JP6230887B2 - 半導体評価装置、半導体ウェハの評価方法および半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
半導体ウェハを載置する載置面を有する載置部と、
前記載置部の上方に設けられ、前記半導体ウェハの表面からの距離を計測する距離計測部と、
前記載置部の上方で前記距離計測部から水平方向に所定距離だけ離間して配置され、前記半導体ウェハの表面を観察する観察部と、
前記載置部に載置される前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を変化させるように、前記観察部を前記載置部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる垂直移動部と、
前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離を計測することによって前記半導体ウェハの反り形状を計測するように前記距離計測部を制御するとともに、前記距離計測部が計測した前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離に基づいて、前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を前記観察部が前記半導体ウェハの表面を観察可能な距離となるように前記垂直移動部を制御する制御部と、
を有する
半導体評価装置が提供される。
前記載置部を前記距離計測部および前記観察部に対して水平方向に相対的に移動させる水平移動部を有し、
前記制御部は、
前記載置部に載置される前記半導体ウェハを水平方向に移動させながら前記半導体ウェハの反り形状を計測するように、前記距離計測部および前記水平移動部を制御する
第1の態様に記載の半導体評価装置が提供される。
前記観察部は、
前記載置部に載置される前記半導体ウェハの表面に合焦可能なレンズを有し、
前記制御部は、
前記半導体ウェハの表面から前記レンズまでの距離を前記レンズの焦点距離となるように、前記垂直移動部を制御する
第1または第2の態様に記載の半導体評価装置が提供される。
半導体ウェハを載置部が有する載置面に載置する載置工程と、
前記載置部の上方に設けられた距離計測部によって、前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離を計測することによって前記半導体ウェハの反り形状を計測する反り計測工程と、
前記載置部の上方で前記距離計測部から水平方向に所定距離だけ離間して配置された観察部によって、前記半導体ウェハの表面を観察する観察工程と、
を有し、
前記観察工程では、前記距離計測部が計測した前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離に基づいて、前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を前記観察部が前記半導体ウェハの表面を観察可能な距離となるように、前記載置部を前記距離計測部および前記観察部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる
半導体ウェハの評価方法が提供される。
(1)半導体評価装置の構成
まず、図1〜図3を用い、本発明の一実施形態に係る半導体評価装置10について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体評価装置10の正面図である。図2は、本実施形態に係る半導体評価装置の上面図である。図3は、本実施形態で用いられる半導体評価装置の概略構成図である。図1および図2において、X、YおよびZ方向の矢印方向を「+
X、YおよびZ方向」とする。また、以下において、半導体評価装置10の「上方」および「下方」とは、例えば鉛直上方および鉛直下方のことをいう。
図1および図2に示されているように、半導体評価装置10は、土台810を備える。土台810の上には、半導体ウェハ100を載置する載置部(ウェハトレイ)510と、載置部510を水平方向に移動させる水平移動部(水平駆動部)と、が設けられる。
体ウェハ100と載置面512との充分な接触面積を確保できないため、載置部510の水平方向の移動を高速で行うと、載置面512↑で半導体ウェハ100が滑ることがある。付き当て部によって、半導体ウェハ100が滑ることが抑制されることにより、評価時間の短縮を図ることができる。なお、半導体ウェハ100が載置面512に対して傾いている場合は、半導体ウェハ100は、載置面512上でその傾きを維持したまま水平移動される。
図1に示されているように、載置部510の上方には、半導体ウェハ100の表面から当該距離計測部200までの距離を計測する距離計測部200が設けられる。具体的には、例えば、水平方向から見て、土台810の上には、第1水平移動部520に沿って、載置部510、第1水平移動部520および第2水平移動部540を囲むようにブリッジ部820が設けられる。これにより、ブリッジ部820は、半導体ウェハ100の水平移動に干渉しないよう構成される。距離計測部200は、載置部510の上方において、載置部510の載置面512に垂直な方向に向いた状態で、保持具840を介してブリッジ部820に固定される。
図1に示されているように、載置部510の上方には、半導体ウェハ100の外観検査として半導体ウェハ100の表面を観察する観察部(情報取得部)300が設けられる。具体的には、例えば、観察部300は、載置部510の上方で距離計測部200から水平方向に所定距離だけ離間した位置において、後述する垂直移動部400を介してブリッジ部820に固定される。観察部300が距離計測部200から離間して配置されているこ
とにより、観察部300を半導体ウェハ100に接近させて半導体ウェハ100を観察することができる。例えば、半導体ウェハの欠陥が小さく、高倍率の測定が必要である場合に特に有効である。
図1に示されているように、垂直移動部400は、保持具860を介してブリッジ部820に固定され、載置部510に載置される半導体ウェハ100の表面から観察部300までの距離を変化させるように観察部300を載置部510に対して載置面512に垂直な方向(±Z方向)に相対的に移動させるよう構成される。
次に、図3を用い、本実施形態に係る制御部(制御手段)としてのコントローラ(情報機器)600について説明する。コントローラ600は、以下のように、上記した距離計測部200等の各部と信号を送受信することにより、各部を制御するよう構成される。
0および第2水平移動部540から取得した現在の半導体ウェハ100の水平位置情報、観察部300から取得した半導体ウェハ100の表面の画像情報、予め計測または設定された観察部300の焦点距離、および垂直移動部400から取得した現在の半導体ウェハ100の表面から観察部300までの距離情報を記録部に保存するよう構成される。
