孔中で、メタンなどのより嵩高い分子よりも迅速に拡散することができる。別の一例として、メチルジエチルアミンの最小寸法は5オングストロームをわずかに下回る。
ある実施形態においては、好適な8環ゼオライト材料は、COをゼオライト結晶中に迅速に移動させることができるが、メタンの移動は妨害し、そのためCOおよびメタンの混合物からCOを選択的に分離することができる。選択化を用いることで、スイング吸着選択性を好都合に改善することができる。
本発明における使用に好適な8環ゼオライトは、COおよびメタンの有効単一成分拡散係数の比(すなわち、DCO2/DCH4)は10を超えることができ、たとえば、約50を超えることができ、または約100を超えることができるような方法で、8環ウィンドウを介してCOを内部細孔構造に到達させることができる。天然ガスの分離におけるサイクル性能の別の考慮すべきことは、絶対メタン拡散率であってよく、このような速度論的に制御される分離においてメタンは軽質成分である。サイクルスイング吸着法における吸着ステップの長さと組み合わせると、絶対メタン拡散率は、COおよびCH含有するガス混合物の速度論的に制御された分離におけるメタン回収率に大きな影響を与えうる。前述のように、この回収率を最大化することが好都合となりうる。プロセスモデル化によって、メタンの吸着が多すぎて回収目標に悪影響が生じるのを回避するために、約15ミクロンサイズの結晶を用いて作製した接触器中での約4秒の長さの吸着ステップを有するサイクルの場合、プロセス条件における結晶の有効メタン拡散率は、好ましくは約3×10−13/s未満となりうることが示された。別のサイクル時間および/または別の寸法の結晶の場合、メタン拡散率DCH4は好ましくは
CH4<3×10−13×[tadsorb/(4秒)]×(dcrystal/(15ミクロン)]{単位m/s}
で規定することができ、式中、tadsorbは、秒の単位での吸着ステップの時間であり、dcrystalは、結晶を通過する移動のミクロンの単位での特性寸法である。メタン拡散率のこれらの条件は、合成可能な8環ゼオライト結晶のサイズ、合成時の結晶拡散率、および接触器に実際に使用可能な結晶サイズの組み合わせに常に適合できるわけではない。選択化によって、有効メタン拡散係数を実際の接触器の目標範囲まで下げながら、DCO2/DCH4の比を保存および/または増加させることができる。軽質成分の絶対拡散率の範囲の考慮は、別のガス混合物の速度論的に制御された分離の場合と同一となりうる。性能の試験可能な測定を行うために、有効拡散係数(たとえば、COおよびCHの有効拡散係数)を、吸着剤の吸着等温線のヘンリーの法則のレジームで純粋なガスについて測定される輸送拡散係数の代わりに使用することができる。ヘンリーの法則のレジームにおいては、選択化していない吸着剤(たとえば、ゼオライト)中の分子の充填量が少なくなる場合があり、このレジームにおいて、フィックの拡散係数およびStephan−Maxwellの拡散係数がほぼ等しくなりうる。特定の収着質の場合の多孔質結晶材料の有効拡散率は、その拡散時間定数D/rに関して好都合に測定でき、ここでDはフィックの拡散係数(m/s)であり、値「r」は拡散距離を特徴付ける微結晶の半径(m)である。結晶のサイズおよび形状が均一ではない状況では、「r」は、それらの対応する分布を代表する平均半径を表す。時間定数および拡散係数を測定する方法の1つは、J.Crank,“The Mathematics of Diffusion”,2nd Ed.,Oxford University Press,Great Britain,1975に記載される方法を用いて標準吸着速度論(すなわち、重量測定による取り込み)を解析する方法であってよい。時間定数および拡散係数を測定する別の方法は、D.M.Ruthven in“Principles of Adsorption and Adsorption Processes”,John Wiley,NY(1984)およびJ.Karger and D.M.Ruthven ,“Diffusion in Zeolites and Other Microporous Solids”,John Wiley,NY(1992)に記載される方法を用いて、ゼロ長クロマトグラフィーデータを解析する方法であってよい。
拡散係数を求めるための別の方法は、サイクル単一成分圧力スイング吸着ユニットにおける吸着および脱着の時間定数を測定することであってよい。このようなユニット中、吸着剤は、純粋な単一成分ガスで周期的に加圧および減圧が行われる。対象の各成分(たとえばCO、CH4、N、およびHe)を別々に調べることができる。収集したデータの解釈を簡単にするために、Heを用いた測定が使用されることが多い。加圧は、バルブを動かして加圧タンクと吸着剤を保持するセルとを接続し、次にそのバルブを閉じることで行うことができる。減圧は、別のバルブを動かして低圧タンクと吸着剤を保持するセルとを接続し、次にそのバルブを閉じることで行うことができる。サンプルから吸着および脱着されるモル数は、タンクおよびセルの圧力、容積、および温度の測定から求めることができる。加圧および減圧ステップの後にタンク圧力を再設定することで、連続サイクルプロセスを行うことができる。取り込みの時間定数は、線形推進力(LDF)近似を用いて有効拡散係数に変換することができる。たとえば、吸着剤が均一な直径を有する等方性媒体として扱われる場合、LDF物質移動係数(s−1):τ(LDF)≒16.2×Deffective×(dcrystal/2)となりうる。この近似は、一般にスイング吸着法のモデル化に使用される。
これに加えて、またはこれとは別に、前述の8環ゼオライトは、メタンからの窒素の分離、またはより一般的にはガスストリーム中のC−CまたはC−C炭化水素からの窒素の分離の場合の速度論的選択性を増加させるために選択化を行うことができる。好適な8環材料の速度論的選択性が改善されることで、Nがゼオライト結晶中に迅速に移動することができ、同時にメタン(または別の小さな炭化水素)の移動を阻害することができ、それによってNおよびメタンの混合物からNを選択的に分離することが可能となる。Nを除去する場合、選択化した吸着剤におけるNおよびメタンの有効単一成分拡散係数の比(すなわち、DN2/DCH4)は、5を超える、たとえば、約20を超える、約50を超える、または約100を超えることができる。実施形態に依存するが、メタン拡散率の絶対値の考慮事項は、前述と類似のものであってよい。
吸着材料の選択化
吸着材料の異なる調製によって、大きく異なる拡散係数を有することができる。同じ調製技術を用いる場合でさえも、拡散係数は場合によりバッチ間で変動しうる。このことはゼオライトの場合に特に言える。選択化は、軽質成分の回収に悪影響が生じうる軽質成分の拡散率のばらつきを緩和する方法を提供することができる。
選択化プロセスは、多種多様の吸着材料に利用することができる。選択化プロセスはゼオライト吸着剤を用いて説明することができるが、別の種類のフレームワーク原子および/または別の環構造を有する微孔質材料の選択化も可能であることを理解されたい。ゼオライトは、多くの場合で構造指向剤が使用される水熱合成プロセスで通常は成長させる結晶性材料である。水熱合成混合物からゼオライト結晶生成物を回収した後、多くの場合は焼成することによって、結晶粒子の内部の細孔構造への到達を阻止しうるテンプレートおよび別の材料を除去する。選択化プロセスは、吸着剤の細孔構造が開放された後で行うことができる。本明細書において、焼成して構造指向剤を除去したゼオライト結晶を「合成時の」材料と呼ぶ。
吸着剤の選択化のために2つの異なる種類の技術が開発された。その第1は、選択化分子のより低いフガシティにより長時間曝露することを含み、第2は、より高いフガシティおよび温度でのより短時間の曝露を含む。なんらかの特定の理論によって束縛しようとするものではないが、吸着剤の選択化は、分子を吸着剤に進入させ、吸着剤細孔中の位置を占有することによって実現できると考えられる。選択化分子は、吸着剤の外面から内側に通じる吸収先端中で濃縮されうる。選択化分子の濃度は、先端が進入した距離を超えると大幅に低下しうる。選択化分子は、吸着剤に進入して吸着剤中に移動する潜在的な吸着質の能力を変化させる障壁化合物として機能することができる。これによって、吸着剤の速度論的選択性を増加させることができる。たとえば、障壁化合物による選択化は、8環ゼオライトの速度論的選択性によって、CHまたは別の炭化水素からのCOおよび/またはNのガス分離を増加させることができる。場合により、障壁化合物によって吸着剤の表面に不活性層を形成することもでき、それによって吸着剤の速度論的選択性が改善される。
好ましくは、障壁化合物は、運転条件下で吸着剤の細孔構造にゆっくり拡散することができる(10−15/s未満の拡散係数)。超低速拡散分子(10−19/s未満の拡散速度)は、吸着剤の中心から離れた細孔(すなわち、吸着剤の表面付近の細孔)で濃縮されうる。超低速拡散(10−23/s未満)の極限では、分子は、吸着剤の表面から内側に延在する別個の層中に配置されうる。吸着剤表面の近くまたは上の細孔の中または間に障壁が形成されことは、移動がすぐに阻止または遅延されることによって、したがって化学種の吸着速度が低下して吸着剤から速度論的に排除されることによって、スイング吸着法における速度論的選択性の改善に役立ちうる。これは、吸着ステップ中に生成物として回収される分子種が取り込まれないことにより、回収率の増加を促進することができる。8環ゼオライトの場合、低拡散分子から超低拡散分子の範囲内の分子の例としては、鎖中に4個を超える炭素を有する直鎖アルカン、および3個を超える炭素を有する第1級直鎖アルコールを挙げることができる。8環ゼオライトの場合、超低速拡散から極超低速拡散を含むことができる分子の例としては、一分岐アルカン、二分岐アルカン、2−オクタノール、第2級アルコール、多分岐アルカン、分岐第1級アルコール、およびそれらの組み合わせを挙げることができる。超低速拡散分子は、第3級分岐パラフィン、たとえば2,2,4トリメチルペンタンを挙げることができる。低拡散分子および極超低拡散分子は、頻繁な再生または補充が不要である比較的安定な選択化層を形成することができる。
