JP6234337B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
<構成>
図1は、本実施形態に関する炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。図1に示されるように、炭化珪素半導体装置は、高濃度n型のカソード層1と、カソード層1の表面に形成された高純度の耐圧層2(半導体層)と、耐圧層2の表面に形成された高濃度p型のアノード層3と、カソード層1の裏面に形成されたカソード電極4と、アノード層3の表面に形成されたアノード電極5とを備える。
以下の例では、13000V耐圧を想定し、耐圧層2として、厚さが150μm程度、n型のドーピング濃度が0.7×1015/cm3程度、キャリア時定数τが10μsecの場合について検討する。なお、カソード層1およびアノード層3のドーピング濃度は、およそ1×1018/cm3である。
以下に、本実施形態による効果を例示する。
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載している場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本発明が記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲内において想定される。例えば、任意の構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれる。
Claims (2)
- 層の厚さが40μm以上であり、ドーピング濃度が0より大きく、かつ、2.5×1015/cm3以下である炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層の表面に形成される、ドーピング濃度が1×1018/cm3以上であるp型層と、
前記炭化珪素半導体層の前記表面の反対側の面である裏面に形成される、ドーピング濃度が1×1018/cm3以上であるn型層とを備え、
前記p型層の厚さが、10μm以上20μm以下であり、
前記n型層の厚さが、5μm以上50μm以下である、
炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素半導体層の厚さが、70μm以上である、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
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