次に、図4を用い、本実施形態に係る半導体ウェハの評価工程について説明する。図4は、本実施形態に係る半導体ウェハの評価工程を示すフローチャートである。
の成長方向に対して凸の反りが生じる。なお、半導体ウェハ100がサファイア基板上にGaNエピタキシャル膜が形成されたGaNテンプレート基板である場合、半導体ウェハ100の反り量は、20μm以上300μm以下である。したがって、半導体ウェハ100の製造後に、以下のように半導体ウェハ100の反り形状を計測する工程が行われる。
図4に示されているように、まず、半導体ウェハ100の検査者は、半導体ウェハ100の製造装置から取り出され充分に冷却され、反りが生じた半導体ウェハ100を、載置部510が有する載置面512に載置する。このとき、載置面512の付き当て部によって半導体ウェハ100の外周の少なくとも二点を径方向から付き当てることにより、半導体ウェハ100を載置部510の載置面512に固定する。
載置部510の上方に設けられた距離計測部200により、半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測することによって半導体ウェハ100の反り形状を計測する。本実施形態では、コントローラ600は、例えば以下のようにして、半導体ウェハ100の表面にレーザ光を照射した状態で、載置部510に載置される半導体ウェハ100を水平方向に移動(走査)させながら、半導体ウェハ100全面の反り形状を計測するように、距離計測部200、第1水平移動部520および第2水平移動部540を制御する。
距離計測部200は、例えば水平方向の所定の計測位置において、発光部から半導体ウェハ100の表面に光を照射して、その表面で反射された光の受光される位置を検知することにより、半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測する。例えば半導体ウェハ100の所定の初期計測位置から、半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測し始める。このとき、コントローラ600は、第1水平移動部520および第2水平移動部540により半導体ウェハ100の水平位置情報を取得しながら、半導体ウェハ100の水平位置情報に対する距離計測部200により計測した半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離情報を保存する。
コントローラ600は、上記した距離計測が所定のピッチで半導体ウェハ100の全面に亘って実施されたか否かを判断する(S122)。
距離計測が半導体ウェハ100の全面で実施されていないとき(S122でNoの場合)、コントローラ600は、半導体ウェハ100を初期計測位置から所定のピッチで水平方向に移動させ、次の計測位置において、半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測するように、第1水平移動部520、第2水平移動部540および距離計測部200を制御する(S121)。
ェハ100の表面から距離計測部200までの距離の分布から、半導体ウェハ100の表面の断面形状(XZ形状)または三次元形状(XYZ形状)である反り形状を計測した反り形状情報を保存し、反り計測工程S120を終了する。このとき、例えば、半導体ウェハ100の表面の傾きを補正した後、半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離の最大値と最小値との差により半導体ウェハ100の「反り量」を算出してもよい。
次に、載置部510の上方で距離計測部200から水平方向に所定距離だけ離間して配置された観察部300によって、以下のようにして、半導体ウェハ100の外観検査として半導体ウェハ100の表面を観察する。
観察部300は距離計測部200から水平方向に所定距離だけ離間しているため、半導体ウェハ100を距離計測部200の下の位置から観察部300の下の位置へ移動する。例えば、コントローラ600は、距離計測部200が半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測した載置部510の位置に対して、距離計測部200から観察部300までの所定距離だけ加算した載置部510の位置を算出し、載置部510を当該位置まで水平方向に移動させるように、第1水平移動部520および第2水平移動部540を制御する。これにより、観察部300は、距離計測部200が半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離を計測した半導体ウェハの水平方向の計測位置に等しい水平方向の観察位置で半導体ウェハ100の表面を観察することができる。
観察部下へ移動S131後において、半導体ウェハ100は、観察部300の下の位置に移動されている。このとき、半導体ウェハ100は、例えば観察部300の対物レンズ312の焦点深度よりも大きく反っている。このため、対物レンズ312の焦点は半導体ウェハ100の表面に合っておらず、観察部300は、半導体ウェハ100の表面を観察することができない状態となっている。
ことができる。
次に、コントローラ600は、例えば、半導体ウェハ100の表面を撮像するように、カメラ320を制御する。このとき、コントローラ600は、第1水平移動部520および第2水平移動部540により半導体ウェハ100の位置情報を取得しながら、観察部300のカメラ320により半導体ウェハ100の表面の画像情報を取得する。
コントローラ600は、上記した撮像が所定のピッチで半導体ウェハ100の全面に亘って実施されたか否かを判断する(S134)。
撮像が半導体ウェハ100の全面で実施されていないとき(S134でNoの場合)、コントローラ600は、半導体ウェハ100を初期観察位置から所定のピッチで水平方向に移動させ、次の観察位置において、距離計測部200が計測した半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離に基づいて、半導体ウェハ100の表面から観察部300までの距離を観察部300が半導体ウェハ100の表面を観察可能な距離となるように垂直移動部400を制御し(S132)、その観察位置において半導体ウェハ100
の表面を撮像するように、カメラ320を制御する(S134)。
本実施形態やその変形例によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
体ウェハ100の表面像を観察しながら半導体ウェハ100の表面から観察部300までの距離を直接的に調整するのではなく、実測された半導体ウェハ100の表面から距離計測部200までの距離に基づいて、半導体ウェハ100の表面を観察できるように容易かつ正確に観察部300を調整することができる。