移動を阻止または遅延する有効な障壁を形成するために、吸着剤の表面付近の細孔中または間の遮断化合物の最大充填量は、その飽和充填量(q、通常mmol/グラムの単位で表される)の少なくとも10%となるべきである。別の実施形態において、吸着剤の表面付近の細孔中または間の遮断化合物の最大充填量は、その飽和充填量の少なくとも40%、たとえば、その飽和充填量の少なくとも75%となることができる。別の実施形態において、充填量は、少なくとも一部の開放チャネルを得るために、飽和充填量に対して制限することができる。このような実施形態において、充填量は飽和充填量の20%以下、たとえば15%以下であってよい。表面付近の領域は、吸着剤直径または平均粒度の5%以内の表面からの距離を意味することができる。この最大充填量は、吸着剤が曝露される気体中の遮断化合物のフガシティから概算することができる。この概算には、遮断化合物の平衡取り込みを近似するためのラングミュア等温線が使用される。数学形式のラングミュア等温線は:
q/q=b×f×(1+b×f)
とすることができ、式中、qは遮断化合物の充填量(mmol/グラム)であり、qは遮断化合物の飽和充填量(mmol/グラム)であり、fは遮断化合物のフガシティ(bar)であり、bはラングミュア定数(1/bar)である。この条件は、分子量が少なくとも約50g/mol、たとえば、少なくとも約60g/molである障壁化合物の蒸気圧に、飽和蒸気圧の約10%を超える分圧において曝露することによって実現できる。より多い最大充填量は、飽和蒸気圧の少なくとも約25%、少なくとも約50%、または少なくとも約90%などの障壁化合物のより高い分圧に曝露することによって実現できる。障壁化合物の非常に高い分圧に曝露する場合、液相が形成されることがあり、障壁化合物の適切な多い充填量を実現できる。好適な障壁化合物の例としては、アルカン(たとえば、パラフィン)、別の炭化水素、アルコール、別のオキシジェネート、アミン、および硫黄を有する化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。パラフィン種としては、直鎖パラフィン、一分岐パラフィン、多分岐パラフィン、第3級分岐パラフィン、およびそれらの組み合わせを挙げることができる。アルコールとしては第1級および第2級アルコールを挙げることができる。オキシジェネートとしては、エチレングリコールおよびトリエチレングリコールなどのグリコールを挙げることができる。アミンの例としては、メチルジエチルアミンおよびジメチルエチルアミンを挙げることができる。硫黄を有する化合物の一例は二硫化ジメチルである。スイング吸着法の特性温度において「b」値が10/barを超える遮断化合物を用いた選択化は、吸着剤に吸着された後の遮断化合物の減少の緩和に役立ちうる。スイング吸着法の温度の特性温度においてより大きなb値(少なくとも100/barまたは少なくとも1,000/barなど)を有する遮断化合物を使用すると、スイング吸着または膜分離プロセスの運転中の遮断化合物の減少をさらに緩和することができる。
分子サイズは、遮断化合物の吸着強度(b値)および拡散率の両方に影響を与えうる。分子サイズは、遮断分子の最大寸法および最小寸法によって特徴付けることができる。たとえば、直鎖パラフィンの場合、最大寸法は引き延ばした鎖長によって設定でき、最小寸法は鎖の直径によって設定できる。遮断分子の最大寸法が増加すると、b値が増加し、拡散率が低下する傾向が生じうる。遮断分子最大寸法が大きくなりすぎると、ある分子種の移動の効率的な選択的遮断ができず、別の分子種は迅速に移動できる。8員環ゼオライト吸着剤の場合、遮断化合物の最大寸法は、約25オングストローム未満で約4オングストロームを超えることができる。最大寸法が約15オングストロームで約6オングストロームを超える場合に、8員環ゼオライト吸着剤で向上した性能を実現できる。CO、HS、メタン、エタン、およびHOなどのより小さい最大寸法を有する分子は、吸着剤の速度論的選択性を改善しないと思われる。遮断分子の最小寸法によって、ゼオライト中に拡散する遮断分子の性質が決定されうる。遮断分子最小寸法が増加すると、拡散係数が減少する傾向が生じうる。最小寸法が大きくなりすぎると、実際的な長さの時間で化合物がゼオライトの内部に入ることができないところまで、拡散係数が減少しうる。ゼオライトの細孔構造中に入ることができる分子サイズは、International Zeolite Association(IZA);http://izasc.ethz.ch/fmi/xsl/IZA−SC/ft.xslによって公開されているゼオライト構造のデータベースから推測されるサイズよりも大きくてよい。各フレームワークの種類の場合で、このデータベースは、剛性ゼオライトフレームワークの各方向に沿って拡散できる剛体球の寸法を提供している。ゼオライトフレームワークの可撓性のため、IZAデータベースから推測されるよりもはるかに大きい最小寸法の分子がゼオライト細孔構造中に進入することができる。遮断分子をゼオライト中に充填可能となるためには、最小分子寸法は、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも2.0オングストローム未満大きくてよい。遮断分子のゼオライト中への充填がより容易に可能となるためには、それらの最小分子寸法は、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも1.5オングストローム未満大きくてよい。ゼオライト中に遮断分子が捕捉されるのに十分小さな拡散係数を有するために、遮断分子の最小分子寸法は、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも約0.4オングストロームを超えて大きくてよい。遮断分子の捕捉は、それらの最小分子寸法が、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも約0.6オングストロームを超えて大きい場合に向上しうる。これに加えて、またはこれとは別に、寸法の差は、IZAデータベースから得られる最大剛体球の寸法のパーセント値で表すことができる。このような実施形態においては、最小分子寸法は、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも約60%未満大きい、たとえば、約55%未満大きい、約50%未満大きい、約45%未満大きい、または約40%未満大きいことが可能である。これに加えて、またはこれとは別に、このような実施形態において、最小分子寸法は、剛性ゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のIZAの寸法よりも少なくとも約10%大きい、たとえば、少なくとも約15%大きい、少なくとも約20%大きい、または少なくとも約25%大きいことが可能である。
たとえば、IZAデータベースには、剛性DDRゼオライトフレームワークの任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球のサイズが3.65オングストロームであると記載されている。したがって、DDR好適な遮断分子の好ましい最小寸法は、約4.05〜5.65オングストロームの間であってよい。遮断分子のDDR中への充填を促進するためには、遮断分子の最小寸法が約5.15オングストローム未満であることが好ましくなりうる。遮断化合物のDDR中への捕捉(すなわち長期安定性)を向上させるためには、遮断分子の最小寸法が4.25オングストロームを超えることが好ましくなりうる。DDR型ゼオライトの選択化の場合、これらのサイズ範囲内となる分子の例としては、n−ヘキサン、2−メチルペンタン、2−メチルヘキサン、ヘキサノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−1−ヘキサノールを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。DDR型ゼオライトの場合、このサイズ範囲外となる分子の例は、トルエン、シクロヘキシルアミン、ブチルアミン、およびn−メチルピロリドンが挙げられる。100℃付近の温度で、このサイズ範囲外のこれらの分子の飽和蒸気に長時間曝露しても、速度論的選択性の顕著な改善が見られないことが実験により示されている。
選択化に使用されるある分子は、ゼオライトフレームワーク構造中の欠陥(ヒドロキシルなど)と反応して、フレームワーク内部でそれらと化学的に結合することができる。これによって選択化の安定性を向上させることができる。たとえば、第1級および第2級アルコールは、ゼオライト構造中に拡散し、次に構造中のヒドロキシルおよびその他の欠陥と反応することができる。この反応によって、不活性雰囲気(たとえば、N)中で約350℃以上の温度に加熱しても脱着に抵抗できるように分子を捕捉することができる。
障壁化合物を吸着剤に使用するために、種々の方法を使用することができる。選択肢の1つでは、スイング吸着ユニットの床に吸着剤を組み込む前に、吸着剤を障壁化合物に曝露することができる。その状況において、床中に配合する前に吸着剤粒子を処理することができる。配合技術としては、選択化した吸着剤およびバインダーを用いたペレットの形成、選択化した吸着剤およびバインダーのフィルムへのキャスティング、選択化した吸着剤および任意選択のバインダーのモノリスなどの支持体上へのウォッシュコーティングを挙げることができる。一実施形態において吸着剤は、約1時間〜約150時間の時間、約100psig(約690kPag)〜約2000psig(約13.8MPag)の範囲の圧力、約155℃〜約350℃の範囲の温度で、吸着剤の速度論的選択性を変化させるために選択された高濃度(>90mol%)の分子に直接曝露することによって選択化することができる。より低い温度で、選択化のために選択された分子をゆっくりと吸着剤中に拡散させることができるが、温度が高すぎると障壁化合物の熱劣化が生じることがある。たとえば約250℃〜約310℃の温度を使用することによって、選択化分子を熱劣化させることなく処理時間を短縮することができる。充填量を増加させるために、できるだけ高いフガシティを処理のために使用する事が望ましい場合がある。選択化分子が凝集して液相になることができる場合、圧力を上昇させても、通常はフガシティはあまり急激に増加せず、処理圧力は、凝縮が起こる圧力のすぐ上(>1psi上)まで低下させることができる。液相転移が存在しない場合、選択化温度において積(b×f)が10より大きくなるようなフガシティ(f)となるような圧力を使用することが望ましくなりうる。約500psig(約3.5MPag)を超える圧力で選択化が行われる場合に、常にこの条件に適合することができる。多くの場合、選択化のためにニートの(純粋な)化合物を使用することが望ましくなりうる。これが行われる場合、化合物の純度が約95mol%を超える、多くの場合約99mol%を超えることが好ましくなりうる。化合物の充填および選択化特性を妨害しない不純物の存在が望ましい場合がある。化合物の混合物が選択化に使用される場合、混合物中の約95mol%を超える分子が、吸着剤中への充填の目標とされる分子であることが好ましいことがあり、混合物中の分子の純度が約99mol%を超えることが望ましい場合がある。選択化が高圧および高温で行われる場合、吸着剤を遮断化合物とともにオートクレーブ中に投入することができる。オートクレーブ(またはバッチ処理装置)が使用される場合、オートクレーブの加熱および冷却の時間がかかることがある。処理量を犠牲にすることなるプロセスの許容範囲を得るために、処理時間が約2時間〜約20時間の範囲内となることが望ましくなりうる。連続高圧/高温処理装置(たとえば、高圧圧力流動床処理装置)が使用される場合、より短い平均滞留時間を実現できる。障壁化合物が吸着剤中に充填された後、接触器中の床に最終的に組み込むことが可能となるさらなる処理のために、吸着剤を冷却することができる。障壁化合物は吸着剤の細孔構造中に少なくとも部分的に存在すると考えられるので、複数のスイング吸着サイクル中に障壁化合物は吸着剤の中または間に維持されうる。速度論的選択性の改善および軽質成分の絶対拡散率の低下は、選択化分子の厳密な選択、ならびに選択化プロセス中に選択された時間、温度、および圧力の条件の組み合わせに依存して変動しうる。したがって、軽質成分の拡散率の測定によって条件の選択を最適化することが望ましいことがある。軽質成分の回収率は、その有効拡散率の絶対値に依存しうるので、この量を正確に測定することが望ましくなりうる。重質成分は迅速に拡散する傾向があるので、スイング吸着法に十分な速度論的選択性を得るために十分な正確さで、その拡散率測定のみを行う必要がある。
あるいは、吸着剤構造を床に組み込む前に、150時間を超える時間、障壁化合物に曝露することによって吸着剤の選択化を行うことができる。製造の処理量が減少するので、通常これは、選択化した吸着剤の製造にはあまり望ましくないプロセスとなる。より長い曝露時間を使用する場合、選択化をより低い温度および/またはより低い圧力で行うことができる。
別の選択肢の1つでは、スイング吸着ユニット中の接触器中に使用される床の中、または床中に組み込まれる構成要素の中に組み込んだ後に、吸着剤を障壁化合物に曝露することができる。床が吸着剤を含有するペレットで形成される場合、ペレットを形成した後に、吸着剤粒子を選択化するための前述の手順を使用してペレットを選択化することができる。床の平行チャネル接触器における使用が計画される場合、吸着剤粒子の選択化のために記載した手順を使用して、床を個別に選択化することができる。たとえば、平行チャネル接触器中の床は、吸着剤がウォッシュコーティングされたモノリスであってよい。このような状況において、モノリスは、吸着剤粒子の選択化のために記載した手順を用いてオートクレーブ中で選択化することができる。このようなすべての状況において、床は、スイング吸着ユニット中に組み込む前に選択化することができる。
DDR吸着剤を含有する床の選択化のために、記載の手順を使用して堆積可能な好適な障壁化合物の例としては、n−ヘキサン、2−メチルペンタン、2−メチルヘキサン、ヘキサノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−1−ヘキサノール、およびそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
別の選択肢の1つでは、床を組み立てて接触器を形成した後に吸着剤を障壁化合物に曝露することができる。この場合、接触器を100℃を超える温度、たとえば150℃を超える温度に加熱できること、および/または少なくとも約50g/mol、たとえば少なくとも約60g/molの分子量を有する障壁化合物に、障壁化合物の飽和蒸気圧の少なくとも約25%、たとえば、少なくとも約50%または少なくとも約90%に相当する分圧などのより高い分圧で接触器を曝露できることが望ましくなりうる。温度が十分に高いために障壁化合物の液相が存在しない場合、約100psig(約690kPag)を超える圧力において、ストリーム中の少なくとも約10mol%(たとえば、少なくとも50mol%)の障壁化合物との曝露を行うことが望ましくなりうる。曝露時間は数時間から数週間の範囲となりうる。
別の選択肢の1つでは、接触器がスイング吸着ユニット中に取り付けられた後で選択化を行うことができる。この場合、選択化は、接触器が機能性スイング吸着ユニット中にあるときに、分子量が少なくとも約50g/mol、たとえば少なくとも約60g/molである障壁化合物を、飽和蒸気圧の約10%を超える分圧、たとえば、少なくとも約25%、少なくとも約50%、または少なくとも約90%の分圧で供給ガス中に混入することで行うことができる。好適な障壁化合物濃度の選択は、特に障壁化合物、サイクル長さ、分離プロセスが行われる温度、および処理時間の長さの選択に依存しうる。処理時間は数日から数か月となりうる。障壁化合物を供給ガスストリーム中に混入できる方法としては、直接注入、および/またはバブラーなどの気化器の使用を挙げることができる。障壁化合物を供給ストリームに加えることが好ましい場合があるが、場合によっては障壁化合物がすでに存在してもよい。障壁化合物への曝露により吸着剤が選択化されると、スイング吸着ユニットの性能が好都合に変化しうる。性能変化の速度の制御および計画を行うことが望ましくなりうる。性能が所望の目標に到達した後、障壁化合物の濃度を低下させることができる。場合によっては、少量の維持レベルの障壁化合物を供給材料に加えることで、選択化の長期安定性を改善することができる。選択条件の目的は、障壁化合物が細孔網目構造に進入することで吸着剤の速度論的選択性を改善でき、それによって軽質成分の拡散率を低下できることであってよい。大過剰の障壁化合物が吸着剤表面上に蓄積しないように、サイクル間で選択化を維持することも望ましくなりうる。
選択化別の選択肢の1つは、使用されるスイング吸着ユニット中に取り付けた後の接触器の中、別個のガスストリーム中の障壁化合物を流すことを含んでよい。このストリームは供給ストリームと異なっていてよく、その場合、ユニットは、ストリームの分離を行う方法で運転する必要はない。したがって、ユニット中のバルブの順序は、サイクルスイング吸着法に使用したものと同じである必要はない。障壁化合物を含有するストリームは、再循環させてユニットに戻すことができるし、1回流すこと原則として使用することもできる。ストリームが再循環される場合、障壁化合物は、直接注入、および/またはバブラーなどの気化器の使用のいずれかで補給することができる。障壁化合物を含有するストリームは、スイング吸着法に使用した温度よりも高い温度で、ユニットに流すことができる。同様に、ユニットを加熱することができ、そのユニットに選択化ストリームが流される。いずれの場合も、100℃を超える温度、たとえば150℃を超える温度で選択化分子種に曝露することが望ましくなりうる。障壁化合物の濃度は、分離を行うユニットの供給材料中に含まれる場合よりも高くすることができる。このような場合、より高い分圧の障壁化合物、たとえば飽和蒸気圧の少なくとも約25%、たとえば、少なくとも約50%または少なくとも約90%を用いて曝露を行うことが好ましくなりうる。温度が十分に高いために障壁化合物の液相が存在しない場合、約100psig(約690kPag)を超える圧力において、ストリーム中の少なくとも約10mol%(たとえば、少なくとも50mol%)の障壁化合物との曝露を行うことが望ましくなりうる。曝露時間は数時間から数週間の範囲となりうる。
希望するなら、任意の2つ以上の選択肢を交互に組み合わせて改善された選択性を得ることができる。
別の実施形態
これに加えて、またはこれとは別に、本発明は以下の実施形態の1つ以上を含むことができる。