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。半導体ウェハは半導体膜が積層された基板であってもよい。
100 半導体ウェハ
200 距離計測部
300 観察部
310 顕微鏡
320 カメラ
400 垂直移動部
510 載置部
520 第1水平移動部
540 第2水平移動部
600 コントローラ(制御部)
Claims (9)
- 半導体ウェハを載置する載置面を有する載置部と、
前記載置部の上方に固定され、前記半導体ウェハの表面からの距離を計測する距離計測部と、
前記載置部の上方で前記距離計測部から水平方向に所定距離だけ離間して配置され、前記半導体ウェハの表面を観察する観察部と、
前記載置部を前記距離計測部および前記観察部に対して水平方向に相対的に移動させる水平移動部と、
前記載置部に載置される前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を変化させるように、前記観察部のみを前記載置部および前記距離計測部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる垂直移動部と、
前記距離計測部を前記載置部の上方に固定した状態で、前記載置部に載置される前記半導体ウェハを前記距離計測部に対して水平方向に相対的に移動させながら、前記距離計測部によって前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離を計測することで、前記半導体ウェハの表面の全体に亘る反り形状を計測する反り計測処理と、前記反り計測処理後に、前記距離計測部が計測した前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離に基づいて、前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を前記観察部が前記半導体ウェハの表面を観察可能な距離となるように、前記観察部のみを前記載置部および前記距離計測部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる観察処理と、を行うよう、前記距離計測部、前記観察部、前記水平移動部および前記垂直移動部を制御する制御部と、
を有する
ことを特徴とする半導体評価装置。 - 前記制御部は、
前記反り計測処理では、前記反り形状のうち前記半導体ウェハの表面の傾きを補正した後に、前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離の最大値と最小値との差に基づいて、前記半導体ウェハの反り量を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体評価装置。 - 前記観察部は、
前記載置部に載置される前記半導体ウェハの表面に合焦可能な対物レンズを有し、
前記距離計測部の分解能は、前記観察部の前記対物レンズの焦点深度よりも小さい
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体評価装置。 - 前記制御部は、
前記半導体ウェハの表面から前記対物レンズまでの距離を前記レンズの焦点距離となるように、前記垂直移動部を制御する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体評価装置。 - 前記距離計測部は、レーザ変位計、渦電流式変位センサまたは超音波変位センサとして構成される
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体評価装置。 - 前記観察部は、位相差観察または微分干渉観察を可能に構成される
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体評価装置。 - 前記半導体ウェハは、透光性を有する
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体評価装置。 - 半導体ウェハを載置部が有する載置面に載置する載置工程と、
距離計測部を前記載置部の上方に固定した状態で、前記載置部に載置される前記半導体ウェハを前記距離計測部に対して水平方向に相対的に移動させながら、前記距離計測部によって前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離を計測することで、前記半導体ウェハの表面の全体に亘る反り形状を計測する反り計測工程と、
前記反り計測工程後に、前記載置部の上方で前記距離計測部から水平方向に所定距離だけ離間して配置された観察部によって、前記半導体ウェハの表面を観察する観察工程と、
を有し、
前記観察工程では、前記距離計測部が計測した前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離に基づいて、前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を前記観察部が前記半導体ウェハの表面を観察可能な距離となるように、前記観察部のみを前記載置部および前記距離計測部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる
ことを特徴とする半導体ウェハの評価方法。 - 半導体ウェハを作製する作製工程と、
前記半導体ウェハを評価する評価工程と、
を有し、
前記評価工程は、
前記半導体ウェハを載置部が有する載置面に載置する載置工程と、
距離計測部を前記載置部の上方に固定した状態で、前記載置部に載置される前記半導体ウェハを前記距離計測部に対して水平方向に相対的に移動させながら、前記距離計測部によって前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離を計測することで、前記半導体ウェハの表面の全体に亘る反り形状を計測する反り計測工程と、
前記反り計測工程後に、前記載置部の上方で前記距離計測部から水平方向に所定距離だけ離間して配置された観察部によって、前記半導体ウェハの表面を観察する観察工程と、
を有し、
前記観察工程では、前記距離計測部が計測した前記半導体ウェハの表面から前記距離計測部までの距離に基づいて、前記半導体ウェハの表面から前記観察部までの距離を前記観察部が前記半導体ウェハの表面を観察可能な距離となるように、前記観察部のみを前記載置部および前記距離計測部に対して前記載置面に垂直な方向に相対的に移動させる
ことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
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