実施形態1。ガス分離を行う方法であって:8員環ゼオライトまたは8員環微孔質材料を含む吸着剤または膜を障壁化合物と有効条件下で接触させて、吸着剤または膜の選択化を行うステップであって、8員環ゼオライトまたは8員環微孔質材料の場合、障壁化合物が約4.05オングストローム〜約5.65オングストロームの最小寸法および約25オングストローム以下の最大寸法を有するステップと;選択化した吸着剤または膜を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、入力ガスストリームよりも第1の成分に富む第1のガスストリームを形成するステップと;入力ガスストリームよりも第2の成分に富む第2のガスストリームを収集するステップとを含む方法。
実施形態2。8員環ゼオライトが、DDR型ゼオライト、Sigma−1、ZSM−58、またはそれらの組み合わせである、実施形態1の方法。
実施形態3。障壁化合物が、グリコール、アミン、アルコール、アルカン、硫黄を有する化合物、またはそれらの組み合わせであり、障壁化合物の分子量が少なくとも50g/molである、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態4。障壁化合物が、エチレングリコール、トリエチレングリコール、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルジシラン、n−ヘキサン、2−オクタノール、またはそれらの組み合わせである、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態5。第1の成分がCHを含むまたはCHである、実施形態1の方法。
実施形態6。第2の成分が、CO、N、またはそれらの組み合わせを含む、あるいはCO、N、またはそれらの組み合わせである、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態7。吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための有効条件が、約50℃〜約350℃の温度および約100psig(約690kPag)〜約2000psig(約13.8MPag)の全圧を含み、遮断化合物が液体として、または飽和蒸気圧の少なくとも約10%である遮断化合物の分圧を有する気体としてのいずれかで存在する、実施形態1の方法。
実施形態8。吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための有効条件が、少なくとも約150℃、たとえば少なくとも約250℃の温度を含む、実施形態7の方法。
実施形態9。選択化した吸着剤を入力ガスストリームと接触させるステップが、接触中に第2の成分の少なくとも一部を、選択化した吸着剤によって吸着するステップを含み、この方法が、吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成するステップをさらに含み、第2のガスストリームが、脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含む、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態10。選択化した吸着剤または膜を入力ガスストリームと接触させるステップの間に、障壁化合物の少なくとも一部を脱着するステップをさらに含む、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態11。吸着剤がスイング吸着ユニットの一部であり、スイング吸着ユニットが圧力スイング吸着ユニットまたは温度スイング吸着ユニットである、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態12。スイング吸着ユニットが急速サイクル圧力スイング吸着ユニットまたは急速サイクル温度スイング吸着ユニットである、実施形態11の方法。
実施形態13。複数のサイクルのために、前記接触ステップ、脱着ステップ、および収集ステップを繰り返すステップをさらに含む、実施形態11または12の方法。
実施形態14。第1のガスストリームが残留ストリームであり、第2のガスストリームが透過ストリームである、実施形態1〜8または10のいずれかの方法。
実施形態15。微孔質材料が吸着した障壁化合物の量が、飽和充填量(q)の約20%以下である、上記実施形態のいずれかの方法。
実施形態16。スイング吸着ユニットでガス分離を行う方法であって:スイング吸着ユニット中の微孔質材料を含む吸着剤を障壁化合物と有効条件下で接触させて、吸着剤の選択化を行うステップであって、微孔質材料は、細孔であって、細孔中の任意の方向に沿って拡散可能な最大剛体球の第1の寸法を特徴とする細孔を有し、障壁化合物は、化合物の最小寸法となる第2の寸法を有し、第2の寸法が第1の寸法よりも10%〜60%の間で大きいステップと;選択化した吸着剤を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、入力ガスストリームよりも第1の成分に富む出力ガスストリームを形成するステップであって、接触中に、選択化した吸着剤が第2の成分の少なくとも一部を吸着するステップと;吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成するステップと;脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含むガスストリームを収集するステップであって、そのガスストリームが、入力ガスストリームよりも第2の成分に富むステップとを含み、場合により、実施形態3〜15のいずれか1つ以上の主題を含む、方法。
実施例1。150℃未満の温度において障壁化合物の蒸気に長時間曝露することによるDDR結晶の選択化
吸着材料の選択化によって、CHなどのより軽質の成分の吸着を、COおよび/またはNなどのより重質の成分よりも抑制することができる。より軽質の成分の拡散係数の値の減少は、膜およびスイング吸着法の回収率の完全において重要な役割を果たしうる。したがって、より軽質およびより重質の両方の成分の取り込みが減少する場合でも、CH(または別のより軽質の成分)の相対取り込み速度が、より重質の成分よりも大きく減少すると特に好都合となりうる。
8員環ゼオライト吸着剤上でのCH吸着とCOおよび/またはN吸着との間の差は、種々の成分の拡散速度のオーダー(またはそれを超える)の差で見ることができる。8員環ゼオライトDDRの異なる調製で、CHに関して拡散係数の大きな差を有することができ、COおよびCHの拡散係数の間の大きな比は維持されることが確認された。この実施例では、同様の輸送拡散係数を有することが分かった高Si/Al比(>約100)を有するDDR結晶の3つのバッチに特徴的な移動および選択化について議論する。各結晶バッチは比較的均一な粒度を有することが分かった。最小サイズの結晶を有するバッチの特性寸法は約2ミクロンであり、最大サイズの結晶を有するバッチの特性寸法は約30ミクロンであった。得られた選択化結果の大部分は、約16ミクロンの特性微結晶(粒子)サイズを有するバッチからのものである。本明細書で議論される選択化特性は、合成時の結晶において異なるCH拡散係数を有するDDR材料の別の調製にも適用されると考えられる。この実施例の詳細は、別のゼオライトの選択化にも適用可能であると考えられる。
この実施例において、DDR型8員環ゼオライトの場合、約50℃〜約100℃の間の温度におけるCHの輸送拡散係数は、約1×10−8cm/s〜1×10−9cm/s未満の範囲であることが分かった。対照的に、同じ温度範囲で、COの輸送拡散係数は約1×10−6cm/s〜約1×10−7cm/sの範囲であることが分かった。Nの輸送拡散係数はCOの輸送拡散係数と同様のオーダーであったが、温度の変動はより少なかった。結果として、8環ゼオライト吸着剤中、CHのはるかに遅い拡散に対して、COおよび/またはNの拡散は速い時間スケールで起こった。より速い拡散速度のため、COおよび/またはNの吸着は、平衡拡散特性によってより大きな程度で影響しうるが、CHの吸着は、速度論的拡散特性によってより大きな程度で影響しうる。したがって、速度論的拡散を抑制する方法は、COおよび/またはN吸着よりもCH吸着に大きな影響を与えうる。
吸着剤の吸着特性を調べるための技術の1つはゼロ長クロマトグラフィーである。ゼロ長クロマトグラフィー(ZLC)では、吸着条件から脱着条件に急速に切り替えた後のサンプルから吸着分子がパージされる速度を測定することから拡散係数が求められる。ゼロ長クロマトグラフィーデータ方法の解析は、たとえば、D.M.Ruthven,“Principles of Adsorption and Adsorption Processes”,John Wiley,NY(1984)、およびJ.Karger and D.M.Ruthven,“Diffusion in Zeolites and Other Microporous Solids”,John Wiley,NY(1992)に記載されている。均一サイズのDDR結晶に対する純粋成分のゼロ長クロマトグラフィーデータの一例を図1に示す。この実験に使用したZLC装置は、文献に示されるよりも多い量のサンプルに対応して操作するために文献で従来使用されているものから変更した。
図1に示されるデータは、ZLCセルを通過する流れを変動させる場合の、約50℃におけるDDR結晶からHeストリームへのエタンの拡散である。DDR結晶の平均サイズは約16μmであった。ZLCを通過する流れは、図に示されるように約5.2mL/分〜約26mL/分で変動させた。図1中、縦軸は、時間0におけるエタン拡散量に対するDDR結晶から拡散するエタンの濃度の対数スケールを示している。したがって、図1は、時間の関数として結晶から拡散される量の変化を示している。図1中の各曲線で、測定値と、それらの値のモデルへのフィットとの両方が示されている。
図1に示されるように、結晶全体の単一拡散プロセスを用いたモデルは、DDR中のCH、CO、およびCの拡散で得たZLCデータセットと一致していると思われる。既知の均一結晶サイズの場合、モデルフィットには2つのパラメータが関与した。パラメータの1つは拡散係数であり、第2のパラメータは分子吸着のヘンリー定数であった。モデルへのフィットにおいて、一致するヘンリー定数は、独立した平衡吸着測定によって実験的に求めた。データへの値のフィットは、理論予測で得られたヘンリー定数とも一致した。COおよびCHデータへのモデルフィットにより、DDR結晶の場合、物質移動は、結晶の体積を通過する拡散によって主として制御されたことが示された。
ZLCの研究は、1種類以上の障壁化合物および/またはファウラントに曝露した結晶からの拡散を調べるためにも使用できる。最初の試験として、DDR結晶を、CO、HS、CH、および場合により少量のC−C成分を含有するベースガス混合物に約1か月の曝露期間で曝露した。DDR結晶は約850psig(約5.9MPag)の圧力および約100℃の温度でベースガス混合物に曝露した。図2は、ベースファウリングに曝露した後にDDR結晶から拡散するメタンのZLCデータセットを示している。図2中のモデルフィットには、新しい結晶のパラメータと類似のパラメータを使用した。図2に示されるように、ベースガスへの曝露によって、単一拡散プロセスモデルに対する、測定されるメタンの拡散の変化はほとんどまたはまったくなかった。
ベースガスへの曝露は、CO吸着に対する影響も最小限であるか、まったくないと思われる。図3は、新しい状態、および数種類のベースガスに曝露した後のDDR結晶のCO吸着等温線の例を示している。COのDDR中への拡散速度がより速いため、吸着等温線によって、吸着活性の差がより明確に示された。図3に示されるように、さまざまな種類のベースガスに曝露したDDR結晶に対するCOの吸着等温線は、新しい結晶の吸着等温線と同等であった。
図2および3のデータによって、CO、HS、およびHOへの曝露は、DDR結晶の吸着特性に顕著な影響を与えないことが示された。この発見は、このような結晶の輸送特性を変化させると思われる本発明による障壁化合物とは対照的であった。
さらなる1種類の障壁化合物および/またはファウラントをベースガス混合物中に含めた場合の、DDR結晶中のCH輸送のさらなるZLCの研究を行った。曝露条件は、他の点では前述のベースガス曝露条件と同様であった。ベースガス混合物中に種々の障壁化合物および/またはファウラントをそれらの飽和蒸気圧付近で含むベースガスに曝露したDDR結晶に関してCO吸着等温線も作成した。
上記のZLCの研究およびCO吸着等温線に加えて、CHおよびCOの両方の吸着の変化が数種類の障壁化合物の場合に示された。吸着特性に影響を与えた障壁化合物としては、エチレングリコール、トリエチレングリコール、二硫化ジメチル(DMDS)、ヘキサン、メチルジエチルアミン(MDEA)、およびジメチルエチルアミン(DMEA)が挙げられる。対照的に、さらなるZLCの研究およびCO吸着等温線では、障壁化合物よりも特性(最小)寸法が大きい数種類のファウラントの場合、DDRの吸着特性への影響がほとんどまたはまったくないことが示された。たとえば、トルエン、N−メチルピロリドン、シクロヘキシルアミン、およびブチルアミンに曝露したDDR結晶では、CO吸着の顕著な変化は示さなかった。
DMDS、MDEA、およびDMEAで選択化したサンプルについて、物質移動速度の変化を調べた。選択化は、部分的には、吸着剤細孔中に障壁化合物が進入し、その結果として結晶中にCHが拡散する可能性が低下することによると考えられた。説明のため、MDEAを使用してDDRゼオライト吸着剤の選択化を行うことによって、CH輸送に対する障壁化合物の影響の明確な例を作製した。この例においては、MDEAの液だめに最初に接触させたベースガス混合物に、約100℃の温度で約1か月、DDRゼオライト結晶を曝露することによって、DDRゼオライト結晶を選択化した。この液体は、吸着剤には接触させず、ベースガス混合物をMDEAで飽和させる機能を果たした。液だめ中のMDEAの量は、ベースガス混合物を飽和させるのに必要な分子数の50倍を超える分子を含有した。この実験における飽和MDEA蒸気は、天然ガスを処理するスイング吸着ユニットの分野の用途で予想される濃度の5000倍を超える気相中のMDEA濃度を有した。
図4は、種々の処理後のDDR結晶のZLCの研究を示している。図4中、「ベースライン」プロットは、メタンを捕捉する吸着材料を使用せずにZLC測定で得られた出力の例を示している。新しいサンプルの曲線は、選択化剤に曝露する前のDDR結晶の場合に測定したメタンの拡散を示している。MDEA曝露の曲線は、前述のようにMDEAで選択化したDDR結晶に対応する。図4に示されるように、選択化されたDDR結晶からのメタンの拡散は、選択化されていない結晶の場合よりも最初は少なかった。しかし、次に選択化されたDDR結晶からの拡散は、選択化されていない結晶よりも小さい勾配で安定化した。
図5は、前述のMDEA選択化結晶についてCHの異なる流量でのさらなるZLCの研究を示している。測定ZLC拡散を示すことに加えて、図5は、拡散の「表面障壁」モデルに対する小さい勾配部分のフィットも示している。図5に示されるように、表面障壁モデルによって、拡散のロングテールに妥当なフィットが得られた。これは、MDEA曝露が、DDR結晶上の表面障壁の形成と類似の効果を有したことを示している。
CHの拡散特性の変化に加えて、MDEAは、COの吸着特性も変化させると思われる。図6は、非選択化結晶および選択化したDDR結晶の両方でのCOの吸着等温線を示している。図6に示されるように、水の存在下または非存在下でのMDEAによる選択化によって、同等のレベルの選択化が得られた。MDEAに曝露したDDR結晶は、選択化していない結晶と比較して、吸着CO量の約30%の低下を示した。
さらなる研究として、サイクル選択化実験を用いてDDR結晶の選択化の程度を調べた。この実験では、障壁化合物またはファウラントにNをバブリングした。次にN流を、DDR結晶が収容されたセルに流した。これによって結晶を障壁化合物に曝露した。周期的に、N流を停止し、CO、N、およびCHを含有するガスを導入した。装置のサイクル時間は約1〜20秒の範囲であった。経時による結晶のワーキングキャパシティまたは吸着を、障壁化合物に曝露する前の結晶の初期吸着と比較した。
図7は、結晶を周期的にn−ヘキサンに曝露した、経時によるDDR結晶のワーキングキャパシティを示している。図7に示されるように、N吸着に関する結晶のワーキングキャパシティは、手順全体にわたる初期ワーキングキャパシティの少なくとも約70%であった。COの場合、ワーキングキャパシティは、手順全体にわたるワーキングキャパシティの少なくとも約80%であった。ヘキサンによる選択化は、約1〜20秒の長さのサイクル中にCOおよびNの吸着に対して適度な影響を有したことを示している。これは驚くべきことではなく、その理由は、COおよびNの場合の平衡時間は0.1秒のオーダーであり、そのためCOおよびNの吸着量が、サイクル中に平衡レベルに到達したと思われるからである。対照的に、n−ヘキサンへの周期的曝露を開始した後のCH吸着量は大きく減少した。図7に示されるように、選択化したDDR結晶の場合の吸着CH量は、選択化していない結晶の吸着量の約20%未満であった。これは、n−ヘキサンによって明らかにDDR結晶が選択化され、それによってCOまたはNの吸着よりも大きい程度でCH吸着が抑制されたことを示している。
メタノール、トルエン、および水をファウラントまたは障壁化合物として使用して、同様の周期的ファウリングまたは選択化の研究を行った。約10〜50秒ごとに圧力を約150psig(約1.0MPag)〜約20psig(約130kPag)でスイングさせる約100℃窒素ストリーム中で行われる、飽和の50%野活性のファウラント蒸気に結晶を曝露することで、周期的ファウリングを行った。これらのさらなる周期的ファウリング研究において、DDR結晶のワーキングキャパシティは、メタノール、トルエン、または水に1週間を超える時間で曝露したことによる実質的な影響は見られなかった。
CHのワーキングキャパシティの大きな変化と、COおよびNのワーキングキャパシティのごくわずかな変化とは、吸着剤の細孔網目構造中にヘキサンが少なくとも部分的に進入するためと考えられた。ヘキサンが障壁化合物として機能すると思われることは、約30℃における拡散係数の測定から推定された。図8に示されるように、3個以上の炭素を含有するアルカンの拡散係数は、メタンまたはエタンの拡散係数よりも実質的に小さかった。
約100℃でn−ヘキサンをその飽和蒸気圧の約50%で使用して行った周期的ファウリング実験において、強い吸着先端が(D×t)1/2未満の距離でDDR結晶中に進入した。ヘキサンの拡散係数の値が小さいことに基づくと、約350時間曝露の場合、最大進入距離は約150オングストロームであった。したがって、すべての輸送の変化は、表面付近のDDR結晶の細孔網目構造中に吸着したヘキサンの薄層によって生じたと考えられる。プローブファウリングを調べるために使用したサイクル時間において、DDRの速度論的選択性は、CO/CH分離で少なくとも5倍、N/CH分離で少なくとも4倍向上することが分かった。比較的長いサイクル時間および実験プロトコルの性質のために、スイング吸着分離プロセスで実現可能な選択性の向上は、これよりも5〜10倍大きいと予想される。
DDRを用いて行った速度論的制御型スイング吸着法に対する選択性の影響をモデル化した。モデル化の結果から、嵩高い酸性ガスまたはNの除去の場合、選択化によって、COまたはNに富む廃棄ストリーム中のメタン濃度が下がることでメタン回収率が増加することが示された。選択化によって、アミン、DMDS、エチレングリコール、トリエチレングリコール、MeOH、カルボン酸、およびN−メチルピロリドンなどの分子種によってDDRのファウリングを緩和することもできる。結晶表面の選択化によって、結晶の細孔中へのファウラントの進入を抑制または最小限にできると考えられる。
実施例2。250℃より高温で高濃度の一分岐および二分岐アルカンへのより短時間の曝露によるDDR結晶の選択化。
一分岐および二分岐アルカンのサイズは、IZAが公開した細孔を通過できる剛体球の寸法に基づいて、DDR細孔中に進行すると予想されるようなサイズであった。しかし、DDRフレームワークの可撓性の基本的な分子シミュレーションによって、進入が可能なサイズに関して細孔構造が場合により曲がることが示された。フレームワークの可撓性のシミュレーションからは、高温でさえもそれらがフレームワーク中に移動するかどうかは依然として明らかではなかった。
一分岐および二分岐アルカンがDDR中に拡散して、選択化層を形成するのに十分に細孔を満たすことができるかどうかを試験するために、高温(約290℃)選択化手順を選択したが、その理由は、立体障害のある分子のDDR中への拡散は、非常に活性化されたプロセスになると予想され、これは室温(約20〜25℃)におけるよりも約290℃において数桁早く起こるからである。
一分岐および二分岐アルカンによる選択化を試験するため、実施例1で議論したものとは異なるバッチのDDRを使用した。このバッチのDDR結晶は、Si/Al比>250であり、実施例1で議論したものよりもCHの拡散係数がはるかに速いことが分かった。バッチ中の結晶は、ほぼ均一なサイズの円盤状の形状であった。COおよびCHの分子の輸送を可能にする2次元的に連結した細孔構造が、円板の面内に存在すると考えられた。円板面内の輸送の特性寸法は約7〜9ミクロンであった。
選択化を行うため、選択化用に選択された25グラムの液相一分岐または二分基アルカンで満たされた加圧リザーバーに接続された直径約1/8インチの圧力セル中に、合成時のDDR結晶の1/4グラムのサンプルを充填した。これらの実験に使用した液体の純度は99%を超えた。選択化を行うため、ゼオライトを保持するセルに液体を満たし、約700psig(約4.8MPag)まで加圧し、次に約290℃まで加熱した。目標の時間の間サンプルの温度を維持した後、圧力セルを急冷し、選択化されたDDR粉末を回収した。輸送またはTGAの研究を行う前に、粉末を窒素パージした約70℃のオーブン中に少なくとも約2時間入れることによって過剰の分子を除去し、次に約60℃〜約70℃の範囲内に設定した真空オーブン中にサンプルを約12時間入れた。
十分な量の選択化分子がDDR中に捕捉されたかどうかを確認するため、ゼオライト中に混入した選択化分子の重量パーセントをTGA測定により評価した。TGAでは、ミリグラム量の選択化粉末を流動窒素雰囲気中で約120℃まで加熱して、サンプル中に吸着されうる水およびCOなどの化学種を除去した。次にサンプルを約120℃で約1時間維持して、サンプル重量が安定し、脱着が起こり続けない次を確認した。温度を約6℃/分で約600℃の温度まで上昇させ、その温度で約1時間維持し、次に急速に冷却して約120℃に戻した。温度上昇の前後で約120℃において記録した重量の差を使用して、サンプルを加熱し約600℃で維持した時に生じた重量減を評価した。このプロトコルは、TGAの浮力効果による誤差をなくすと考えられている。以下の表は、DDR粉末の異なる分子選択化におけるTGAの重量減を示している。この重量減は、高温における選択化分子の脱着と、DDR結晶格子中のヒドロキシルなどの欠陥の変化に関連する重量減との両方で生じた。選択化分子の取り込みをより正確に評価するため、選択化分子が存在しないサンプルを処理した。このサンプルの重量減を使用して、DDR結晶格子中のヒドロキシルなどの欠陥の変化による重量減を識別した。これを基準として使用して、以下の表1は、選択化分子のDDR中への取り込み重量(単位重量%)を示している。DDR格子がこれらの分子のいずれかで完全に満たされていれば、重量変化は5重量%を超える。
Figure 0006234473
選択化分子のこれらの適度な充填レベルによって、メタン拡散率の顕著な低下が可能なことを示すため、3つの選択化サンプルおよび合成時のDDRに対してZLC実験を行った。合成時の材料ZLC曲線の形状は、予想される理論形状とは一致せず、曲線の異なる区画へのフィットから、約30℃において約8×10−13/s〜約50×10−13/sの範囲のCH拡散率を得た。曲線のこれらの区画へのフィットは、異なる充填量の分子がどのようにしてゼオライトから輸送されるかの説明として解釈した。これらのフィットの充填量で平均したCH拡散率は約15×10−13/sとなった。このゼオライトから作製したフィルムの単一成分PSA研究では、約10bar(約10.1MPag)および約22℃のPSA試験条件において約30×10−13/sの範囲内のより高い平均拡散率が支持された。3つすべての選択化サンプルの場合、ZLC曲線の形状は予想される理論形状と一致した。2−メチルペンタンで選択化したサンプルは、約30℃におけるCH拡散率が約2.2×10−13/sであった。3−メチルペンタンで選択化したDDRサンプルを繰り返し測定すると、約30℃におけるCH拡散率が約2.2×10−13/sおよび約2.5×10−13/sであった。2,5ジ−メチルヘキサンで選択化したDDRサンプルを繰り返し測定すると、約30℃におけるCH拡散率は約1.6×10−13/sおよび約1.9×10−13/sであった。
実施例3。250℃を超える温度における高濃度の一分岐アルカンへの短時間曝露によるDDRフィルムの選択化
実施例3は、床の中、または床中に組み込んでスイング吸着ユニット中の接触器中で使用できる構成要素の中に吸着剤を組み込んだ後で、吸着剤を障壁化合物に曝露することを伴う。
この実施例では、このDDR結晶のバッチがより広い粒度を有するという点で実施例1および2のバッチとは異なるDDR結晶のバッチを使用した。このDDR結晶のバッチは、約13μmの特性寸法、および約30℃においてZLCによって測定される約12×10−13/sのCH拡散率をも有した。
接着性を改善するために薄い(<25ミクロン)ジルコニア層をあらかじめコーティングした平坦で研磨した鋼板に、コロイダルシリカバインダーおよびDDR結晶スラリーをドクターブレードを用いて塗布することで、厚さ約200ミクロンのフィルムをキャストした。塗布後、板を約150℃まで加熱してコーティングを硬化させた。開放細孔は硬化フィルムの約30体積%未満を占め、DDRの質量はバインダーの質量の>15倍であると概算された。鋼板は幅約1.9インチおよび長さ約5インチであった。ブレードプロセスにおいて、板の端部にマスクを付けて、板の上のフィルムの幅が約1.6インチになるようにした。板のコーティングされていない端部は、単一補足(single complement)圧力スイング吸着ユニットに取り付けることができるセルに板を密封するために使用した。板をセル中に密封した後、フィルムの左上の流動チャネルの厚さは約250ミクロンであった。
単一成分圧力スイング吸着実験を、最初に、室温(約20〜25℃)および約50℃で行い、合成時のフィルムの輸送特性の特性決定を行った。CO、CH、N、およびHeを用いて各温度で個別の実験を行った。各実験において、吸着剤を周期的に約125psig(約863kPag)に加圧し、約25psig(約170kPag)まで減圧した。サイクルの定常状態運転を行った後に測定を行った。約150psig(約1.0MPag)に加圧され充填材(温度変化を緩和する)が充填されるタンクを、約25psig(約170kPag)の圧力で吸着剤を保持するセルに接続するバルブを開くことで、加圧を行った。約0.25秒後、バルブを閉じ、タンク圧力が約125psig(約863kPag)まで低下したときに、セル圧力を約125psig(約863kPag)まで上昇させる。タンクおよびセルの温度および温度の実際の上昇および低下の正確な測定を、非吸着ガス(すなわち、He)を用いたシステムの挙動の測定と組み合わせて使用して、移動したモル数および吸着剤に取り込まれたモル数を推定した。セルを約30秒間密封して、遅い吸着プロセスを監視し、それによって、吸着剤に取り込まれるモル数の時間依存性の変化を得ることができる。密封したセルの圧力および温度の変化の正確な測定を、非吸着ガス(すなわち、He)を用いたシステムの挙動の測定と組み合わせて使用して、時間依存性の充填量変化を定量した。次にLDF近似を使用して、観察されるあらゆる変化を有効拡散係数に変換した。この種の分析を行うことができる最短時間スケールは約0.25〜0.5秒である。これによって測定可能な有効拡散係数の上限が求められる。セルを密封状態で約30秒維持した後、最初に約1psig(約7kPag)の減圧タンクへのバルブを約10秒開いた。この時間の間、セルおよび減圧タンクの圧力は約25psig(約170kPag)で平衡に達した。約10秒の減圧の後、減圧タンクとセルとの間のバルブを閉じ、セルをさらに約10秒間密封しながら、新しいサイクルの開始を待機した。それぞれの引き続くサイクルは、バルブのタイミングが最初と同じであった。各サイクルを開始する前に、供給材料および減圧タンクの圧力を再設定した。
PSA測定において、COおよびNは0.25秒未満で完全に平衡に到達することが分かった。したがって、それらの拡散係数は速すぎて測定できず、合成時のフィルム中のDDR結晶中の有効COおよびN拡散係数の約2×10−11/sを下限とした。CHの場合は、LDF物質移動係数を用いておおよそフィットさせることができるようにセル中で圧力が変化した。室温実験のLDFから導出した有効CH拡散係数は約35×10−13/sであった。これは、約30℃におけるZLC測定の約3倍の大きさであった。ZLCは低圧力測定であり、有効拡散係数は圧力依存性となりうることが知られている。
合成時のフィルム中の拡散係数を測定した後、フィルムを単一補足PSAユニットから取り外し、実施例2に記載の手順と非常に類似する手順を用いて3−メチルペンタンで選択化した。選択化は、鋼板を収容するのに十分な大きさのオートクレーブ中約700psig(約4.8MPag)および約290℃で約96時間行った。
選択化の後、フィルムを単一補足PSAユニットに再充填し、再測定を行った。合成時のフィルムと同様に、COおよびNは0.25秒未満で完全に平衡に到達することが分かった。したがって、選択化プロセスによるCOおよびN拡散係数の、検出可能な速度論的変化は存在しなかった。LDFフィットで求めたメタン拡散係数は、室温および50℃の両方で約4.2分の1に減少した。室温において、3−メチルペンタンで選択化したDDR中の有効CH拡散係数は約8×10−13/sであった。
実施例4。250℃を超える温度における高濃度の直鎖アルカンへのより短時間の曝露によるDDR結晶の選択化
この実施例では、実施例2のDDR材料および選択化プロセスを使用した。n−オクタンを用いて約700psig(約4.8MPag)および約290℃において約3時間の選択化によって、DDR結晶中4重量%を超えるn−オクタンの充填量が得られることが分かった。この充填量は、n−オクタンに関して推測されるqの約75%を超え、望ましくないほど多かった。約2時間を超える曝露時間でn−ヘキサンおよびn−ヘプタンを用いて選択化した場合に同様の結果が得られた。曝露時間の短縮によって充填量の減少が可能であることを示すため、n−ヘキサンを用いて約700psig(約4.8MPag)および約290℃において約0.75時間で選択化を行った。約0.75時間の選択化の後、充填量は約1.25重量%となることが分かった。このサンプルに対してZLC測定を行うと、メタン拡散率はZLCで検出可能なレベルを下回ることが分かった。ZLC曲線は装置の分解能によく一致し、CH拡散率は約10−14/s未満に低下すると推定された。
実施例5。250℃を超える温度における高濃度のメチル分岐第1級アルコールへのより短時間の曝露によるDDR結晶の選択化
この実施例では、実施例2のDDR材料および選択化プロセスを使用した。実施例2と同様に、メチル分岐第1級アルコールがDDR中に拡散できることは先験的には予想できなかった。
選択化したDDR結晶中のメチル分岐第1級アルコールの取り込みのTGAの研究を以下の表2にまとめている。これらすべてのTGAの研究において、主な重量減は約400℃付近で起こった。これは、DDRとメチル分岐第1級アルコールとの間のある種の化学結合を示すものであった。メチル分岐第1級アルコールが、DDR結晶中のヒドロキシルおよびその他の欠陥に関連する欠陥と反応したとの仮説を立てた。DDRおよびメチル分岐第1級アルコールで選択化したDDRのNMRの研究によってこの仮説が支持された。このような反応によって選択化の安定性が向上する。
Figure 0006234473
メチル分岐第1級アルコール選択化によるCOおよびCHの輸送に対する影響を調べるために、バリスティック(ballistic)クロマトグラフィー手順を使用した。この方法において約5〜15mgの吸着剤を直径約1mmおよび長さ約1.5cmのセル中に充填した。次に、約5〜40SCCMの流量および約1barg(約100kPag)〜約5barg(約500kPag)の圧力でガスがセルに流される場合に、セルへの接続によって顕著な流体力学的逆混合が起こらないように、セルをクロマトグラフィーユニット中に搭載した。データを解釈できるようにするため、セルを通過する流れは「栓流」であると実質的に仮定する必要がある。測定を開始する前に、吸着剤は、流動するヘリウムまたは流動する窒素のいずれかの中で約70℃〜約225℃の間でコンディショニングした。
輸送を測定するために、約0.25秒よりも速い時間応答を有する質量分析計を使用して、セルから流出するCOまたはCHのいずれかの濃度の変化を測定した。輸送を調べるために使用したガスは、He中の約1〜20%CHまたはHe中の約1〜20%COの混合物であった。この実施例において、プローブガスは、He中の約10%CHおよびHe中の約10%COであった。実験を開始するとき、約5cm/分または約25cm/分のいずれかでHeをセルに流した。バルブを動かし、Heと同じ流量でプローブガスをセルに流した。規定の時間の後、再びバルブを動かし、元の流量でヘリウムをセルに流した。装置の設計において、バルブを動かしたときに入口ストリーム中の速度がほぼ一定に維持されることが重要であった。これを行うための方法がいくつか存在し、その1つは、セルとほぼ同じ流体力学的抵抗を有する「ダミー」の通路にセルからの流れを切り替える入口バルブを有することである。このような場合、Heおよびプローブガスが常に流され、セルへの流れと、「ダミー」流路への流れとを切り替えるだけである。
CHの輸送の分析の多くは、プローブガスがセルを流れる間の最短約6秒の時間で得られた。プローブガスがサンプルを通過する間に調べられる別の時間の長さは、約30秒、約1分、および約2分であった。約5cm/分および約25cm/分における結果の間の差を使用して、セルを通過する前にCOが吸着剤と完全に平衡に到達するかを評価した。データの解析は、ブランクセルの時間応答の記録にも依拠する。
2−メチル−1−プロパノールで選択化したサンプルを通過する輸送を、バリスティッククロマトグラフィーを用いたベースDDRの輸送と比較した。COの場合、2−メチル−1−プロパノールで選択化されたサンプルおよびベースDDRと非常に類似した明確な破過が存在した。最高流量でもCOがサンプルと完全に平衡に到達することが示されるように、先端の形状および位置が流量とともに変化した。完全平衡で予想されるように、ガスがセルを流れる時間を約6秒から約30秒に変化させても、破過の先端野性質の変化は見られなかった。これは、選択化サンプルおよびベースDDRサンプルにおけるCO拡散係数が10−10/sを超えたことを示している。選択化サンプルおよびベースDDRサンプルのCH測定を比較すると、選択化によるCH拡散の変化が推定された。モデル化および直接比較の両方で、2−メチル−1−プロパノール選択化によって、有効CH拡散係数が少なくとも2.5分の1に減少することが示された。
実施例3の方法および材料を用いたDDRフィルムの2−メチル−1−プロパノール選択化の影響に関して同様の結論が得られた。2−メチル−1−プロパノールを用いて約700psig(約4.8MPag)および約290℃において約44時間で選択化したフィルムは、CH拡散係数が約3分の1に減少し、COの場合に観察される速度に顕著な影響はなかった。
実施例6。250℃を超える温度における高濃度の第2級アルコールへのより短時間の曝露によるDDR結晶の選択化
この実施例では、実施例2のDDR材料および選択化プロセスを使用した。選択化したDDR結晶中の第2級アルコールの取り込みのTGAの研究を以下の表3にまとめている。メチル分岐第1級アルコールによる選択化と同様に、主な重量減は約400℃付近で起こった。これは、DDRと第2級アルコールとの間のある種の化学結合を示すものであった。第2級アルコールが、DDR結晶中のヒドロキシルおよびその他の欠陥に関連する欠陥と反応したとの仮説を立てた。このような反応が選択化の安定性を向上させることが分かった。
Figure 0006234473
2−ヘキサノール選択化サンプルを通過する輸送を、バリスティッククロマトグラフィーを用いてベースDDRの輸送と比較した。研究によって、有効CH拡散係数は10分の1未満となり、一方CO輸送はほぼ変化しないことが分かった。
実施例7。250℃を超える温度における高濃度の第2級アルコールへのより短時間の曝露によるDDRフィルムの選択化
この実施例では、実施例3のDDR材料および選択化プロセスを使用した。単一成分PSA測定を使用して、700psig(約4.8MPag)および約290℃において2−ヘキサノールを使用する約44時間の選択化の前および後の厚さ約250ミクロンのDDRフィルムの輸送を評価した。選択化の前後で行ったCO測定の比較では、COの速度に検出可能な差は示されなかった。PSA応答の解析から、未選択化DDRフィルムおよび2−ヘキサノールで選択化したDDRフィルム中の有効CO拡散係数に対して約2×10−11/sの下限を得た。CHの場合、LDF物質移動係数を用いておおよそフィットさせることができるようにセル中で圧力が変化した。2−ヘキサノールで選択化されたDDRフィルムに対する室温実験のLDF解析から導出されたDDRの有効CH拡散係数は約2×10−13/sであった。LDF解析から、2−ヘキサノールで選択化したDDRフィルム中の有効CH拡散係数は、室温および50℃の両方で未選択化フィルムの約15分の1であった。
さらに単一成分PSA測定を使用して、約700psig(約4.8MPag)および約290℃において2−オクタノールを用いる約14時間の選択化の前後の厚さ約250ミクロンのDDRフィルム中の輸送を評価した。選択化の前後に室温で行ったCO測定の比較ではCOの速度に検出可能な差は示されなかった。PSA応答の解析から未選択化DDRフィルムおよび2−オクタノールで選択化したDDRフィルム中の有効CO拡散係数に対して約2×10−11/sの下限を得た。CHの場合、LDF物質移動係数を用いておおよそフィットさせることができるようにセル中で圧力が変化した。2−オクタノールで選択化されたDDRフィルムに対する室温実験のLDF解析から導出されたDDRの有効CH拡散係数は約0.3×10−13/sであった。LDF解析から、2−オクタノールで選択化したDDRフィルム中の有効CH拡散係数は、未選択化フィルム中の100分の1未満であった。
本発明を特定の実施形態に関して説明してきたが、そのように限定されるものではない。特定の条件下での操作のための好適な変更/修正は当業者には明らかとなるであろう。したがって、以下の特許請求の範囲は、本発明の真の意図/範囲内となるすべてのそのような変更/修正を含むと解釈されることを意図している。

Claims (18)

  1. ガス分離を行う方法であって:
    8員環ミクロ細孔材料を含む吸着剤または膜を、障壁化合物と有効条件下で接触させて、前記吸着剤または膜の選択化を行うことであり、前記障壁化合物が、吸着剤の任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球の最大の寸法よりも少なくとも0.4オングストローム大きい最小寸法および25オングストローム以下の最大寸法を有すること;前記吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための前記有効条件が、50℃〜350℃の温度および100psig(約690kPag)〜2000psig(約13.8MPag)の全圧を含み、前記障壁化合物が、飽和蒸気圧の少なくとも10%である前記障壁化合物の分圧を有する気体として、又は液体としてのいずれかで存在し;吸着剤または膜の選択化は、8員環ミクロ細孔材料の孔を通る少なくとも一種の障壁化合物の拡散を含むこと;
    前記選択化した吸着剤または膜を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、前記入力ガスストリームよりも前記第1の成分に富む第1のガスストリームを形成すること;及び
    前記入力ガスストリームよりも前記第2の成分に富む第2のガスストリームを収集すること
    を含む方法。
  2. 前記8員環ミクロ細孔材料が、DDR型ゼオライト、Sigma−1、ZSM−58、またはそれらの組み合わせである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記障壁化合物が、グリコール、アミン、アルコール、アルカン、硫黄を有する化合物、またはそれらの組み合わせであり、前記障壁化合物は、少なくとも50g/molの分子量を有する、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記障壁化合物が、エチレングリコール、トリエチレングリコール、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルジシラン、n−ヘキサン、2−オクタノール、またはそれらの組み合わせである、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  5. 前記第1の成分がCHまたはCHとHSとの組み合わせである、請求項1に記載の方法。
  6. 前記第2の成分が、CO、N、HS、またはそれらの組み合わせである、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
  7. 前記吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための前記有効条件が、少なくとも150℃の温度を含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記第1のガスストリームが残留ストリームであり、前記第2のガスストリームが透過ストリームである、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
  9. 前記選択化した吸着剤を入力ガスストリームと接触させることが、前記接触中に前記第2の成分の少なくとも一部を、前記選択化した吸着剤によって吸着することを含み、前記吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成することをさらに含み、前記第2のガスストリームが、前記脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含む、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
  10. 前記選択化した吸着剤または膜を前記入力ガスストリームと接触させる間に、前記障壁化合物の少なくとも一部を脱着することをさらに含む、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
  11. 前記障壁化合物の最小寸法は、4.05オングストローム〜5.65オングストロームである、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
  12. 前記ミクロ細孔材料が吸着した障壁化合物の量が、飽和充填量(q)の20%以下である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
  13. スイング吸着ユニットでガス分離を行う方法であって:
    スイング吸着ユニットに8員環ゼオライトを含む吸着剤を、障壁化合物と有効条件下で接触させて、前記吸着剤の選択化を行うことであり、8員環ゼオライトは、DDR型ゼオライト、Sigma−1、ZSM−58、またはそれらの組み合わせであり;前記障壁化合物が、吸着剤の任意の方向に沿って拡散できる最大剛体球の最大の寸法よりも少なくとも0.4オングストローム大きい最小寸法を有すること;前記吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための前記有効条件が、50℃〜350℃の温度および100psig(約690kPag)〜2000psig(約13.8MPag)の全圧を含み、前記障壁化合物が、飽和蒸気圧の少なくとも10%である前記障壁化合物の分圧を有する気体として、又は液体としてのいずれかで存在し;吸着剤または膜の選択化は、8員環ミクロ細孔材料の孔を通る少なくとも一種の障壁化合物の拡散を含むこと;
    前記選択化した吸着剤を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、前記入力ガスストリームよりも前記第1の成分に富む出力ガスストリームを形成し、選択化された吸着剤は、接触の間、第2の成分の少なくとも一部を吸着すること;
    吸着した第2成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成すること;及び
    脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含むガスストリームを収集し、ガスストリームは、前記入力ガスストリームよりも前記第2の成分に富むこと
    を含む方法。
  14. 前記スイング吸着ユニットが圧力スイング吸着ユニット、温度スイング吸着ユニット、急速サイクル圧力スイング吸着ユニットまたは急速サイクル温度スイング吸着ユニットである、請求項13に記載の方法。
  15. 複数のサイクルのために、前記選択化された吸着剤との接触、脱着、および収集を繰り返すことをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  16. 接触、脱着及び収集を繰り返す複数のサイクルの後、障壁化合物を脱着することを更に含む、請求項15に記載の方法。
  17. メタン拡散率DCH4は、下記関係:
    CH4<3×10−13×[tadsorb/(4秒)]×(dcrystal/(15ミクロン)]{単位m/s}
    を満たす、請求項13に記載の方法。
  18. スイング吸着ユニットでガス分離を行う方法であって:
    スイング吸着ユニット中のミクロ細孔材料を含む吸着剤を障壁化合物と有効条件下で接触させて、前記吸着剤の選択化を行い、前記ミクロ細孔材料は、細孔であって、前記細孔中の任意の方向に沿って拡散可能な最大剛体球の第1の寸法を特徴とする細孔を有し、前記障壁化合物は、前記化合物の最小寸法を示す第2の寸法を有し、前記第2の寸法が前記第1の寸法よりも10%〜60%大きいこと;前記吸着剤または膜を障壁化合物と接触させるための前記有効条件が、50℃〜350℃の温度および100psig(約690kPag)〜2000psig(約13.8MPag)の全圧を含み、前記障壁化合物が、飽和蒸気圧の少なくとも10%である前記障壁化合物の分圧を有する気体として、又は液体としてのいずれかで存在し;吸着剤または膜の選択化は、ミクロ細孔材料の孔を通る少なくとも一種の障壁化合物の拡散を含むこと;
    前記選択化した吸着剤を、第1の成分および第2の成分を含有する入力ガスストリームと接触させて、前記入力ガスストリームよりも前記第1の成分に富む出力ガスストリームを形成すること、前記接触中に、前記選択化した吸着剤が前記第2の成分の少なくとも一部を吸着すること;
    前記吸着した第2の成分の少なくとも一部を脱着して、脱着した第2の成分部分を形成すること;及び
    前記脱着した第2の成分部分の少なくとも一部を含むガスストリームを収集し、前記ガスストリームが、前記入力ガスストリームよりも前記第2の成分に富むことを含む、方法。
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